專利名稱：：絕緣膜的制造方法及半導體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及被加工成所希望的形狀的絕緣膜的制造方法。本發(fā)明還涉及將該絕緣膜使用于層間的半導體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
：對設(shè)置在半導體元件或布線之間的絕緣膜來說，為了對在該絕緣膜上形成的各種膜均勻地進行光刻或蝕刻，或者為了提高在絕緣膜的臺階上的各種膜的覆蓋性，重要的不僅是介電常數(shù)低，并且在該絕緣膜表面具有平坦性。從表面的平坦性的角度來看，涂布法(SOD:SpinOnDeposition)比CVD法可以容易地形成更高質(zhì)量的絕緣膜。尤其是使用硅氧烷樹脂且通過涂布法形成的絕緣膜不僅具有高平坦性，而且具有低介電常數(shù)和良好的耐熱性的特性，因此作為集成電路的絕緣膜被廣泛使用。硅氧烷樹脂相當于以硅氧烷類材料為原材料而形成的包含Si-O-Si鍵(bond)的樹脂。硅氧烷樹脂具有高耐藥品性，因此在加工(構(gòu)圖)成所希望的形狀時不合適濕蝕刻，利用干蝕刻的加工是主流。在專利文獻l(日本專利>5^開Hei7-133350號公報)中記載有利用干蝕刻的硅氧烷樹脂的構(gòu)圖。近年來，就通過分子設(shè)計對原來是非感光性的硅氧烷樹脂賦予感光性的技術(shù)進行研究。由于具有感光性的硅氧烷樹脂的出現(xiàn)，可以通過光刻法來構(gòu)圖硅氧烷樹脂。在專利文獻2(日本專利公開2007-17481號公報)中記載有具有感光性的硅氧烷樹脂。
發(fā)明內(nèi)容但是通過干蝕刻對由硅氧烷樹脂構(gòu)成的絕緣膜進行構(gòu)圖時，其截面的錐形角容易過大。當錐形角大時，會產(chǎn)生如下問題在由硅氧烷得極薄或被截斷等。、-'',、尤其是發(fā)光元件之一的OLED(OrganicLightEmittingDiode:有機發(fā)光二極管)是對絕緣膜的平坦性非常嚴的元件。一般而言，發(fā)光元件具有一對電極、設(shè)置在該電極之間的包含場致發(fā)光材料的層(下面，記為場致發(fā)光層)，該場致發(fā)光材料可以獲得通過施加電場而發(fā)生的發(fā)光(Electroluminescence)。若絕緣膜不確保十分高的平坦性，即會發(fā)生如下問題在該絕緣膜上形成的發(fā)光元件的電極中產(chǎn)生凹凸不平，進而在該電極上形成的場致發(fā)光層的一部分變得極薄，或該場致發(fā)光層產(chǎn)生斷開等。場致發(fā)光層的極薄的部分會促進場致發(fā)光材料的退化，因此成為降低發(fā)光元件的可靠性的原因之一。另外，由于在該場致發(fā)光層發(fā)生斷開的部分中一對電極短路，因此發(fā)光元件不發(fā)光、或從短路部分的附近促進場致發(fā)光材料的退化。這些問題都成為降低發(fā)光元件的可靠性的原因之一。此外也有如下問題，就是當對由硅氧烷樹脂形成的絕緣膜進行千蝕刻而構(gòu)圖時，由于進行干蝕刻時發(fā)生的等離子體，在由硅氧烷樹脂形成的絕緣膜的表面上容易生成OH基。當OH基增加時絕緣膜的吸濕性增高，因此在絕緣膜中的水分影響到半導體元件的可靠性。尤其是上述的發(fā)光元件使用的場致發(fā)光材料由于水分促進退化，因此在絕緣膜中的吸濕性的大小是左右半導體器件的可靠性的重要問題。另一方，當使用具有感光性的硅氧烷樹脂時，通過光刻法而進行構(gòu)圖，因而可以避免在干蝕刻時發(fā)生的上述問題。但是，具有感光性的硅氧烷樹脂為了適用于各種各樣的用途還在開發(fā)中的階段，因此在市場上未普及廉價的產(chǎn)品。鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種絕緣膜的制造方法，該絕緣膜可以使用以往被使用的非感光性的硅氧烷樹脂，通過濕蝕刻法形成為所希望的形狀。另外，本發(fā)明的目的還在于提供使用了上述制造方法的半導體器件的制造方法。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)不是在用硅氧坑樹脂形成絕緣膜之后，而是在用硅氧烷樹脂形成絕緣膜的過程中，可以進行使用有機溶媒的濕蝕刻。在本發(fā)明中，在焙燒包含硅氧烷樹脂或者硅氧烷類材料的薄膜而完成作為絕緣膜的前階段中，用有機溶媒對該薄膜進行濕蝕刻。所述硅氧烷類材料是硅氧烷樹脂的前驅(qū)體。具體而言，在本發(fā)明中，在形成硅氧烷樹脂的絕緣膜的過程中，進行至少兩次的加熱處理。在該兩次加熱處理之間進行利用有機溶媒的濕蝕刻。用包含硅氧烷樹脂或硅氧烷樹脂的前驅(qū)體的硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜之后進行第一次加熱處理(bake:焙燒)。通過該焙燒，在該薄膜中的硅氧烷類材料被凝膠化，或者在該薄膜中包含的有機溶媒的一部分揮發(fā)，因此該薄膜被固化到可以進行濕蝕刻的程度.然后通過焙燒而固化了的薄膜通過用有機溶媒的濕蝕刻被加工成所希望的形狀。在濕蝕刻之后進行第二次加熱處理(cure:固化).通過進行固化，聚合在該薄膜中凝膠化了的硅氧烷類材料，或者進一步揮發(fā)包含在該薄膜中的有機溶媒，因此可以形成具有所希望的圖案的硅氧烷樹脂的絕緣膜。在上述蝕刻中被使用的有機溶媒優(yōu)選為如丁醇、丙醇等碳數(shù)為3至5的中級醇。通過把上述醇作為蝕刻劑而使用，在對通過固化了的薄膜進行濕蝕刻時，可以確保適于蝕刻的蝕刻速度和對于掩模的高選擇比。此外，通過把上述有機溶媒作為蝕刻劑而使用，與使用無機材料如氫氟酸等的蝕刻劑的情況不同，可以抑制設(shè)在絕緣膜的下層的布線、電極等的導電膜的表面上產(chǎn)生粗糙，并且可以降低處理上的危險度。焙燒的處理溫度設(shè)定為可以進行選擇性的濕蝕刻的程度，即可以使具有硅氧烷樹脂或者硅氧烷類材料的薄膜固化的溫度范圍。具體而言，設(shè)定為高于可以確保所希望的蝕刻速度的程度，并且低于包含在用于形成薄膜的懸濁液中的有機溶媒的沸點。此外，固化的處理溫度設(shè)定為可以使包含在薄膜中的硅氧烷類材料聚合，或者促進揮發(fā)包含在薄膜中的有機溶媒的溫度范圍。具體而言，固化的溫度設(shè)定為高于包含在用于形成薄膜的懸濁液中的有機溶媒的沸點。另外，當選擇性地進行濕蝕刻時使用的掩模既可以通過光刻法來形成，也可以通過液滴噴射法或印刷法而形成。液滴噴射法意味著從細孔噴出或噴射包含規(guī)定構(gòu)成物的液滴來形成預定圖形的方法，噴墨法等包括在其范疇內(nèi)。在本發(fā)明的絕緣膜的制造方法中，可以使用濕蝕刻，因此可以抑制在構(gòu)圖形成的絕緣膜的端部上的錐形角，而可以形成平坦性更良好的絕緣膜。并且，在本發(fā)明的絕緣膜的制造方法中，不發(fā)生如下問題，即如干蝕刻那樣由于OH基增加，而使絕緣膜的吸濕性增高。此外，因為可以用以往的非感光性的硅氧烷樹脂形成絕緣膜，這樣可以使用廉價的原材料。此外，在使用上述絕緣膜的制造方法的本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，通過將絕緣膜的端部的錐形角抑制為較小，可以防止在絕斷。因此;以提高半導體器件的成品率/可靠性。此外，在具^發(fā)光元件的半導體器件的情況下，通過使絕緣膜的端部的錐形角為小，可以防止場致發(fā)光層的一部分變得極薄或發(fā)生斷開。因此，可以不僅僅提高發(fā)光元件的可靠性，而且提高具有該發(fā)光元件的半導體器件的可靠性。此外，在使用上述絕緣膜的制造方法的本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，不發(fā)生如下問題，即如干蝕刻那樣由于OH基增加，而使絕緣膜的吸濕性增高，因此可以防止在絕緣膜中的水分不僅給半導體元件的可靠性，而且給半導體器件的可靠性帶來負面影響。并且在具有發(fā)光元件的半導體器件的情況下，通過抑制在絕緣膜中的吸濕性可以抑制發(fā)光元件的退化，因此可以提高半導體器件的可靠性。此外，在使用上述絕緣膜的制造方法的本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，因為可以用以往的非感光性的硅氧烷樹脂形成絕緣膜，所以可以使用廉價的原材料，這樣可以抑制制造半導體器件時所需要的成本。圖1A至1C是表示本發(fā)明的絕緣膜的制造方法的圖；圖2A至2C是表示本發(fā)明的絕緣膜的制造方法的圖；圖3A至3C是表示本發(fā)明的絕緣膜的制造方法的圖；圖4A至4C是表示本發(fā)明的絕緣膜的制造方法的圖；圖5A至5C是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖6A和6B是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖7A和7B是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖8A和8B是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖9是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖IOA至IOC是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖11A至11C是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖12A至12C是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖13A至13C是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖14A和14B是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖15A和15B是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖16A和16B是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖17A至17C是表示本發(fā)明的半導體器件的制造方法的圖；圖18A至18C是使用本發(fā)明所制造的半導體器件的截面圖；圖19A至19C是使用本發(fā)明所制造的半導體器件的截面圖。附圖標記說明100襯底；101薄膜；102薄膜；103掩模；104薄膜；105絕緣膜；106端部；200襯底；201薄膜；202抗蝕劑層；203掩模；204薄膜；205薄膜；206絕緣膜；207端部；300襯底；301絕緣膜；302島狀半導體膜；304頂柵型晶體管；305頂柵型晶體管；306柵極絕緣膜；307導電膜；309絕緣膜；310絕緣膜；311絕緣膜；312導電膜；315導電膜；316導電膜；317陽極；318薄膜；319抗蝕劑層；320掩模；321薄膜；322薄膜；323絕緣膜;324場致發(fā)光層；325陰極；326發(fā)光元件；500半導體襯底；501晶體管；502晶體管；503絕緣膜；504元件分離絕緣膜；505p阱；506柵極絕緣膜；507導電膜；508雜質(zhì)區(qū)；509雜質(zhì)區(qū)；510導電膜；700襯底；701絕緣膜；702剝離層；703絕緣膜；704半導體膜；705半導體膜；706半導體膜；709柵極絕緣膜；710電極；711低濃度雜質(zhì)區(qū)；712掩模；713p型高濃度雜質(zhì)區(qū)；714柵極絕緣膜；715側(cè)壁；716掩模；717n型高濃度雜質(zhì)區(qū)；718n溝道型晶體管；719p溝道型晶體管；722絕緣膜；723薄膜；724抗蝕劑層；725掩模；726薄膜；727薄膜；728絕緣膜；729導電膜；730導電膜；732導電膜；734絕緣膜；735導電膜；740保護層；741第一薄膜材料；742元件形成層；743各向異性導電膜；744第二薄膜材料；745天線；6001晶體管；6003發(fā)光元件；6004第一電極；6005場致發(fā)光層；6006第二電極；6007絕緣膜；6008隔壁；6011晶體管；6013發(fā)光元件；6014第一電極；6015場致發(fā)光層；6016第二電極；6017絕緣膜；6018隔壁；6021晶體管；6023發(fā)光元件；6024第一電極；6025場致發(fā)光層；6026第二電極；6027絕緣膜；6028隔壁；6031晶體管；6033發(fā)光元件；6034第一電極；6035場致發(fā)光層；6036第二電極；6037絕緣膜；6038隔壁；6041晶體管；6043發(fā)光元件；6044第一電極；6045場致發(fā)光層；6046第二電極；6047絕緣膜；6048隔壁；6051晶體管；6053發(fā)光元件；6054電極；6055場致發(fā)光層；6056第二電極；6057絕緣膜；6058隔壁。具體實施例方式下面，參照本發(fā)明的實施方式及實施例。但是，本發(fā)明可以通過多種不同的方式來實施，所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通人員可以很容易地理解一個事實，就是其方式及詳細內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本發(fā)明的實施方式及實施例所記栽的內(nèi)容中。實施方式1在本實施方式中，使用圖l和圖2對使用光刻法的本發(fā)明的絕緣膜的制造方法進行說明。首先，如圖1A所示那樣，通過將懸濁液涂布在襯底200上形成薄膜201,在該懸濁液中分散有硅氧烷樹脂或硅氧烷樹脂的前驅(qū)體的硅氧烷類材料。硅氧烷樹脂是通過將硅(Si)和氣(O)結(jié)合而構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。作為取代基，除了氫之外，還可以具有氟、氟基團、有機基(如烴基、芳香烴)中的至少一種。