專利名稱：一種可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及絕緣介質(zhì)制造工藝，尤其涉及一種可提高器件良率的絕緣介質(zhì) 制造方法。
背景技術(shù)：
氮化硅廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，其不僅用于充當(dāng)絕緣介質(zhì)層，還用 量會對半導(dǎo)體器件的質(zhì)量有著重要的影響。現(xiàn)在多采用產(chǎn)量高和反應(yīng)溫度低的
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝來制造氮化硅，為確保氮化硅的質(zhì)量， 現(xiàn)在PECVD設(shè)備中完成預(yù)設(shè)數(shù)量(例如在具有四個反應(yīng)腔的PECVD設(shè)備中，該 預(yù)設(shè)數(shù)量為12片)晶圓的氮化硅沉積后，會采用等離子體清洗工藝來清洗反應(yīng) 腔，等離子體清洗工藝通常采用氟化氮和氬氣作為反應(yīng)氣體，其流量分別為2000 和1000標(biāo)況毫升每分(sccm)。但是，通過上述等離子體清洗工藝清洗后的反 應(yīng)腔中還殘留有直徑小于0. 16微米的顆粒，該些顆粒會在氮化硅上形成直徑約 為O. 5微米的缺陷，該缺陷會影響器件的良率和可靠性。
因此，如何提供一種可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法以避免等離子體 清洗工藝清洗后反應(yīng)腔中的小直徑顆粒在絕緣介質(zhì)上形成缺陷，并有效提高器 件的良率和可靠性，已成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，通過所 述制造方法可避免完成等離子體清洗工藝后反應(yīng)腔中的小直徑顆粒在絕緣介質(zhì) 上形成缺陷，并可大大提高絕緣介質(zhì)的質(zhì)量和器件的良率及成品率。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的 一種可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其在一具有反應(yīng)腔的化學(xué)氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行，該方法包括以下步驟a、將晶 圓設(shè)置在反應(yīng)腔中沉積該絕緣介質(zhì)；b、判斷化學(xué)氣相沉積設(shè)備是否滿足清洗條 件，若是則繼續(xù)步驟c，若否則返回步驟a; c、進(jìn)行等離子體清洗工藝清洗該 反應(yīng)腔；d、對該反應(yīng)腔進(jìn)行惰性氣體吹掃工藝，接著返回步驟a。
在上述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法中，在步驟d中，該惰性氣 體吹掃工藝的惰性氣體流量為5000至8000標(biāo)況毫升每分，吹掃時間為15至30 秒。
在上述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法中，該惰性氣體為氮氣或氬
氣
在上述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法中，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備為
具有四個反應(yīng)腔的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
在上述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法中，在步驟b中，該清洗條
件為化學(xué)氣相沉積設(shè)備在清洗后沉積晶圓的數(shù)量超過預(yù)設(shè)數(shù)量。
在上述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法中，該預(yù)設(shè)數(shù)量為12片。 在上述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法中，該絕緣介質(zhì)為氮化硅。 在上述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法中，在步驟a中，沉積氮化
硅的沉積溫度為400攝氏度，壓力范圍為500帕斯卡，微波功率為1000瓦。 在上述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法中，在步驟c中，該等離子
體清洗工藝的清洗氣體包括氟化氮和氬氣，其流量分別為2000和1000標(biāo)況毫
升每分。
與現(xiàn)有技術(shù)中在化學(xué)氣相沉積設(shè)備中沉積預(yù)設(shè)數(shù)量的晶圓后僅通過等離子 體清洗工藝清洗反應(yīng)腔，無法去除反應(yīng)腔中較小直徑的顆粒而使該顆粒在絕緣 介質(zhì)中形成缺陷，該缺陷會影響器件的良率和可靠性相比，本發(fā)明的可提高器 件良率的絕緣介質(zhì)制造方法在通過等離子體清洗反應(yīng)腔后還進(jìn)行惰性氣體吹掃 工藝，可將反應(yīng)腔中較小直徑的顆粒吹出反應(yīng)腔且排至外界，從而避免了該較 小直徑的顆粒在絕緣介質(zhì)中形成缺陷，同時可大大提高器件的良率和可靠性。


本發(fā)明的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法由以下的實施例及附圖給出。
圖1為本發(fā)明的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法的流程圖。
具體實施例方式
以下將對本發(fā)明的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
本發(fā)明的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其在一具有反應(yīng)腔的化學(xué) 氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行。在本實施例中，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備為具有四個反應(yīng) 腔的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
參見圖1,本發(fā)明的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法先進(jìn)行步驟SIO,
