專利名稱：：半導(dǎo)體器件用部材、以及半導(dǎo)體器件用部材形成液和半導(dǎo)體器件用部材的制造方法、以及...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及新的半導(dǎo)體器件用部材、半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法、半導(dǎo)體器件用部材的制造方法、半導(dǎo)體發(fā)光器件、半導(dǎo)體器件用部材形成液以及熒光體組合物。詳細(xì)地說，本發(fā)明涉及耐熱性、耐光性、成膜性、密合性優(yōu)異的半導(dǎo)體器件用部材、半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法和半導(dǎo)體器件用部材的制造方法、以及安裝有能夠在高溫使用的大型半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體發(fā)光器件。另外，本發(fā)明還涉及使用上述半導(dǎo)體發(fā)光器件形成的照明裝置以及圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體器件、特別是發(fā)光二極管(lightemittingdiode:為了方便起見，下面簡稱為"LED")、半導(dǎo)體激光等半導(dǎo)體發(fā)光器件中，通常用透明的樹脂等部材(半導(dǎo)體器件用部材)密封半導(dǎo)體元件(也稱半導(dǎo)體發(fā)光元件)。近年，從其發(fā)光效率、視認(rèn)性、牢固性等方面考慮，上述半導(dǎo)體發(fā)光器件已經(jīng)在信號(hào)、野外顯示裝置等室外使用的信息顯示裝置、以及代替汽車用前燈、白熾燈、熒光燈的照明裝置方面得到了實(shí)用化。但是，用于這些用途時(shí)，優(yōu)選大功率的發(fā)光裝置(所謂"功率器件")。作為大功率的半導(dǎo)體發(fā)光器件，公開了使用例如lmm見方的半導(dǎo)體元件(芯片)的例子(非專利文獻(xiàn)l)。但是，由于作為功率器件的半導(dǎo)體發(fā)光器件難以普及，所以以往通過將2個(gè)以上的小功率元件并置來回避該課題。作為功率器件的半導(dǎo)體發(fā)光器件難以普及的原因如下。g卩，首先，例如為了提高每一個(gè)LED的光功率，需要加大投入的電力。但是，加大投入的電力時(shí)，產(chǎn)熱也變大了。另一方面，為了防止熱密度增大而將LED芯片尺寸大型化時(shí)，密封材料與芯片出現(xiàn)了熱膨脹率差，所以剝離等密合性發(fā)生降低。作為上述的半導(dǎo)體器件用部材，以往使用的有例如環(huán)氧樹脂。另外，還已知通過在該密封樹脂中含有熒光體等顏料來將來自半導(dǎo)體元件的發(fā)光波長進(jìn)行轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體器件用部材等。但是，環(huán)氧樹脂的吸濕性高，長期使用半導(dǎo)體器件時(shí)，由半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱導(dǎo)致環(huán)氧樹脂出現(xiàn)裂紋，另外，還存在熒光體、發(fā)光元件因水分的浸入而發(fā)生老化等的問題。另外，近年伴隨著發(fā)光波長的短波長化，環(huán)氧樹脂老化而發(fā)生著色，因此也存在在長期點(diǎn)亮和在高功率下使用時(shí)半導(dǎo)體器件的輝度顯著降低的問題。鑒于這些問題，已經(jīng)使用耐熱性、紫外耐光性優(yōu)異的有機(jī)硅樹脂作為環(huán)氧樹脂的代替品。但是，有機(jī)硅樹脂的密合性、透明性、耐候性尚不充分。與此相對，作為耐熱性、紫外耐光性優(yōu)異的材料，提出了無機(jī)系密封材料和使用該材料的半導(dǎo)體器件(例如參見專利文獻(xiàn)16)。非專利文獻(xiàn)1:成川幸男等，"應(yīng)用物理"，第74巻，第11號(hào)，第1423頁第1432頁，2005年專利文獻(xiàn)1:日本特許第3275308號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-197976號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開2004-231947號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2002-33517號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:日本特開2002-203989號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:日本特愿2006-047274號(hào)說明書
發(fā)明內(nèi)容但是，熔融玻璃等無機(jī)材料的處理溫度高達(dá)350。C以上，這樣的溫度對發(fā)光元件會(huì)造成損害，因此，工業(yè)上尚未實(shí)現(xiàn)將熔融玻璃等無機(jī)材料用于無機(jī)系密封材料。另外，對于通過溶膠凝膠法制造的玻璃來說，其存在成膜性的問題，在作為半導(dǎo)體器件用部材進(jìn)行成型時(shí)，因固化收縮而產(chǎn)生裂紋和剝離，尚不能得到長期在厚膜狀態(tài)下穩(wěn)定的半導(dǎo)體器件用部材。另外，利用溶膠凝膠法的制造方法因反應(yīng)性過高而難以進(jìn)行濃縮，因而大多情況下使用較多的溶劑。使用較多的溶劑的情況下，溶膠中的固體成分量變少，所以生產(chǎn)效率差，將溶膠涂布到半導(dǎo)體器件上來形成半導(dǎo)體器件用部材時(shí)，需要反復(fù)進(jìn)行涂布以達(dá)到規(guī)定的厚度。另外，由于伴隨著溶劑揮發(fā)會(huì)發(fā)生固化，所以在固化的半導(dǎo)體器件用部材中容易產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力，并且容易產(chǎn)生裂紋、剝離，此外，在環(huán)境負(fù)荷方面也不是優(yōu)選的。另外，這些無機(jī)系密封材料非常硬且脆，所以成膜性不足，其不能適應(yīng)半導(dǎo)體器件所用的熱膨脹系數(shù)不同的各部材的熱膨脹-熱收縮，存在使用中常發(fā)生剝離、裂紋、斷線的問題，尚未得到耐回焊性、耐溫度周期性優(yōu)異的無機(jī)系密封材料。需要說明的是，此處所謂回焊是指將焊料糊印刷到基板上，在其上安裝部件后進(jìn)行加熱、接合的施加焊料的焊接方法。所以，耐回焊性是指能夠經(jīng)受最高溫度260°C、IO秒的熱沖擊的性質(zhì)。例如，專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2中記載了使用4官能的垸氧基硅烷形成玻璃材料的技術(shù)。但是，對于利用專利文獻(xiàn)l、專利文獻(xiàn)2所述的技術(shù)得到的無機(jī)材料來說，需要將4官能的烷氧基硅烷的水解液涂布于半導(dǎo)體發(fā)光器件，在不損害半導(dǎo)體發(fā)光器件的性能的溫和固化溫度150。C左右固化數(shù)小時(shí)左右。這種情況下，所得到的玻璃材料通常是含有十幾重量％以上的硅垸醇的不完全玻璃體。所以，根據(jù)專利文獻(xiàn)l、專利文獻(xiàn)2所述的技術(shù)不能得到像熔融法玻璃那樣的真正的僅由硅氧垸鍵構(gòu)成的玻璃體。這與通常的有機(jī)樹脂不同，專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2使用的無機(jī)材料的交聯(lián)點(diǎn)非常多，所以結(jié)構(gòu)的束縛大，反應(yīng)性末端處于孤立狀態(tài)不能縮合。這樣的玻璃體不致密，并且其表面與硅膠相同，處于親水性非常高的狀態(tài)，所以不具有足夠的密封能力。另外，通常加熱到25(TC以上時(shí)，不易發(fā)生這樣的反應(yīng)的硅垸醇開始稍有減少，通常在350。C以上、優(yōu)選40(TC以上的高溫進(jìn)行燒制的話，能夠顯著地減少硅烷醇的量。但是，由于半導(dǎo)體器件的耐熱溫度通常為26(TC以下，所以難以利用這點(diǎn)從專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2所述的無機(jī)材料中除去硅烷醇。另外，4官能的烷氧基硅烷中在脫水-脫醇縮合時(shí)發(fā)生脫離的成分量多，所以從本質(zhì)上來說，其固化時(shí)的收縮率大。并且，4官能的垸氧基硅垸的反應(yīng)性高，所以在干燥工序中，從蒸發(fā)了一部分稀釋溶劑的表面部分開始固化，形成了包含溶劑的硬的凝膠體后，具有釋放出內(nèi)部的溶劑的傾向，因而，在伴隨溶劑蒸發(fā)的固化時(shí)和固化后的收縮量也變大。因此，專利文獻(xiàn)l、專利文獻(xiàn)2所述的無機(jī)材料結(jié)果常因收縮產(chǎn)生大的內(nèi)部應(yīng)力并出現(xiàn)裂紋。因而，僅用4官能垸氧基硅烷作為原料難以得到作為半導(dǎo)體器件用部材有用的大的塊體或厚膜。另外，例如專利文獻(xiàn)3中記載了下述的技術(shù)，其中，以含有有機(jī)基團(tuán)的硅垸化合物為原料，通過溶膠凝膠法，尺寸精度好地制造3維狀的熒光體層。但是，專利文獻(xiàn)3沒有對交聯(lián)度進(jìn)行詳細(xì)記載，并且為了得到專利文獻(xiàn)3所述的無機(jī)材料，需要高濃度的熒光體顆粒，實(shí)質(zhì)上這些熒光體顆粒作為骨材發(fā)揮作用，保持3維的形狀，因此，無機(jī)材料中不含熒光體的情況下，不能得到透明且無裂紋的厚膜狀的玻璃狀涂布物。另外，專利文獻(xiàn)3所述的技術(shù)中使用了醋酸作為催化劑，但是未從所得到的無機(jī)材料中除去醋酸，所以醋酸對半導(dǎo)體元件造成了不良影響。另外，形成專利文獻(xiàn)3所述的無機(jī)材料的情況下，固化需要40(TC的高溫，所以實(shí)質(zhì)上不能與半導(dǎo)體器件一同加熱，且高溫下過度的縮合導(dǎo)致其結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)變形的蓄積，并沒有抑制裂紋發(fā)生。另外，例如專利文獻(xiàn)4中記載了一種技術(shù)，其中，在二氧化硅或以硅氧垸為骨架的無機(jī)物溶膠中混合無機(jī)光散射劑，將這樣得到的無機(jī)涂布劑進(jìn)行涂布，從而得到半導(dǎo)體器件用部材。但是，專利文獻(xiàn)4所述的無機(jī)材料中必須有無機(jī)光散射劑，并且，專利文獻(xiàn)4沒有詳細(xì)記載原料和制造方法，不能準(zhǔn)確重現(xiàn)該技術(shù)。另外，例如專利文獻(xiàn)5中記載了涂布溶膠凝膠法玻璃得到半導(dǎo)體器件用部材的技術(shù)。但是，與專利文獻(xiàn)3相同，要得到專利文獻(xiàn)5所述的無機(jī)材料，必須利用熒光體。