專利名稱：：太陽(yáng)電池模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在透明襯底上依序配置光電壓(photovoltaic)層以及填充材料的太陽(yáng)電池模塊，其中，光電壓層為串聯(lián)連接多個(gè)光電壓元件而構(gòu)成，光電壓元件為依序堆疊第一電極與光電轉(zhuǎn)換層以及第二電極而構(gòu)成。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，為了兼顧太陽(yáng)電池的低成本化及高效率化，而致力于進(jìn)行原材料使用量少的薄膜系太陽(yáng)電池模塊的開(kāi)發(fā)。這種薄膜系太陽(yáng)電池模塊的剖面圖的一例，如圖1及圖2所示。一般而言，薄膜系太陽(yáng)電池模塊的光電壓元件，是在玻璃等具遮水性的透明襯底110上依序通過(guò)利用來(lái)自襯底側(cè)的激光照射一邊將第一電極111/光電轉(zhuǎn)換層112、113/第二電極114圖案化一邊進(jìn)行堆疊而形成。此外，薄膜系太陽(yáng)電池模塊是在該光電壓元件上通過(guò)利用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物EVA(EthyleneVinylAcetate,EVA)等填充材料115來(lái)接著聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PolyEthyleneTerephtalate，PET)等保護(hù)材料116而形成(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。再者，填充材料115具有作為保護(hù)材料116與光電壓元件的接著劑及緩沖劑的功能。保護(hù)材料116具有防止來(lái)自外部的水分的浸入的功能。專利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)昭63-261883號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容但是，因太陽(yáng)電池模塊在室外長(zhǎng)期間使用，所以除了水分會(huì)從太陽(yáng)電池模塊的端部等浸入之外，由于光電轉(zhuǎn)換層112及113的內(nèi)部應(yīng)力造成透明襯底110表面與光電轉(zhuǎn)換層112的界面剝離，使膜的剝離頻繁發(fā)生。尤其是在光電轉(zhuǎn)換層112及113使用微結(jié)晶硅(pc-Si:H)的硅薄膜系太陽(yáng)電池模塊中，pC-Si:H的內(nèi)部應(yīng)力與其它的電極膜及非晶硅(a-Si:H)等相比較時(shí)，顯得非常大。因此，如圖1及圖2所示，在與光電壓層的串聯(lián)連接方向平行的端部，存在有密接力最弱的透明襯底110與光電轉(zhuǎn)換層112的界面時(shí)，在該界面有明顯的剝離的問(wèn)題。因此，本發(fā)明鑒于上述的問(wèn)題而研創(chuàng)，其目的在提供一種抑制產(chǎn)生膜的剝離的薄膜系太陽(yáng)電池模塊。本發(fā)明的太陽(yáng)電池模塊，其主要特征是依序在透明襯底上配置光電壓層以及填充材料，光電壓層是串聯(lián)連接多個(gè)光電壓元件而構(gòu)成，光電壓元件是依序堆疊第一電極與光電轉(zhuǎn)換層以及第二電極而構(gòu)成，在與光電壓層的串聯(lián)連接方向平行的、光電壓層的端部，在第一電極上，具備分離光電轉(zhuǎn)換層及第二電極的溝部。依據(jù)本發(fā)明特征的太陽(yáng)電池模塊，由于不存在透明襯底與光電轉(zhuǎn)換層的界面，所以可抑制產(chǎn)生膜的剝離。此外，在本發(fā)明的特征相關(guān)的太陽(yáng)電池模塊中也可以是，在與光電壓層的串聯(lián)連接方向平行的、填充材料的端部，在透明襯底上，還具備與光電壓層電性分離而配置且由依序堆疊第一電極與光電轉(zhuǎn)換層而構(gòu)成的堆疊體。依據(jù)此太陽(yáng)電池模塊，通過(guò)在填充材料的端部配置堆疊體，而防止水分從端部經(jīng)填充材料與透明襯底的接合面浸入。此外，在上述太陽(yáng)電池模塊中較佳為，將光電壓層與堆疊體予以分離的溝的寬度0.1mm以上?！罁?jù)此太陽(yáng)電池模塊，可確實(shí)地將光電壓層與堆疊體進(jìn)行電性分離。此外，在上述太陽(yáng)電池模塊中也可以是，將光電壓層與堆疊體予以分離的溝，利用絕緣膜來(lái)埋設(shè)。依據(jù)此太陽(yáng)電池模塊，通過(guò)設(shè)置絕緣膜，可提高絕緣性或抗破壞的強(qiáng)度。