專利名稱：：形成鍺硅化物層的方法、半導(dǎo)體裝置、制造該裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：示例實(shí)施例涉及一種形成金屬硅化物層的方法、一種包括該金屬硅化物層的半導(dǎo)體裝置以及一種制造所述包括該金屬硅化物層的半導(dǎo)體裝置的方法。
背景技術(shù)：
：可以減小晶體管的柵極寬度與源/漏區(qū)的厚度和表面積以提高半導(dǎo)體裝置的集成度。然而，對于柵極、溝道和/或源/漏區(qū)的接觸電阻和表面電阻(sheetresistance)的降低會出現(xiàn)困難。例如，為了降低接觸電阻，可以在柵極和源/漏區(qū)上形成硅化物層。然而，傳統(tǒng)的硅化物層會可能不具有足夠低的比電阻。此外，傳統(tǒng)的硅化物層會具有凝聚效應(yīng)和擴(kuò)散效應(yīng)，這反而會影響相對均勻和/或薄的層的形成。因此，傳統(tǒng)的硅化物層不能為下一代更高速的半導(dǎo)體裝置提供所需的更低的接觸電阻。
發(fā)明內(nèi)容示例實(shí)施例涉及一種形成可以在半導(dǎo)體裝置中用作接觸層的鍺硅化物層的方法。示例實(shí)施例還涉及一種包括鍺硅化物層的半導(dǎo)體裝置以及一種制造該半導(dǎo)體裝置的方法。根據(jù)示例實(shí)施例的形成鍺(Ge)硅化物層的方法可以包括在硅鍺(SiGe)層上形成金屬層，其中，所述金屬層可以包含釩(V)?？梢詫⒔饘賹舆M(jìn)行退火以形成鍺硅化物層。金屬層還可以包含鉑(Pt)或鎳(Ni)中的至少一種。金屬層可以形成為具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。形成多層結(jié)構(gòu)可以包括形成釩層。另外，可以在硅鍺層上形成柏層；可以在鉑層上形成釩層；可以在釩層上形成鎳層。可選擇地，可以在硅鍺層上形成釩層；可以在釩層上形成鉑層；可以在鉑層上形成鎳層?？梢允褂眉す馑查g退火(LSA)方法來執(zhí)行退火?？梢允褂猛庋由L方法來形成硅鍺層。根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可以包括第一硅鍺區(qū)；鍺硅化物層，包含釩(V)且在第一硅鍺區(qū)上；和/或?qū)щ妼?，在鍺硅化物層上。鍺硅化物層還可4以包含鉑(Pt)和鎳(Ni)中的至少一種。第一硅鍺區(qū)可以為外延區(qū)。根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置還可以包括基底，具有第一硅鍺區(qū)和第二硅鍺區(qū)作為源區(qū)和漏區(qū)；柵極，在基底上并在源區(qū)和漏區(qū)之間；鍺硅化物層，在源區(qū)和漏區(qū)上；和/或?qū)щ妼?，在鍺硅化物層上，其中，導(dǎo)電層為導(dǎo)電塞，從而實(shí)現(xiàn)晶體管。基底可以由硅形成，基底的在源區(qū)可漏區(qū)之間的部分由源區(qū)和漏區(qū)而產(chǎn)生壓應(yīng)變。基底還可以由硅鍺形成。源區(qū)和漏區(qū)可以為外延區(qū)。根據(jù)示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法可以包括在基底上形成柵極?？梢栽跂艠O兩側(cè)在基底上形成源區(qū)和漏區(qū)，其中，源區(qū)和漏區(qū)可以包含硅鍺?？梢栽谠磪^(qū)和漏區(qū)上形成金屬層，其中，金屬層可以包括釩(V)?？梢詫⒔饘賹舆M(jìn)行退火以形成鍺硅化物層。源區(qū)和漏區(qū)可以形成在基底中蝕刻的槽中?？梢允褂猛庋由L方法來形成源區(qū)和漏區(qū)。金屬層還可以包含鉑(Pt)和鎳(Ni)中的至少一種。金屬層可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。形成金屬層的步驟可以包括在硅鍺層上形成柏層；在柏層上形成釩層；在釩層上形成鎳層?？蛇x擇地，形成金屬層的步驟可以包括在硅鍺層上形成釩層；在釩層上形成鉑層；在鉑層上形成鎳層?？梢允褂眉す馑查g退火(LSA)方法來執(zhí)行退火。