另外，該熒光體起到骨材的作用，所得到的無機(jī)材料雖然是厚膜，但膜厚未超過lOOpnu再者，專利文獻(xiàn)5中沒有記載原料和制法，使用普通的垸氧基硅烷難以穩(wěn)定地重現(xiàn)該技術(shù)。另外，本發(fā)明人在專利文獻(xiàn)6中公開了能解決上述課題的特定的含有硅的半導(dǎo)體器件用部材。但是，用于產(chǎn)熱大的半導(dǎo)體功率器件時(shí)，希望能在維持耐光性、成膜性、密合性的同時(shí)進(jìn)一步提高耐熱穩(wěn)定性的水平。另外，還希望能夠抑制半導(dǎo)體器件用部材的制造工序中的低沸雜質(zhì)的揮發(fā)，并提高固化物重量成品率。另外，基于提高輝度(反射率)、耐久性-耐熱性、耐光性、密合性、散熱性等目的，對半導(dǎo)體發(fā)光器件中的封裝材實(shí)施了各種表面加工。特別是功率器件，常為了提高耐久性、耐熱性進(jìn)行材料的選擇、表面加工。并且，從加工的觀點(diǎn)等出發(fā)，常對半導(dǎo)體元件(芯片)設(shè)置保護(hù)層。這樣，半導(dǎo)體發(fā)光器件中與密封材料相接的封裝材、半導(dǎo)體元件等部材的表面材質(zhì)含有特殊的成分，這些成分也成為了進(jìn)一步助長密封的剝離的問題的原因?；谏鲜龅谋尘?，正在尋求一種耐熱性、耐光性、成膜性、密合性優(yōu)異的半導(dǎo)體器件用部材，其長期使用也能夠不發(fā)生裂紋、剝離、著色地密封半導(dǎo)體器件，并能保持熒光體。本發(fā)明是鑒于上述課題完成的。即，本發(fā)明的第一目的在于提供一種新的半導(dǎo)體器件用部材、半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法、半導(dǎo)體器件用部材的制造方法、使用該方法得到的半導(dǎo)體器件用部材形成液以及熒光體組合物，所述半導(dǎo)體器件用部材在耐熱性、耐光性、成膜性、密合性方面優(yōu)異，即使長期使用也能夠不發(fā)生裂紋、剝離、著色地密封半導(dǎo)體器件，且能保持熒光體。本發(fā)明的第二目的在于提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件以及使用該半導(dǎo)體發(fā)光器件的照明裝置和圖像顯示裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件即使長期使用也不會(huì)產(chǎn)生裂紋、剝離，特別是用于功率器件的情況下，其也具有優(yōu)異的輝度(反射率)、耐久性-耐熱性、耐光性、密合性等。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，由熱減重少且具有一定的成膜性的特定高分子制作半導(dǎo)體器件用部材時(shí)能夠厚膜化，在厚膜部也能夠抑制裂紋的產(chǎn)生，并且所制作的半導(dǎo)體器件用部材的耐熱性、耐光性優(yōu)異。并且，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過使用對經(jīng)表面處理等的材質(zhì)也具有極高的密合性且耐熱性、耐光性也優(yōu)異的密封材料，特別地能夠用于安裝了大型半導(dǎo)體發(fā)光芯片的功率器件。于是，基于這些認(rèn)識(shí)完成了本發(fā)明。艮口，本發(fā)明的要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體器件用部材，其特征在于，其通過下述熱減重測定方法(I)測定的熱減重為50重量％以下，并且通過下述密合性評價(jià)方法(II)測定的剝離率為30%以下(權(quán)利要求1)。熱減重測定方法(I)使用10mg上述半導(dǎo)體器件用部材的碎片，利用熱重-差熱測定裝置，在以200ml/分鐘的流速流通空氣下，以1(TC/分鐘的升溫速度從35'C加熱到50(TC，進(jìn)行減重測定。密合性評價(jià)方法(II)(1)將半導(dǎo)體器件用部材形成液滴入直徑為9mm、凹部的深度為lmm的表面鍍覆有銀的銅制杯皿，在規(guī)定的固化條件使其固化，得到半導(dǎo)體器件用部材。(2)在溫度85°C、濕度85%的氣氛下使得到的半導(dǎo)體器件用部材吸濕20小時(shí)。(3訴50秒，將吸濕后的半導(dǎo)體器件用部材由室溫升溫到M(TC后，在26(TC保持10秒。(4)將升溫后的半導(dǎo)體器件用部材冷卻到室溫，通過目視觀察和顯微鏡觀察，觀察半導(dǎo)體器件用部材有無從上述銅制杯皿剝離。(5)對10個(gè)上述半導(dǎo)體器件用部材分別實(shí)施上述(2)、(3)和(4)的操作，求出上述半導(dǎo)體器件用部材的剝離率。本發(fā)明的另一個(gè)要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體器件用部材，其特征在于，通過上述熱減重測定方法OO測定的熱減重為50重量％以下，并且通過A型硬度計(jì)得到的硬度測定值(肖氏A)為590(權(quán)利要求2)。此時(shí)，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選具有金屬-氧-金屬骨架(權(quán)利要求3)。并且，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選含有無機(jī)顆粒(權(quán)利要求4)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選含有熒光體(權(quán)利要求5)。本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法，其特征在于，其是制造含有將下式(l)表示的化合物和/或其低聚物進(jìn)行水解-縮聚而得到的縮聚物的半導(dǎo)體器件用部材形成液的方法，其中，在含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦中的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑的存在下進(jìn)行上述水解-縮聚(權(quán)利要求6)。]VTXnV『n(1)(式(1)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團(tuán)，^表示1價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，m表示M的價(jià)數(shù)且為1以上的整數(shù)，n表示X基團(tuán)的數(shù)量且為1以上的整數(shù)。其中，m^n。)本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法，其特征在于，其是制造含有將下式(2)表示的化合物和/或其低聚物進(jìn)行水解-縮聚而得到的縮聚物的半導(dǎo)體器件用部材形成液的方法，其中，在含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦中的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑的存在下進(jìn)行上述水解-縮聚(權(quán)利要求7)。(mK!)uY2(2)(式(2)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團(tuán)，^表示1價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，￥2表示11價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，s表示M的價(jià)數(shù)且為2以上的整數(shù)，t表示1s-l的整數(shù)，u表示2以上的整數(shù)。)本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體器件用部材的制造方法，其特征在于，其是具有對將上述式(l)表示的化合物和/或其低聚物進(jìn)行水解-縮聚而得到的縮聚物進(jìn)行干燥的工序的半導(dǎo)體器件用部材的制造方法，其中，在含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦中的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑的存在下進(jìn)行上述水解-縮聚(權(quán)利要求8)。本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體器件用部材的制造方法，其特征在于，其是具有對將上述式(2)表示的化合物和/或其低聚物進(jìn)行水解-縮聚而得到的縮聚物進(jìn)行干燥的工序的半導(dǎo)體器件用部材的制造方法，其中，在含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦中的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑的存在下進(jìn)行上述水解-縮聚(權(quán)利要求9)。本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，其至少具備上述的半導(dǎo)體器件用部材(權(quán)利要求10)。本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體器件用部材形成液，其特征在于，其是利用上述的半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法制造的(權(quán)利要求11)。本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其是具有(A)封裝材、(B)半導(dǎo)體元件以及(C)密封材料的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，(A)封裝材和/或(B)半導(dǎo)體元件中其表面材料含有Si、Al和Ag中的任意1種以上元素，(c)密封材料滿足下述的全部條件(i)(ni)，并且(C)密封材料與(A)封裝材和/或(B)半導(dǎo)體元件的上述表面材料直接相接(權(quán)利要求12)。(I)具有能夠與存在于陶瓷或金屬的表面的羥基或金屬-氧-金屬鍵中的氧形成氫鍵的官能團(tuán)。(II)波長為400nm的光的透射率在于20(TC放置500小時(shí)前后的維持率為80%110%。(m)波長為400nm的光的透射率在照射中心波長為380nm、且波長為370nm以上、輻射強(qiáng)度為0.6kW/m2的光72小時(shí)前后的維持率為80%110%。此時(shí)，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件優(yōu)選還滿足下述條件(IV)(權(quán)利要求13)。