懸濁液的溶媒優(yōu)選為可以分散硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的有機溶媒，例如可以使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、3-曱氧基-3-曱基-l-丁醇(MMB)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等。在本實施方式中使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及3-曱氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)?？梢酝ㄟ^旋涂法，即在襯底200上滴下懸濁液之后，使襯底200高速旋轉(zhuǎn)來進行懸濁液涂布。此外不限于旋涂法，也可以使用狹縫涂布法、浸漬涂布法等進行懸濁液涂布。另外，雖然圖1A例示在襯底200上直接形成薄膜201的情況，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在村底200上形成絕緣膜以及包含布線或電極的導電膜等的各種膜之后，形成具有硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的薄膜201。其次，對薄膜201進行稱為預烤(prebaking)的加熱處理，使薄膜201固化。在本實施方式中，通過進行預烤，可以提高通過光刻法形成掩模之后的工序的工作效率。預烤的溫度優(yōu)選設(shè)定為高于可以使薄膜201固化到容易被處理的程度，并且低于在薄膜201中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在90至100'C、30至60秒的條件下進行預烤。其次，為了提高薄膜201和抗蝕劑的密接性，將薄膜201置于顯影液中。然后，如圖1B所示，使用抗蝕劑在薄膜201上形成抗蝕劑層202。在本實施方式中，作為抗蝕劑使用酚醛清漆樹脂。然后對抗蝕劑層202施加110至120°C、30至90秒的加熱處理(預烤抗蝕劑)。通過上述加熱處理，在表面形成難溶解層來使抗蝕劑層202固化，從而可以提高工作效率。接著通過對抗蝕劑層202進行膝光、顯影，部分地去除抗蝕劑層202。其結(jié)果，如圖1C所示，形成選擇性地被設(shè)置在薄膜201上的掩模203。接著如圖2A所示那樣，進行稱為焙燒的加熱處理，使薄膜201進一步固化。在圖2A中，將焙燒之后的薄膜201圖示為薄膜204。在此，在表l中示出按焙燒的條件和蝕刻劑的種類，對薄膜及抗蝕劑的蝕刻速度(nm/min)進行調(diào)查的結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>※單位門m/s對任意一種樣品都在襯底上涂布將硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料分散到有機溶媒中的懸濁液來形成薄膜之后，在溫度90t:,時間90秒的條件下進行預烤，使該薄膜固化到容易被處理的程度。其次，按照各個溫度條件對該樣品進行焙燒之后進行濕蝕刻，或者不進行焙燒在剛進行預烤之后立即在室溫下進行濕蝕刻。所使用的硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料是TORAY有限公司制造的PSB-K31,在溶媒的3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)中以15至25wt。/。的比例包含之。進而，將上述硅氧烷類材料分散到丙二醇曱醚醋酸酯(PGMEA)。作為抗蝕劑使用酚醛清漆樹脂。作為蝕刻劑使用乙醇、OK73稀釋劑(東京應(yīng)化工業(yè)有限公司制造)、丙酮、2-丁醇。OK73稀釋劑包含丙二醇曱醚(PGME)和丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)，并使其重量比為7:3。除了不進行焙燒的"沒有加熱處理"的樣品之外，對所有的樣品都進行0.5小時(h)的焙燒。焙燒的溫度設(shè)定為130'C、135'C、140'C、150'C、160。C、180°C。如表l所示那樣，在作為蝕刻劑使用乙醇、OK73稀釋劑、丙酮的示例中，與焙燒的條件無關(guān)，薄膜的蝕刻速度都小于抗蝕劑的蝕刻速度。但是，在作為蝕刻劑使用2-丁醇的樣品中，薄膜的蝕刻速度大于抗蝕劑的蝕刻速度。因此，根據(jù)表l所示的結(jié)果可知，在上述有機溶媒中，2-丁醇最合適于作為包含硅氧烷類材料的薄膜的蝕刻劑。此外，在作為蝕刻劑使用2-丁醇的樣品中，當焙燒的條件為135'C、140°C、150°C、16(TC時，抗蝕劑的蝕刻速度成為負值。這是抗蝕劑膨潤的緣故，因此可以看作在這些樣品中沒有進行抗蝕劑的蝕刻。在上述樣品中，尤其是焙燒條件為135'C的樣品的薄膜的蝕刻速度最高，焙燒的溫度越高，薄膜的蝕刻速度越低。因此，僅注目于使用了2-丁醇作為蝕刻劑的樣品，當焙燒的溫度過高時，雖然可以確保能夠形成圖案的蝕刻速度差，但是薄膜的蝕刻速度過低，因此作為蝕刻的條件不合適。因此，焙燒的溫度優(yōu)選低于在懸濁液使用的有機溶媒的沸點。此外，焙燒的條件為130。C的樣品和沒有進行加熱處理的樣品的蝕刻速度成為正值。尤其是沒有進行加熱處理的樣品的抗蝕劑的蝕刻速度較高，為2.284nm/s。還有，在用2-丁醇進行蝕刻的沒有進行加熱處理的示例中，由于薄膜的蝕刻速度過高，難以檢測出正確值，所以可以估計實際上以超過100nm/s的速度蝕刻薄膜。因此，僅注目于使用了2-丁醇作為蝕刻劑的樣品，當焙燒的溫度過低時，不僅僅抗蝕刑的蝕刻速度過高，而且薄膜的蝕刻速度也過高。當蝕刻速度過高時，不能確保從進行濕蝕刻到?jīng)_洗蝕刻劑最低限度需要的、在器件之間的襯底的移動時間，因此作為蝕刻條件不合適。因此，與薄膜的膜厚度無關(guān)，焙燒溫度優(yōu)選設(shè)定為蝕刻時間為30秒以上地使薄膜固化的溫度。或者，通過將焙燒的溫度下限設(shè)定為比溶媒的沸點低70。C,可以使薄膜固化且確保所希望的蝕刻速度。因此，當在如下情況下考慮到薄膜的蝕刻速度的高低及抗蝕劑和薄膜的蝕刻速度的差異時，可以估計焙燒的處理溫度優(yōu)選大約為100至170'C,該情況是作為使硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料分散的有機溶媒使用丙二醇曱醚醋酸酯(PGMEA)及3-曱氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB),并且在之后的蝕刻工序中作為蝕刻劑使用2-丁醇。鑒于上述試驗結(jié)果，在本實施方式中，在130至140。C，0.5至l小時的條件下進行焙燒。通過焙燒，可以防止掩模203由在之后的濕蝕刻中使用的有機溶媒腐蝕或溶解。其次，如圖2B所示，作為蝕刻劑使用有機溶媒對薄膜204進行濕蝕刻。作為蝕刻劑使用的有機溶媒優(yōu)選為如丁醇、丙醇等碳數(shù)為3至5的中級醇。通過使用上述醇作為蝕刻劑，在對通過固化的薄膜204進行濕蝕刻時，可以確保適于蝕刻的蝕刻速度和對于掩模203的高選擇比。此外，通過使用上述有機溶媒作為蝕刻劑，與使用無機材料如氫氟酸等的蝕刻劑的情況不同，可以抑制設(shè)在薄膜204的下層的布線、電極等的導電膜的表面產(chǎn)生粗糙，并且可以降低處理上的危險度。在本實施方式中，作為蝕刻劑使用2-丁醇，以進行濕蝕刻。通過濕蝕刻，可以形成被加工成所希望的形狀的薄膜205。其次，去除掩模203。作為使用于去除掩模203的剝離液，使用可以選擇性地去除掩模203的剝離液。例如當使用酚醛清漆樹脂形成掩模203時，可以使用包含2-氨基乙醇和乙二醇的剝離液。接下來，如圖2C所示那樣，對薄膜205進行稱為固化的加熱處理。固化的處理溫度設(shè)定為可以使包含在薄膜205中的硅氧烷類材料聚合、或者促進揮發(fā)包含在薄膜205中的有機溶媒的溫度范圍。具體而言，固化的溫度設(shè)定為高于包含在用于形成薄膜201的懸濁液中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在300至350。C，l小時左右的條件下進行固化。通過固化，在薄膜205中硅氧烷類材料聚合，或者與焙燒相比，在該薄膜205中包含的有機溶媒進一步揮發(fā)，因此形成具有所希望的圖案的硅氧烷樹脂的絕緣膜206。通過上述制造方法，可以抑制絕緣膜206的端部的錐形角，即可以使端部207的坡度變緩。在上述絕緣膜的制造方法中，不發(fā)生如干蝕刻那樣的問題，就是由于OH基的增加，使絕緣膜的吸濕性增高。此外，用以往的非感光性的硅氧烷樹脂形成絕緣膜，因此可以使用廉價的原材料。此外，在本實施方式的制造方法中，用于使薄膜固化的焙燒可以防止掩模203被有機溶媒腐蝕或溶解，換句話說，可以兼作提高掩模203的耐有機溶媒性的加熱處理。本實施方式可以與其它實施方式適當?shù)亟M合而實施。實施方式2在本實施方式中，使用圖3和4，對本發(fā)明的絕緣膜的制造方法進行說明。首先，如圖3A所示，與實施方式l同樣，通過將懸濁液涂布在襯底100上形成薄膜101，在該懸濁液中分散有硅氧烷樹脂或作為硅氧烷樹脂的前驅(qū)體的硅氧烷類材料。硅氧烷樹脂是通過將硅(Si)和氧(O)結(jié)合而構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。作為取代基，除了氫之外，還可以具有氟、氟基團、有機基(如烴基、芳香烴)中的至少一種。懸濁液的溶媒優(yōu)選為可以分散硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的有機溶媒，例如可以使用丙二醇曱醚醋酸酯(PGMEA)、3-甲氧基-3-曱基-l-丁醇(MMB)、N-曱基-2-吡咯烷酮(NMP)等。在本實施方式中使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)。通過旋涂法，即在襯底100上滴下懸濁液之后，使襯底100高速旋轉(zhuǎn)來可以進行懸濁液涂布。此外不限于旋涂法，也可以使用狹縫涂布法、浸漬涂布法等進行懸濁液涂布。另外，雖然圖3A例示在襯底100上直接形成薄膜101的情況，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在襯底IOO上形成絕緣膜以及包含布線或電極的導電膜等的各種膜之后，形成具有硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的薄膜101。其次，在進行焙燒之前，也可以對薄膜IOI執(zhí)行稱為預烤的加熱處理。預烤是為了提高工作效率進行的加熱處理。例如，在用于以懸濁液形成薄膜101的裝置和用于進行焙燒的裝置分開存在的情況下，通過預烤使薄膜IOI固化，可以提高工作的效率。預烤的溫度優(yōu)選設(shè)定為高于可以使薄膜101固化到容易被處理的程度，并且低于在薄膜IOI中的有機溶媒的沸點。當作為有機溶媒使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)時，例如在90至100'C、30至60秒的條件下進行預烤即可。如圖3B所示，進行稱為焙燒的加熱處理來固化薄膜101。在圖3B中，將焙燒之后的薄膜IOI圖示為薄膜102。焙燒的溫度范圍設(shè)定為使薄膜IOI固化且可以進行選擇性的濕蝕刻的程度。具體而言，其溫度范圍優(yōu)選設(shè)定為高于可以確保所希望的蝕刻速度的程度，并且低于包含在用于形成薄膜IOI的懸濁液中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在130至140'C,0.5至1小時的條件下進行焙燒。其次，如圖3C所示，在通過焙燒形成的薄膜102上形成掩模103。掩模103既可以通過使用抗蝕劑的光刻法形成，又可以通過液滴噴射法或印刷法形成。另外，雖然在本實施方式中，在進行焙燒之后形成掩模103，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在形成掩模103之后進行焙燒。此外，無論在使用光刻法的情況下、還是在使用液滴噴射法或印刷法的情況下，都在形成掩模的過程中進行一次或多次加熱處理。本發(fā)明也可以使該加熱處理中之一兼作焙燒。其次，如圖4A所示，作為蝕刻劑使用有機溶媒對薄膜102進行濕蝕刻。作為蝕刻劑使用的有機溶媒優(yōu)選為如丁醇、丙醇等碳數(shù)為3至5的中級醇。通過以上述醇為蝕刻劑而使用，在對由焙燒而固化的薄膜102進行濕蝕刻時，可以確保適于蝕刻的蝕刻速度和對于掩模的高選擇比。此外，通過以上述有機溶媒為蝕刻劑而使用，與使用無機材料如氫氟酸等的蝕刻劑的情況不同，可以抑制設(shè)在薄膜102的下層的布線、電極等的導電膜的表面產(chǎn)生粗糙，并且可以降低處理上的危險度。在本實施方式中，作為蝕刻劑使用2-丁醇，以進行濕蝕刻。通過濕蝕刻，可以形成被加工成所希望的形狀的薄膜104。其次，如圖4B所示，去除掩模103。用于去除掩模103的剝離液，使用可以選擇性地去除掩模103的剝離液。例如當使用酚醛清漆樹脂形成掩模103時，可以使用包含2-氨基乙醇和乙二醇的剝離液。接下來，如圖4C所示，對薄膜104進行稱為固化的加熱處理。固化的處理溫度設(shè)定為可以使包含在薄膜104中的硅氧烷類材料聚合、或者促進揮發(fā)包含在薄膜104中的有機溶媒的溫度范圍。具體而言，固化的溫度設(shè)定為高于包含在用于形成薄膜IOI的懸濁液中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在300至350'C，l小時左右的條件下進行固化。通過固化，在薄膜104中硅氧烷類材料聚合、或者與焙燒相比在該薄膜104中包含的有機溶媒進一步揮發(fā)，因此形成具有所希望的圖案的硅氧烷樹脂的絕緣膜105。通過上述制造方法，可以抑制在絕緣膜105的端部上的錐形角，即可以使端部106的坡度變緩。在上述絕緣膜的制造方法中，不發(fā)生如干蝕刻那樣的問題，就是由于OH基的增加，而使絕緣膜的吸濕性增高。