根據(jù)參照附圖的詳細(xì)描述，示例實(shí)施例的特征和優(yōu)點(diǎn)可以變得更清楚，在附圖中圖1A和圖1B是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的形成鍺(Ge)硅化物層的方法的剖視圖2和圖3是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的金屬層的多層結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖4A是根據(jù)示例實(shí)施例的圖2中的結(jié)構(gòu)的剖面的透射電子顯微鏡(TEM)照相圖像；圖4B是根據(jù)示例實(shí)施例的圖4A中的結(jié)構(gòu)在退火后的剖面的TEM照相圖像；圖5是根據(jù)示例實(shí)施例的圖4B中的Ge硅化物層的表面的掃描電子顯微鏡(SEM)照相圖像；圖6是根據(jù)示例實(shí)施例的包括Ge硅化物層的半導(dǎo)體裝置的剖視圖7A至圖7E是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。具體實(shí)施例方式應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為"在"另一元件或?qū)?上"、"連接到"另一元件或?qū)踊蛘?結(jié)合到"或"覆蓋"另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接到另一元件或?qū)踊蛘咧苯咏Y(jié)合到或覆蓋另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱為"直接在"另一元件或?qū)?上"、"直接連接到"另一元件或?qū)踊蛘?直接結(jié)合到"另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。在整個說明書中，相同的標(biāo)號代表相同的元件。如這里所使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)所列項(xiàng)的任意和全部組合。應(yīng)該理解的是，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可以在這里用來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為了描述方便，在這里可以使用空間相對術(shù)語，例如，"在……以下，，"在……之下"、"下面的"、"在……之上"、"上面的"等來描述如附圖中示出的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相對術(shù)語意在包括除附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為"在"其它元件或特征"以下"或"之下"的元件將隨后被定位為"在"其它元件或特征"之上"。因此，示例性術(shù)語"在……之下"可以包括"在……之上，，和"在……之下"兩個方位。可將裝置另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述符。這里使用的術(shù)語只是出于描述不同實(shí)施例的目的，而不意在成為示例實(shí)施例的限制。除非上下文另外清楚地指出，否則這里所使用的單數(shù)形式也意在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)術(shù)語"包括"和/或"包含"在此說明書中使用時，其表明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。在這里參照作為示例實(shí)施例的理想的實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述示例實(shí)施例。如此，將預(yù)料到由例如制造技術(shù)和/或公差造成的示圖的形狀的變化。因此，示例實(shí)施例不應(yīng)該被理解為限于這里示出的區(qū)域的形狀，而是將包括例如由制造造成的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)通常會在其邊緣處具有倒圓的或者彎曲的特征和/或具有注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣，由注入形成的埋區(qū)會導(dǎo)致在埋區(qū)和發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意在示出裝置的區(qū)域的真實(shí)形狀，也不意圖限制示例實(shí)施例的范圍。