(IV)對于發(fā)光波長460士10nm且一邊為900pm的正方形半導(dǎo)體元件，在維持發(fā)光面的溫度為IOO士IO"C下，通350mA的驅(qū)動(dòng)電流，在溫度85°C、相對濕度85%進(jìn)行500小時(shí)的連續(xù)點(diǎn)亮，此時(shí)，500小時(shí)后的輝度相對于剛點(diǎn)亮?xí)r的輝度的比例為90%以上。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件優(yōu)選使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材作為(C)密封材料(權(quán)利要求14)。再者，優(yōu)選(A)封裝材和/或(B)半導(dǎo)體元件的上述表面材料含有SiNx、14SiC以及Si02中的1種以上(權(quán)利要求15)。另外，優(yōu)選(A)封裝材和/或(B)半導(dǎo)體元件的上述表面材料含有Al、A1N、A1203中的1種以上(權(quán)利要求16)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件優(yōu)選在(B)半導(dǎo)體元件的基板部分具有上述表面材料(權(quán)利要求17)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件優(yōu)選(B)半導(dǎo)體元件的發(fā)光面的面積為0.15mm2以上(權(quán)利要求18)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件優(yōu)選工作時(shí)的(B)半導(dǎo)體元件的發(fā)光面的表面溫度為80'C20(TC(權(quán)利要求19)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件優(yōu)選工作時(shí)的電功率為0.1W以上(權(quán)利要求20)。本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種照明裝置，其是使用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件形成的(權(quán)利要求21)。本發(fā)明的再一個(gè)要點(diǎn)在于一種圖像顯示裝置，其是使用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件形成的(權(quán)利要求22)。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的耐熱性、耐光性、成膜性、密合性優(yōu)異，即使長期使用也能夠不產(chǎn)生裂紋、剝離地密封半導(dǎo)體器件。并且，與現(xiàn)有的無機(jī)系的半導(dǎo)體器件用部材相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材通常能進(jìn)行厚膜涂布，僅通過在半導(dǎo)體器件上進(jìn)行涂布、干燥，就能容易地密封半導(dǎo)體器件，并保持熒光體。利用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液和熒光體組合物，能夠制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。利用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液和半導(dǎo)體器件用部材的制造方法，能夠制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液和半導(dǎo)體器件用部材。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件由于密封材料的耐熱性、耐光性、成膜性、密合性優(yōu)異，所以即使長期使用，也不會(huì)在密封材料上產(chǎn)生裂紋、剝離、著色，能夠長期維持其性能。圖1是說明實(shí)施方式A-l的示意性截面圖。圖2是說明實(shí)施方式A-2的示意性截面圖。圖3用于說明實(shí)施方式B-l，圖3(a)是示意性截面圖，圖3(b)是圖3(a)的要部放大圖。圖4是說明實(shí)施方式B-2的示意性截面圖。圖5是說明實(shí)施方式B-3的示意性截面圖。圖6是說明實(shí)施方式B-4的示意性截面圖。圖7是說明實(shí)施方式B-5的示意性截面圖。圖8是說明實(shí)施方式B-6的示意性截面圖。圖9是說明實(shí)施方式B-7的示意性截面圖。圖10是說明實(shí)施方式B-8的示意性截面圖。圖11是說明實(shí)施方式B-9的示意性截面圖。圖12是說明實(shí)施方式B-10的示意性截面圖。圖13是說明實(shí)施方式B-ll的示意性截面圖。圖14是說明實(shí)施方式B-12的示意性截面圖。圖15是說明實(shí)施方式B-13的示意性截面圖。圖16是說明實(shí)施方式B-14的示意性截面圖。圖17是說明實(shí)施方式B-15的示意性截面圖。圖18是說明實(shí)施方式B-16的示意性截面圖。圖19是說明實(shí)施方式B-17的示意性截面圖。圖20是說明實(shí)施方式B-18的示意性截面圖。圖21是說明實(shí)施方式B-19的示意性截面圖。圖22是說明實(shí)施方式B-20的示意性截面圖。圖23是說明實(shí)施方式B-21的示意性截面圖。圖24是實(shí)施方式B-21中給出的要部截面圖。圖25是說明實(shí)施方式B-22的示意性截面圖。圖26是實(shí)施方式B-22中給出的要部截面圖。圖27是說明實(shí)施方式B-23的示意性截面圖。圖28是實(shí)施方式B-23中給出的要部立體圖。圖29是說明實(shí)施方式B-24的示意性截面圖。圖30是實(shí)施方式B-24中給出的要部截面圖。圖31是實(shí)施方式B-24中給出的要部立體圖。圖32是說明實(shí)施方式B-25的示意性截面圖。圖33是說明實(shí)施方式B-26的示意性截面圖。圖34是說明實(shí)施方式B-27的示意性截面圖。圖35是說明實(shí)施方式B-28的示意性截面圖。圖36是說明實(shí)施方式B-29的示意性截面圖。圖37用于說明實(shí)施方式B-30，圖37(a)是示意性截面圖，圖37(b)是圖37(a)的要部放大圖。圖38是說明實(shí)施方式B-31的示意性截面圖。圖39是說明實(shí)施方式B-32的示意性截面圖。圖40是說明實(shí)施方式B-33的示意性截面圖。圖41是說明實(shí)施方式B-34的示意性截面圖。圖42是說明實(shí)施方式B-35的示意性截面圖。圖43是說明實(shí)施方式B-36的示意性截面圖。圖44是說明實(shí)施方式B-37的示意性截面圖。圖45是說明實(shí)施方式B-38的示意性截面圖。圖46是說明實(shí)施方式B-39的示意性截面圖。圖47是說明實(shí)施方式B-40的示意性截面圖。圖48是說明實(shí)施方式B-41的示意性截面圖。圖49是各實(shí)施方式的要部的其他構(gòu)成例的說明圖。圖50中圖50(a)、圖50(b)均是各實(shí)施方式的基本概念的說明圖。圖51是為了對本發(fā)明的實(shí)施例和比較例進(jìn)行的連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)進(jìn)行說明而示意性說明半導(dǎo)體發(fā)光器件的截面圖。符號(hào)說明1，1A，IB發(fā)光裝置(半導(dǎo)體發(fā)光器件)2發(fā)光元件3A透明部材(半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材)3B熒光體部(半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材)4a，4b由發(fā)光元件放射出的光的一部分5熒光體部含有的熒光體顆粒、熒光離子、熒光染料等熒光成分所特有的波長光11模塑部12，13引線端子14反射鏡(杯皿部)15導(dǎo)線16絕緣基板16a凹處17印刷配線18框材19密封部19a密封功能部19b透鏡功能部19c凹部19d貫通孔21發(fā)光層部23反射層24補(bǔ)片(^:/7。)33，34熒光體部35固體介質(zhì)36蓋體101杯皿102LED芯片103LED元件具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于以下的實(shí)施方式，實(shí)施時(shí)可以在不脫離其要點(diǎn)的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化。[1]半導(dǎo)體器件用部材本發(fā)明的第一技術(shù)方案的半導(dǎo)體器件用部材具有下述的特性(l)和(2)。特性(l):通過后述的特定的熱減重測定方法(I)測定的熱減重為50重量％以下。特性(2):通過后述的特定的密合性評價(jià)方法(II)測定的剝離率為30%以下。另外，本發(fā)明的第二技術(shù)方案的半導(dǎo)體器件用部材具有上述的特性(1)和下述的特性(3)。特性(3):通過A型硬度計(jì)得到的硬度測定值(肖氏A)為590。下面首先從這些特性(l)、(2)和(3)開始說明。需要說明的是，下面的說明中，不區(qū)分本發(fā)明的第一技術(shù)方案的半導(dǎo)體器件用部材和第二技術(shù)方案的半導(dǎo)體器件用部材時(shí)，簡稱為"本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材"。[1-1]熱減重?zé)釡p重是評價(jià)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的高度耐熱性的指標(biāo)，其通過后述的熱減重測定方法(I)進(jìn)行測定。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的熱減重為50重量％以下，優(yōu)選為40重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為35重量°/。以下。另外，對下限沒有限制，但通常為5重量％以上、優(yōu)選為10重量°/。以上(特性(1))。熱減重過大時(shí)，因半導(dǎo)體器件長期使用，而存在發(fā)生收縮、不能維持初期的特性的可能性。據(jù)認(rèn)為，熱減重變大的要因是例如半導(dǎo)體器件用部材所含有的揮發(fā)性低分子量成分多、形成半導(dǎo)體器件用部材的主鏈成分容易因熱而發(fā)生分解切斷等。另外，熱減重小時(shí)，半導(dǎo)體器件用部材的熱穩(wěn)定性優(yōu)異，但這樣的半導(dǎo)體器件用部材通常含有大量的多官能Si成分，其多為硬的膜。因此，熱減重過小的半導(dǎo)體器件用部材的耐周期加熱性、耐回焊性等差，作為半導(dǎo)體器件用部材是不優(yōu)選的。(熱減重測定方法(I)〕使用10mg上述半導(dǎo)體器件用部材的碎片，利用熱重-差熱測定19(thermogravimetry-differentialthermalanalysis:為了方便起見，下面簡稱為"TG-DTA"。)