此外，在上述太陽(yáng)電池模塊中較佳為，絕緣膜含有氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦及氟化鎂的單體，或由上述中的至少一種所構(gòu)成的粒子的樹(shù)脂材料。依據(jù)本發(fā)明，可提供抑制產(chǎn)生膜的剝離的薄膜系太陽(yáng)電池模塊。圖1是表示第一現(xiàn)有例相關(guān)的薄膜系太陽(yáng)電池子模塊(submodule)的構(gòu)成的剖面圖。圖2是表示第二現(xiàn)有例相關(guān)的薄膜系太陽(yáng)電池子模塊的構(gòu)成的剖面圖。圖3是本實(shí)施方式的薄膜系太陽(yáng)電池子模塊的俯視圖。圖4是表示圖1的A-A剖面的端部的圖。圖5是表示圖1的A-A剖面的端部的其它圖。圖6是表示圖1的B-B剖面的端部的圖。圖7是表示本實(shí)施方式的薄膜系太陽(yáng)電池子模塊的制造方法的示意圖(其1)。圖8是表示本實(shí)施方式的薄膜系太陽(yáng)電池子模塊的制造方法的示意圖(其2)。圖9是表示現(xiàn)有例的薄膜系太陽(yáng)電池模塊的可靠性試驗(yàn)中的界面剝離的圖。具體實(shí)施例方式下面，利用本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下附圖的記載中，相同或類似的部分，均標(biāo)示相同或類似的符號(hào)。但是，應(yīng)注意附圖示意性，且各尺寸的比例等與實(shí)際的不同。因此，具體的尺寸等應(yīng)參考以下的說(shuō)明來(lái)判斷。此外，在附圖相互之間當(dāng)然也包含彼此的尺寸的關(guān)系與比例不同的部分。(太陽(yáng)電池模塊)圖3表示本實(shí)施方式的薄膜系太陽(yáng)電池模塊的太陽(yáng)電池子模塊(太陽(yáng)電池元件)的俯視圖。薄膜系太陽(yáng)電池子模塊的中央的框內(nèi)(空白的區(qū)域)為發(fā)電區(qū)域。圖4為圖3的A-A線剖面圖，是將圖3的上端面(圖3的以圓包圍的部分)予以放大。如圖4所示，本實(shí)施方式的薄膜系太陽(yáng)電池子模塊，在透明襯底IO上依序配置多個(gè)光電壓元件串聯(lián)連接的光電壓層1、填充材料15以5及保護(hù)材料16。多個(gè)光電壓元件依序堆疊透明導(dǎo)電膜(第一電極)11、光電轉(zhuǎn)換層12及13、以及背面電極(第二電極)14而形成。此外，在圖4中，透明襯底10的與光入射側(cè)相反的背面?zhèn)?，依序配置有多個(gè)光電壓元件、填充材料15以及保護(hù)材料16。透明襯底10是太陽(yáng)電池子模塊的單一襯底。在透明襯底10的與光入射側(cè)相反的背面?zhèn)?，形成多個(gè)光電壓元件。透明襯底10由玻璃等透光性的部件所構(gòu)成。在俯視透明襯底IO上時(shí)，透明導(dǎo)電膜11(第一電極)形成為狹長(zhǎng)條狀。透明導(dǎo)電膜11是用由在ZnO、ln203、Sn02、CdO、Ti02、Cdln204、Cd2Sn04、Zn2Sn04摻雜了Sn、Sb、F、Al的金屬氧化物的群組中選擇的一種或多種的堆疊體所構(gòu)成。再者，ZnO具有高透光性、低電阻性、可塑性，且為低價(jià)格，所以適合作為透明導(dǎo)電膜材料。光電轉(zhuǎn)換層12及13在透明導(dǎo)電膜11上形成為狹長(zhǎng)條狀。光電轉(zhuǎn)換層12及13由非晶硅(amorphoussilicon)半導(dǎo)體所構(gòu)成。本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換層12及13分別由非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體及微結(jié)晶硅半導(dǎo)體所構(gòu)成。此外，在本說(shuō)明書中，"微結(jié)晶"的用語(yǔ)，意味含有很多微小的結(jié)晶粒，也意味部分性地含有非晶質(zhì)的狀態(tài)。在此，本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換層12是依序堆疊p-i-n型非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體而形成，而光電轉(zhuǎn)換層13是依序堆疊p-i-n型微結(jié)晶硅半導(dǎo)體而形成。使用此種非晶質(zhì)硅與微結(jié)晶硅的串迭型(tandem)太陽(yáng)電池模塊，具備堆疊有光吸收波長(zhǎng)不同的二種半導(dǎo)體的構(gòu)造，而可有效利用太陽(yáng)光譜。