此外，用以往的非感光性的硅氧烷樹脂形成絕緣膜，因此可以使用廉價的原材料。實施方式3接下來，對本發(fā)明的半導體器件的具體的制造方法進行說明。另外在本實施方式中，以在同一襯底上制造發(fā)光元件和晶體管的情況為例進行說明。首先如圖5A所示在村底300上形成絕緣膜301。對襯底300可以4吏用如鋇硼珪酸鹽玻璃(barium-borosilicateglass)、硼珪酸鋁玻璃(alumino-borosilicateglass)等的玻璃襯底、石英襯底、陶乾襯底等，此外，也可以使用包含不銹鋼襯底的金屬襯底或在其表面上形成有絕緣膜的硅襯底。一般而言，與上述襯底相比，由具有柔性的塑料等合成樹脂構(gòu)成的襯底有其耐熱溫度較低的趨勢，但是只要能夠耐受制造工序中的處理溫度即可以使用。通過布置絕緣膜301，可以防止在襯底300中包含的堿金屬如Na等或堿土金屬擴散到半導體膜中，而給晶體管等的半導體元件的特性造成不良影響。因此，使用可以抑制堿金屬或堿土金屬擴散到半導體膜中的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成絕緣膜301。在本實施方式中，通過等離子體CVD法形成膜厚度為10至400nm(優(yōu)選為50至300nm)的氮氧化硅膜。另外，絕緣膜301即可以是單層也可以是層疊了多個絕緣膜的絕緣膜。此外，在使用多少含有堿金屬或堿土金屬的襯底如玻璃襯底、不銹鋼襯底或塑料襯底的情況下，從防止雜質(zhì)擴散的觀點來看，在襯底和半導體膜之間設(shè)置絕緣膜是很有效的。但是，在使用石英襯底等雜質(zhì)擴散并不成為重要問題的情況下，并不一定需要設(shè)置絕緣膜。接著在絕緣膜301上形成島狀半導體膜302、303。烏狀半導體膜302、303的膜厚度為25至100nm(優(yōu)選為30至60nm)。此外，烏狀半導體膜302、303既可以為非晶半導體，又可以為多晶半導體。另外該半導體除了使用硅以外還可使用硅鍺。在使用硅鍺的情況下，鍺濃度優(yōu)選大約為0.01至4.5atomic%。在使用多晶半導體的情況下，首先形成非晶半導體，通過使用已知的晶化方法使非晶半導體晶化即可。作為已知的晶化方法有如下方法通過使用加熱器加熱進行晶化的方法；通過照射激光束進行晶化的方法；通過使用催化金屬進行晶化的方法；通過使用紅外光進行晶化的方法。例如，當使用激光技術(shù)進行晶化時，使用脈沖振蕩型或者連續(xù)振蕩型的受激準分子激光器、YAG激光器、YV04激光器等即可。例如，當使用YAG激光器時，優(yōu)選使用容易被半導體膜吸收的二次諧波的波長。然后振蕩頻率為30至300kHz、能量密度為300至600mJ/cm2(典型為350至500mJ/em2)，并且將掃描速度設(shè)定為可以對任意的地點可以分別進行幾次照射。其次，使用該島狀半導體膜302、303形成晶體管。另外，在本實施方式中，如圖5B所示，使用島狀半導體膜302、303形成頂柵型晶體管304、305，但是晶體管不局限于頂柵型，例如也可以為底柵型。具體而言，形成柵極絕緣膜306以便覆蓋島狀半導體膜302、303。然后，在柵極絕緣膜306上形成被加工(構(gòu)圖)成所希望的形狀的導電膜307、308。然后，使用導電膜307、308或者對抗蝕劑進行成膜后構(gòu)圖的抗蝕劑作為掩模，并且對島狀半導體膜302、303添加賦予n型或p型的雜質(zhì)，而形成作為源區(qū)、漏區(qū)、以及LDD區(qū)而發(fā)揮功能的雜質(zhì)區(qū)等。另外在此，將晶體管304設(shè)為n型、將晶體管305設(shè)為p型。另外，對柵極絕緣膜306可以使用如氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅等，此外其形成方法可以使用等離子體CVD法、濺射法等。例如，當通過等離子體CVD法形成使用氧化硅的柵極絕緣膜時，使用TEOS(TetraethylOrthosilicate:原硅酸四乙酯)和02的混合氣體，并且反應(yīng)壓力設(shè)為40Pa、襯底溫度設(shè)為300至400'C、高頻率(13.56MHz)電力密度i殳為0.5至0.8W/cm2，而形成。此外，作為柵極絕緣膜306可以使用氮化鋁。氮化鋁的導熱率較高，并且可以有效發(fā)散在晶體管中產(chǎn)生的熱。此外，也可以使用在形成不包含鋁的氧化硅和氧氮化硅等之后，層疊了氮化鋁的層作為柵極絕緣膜。通過上述一系列的工序，可以形成n溝道型晶體管304、控制供給到發(fā)光元件的電流的p溝道型晶體管305。另外，晶體管的制造方法不局限于上述工序。也可以通過液滴噴射法制造被加工成所希望的形狀的導電膜。另外，在本實施方式中，以薄膜晶體管為例子進行說明，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。除了薄膜晶體管之外，還可以采用通過使用單晶硅形成的晶體管、通過使用SOI形成的晶體管等。此外，既可以為使用有機半導體的晶體管，又可以為使用碳納米管的晶體管。其次，形成絕緣膜309以便覆蓋晶體管304、305。絕緣膜309可以使用含有硅的氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等的絕緣膜，并且其厚度大約為100至200nm。其次，為了使摻雜到烏狀半導體膜302、303的雜質(zhì)元素激活，進行熱處理。該工序可以使用用退火爐的熱退火法、激光退火法、或快速熱退火法(RTA法)。例如，當通過熱退火法進行激活時，在400至700。C(優(yōu)選為500'C至600。C)的溫度下，在氮濃度為lppm以下，優(yōu)選為O.lppm以下的氮氣氣氛中進行。進而，在含氫3至100%的氣氛中，在300。C至450'C的溫度下進一步進行熱處理1至12小時，從而進行島狀半導體膜的氫化。進行該工序的目的是為了使用熱激發(fā)的氫終止半導體薄膜中的懸掛鍵(danglingbond)。作為氬化的另一種方法，也可以采用等離子體氫化(使用由等離子體激發(fā)的氫)。此外，也可以在形成絕緣層309之前進行激活。其次，如圖5C所示，形成絕緣膜310和絕緣膜311以便覆蓋絕緣膜309。作為絕緣膜310，可以使用含有有機樹脂膜、無機絕緣膜、硅氧烷樹脂的絕緣膜等。在本實施方式中，使用聚酰亞胺形成絕緣膜。光元件的退化的原因的物質(zhì)的膜。典型地使用通過RF濺射法形成的氮化硅膜，但也可以使用類金剛石碳(DLC)膜、氮化鋁膜等。其次，對絕緣膜309、絕緣膜310、及絕緣膜311進行蝕刻，形成開口部分。接著，形成與島狀半導體膜302、303連接的導電膜312至315。其次，形成具有透光性的導電膜316以便覆蓋絕緣膜311及導電膜312至315。在本實施方式中，通過濺射法使用含有氧化硅的氧化銦錫(ITSO)形成導電膜316。另外，導電膜316還可以使用除了ITSO之外的透光性氧化導電材料，如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、摻鎵的氧化鋅(GZO)等。當使用ITSO時，作為靶子可以使用含有2至10重量％的氧化硅的ITO。具體而言，在本實施方式中，使用含有l(wèi)n203、Sn02、Si02的質(zhì)量百分比為85:10:5的靶子，且在如下條件下形成膜厚度為105nm的導電膜316:Ar的流量為50sccm;02的流量為3sccm;濺射壓力為0.4Pa;濺射電力為lkW;成膜速度為30nm/min;。也可以在形成導電膜316之后，為了使其表面平坦化，使用CMP法或通過聚乙烯醇類的多孔質(zhì)體的清洗等進行研磨。其次，如圖6A所示那樣，對導電膜316進行構(gòu)圖，以形成連接到導電膜315的陽極317。然后，形成具有硅氧烷樹脂或者作為硅氧烷樹脂的前驅(qū)體的硅氧烷類材料的薄膜318以便覆蓋絕緣膜311、導電膜312至315、陽極317。薄膜318可形成為將懸濁液涂布在絕緣膜311上以覆蓋導電膜312至315、陽極317，在該懸濁液中分散有硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料。懸濁液的溶媒優(yōu)選為可以分散硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的有機溶媒，例如可以使用丙二醇曱醚醋酸酯(PGMEA)、3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等。在本實施方式中使用丙二醇甲酸醋酸酯(PGMEA)及3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)。懸濁液的涂布可以通過在絕緣膜311上滴下懸濁液之后，使襯底300高速旋轉(zhuǎn)的旋涂法來進行。此外不限于旋涂法，也可以使用狹縫涂布法、浸漬涂布法等進行懸濁液涂布。其次，對薄膜318進行稱為預烤的加熱處理，使薄膜318固化。在本實施方式中，通過進行預烤，可以提高通過光刻法形成掩模之后的工序的工作效率。預烤的溫度優(yōu)選設(shè)定為高于可以使薄膜318固化到容易被處理的程度，并且低于在薄膜318中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在90至100。C、30至60秒的條件下進行預烤。其次，為了提高薄膜318和抗蝕劑的密接性，將薄膜318置于顯影液中。再者，如圖6B所示，使用抗蝕劑在薄膜318上形成抗蝕劑層319。在本實施方式中，作為抗蝕劑使用酚醛清漆樹脂。然后對抗蝕劑層319施加110至120'C、30至卯秒的加熱處理(預烤抗蝕劑)。通過上述加熱處理，在表面形成難溶解層來使抗蝕劑層319固化，從而可以提高工作效率。接著通過對抗蝕劑層319進行膝光、顯影，部分地去除抗蝕劑層319。其結(jié)果，如圖7A所示，形成選擇性地被設(shè)置在薄膜318上的掩模320。如圖7B所示，進行稱為焙燒的加熱處理，使薄膜318進一步固化。在圖7B中，將焙燒之后的薄膜318圖示為薄膜321。焙燒的溫度范圍設(shè)定為使薄膜318固化且可以進行選擇性的濕蝕刻的程度。具體而言，其溫度范圍優(yōu)選設(shè)定為高于可以確保所希望的蝕刻速度的程度，并且低于包含在用于形成薄膜318的懸濁液中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在130至140'C，0.5至1小時的條件下進行焙燒。通過焙燒，可以防止掩模320由在之后的濕蝕刻中使用的有機溶媒腐蝕或溶解。其次，如圖8A所示，作為蝕刻劑使用有機溶媒對薄膜321進行濕蝕刻。作為蝕刻劑使用的有機溶媒優(yōu)選為如丁醇、丙醇等碳數(shù)為3至5的中級醇。通過以上述醇為蝕刻劑而使用，在對由焙燒而固化的薄膜321進行濕蝕刻時，可以確保適于蝕刻的蝕刻速度和對于掩模320的高選擇比。此外，通過以上述有機溶媒為蝕刻劑而使用，與使用無機材料如氫氟酸等的蝕刻劑的情況不同，可以抑制設(shè)在薄膜321的下層的布線、電極等的導電膜的表面產(chǎn)生粗糙，并且可以降低處理上的危險度。在本實施方式中，作為蝕刻劑使用2-丁醇，以進行濕蝕刻。通過濕蝕刻，可以形成被加工成所希望的形狀的薄膜322。通過形成薄膜322，使陽極317凈皮部分地露出。其次，去除掩模320。作為用于去除掩模320的剝離液，使用可以選擇性地去除掩模320的剝離液。例如當使用酚醛清漆樹脂形成掩模320時，可以使用包含2-氨基乙醇和乙二醇的剝離液。接下來，如圖8B所示，對薄膜322進行稱為固化的加熱處理。固化的處理溫度設(shè)定為可以使包含在薄膜322中的硅氧烷類材料聚合，或者促進揮發(fā)包含在薄膜322中的有機溶媒的溫度范圍。具體而言，固化的溫度設(shè)定為高于包含在用于形成薄膜318的懸濁液中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在300至350'C，l小時的條件下進行固化。通過固化，在薄膜322中硅氧烷類材料聚合，或者與焙燒相比，在該薄膜322中包含的有機溶媒進一步揮發(fā)，因此形成露出陽極317的開口部的由硅氧烷樹脂構(gòu)成的絕緣膜323。其次，在本發(fā)明中，在形成場致發(fā)光層324之前，為了去除吸附于絕緣膜323及陽極317的水分或氧等，在大氣氣氛下進行加熱處理或者在真空氣氛下進行加熱處理(真空焙燒)。具體而言，襯底的溫度為200至450'C，優(yōu)選為250至300°C，并且0.5至20小時左右在真空氣氛下進行加熱處理。優(yōu)選在4xl(T5Pa以下，若有可能，設(shè)為4xl(^Pa以下是最優(yōu)選的。然后，當在真空氣氛下進行加熱處理之后形成場致發(fā)光層324時，通過直到形成場致發(fā)光層324前將該襯底設(shè)在真空氣氛下，可以進一步提高可靠性。此外，也可以在真空焙燒之前或真空焙燒之后，對陽極317照射紫外線。接著如圖9所示，在陽極317上形成場致發(fā)光層324。場致發(fā)光層324由單層或多層構(gòu)成，并且在每個層中不僅僅包含有機材料，還可以包含無機材料。在場致發(fā)光層324中的發(fā)光包括從單激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時所產(chǎn)生的光發(fā)射(熒光)和從三重激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時所產(chǎn)生的光發(fā)射(磷光)。其次，形成陰極325以便覆蓋場致發(fā)光層324。陰極325可以使用一般而言具有小功函數(shù)的金屬、合金、導電性化合物、以及它們的混合物等。具體而言，除了堿金屬如Li或Cs等；堿土金屬如Mg、Ca、Sr等；以及包括這些金屬的合金(如Mg:Ag或Al:Li等)以夕卜，還可以采用稀土金屬如Yb或Er等來形成陰極325。而且，通過形成為把包含電子注入性高的材料的層與陰極325接觸，可以使用如使用了鋁或氧化物導電材料等的一般的導電膜。陽極317、場致發(fā)光層324、陰極325在絕緣膜323的開口部中彼此重疊，該重疊的部分相當于發(fā)光元件326。