裝置，在200ml/分鐘的空氣流通下，以1(TC/分鐘的升溫速度從35"C加熱到50(TC，進(jìn)行減重測定。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材要具有上述的特性(l)，滿足例如下述的要件即可。(i)適當(dāng)進(jìn)行材料的選擇即可。其具體例可以舉出，選擇具有后述[1-4-1]中記載的結(jié)構(gòu)的材料或使用后述的[2-1]中記載的原料。(ii)在后述的[2-2]記載的水解-縮聚工序中選擇催化劑即可。(iii)在后述的[2-2]的水解-縮聚工序和/或水解-縮聚物的保存中，進(jìn)行分子量管理即可。密合性密合性評價(jià)用剝離率是評價(jià)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的密合性的指標(biāo)，其通過后述的密合性評價(jià)方法(II)進(jìn)行測定。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的剝離率通常為30%以下，優(yōu)選為20%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10%以下(特性(2))。其中，最優(yōu)選為0%。剝離率過大時(shí)，半導(dǎo)體器件用部材對基板、框材等的密合性和化學(xué)穩(wěn)定性差，存在密封材料容易因溫度沖擊、熱/光/電化學(xué)反應(yīng)而發(fā)生變性-收縮的可能性。因此，有時(shí)半導(dǎo)體器件用部材從基板、框材等處剝離，產(chǎn)生半導(dǎo)體器件的斷線等。另外，特別是半導(dǎo)體發(fā)光器件，有時(shí)在電極部分、反射器表面使用了銀材料，如果密合性發(fā)生降低，則有時(shí)半導(dǎo)體器件用部材從該表面剝離，誘發(fā)半導(dǎo)體發(fā)光器件斷線、不能點(diǎn)亮、輝度降低。(密合性評價(jià)方法(II)〕(1)將半導(dǎo)體器件用部材形成液(后述)滴入直徑為9mm、凹部深度為lmm的表面鍍覆有銀的銅制杯皿中，以規(guī)定的固化條件使其固化，得到半導(dǎo)體器件用部材(下面，在密合性評價(jià)方法(II)的說明中，將該半導(dǎo)體器件用部材稱作"測定用試樣")。(2)在溫度S5'C、濕度85%的氣氛下使得到的測定用試樣吸濕20小時(shí)。(3)用50秒，將吸濕后的測定用試樣由室溫升溫到26(TC后，在260°C保持10秒。需要說明的是，此處的室溫是指20。C25X:。(4)將升溫后的測定用試樣冷卻到室溫，通過目視觀察和顯微鏡觀察，觀察測定用試樣有無從銅制杯皿剝離。即使觀察到稍有剝離，也記作"有剝離"。(5)對10個(gè)測定用試樣分別實(shí)施上述(2)、(3)和(4)的操作，求出上述測定用試樣的剝離率。此外，剝離率是按"發(fā)生了剝離的測定用試樣的個(gè)數(shù)/全部測定試樣的個(gè)數(shù)"計(jì)算出的比例。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材要具有上述的特性(2)，滿足例如下述的要件即可。(i)適當(dāng)進(jìn)行材料的選擇即可。其具體例可以舉出，選擇具有后述[1-4-1]中記載的結(jié)構(gòu)的材料或使用后述的[2-1]中記載的原料。(ii)在后述的[2-2]記載的水解-縮聚工序中選擇催化劑即可。(iii)在后述的[2-2]的水解-縮聚工序和/或水解-縮聚物的保存中，進(jìn)行分子量管理即可。硬度測定值硬度測定值是評價(jià)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的硬度的指標(biāo)，其通過下述的硬度測定方法測定。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選為呈彈性體狀的部材。即，半導(dǎo)體器件中雖然使用熱膨脹系數(shù)不同的二個(gè)以上部材，但由于如上所述，其呈彈性體狀，所以本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材能夠緩和上述各部材的伸縮引起的應(yīng)力。因而，使用中不易出現(xiàn)剝離、裂紋、斷線等，能夠提供耐回焊性和耐溫度周期性優(yōu)異的半導(dǎo)體器件。具體地說，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的利用A型硬度計(jì)測定的硬度測定值(肖氏A)通常為5以上、優(yōu)選為7以上、更優(yōu)選為10以上、并且通常為90以下、優(yōu)選為80以下、更優(yōu)選為70以下(特征(3))。通過具有上述范圍的硬度測定值，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材能夠獲得難以產(chǎn)生裂紋、耐回焊性(Reflow-Resistance)以及耐溫度周期性優(yōu)異的優(yōu)點(diǎn)。(硬度測定方法〕硬度測定值(肖氏A)可以采用JISK6253中記載的方法測定。具體地21說，可以使用古里精機(jī)制作所生產(chǎn)的A型橡膠硬度計(jì)進(jìn)行測定。這樣，本發(fā)明的第一方案的半導(dǎo)體器件用部材具有[1-1]中說明的特性(l)以及[1-2]中說明的特性(2)，由此其成膜性、密合性優(yōu)異，且能夠得到固化后對光-熱的耐久性優(yōu)異的固化物。另一方面，本發(fā)明的第二方案的半導(dǎo)體器件用部材也通過具有[1-1]中說明的特性(l)以及[1-3]中說明的特性(3)，從而其成膜性優(yōu)異，能夠得到固化后對光-熱的耐久性優(yōu)異的固化物。另外，滿足上述全部的特性(l)、(2)和(3)的半導(dǎo)體器件用部材是更優(yōu)選的，其滿足本發(fā)明的第一方案的半導(dǎo)體器件用部材和第二方案的半導(dǎo)體器件用部材這兩個(gè)方面的要件。[1-4]其他物理性質(zhì)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材以上述特性為主要的特征，但優(yōu)選此外還具有下述的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)。[1-4-1]基本骨架現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件用部材是以碳-碳和碳-氧鍵為基本骨架的環(huán)氧樹脂等有機(jī)樹脂，但本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的基本骨架通常是金屬-氧-金屬骨架，并優(yōu)選與玻璃(硅酸鹽玻璃)等相同的無機(jī)質(zhì)硅氧烷骨架(硅氧垸鍵)。由下述表l的化學(xué)鍵的比較表也可知，對于半導(dǎo)體器件用部材來說，硅氧垸鍵具有如下的優(yōu)異特征。(I)鍵能大，難以進(jìn)行熱分解/光分解，所以耐光性良好。(II)有一些電極化。(ni)鏈狀結(jié)構(gòu)的自由度大，可以是可撓性大的結(jié)構(gòu)，可以在硅氧烷鏈中心自由旋轉(zhuǎn)。(IV)氧化度大，不會(huì)被進(jìn)一步氧化。(V)電絕緣性強(qiáng)。表1化學(xué)鍵比較表<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>根據(jù)這些特征，可以將硅氧垸鍵為三維結(jié)構(gòu)且以高交聯(lián)度結(jié)合的骨架所形成的硅酮類半導(dǎo)體器件用部材理解為與環(huán)氧樹脂等現(xiàn)有的樹脂類半導(dǎo)體器件用部材不同的、接近于玻璃或巖石等無機(jī)質(zhì)的、富有耐熱性/耐光性的保護(hù)被膜。尤其是取代基為甲基的硅酮類半導(dǎo)體器件用部材在紫外區(qū)域不具有吸收性，因此不易引起光分解，耐光性優(yōu)異。本發(fā)明半導(dǎo)體器件用部材具有硅氧烷骨架的情況下，硅含量通常為20重量％以上，優(yōu)選為25重量％以上，更優(yōu)選為30重量％以上。另一方面，作為硅含量的上限，由于僅由Si02構(gòu)成的玻璃中的硅含量為47重量。/。，因而硅含量的范圍通常為47重量％以下。但是，在制作高折射率的半導(dǎo)體器件用部材的情況下，由于有時(shí)使其中含有高折射率化所必需的成分，因此硅含量通常為10重量°/。以上，且通常為47重量％以下。此外，關(guān)于半導(dǎo)體器件用部材的上述硅含量，例如使用下述的方法進(jìn)行電感耦合高頻等離子體分光(inductivelycoupledplasmaspectrometry:為了方便起見，下面簡稱為"ICP")分析，基于其結(jié)果計(jì)算出硅含量。(硅含量的測定〕將僅由半導(dǎo)體器件用部材構(gòu)成的固化物粉碎成100pm左右，在鉑坩堝中于大氣中，在45(TC保持1小時(shí)，接著在750'C保持1小時(shí)、在950。C保持1.5小時(shí)來進(jìn)行燒制，除去碳成分之后，在得到的少量殘?jiān)屑尤隝O倍量以上的碳酸鈉，禾U用燃燒器(bumer)加熱，進(jìn)行熔融，并將其冷卻，加入脫鹽水，進(jìn)一步利用鹽酸將pH調(diào)整到中性左右，同時(shí)按照硅達(dá)到幾ppm的程度進(jìn)行定容，進(jìn)行ICP分析。[1-4-2]硅烷醇含量在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材具有硅氧烷骨架的情況下，硅烷醇含量的范圍通常為0.01重量％以上，優(yōu)選為0.1重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.3重量％以上，且通常為12重量％以下，優(yōu)選為8重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為6重量％以下。通常，對于采用垸氧基硅垸作為原料通過溶膠凝膠法所得到的玻璃體來說，在150。C、3小時(shí)左右的溫和的固化條件下不會(huì)完全聚合成為氧化物，會(huì)殘留有一定量的硅垸醇。僅由四烷氧基硅烷得到的玻璃體具有高硬度-高耐光性，但交聯(lián)度高，所以分子鏈的自由度小，不能完全縮合，因而硅烷醇的殘留量多。并且，干燥固化水解-縮合液時(shí)，交聯(lián)點(diǎn)多，所以粘度很快增大，干燥和固化同時(shí)進(jìn)行，因此，成為具有較大變形的塊狀體(bulk)。若將這樣的部材用作半導(dǎo)體器件用部材，則長期使用時(shí)會(huì)因殘留硅烷醇的縮合而產(chǎn)生新的內(nèi)部應(yīng)力，容易發(fā)生裂紋和剝離、斷線等問題。而且，部材的斷裂面上硅垸醇更多，雖然透濕性小，但表面吸濕性高，容易招來水分的滲入。雖然可以通過400。C以上的高溫?zé)苼斫档凸枸己浚蟛糠职雽?dǎo)體器件的耐熱性為26(TC以下，因而該高溫?zé)齐y以實(shí)現(xiàn)。