專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)元件，特別是一種發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的發(fā)光二極管一般包括基座、發(fā)光芯片以及將發(fā)光芯片封裝至基座 內(nèi)的封裝體，上述發(fā)光二極管中，基座的側(cè)壁為一高反射性的斜面，以將發(fā) 光芯片發(fā)出的光線反射向封裝體的頂面，然而，由于封裝體的頂面一般為光 滑的平面，會(huì)有部分光線被全反射至封裝體的內(nèi)部而被吸收，降低了上述發(fā) 光二極管的出光率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種具較高出光率的發(fā)光二極管。 一種發(fā)光二極管，包括殼體、發(fā)光芯片陣列以及第一透光體，所述第一 透光體將所述發(fā)光芯片陣列封裝至所述殼體內(nèi)，所述第一透光體的上方設(shè)有 一第二透光體，第二透光體具有一入光面，該入光面上設(shè)有與發(fā)光芯片陣列 對(duì)應(yīng)的凹洞陣列。
上述發(fā)光二極管中，所述凹洞陣列的設(shè)置可減小射向第二透光體的光線 的入射角，從而可使更多的光線由凹洞陣列處射進(jìn)第二透光體內(nèi)，提高發(fā)光 二才及管的光取出率。
下面參照附圖，結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。


圖1為本發(fā)明發(fā)光二極管的一個(gè)較佳實(shí)施方式的軸向剖視圖。
圖2為圖1中發(fā)光二極管的分解示意圖。 圖3為圖2中第二透光體的軸向剖視圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖l及圖2，本發(fā)明的該實(shí)施例所示的發(fā)光二極管包括一殼體12、 一發(fā)光芯片陣列14、以及第一透光體16和第二透光體18。
所述殼體12為倒圓錐臺(tái)狀，其具有一圓形的橫截面，和大致呈倒梯形的 軸截面。所述殼體12的橫截面的直徑由殼體12的底部向頂部逐漸增加。所 述殼體12的側(cè)面具有較高的反射率，以將射向殼體12側(cè)面的光線反射向殼 體12的頂部。
所述發(fā)光芯片陣列14包括若干個(gè)發(fā)光二極管芯片。這些發(fā)光二極管芯片 設(shè)于殼體12的底部，與殼體12直接接觸，并通過(guò)金線143與殼體12的底部 電連接。
所述第一透光體16位于殼體12的底部，將所述發(fā)光二極管芯片固定至 殼體12上。本實(shí)施例中，第一透光體16為填充于殼體12底部?jī)?nèi)的封裝體， 該封裝體由填充于殼體12底部的環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等透光材料經(jīng)冷卻后形 成。該第一透光體16的軸截面呈倒梯形，其頂面為一平面，其側(cè)面與殼體 12的側(cè)面緊密接觸。
請(qǐng)一并參圖3，所述第二透光體18設(shè)于第一透光體16的上方而對(duì)應(yīng)設(shè) 置在殼體12的頂部。該第二透光體18大致呈倒圓錐臺(tái)狀，具有一平面狀的 入光面181，以及一軸截面為凸弧狀的出光面183。該入光面1814立于第二透 光體18的底端，且它的一部分與第一透光體16的頂面相"l妄觸，而該出光面 183則位于第二透光體18的頂端，與入光面181相對(duì)。該第二透光體18由 環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等透光材料制成，其折射率小于第一透光體16的折射率， 且大于空氣的折射率。并且，該第二透光體18的軟化溫度大于第一透光體 16的軟化溫度，該第二透光體18與第一透光體16之間是通過(guò)將第二透光體 18置于已填充有第一透光體16的殼體12內(nèi)，加熱溫度至第一透光體16的 軟化點(diǎn)以上，最后降溫使第二透光體18與第一透光體16緊密黏合在一起。
該第二透光體18的入光面181上設(shè)有一凹洞陣列185,該凹洞陣列185 包括若干個(gè)軸截面大致呈弧形的凹洞，上述發(fā)光二極管芯片位于凹洞的正下 方，與所述凹洞——7十應(yīng)。所述凹洞的壁部為凹凸不平的結(jié)構(gòu)， -使凹洞的壁 部形成為粗糙的表面，從而使更多的光線可由凹洞的壁部射進(jìn)第二透光體18 內(nèi)，提高發(fā)光二極管的光取出率。
本實(shí)施例所述的發(fā)光二極管中，凹洞的壁部為粗糙的表面，可使更多的光線較為發(fā)散地由凹洞的壁部射進(jìn)第二透光體18內(nèi)部，提高發(fā)光二極管的光
