專利名稱：陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法，尤其涉及一種適用于減少畫面 閃爍的陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)，在顯示器領(lǐng)域中，傳統(tǒng)映像管顯示器因體積龐大 且較笨重而逐漸被輕薄短小化的液晶顯示器取代。在液晶顯示器中，薄膜晶
體管液晶顯示器(TFT-LCD)是最受矚目的類型。
在TFT-LCD中，液晶的反應(yīng)速率問題始終為研究的方向之一。在液晶 顯示器中，液晶的各個像素串聯(lián)一個薄膜晶體管的開關(guān)元件，在一定時間內(nèi) 將液晶像素所需要的電荷輸入后，將保持至下一次掃描時電荷重新輸入。一 般液晶的電容不大，要在下一次掃描時電荷重新輸入前保持原先輸入的電荷 不流失，單靠液晶電容是無法保存的，所以需并聯(lián)一個儲存電容結(jié)構(gòu)來增加 電容量，以保持電壓。 一般儲存電容的設(shè)計(jì)為儲存電容在柵極(Csongate)或 儲存電容在公共電極(Cs on common)。
然而，上述儲存電容線與柵極電極線平行配置的方式會造成數(shù)據(jù)線對儲 存電容線產(chǎn)生串?dāng)_效應(yīng)(cross talk),因此，現(xiàn)有技術(shù)存在以儲存電容線平行 數(shù)據(jù)線的配置方式來改善此現(xiàn)象。如圖1所示，像素10均以兩條相鄰的數(shù) 據(jù)線11以及兩條相鄰的掃描線12環(huán)繞，且具有薄膜晶體管13作為開關(guān)元 件，在該開關(guān)元件附近則有數(shù)據(jù)線11與掃描線12交錯。儲存電容線14配 置平行于數(shù)據(jù)線ll，用以形成儲存電容，且可連接每個像素10中的儲存電 容。像素電極15橫跨兩條數(shù)據(jù)線11及兩條掃描線12。然而，在這種儲存電 容線平行于數(shù)據(jù)線11的液晶顯示面板中，當(dāng)像素電極15橫跨于兩條掃描線 12時，在薄膜晶體管13關(guān)閉的瞬間，掃描線12會通過寄生電容對像素電極 15產(chǎn)生一個回踢電壓(Kickback Voltage)AVp，其表示式如下
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其中，Vgh為柵極開啟時的電壓，Vgl為柵極關(guān)閉時的電壓，Clc為液晶 電容，Ccs為儲存電容，Cgd為寄生電容。寄生電容越大則回踢電壓AVp會 越大，該回踢電壓會使像素電極作極性變換時，因正負(fù)極的壓差不一致，進(jìn) 而形成畫面閃爍(flicker)。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，其包括 一基板、 一柵極 金屬層、 一柵極絕緣層、 一半導(dǎo)體層、 一圖案化的金屬層、 一平坦層以及一 像素電極。柵極金屬層可配置于基板表面，并且可作為一柵極與一掃描線。 柵極絕緣層可配置于基板上，并覆蓋柵極金屬層。半導(dǎo)體層可配置于對應(yīng)于 柵極上方的柵極絕緣層表面。圖案化的金屬層可配置于半導(dǎo)體層表面與柵極 絕緣層表面，包括半導(dǎo)體層表面的一源極及一漏極，以及柵極絕緣層表面的 一儲存電容線以及一數(shù)據(jù)線，其中儲存電容線與數(shù)據(jù)線平行，并且儲存電容 線具有一延伸部平行于掃描線。平坦層可覆蓋于基板上。像素電極可配置于 平坦層表面而與漏極電性連接，且重疊掃描線的一部分、數(shù)據(jù)線的一部分、 儲存電容線的一部分，以及延伸部的一部分。
本發(fā)明陣列基板可包括一歐姆接觸層，其對應(yīng)于柵極的兩側(cè)，且配置于 半導(dǎo)體層及圖案化的金屬層之間。在本發(fā)明中，歐姆接觸層的材料可為N"-Si。
本發(fā)明的陣列基板可包括一保護(hù)層，其配置于柵極絕緣層及圖案化的金
本發(fā)明的陣列基板中，像素電極可以完全覆蓋該儲存電容線。前述儲存 電容線的延伸部可與像素電極側(cè)邊切齊或者是與像素電極交錯重疊。
本發(fā)明的陣列基板中，該像素電極為氧化銦錫電極或氧化銦鋅電極。 本發(fā)明的陣列基板中，該歐姆接觸層與該金屬層之間包括一透明電極 層，且該透明電極層與該像素電極連接。