另一方面，本發(fā)明的肖#^件用部材中^^醇^*低，所以具有時(shí)效變化小、長期盼鵬維定性優(yōu)異、吸濕性低的條性能。但是，完全不含麟醇的部材與特##1件的密合瞎，因此，本發(fā)明中，^!I^S雜如J^M的最佳范圍。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材含有適當(dāng)量的硅烷醇，所以硅烷醇與存在于器件表面的極性部分形成氫鍵，表現(xiàn)出密合性。作為極性部分，例如可以舉出羥基、金屬-氧-金屬鍵中的氧等。另外，在適當(dāng)?shù)拇呋瘎┑拇嬖谙逻M(jìn)行加熱時(shí)，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材與器件表面的羥基之間通過脫水縮合形成共價(jià)鍵，能夠表現(xiàn)出更牢固的密合性。另一方面，如上所述，硅垸醇過多時(shí)，體系內(nèi)粘度增加而變得難以涂布，活性變高導(dǎo)致加熱下在低沸成分揮發(fā)前就發(fā)生了固化，因此，出現(xiàn)發(fā)泡、內(nèi)部應(yīng)力增大，存在誘發(fā)裂紋等的可能性。另外，關(guān)于半導(dǎo)體器件用部材的硅垸醇含量，采用例如后述的方法進(jìn)行固體Si-NMR譜測定，根據(jù)來自硅烷醇的峰面積與全部峰面積之比求出構(gòu)成硅垸醇的硅原子在全部硅原子中的比例(％)，與另外分析得到的硅含量進(jìn)行比較，由此計(jì)算出半導(dǎo)體器件用部材的硅烷醇含量?！补腆wSi-NMR譜測定和硅垸醇含量的計(jì)算〕對半導(dǎo)體器件用部材測定固體Si-NMR譜時(shí)，首先在以下的條件下進(jìn)行固體Si-NMR譜測定以及數(shù)據(jù)解析。接著，根據(jù)來自硅烷醇的峰面積相對于全部峰面積的比例，求出構(gòu)成硅烷醇的硅原子與全部硅原子的比(％)，與另外分析得出的硅含量進(jìn)行比較，從而求出硅垸醇含量。此外，測定數(shù)據(jù)的解析(硅烷醇量的解析)以通過使用了例如高斯函數(shù)、洛倫茲函數(shù)的波形分離解析等來劃分提取各峰的方法進(jìn)行?！惭b置條件例〕裝置Chemagnetics社InfinityCMX-400核磁共振分光裝置29Si共振頻率79.436MHz探針7.5mm(|)CP/MAS用探針測定溫度室溫試樣轉(zhuǎn)速4kHz測定法單脈沖法^去偶頻率50kHz29Si觸發(fā)角90°29Si90。脈沖寬5.0|is重復(fù)時(shí)間600s累積次數(shù)128次觀測寬度30kHz展寬因素(Broadeningfactor):20Hz(數(shù)據(jù)處理例〕對于半導(dǎo)體器件用部材，讀取512點(diǎn)作為測定數(shù)據(jù)，零填充(zerofilling)到8192點(diǎn)，進(jìn)行傅立葉變換?！膊ㄐ畏蛛x解析例〕對于傅立葉變換后的波譜的各峰，將通過洛倫茲波形和高斯波形或這兩種波形的混合而得到的峰形狀的中心位置、高度、半值寬度設(shè)為可變參數(shù)，通過非線性最小二乘法進(jìn)行最佳化計(jì)算。另外，峰的鑒定參考AIChEJournal,44(5)，p.1141，1998年等。另外，半導(dǎo)體器件用部材的硅烷醇含量還可通過下述的IR測定來計(jì)算。此處，IR測定雖然容易鑒定硅垸醇峰，但是峰的形狀寬，容易出現(xiàn)面積誤差，進(jìn)行定量時(shí)，操作復(fù)雜，需要精確制作具有一定膜厚的試樣，25因此，在進(jìn)行準(zhǔn)確定量的方面，優(yōu)選采用固體Si-NMR。使用固體Si-NMR對硅烷醇量進(jìn)行測定時(shí)，在下述情況下通過輔助進(jìn)行IR測定能夠確定硅烷醇的濃度，例如在硅垸醇的量非常少而難以檢測的情況、2個(gè)以上的峰重合而難以將硅烷醇的峰分離出來的情況、未知試樣中硅烷醇峰的化學(xué)位移不清楚的情況等?！怖肐R測定來計(jì)算硅烷醇含量)傅禾U葉變換紅夕卜分光》去FourierTransformInfraredSpectroscopy裝置ThermoElectron制造NEXUS670和Nic-Plan分解能4cm"累積次數(shù)64次載氣N2測定例在Si晶片上涂布制作膜厚200pm的薄膜試樣，利用透過法測定每個(gè)Si晶片的紅外吸收光譜，計(jì)算波數(shù)3751cm"和3701cm"的硅烷醇峰的合計(jì)面積。另一方面，作為濃度已知的試樣，將三甲基硅烷醇稀釋到無水四氯化碳中，使用光程長200nm的液體池，利用透過法測定紅外吸收光譜，通過與實(shí)際試樣的峰面積比的比較，能夠計(jì)算出硅垸醇濃度。此外，紅外吸收光譜中，來自吸附于試樣的水的峰會(huì)被作為硅烷醇峰的背景檢測出，所以在測定前，于常壓、150'C加熱20分鐘以上或在IO(TC進(jìn)行10分鐘以上的真空處理，利用此等方法除去試樣薄膜的吸附水?！补柰榇己靠偭亢哇趸靠偭康谋壤硨τ诒景l(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液的硅烷醇含量總量和垸氧基含量總量，以摩爾比計(jì)，優(yōu)選存在的硅烷醇為烷氧基的等量以上。理論上，硅烷醇與烷氧基能夠等量反應(yīng)生成甲醇，形成硅氧垸鍵。所以，存在垸氧基的等量以上的硅烷醇時(shí)，無需依賴來自大氣的水分的供給，僅利用加熱就能進(jìn)行固化縮合，即使在將其涂布于深型的封裝材的情況下，也能得到深部固化性優(yōu)異的半導(dǎo)體器件用部材。此處，相比于烷氧基，存在大量過剩的硅烷醇時(shí)，半導(dǎo)體器件用部材的反應(yīng)活性增高，所以其與半導(dǎo)體器件的表面的密合反應(yīng)性提高，并且抑制了因活性低的烷氧基的殘存所引起的固化不良，能夠減少高溫下保持時(shí)的變形和收縮以及減重。因此，以{烷氧基的數(shù)量/(硅烷醇數(shù)量+烷氧基數(shù)量))xl00(。/。)表示的比例(g卩，能夠進(jìn)行脫水脫醇縮合的未反應(yīng)末端中的烷氧基的存在比)通常為0%以上，且通常為50%以下，優(yōu)選為30%以下、特別優(yōu)選為25%以下。此外，該比例可以通過液體"Si-NMR測定值來求得。為了使該比例在上述的范圍，例如在合成過程充分進(jìn)行原料烷氧基硅垸的水解，將生成的醇確實(shí)地蒸餾除去到體系外，溶劑盡量不使用醇即可。此外，例如為了在含有大量硅垸醇末端的情況下也能得到保存性好的半導(dǎo)體器件用部材形成液，在原料選擇時(shí)，將具有下式(B)表示的結(jié)構(gòu)單元的成分的用量與具有下式(A)表示的結(jié)構(gòu)單元的成分的用量相比，使用摩爾比過量的具有下式(B)表示的結(jié)構(gòu)單元的成分即可。(R!SiO！.5)(A)(上述式(A)中，R^表示有機(jī)基團(tuán)。)((R2)2SiO)(B)(上述式(B)中，f各自獨(dú)立地表示有機(jī)基團(tuán)。)需要說明的是，液體"Si-NMR光譜的測定方法如下所述?！惨后w"Si-NMR光譜的測定方法)進(jìn)行液體29Si-NMR光譜的測定時(shí)，在下述的條件進(jìn)行液體29Si-NMR光譜的測定和數(shù)據(jù)解析。〔試樣條件例〕將50g氖代丙酮、2.5g四甲基硅垸以及1.5g作為緩沖試劑的乙酰丙酮鉻鹽混合，制成X液。將3.0g測定試樣、0.5g上述的X液和1.0g氘代丙酮混合，全部加入lOmm特氟龍(注冊商標(biāo))制試管，供于測定。以2液型市售有機(jī)硅樹脂為例，混合后進(jìn)行測定時(shí)，測定中粘度增加而不能測定，因此，分別單獨(dú)地對混合前的主劑、固化劑進(jìn)行NMR測定，假設(shè)混合后的光譜是單獨(dú)的光譜以混合比例加權(quán)的代數(shù)和來進(jìn)行數(shù)據(jù)計(jì)算。主劑、固化劑各峰的強(qiáng)度以內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)四甲基硅烷的面積為127進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，除去每次測定的誤差的影響。(裝置條件例〕裝置JEOL社JNM-AL400核磁共振分光裝置29Si共振頻率78.50MHz探針AT10探針測定溫度25.0°C試樣轉(zhuǎn)速無旋轉(zhuǎn)測定法單脈沖法PULSDELAYTIME:12.7s累積次數(shù)512次展寬因素l.OHz(波形處理解析例〕對傅利葉變換后的光譜的各峰，根據(jù)峰頂位置求出化學(xué)位移，并進(jìn)行積分。需要說明的是，參考AIChEJournal,44(5)，p.1141，1998年等進(jìn)行峰的鑒定。例如，在對市售有機(jī)硅樹脂的分析中，在-30-40ppm檢測到了來自(-Si-0-)2CH3SiH的氫硅烷基的硅的峰的情況下，將該峰分類為2官能硅。[1-4-3]UV透射率本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材用于半導(dǎo)體發(fā)光器件的情況下，1mm膜厚的半導(dǎo)體器件用部材對半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光波長的透光率通常為80%以上，優(yōu)選為85%以上，進(jìn)一步優(yōu)選為90%以上。通過各種技術(shù)，半導(dǎo)體發(fā)光器件的光取出效率得到了提高，但是用于密封半導(dǎo)體元件和保持熒光體的透光性部材的透明度低時(shí)，使用了該透光性部材的半導(dǎo)體發(fā)光器件的輝度降低，所以難以得到高輝度的半導(dǎo)體發(fā)光器件制品。此處，"半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光波長"根據(jù)半導(dǎo)體發(fā)光器件的種類而為不同的值，一般是指通常為300nm以上、優(yōu)選為350nm以上、并且通常為900nm以下、優(yōu)選為500nm以下的范圍的波長。若該范圍波長下的透光率低，則半導(dǎo)體器件用部材會(huì)吸收光，光取出效率下降，不能得到高輝度的半導(dǎo)體發(fā)光器件。此外，光取出效率下降的這部分的能量變?yōu)闊幔蔀榘雽?dǎo)體發(fā)光器件熱劣化的原因，因而不優(yōu)選。此外，在紫外藍(lán)色區(qū)域(波長300nm500nm)中，密封部材容易發(fā)生光劣化，所以若在于該區(qū)域具有發(fā)光波長的半導(dǎo)體發(fā)光器件中使用耐久性優(yōu)異的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材，則其效果增大，因而優(yōu)選。另外，半導(dǎo)體器件用部材的透光率可以通過例如下述方法，使用按膜厚為lmm進(jìn)行成型的表面平滑的單獨(dú)固化物膜的樣品，利用紫外分光光度計(jì)測定?！