背面電極14(第二電極)是在光電轉(zhuǎn)換層12及13上形成為狹長(zhǎng)條狀。背面電極14由Ag等導(dǎo)電性部件所構(gòu)成。保護(hù)材料16配置在填充材料15上。保護(hù)材料16是由PET(Polyethyleneterephthalate，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(Polyethylenenaphthalate，聚萘二甲酸乙二酯)、ETFE(Ethylene-tetrafl匿oethylene，乙烯-四氟乙烯共聚物)、PVDF(Polyvinylidenedifluoride，聚二氟乙烯)、PCTFE(Polychlorotrifluoroethylene,聚氯三氟乙烯)、PVF(polyvinylfluoride,聚氟乙烯)、PC(Polycarbonate,聚碳酸酯)等樹(shù)脂薄膜所構(gòu)成。其它，保護(hù)材料16也可由玻璃等包夾金屬箔的構(gòu)造及單體或SUS(SteelUseStainless,不銹鋼)、熱鍍鋁鋅合金(Galvalume)等金屬(鋼板)所構(gòu)成。保護(hù)材料16接著在填充材料15的背面?zhèn)取Ｌ畛洳牧?5由EVA(Ethylenevinylacetate,乙烯醋酸乙烯酯)、EEA(Ethyleneethylacrylate，乙烯/丙烯酸乙酯)、PVB(polyvinylbutyral,聚乙烯丁縮醛)、硅、氨基甲酸酯(urethane)、丙烯酸(acrylic)、環(huán)氧基等的樹(shù)脂所構(gòu)成。填充材料15具有作為保護(hù)材料16與光電壓元件的接著劑及緩沖劑的功能。此外，本實(shí)施方式的太陽(yáng)電池模塊，在與光電壓層1的串聯(lián)連接方向平行的、光電壓層l的端部，在透明導(dǎo)電膜ll上，具備分離光電轉(zhuǎn)換層12、13及背面電極14的第一溝部22。此外，在與光電壓層1的串聯(lián)連接方向平行的、填充材料15的端部，在透明襯底10上，還具備與光電壓層1電性分離配置且由依序堆疊透明導(dǎo)電膜10與光電轉(zhuǎn)換層12及13以及背面電極14而構(gòu)成的堆疊體20。g卩，堆疊體20配置在如圖3所示的太陽(yáng)電池子模塊的上端部與下端部。在此，堆疊體20是不供發(fā)電的無(wú)效區(qū)域，只要是至少堆疊有透明導(dǎo)電膜11與光電轉(zhuǎn)換層12及13而形成即可。此外，分離光電壓層1與堆疊體20的第二溝部21的寬度較佳為在O.lmm以上。此外，也可以如圖5所示，第二溝部21利用絕緣膜17來(lái)埋設(shè)。以絕緣膜17而言，是使用含有氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦、氟化鎂的單體，或者，由上述中的至少一種所形成的粒子的樹(shù)脂材料。此外，第二溝部21用以在光電壓層1形成時(shí)通過(guò)圍繞至光電壓層1的側(cè)面所形成的半導(dǎo)體層來(lái)防止在光電壓元件間產(chǎn)生電流泄漏。再者，將與光電壓層1的積聚方向平行的端部，g卩，圖3所示的太陽(yáng)電池子模塊的左端部與右端部的B-B剖面圖表示在圖6。如此，在與積聚方向平行的端部，以遍及與積聚方向平行的端邊的大致整個(gè)長(zhǎng)度的方式，配置有與用以取出電流的引線28連接的焊錫27。此電流的取出，通過(guò)焊錫27對(duì)透明導(dǎo)電膜11(第一電極)進(jìn)行短路而形成。此外，沿著與積聚方向平行的端部，利用丁基橡膠等樹(shù)脂30安裝鋁等的金屬框31。(太陽(yáng)電池模塊的制造方法)關(guān)于本實(shí)施方式的薄膜系太陽(yáng)電池模塊的制造方法，利用圖7與圖8加以說(shuō)明。如圖7的(a)所示，在透明襯底10上，利用濺鍍形成透明導(dǎo)電膜ll。然后，如圖7的(b)所示，透明導(dǎo)電膜11通過(guò)YAG激光的照射而圖案化成狹長(zhǎng)條狀，且在各光電壓元件間進(jìn)行電性分離。其次，如圖7的(c)所示，利用等離子CVD法，形成光電轉(zhuǎn)換層12及13。具體而言，在透明導(dǎo)電膜11上依序堆疊p-i-n型非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體而形成光電轉(zhuǎn)換層12。接著，在該光電轉(zhuǎn)換層12上堆疊p-i-n型微結(jié)晶硅半導(dǎo)體而形成光電轉(zhuǎn)換層13。如圖7的(d)所示，光電轉(zhuǎn)換層12及13通過(guò)從透明導(dǎo)電膜11的圖案化位置照射YAG激光到既定間隔的位置而圖案化成狹長(zhǎng)條狀。