專利名稱：源漏注入結(jié)構(gòu)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件源漏注入結(jié)構(gòu)的制備方法，包括源漏區(qū)和 輕摻雜漏區(qū)的形成。
背景技術(shù)：
在半導體芯片制造中， 一般光刻的次數(shù)決定了產(chǎn)品的成本。在傳統(tǒng)的
芯片制備工藝流程中，源漏注入?yún)^(qū)(SD Implanting)和輕摻雜漏區(qū)(LDD Light Dose Doping)注入分別通過兩次光刻來作為注入阻擋層。常見的 半導體器件注入結(jié)構(gòu)形成的方法流程，在多晶硅柵極形成之后，包括如下 步驟
1、 在硅片上淀積一層氧化硅襯墊層，用于在離子注入過程中保護硅 襯底上已經(jīng)形成的結(jié)構(gòu)；
2、 低劑量摻雜注入?yún)^(qū)光刻，后進行低劑量離子注入；
3、 形成多晶硅柵極側(cè)墻；
4、 源漏注入光刻，后進行源漏區(qū)離子注入。
后續(xù)還有例如去光刻膠和清洗等常規(guī)步驟。在上述的流程中可以看 出，需要用兩個光刻掩膜版，進行兩次光刻工藝作為注入阻擋層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種源漏注入結(jié)構(gòu)的制備方法，其能 通過減少光刻掩膜版和光刻次數(shù)，降低芯片生產(chǎn)成本。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的源漏注入結(jié)構(gòu)的制備方法，所述源漏
注入結(jié)構(gòu)包括源漏注入?yún)^(qū)和輕摻雜漏區(qū)，其特征在于，在硅襯底上形成所 述半導體器件的柵極之后，包括如下步驟
1) 在所述硅襯底表面上淀積一層氧化硅，作為離子注入時的保護層；
2) 在所述氧化硅上涂光刻膠，用低劑量離子注入?yún)^(qū)的光刻掩膜版曝光 顯影，曝出需進行低劑量離子注入的區(qū)域，以顯影后的光刻膠圖形為掩膜， 進行離子注入形成輕摻雜漏區(qū)；
3) 對硅片進行烘烤，使光刻膠圖形開口縮小至預定的數(shù)值范圍；
4) 利用開口尺寸縮小后的光刻膠圖形為掩膜，進行源漏離子注入，形 成源漏注入?yún)^(qū)；
5) 去除光刻膠并清洗。
本發(fā)明的源漏注入結(jié)構(gòu)的制備方法，僅需要一個光刻掩膜版進行一次 光刻，且在兩次注入之間通過縮小掩膜圖形的開口尺寸，省略了常規(guī)工藝 中側(cè)墻制備的流程(包括氧化硅的淀積和刻蝕)，大幅降低了制備的成本。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明
圖1為本發(fā)明的制備方法中多晶硅柵光刻顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明的制備方法中多晶硅柵刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明的制備方法中氧化硅襯墊層制備后的結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明的制備方法中LDD形成后的結(jié)構(gòu)示意圖5為本發(fā)明的制備方法中烘烤后的結(jié)構(gòu)示意圖6為本發(fā)明的制備方法中源漏注入后的結(jié)構(gòu)示意圖；'圖7為本發(fā)明的制備流程示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的半導體器件源漏注入的制備方法，其中源漏注入包括常規(guī)的 源漏區(qū)注入(重摻雜)和輕摻雜漏區(qū)注入(即LDD注入)。本發(fā)明的制備 方法主要基于一次光刻后，先進行低劑量摻雜區(qū)的注入，形成LDD區(qū)；而 后縮小光刻膠開口，使光刻膠開口縮小為預先設定的源漏摻雜區(qū)圖形的尺 寸；再進行源漏區(qū)的注入，形成源漏區(qū)；最后去膠清洗即可。