另外，形成發(fā)光元件326之后，也可以在陰極325上形成絕緣膜。與絕緣膜311同樣，該絕緣膜使用與其他絕緣膜相比不容易透過水分或氧等成為促進發(fā)光元件的退化的原因的物質(zhì)膜。典型地優(yōu)選使用DLC膜、氮化碳膜、通過RF賊射法形成的氮化硅膜等。此外，也可地透過水分或氧^等的膜^而作^上述絕緣膜使用。一"另外，雖然在圖9中示出來自發(fā)光元件326的所發(fā)射的光照射到襯底300—側(cè)的結(jié)構(gòu)，但是也可以采用光朝向與襯底300相反一側(cè)的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。實際上，在到圖9為止結(jié)束后，優(yōu)選還使用具有高氣密性的保護膜(貼合膜、紫外線固化樹脂膜等)或具有透光性的覆蓋組件封裝(密封)該發(fā)光器件以使其不暴露于外氣。此時，使覆蓋組件的內(nèi)部處于惰性氣氛或?qū)⒕哂形鼭裥缘牟牧?例如，氧化鋇)設(shè)置在覆蓋組件中時，發(fā)光元件的可靠性提高。雖然在本實施方式中，以通過光刻法形成掩模320的情況作為一例進行了說明，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。除了光刻法之外，還可以使用液滴噴射法、印刷法等形成掩模320。此外，雖然在本實施方式中與實施方式1同樣，以形成掩模320之后對薄膜進行焙燒的情況作為一例進行了說明，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以如實施方式2那樣，在形成掩模320之前進行薄膜的焙燒。在本發(fā)明中通過上述制造方法，可以抑制在絕緣膜323的端部上的錐形角，即可以使端部207的坡度變緩。通過上述結(jié)構(gòu)，可以改善之后所形成的場致發(fā)光層324和陰極的覆蓋率。通過改善場致發(fā)光層324的覆蓋率，可以防止在場致發(fā)光層324中形成的孔中陽極317和陰極短路，并且可以減低所謂收縮的減少發(fā)光區(qū)域的不良，而提高可靠性。在上述半導體器件的制造方法中，不發(fā)生如下問題，即如干蝕刻那樣由于OH基的增加，絕緣膜323的吸濕性增高。因此可以防止在絕緣膜中的水分不僅僅給半導體元件的可靠性，還給半導體器件的可靠性帶來負面影響。另外，具有發(fā)光元件的半導體器件通過抑制在絕緣膜中的吸濕性，可以抑制使發(fā)光元件的退化，因此可以提高半導體器件的可靠性。此外，可以用以往的非光感性的硅氧烷樹脂形成絕緣膜323。因此，可以抑制制造半導體器件的成本。此外，在本實施方式的制造方法中，為了使薄膜固化的焙燒可以防止掩模320被有機溶媒腐蝕或溶解，換言之，可以兼作為了提高掩膜320的耐有機溶媒型的加熱處理。此外，在本實施方式中，通過本發(fā)明的制造方法形成作為發(fā)光元件326的隔壁而發(fā)揮功能的絕緣膜323，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。隔壁以外的絕緣膜，如當絕緣膜310用硅氧垸樹脂形成時，可以通過本發(fā)明的制造方法來形成絕緣膜310。此時，可以^^在絕緣膜310中形成的開口部的端部的坡度小。因此，可以防止在開口部的端部的導電膜312至315變得極薄或產(chǎn)生斷開。本實施方式可以與其它實施方式適當?shù)亟M合而實施。實施方式4接著，具體地說明本發(fā)明的半導體器件的制造方法。另外，雖然在本實施方式中示出了以晶體管作為半導體元件的一例，但本發(fā)明的半導體器件中所使用半導體元件不局限于此。例如，除了晶體管之外，還可以使用存儲元件、二極管、電阻器、電容器、電感器等。首先，如圖IOA所示，在具有耐熱性的襯底700上按順序形成絕緣膜701、剝離層702、絕緣膜703、以及半導體膜704。絕緣膜701、剝離層702、絕緣膜703、以及半導體膜704可以連續(xù)形成。作為襯底700，例如可以使用玻璃襯底如硼硅酸鋇玻璃和硼硅酸鋁玻璃等、石英襯底、陶資襯底等。此外，也可以使用包括不銹鋼襯底的金屬襯底或如硅襯底等半導體襯底。一般而言，與上述襯底相比，由具有柔性的塑料等合成樹脂構(gòu)成的襯底有其耐熱溫度較低的趨勢，但是只要能夠耐受制造工序中的處理溫度即可以使用。作為塑料襯底，可以舉出以聚對苯二曱酸乙二酯(PET)(polyethyleneterephthalate)為代表的聚酉旨(polyester)、聚醚砜(PES)(polyethersulfone)、聚萘二酸乙二酯(PEN)(polyethylenenaphthalate)、聚碳酸西旨(PC)(polycarbonate)、尼龍(nylon)、聚醚醚酮(PEEK)(polyetheretherketone)、聚砜(PSF)(polysulfone)、聚醚酰亞胺(PEI)(polyetherimide)、聚丙烯酸酯(PAR)(polyarylate)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)(polybutyleneterephthalate)、聚酰亞胺(polyimide)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹月旨(anacrylonytrile-butadiene-styreneresin)、聚氯乙烯(polyvinylchloride)、聚丙烯(polypropylene)、聚乙酸乙烯西旨(polyvinylacetate)、丙烯酸樹月旨(anacrylicresin)等。另外，在本實施方式中雖然在襯底700的整個表面上設(shè)置剝離層702,但本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以使用光刻法等在襯底700上部分形成剝離層702。絕緣膜701和絕緣膜703通過使用CVD法或濺射法等并且使用氧化硅、氮化硅(SiNx、Si3N4等)、氧氮化硅(SiOxNy)(x>y>0)、氮氧化硅(SiNxOy)(x>y>0)等的具有絕緣性的材料形成。設(shè)置絕緣膜701和絕緣膜703，以便防止包含在襯底700中的Na等的堿金屬或堿土金屬擴散到半導體膜704中而對晶體管等半導體元件的特性造成不良影響。另外，絕緣膜703還具有以下作用防止包含在剝離層702中的雜質(zhì)元素擴散到半導體膜704中，并且在之后的剝離半導體元件的工序中保護半導體元件。絕緣膜701、絕緣膜703可以使用單層絕緣膜，也可以使用層疊多個絕緣膜。在本實施方式中，按順序?qū)盈B100nm厚的氧氮化硅膜、50nm厚的氮氧化硅膜、lOOnm厚的氧氮化硅膜來形成絕緣膜703，但各個膜的材質(zhì)、膜厚度、層疊個數(shù)不局限于此。例如，也可以通過旋轉(zhuǎn)涂布法、狹縫式涂布機法、液滴噴射法、印刷法等形成0.5fim至3jim厚的硅氧烷樹脂而代替下層的氧氮化硅膜。另外，也可以使用氮化硅膜(SiNx、Si3N4等)而代替中層的氮氧化硅膜。另外，也可以使用氧化硅膜而代替上層的氧氮化硅膜。另外，它們的膜厚度分別優(yōu)選為0.05nm至3jim,從該范圍內(nèi)可以任意選擇?；蛘?，也可以使用氧氮化硅膜或氧化硅膜形成與剝離層702最接近的絕緣膜703的下層，使用硅氧烷類樹脂形成中層，并且使用氧化硅膜形成上層。氧化硅膜可以使用硅烷和氧、TEOS(四乙氧基硅烷)和氧等混合氣體并且通過熱CVD、等離子體CVD、常壓CVD、偏壓ECRCVD等方法來形成。另外，氮化硅膜可以典型使用硅烷和氨的混合氣體并且通過等離子體CVD來形成。另外，氧氮化硅膜和氮氧化硅膜可以典型使用硅烷和一氧化二氮的混合氣體并且通過等離子體CVD來形成。剝離層702可以使用金屬膜、金屬氧化膜、以及層疊金屬膜和金屬氧化膜而形成的膜。金屬膜和金屬氧化膜可以是單層，也可以具有層疊有多層的疊層結(jié)構(gòu)。另外，除了金屬膜和金屬氧化膜以外，還可以使用金屬氮化物和金屬氧氮化物。剝離層702可以通過濺射法或等離子體CVD法等的各種CVD法等來形成。作為用于剝離層702的金屬，可以舉出鎢(W)、鉬(Mo)、鈥(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、把(Pd)、鋨(Os)或銥(Ir)等。剝離層702除了由上述金屬形成的膜以外，還可以使用由以上述金屬為主要成分的合金形成的膜、或使用包含上述金屬的化合物來形成的膜。另外，剝離層702既可以使用由硅(Si)單體形成的膜，又可以使用由以硅(Si)為主要成分的化合物形成的膜。或者，也可以使用由包含硅(Si)和上述金屬的合金形成的膜。包含硅的膜可以具有非晶、微晶、多晶結(jié)構(gòu)中的任一種結(jié)構(gòu)。剝離層702可以使用單層的上述膜，也可以使用上述多個膜的疊層。層疊了金屬膜和金屬氧化膜的剝離層702可以通過在形成成為基本的金屬膜之后使該金屬膜的表面氧化或氮化來形成。具體而言，在氧氣氛中或一氧化二氮氣氛中對成為基本的金屬膜進行等離子體處理、或者在氧氣氛中或一氧化二氮氣氛中對金屬膜進行加熱處理即可。另外，也可以通過在成為基本的金屬膜上接觸地形成氧化硅膜或氧氮化硅膜來進行金屬膜的氧化。另外，可以通過在成為基本的金屬膜上接觸地形成氮氧化硅膜或氮化硅膜來進行氮化。作為進行金屬膜的氧化或氮化的等離子體處理，可以進行如下等離子體處理，即等離子體密度為lxl()Ucm-s以上，優(yōu)選為lxl0UcnT3至9xl0"cm^以下，并且使用微波(例如，頻率為2.45GHz)等的高頻波。另外，可以通過使成為基本的金屬膜的表面氧化來形成層疊有金屬膜和金屬氧化膜的剝離層702，但是也可以在形成金屬膜之后另行形成金屬氧化膜。例如，在作為金屬使用鎢的情況下，在通過濺射法或CVD法等形成鴒膜作為成為基本的金屬膜之后，對該鎢膜進行等離子體處理。通過該工序，可以形成相當于金屬膜的鎢膜、以及與該金屬膜接觸且由鵠的氧化物形成的金屬氧化膜。另外，鎢的氧化物可以由WOx表示。X在2以上3以下的范圍內(nèi)，有如下情況X為2(WOj、X為2.5(W20s)、X為2.75(W-Ou)、以及X為3(W03)。當形成鵠的氧化物時，對x值沒有特別的限制，而根據(jù)蝕刻速度等來設(shè)定X值即可。半導體膜704優(yōu)選在形成絕緣膜703之后，以不露出于大氣的方式形成。半導體膜704的厚度為20至200nm(優(yōu)選為40至170nm，更優(yōu)選為50至150nm)。另外，半導體膜704既可以是非晶半導體，又可以是多晶半導體。此外，作為半導體，除了硅以外，還可以使用硅鍺。在使用硅鍺的情況下，鍺的濃度優(yōu)選為0.01至4.5atomic%左右。另外，半導體膜704也可以通過眾所周知的技術(shù)來結(jié)晶。作為眾所周知的方法，有利用激光的激光晶化法、使用催化元素的晶化法?；蛘撸部梢圆捎媒M合了使用催化元素的晶化法和激光晶化法的方法。另外，在使用石英等具有優(yōu)越的耐熱性的襯底作為襯底700的情況下，也可以采用使用電熱爐的熱晶化法、利用紅外光的燈退火晶化法、或使用催化元素的晶化法、以及組合了950'C左右的高溫退火的晶化法的方法。例如，在采用激光晶化法的情況下，在使激光晶化之前對半導體膜704以550'C進行4小時的加熱處理，以便提高對激光的半導體膜704的耐性。之后，通過使用能夠連續(xù)振蕩的固體激光器照射基波的二次至四次諧波的激光，可以獲得大晶粒尺寸的結(jié)晶。例如，典型地，最好使用Nd:YV04激光器(基波1064nm)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。具體而言，由連續(xù)振蕩型YV04激光器發(fā)射的激光由非線性光學元件轉(zhuǎn)換為高次諧波以獲得輸出功率為10W的激光。優(yōu)選地，通過使用光學系統(tǒng)在照射表面形成矩形或橢圓形的激光，并且將它照射到半導體膜704。在這種情況下，需要O.Ol至100MW/cii^左右(優(yōu)選為0.1至10MW/cm"的能量密度。將掃描速度設(shè)定為10至2000cm/sec左右來照射。作為連續(xù)振蕩的氣體激光器，可以使用Ar激光器、Kr激光器等。另外，作為連續(xù)振蕩的固體激光器，可以使用YAG激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA103激光器、鎂橄欖石(Mg2Si04)激光器、GdV04激光器、￥203激光器、玻璃激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti:藍寶石激光器等。另外，作為脈沖振蕩的激光器，例如可以使用Ar激光器、Kr激光器、受激準分子激光器、C02激光器、YAG激光器、￥203激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA103激光器、玻璃激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti:藍寶石激光器、銅蒸汽激光器、或金蒸汽激光器。另外，也可以通過使脈沖振蕩的激光的振蕩頻率為10MHz以上，使用大大高于通常使用的幾十至幾百Hz的頻帶的頻帶，來進行激光晶化。一般認為從以脈沖振蕩方式將激光照射到半導體膜704后直到半導體膜704完全固化的時間是幾十至幾百nsec。因此，通過使用上述頻帶，在半導體膜704由于激光從熔融到固化為止，可以照射下一個脈沖的激光。因此，由于可以在半導體膜704中連續(xù)移動固液界面，所以形成具有朝向掃描方向連續(xù)生長的晶粒的半導體膜704。具體而言，可以形成在被包含的晶粒的掃描方向上的寬度為10至30nm并且在垂直于掃描方向的方向上的寬度為1至5fim左右的晶粒的集合。通過形成沿著所述掃描方向連續(xù)生長的單晶晶粒，可以形成至少在晶體管的溝道方向上幾乎不存在晶界的半導體膜704。另外，激光晶化既可以并行照射連續(xù)振蕩的基波的激光和連續(xù)振蕩的高次諧波的激光，又可以并行照射連續(xù)振蕩的基波的激光和脈沖振蕩的高次諧波的激光。