餐干渎实臏y定〕采用半導(dǎo)體器件用部材的厚度為約lmm的單獨(dú)固化物膜，其表面平滑，沒有由損傷或凹凸所致的漫反射，使用紫外分光光度計(jì)(島津制作所制造的UV-3100)，在200nm800nm的波長下進(jìn)行透射率測定。其中，半導(dǎo)體發(fā)光器件的形狀各式各樣，大多數(shù)在超過0.1mm的厚膜狀態(tài)下使用，但也存在以薄膜使用的用途，例如，在離開LED芯片(發(fā)光元件)的位置上設(shè)置薄膜狀的熒光體層(例如含有納米熒光體顆?；驘晒怆x子的厚度為數(shù)個(gè)微米的層)的情況、在LED芯片的正上方設(shè)置薄膜狀的高折射光取出膜的情況等。在這樣的情況下，優(yōu)選在該膜厚下顯示出80%以上的透射率。即使在這樣的薄膜狀的應(yīng)用方式中，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材仍顯示出優(yōu)異的耐光性、耐熱性，密封性能優(yōu)異，沒有裂紋等，能夠穩(wěn)定地成膜。[1-4-4]峰面積比本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選滿足如下條件。即，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選在固體Si-核磁共振譜中(化學(xué)位移為-40ppm0ppm的峰的總面積)/(化學(xué)位移小于-40ppm的峰的總面積)之比(為了方便起見，下面稱為"本發(fā)明的峰面積比"灘常為3以上、優(yōu)選為5以上、更優(yōu)選為10以上、并且通常為200以下、優(yōu)選為100以下、更優(yōu)選為50以下。本發(fā)明的峰面積比處于上述范圍時(shí)表示在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材中所具有的2官能硅垸要多于3官能硅垸、4官能硅烷等3官能以上的硅烷。通過像這樣含有較多的2官能以下的硅烷，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材可以呈現(xiàn)為彈性體狀，并能夠緩和應(yīng)力。但是，即使本發(fā)明的峰面積比不滿足上述條件，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材有時(shí)也呈現(xiàn)出彈性體狀。例如將硅以外的金屬的醇鹽等偶聯(lián)劑用作交聯(lián)劑來制作本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的情況等就相當(dāng)于這種情況。用于使本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材呈現(xiàn)為彈性體狀的方法是任意的，不限于關(guān)于本發(fā)明的峰面積比的上述條件。官能團(tuán)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材具有能夠與聚鄰苯二甲酰胺等樹脂、陶瓷或金屬的表面存在的規(guī)定的官能團(tuán)(例如，羥基、金屬-氧-金屬鍵中的氧等)形成氫鍵的官能團(tuán)。半導(dǎo)體器件用的容器(后述的杯皿等。為了方便起見，下面簡稱為"半導(dǎo)體器件容器")通常是用陶瓷或金屬形成的。另外，陶瓷、金屬的表面通常存在羥基。另一方面，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材通常具有能夠與該羥基形成氫鍵的官能團(tuán)。所以，由于上述氫鍵的作用，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材對半導(dǎo)體器件容器的密合性優(yōu)異。作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材所具有的能夠與上述的羥基形成氫鍵的官能團(tuán)，可以舉出例如硅垸醇、烷氧基、氨基、亞氨基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基、硫羥基、環(huán)氧基、醚基、羰基、羧基、磺酸基等。其中，從耐熱性的角度出發(fā)，優(yōu)選硅烷醇基、烷氧基。另外，上述官能團(tuán)可以是1種，也可以是2種以上。此外，如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材是否具有能夠與羥基形成氫鍵的官能團(tuán)可通過固體Si-NMR、固體iH-NMR、紅外線吸收光譜(IR)、拉曼光譜等分光學(xué)方法加以確認(rèn)。[1-4-6]耐熱性本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的耐熱性優(yōu)異。即，具有即使放置在高溫條件下對具有規(guī)定波長的光的透射率也不易變動(dòng)的性質(zhì)。具體地說，在20(TC放置500小時(shí)前后，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材對波長400nm的光的透射率的維持率通常為80%以上，優(yōu)選為90%以上，更優(yōu)選為95%以上，且通常為110%以下，優(yōu)選為105%以下，更優(yōu)選為100%以下。需要說明的是，上述的變動(dòng)比可利用紫外/可見分光光度計(jì)進(jìn)行透射率測定，由此與[1-4-3]中所述的透射率的測定方法同樣地進(jìn)行測定。[1-4-7]耐UV性本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材具有優(yōu)異的耐光性。即，具有即使照射UV(紫外光)對具有規(guī)定波長的光的透射率也難以變動(dòng)的性質(zhì)。具體地說，在以中心波長為380nm、輻射強(qiáng)度為0.4kW/m2的光照射72小時(shí)之前和之后，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材對波長為400nm的光的透射率的維持率通常為80%以上、優(yōu)選為90%以上、更優(yōu)選為95%以上、并且通常為110%以下、優(yōu)選為105%以下、更優(yōu)選為100%以下。需要說明的是，上述的變動(dòng)比可利用紫外/可見分光光度計(jì)進(jìn)行透射率測定，由此與[1-4-3]中所述的透射率的測定方法同樣地進(jìn)行測定。[1-4-8]催化劑殘留量本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材通常是使用含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑制造的。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材中通常殘留有這些催化劑。具體地說，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材中上述的有機(jī)金屬化合物催化劑的含量如下以金屬元素?fù)Q算，通常其含量為0.001重量°/。以上，優(yōu)選為O.Ol重量％以上，更優(yōu)選為0.02重量°/。以上，且通常為0.3重量％以下，優(yōu)選為0.2重量％以下，更優(yōu)選為0.1重量％以下。需要說明的是，上述的有機(jī)金屬化合物催化劑的含量可以通過ICP分析進(jìn)行測定。低沸點(diǎn)成分本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選其TG-mass(熱分解質(zhì)譜圖)中40。C21(TC的范圍的加熱產(chǎn)生的氣體的色譜圖積分面積小。TG-mass用于檢測對半導(dǎo)體器件用部材進(jìn)行升溫時(shí)半導(dǎo)體器件用部材中的低沸點(diǎn)成分，在4(TC210"C的范圍色譜圖積分面積大的情況下，表示成分中存在水、溶劑和3元環(huán)5元環(huán)的環(huán)狀硅氧垸等低沸點(diǎn)成分。這種情況下，(i)低沸點(diǎn)成分增多，固化過程中產(chǎn)生或滲出氣泡，存在與半導(dǎo)體器件容器的密合性降低的可能性；(ii)存在使用時(shí)的產(chǎn)熱導(dǎo)致產(chǎn)生或滲出氣泡等的可能性。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選所述低沸點(diǎn)成分少。31作為抑制本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材中用TG-mass檢測到的上述低沸點(diǎn)成分量的方法，例如可以舉出下述的方法。(i)充分進(jìn)行聚合反應(yīng)等，使低分子量的原料不殘留。例如，如后述"[2]半導(dǎo)體器件用部材的制造方法"那樣將特定的化合物水解-縮聚，以如此得到的縮聚物作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的情況下，在常壓實(shí)施水解-縮聚時(shí)，通常在15'C以上、優(yōu)選在2(TC以上、更優(yōu)選在40。C以上、且通常在140。C以下、優(yōu)選在135。C以下、更優(yōu)選在130。C以下的范圍進(jìn)行水解-縮聚。另外，水解-縮聚反應(yīng)時(shí)間因反應(yīng)溫度的不同而不同，但通常在0.1小時(shí)以上，優(yōu)選在1小時(shí)以上，進(jìn)一步優(yōu)選在3小時(shí)以上，且通常在100小時(shí)以下，優(yōu)選在20小時(shí)以下，進(jìn)一步優(yōu)選在15小時(shí)以下的范圍實(shí)施。進(jìn)行反應(yīng)時(shí)間的調(diào)整時(shí)，優(yōu)選根據(jù)GPC、粘度測定，在進(jìn)行逐次分子量管理的同時(shí)適當(dāng)進(jìn)行調(diào)整。另外，還優(yōu)選進(jìn)行調(diào)整時(shí)考慮升溫時(shí)間。(ii)在聚合反應(yīng)等反應(yīng)工序以外的工序中，有效地除去低沸點(diǎn)成分。例如，如后述"[2]半導(dǎo)體器件用部材的制造方法"那樣，將特定的化合物水解-縮聚，以如此得到的縮聚物作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的情況下，在縮聚反應(yīng)工序后的溶劑蒸餾去除、干燥工序中，在不進(jìn)行縮聚反應(yīng)的條件下除去低沸點(diǎn)成分。具體地說，例如將蒸餾除去溶劑時(shí)的溫度條件設(shè)定為通常為6(TC以上、優(yōu)選為8(TC以上、更優(yōu)選為IOO'C以上、且通常為150。C以下、優(yōu)選為13(TC以下、更優(yōu)選為120'C以下。另外，蒸餾除去溶劑時(shí)的壓力條件通常設(shè)定為常壓。進(jìn)而，根據(jù)需要進(jìn)行減壓，以使蒸餾除去溶劑時(shí)的反應(yīng)液的沸點(diǎn)不會(huì)達(dá)到固化開始溫度(通常為12(TC以上)。