取出率，另外，通過(guò)軸截面為凸弧狀的出光面183，適當(dāng)會(huì)聚由第二透光體 18設(shè)出的光線，使得進(jìn)入第二透光體18的較為發(fā)散的光線可相對(duì)集中地由 第二透光體18射出，確保該發(fā)光二極管在具有較低炫光效果的同時(shí)，其發(fā)出 的光線可射向較遠(yuǎn)的距離。
另外，出光面183的凸弧狀設(shè)計(jì)可減小出光面183處大部分光線的入射 角，削弱了出光面183處的全反射現(xiàn)象，提高了發(fā)光二極管的光取出率。
進(jìn)一步地，該發(fā)光二極管中，通過(guò)在第一透光體16和空氣間設(shè)置折射率 介于第一透光體16和空氣的第二透光體18，削弱了光線由第一透光體16直 接射進(jìn)空氣時(shí)產(chǎn)生的全反射現(xiàn)象，進(jìn)一步提高了發(fā)光二極管的光取出率。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括殼體、發(fā)光芯片陣列以及第一透光體，所述第一透光體將所述發(fā)光芯片陣列封裝至所述殼體內(nèi)，其特征在于所述第一透光體的上方設(shè)有一第二透光體，第二透光體具有一入光面，該入光面上設(shè)有與發(fā)光芯片陣列對(duì)應(yīng)的凹洞陣列。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述凹洞陣列的各凹 洞與發(fā)光芯片陣列的各發(fā)光二極管芯片——對(duì)應(yīng)。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光芯片陣列的 各發(fā)光二極管芯片位于凹洞陣列的各凹洞的正下方。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述凹洞陣列的各凹 洞的軸截面為弧形。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述凹洞陣列的各凹 洞的壁部為粗糙的表面。
6. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第二透光體具有 一出光面，所述出光面的軸截面為凸弧狀。
7. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第二透光體的折 射率小于第一透光體的折射率，且大于空氣的折射率。
8. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第二透光體的入 光面位于第二透光體的底端，且與第一透光體的頂面相接觸。
9. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第二透光體的軟 化溫度大于第 一透光體的軟化溫度。
10. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述殼體為倒圓錐 臺(tái)狀，其具有一圓形的橫截面和倒梯形的軸截面。
11. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第一透光體設(shè) 在殼體的底部，所述第二透光體設(shè)在殼體的頂部。
12. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述第一透光體的 軸截面為倒梯形，其頂面為一平面，所述第二透光體的入光面位于第二透光 體的底端，該入光面為平面且與第一透光體的頂面結(jié)合，該第二透光體的頂 端形成一出光面，該出光面的軸截面呈凸弧狀。
全文摘要
一種發(fā)光二極管，包括殼體、發(fā)光芯片陣列以及第一透光體，所述第一透光體將所述發(fā)光芯片陣列封裝至所述殼體內(nèi)，所述第一透光體的上方設(shè)有一第二透光體，第二透光體具有一入光面，該入光面上設(shè)有與發(fā)光芯片陣列對(duì)應(yīng)的凹洞陣列。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101609831SQ20081006794
公開(kāi)日2009年12月23日 申請(qǐng)日期2008年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月20日
發(fā)明者張家壽 申請(qǐng)人:富準(zhǔn)精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻準(zhǔn)精密工業(yè)股份有限公司