本發(fā)明的陣列基板中，該透明電極層為氧化銦錫或氧化銦鋅。 本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，其步驟包括提供一基板；在 該基板上形成一柵極金屬層，且柵極金屬層可作為一柵極與一掃描線；在基
板上形成一柵極絕緣層，以覆蓋柵極金屬層；在柵極絕緣層表面形成一半導(dǎo) 體層，對應(yīng)于柵極的上方；在半導(dǎo)體層及柵極絕緣層表面形成一圖案化的金 屬層，包括在半導(dǎo)體層表面彼此分離的一源極及一漏極，以及在該柵極絕緣 層上的一儲存電容線以及一數(shù)據(jù)線，此儲存電容線可與數(shù)據(jù)線平行，并且該 儲存電容線具有一延伸部平行該掃描線；在基板上形成一圖案化的平坦層， 以覆蓋該圖案化的金屬層、柵極絕緣層及半導(dǎo)體層；以及在平坦層表面形成 一像素電極，重疊該掃描線的一部分、該數(shù)據(jù)線的一部分、該儲存電容線的 一部分以及該延伸部的一部分，且該像素電極與該漏極電性連接。
本發(fā)明的陣列基板的制造方法中，可包括在該半導(dǎo)體層表面形成一歐姆 接觸層，其對應(yīng)柵極的兩側(cè)且配置于該半導(dǎo)體層與該圖案化的金屬層之間。
本發(fā)明的陣列基板的制造方法中，可包括在該圖案化的金屬層及該柵極 絕緣層表面形成一保護(hù)層。
本發(fā)明的陣列基板的制造方法中，像素電極可以完全覆蓋該儲存電容 線。儲存電容線的延伸部可與像素電極側(cè)邊切齊，即不超過像素電極外側(cè)。
上述本發(fā)明在儲存電容線的延伸部可與像素電極交錯重疊，其原因在于 當(dāng)像素電極進(jìn)行曝光時，像素電極的偏移可能會造成電容的變異，若將變異 的區(qū)域局限于此，則變異量就相對減小，增加穩(wěn)定性。
在本發(fā)明的陣列基板及其制造方法中，儲存電容線主要為導(dǎo)電材料，優(yōu) 選為金屬電極線。像素電極可為透明電極，該透明電極主要是能夠讓背光穿 透及接收信號以控制液晶透光，因此，只要是能夠透光及導(dǎo)電的材料均可使 用，優(yōu)選為氧化銦錫(ITO)電極或氧化銦鋅(IZO)電極。
本發(fā)明的陣列基板及其制造方法中，其柵極、源極以及漏極為一薄膜晶 體管元件，其主要作為開關(guān)元件，其中源極以及漏極為同時制造而成。當(dāng)在 柵極施加很大的電壓時，半導(dǎo)體層會感應(yīng)出電荷，使得薄膜晶體管在斷路的 情況下開啟，此時在漏極上加上一小電壓，則會吸引更多電子進(jìn)入溝道中， 而在源極產(chǎn)生的電子將導(dǎo)通由源極流向漏極(對應(yīng)的電流則由漏極流到源 極)，若柵極外加上負(fù)電壓則相反，此即為該薄膜晶體管作為開關(guān)元件的用途， 其中，半導(dǎo)體層優(yōu)選可以使用非晶硅材料。
本發(fā)明的陣列基板及其制造方法中，歐姆接觸層及金屬層之間可包括一 透明電極層，且該透明電極層與像素電極連接。該透明電極層可為氧化銦錫
或氧化銦鋅。
在本發(fā)明的陣列基板及其制造方法中，平坦層使用的材料可為有機(jī)材 料、無機(jī)材料或者是多層結(jié)構(gòu)所組成，只要其厚度足夠產(chǎn)生平坦化的效果即
可。此平坦層的厚度可介于約25000A至35000A(angstrom)。
因此，本發(fā)明采用的儲存電容線將延伸至像素電極及掃描線重疊的區(qū) 域，用以遮蔽部分寄生電容，使得薄膜晶體管關(guān)閉的瞬間，減少了對像素電 極產(chǎn)生的回踢電壓，解決了公知技術(shù)中，同一灰階畫面下，像素電極作極性 變換時，因正負(fù)極性的壓差不一致，而形成畫面閃爍的現(xiàn)象。


圖1為公知的液晶顯示面板像素俯視圖。
圖2為本發(fā)明陣列基板實(shí)施例的像素俯視圖。
圖3A至圖3G為根據(jù)本發(fā)明示出陣列基板像素沿著圖2所示AA'線的 剖視圖。
圖4A至圖4F為根據(jù)本發(fā)明示出陣列基板像素沿著圖2所示BB'線的剖 視圖。
圖5為本發(fā)明陣列基板像素的局部放大俯視圖。
圖6A至圖6C為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例示出沿著圖2所示AA'線的另一 陣列基板像素的剖視圖。