另外，也可以在稀有氣體或氮等惰性氣體氣氛中照射激光。由此，可以抑制由于激光照射而導致的半導體表面的粗糙度，并且可以抑制由于界面態(tài)密度的不均勻性而產(chǎn)生的閾值的不均勻。通過上述的激光照射來形成進一步提高了結(jié)晶性的半導體膜704，另外，也可以使用通過濺射法、等離子體CVD法、熱CVD法等預先形成的多晶半導體作為半導體膜704。另外，雖然在本實施方式中使半導體膜704晶化，但也可以不使它晶化而使用非晶半導體膜或微晶半導體膜來直接進入后續(xù)的步驟。因為使用非晶半導體或微晶半導體的晶體管的制造工序少于使用多晶半導體的晶體管的制造工序，所以其具有可以抑制成本且提高成品率的優(yōu)點。可以通過輝光放電分解包含硅的氣體來獲得非晶半導體。作為包含珪的氣體，可以舉出SiH4、Si2H6。也可以使用氫或氫及氦稀釋上述包含硅的氣體來使用。接著，對半導體膜704以低濃度添加賦予p型的雜質(zhì)元素或賦予n型的雜質(zhì)元素，來進行溝道摻雜工序。該溝道摻雜工序既可以對半導體膜704的整個面進行，又可以對半導體膜704的一部分選擇性地進行。作為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。這里，使用硼(B)作為雜質(zhì)元素，來進行添加以使半導體膜包含濃度為lxl0"/cm3至5xl0"/cm3的硼。接著，如圖10B所示，將半導體膜704加工(構(gòu)圖)成預定的形狀，以形成島狀半導體膜705至706。并且，形成柵極絕緣膜709以便覆蓋島狀半導體膜705、706。柵極絕緣膜709可以通過使用等離子體CVD法或濺射法等以單層或?qū)盈B形成包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧氮化硅的膜來形成。在層疊他們的情況下，例如，優(yōu)選具有從襯底700—側(cè)層疊有氧化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的三層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣膜709也可以通過進行高密度等離子體處理使島狀半導體膜705、706的表面氧化或氮化來形成。高密度等離子體處理例如使用He、Ar、Kr、Xe等的稀有氣體與氧、氧化氮、氨、氮、氫等的混合氣體來進行。在此情況下，可以通過導入微波來進行等離子體的激發(fā)，而產(chǎn)生低電子溫度且高密度的等離子體。通過由這種高密度的等離子體產(chǎn)生的氧基(也有包括OH基的情況)或氮基(也有包括NH基的情況)來使半導體膜的表面氧化或氮化，與半導體膜接觸地形成1至20nm，典型為5至10nm的絕緣膜。該5至10nm的絕緣膜用作柵極絕緣膜709。上述的利用高密度等離子體處理的半導體膜的氧化或氮化以固相反應(yīng)進行，從而可以使柵極絕緣膜和半導體膜之間的界面態(tài)密度極為低。另外通過利用高密度等離子體處理來直接使半導體膜氧化或氮化，可以抑制所形成的絕緣膜的厚度的不均勻性。另外，在半導體膜具有結(jié)晶性的情況下，通過利用高密度等離子體處理以固相反應(yīng)使半導體膜的表面氧化，可以抑制僅在晶粒界面快速進行氧化，形成均勻性好且界面態(tài)密度低的柵極絕緣膜。在包含于柵極絕緣膜的一部分或整體利用高密度等離子體處理形成的絕緣膜而生成的晶體管可以抑制特性的不均勻性。接著，如圖10C所示，通過在將導電膜形成在柵極絕緣膜709上之后將該導電膜加工(構(gòu)圖)成預定的形狀，來在島狀半導體膜705、706的上方形成電極710。在本實施方式中，通過對層疊了的兩個導電膜進行構(gòu)圖來形成電極710。導電膜可以使用鉭(Ta)、鴒(W)、鈥(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈮(Nb)等。另外，也可以使用以上述金屬為主要成分的合金，也可以使用包含上述金屬的化合物?；蛘?，也可以使用對半導體膜摻雜了賦予導電性的雜質(zhì)元素如磷等而成的多晶硅等半導體來形成。在本實施方式中，使用氮化鉭膜或鉭(Ta)膜作為第一層導電膜，并且使用鎢(W)膜作為第二層導電膜。作為兩個導電膜的組合，除了本實施方式中示出的實例以外，還可以舉出氮化鎢膜和鎢膜、氮化鉬膜和鉬膜、鋁膜和鉭膜、以及鋁膜和鈦膜等。由于鴒和氮化鉭具有高耐熱性，所以在形成兩層導電膜之后的工序中可以進行目的在于熱激活的加熱處理。另外，作為兩層導電膜的組合，例如也可以使用摻雜了賦予n型雜質(zhì)的硅和鎳硅化物、摻雜了賦予n型雜質(zhì)的Si和WSix等。另外，雖然在本實施方式中由層疊了的兩個導電膜形成電極710，但本實施方式不局限于該結(jié)構(gòu).電極710既可以由單層的導電膜形成，又可以通過層疊三層以上的導電膜來形成。在采用層疊三層以上的導電膜的三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選采用鉬膜、鋁膜和鉬膜的疊層結(jié)構(gòu)。作為形成導電膜的方法，可以使用CVD法、濺射法等。在本實施方式中，以20至100nm的厚度形成第一層導電膜，并且以100至400nm的厚度形成第二層導電膜。另夕卜，作為當形成電極710之際使用的掩模，也可以使用氧化硅、氧氮化硅等而代替抗蝕劑。在此情況下，雖然還加有進行構(gòu)圖來形成氧化硅、氧氮化硅等的掩模的工序，但由于當蝕刻時的掩模的膜厚度的減薄比抗蝕劑少，所以可以形成具有所需寬度的電極710。另外，也可以通過使用液滴噴射法選擇性地形成電極710,而不使用掩模。接著，將電極710作為掩模對島狀半導體膜705、706以低濃度摻雜賦予n型的雜質(zhì)元素(典型為P(磷)或As(砷))(第一摻雜工序)。第一摻雜工序的條件為劑量是lxl0"至lxl0"/cm3、加速電壓是50至70keV，但不局限于此。借助于該第一摻雜工序，通過柵極絕緣膜709進行摻雜，在烏狀半導體膜705、706中分別形成低濃度雜質(zhì)區(qū)711。另外，也可以使用掩模覆蓋成為p溝道型TFT的島狀半導體膜706后進行第一摻雜工序。接著，如圖11A所示，形成掩模712以便覆蓋成為n溝道型TFT的島狀半導體膜705。然后不僅使用掩模712,還使用電極710作為掩模，對島狀半導體膜706以高濃度摻雜賦予p型的雜質(zhì)元素(典型為硼(B))(第二摻雜工序)。第二摻雜工序的條件為劑量是lxl019至lxl02G/cm3、加速電壓是20至40keV。借助于該第二摻雜工序，通過柵極絕緣膜709進行摻雜，在島狀半導體膜706中形成p型高濃度雜質(zhì)區(qū)713。接著，如圖IIB所示，在通過灰化等去除掩模712之后形成絕緣膜以便覆蓋柵極絕緣膜709及電極710。該絕緣膜通過等離子體CVD法或濺射法等以單層或疊層結(jié)構(gòu)由硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、或含有有機樹脂等有機材料的膜形成，在本實施方式中，通過等離子體CVD法形成100nm厚的氧化珪膜。之后，通過以垂直方向為主體的各向異性蝕刻部分地蝕刻柵極絕緣膜709及該絕緣膜。通過上述各向異性蝕刻，柵極絕緣膜709部分地被蝕刻，在烏狀半導體膜705、706上部分地形成柵極絕緣膜714。另外，通過上迷各向異性蝕刻部分地蝕刻為了覆蓋柵極絕緣膜709及電極710而形成了的絕緣膜，形成與電極710的側(cè)面接觸的側(cè)壁715。側(cè)壁715用作當形成LDD(輕摻雜漏)區(qū)時的摻雜用掩模。在本實施方式中，使用CHF3和He的混合氣體作為蝕刻氣體。另外，形成側(cè)壁715的工序不局限于這些。接著，如圖11C形成掩模716以便覆蓋成為p溝道型晶體管的島狀半導體膜706。之后，不僅使用形成的掩模716，還使用電極710及側(cè)壁715作為掩模，對島狀半導體膜705以高濃度摻雜賦予n型的雜質(zhì)元素(典型為P或As)(第三摻雜工序)。第三摻雜工序的條件為劑量是lxlO"至lxl02Q/cm3、加速電壓是60至100keV。借助于該第三摻雜工序，在島狀半導體膜705中分別形成n型高濃度雜質(zhì)區(qū)717。另外，側(cè)壁715作為當之后摻雜高濃度的賦予n型的雜質(zhì)且在側(cè)壁715的下部形成低濃度雜質(zhì)區(qū)或無摻雜的偏移區(qū)時的掩模而發(fā)揮功能。因此，為了控制低濃度雜質(zhì)區(qū)或偏移區(qū)的寬度，適當?shù)馗淖儺斝纬蓚?cè)壁715時的各向異性蝕刻的條件或用于形成側(cè)壁715的絕緣膜的厚度來調(diào)節(jié)側(cè)壁715的大小即可。另外，也可以在半導體膜706中，在側(cè)壁715的下部形成低濃度雜質(zhì)區(qū)或無摻雜的偏移區(qū)。接著，也可以在通過灰化等去除掩模716之后，進行利用雜質(zhì)區(qū)的加熱處理的激活。例如，在形成50nm的氧氮化硅膜之后，在氮氣氣氛中以55(TC進行4小時的加熱處理即可。另外，也可以在形成厚度為100nm的包含氫的氮化硅膜后進行如下工序，即在氮氣氣氛中以410'C進行1小時的加熱處理，來使烏狀半導體膜705、706氫化?；蛘?，也可以進行在包含氫的氣氛中以30(TC至450。C進行1至12小時的加熱處理，來使烏狀半導體膜705、706氳化的工序，在加熱處理中，可以使用熱退火、激光退火法、或RTA法等。借助于加熱處理，不僅進行氫化，而且也可以進行添加到半導體膜中的雜質(zhì)元素的激活。另外，作為氫化的其他方法，也可以進行等離子體氫化(使用由等離子體激發(fā)的氫)。借助于該氫化工序，可以使用熱激發(fā)的氫來使懸空鍵終結(jié)。借助于上述的一系列工序，形成n溝道型晶體管718、以及p溝道型晶體管719。另外，在本實施方式中，以薄膜晶體管為例子進行說明，但是本發(fā)明不局限于此結(jié)構(gòu)。除了薄膜晶體管之外，還可以通過使用單晶硅形成的晶體管、通過使用SOI形成的晶體管等。此外，既可以為使用有機半導體的晶體管，又可以為使用碳納米管的晶體管。其次，如圖12A所示，形成為了保護晶體管718、719的絕緣膜722。雖然不一定要設(shè)置絕緣膜722，但是通過形成絕緣膜722,可以防止堿金屬或堿土金屬等雜質(zhì)進入到晶體管718、719中。具體而言，作為絕緣膜722，優(yōu)選使用氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氮化鋁、氧化鋁、氧化硅等。在本實施方式中，作為絕緣膜722使用膜厚度大約為600nm的氧氮化硅膜。在此情況下，也可以在形成該氧氮化硅膜形成之后進行上述氫化工序。其次，在絕緣膜722上形成具有硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的薄膜723以便覆蓋晶體管718、719。通過覆蓋晶體管718、719地在絕緣膜722上涂布懸濁液形成薄膜723,在該懸濁液中分散有硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料。懸濁液的溶媒優(yōu)選為可以分散硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的有機溶媒，例如可以使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等。在本實施方式中使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)。懸濁液涂布可以通過在絕緣膜722上滴下懸濁液之后，使村底700高速旋轉(zhuǎn)的旋涂法來進行。此外不限于旋涂法，也可以使用狹縫涂布法、浸漬涂布法等進行懸濁液涂布，其次，對薄膜723進行稱為預烤的加熱處理，來固化薄膜723。在本實施方式中，通過進行預烤，可以提高通過光刻法形成掩模之后的工序的工作效率。預烤的溫度優(yōu)選設(shè)定為高于可以使薄膜723固化到容易被處理的程度，并且低于在薄膜723中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在90至10(TC、30至60秒的條件下進行預烤。其次，為了提高薄膜723和抗蝕劑的密接性，將薄膜723置于顯影液。然后，如圖12C所示，使用抗蝕劑在薄膜723上形成抗蝕劑層724。在本實施方式中，作為抗蝕劑使用酚醛清漆樹脂。然后對抗蝕劑層724施加110至120°C、30至90秒的加熱處理(預烤抗蝕劑)。通過上述加熱處理，在表面形成難溶解層來使抗蝕劑層724固化，可以提高工作效率。接著通過對抗蝕劑層724進行膝光、顯影，抗蝕劑層724被部分地去除。其結(jié)果，如圖13A所示，形成在薄膜723上被選擇性地布置的掩模725。如圖13B所示，進行稱為焙燒的加熱處理，使薄膜723進一步固化。在圖13B中，將焙燒之后的薄膜723圖示為薄膜726。焙燒的溫度范圍設(shè)定為使薄膜723固化且可以進行選擇性的濕蝕刻的程度。具體而言，其溫度范圍優(yōu)選設(shè)定為高于可以確保所希望的蝕刻速度的程度，并且低于包含在用于形成薄膜723的懸濁液中的有機溶媒的沸點，在本實施方式中，在130至140'C，0.5至lh的條件下進行焙燒。通過焙燒，可以防止掩模725由在之后的濕蝕刻中使用的有機溶媒腐蝕或溶解。其次，如圖13C所示，作為蝕刻劑使用有機溶媒對薄膜726進行濕蝕刻。作為蝕刻劑使用的有機溶媒優(yōu)選為如丁醇、丙醇等碳數(shù)為3至5的中級醇。通過以上述醇為蝕刻劑而使用，在對由焙燒而固化的薄膜726進行濕蝕刻時，可以確保適于蝕刻的蝕刻速度和對于725掩模的高選擇比。此外，通過把上述有機溶媒用作蝕刻劑，與使用無機材料如氫氟酸等的蝕刻劑的情況不同，可以抑制設(shè)在薄膜726的下層的布線、電極等的導電膜的表面產(chǎn)生粗糙，并且可以降低處理上的危險度。在本實施方式中，作為蝕刻劑使用2-丁醇，以進行濕蝕刻。通過濕蝕刻，可以形成被加工成所希望的形狀的薄膜727。通過形成薄膜727，絕緣膜722被部分地露出。其次，去除掩模725。作為使用于去除掩模725的剝離液，使用可以選擇性地去除掩模725的剝離液。