除非另外限定，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)的含義與示例實(shí)施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。還應(yīng)該理解的是，除非在這里被特定地限定，否則術(shù)語(比如在通用字典里定義的術(shù)語)應(yīng)該被理解為其含義與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的含義一致，并且不應(yīng)該被理想化或過度正式地理解。現(xiàn)在，將參照附圖來描述示例實(shí)施例。在附圖中，為了清晰起見，可以夸大層和/或區(qū)域的厚度。圖1A和圖lB是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的形成Ge硅化物(鍺硅化物(germanosilicide))層的方法的剖視圖。參照圖1A,可以在硅鍺層10上形成包含釩(V)的金屬層20。硅鍺層IO可以為Si,-xGex層，其中，X為滿足0<X<1的實(shí)數(shù)。硅鍺層10可以為使用外延生長方法在預(yù)定的基底(未示出)上形成的外延層。預(yù)定的基底可以為硅基底。硅鍺層IO還可以被用作半導(dǎo)體裝置(例如，晶體管)中的導(dǎo)電區(qū)(例如，源/漏區(qū))。硅鍺層10可以摻雜有導(dǎo)電雜質(zhì)。金屬層20可以為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。除了釩(V)以外，金屬層20還可以包括鉑(Pt)和鎳(Ni)中的至少一種。例如，金屬層20可以為包含釩以及鉬(Pt)和鎳(Ni)中的至少一種的合金層。可選擇地，金屬層20可以為包括釩(V)層以及鉑(Pt)層和鎳(Ni)層中的至少一層的多層結(jié)構(gòu)。圖2和圖3是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的金屬層的多層結(jié)構(gòu)的剖視圖。參照圖2，可以通過在硅鍺層10上順序堆疊鉑層2a、釩層2b和鎳層2c來形成金屬層20。參照圖3,可以通過在硅鍺層10上順序堆疊釩層2b、鉑層2a和鎳層2c來形成金屬層20。鉬層2a、釩層2b和鎳層2c的厚度的比率可以為大約1:1:5,但是示例實(shí)施例不限于此，各種合適的比率也是可以的。7參照圖IB,可以將硅鍺層10上的金屬層20進(jìn)行退火以形成鍺硅化物層30。可以使用激光瞬間退火(LSA)方法來執(zhí)行退火工藝?？梢栽诖蠹s200。C-500。C的溫度下來執(zhí)行LSA方法幾ns至幾十ns。激光能量可以在大約150mJ/cm2-950mJ/cm2的范圍中。為了產(chǎn)生該激光，可以使用Xe、HCl、H2和N2氣體中的至少一種。LSA方法可以通過將激光照射到物體的表面上相對短的時間段使物體相對快地退火。通過使用LSA方法，可以減少或抑制在退火的物體中的顆粒的凝聚。結(jié)果，使用LSA方法形成的Ge硅化物層的表面粗糙度可以相對低。通過使用LSA方法，還可以減少或防止金屬層20的金屬顆粒擴(kuò)散到硅鍺層10中。因此，可以形成具有相對小的厚度的Ge硅化物層。此外，可以減少或防止硅鍺層10的變形和/或特性的劣化。如上所述，可以通過退火來形成如圖IB中所示的包含釩(V)的Ge硅化物層30。Ge硅化物層30可以為通過硅鍺層10的一部分和金屬層20的相鄰部分的反應(yīng)而形成的層。如果金屬層20包括鎳層、鉑層和釩層，則圖IB中的Ge硅化物層30可以為NiPtVSiGe層。Ge硅化物層30的表面粗糙度可以相對小(例如，幾nm級)。Ge硅化物層30的厚度可以為幾nm至幾十nm(例如，10nm-60nm)。如果在Ge硅化物層30上存在雜質(zhì)和/或未反應(yīng)的金屬，則可以執(zhí)行濕清潔工藝以去除所述雜質(zhì)和/或未反應(yīng)的金屬。參照圖IB,硅鍺層IO可以為半導(dǎo)體裝置的第一導(dǎo)電區(qū)。例如，硅鍺層10可以為晶體管的源/漏區(qū)。硅鍺層IO還可以為二極管的p型導(dǎo)電區(qū)或n型導(dǎo)電區(qū)。此外，可以在Ge硅化物層30上形成導(dǎo)電層(例如，導(dǎo)電塞(plug))(未示出)。導(dǎo)電層可以提供電流路徑，可以將電信號通過該電流路徑提供到硅鍺層10或可以從硅鍺層10通過該路徑提供電信號?？梢栽诠桄N層10和導(dǎo)電層(未示出)之間形成可具有相對低的電阻的Ge硅化物層30,以減小硅鍺層10和導(dǎo)電層之間的接觸電阻。