其次，如圖7的(e)所示，利用濺鍍等使背面電極14形成在光電轉(zhuǎn)換層13上。其次，如圖7的(f)所示，背面電極14通過(guò)從光電轉(zhuǎn)換層12及13的圖案化位置由背面?zhèn)日丈鋂AG激光到既定間隔的位置而圖案化成狹長(zhǎng)條狀。之后，形成在背面電極14的溝，進(jìn)行干蝕刻到所期望的深度為止。其次，在本實(shí)施方式中，如圖8的(a)所示，在太陽(yáng)電池模塊的端部，在與圖7的激光圖案化方向(積聚方向)正交的方向(串聯(lián)連接方向)，照射YAG激光。然后，同時(shí)去除光電轉(zhuǎn)換層12、13、背面電極14而形成第一溝部22。其次，如圖8的(b)所示，將襯底上下翻轉(zhuǎn)，從太陽(yáng)電池元件形成面?zhèn)?，在第一溝?2的稍外側(cè)，在與圖7的激光圖案化方向的正交的方向，照射YAG激光。然后，同時(shí)去除透明導(dǎo)電膜ll、光電轉(zhuǎn)換層12、13、背面電極14而形成第二溝部21。再者，形成第一溝部22的步驟(圖8的(a))與形成第二溝部21的步驟(圖8的(b))的順序也可相反。g卩，也可在形成第二溝部21后，形成第一溝部22。其次，雖未圖標(biāo)，但利用超聲波焊接與銅箔引線安裝接出電極。然后，在光電壓元件上依序配置填充材料15與保護(hù)材料16，且使用層壓裝置進(jìn)行真空加熱壓接。由此方式，使光電壓元件的背面?zhèn)仁艿奖?護(hù)。如此，形成如圖4所示的本實(shí)施方式的薄膜系太陽(yáng)電池子模塊。再者，在該太陽(yáng)電池子模塊，連接端子盒及接出電極，且利用丁基橡膠等樹(shù)脂安裝鋁等金屬框，即可形成太陽(yáng)電池模塊。(作用及功效)本實(shí)施方式的太陽(yáng)電池模塊，如圖4所示，在與光電壓層1的串聯(lián)連接方向平行的、光電壓層l的端部，在透明導(dǎo)電膜ll上，具備分離光電轉(zhuǎn)換層12、13及背面電極14的第一溝部22。如此，由于不存在透明襯底10與光電轉(zhuǎn)換層12、13的界面，所以可抑制因光電轉(zhuǎn)換層12、13的內(nèi)部應(yīng)力而發(fā)生膜的剝離。尤其是，在光電轉(zhuǎn)換層12、13使用有微結(jié)晶硅(iic-Si:H)的硅薄膜系太陽(yáng)電池模塊中，pc-Si:H的內(nèi)部應(yīng)力與其它的電極膜與非晶硅(a-Si:H)等比較時(shí)，顯得非常大。在本實(shí)施方式的太陽(yáng)電池模塊中，由于密接力最弱的透明襯底10與光電轉(zhuǎn)換層12,13的界面不存在，所以可抑制發(fā)生膜的剝離。此外，在與光電壓層1的串聯(lián)連接方向平行的、填充材料15的端部，由于配置堆疊體20，所以不存在填充材料15的端部與透明襯底10的接著面。因此，可防止水分從填充材料15的端部經(jīng)由填充材料15與透明襯底10的接著面浸入。此外，用以分離光電壓層1與堆疊體20的第二溝部21，可防止在施加壓力時(shí)，電流從背面電極14泄漏到透明導(dǎo)電膜H。因此，第二溝部21的寬度較佳為O.lmm以上。而且，在本實(shí)施方式中也可以是，如圖5所示，第二溝部21利用絕緣膜17來(lái)埋設(shè)。依據(jù)此太陽(yáng)電池模塊，通過(guò)設(shè)置絕緣膜17，可提高絕緣性或抗破壞的強(qiáng)度。并且，如圖6所示，在本實(shí)施方式的太陽(yáng)電池模塊中，在與光電壓層1的積聚方向平行的端部，遍及大致整個(gè)一邊的長(zhǎng)度，設(shè)置有焊錫27，該焊錫27會(huì)防止水分浸入到發(fā)電區(qū)域(有效區(qū)域)。電流的取出通過(guò)焊錫27對(duì)透明導(dǎo)電膜11的短路而實(shí)現(xiàn)。因此，并不會(huì)造成從與積聚方向平行的端部浸入水分而發(fā)生短路的問(wèn)題。因此，在本實(shí)施方式中，對(duì)于與光電壓層1的直接連接方向平行的端部，采取種種措施。(其它實(shí)施方式)本發(fā)明雖記載為如上述實(shí)施方式，但不應(yīng)認(rèn)為構(gòu)成本文公開(kāi)內(nèi)容的一部分論述及附圖用以限定本發(fā)明。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然可由此公開(kāi)內(nèi)容得知各種的替代實(shí)施方式、實(shí)施例及運(yùn)用技術(shù)。