圖7A為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例示出沿著圖2所示AA'線的另一陣列基 板像素的剖視圖。
圖7B為沿著圖2所示BB'線的剖視圖。
圖8為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例示出沿著圖2所示AA'線的另一陣列基板 像素的剖視圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下
10像素11數(shù)據(jù)線
12掃描線13, 30薄膜晶體管
14儲存電容線15像素電極
20玻璃基板21柵極金屬層
21a柵極22柵極絕緣層
23半導(dǎo)體層24， 24a, 24b歐姆接觸層
25， 25a， 25b透明電極層26a， 26b, 26c金屬層
26a源極26b漏極
27保護(hù)層28平坦層
28a第一接觸窗28b第二接觸窗
29像素電極31儲存電容線
32掃描線33數(shù)據(jù)線
具體實(shí)施例方式
以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員 可由本說明書所揭示的內(nèi)容了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明也可通過 其它不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不 同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。
第一實(shí)施例
圖2為根據(jù)本發(fā)明陣列基板第一實(shí)施例所制作的陣列基板局部俯視圖。 本發(fā)明的陣列基板包括像素電極29、薄膜晶體管30以及儲存電容線31，而 像素電極29配置于由相鄰的兩條掃描線32與相鄰的兩條數(shù)據(jù)線33所組成 的像素的上方；薄膜晶體管30則包括源極26a、漏極26b與柵極21a且分別 連接于數(shù)據(jù)線33、像素電極29與掃描線32。另外儲存電容線31則配置于 與數(shù)據(jù)線33平行，并且該儲存電容線31具有一延伸部在掃描線32及像素 電極29之間，也即該延伸部平行掃描線32，其中，儲存電容線31與數(shù)據(jù)線 33經(jīng)由圖案化同時形成。
更進(jìn)一步地說明本實(shí)施例，如圖3A至圖3G所示，為圖2的AA'線的 制造流程剖視圖。如圖4A至圖4F所示，為圖2的BB'線的制造流程剖視圖。
請對照圖3A及圖4A，其提供一玻璃基板20，并且于玻璃基板20的表 面經(jīng)由光刻以及蝕刻而形成一柵極金屬層21，此柵極金屬層21可形成一薄 膜晶體管30中的柵極21a以及形成一掃描線32，如圖4A所示。而如圖2 所示，薄膜晶體管30主要作為開關(guān)元件用。
如圖3B及圖4B所示，在具有柵極金屬層21的玻璃基板20表面形成柵 極絕緣層22，如圖3B所示，再依序沉積并且圖案化而在對應(yīng)于柵極21a處形成半導(dǎo)體層23以及歐姆接觸層24。
接著，如圖3C所示，經(jīng)由圖案化形成一透明電極層25，此透明電極層 的材料可以為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，在本例中使用ITO僅是舉例 但不以此為限，以及再于該結(jié)構(gòu)表面形成一圖案化金屬層26a、 26b、 26c， 而形成如圖3C及圖4C的結(jié)果，其中圖案化金屬層26a、 26b對應(yīng)于柵極21a 處，彼此相隔一間距，金屬層26a、 26b分別形成一源極26a以及一漏極26b， 其中，源極26a連接如圖2所示的數(shù)據(jù)線33，漏極26b則連接如圖2所示的 像素電極29，且在柵極絕緣層22表面也具有該圖案化金屬層26c，其可作 為如圖2所示的一儲存電容線31以及一數(shù)據(jù)線33，同時，所形成的儲存電 容線31的金屬層26c延伸至掃描線32的上方，其作為儲存電容線31的一 延伸部。