圖4A是根據(jù)示例實(shí)施例的圖2中的結(jié)構(gòu)的剖面的透射電子顯微鏡(TEM)照相圖像。在圖4A中，鉑層2a、釩層2b和鎳層2c的厚度可以分別為大約2.25nm、2.25nm和11.25nm。因此，柏層2a、釩層2b和鎳層2c的厚度的比率可以為大約1:1:5。圖4B是根據(jù)示例實(shí)施例圖4A中在退火后的結(jié)構(gòu)的剖面的TEM照相圖像?？梢允褂眉す馑查g退火(LSA)方法來執(zhí)行退火。激光的能量可以為大約550mJ/cm2。參照圖4B,Ge硅化物層30(例如，NiPtVSiGe層)可以具有大約16nm的厚度?？梢酝ㄟ^改變圖4A中的鉑層2a、釩層2b和/或鎳層2c的厚度來調(diào)整圖4B中的Ge硅化物層30的厚度。還可以通過改變退火工藝條件來調(diào)整Ge硅化物30的厚度。圖5是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的圖4B中的Ge硅化物層30的表面的掃描電子顯微鏡(SEM)照相圖像。如圖5中所示，測得Ge硅化物層30的表面的粗糙度為大約1.557nm,這被認(rèn)為是相對小的。結(jié)果，根據(jù)示例實(shí)施例形成的Ge硅化物層30的表面可以提供較低的接觸電阻。測得的根據(jù)示例實(shí)施例形成的兩個Ge硅化物層樣品(例如，NiPtVSiGe層樣品)的表面電阻如下面的表1中所示。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>第一樣品和第二樣品中的每個的厚度為大約16nm。參照表l，使用大約300mJ/cm2的退火激光能量來形成第一Ge硅化物層樣品，測得第一Ge硅化物層樣品具有大約25.7453Q/cm、歐姆/平方厘米)的表面電阻。使用大約550mJ/cm2的退火激光能量形成第二Ge硅化物層樣品，并測得第二Ge硅化物層樣品具有大約30.1039Q/cm、歐姆/平方厘米)的表面電阻。因此，測得第一樣品的表面電阻低于第二樣品的表面電阻。因此，可以通過調(diào)節(jié)工藝條件(例如，退火激光能量)來控制Ge硅化物層的表面電阻。圖6是根據(jù)示例實(shí)施例的包括Ge硅化物層的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。參照圖6,限定有源區(qū)(activeregion)的器件隔離層5可以形成在基底1中?；滓钥梢杂晒栊纬??？蛇x擇地，基底1可以由其它材料(例如，硅鍺)形成。基底1可以包括有源區(qū)中的源區(qū)100a和漏區(qū)100b。源區(qū)100a和漏區(qū)100b可以由硅鍺(Sh-xGex)形成，其中，X為滿足0〈X〈1的實(shí)數(shù)。源區(qū)100a和漏區(qū)100b可以為摻雜有預(yù)定的導(dǎo)電雜質(zhì)的區(qū)域。例如，源區(qū)100a和漏區(qū)100b可以與圖1B中的硅鍺層IO等同。柵極200可以形成在基底1的在源區(qū)1OOa和漏區(qū)1OOb之間的區(qū)域上。柵極200可以包括順序堆疊的柵極絕緣層(未示出)和柵極導(dǎo)電層(未示出)。柵極200還可以包括在柵極導(dǎo)電層上的硬掩模層(未示出)。絕緣分隔件210可以形成在柵極200的兩個側(cè)壁上。第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b可以分別形成在源區(qū)100a和漏區(qū)100b上。第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b可以等同于圖IB中的Ge硅化物層30。層間絕緣層400可以形成在基底1上，以覆蓋器件隔離層5、第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b、柵極200以及絕緣分隔件210。層間絕緣層400可以具有分別暴露第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b的第一接觸孔Hl和第二接觸孔H2。第一導(dǎo)電塞500a和第二導(dǎo)電塞500b可以分別形成在第一接觸孔H1和第二接觸孔H2中?？梢詫⒌谝粚?dǎo)電塞500a和第二導(dǎo)電塞500b形成為不同的高度，層間絕緣層400的高度可以根據(jù)半導(dǎo)體裝置的區(qū)域而變化。第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b可以具有相對低的比電阻，從而分別降低了源區(qū)100a與第一導(dǎo)電塞500a之間以及漏區(qū)100b與第二導(dǎo)電塞500b之間的接觸電阻。