另外，在氬氣、氮?dú)狻⒑獾榷栊詺怏w氣氛下進(jìn)行溶劑的蒸餾除去、干燥工序。與其他的部件的組合本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材可以單獨(dú)用作密封材料，但在密封有機(jī)熒光體、容易因氧、水分而劣化的熒光體、半導(dǎo)體發(fā)光器件的情況下，要求更嚴(yán)格地遮斷氧、水分，對于這種用途，可以利用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材實(shí)施熒光體的保持、半導(dǎo)體元件的密封/光取出，并進(jìn)一步在其外側(cè)實(shí)施利用玻璃板、環(huán)氧樹脂等高氣密材料進(jìn)行的氣密密封或?qū)嵤┱婵彰芊?。對該情況下的器件形狀沒有特別限制，只需將由本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材得到的密封體、涂布物或者涂布面用金屬/玻璃/高氣密性樹脂等高氣密材料實(shí)質(zhì)性地保護(hù)起來，阻斷外界的影響，使其處于沒有氧、水分流通的狀態(tài)即可。另外，如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的密合性好，所以能用作半導(dǎo)體發(fā)光器件用粘結(jié)劑。具體地說，例如，在將半導(dǎo)體元件和封裝材粘結(jié)的情況下、將半導(dǎo)體元件和基臺(tái)粘結(jié)的情況下、將封裝材構(gòu)成要件彼此粘結(jié)的情況下、將半導(dǎo)體發(fā)光器件和外部光學(xué)部材粘結(jié)的情況下等情況下，能夠通過進(jìn)行涂布、印刷、澆注等操作來使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的耐光性、耐熱性特別優(yōu)異，所以用作長時(shí)間處于高溫、紫外光下的高功率半導(dǎo)體發(fā)光器件用粘結(jié)劑的情況下，能夠提供能夠耐長期使用的具有高可靠性的半導(dǎo)體發(fā)光器件。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材雖然僅自身就能保證足夠的密合性，但是，為了進(jìn)一步保證密合性，可以對與半導(dǎo)體器件用部材直接相接的表面進(jìn)行用于改善密合性的表面處理。作為這樣的表面處理，例如可以舉出使用底層涂料、硅垸偶聯(lián)劑形成密合改善層；使用酸、堿等試劑的化學(xué)表面處理；使用等離子體照射、離子照射-電子線照射的物理表面處理；利用噴砂、蝕刻-微粒涂布等的粗面化處理等。作為用于改善密合性的表面處理，還可舉出例如日本特開平5-25300號(hào)公報(bào)、稻垣訓(xùn)宏著"表面化學(xué)"Vol.18No.9、pp21曙26、黑崎和夫著"表面化學(xué)"Vol.19No.2、pp44-51(1998)等公開的公知的表面處理方法。[1-4-11]其他本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的形狀和尺寸是任意的，沒有限制。例如，半導(dǎo)體器件用部材用作填充某半導(dǎo)體器件容器內(nèi)部的密封材料時(shí)，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的形狀和尺寸取決于該半導(dǎo)體器件容器的形狀和尺寸。另外，半導(dǎo)體器件用部材形成在某基板的表面時(shí)，其大多數(shù)形成為膜狀，根據(jù)用途任意設(shè)定其尺寸。但是，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的優(yōu)點(diǎn)之一是，在形成為膜狀的情況下，能夠形成厚膜?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體器件用部材厚膜化時(shí)，會(huì)因內(nèi)部應(yīng)力等而產(chǎn)生裂紋等，所以難以厚膜化，但本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材不會(huì)出現(xiàn)這種問題，能夠穩(wěn)定地形成厚膜。具體的范圍可以舉出，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材通常以0.1iam以上的厚度形成，優(yōu)選以10^im以上、更優(yōu)選以100pm以上的厚度形成。此外，對于上限沒有限制，但通常為10mm以下，優(yōu)選為5mm以下，更優(yōu)選為lmm以下。此處，膜的厚度不恒定的情況下，膜的厚度是指該膜的最大厚度部分的厚度。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材密封的半導(dǎo)體器件通常能夠在比以往更長的時(shí)間內(nèi)不產(chǎn)生裂紋和剝離。具體地說，使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材密封半導(dǎo)體發(fā)光器件，對該半導(dǎo)體發(fā)光器件通驅(qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)電流通常為20mA以上，優(yōu)選為350mA以上，在溫度85。C、相對濕度85%的條件下進(jìn)行連續(xù)點(diǎn)亮，該情況下，通常經(jīng)過500小時(shí)以上、優(yōu)選1000小時(shí)以上、更優(yōu)選2000小時(shí)以上后的輝度與剛點(diǎn)亮后的輝度相比沒有發(fā)生降低。另外，對于某些用途，半導(dǎo)體器件用部材還可以含有其他成分。例如，使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材作為半導(dǎo)體發(fā)光器件的構(gòu)成部件等的情況下，還可以在其中含有熒光體、無機(jī)顆粒等。另外，對于此點(diǎn)，將在后面與用途一起進(jìn)行說明。另外，其他成分可以僅使用1種，也可以以任意組合和比例并用2種以上。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材中通常殘存有微量的垸氧基。該末端烷氧基少的半導(dǎo)體器件用部材的用TG-DTA測得的減重少，耐熱性高。半導(dǎo)體器件用部材的制造方法對于制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的方法沒有特別限制，例如，可以通過對后述的通式(l)、通式(2)表示的化合物和/或這些化合物的低聚物進(jìn)行水解-縮聚，對縮聚物(水解-縮聚物)進(jìn)行干燥，由此得到本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。但是，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材優(yōu)選以硅氧垸鍵34為主體，所以優(yōu)選以通式(l)表示的化合物或其低聚物為原料的主體。另外，水解-縮聚物含有溶劑的情況下，可以在進(jìn)行干燥前，事先蒸餾除去溶劑。此外，下面的說明中，將干燥工序前得到的上述水解-縮聚物或含有該水解-縮聚物的組合物稱作半導(dǎo)體器件用部材形成液。所以，通過此處說明的制造方法(為了方便起見，下面稱為"本發(fā)明的制造方法")制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材時(shí)，由該半導(dǎo)體器件用部材形成液經(jīng)干燥工序得到的物質(zhì)就是半導(dǎo)體器件用部材。下面對該半導(dǎo)體器件用部材的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。原料作為原料，使用下述通式(l)表示的化合物(為了方便起見，下面簡稱為"化合物C1)")和/或其低聚物。]VTXnY1『n(1)通式(1)中，M是選自由硅、鋁、鋯以及鈦組成的組中的至少一種元素。其中優(yōu)選硅。通式(1)中，m表示M的價(jià)數(shù)，為14的整數(shù)。并且"m+"表示m為正價(jià)數(shù)。n表示X基團(tuán)的數(shù)目，為14的整數(shù)。其中m》n。在通式(l)中，X是可以被溶液中的水或空氣中的水分等水解而生成反應(yīng)性高的羥基的水解性基團(tuán)，可以任意使用以往公知的基團(tuán)。例如可以舉出C1C5的低級烷氧基、乙酰氧基、丁酮肟基、氯基等。另夕卜，此處Ci(i為自然數(shù))的標(biāo)記表示碳原子數(shù)為i個(gè)。進(jìn)而，X可以為羥基。并且，這些水解性基團(tuán)可以單獨(dú)使用1種，也可以以任意的組合和比例并用2種以上。其中，從反應(yīng)后游離的成分為中性方面考慮，優(yōu)選C1C5的低級垸氧基。特別是從反應(yīng)性高、游離的溶劑為輕沸溶劑的方面考慮，優(yōu)選甲氧基或乙氧基。此外，在通式(l)中，X為乙酰氧基或氯基的情況下，水解反應(yīng)后乙酸或鹽酸游離，因此，對半導(dǎo)體器件用部材要求絕緣性時(shí)，優(yōu)選增加除去酸成分的工序。在通式(l)中，^可以任意選擇作為所謂硅烷偶聯(lián)劑的1價(jià)有機(jī)基團(tuán)公知的基團(tuán)來使用。其中，在本發(fā)明中，作為通式(i)中的^特別有用的有機(jī)基團(tuán)是指選自下面的yq所表示的組(有用有機(jī)基團(tuán)組)中的有機(jī)基團(tuán)。此外，為了提高與構(gòu)成半導(dǎo)體器件的其它材料的親合性和密合性、以及調(diào)整半導(dǎo)體器件用部材的折射率等，可以適當(dāng)選擇其它有機(jī)基團(tuán)?！从杏糜袡C(jī)基團(tuán)組yG〉yq:由脂肪族化合物、脂環(huán)式化合物、芳香族化合物、脂肪芳香族化合物衍生的i價(jià)以上的有機(jī)基團(tuán)。并且，屬于組y0的有機(jī)基團(tuán)的碳原子數(shù)通常為i以上、并且通常為1000以下、為500以下、更為100以下、進(jìn)一步,為50以下。而且，屬于組Y0的有機(jī)基團(tuán)所具有的氫原子中至少一部分可以被下面示例的原子和/或有機(jī)官能團(tuán)等取代基所取代。此時(shí)，屬于組Y^的有機(jī)基團(tuán)所具有的氫原子之中的多個(gè)氫原子可以被下述取代基所取代，這種情況下，可以通過選自下面所示的取代基中的1種或2種以上的組合進(jìn)行取代。作為可以取代屬于組Yn的有機(jī)基團(tuán)中的氫原子的取代基的例子，可以舉出F、Cl、Br、I等原子；乙烯基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、苯乙烯基、巰基、環(huán)氧基、環(huán)氧環(huán)己基、環(huán)氧丙氧基、氨基、氰基、硝基、磺酸基、羧基、羥基、?；⑼檠趸啺被?