技術(shù)編號：6896644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。示例實施例涉及一種形成金屬硅化物層的方法、 一種包括該金屬硅化物 層的半導體裝置以及一種制造所述包括該金屬硅化物層的半導體裝置的方法。背景技術(shù)可以減小晶體管的柵極寬度與源/漏區(qū)的厚度和表面積以提高半導體裝置的集成度。然而，對于柵極、溝道和/或源/漏區(qū)的接觸電阻和表面電阻(sheet resistance)的降低會出現(xiàn)困難。例如，為了降低接觸電阻，可以在柵極和源/ 漏區(qū)上形成硅化物層。然而，傳統(tǒng)的硅化物層會可能不具有足夠低的比電阻。 此外，傳統(tǒng)的硅化物層會具...
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