因此，可以通過第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b來增大半導(dǎo)體器件(例如，晶體管)的ON電流。如果基底1由珪形成，則基底1在源區(qū)100a和漏區(qū)lOOb之間的部分(例如，溝道區(qū))可以為壓應(yīng)變(compressivelystrained)石圭區(qū)。由于4立于溝道區(qū)兩側(cè)的源區(qū)100a和漏區(qū)100b的晶格常數(shù)可以大于溝道區(qū)的晶格常數(shù)，所以溝道區(qū)可以為壓應(yīng)變的。如果溝道區(qū)為壓應(yīng)變硅區(qū)，則溝道區(qū)中的空穴遷移率可以相對高。因此，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可表現(xiàn)出如p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的改善的性能。圖7A至圖7E示出了根據(jù)示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法。參照圖7A,可以提供具有限定有源區(qū)的器件隔離層5的基底1?？梢栽诨?的有源區(qū)上形成柵極200。柵極200可以包括順序堆疊的柵極絕緣層(未示出)和柵極導(dǎo)電層(未示出)。柵極200還可以包括在柵極導(dǎo)電層上的硬掩模層(未示出)。參照圖7B,可以在將柵極200兩側(cè)上的有源區(qū)的一部分蝕刻到預(yù)定的厚度以形成第一槽Gl和第二槽G2。參照圖7C,可以分別在第一槽Gl和第二槽G2中形成由硅鍺形成的源區(qū)100a和漏區(qū)100b?？梢?吏用外延生長方法來形成源區(qū)100a和漏區(qū)100b，并且源區(qū)100a和漏區(qū)100b可以為4參雜有導(dǎo)電雜質(zhì)的區(qū)域。參照圖7D，絕緣分隔件210可以形成在柵極200的兩側(cè)壁上?？梢苑謩e在源區(qū)100a和漏區(qū)100b上形成第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b?？梢允褂蒙厦鎱⒄請D1A、圖1B、圖2和圖3描述的方法來形成第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b。因此，可以抑制金屬顆粒擴(kuò)散到源區(qū)100a和漏區(qū)100b中，從而減小或防止源區(qū)100a和漏區(qū)100b的特性的劣化。參照圖7E,層間絕緣層400可以形成在基底1上以覆蓋器件絕緣層5、第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b、柵極200以及絕緣分隔件210?？梢晕g刻層間絕緣層400以分別形成暴露第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b的第一接觸孔Hl和第二接觸孔H2?？梢苑謩e在第一接觸孔H1和第二接觸孔H2中形成第一導(dǎo)電塞500a和第二導(dǎo)電塞500b。第一Ge硅化物層300a和第二Ge硅化物層300b可以分別降低源區(qū)100a與第一導(dǎo)電塞500a之間以及和漏區(qū)100b與第二導(dǎo)電塞500b之間的接觸電阻。雖然這里已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是，可以進(jìn)行其它的變化。這樣的變化不被認(rèn)為是違背本公開的示例實(shí)施例的精神和范圍的，并且所有對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的修改意圖被包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1、一種形成鍺硅化物層的方法，包括的步驟如下在硅鍺層上形成包含釩的金屬層；將金屬層進(jìn)行退火以形成鍺硅化物層。2、如權(quán)利要求l所述的方法，其中，金屬層還包含鉑或鎳中的至少一種。3、如權(quán)利要求l所述的方法，其中，金屬層具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。4、如權(quán)利要求3所述的方法，其中，形成多層結(jié)構(gòu)包括形成釩層。