如圖3D所示，圖案化源極26a以及漏極26b的間距所露出的透明電極 層25并且蝕刻此歐姆接觸層24，其中，圖3D中的透明電極層25a、 25b可 用來作為連接通道之用，而歐姆接觸層24a、 24b則主要用來作為一接口層， 其可提高源極26a以及漏極26b的附著性以及導(dǎo)電性。
如圖3E及圖4D所示，接著在該結(jié)構(gòu)表面形成一保護(hù)層27，并且圖案 化此保護(hù)層27，以顯露出如圖3E所示的部分的透明電極層25b。此保護(hù)層 27可用以保護(hù)半導(dǎo)體層23。
如圖3F所示，再在該結(jié)構(gòu)表面形成一平坦層28，且將其圖案化而于前 述所顯露出部分透明電極層25b處形成一第一接觸窗28a以及在對應(yīng)于部分 儲存電容線31處(如圖2所示)形成一第二接觸窗28b。其中本實(shí)施例中的平 坦層28不限使用任何材料，例如有機(jī)材料、無機(jī)材料或多層結(jié)構(gòu)所組成， 只要厚度夠厚，可以產(chǎn)生平坦化效果的材料均可使用。而在本實(shí)施例中平坦 層28的厚度約為25000A至35000A。在此，圖案化平坦層28后所形成的第 一接觸窗28a對應(yīng)于所顯露出的透明電極層25b，主要用以使漏極26b與接 下來所制造的像素電極29連接。第二接觸窗28b主要用以作為儲存電容器 的形成，同時，如圖4E所示，對應(yīng)于BB'線的掃描線32上方也具有平坦層 28。
最后，如圖3G及圖4F所示，再于上述結(jié)構(gòu)的表面形成一像素電極29， 其中像素電極29為一透明電極且使用的材料可為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，此處僅是舉例，但不限于此，如圖2所示，此像素電極29會覆蓋部 分掃描線32以及部分?jǐn)?shù)據(jù)線33。此時的像素電極29沉積于所顯露的透明電 極層25b上(即第一接觸窗28a)，而可與漏極26b導(dǎo)通，另外，在第二接觸窗 28b的部分具有金屬層26c、保護(hù)層27以及像素電極29而可以形成一電容 器，以儲存電容，且金屬層26c自平行于數(shù)據(jù)線33延伸至介于掃描線32以 及像素電極29之間，最后，完成本發(fā)明的陣列基板。
另外，當(dāng)在柵極21a施加很大的電壓時，半導(dǎo)體層23會感應(yīng)出電荷， 使得薄膜晶體管在斷路的情況下開啟，此時在漏極26b上加上一小電壓，則 會吸引更多電子進(jìn)入溝道中，而在源極26a產(chǎn)生的電子將導(dǎo)通由源極26a流 向漏極26b(對應(yīng)的電流則由漏極26b流到源極26a)，若柵極21a外加上負(fù)電 壓則相反，此即為該薄膜晶體管作為開關(guān)元件的用途，其中，半導(dǎo)體層23 優(yōu)選可以使用非晶硅材料。半導(dǎo)體層23可為一非晶硅層，歐姆接觸層24的 材料可為W-Si，此處僅是舉例，但本發(fā)明不限于此，也可依實(shí)際需求調(diào)整。
第二實(shí)施例
圖5為本發(fā)明陣列基板第二實(shí)施例的局部放大俯視圖，其制造步驟與第 一實(shí)施例相同，但第一實(shí)施例所制造的儲存電容線31于掃描線32 —側(cè)不超 出像素電極29;本實(shí)施例則在制作金屬層26a、 26b和26c時，如圖3C所示， 此儲存電容線31的延伸部會形成如圖5中C區(qū)域所示的凹槽形狀，且與像 素電極29交錯重疊，其余步驟均與第一實(shí)施例相同。形成此凹槽形狀且與 像素電極29交錯重疊的原因在于制造陣列基板時，由于層與層之間會有對 位誤差的現(xiàn)象產(chǎn)生，當(dāng)像素電極29(如即ITO電極)曝光時，此像素電極不管 是向上或向下位移會造成電容的變異，因此可將變異的區(qū)域局限于此，變異 量就會因此減小，也即讓曝光的影響變小，而完成本實(shí)施例的陣列基板。換 言之，由于當(dāng)像素電極進(jìn)行曝光時，像素電極的偏移可能會造成電容的變異， 若將變異的區(qū)域局限于此，則變異量就相對減小，可增加穩(wěn)定性。
第三實(shí)施例
請參考圖6A至圖6C，其為本發(fā)明陣列基板第三實(shí)施例的制造方法，此 制造方法可與第一實(shí)施例相同，但不同的是本實(shí)施例不包括如圖3C所示的 透明電極層25，而形成如圖6A所示的剖視圖。