例如當使用酴醛清漆樹脂形成掩模725時，可以使用包含2-氨基乙醇和乙二醇的剝離液。接下來，如圖14A所示，對薄膜727進行稱為固化的加熱處理。固化的處理溫度設(shè)定為可以使包含在薄膜727中的硅氧烷類材料聚合，或者促進揮發(fā)包含在薄膜723中的有機溶媒的溫度范圍。具體而言，固化的溫度設(shè)定為高于包含在用于形成薄膜723的懸濁液中的有機溶媒的沸點。在本實施方式中，在300至350。C，l小時左右的條件下進行固化。通過固化，在薄膜727中硅氧烷類材料聚合，或者與焙燒相比，在該薄膜727中包含的有機溶媒進一步揮發(fā)，因此形成具有露出絕緣膜722的開口部的由硅氧烷樹脂構(gòu)成的絕緣膜728。其次，如圖14B所示，在絕緣膜728的開口部中，在絕緣膜722上形成開口部，以便使島狀半導體膜705、706的一部分分別露出。在本實施方式中，通過對絕緣膜722進行干蝕刻，形成開口部。當在絕緣膜722中形成開口部時，用掩模覆蓋絕緣膜728。雖然千蝕刻可以使用CHF3和He的混合氣體，但是本發(fā)明不局限于此。另外，當不設(shè)置絕緣膜722時，不必要上述干蝕刻的工序。然后，如圖15A所示，在絕緣膜722及絕緣膜728的開口部中，形成導電膜729、與島狀半導體膜705、706接觸的導電膜730至733。導電膜729至733可以通過CVD法或濺射法等而形成。具體而言，作為導電膜729至733可以使用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、硅(Si)等。此外，既可以使用以上述金屬為主要成分的合金，又可以使用包含上述金屬的化合物。導電膜729至733可以以使用上述金屬的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成。作為以鋁為主要成分的合金的實例，可以舉出以鋁為主要成分且包含鎳的合金。另外，也可以舉出以鋁為主要成分且包含鎳以及碳和硅的一方或雙方的合金作為實例。鋁和鋁硅的電阻值很低且其價格低廉，所以作為形成導電膜729至733的材料最合適。尤其是，與鋁膜相比，鋁硅膜當對導電膜729至733進行構(gòu)圖時，可以防止在抗蝕劑焙燒中產(chǎn)生的小丘。另外，也可以在鋁膜中混入0.5重量％左右的Cu而代替硅(Si)。導電膜729至733例如可以采用阻擋膜、鋁硅膜和阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)；阻擋膜、鋁硅膜、氮化鈦膜和阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)。另外，阻擋膜是如使用鈦、鈦的氮化物、鉬、或鉬的氮化物等來形成的膜。若中間夾著鋁硅膜來形成阻擋膜，則可以進一步防止產(chǎn)生鋁或鋁硅的小丘。另外，若使用具有高還原性的元素的鈦來形成阻擋膜，即使在島狀半導體膜705、706上形成有薄的氧化膜，包含在阻擋膜中的鈦也還原該氧化膜，導電膜730至733和島狀半導體膜705、706可以良好地接觸。另外，也可以層疊多個阻擋膜來使用。在此情況下，例如，可以使導電膜729至733具有從下層按順序?qū)盈B有鈦、氮化鈦、鋁硅、鈦、氮化鈦的五層結(jié)構(gòu)。另外，導電膜730、731連接到n溝道型晶體管718的高濃度雜質(zhì)區(qū)717,導電膜732、733連接到p溝道型晶體管719的高濃度雜質(zhì)區(qū)713。其次，形成絕緣膜734以便覆蓋導電膜729至733，之后在該絕緣膜734上形成開口部，以便使導電膜729的一部分露出。然后，在該開口部中，與導電膜729接觸地形成導電膜735。如果是可以使用于導電膜729至733的材料，也可以作為導電膜735的材料而使用。絕緣膜734可以使用有機樹脂膜、無機絕緣膜或硅氧烷絕緣膜來形成。當采用有機樹脂膜時，例如可以使用丙烯酸、環(huán)氧、聚酰亞胺、聚耽胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯等。當采用無機絕緣膜時，可以使用氧化硅、氣氮化硅、氮氧化硅、以DLC(類金剛石碳)為代表的含碳的膜等。此外，可以通過液滴噴射法或印刷法形成由光刻法形成開口部時使用的掩模。另外，絕緣膜734可以根據(jù)其材料而通過CVD法、濺射法、液滴噴射法或印刷法等形成。另外，當形成絕緣膜734時也可以使用本發(fā)明的制造方法。在此情況下，可以使用參照圖12B至14A所說明的絕緣膜728的制造方法。其次，如圖15B所示，在絕緣膜734上形成保護層740以便覆蓋導電膜735。對保護層740使用之后以剝離層702為分界且剝離襯底700時可以保護絕緣膜734、導電膜735的材料。例如，可以將可溶于水或乙醇之類的環(huán)氧基、丙烯酸酯基、硅基的樹脂涂布在整個面上，來形成保護層740。在本實施方式中，通過旋涂法將水溶性樹脂(TOAGOSEI制造VL-WSHL10)涂布30pm厚，為了臨時硬化將該樹脂啄光2分鐘之后，通過從背面照射紫外線2.5分鐘；從表面照射紫外線IO分鐘，總共12.5分鐘進行啄光來正式硬化，來形成保護層740。另外，當層疊多個有機樹脂時，由于所使用的溶媒，當涂布或焙燒時有機樹脂之間會部分溶解或互相密接性變得太高。因此，當作為絕緣膜734和保護層740都使用對同一溶媒可容的有機樹脂時，優(yōu)選覆蓋絕緣膜734地形成無機絕緣膜(氮化硅膜、氮氧化硅膜、AlNx膜、或者AlNxOy膜)，以便在之后的工序中，順利進行保護層740的去除。其次，從襯底700剝離從絕緣膜703到形成在絕緣膜734上的導電膜735的包含以晶體管為代表的半導體元件或各種導電膜的層(以下稱為"元件形成層742")和保護層740。在本實施方式中，將第一薄膜材料741貼合在保護層740，并且利用物理力量從襯底700剝離元件形成層742和保護層740。剝離層702也可以是不被整體去除而留下一部分的狀態(tài)。另外，上述剝離也可以通過利用剝離層702的蝕刻的方法來進行。在此情況下，露出剝離層702的一部分地形成槽。該槽通過切割、劃線、利用含有UV光的激光的加工、光刻法等來形成。槽只要具有露出剝離層702的深度即可。并且，使用氟化卣作為蝕刻氣體，從槽導入該氣體。在本實施方式中，例如使用C1F3(三氟化氯)，在以下條件下進行溫度為350°C、流量為300sccm、氣壓為800Pa、時間為3h。另外，也可以使用在C1F3中混合了氮的氣體。通過使用C1F3等氟化卣，可以選擇性地蝕刻剝離層702,并且從元件形成層742剝離襯底700。另外，氟化卣可以是氣體也可以是液體。接著，如圖16A所示，在將第二薄膜材料744貼合在通過上述剝離露出了的元件形成層742的表面上。然后，從第一薄膜材料741剝離元件形成層742及保護層740之后，去除保護層740。作為第二薄膜材料744可以使用玻璃襯底如硼硅酸鋇玻璃和硼硅酸鋁玻璃等、有機材料如柔性紙或塑料等。此外，作為第二薄膜材料744,也可以使用柔性無機材料。作為塑料襯底可以使用由具有極性基的聚降冰片烯(polynorbornene)構(gòu)成的ARTON(JSR公司制造)。此外，可以舉出以聚對苯二甲酸乙二酯(PET)為代表的聚酯、聚醚砜(PES)、聚萘二酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龍、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚酰亞胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙酸乙烯酯、丙烯酸樹脂等。另外，在將對應(yīng)于多個半導體器件的半導體元件形成在襯底700上的情況下，針對每個半導體器件來分斷元件形成層742。可以使用激光照射裝置、切割裝置、劃線裝置等來分斷。其次，如圖16B所示，使天線745和導電膜735電連接。可以通過4吏用各向異性導電膜(ACF;AnisotropicConductiveFilm)743使天線745和導電膜735壓合，來使它們電連接。除了各向異性導電膜之外，還可以使用各向異性導電骨(ACP)等使天線745和導電膜735壓合。另外，也可以使用導電粘合劑如銀骨、銅骨或碳骨等；或者焊接來進行連接。另外，在本實施方式中，對形成半導體元件之后，另外準備的天線745電連接到半導體元件的一例進行了說明，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以將天線形成在與半導體元件同一襯底上。在此情況下，可以形成用作天線的導電膜735以使其一部分與導電膜735接觸。用作天線的導電膜可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉻(Cr)、拍(Pt)、鉬(Mo)、鈥(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鋁(Al)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鎳(Ni)等金屬來形成。作為天線而發(fā)揮功能的導電膜，除了使用由上述金屬形成的膜之外，還可以使用由以上述金屬為主要成分的合金形成的膜或使用包含上述金屬的化合物形成的膜。作為天線而發(fā)揮功能的導電膜可以以單層使用上述的膜，也可以層疊使用上述多個膜。作為天線而發(fā)揮功能的導電膜可以通過使用CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或膠版印刷等、液滴噴射法、滴落法、涂鍍法、光刻法、氣相沉積法等來形成。例如，在采用絲網(wǎng)印刷法的情況下，可以通過在絕緣膜734上選擇性地印刷導電骨，形成作為天線而發(fā)揮功能的導電膜，所述導電骨是通過將粒徑為幾nm至幾十nm的具有導電性的粒子(導電體粒子)分散在有機樹脂中而成的。導電體粒子可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(M)、柏(Pt)、把(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、或鈦(Ti)等來形成。導電體粒子除了由上述金屬形成以外，還可以由以上述金屬為主要成分的合金形成或使用包含上述金屬的化合物來形成。另外，也可以使用離化銀的微粒子或分散納米粒子。另外，可以使用聚酰亞胺、硅氣烷類樹脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂等作為包含在導電骨中的有機樹脂。作為上述金屬的合金的一例，可以舉出以下組合銀(Ag)和把(Pd)、銀(Ag)和柏(Pt)、金(Au)和賴(Pt)、金(Au)和鈀(Pd)、銀(Ag)和銅(Cu)。另外，例如也可以使用通過由銀(Ag)涂布銅(Cu)而獲得的導電體粒子等。另外，當形成用作天線的導電膜時，優(yōu)選在通過印刷法或液滴噴射法在擠出導電貪之后進行焙燒，例如，在采用以銀為主要成分的導電體粒子(例如粒徑為lnm以上至100nm以下)作為導電骨的情況下，可以通過以150t至300。C的溫度范圍進行焙燒而形成作為天線而發(fā)揮功能的導電膜。焙燒可以通過使用紅外光燈、氙燈、卣燈等的燈退火來進行，也可以通過使用電爐的爐內(nèi)退火來進行。另外，也可以通過使用受激準分子激光器、Nd:YAG激光器的激光退火法來進行。另外，也可以使用以焊料或無鉛焊料為主要成分的微粒子，在此情況下，優(yōu)選使用粒徑為20fim以下的微粒子。焊料和無鉛焊料具有低成本的優(yōu)點。另外，在本實施方式中，示出從襯底700剝離元件形成層742而利用的一例，但是也可以不設(shè)置剝離層702且在襯底700上形成上述的元件形成層742，來作為半導體器件而利用。此外，雖然在本實施方式中，對具有天線的半導體器件的制造方法進行了說明，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。使用本發(fā)明的制造方法制造的半導體器件不一定需要具有天線。雖然在本實施方式中，以通過光刻法形成掩模725的情況作為一例進行了說明，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。除了光刻法之外，還可以使用液滴噴射法、印刷法等形成掩模725。此外，雖然在本實施方式中與實施方式1同樣，以形成掩模725之后對薄膜進行焙燒的情況作為一例進行了說明，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以如實施方式2那樣，在形成掩模725之前進行薄膜的焙燒。在本實施方式中，可以使在絕緣膜728中形成的開口部的端部的坡度小。由此，可以防止在開口部的端部的導電膜730至733變得極薄或產(chǎn)生斷開，并且可以提高半導體器件的可靠性。此外，雖然在本實施方式中，通過本發(fā)明的制造方法形成絕緣膜728,但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。既可以通過本發(fā)明的制造方法形成絕緣膜728和絕緣膜734，又可以通過本發(fā)明的制造方法僅形成絕緣膜728和絕緣膜734中的絕緣膜734。在通過本發(fā)明的制造方法形成絕緣膜734的情況下，可以防止在開口部的端部的導電膜735變極薄或產(chǎn)生斷開。在上述半導體器件的制造方法中，不發(fā)生如下問題，即如千蝕刻那樣由于OH基的增加，絕緣膜728的吸濕性增高。因此可以防止在絕緣膜728中的水分不僅僅給晶體管718、719等半導體元件的可靠性，還給半導體器件的可靠性帶來負面影響。此外，可以用以往的非光感性的硅氧烷樹脂形成絕緣膜728。因此，可以抑制制造半導體器件的成本。此外，在本實施方式的制造方法中，為了使薄膜固化的焙燒可以防止掩模725被有機溶媒腐蝕或溶解，換言之，可以兼作為了提高掩膜725的耐有機溶媒性的加熱處理。本實施方式可以與其它實施方式適當?shù)亟M合而實施。實施例1在本實施例中，對在單晶襯底上形成了的半導體元件上形成絕緣膜的本發(fā)明的制造方法進行說明。