例如，在上述實(shí)施方式中，雖使用依序堆疊有非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體與微結(jié)晶硅半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層12及13，但使用微結(jié)晶或非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體的單層或三層以上的堆疊體也可得到相同的效果。因此，本發(fā)明當(dāng)然包含這些未記載的各種實(shí)施方式等。因此，本發(fā)明的技術(shù)范圍應(yīng)該是參考上述的說(shuō)明，依據(jù)適當(dāng)?shù)臋?quán)利要求范圍所記載的發(fā)明特定事項(xiàng)來(lái)限定。實(shí)施例以下，關(guān)于本發(fā)明的薄膜系太陽(yáng)電池模塊，舉出實(shí)施例具體地加以說(shuō)明，然而本發(fā)明并非僅限定于下列實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，在不變更其主旨的范圍內(nèi)，可以適當(dāng)變化并實(shí)施。作為本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜系太陽(yáng)電池模塊，如圖4所示的太陽(yáng)電池模塊，以下述方式制造。如圖7的(a)所示，在4mm厚的玻璃襯底10上，利用濺鍍形成600nm厚度的ZnO電極11。之后，如圖7的(b)所示，從玻璃襯底10的光入射側(cè)照射YAG激光，而將ZnO電極11沿著積聚方向圖案化成狹長(zhǎng)條狀。在該激光分離加工中，使用波長(zhǎng)約1.06pm，能源密度13J/cm3，脈沖頻率3kHz的Nd:YAG激光。其次，如圖7的(c)所示，利用等離子CVD法形成非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層12及微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層13。具體而言，首先，利用等離子CVD法，由SiH4與CH4及H2以及B2H6的混合氣體形成膜厚lOnm的p型非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層。其次，在p型非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層上，由SiH4與H2的混合氣體形成膜厚300nm的i型非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層。其次，在i型非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層上，由SiH4與H2以及PH3的混合氣體形成膜厚20nm的n型非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層。由此方式，形成非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層12。其次，利用等離子CVD法，在非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層12上，由SfflU與H2及B2H6的混合氣體形成膜厚lOnm的p型微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層。其次，10在p型微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層上，由SiH4與H2的混合氣體形成膜厚2000nm的i型微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層。其次，由SiH4與H2及PH3的混合氣體形成膜厚20nm的n型微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層。由此方式，形成微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層13。將等離子CVD法的各詳細(xì)條件表示于表1。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>此外，如圖7的(d)所示，通過(guò)從光入射側(cè)照射YAG激光到從ZnO電極11的圖案位置起50jim的旁邊位置而將非晶質(zhì)硅半體層12及微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層13圖案化成狹長(zhǎng)條狀。在該激光分離加工中，使用能源密度0.7J/cm3、脈沖頻率3kHz的Nd:YAG激光。