接著，如圖6B所示，蝕刻此歐姆接觸層24。接下來的步驟則與第一實(shí)
施例相同。最后可形成如圖6C所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)。其中，此時像素電
極29與金屬層26b接觸。 第四實(shí)施例
請參考圖7A及圖7B，其中圖7A為沿用圖2的AA'線的剖視圖，如圖 7B所示為沿用圖2的BB'線的剖視圖。本發(fā)明可另外提供一種陣列基板的制 造方法，其制造方法與第一實(shí)施例相同，但不同的是本實(shí)施例不形成如圖3E 所示的保護(hù)層27，其余步驟則與第一實(shí)施例相同。在本實(shí)施例中的第二接觸 窗28b用半色調(diào)曝光工藝(halftone)以形成凹洞，但平坦層28仍蓋住金屬層 26c。最后，可完成如圖7A及圖7B所示的陣列基板。
第五實(shí)施例
請參考圖8，本發(fā)明可另外提供一種陣列基板的制造方法，其制造方法 可與第三實(shí)施例相同，但不同的是本實(shí)施例不包括如圖6C所示的保護(hù)層27。 在本實(shí)施例中的第二接觸窗28b用半色調(diào)曝光工藝(halftone)以形成凹洞，但 平坦層28仍蓋住金屬層26c。此外，本實(shí)施例在沿用圖2中的BB，線的部分， 其剖視圖則可如第四實(shí)施例中的圖7B所示。最后可完成如圖8所示的陣列 基板。
因此，通過本發(fā)明使用儲存電容線平行數(shù)據(jù)線，同時使得此儲存電容線 具有一延伸部對應(yīng)于掃描線的上方及像素電極的下方的陣列基板，也即此延 伸部平行掃描線，不但降低了寄生電容對于像素電極所產(chǎn)生的回踢電壓，而 且降低所顯示的畫面的閃爍的情形。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域 的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)當(dāng)可作各種更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)視后附權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，其包括一基板；一柵極金屬層，配置于該基板表面，并且作為一柵極與一掃描線；一柵極絕緣層，配置于該基板上，并覆蓋該柵極金屬層；一半導(dǎo)體層，配置于對應(yīng)于該柵極上方的該柵極絕緣層表面；一圖案化的金屬層，配置于該半導(dǎo)體層表面及該柵極絕緣層表面，包括該半導(dǎo)體層表面的一源極及一漏極，以及該柵極絕緣層表面的一儲存電容線以及一數(shù)據(jù)線，其中該儲存電容線與該數(shù)據(jù)線平行，且該儲存電容線具有一延伸部平行于該掃描線；一平坦層，覆蓋于該基板上；以及一像素電極，配置于該平坦層表面，該像素電極與該漏極電性連接，且重疊于該掃描線的一部分、該數(shù)據(jù)線的一部分、該儲存電容線的一部分以及該延伸部的一部分。
2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括一歐姆接觸層，其對應(yīng)于該柵 極的兩側(cè)，且配置于該半導(dǎo)體層及該圖案化的金屬層之間。
3. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中該歐姆接觸層的材料包含N+-Si。
4. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括一保護(hù)層，其配置于該柵極絕 緣層及該圖案化的金屬層表面。
5. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該像素電極完全覆蓋該儲存電容線。
6. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該儲存電容線的延伸部與該像素 電極側(cè)邊切齊。
7. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該儲存電容線的延伸部與該像素 電極交錯重疊。
8. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該像素電極為氧化銦錫電極或氧 化銦鋅電極。
9. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中該歐姆接觸層與該金屬層之間包 括一透明電極層，且該透明電極層與該像素電極連接。
10. 如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中該透明電極層為氧化銦錫或氧化銦鋅。
11. 一種陣列基板的制造方法，其包括下列步驟 提供一基板；在該基板上形成一柵極金屬層，且該柵極金屬層作為一柵極與一掃描線；在該基板上形成一柵極絕緣層，以覆蓋該柵極金屬層；在該柵極絕緣層表面形成一半導(dǎo)體層，對應(yīng)于該柵極的上方；在該半導(dǎo)體層與該柵極絕緣層表面形成一圖案化的金屬層，包括在該半導(dǎo)體層表面的彼此分離的一源極及一漏極，以及在該柵極絕緣層的一儲存電容線以及一數(shù)據(jù)線，該儲存電容線與該數(shù)據(jù)線平行，并且該儲存電容線具有 一延伸部平行該掃描線；在該基板上形成一圖案化的平坦層，以覆蓋該圖案化的金屬層、該柵極 絕緣層及該半導(dǎo)體層；以及在該平坦層表面形成一像素電極，重疊該掃描線的一部分、該數(shù)據(jù)線的 一部分、該儲存電容線的一部分以及該延伸部的一部分，且該像素電極與該 漏極電性連接。
12. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，還包括形成一奧姆接觸 層，其對應(yīng)于柵極的兩側(cè)且配置于該半導(dǎo)體層及該圖案化的金屬層之間。
13. 如權(quán)利要求ll所述的陣列基板的制造方法，還包括形成一保護(hù)層， 配置于該柵極絕緣層及該圖案化的金屬層的表面。
14. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其中該像素電極完全覆 蓋該儲存電容線。
15. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其中該儲存電容線的延 伸部與該像素電極側(cè)邊切齊。
16. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其中該儲存電容線的延 伸部與該像素電極交錯重疊。
17. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其中該像素電極為氧化 銦錫電極或氧化銦鋅電極。
18. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其中該半導(dǎo)體層包含一 非晶桂層。
19. 如權(quán)利要求12所述的陣列基板的制造方法，還包括在該歐姆接觸層 及該金屬層之間形成一透明電極層，且該透明電極層與該像素電極連接。
20. 如權(quán)利要求19所述的陣列基板的制造方法，其中該透明電極層為氧化銦錫或氧化銦鋅。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法，該陣列基板包括一像素電極、一薄膜晶體管以及一儲存電容線。像素電極配置于由一掃描線與一數(shù)據(jù)線所組成的像素的上方。薄膜晶體管包括源極、漏極與柵極，且分別連接于數(shù)據(jù)線、像素電極及掃描線。儲存電容線配置于與數(shù)據(jù)線平行，并且具有一延伸部與掃描線平行，其中儲存電容線與數(shù)據(jù)線經(jīng)由圖案化同時形成。本發(fā)明的陣列基板及其制造方法中采用的儲存電容線將延伸至像素電極及掃描線重疊的區(qū)域，用以遮蔽部分寄生電容，使得薄膜晶體管關(guān)閉的瞬間，減少了對像素電極產(chǎn)生的回踢電壓，并解決了同一灰階畫面下，像素電極作極性變換時，因正負(fù)極性的壓差不一致，而形成畫面閃爍的現(xiàn)象。
文檔編號H01L27/12GK101207140SQ20081000319
公開日2008年6月25日 申請日期2008年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月24日
發(fā)明者張峻桓 申請人:友達(dá)光電股份有限公司