另外，雖然在本實施例中，以作為半導體元件使用晶體管的情況作為一例進行說明，但是在單晶襯底上形成的半導體元件不局限于晶體管。首先，如圖17A所示，形成絕緣膜503以便覆蓋在半導體襯底500上形成的晶體管501及晶體管502。作為半導體襯底500,例如可以使用具有n型或p型導電類型的單晶珪襯底、化合物半導體襯底(GaAs襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC村底、藍寶石襯底、ZnSe襯底等)、以及使用貼合法或SIMOX(注入氧隔離)法來制造的SOI(絕緣體上硅片)襯底等。晶體管501和晶體管502都由元件分離絕緣膜504進行電分離。作為元件分離絕緣膜504的形成方法，可以使用選擇氧化法(LOCOS)或深溝分離法等。此外，在半導體襯底500中形成有p阱505，在該p阱505上形成晶體管502。另外，在本實施例中示出了使用具有n型導電類型的單晶硅襯底作為半導體襯底500，并且在該半導體襯底500中形成p阱505的實例。形成在半導體襯底500中的p阱505可以通過將賦予p型導電類型的雜質(zhì)元素選擇性地引入到半導體襯底500中來形成。作為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等。另外，在本實施例中，因為使用具有n型導電類型的半導體襯底作為半導體襯底500，所以形成晶體管501的區(qū)域中沒形成n阱。但是，也可以通過引入賦予n型的雜質(zhì)元素來在形成晶體管501的區(qū)域中形成n阱。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)和砷(As)等。此外，當使用具有p型導電類型的半導體襯底作為半導體襯底500時，將賦予n型導電類型的雜質(zhì)元素選擇性地引入到該半導體襯底中來形成n阱，然后可以在n阱中形成晶體管501。晶體管501及晶體管502具有柵極絕緣膜506。在本實施例中，將使半導體襯底500熱氧化而形成的氧化硅膜用作柵極絕緣膜506。另外，也可以通過熱氧化形成氧化硅膜之后進行氮化處理，使氧化硅膜的表面氮化來形成氧氮化硅膜，并且將層疊有氧化硅膜和氧氮化硅膜的層用作絕緣膜506。另外，也可以不采用熱氧化處理，而采用等離子體處理形成柵極絕緣膜506。例如，通過利用高密度等離子體處理使半導體襯底500的表面氧化或氮化，可以形成用作柵極絕緣膜506的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜。此外，晶體管501及晶體管502在柵極絕緣膜506上具有導電膜507。在本實施例中，示出了使用按順序?qū)盈B了的兩層導電膜作為導電膜507的實例。作為導電膜507，可以使用單層導電膜，也可以使用層疊有三層以上的導電膜的結(jié)構(gòu)。作為導電膜507，可以使用鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈮(Nb)等。另外，作為導電膜507，除了使用由上述金屬形成的膜以外，還可以使用由以上述金屬為主要成分的合金形成的膜或使用包含上述金屬的化合物來形成的膜?；蛘撸部梢允褂脤Π雽w膜摻雜賦予導電性的雜質(zhì)元素如磷等而成的多晶硅等半導體來形成。在本實施例中，導電膜507具有層疊使用氮化鉭的導電膜和使用鴒的導電膜的結(jié)構(gòu)。此外，晶體管501在半導體襯底500中具有作為源區(qū)或漏區(qū)而發(fā)揮功能的一對雜質(zhì)區(qū)509。一對雜質(zhì)區(qū)509之間相當于晶體管501的溝道形成區(qū)。作為雜質(zhì)元素，使用賦予n型的雜質(zhì)元素或賦予p型的雜質(zhì)元素。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)等。在本實施例中，使用硼(B)作為雜質(zhì)元素。此外，晶體管502在p阱505中具有作為源區(qū)或漏區(qū)而發(fā)揮功能的一對雜質(zhì)區(qū)508。一對雜質(zhì)區(qū)508之間相當于晶體管502的溝道形成區(qū)。作為雜質(zhì)元素，使用賦予n型的雜質(zhì)元素或賦予p型的雜質(zhì)元素。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等。在本實施例中，使用磷(P)作為雜質(zhì)元素。絕緣膜503具有開口部以部分地露出柵極絕緣膜506。絕緣膜503可以使用如上述實施方式所示的本發(fā)明的絕緣膜的制造方法。另外，雖然在本實施例中示出硅氧烷樹脂的絕緣膜503直接覆蓋晶體管501及晶體管502的實例，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。在形成絕緣膜503之前，也可以形成用于防止堿金屬或堿土金屬等雜質(zhì)進入到晶體管501及502中的絕緣膜。具體而言，作為該絕緣膜，優(yōu)選使用氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氮化鋁、氧化鋁、氧化硅等。在此情況下，可以防止雜質(zhì)元素的進入的上述絕緣膜，在絕緣膜503的開口部中露出，其次，如圖17B所示，對柵極絕緣膜506進行構(gòu)圖，使雜質(zhì)區(qū)508、509露出。可以由干蝕刻進行該構(gòu)圖。另外，當構(gòu)圖柵極絕緣膜506時，優(yōu)選用掩模覆蓋絕緣膜503。另外，在用可以防止雜質(zhì)元素的進入的上迷絕緣膜覆蓋晶體管501及晶體管502的情況下，對該絕緣膜也進行構(gòu)圖。其次，如圖17C所示那樣，在開口部中與雜質(zhì)區(qū)508、509接觸地形成導電膜510至513。在本實施例中，可以使在絕緣膜503中形成的開口部的端部的坡度小.因此，可以防止在開口部的端部上導電膜510至513變得極薄或發(fā)生斷開，并且可以提高半導體器件的可靠性。另外，晶體管501、502不局限于在本實施例中示出于附圖上的結(jié)構(gòu)，例如，也可以是反交錯結(jié)構(gòu)。另外，本實施例可以與上述實施方式適當?shù)亟M合而實施。實施例2在本實施例中，參照圖18A至18C說明用來當驅(qū)動發(fā)光元件的晶體管為p型時的像素的截面結(jié)構(gòu)。另外，在圖18A至18C中，說明第一電極和第二電極分別用作陽極和陰極的情況，但是第一電極和第二電極也可以分別用作陰極和陽極.圖18A是當晶體管6001為p型且從第一電極6004—側(cè)取出來自發(fā)光元件6003的光時的像素的截面圖。晶體管6001被絕緣膜6007覆蓋，并在絕緣膜6007上形成有具有開口部的隔壁6008。在隔壁6008的開口部中部分暴露了第一電極6004，并且在所述開口部中按順序?qū)盈B第一電極6004、場致發(fā)光層6005、第二電極6006。第一電極6004由透過光的材料或膜厚形成，且由適合于用作陽極的材料形成。例如，第一電極6004可以由氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、添加了鎵的氧化鋅(GZO)等其它透光性氧化物導電材料形成。另外，第一電極6004也可以由包含氧化硅的氧化鋅、包含氧化硅的氧化銦錫(以下記為ITSO)、或?qū)TSO還混合了2至20重量。/。的氧化鋅(ZnO)的化合物形成。除了所述透光性氧化物導電材料之外，第一電極6004還可以由如下結(jié)構(gòu)形成例如由氮化鈦、氮化鋯、鈦、鵠、鎳、鉑、銅、銀、鋁等中的一種或多種形成的單層膜；氮化鈦膜和以鋁作為主要成分的膜的疊層；氮化鈦膜、以鋁作為主要成分的膜及氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)等。然而，當釆用透光性氧化物導電材料之外的材料時，以透過光的程度的膜厚(優(yōu)選為5至30nm左右)形成第一電極6004。另外，第二電極6006可以由反射或遮蔽光的材料及膜厚形成，且由低功函數(shù)的金屬、合金、導電化合物、以及它們的混合物等形成。具體地說，可以使用Li或Cs等的堿金屬、以及Mg、Ca、Sr等的堿土金屬、包含它們的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)、以及它們的化合物(氟化鉤或氮化鈣)、Yb或Er等的稀土金屬。當設(shè)置電子注入層時，也可以使用Al等的其它導電層。場致發(fā)光層6005由單層或多層組成。在由多層組成的情況下，按照栽流子傳輸特性這些層可以分為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等。當場致發(fā)光層6005除了發(fā)光層之外，還具有空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的任何層時，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層以這種順序?qū)盈B在第一電極6004上。此外，每層的邊界不必要是清楚的，存在形成各自層的材料部分混合，使得界面不清楚的情況。每一層可以使用有機類材料或無機類材料。作為有機類材料，可以使用高、中或低分子類材料中的任何一種。另外，中分子類材料相當于重復結(jié)構(gòu)單元的數(shù)目(聚合度)大約為2至20的低聚合物?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭▊鬏攲娱g的區(qū)別不一定明確。為方便起見，空穴注入層是形成在與陽極接觸一側(cè)的層，而與發(fā)光層接觸的層區(qū)別稱為空穴傳輸層。這可以同樣應(yīng)用于電子傳輸層和電子注入層。和陰極接觸的層被稱作電子注入層，而和電子注入層接觸的層被稱作電子傳輸層。發(fā)光層有時還兼作電子傳輸層，因此它會被稱為發(fā)光性電子傳輸層。在圖18A所示的像素中，發(fā)光元件6003所發(fā)射的光可以如空心箭頭所示從第一電極6004側(cè)提取。圖18B是當晶體管6011為p型且從第二電極6016—側(cè)取出來自發(fā)光元件6013的光時的像素的截面圖。晶體管6011被絕緣膜6017覆蓋，并且在絕緣膜6017上形成有具有開口部的隔壁6018。在隔壁6018的開口部中部分暴露了第一電極6014，并且在開口部中按順序?qū)盈B有第一電極6014、場致發(fā)光層6015、第二電極6016。第一電極6014由反射或遮蔽光的材料及膜厚形成，且由適合于用作陽極的材料形成。第一電極6014可以由如下結(jié)構(gòu)形成例如由氮化鈦、氮化鋯、鈦、鎢、鎳、鉑、銅、銀、鋁等中的一種或多種構(gòu)成的單層膜；氮化鈦膜和以鋁作為主要成分的膜的疊層；氮化鈦膜、以鋁作為主要成分的膜及氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)等。另外，第二電極6016可以由透過光的材料或膜厚形成，且由低功函數(shù)的金屬、合金、導電化合物、以及它們的混合物等形成。具體地說，可以使用Li或Cs等的堿金屬、以及Mg、Ca、Sr等的堿土金屬、包含它們的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)、以及它們的化合物(氟化鈣或氮化釣)、Yb或Er等的稀土金屬。當設(shè)置電子發(fā)光層時，也可以使用Al等的其它導電層。并且，以透過光的程度的膜厚(優(yōu)選為5至30nm左右)形成第二電極6016。此外，也可以使用氧化錮錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、添加了鎵的氧化鋅(GZO)等其它透光性氧化物導電材料。另外，第二電極6016也可以由包含氧化硅的氧化鋅、包含氧化硅的氧化銦錫(以下記為ITSO)、或?qū)TSO還混合了2至20重量。/。的氧化鋅(ZnO)的化合物形成。在使用透光性氧化物導電材料的情況下，理想的是，將電子注入層設(shè)置于場致發(fā)光層6015。場致發(fā)光層6015可以與圖18A所示的場致發(fā)光層6005相似地形成。在圖18B所示的像素中，發(fā)光元件6013發(fā)出的光如空心箭頭所示可以從笫二電極6016側(cè)提取。圖18C是當晶體管6021為p型且從第一電極6024—側(cè)及第二電極6026—側(cè)取出來自發(fā)光元件6023的光時的像素的截面圖。晶體管6021被絕緣膜6027覆蓋，在絕緣膜6027上形成有具有開口部的隔壁6028。在隔壁6028的開口部中部分暴露了第一電極6024，并且在該開口部中按順序?qū)盈B有第一電極6004、場致發(fā)光層6005、第二電極6006。笫一電極6024可以與圖18A所示的第一電極6004相似地形成。第二電極6026可以與圖18B所示的第二電極6016相似地形成。另夕卜，場致發(fā)光層6025可以與圖18A所示的場致發(fā)光層6005相似地形成。在圖18C所示的像素中，發(fā)光元件6023發(fā)出的光如空心箭頭所示可從第一電極6024和第二電極6024側(cè)提取。另外，作為隔壁6008、6018、6028使用通過本發(fā)明的制造方法形成的絕緣膜，并且在該開口部上的坡度比通過干蝕刻形成的坡度小且其平坦性高。因此，可以防止在開口部的端部場致發(fā)光層6005、6015、6025變得極薄或產(chǎn)生斷開。因此，可以不僅僅提高發(fā)光元件6003、6013、6023的可靠性，而且提高具有該發(fā)光元件的6003、6013、6023的半導體器件的可靠性。此外，不發(fā)生如下問題，即如干蝕刻那樣由于OH基的增加，絕緣膜的吸濕性增高。通過抑制在隔壁6008、6018、6028中的吸濕性，可以抑制發(fā)光元件6003、6013、6023的退化，因此可以提高半導體器件的可靠性。此外，可以用以往的非感光性的硅氧烷樹脂形成隔壁6008、6018、6028，所以可以使用廉價的原材料，因此可以抑制制造半導體器件時所需要的成本。本實施例可以與上述實施方式或?qū)嵤├m當?shù)亟M合而實施。