將晶圓設(shè)置在反應(yīng)腔中沉積所述絕緣介質(zhì)。在本實施例中，所述絕緣介質(zhì)為氮
化硅，沉積氮化硅的沉積溫度為400攝氏度，壓力范圍為500帕斯卡，微波功 率為1000瓦。
接著繼續(xù)步驟Sll，判斷化學(xué)氣相沉積設(shè)備是否滿足清洗條件，若是則繼續(xù) 步驟S12，若否則返回步驟SIO。在本實施例中，所述清洗條件為化學(xué)氣相沉積 設(shè)備在清洗后沉積晶圓的數(shù)量超過預(yù)設(shè)數(shù)量，所述預(yù)設(shè)數(shù)量為12片。
在步驟S12中，進(jìn)行等離子體清洗工藝清洗所述反應(yīng)腔。在本實施例中， 所述等離子體清洗工藝的清洗氣體包括氟化氮和氬氣，其流量分別為2000和 IOOO標(biāo)況毫升每分。
接著繼續(xù)步驟S13，對所述反應(yīng)腔進(jìn)行惰性氣體吹掃工藝，然后返回步驟 SIO，其中，所述惰性氣體吹掃工藝的惰性氣體流量為5000至8000標(biāo)況毫升每 分，吹掃時間為15至30秒，所述惰性氣體為氮氣或氬氣。在本實施例中，吹 掃氣體為氮氣，吹掃氮氣流量為6000標(biāo)況毫升每分，吹掃時間為20秒。
對經(jīng)過步驟S13處理的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備反應(yīng)腔進(jìn)行檢測，發(fā) 現(xiàn)反應(yīng)腔里小直徑的顆粒數(shù)量已大大減小，相應(yīng)地所述小直徑的顆粒在氮化硅 上所形成的缺陷數(shù)量也大大減小。
綜上所述，本發(fā)明的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法在通過等離子體 清洗反應(yīng)腔后還進(jìn)行惰性氣體吹掃工藝，可將反應(yīng)腔中較小直徑的顆粒吹出反 應(yīng)腔且排至外界，從而避免了所述較小直徑的顆粒在絕緣介質(zhì)上形成缺陷，同
5時可大大提高器件的良率和可靠性,
權(quán)利要求
1、一種可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其在一具有反應(yīng)腔的化學(xué)氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行，該方法包括以下步驟a、將晶圓設(shè)置在反應(yīng)腔中沉積該絕緣介質(zhì)；b、判斷化學(xué)氣相沉積設(shè)備是否滿足清洗條件，若是則繼續(xù)步驟c，若否則返回步驟a；c、進(jìn)行等離子體清洗工藝清洗該反應(yīng)腔；其特征在于，該方法還包括以下步驟d、對該反應(yīng)腔進(jìn)行惰性氣體吹掃工藝，接著返回步驟a。
2、 如權(quán)利要求1所述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其特征在于， 在步驟d中，該惰性氣體吹掃工藝的惰性氣體流量為5000至8000標(biāo)況毫升每 分，吹掃時間為15至30秒。
3、 如權(quán)利要求1所述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其特征在于， 該惰性氣體為氮氣或氬氣。
4、 如權(quán)利要求1所述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其特征在于， 該化學(xué)氣相沉積設(shè)備為具有四個反應(yīng)腔的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
5、 如權(quán)利要求1所述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其特征在于， 在步驟b中，該清洗條件為化學(xué)氣相沉積設(shè)備在清洗后沉積晶圓的數(shù)量超過預(yù) 設(shè)數(shù)量。
6、 如權(quán)利要求5所述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其特征在于， 該預(yù)設(shè)數(shù)量為12片。
7、 如權(quán)利要求1所述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其特征在于， 該絕緣介質(zhì)為氮化硅。
8、 如權(quán)利要求7所述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其特征在于， 在步驟a中，沉積氮化硅的沉積溫度為400攝氏度，壓力范圍為500帕斯卡， 微波功率為1000瓦。
9、 如權(quán)利要求1所述的可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其特征在于， 在步驟c中，該等離子體清洗工藝的清洗氣體包括氟化氮和氬氣，其流量分別 為2000和1000標(biāo)況毫升每分。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可提高器件良率的絕緣介質(zhì)制造方法，其在一具有反應(yīng)腔的化學(xué)氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行?，F(xiàn)有技術(shù)中在化學(xué)氣相沉積設(shè)備中沉積預(yù)設(shè)數(shù)量的晶圓后僅通過等離子體清洗工藝清洗反應(yīng)腔，無法去除反應(yīng)腔中較小直徑的顆粒而使該顆粒在絕緣介質(zhì)中形成缺陷，該缺陷會影響器件的良率和可靠性。本發(fā)明首先將晶圓設(shè)置在反應(yīng)腔中沉積絕緣介質(zhì)；接著判斷化學(xué)氣相沉積設(shè)備是否滿足清洗條件，并在否時繼續(xù)在反應(yīng)腔中沉積氮化硅，而在是時進(jìn)行等離子體清洗工藝清洗該反應(yīng)腔；最后對該反應(yīng)腔進(jìn)行惰性氣體吹掃工藝，之后又可在反應(yīng)腔中沉積絕緣介質(zhì)。本發(fā)明可避免絕緣介質(zhì)中出現(xiàn)因反應(yīng)腔中小直徑顆粒所引起的缺陷，并可大大提高器件的良率和可靠性。
文檔編號H01L21/02GK101483139SQ20081003234
公開日2009年7月15日 申請日期2008年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月7日
發(fā)明者張文鋒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司