其次，如圖7的(e)所示，利用濺鍍將200nm厚度的Ag電極14形成在微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層13上。此外，通過(guò)從背面?zhèn)日丈鋂AG激光，而將非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層12、微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層13、Ag電極14圖案化成狹長(zhǎng)條狀。在該激光分離加工，使用能源密度0.7J/cm3、脈沖頻率4kHz的Nd:YAG激光，再進(jìn)行利用CF4的干蝕刻數(shù)十秒。其次，如圖8的(a)所示，在太陽(yáng)電池模塊的端部，在與圖6的激光圖案化方向成正交的方向(串聯(lián)連接方向)，照射Nd:YAG激光的第二高頻波(波長(zhǎng)532nm)。然后，同時(shí)去除非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層12、微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層13、Ag電極14而形成第一溝部22。第一溝部22的寬度為100(im。其次，如圖8的(b)所示，將襯底上下翻轉(zhuǎn)，且由太陽(yáng)電池元件形成面?zhèn)?背面?zhèn)?，在第一溝部22的稍外側(cè)，在與圖7的激光圖案化方向成正交的方向(串聯(lián)連接方向)，照射Nd:YAG激光的基本波(波長(zhǎng)1064nm)。然后，同時(shí)去除ZnO電極lO、非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層12、微結(jié)晶硅半導(dǎo)體層13、Ag電極14，而形成第二溝部21。第二溝部21的寬度為l.Omm。在此，形成第二溝部21的Nd:YAG激光的基本波的實(shí)用性加工寬度，最小為約0.01mm。因此，為了得到滿足太陽(yáng)電池模塊所要求的制品規(guī)格IEC61646的絕緣試驗(yàn)條件[施加DC1000V+(2X太陽(yáng)光發(fā)電系統(tǒng)的開(kāi)放電壓)1分鐘]的開(kāi)溝寬度所要求的寬度l.Omm，而進(jìn)行100次的掃描。其次，利用超聲波焊錫和銅箔引線安裝接出電極。其次，通過(guò)使用層壓裝置將在光電壓元件上依序配置的EVA15與PET薄膜16的堆疊體，在15(TC進(jìn)行30分鐘的加熱處理，由此使EVA16交聯(lián)、穩(wěn)定化，以對(duì)堆疊體進(jìn)行真空壓接。最后，安裝端子盒并連接接出電極，完成本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜系太陽(yáng)電池模塊。作為本發(fā)明的第二實(shí)施例，制作如圖5所示的太陽(yáng)電池模塊。在第二實(shí)施例中，在第二溝部21埋設(shè)絕緣膜17之外，進(jìn)行了與第一實(shí)施例相同的步驟。此外，絕緣膜17是通過(guò)涂布含有氧化鋁(A1203)微粒子的環(huán)氧樹(shù)脂而形成?！嫉谝滑F(xiàn)有例]作為第一現(xiàn)有例，制作如圖1所示的太陽(yáng)電池模塊。在第一現(xiàn)有例中，與第一實(shí)施例相比較，除了使之變化YAG激光的圖案化之外，進(jìn)行與第一實(shí)施例相同的步驟。但是，如圖1所示，在太陽(yáng)電池模塊的端部，光電轉(zhuǎn)換組件不存在?！熠?，在端部，存在有玻璃襯底110與EVA115的界面。此外，玻璃襯底110與非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層112的界面也存在。[第二現(xiàn)有例]作為第二現(xiàn)有例，制作如圖2所示的太陽(yáng)電池模塊。在第二現(xiàn)有例中，與第一實(shí)施例相比較，除了使之變化YAG激光的圖案化之外，進(jìn)行與第一實(shí)施例相同的步驟。但是，如圖2所示，在太陽(yáng)電池模塊的端部，光電轉(zhuǎn)換組件不存在。即，在端部，存在有玻璃襯底110與EVA115的界面。此外，存在有玻璃襯底110與非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層112的界面。[可靠性評(píng)價(jià)]進(jìn)行用以比較實(shí)施例的薄膜系太陽(yáng)電池模塊與現(xiàn)有例的薄膜系太陽(yáng)電池模塊的可靠性的耐氣候可靠性評(píng)價(jià)。