實施例3在本實施例中，參照圖19A至19C說明當用來驅(qū)動發(fā)光元件的晶體管為n型時的像素的截面結(jié)構(gòu)。另外，在圖19A至19C中，說明第一電極和笫二電極分別為陽極和陰極的情況，但是第一電極和第二電極也可以分別為陰極和陽極。圖19A是當晶體管6031為n型且從第一電極6034—側(cè)取出來自發(fā)光元件6033的光時的像素的截面圖。晶體管6031被絕緣膜6037覆蓋，在絕緣膜6037上形成有具有開口部的隔壁6038。在隔壁6038的開口部中部分暴露了第一電極6034,并且按順序?qū)盈B第一電極6034、場致發(fā)光層6035、第二電極6036。第一電極6034可以由透過光的材料或膜厚形成，且由低功函數(shù)的金屬、合金、導電化合物、以及它們的混合物等形成。具體地說，可以使用Li或Cs等的堿金屬、以及Mg、Ca、Sr等的堿土金屬、包含它們的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)、以及它們的化合物(氟化鏑或氮化鈣)、Yb或Er等的稀土金屬。設(shè)置電子注入層時，也可以使用Al等的其它導電層。并且，以透過光的程度的膜厚(優(yōu)選為5至30nm左右)形成第一電極6034。進而，也可以使用透光性氧化物導電材料形成具有透光性的導電層以使它接觸于具有透過光的程度的膜厚的所述導電層之上或之之下，來抑制第一電極6034的薄層電阻。此外，也可以僅僅使用使用了氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、添加了鎵的氧化鋅(GZO)等其它透光性氧化物導電材料的導電層。另外，也可以使用由包含氧化硅的氧化鋅、包含氧化珪的氧化銦錫(以下記為ITSO)、或?qū)TSO還混合了2至20重量。/o的氧化鋅(ZnO)的化合物形成。在使用透光性氧化物導電材料的情況下，優(yōu)選將電子注入層設(shè)置于場致發(fā)光層6035。第二電極6036由反射或遮蔽光的材料及膜厚形成，且由適合于用作陽極的材料形成。第二電極6036可以由如下結(jié)構(gòu)形成例如由氮化鈦、氮化鋯、鈦、鎢、鎳、鉑、銅、銀、鋁等中的一種或多種構(gòu)成的單層膜；氮化鈦膜和以鋁作為主要成分的膜的疊層；氮化鈦膜、以鋁作為主要成分的膜及氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)等。場致發(fā)光層6035可以與圖18A所示的場致發(fā)光層6005相似地形成。但是，當場致發(fā)光層6035除了發(fā)光層之外，還具有空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的任何層時，電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層以這種順序?qū)盈B在第一電極6034上。在圖19A所示的像素中，發(fā)光元件6033發(fā)出的光如空心箭頭所示可從第一電極6034—側(cè)提取。圖19B是當晶體管6041為n型且從第二電極6046—側(cè)取出來自發(fā)光元件6043的光時的像素的截面圖。晶體管6041被絕緣膜6047覆蓋，在絕緣膜6047上形成有具有開口部的隔壁6048。在隔壁6048的開口部中部分暴露了第一電極6044,并且在該開口部中按順序?qū)盈B有第一電極6044、場致發(fā)光層6045、第二電極6046。笫一電極6044可以由反射或遮蔽光的材料及膜厚形成，并且由低功函數(shù)的金屬、合金、導電化合物、以及它們的混合物等形成。具體地說，可以使用Li或Cs等的堿金屬、以及Mg、Ca、Sr等的堿土金屬、包含它們的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)、以及它們的化合物(氟化釣或氮化釣)、Yb或Er等的稀土金屬。當在設(shè)置電子注入層時，也可以使用Al等的其它導電層。另外，第二電極6046由透過光的材料或膜厚形成，且由適合于用作陽極的材料來形成。例如，第二電極6046可以由氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、添加了鎵的氧化鋅(GZO)等其它透光性氧化物導電材料形成。另外，第二電極6046也可以由包含氧化珪的氧化鋅、包含氧化硅的氧化銦錫(以下記為ITSO)、或?qū)TSO還混合了2至20重量。/。的氧化鋅(ZnO)的化合物形成。除了所述透光性氧化物導電材料之外，第二電極6046還可以由如下結(jié)構(gòu)形成例如由氮化鈦、氮化鋯、鈦、鵠、鎳、鉑、銅、銀、鋁等中的一種或多種形成的單層膜；氮化鈦膜和以鋁作為主要成分的膜的疊層；氮化鈦膜、以鋁作為主要成分的膜及氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)等。然而，當使用除了透光性氧化物導電材料之外的材料時，以透過光的程度的膜厚(優(yōu)選為5至30nm左右)形成第二電極6046。場致發(fā)光層6045可以與圖19A所示的場致發(fā)光層6035相似地形成。在圖19B所示的像素中，發(fā)光元件6043發(fā)出的光如空心箭頭所示可從第二電極6046—側(cè)提取。圖19C是當晶體管6051為n型且從第一電極6054—側(cè)及第二電極6056—側(cè)取出來自發(fā)光元件6053的光時的像素的截面圖。晶體管6051被絕緣膜6057覆蓋，在絕緣膜6057上形成有具有開口部的隔壁6058。在隔壁6058的開口部中部分暴露了第一電極6054，并且在該開口部中按順序?qū)盈B第一電極6054、場致發(fā)光層6055、第二電極6056。笫一電極6054可以與圖19A所示的第一電極6034同樣地形成。另外，第二電極6056可以與圖19B所示的第二電極6046同樣地形成。場致發(fā)光層6055可以與圖19A所示的場致發(fā)光層6035同樣地形成。在圖19C所示的像素中,發(fā)光元件6053發(fā)出的光如空心箭頭所示可從第一電極6054—側(cè)及第二電極6056—側(cè)提取。另外，作為隔壁6038、6048、60584吏用通過本發(fā)明的制造方法形成的絕緣膜，并且在該開口部上的坡度比通過干蝕刻形成的坡度小且其平坦性高。因此，可以防止在開口部的端部場致發(fā)光層6035、6045、6055變得極薄或產(chǎn)生斷開。因此，可以不僅僅提高發(fā)光元件6033、6043、6053的可靠性，而且提高具有該發(fā)光元件的6033、6043、6053的半導體器件的可靠性。此外，不發(fā)生如下問題，即如干蝕刻那樣由于OH基的增加，絕緣膜的吸濕性增高。所以，通過抑制在隔壁6038、6048、6058中的吸濕性，可以抑制發(fā)光元件6033、6043、6053的退化，因此可以提高半導體器件的可靠性。此外，可以用以往的非感光性的硅氧烷樹脂形成隔壁6038、6048、6058，所以可以使用廉價的原材料，因此可以抑制制造半導體器件時所需要的成本。本實施例可以與上述實施方式或?qū)嵤├m當?shù)亟M合而實施。本申請基于2007年2月26日在日本專利局提交的日本專利申請序列號2007-045146，在此引用其全部內(nèi)容作為參考。權(quán)利要求1.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；對所述薄膜進行第一加熱處理；在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；對所述第一加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及對所述濕蝕刻之后的所述薄膜進行第二加熱處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二有機溶媒為碳數(shù)是3至5范圍內(nèi)的醇。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。5.—種半導體器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；對所述薄膜進行第一加熱處理；在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；對所述第一加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及對所述濕蝕刻之后的所述薄膜以高于所述第一加熱處理的溫度進行第二加熱處理。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體器件的制造方法，其中第二所述有機溶媒為碳數(shù)是3至5范圍內(nèi)的醇。7.根據(jù)權(quán)利要求5所迷的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。9.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；對所述薄膜以使所述薄膜固化的溫度且低于所述第一有機溶媒的沸點的溫度進行第一加熱處理；在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；對所述第一加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及對所述濕蝕刻之后的所述薄膜以高于所述笫一有機溶媒的沸點的溫度進行第二加熱處理。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中所述第一加熱處理在低于所述第一有機溶媒的沸點的溫度下進行以使完成所述濕蝕刻的時間周期為30秒或更長。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二有機溶媒為碳數(shù)為3至5范圍內(nèi)的醇。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中通過所迷濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。14.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；對所述薄膜進行第一加熱處理；在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；對形成所述掩模之后的所述薄膜進行第二加熱處理；對所述第二加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及對所述濕蝕刻之后的所述薄膜進行第三加熱處理。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二有機溶媒是碳數(shù)為3至5范圍內(nèi)的醇。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。18.—種半導體器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；對所述薄膜進行第一加熱處理；在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；對形成所述掩模之后的所述薄膜進行第二加熱處理；對所述第二加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及對所述濕蝕刻之后的所述薄膜以高于所述第二加熱處理的溫度進行第三加熱處理。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二有機溶媒是碳數(shù)為3至5范圍內(nèi)的醇。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。22.—種半導體器件的制造方法，包括如下工序使用在有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；對所述薄膜以使所述薄膜固化的溫度進行第一加熱處理；在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；對形成所述掩模之后的所述薄膜以高于所述第一加熱處理的溫度進行第二加熱處理；對所述第二加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及對所述濕蝕刻之后的所述薄膜以高于所述第一有機溶媒的沸點的溫度進行第三加熱處理，其中，所述第二加熱處理在低于所述第一有機溶媒的沸點的溫度下進行。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二加熱處理在低于所述第一有機溶媒的沸點的溫度下進行以使完成所述濕蝕刻的時間周期為30秒或更長。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二有機溶媒是碳數(shù)為3至5范圍內(nèi)的醇。25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。全文摘要本發(fā)明提供一種絕緣膜的制造方法，該絕緣膜可以使用非光感性的硅氧烷樹脂且通過濕蝕刻法形成為所希望的形狀。該制造方法包括以在有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液形成薄膜；對該薄膜進行第一加熱處理；在第一加熱處理之后的薄膜上形成掩模；使用有機溶媒進行濕蝕刻來加工第一加熱處理之后的薄膜的形狀，并且對被加工了的薄膜進行第二加熱處理。文檔編號H01L21/3105GK101256956SQ20081008108公開日2008年9月3日申請日期2008年2月26日優(yōu)先權(quán)日2007年2月26日發(fā)明者藤井照幸申請人:株式會社半導體能源研究所