下面結(jié)合圖7具體描述實施的流程
1、 在多晶硅柵極淀積之后，進行多晶硅柵極的光刻(見圖l);
2、 刻蝕去除曝出的多晶硅，形成半導體器件的柵極(見圖2);
3、 接著淀積一層氧化硅襯墊層(liner oxide)，作為離子注入時的 保護層(見圖3);
4、 涂光刻膠，用低劑量摻雜注入?yún)^(qū)的光刻掩膜版曝光顯影，曝出需 進行低劑量摻雜注入的區(qū)域，低能量離子注入形成輕摻雜漏區(qū)(見圖4)， 此步驟中的注入離子能量和劑量與常規(guī)的工藝相同；
5、 縮小光刻膠的開口，使光刻膠開口縮小為預先設定的源漏摻雜區(qū) 圖形的尺寸。具體的實施方法為將形成光刻膠圖形后的硅片烘烤，利用
光刻膠受熱軟化，熱回流效應使光刻膠圖形的開口變小至預定的數(shù)值(見
圖5)。在此過程中，光刻膠開口的變化與所涂布的光刻膠的種類和厚度，
烘烤所設定的溫度和烘烤時間等工藝參數(shù)相關(guān)，具體使用中烘烤的溫度和
烘烤時間可通過試驗得到。所用的光刻膠可以是1-Line (I線光刻膠)也 可以是KrF光刻膠，其由酮類，醚類，垸烴類有機溶劑和感光交聯(lián)樹脂構(gòu)成，分子量在85000 150000之間，每次填涂劑量為1Z5ml 5ml，可涂布 1 3次，光刻膠層厚為1000A 10000A，烘烤溫度為6(TC 25(TC，烘烤 時間為10s 120s。烘烤前線寬(即光刻膠開口)為0.2 1.0um，烘烤后 線寬為0. 1 0. 8um。
6、 以步驟五中開口縮小的圖形為掩膜，進行源漏離子注入，形成源 漏注入?yún)^(qū)(見圖6)。注入工藝中的注入離子的類型、劑量、注入能量等 與常規(guī)工藝相同。
7、 最后，去除光刻膠并清洗。
權(quán)利要求
1、一種源漏注入結(jié)構(gòu)的制備方法，所述源漏注入結(jié)構(gòu)包括源漏注入?yún)^(qū)和輕摻雜漏區(qū)，其特征在于，在硅襯底上形成所述半導體器件的柵極之后，包括如下步驟1)在所述硅襯底表面上淀積一層氧化硅，作為離子注入時的保護層；2)在所述氧化硅上涂光刻膠，用低劑量離子注入?yún)^(qū)的光刻掩膜版曝光顯影，曝出需進行低劑量離子注入的區(qū)域，以顯影后的光刻膠圖形為掩膜，進行離子注入形成輕摻雜漏區(qū)；3)對硅片進行烘烤，使光刻膠圖形開口縮小至預定的數(shù)值范圍；4)利用開口尺寸縮小后的光刻膠圖形為掩膜，進行源漏離子注入，形成源漏注入?yún)^(qū)；5)去除光刻膠并清洗。
2、 按照權(quán)利要求l所述的制備方法，其特征在于，所述步驟三中烘烤 的溫度范圍為6(TC 25(TC，烘烤時間為10s 120s。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導體器件中源漏注入結(jié)構(gòu)的制備方法，其通過先一次光刻顯影后的光刻膠圖形為掩膜進行輕摻雜漏注入，而后縮小掩膜圖形的開口，再以縮小后的掩膜圖形進行源漏注入，形成源漏注入?yún)^(qū)。利用本發(fā)明的制備方法，只需一次光刻顯影，且省略了側(cè)墻工藝，可廣泛用于半導體器件制備中。
文檔編號H01L21/336GK101661887SQ20081004373
公開日2010年3月3日 申請日期2008年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月25日
發(fā)明者駿 朱, 陳福成 申請人:上海華虹Nec電子有限公司