具體而言，依照IEC61646，對(duì)溫度85°C、濕度85%的環(huán)境中的各模塊進(jìn)行1000小時(shí)的暴露。(結(jié)果)第一現(xiàn)有例及第二現(xiàn)有例均在100小時(shí)以內(nèi)，在玻璃襯底110與非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層112的界面，如圖9所示，產(chǎn)生剝離。在圖9中，表示在去除透明導(dǎo)電膜lll(第一電極)的區(qū)域，玻璃襯底110與非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層112的界面已產(chǎn)生剝離。另一方面，在第一實(shí)施例及第二實(shí)施例中，即使經(jīng)過(guò)1000小時(shí)，也未發(fā)生剝離。因此，由于通過(guò)具有第一溝部22的構(gòu)造，玻璃襯底IO與非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體層12的界面不存在，所以可知能夠抑制產(chǎn)生膜的剝離。此外，也可知通過(guò)配置堆疊體20在光電壓層的串聯(lián)連接方向端部，可防止水分經(jīng)由EVA15與玻璃襯底10的接著面從端部浸入。尤其是，在第二實(shí)施例中，可知與在第二溝部21埋設(shè)作為填充材料的熱硬化性樹(shù)脂相比，可利用具有高絕緣破壞強(qiáng)度的材料來(lái)埋設(shè)，即使將第二溝部21的開(kāi)口寬度設(shè)為0.1mm，也能保持足夠的強(qiáng)度。再者，日本特許出愿第2006-265868號(hào)(2006年9月28日申請(qǐng))的全部?jī)?nèi)容，作為參照已編入到本專利申請(qǐng)說(shuō)明書中。[產(chǎn)業(yè)上的可利用性]如上所述，本發(fā)明的太陽(yáng)電池模塊，通過(guò)抑制發(fā)生膜的剝離而可謀求太陽(yáng)電池的低成本化及高效率化，因此有利于太陽(yáng)光發(fā)電。權(quán)利要求1、一種太陽(yáng)電池模塊，依序在透明襯底上配置光電壓層以及填充材料，光電壓層是串聯(lián)連接多個(gè)光電壓元件而構(gòu)成，光電壓元件是依序堆疊第一電極與光電轉(zhuǎn)換層以及第二電極而構(gòu)成，太陽(yáng)電池模塊的特征在于，在與所述光電壓層的串聯(lián)連接方向平行的、所述光電壓層的端部，在所述第一電極上，具備用以分離所述光電轉(zhuǎn)換層及所述第二電極的溝部。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，在與所述光電壓層的串聯(lián)連接方向平行的、所述填充材料的端部，在所述透明襯底上，還具備與所述光電壓層電性分離配置且由依序堆疊第一電極與光電轉(zhuǎn)換層而構(gòu)成的堆疊體。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，將所述光電壓層與所述堆疊體分離的溝的寬度為O.lmm以上。4、根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，將所述光電壓層與所述堆疊體分離的溝，是利用絕緣膜來(lái)埋設(shè)。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)電池模i央，其特征在于，所述絕緣膜為含有氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦、氟化鎂的單體、或由上述中的至少一種所構(gòu)成的粒子的樹(shù)脂材料。全文摘要本發(fā)明提供一種太陽(yáng)電池模塊，在透明襯底(10)上依序配置光電壓層以及填充材料(15)，其中，光電壓層為串聯(lián)連接多個(gè)光電壓元件而構(gòu)成，光電壓元件為依序堆疊透明導(dǎo)電膜(11)與光電轉(zhuǎn)換層(12、13)以及背面電極(14)而構(gòu)成。此外，太陽(yáng)電池模塊在與光電壓層串聯(lián)連接方向平行的、光電壓層的端部，在透明導(dǎo)電膜(11)上，具備用以分離光電轉(zhuǎn)換層(12、13)及背面電極(14)的第一溝部(22)。文檔編號(hào)H01L21/205GK101517747SQ20078003585公開(kāi)日2009年8月26日申請(qǐng)日期2007年9月19日優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日發(fā)明者篠原亙申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社