5、如權(quán)利要求4所述的方法，還包括在硅鍺層上形成柏層；在鉑層上形成釩層；在釩層上形成鎳層。6、如權(quán)利要求4所述的方法，還包括在硅鍺層上形成釩層；在釩層上形成鉑層；在鉑層上形成鎳層。7、如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用激光瞬間退火方法來進(jìn)行退火。8、如權(quán)利要求l所述的方法，其中，使用外延生長方法來形成硅鍺層。9、一種半導(dǎo)體裝置，包括第一硅鍺區(qū)；鍺硅化物層，包含釩并位于所述第一硅鍺區(qū)上；導(dǎo)電層，位于鍺硅化物層上。10、如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，鍺硅化物層還包含鉑和鎳中的至少一種。11、如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一硅鍺區(qū)為外延區(qū)。12、如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，還包括基底，具有作為源區(qū)和漏區(qū)的所述第一硅鍺區(qū)和第二硅鍺區(qū)；柵極，在基底上并在源區(qū)和漏區(qū)之間；鍺硅化物層，在源區(qū)和漏區(qū)上；導(dǎo)電層，在鍺硅化物層上，其中，導(dǎo)電層為導(dǎo)電塞。13、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，鍺硅化物層還包含柏和鎳中的至少一種。14、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，基底由硅形成，基底的在源區(qū)和漏區(qū)之間的部分由源區(qū)和漏區(qū)而產(chǎn)生壓應(yīng)變。15、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，基底由硅鍺形成。16、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，源區(qū)和漏區(qū)為外延區(qū)。17、一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括的步驟如下在基底上形成柵極；在柵極兩側(cè)在基底中形成源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)包含硅鍺；在源區(qū)和漏區(qū)上形成金屬層，所述金屬層包括釩；將金屬層進(jìn)行退火以形成鍺硅化物層。18、如權(quán)利要求17所述的方法，其中，源區(qū)和漏區(qū)形成在基底中蝕刻的槽中。19、如權(quán)利要求17所述的方法，其中，使用外延生長方法來形成源區(qū)和漏區(qū)。20、如權(quán)利要求17所述的方法，其中，金屬層還包含鉑和鎳中的至少一種。21、如權(quán)利要求17所述的方法，其中，金屬層具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。22、如權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成金屬層的步驟包括在硅鍺層上形成柏層；在鉑層上形成釩層；在釩層上形成鎳層。23、如權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成金屬層的步驟包括在硅鍺層上形成釩層；在釩層上形成鉑層；在柏層上形成鎳層。24、如權(quán)利要求17所述的方法，其中，使用激光瞬間退火方法來執(zhí)行退全文摘要示例實(shí)施例涉及一種形成鍺硅化物層的方法、半導(dǎo)體裝置、制造該裝置的方法。根據(jù)示例實(shí)施例的形成Ge硅化物層的方法可以包括在硅鍺(SiGe)層上形成包含釩的金屬層。金屬層可以具有多層結(jié)構(gòu)，并還可以包含鉑(Pt)和鎳(Ni)中的至少一種?？梢詫⒔饘賹舆M(jìn)行退火以形成鍺硅化物層?？梢允褂眉す馑查g退火(LSA)方法來執(zhí)行退火。文檔編號H01L21/02GK101452832SQ200810098840公開日2009年6月10日申請日期2008年5月19日優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日發(fā)明者文昌郁,李化成,李來寅,梁鉉德,田重錫,陳薇薇申請人:三星電子株式會社