、苯基等有機(jī)官能團(tuán)等。另外，在上述全部情況下，在可以取代屬于組￥°的有機(jī)基團(tuán)所具有的氫原子的取代基中，對于有機(jī)官能團(tuán)，該有機(jī)官能團(tuán)所具有的氫原子的至少一部分可以被F、Cl、Br、I等鹵原子等所取代。其中，作為可以取代屬于組￥°的有機(jī)基團(tuán)中的氫的取代基所示例的基團(tuán)中，有機(jī)官能團(tuán)是容易導(dǎo)入的基團(tuán)的一例，可以根據(jù)使用目的，導(dǎo)入其它各種具有物理化學(xué)功能性的有機(jī)官能團(tuán)。并且，屬于組￥°的有機(jī)基團(tuán)可以是在基團(tuán)中具有0、N或S等各種原子或原子團(tuán)作為連接基團(tuán)的有機(jī)基團(tuán)。通式(l)中，Y1可以根據(jù)其目的從上述的屬于有用有機(jī)基團(tuán)組YG的有機(jī)基團(tuán)等中選擇各種基團(tuán)，從耐紫外線性、耐熱性優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選以甲基為主體。作為上述化合物(l)的具體例，對于M為硅的化合物來說，可以舉出例如二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、？氨基丙基三甲氧基硅垸、，環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、，環(huán)氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、P-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三乙氧基硅烷、，(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙酰氧基硅烷、，巰基丙基三甲氧基硅烷、，氯丙基三甲氧基硅垸、(3-氰基乙基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅垸、甲基三丙氧基硅垸、甲基三丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅垸、乙基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅垸、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷、二甲基二氯硅烷、二苯基二氯硅垸、甲基苯基二甲氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅垸、三甲基氯硅垸、甲基三氯硅垸、Y-氨基丙基三乙氧基硅浣、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、對氨基苯基三甲氧基硅垸、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、氨基乙基氨基甲基苯乙基三甲氧基硅垸、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅垸、2-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅垸、N-(6-氨基己基)氨基丙基三甲氧基硅垸、3-氯丙基三甲氧基硅垸、3-氯丙基三氯硅垸、(對氯甲基)苯基三甲氧基硅垸、4-氯苯基三甲氧基硅垸、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、苯乙烯基乙基三甲氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅垸、乙烯基三氯硅垸、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、三氟丙基三甲氧基硅垸等。另外，化合物(l)中，作為M為鋁的化合物，可以舉出例如三異丙醇鋁、三正丁醇鋁、三叔丁醇鋁、三乙醇鋁等。另夕卜，化合物(l)中，作為M為鋯的化合物，可以舉出例如四甲醇鋯、四乙醇鋯、四正丙醇鋯、四異丙醇鋯、四正丁醇鋯、四異丁醇鋯、四叔丁醇鋯、二甲基丙烯酸二丁醇鋯等。此外，化合物(l)中，作為M為鈦的化合物，可以舉出例如四異丙醇鈦、四正丁醇鈦、四異丁醇鈦、甲基丙烯酸三異丙醇鈦、四甲氧基丙醇鈦、四正丙醇鈦、四乙醇鈦等。其中，這些具體示例的化合物是容易得到的市售的偶聯(lián)劑的一部分，更詳細(xì)地說，例如可以為科學(xué)技術(shù)綜合研究所發(fā)行的"偶聯(lián)劑最佳利用技術(shù)"第9章的偶聯(lián)劑以及相關(guān)產(chǎn)品一覽表舉出的偶聯(lián)劑。當(dāng)然，能夠在本發(fā)明中使用的偶聯(lián)劑不限于這些示例。另外，下述通式(2)表示的化合物(為了方便起見，下面稱為"化合物(2)")和/或其低聚物也可以與上述化合物(l)和/或其低聚物同樣地進(jìn)行使用。.(MUU!)uY2(2)在通式(2)中，M、X以及V分別獨(dú)立地表示與通式(1)相同的基團(tuán)。尤其是作為Y1，與通式(l)的情況相同，可以根據(jù)其目的從上述的屬于有用有機(jī)基團(tuán)組YG的有機(jī)基團(tuán)等中選擇各種基團(tuán)，從耐紫外線性、耐熱性優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選以甲基為主體。并且，通式(2)中，s表示M的價(jià)數(shù)，為24的整數(shù)。而且，"s+"表示s為正整數(shù)。此外，通式(2)中，YZ表示u價(jià)有機(jī)基團(tuán)。其中，u表示2以上的整數(shù)。因此，在通式(2)中，￥2可以任意選擇使用作為所謂的硅垸偶聯(lián)劑的有機(jī)基團(tuán)公知的基團(tuán)中2價(jià)以上的基團(tuán)。并且，通式(2)中，t表示ls-l的整數(shù)。其中t《s。作為上述化合物(2)的例子，可以舉出在各種有機(jī)聚合物或低聚物上結(jié)合有多個(gè)水解性甲硅垸基作為側(cè)鏈的化合物、在硅氧垸聚合物上通過亞甲基鏈等有機(jī)連接基團(tuán)結(jié)合有水解性甲硅烷基的化合物以及在分子的2個(gè)以上的末端結(jié)合有水解性甲硅烷基的化合物等。下面舉出上述化合物(2)的具體例及其產(chǎn)品名。二(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物38(信越化學(xué)制、KBE-846)2-二乙氧基甲基乙基甲硅烷基二甲基-2-呋喃基硅垸(信越化學(xué)制、LS-7740)N，N，-雙[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺(chisso制、Sila-AceXS1003)N-縮水甘油基-N,N-二[3-(甲基二甲氧基甲硅烷基)丙基]胺(東芝有機(jī)硅制、TSL8227)N-縮水甘油基-N，N-二[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]胺(東芝有機(jī)硅制、TSL8228)N，N-雙[(甲基二甲氧基甲硅烷基)丙基]胺(東芝有機(jī)硅制、TSL8206)N，N-雙[3-(甲基二甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺(東芝有機(jī)硅制、TSL8212)N,N-雙[(甲基二甲氧基甲硅烷基)丙基]甲基丙烯酰胺(東芝有機(jī)硅制、TSL8213)N，N-雙[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]胺(東芝有機(jī)硅制、TSL8208)N，N-雙[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺(東芝有機(jī)硅制、TSL8214)N,N-雙[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]甲基丙烯酰胺(東芝有機(jī)硅制、TSL821》N,N，，N"-三[3-(三甲氧基甲硅垸基)丙基]異氰脲酸酯(HYDRUS化學(xué)制、12267-1)1,4-二羥基二甲基甲硅垸基苯(信越化學(xué)制、LS-7325)合成化合物(2)時(shí)，可以經(jīng)由水解-縮聚以外的公知的合成方法進(jìn)行合成。例如可以利用氫甲硅烷基化反應(yīng)在具有SiH基的聚二甲基硅氧烷鏈上加成縮聚含有乙烯基的烷氧基硅烷，引入水解性甲硅烷基；使乙烯基三烷氧基硅垸與丙烯酸單體、乙烯基單體共聚，引入水解性甲硅垸基。這種情況下，有時(shí)體系內(nèi)殘留有來自化合物(2)合成過程的未反應(yīng)殘基和催化劑，所以優(yōu)選將未反應(yīng)殘基和催化劑降低到不損害半導(dǎo)體器件用部材性能這樣程度的少量。具體地說，可以使用固定化催化劑，在反應(yīng)后進(jìn)行除去；或者將催化劑濃度設(shè)定為進(jìn)行反應(yīng)所需的最低濃度。作為原料，可以使用化合物(l)、化合物(2)和/或它們的低聚物。艮卩，在本發(fā)明的制造方法中，作為原料，可以使用化合物(l)、化合物(l)的低聚物、化合物(2)、化合物(2)的低聚物、以及化合物(1)和化合物(2)的低聚物中的任意一種。另外，作為原料，使用化合物(1)的低聚物或化合物(2)的低聚物時(shí)，該低聚物的分子量是任意的，只要能夠得到本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材即可，但通常為400以上。此處，若將化合物(2)和/或其低聚物用作主原料，則體系內(nèi)的主鏈結(jié)構(gòu)為有機(jī)鍵主體，耐久性有可能劣化。因此，優(yōu)選使用最小限度的使用量的化合物(2)，從而提供功能性，例如主要是賦予密合性、調(diào)整折射率、控制反應(yīng)性、賦予無機(jī)顆粒分散性等。同時(shí)使用化合物(l)和/或其低聚物(來源于化合物(l)的成分)、以及化合物(2)和/或其低聚物(來源于化合物(2)的成分)時(shí)，原料的總重量中來源于化合物(2)的成分的使用量的比例通常為30重量％以下、優(yōu)選為20重量％以下、更優(yōu)選為10重量°/。以下。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液和半導(dǎo)體器件用部材的制造方法中，將化合物(1)或化合物(2)的低聚物用作原料的情況下，可以預(yù)先準(zhǔn)備低聚物，也可以在制造工序中制備低聚物。即，將化合物(l)或化合物(2)這類單體作為原料，在制造工序中先將該單體制備成低聚物，使該低聚物進(jìn)行后面的反應(yīng)。另外，低聚物只要是具有與由化合物(1)或化合物(2)這樣的單體得到的低聚物相同的結(jié)構(gòu)即可，可以使用具有這樣的結(jié)構(gòu)的市售品。作為所述低聚物的具體例，例如可以舉出下述例子。<僅由2官能硅構(gòu)成的低聚物的例子>GE東芝有機(jī)硅社制造的羥基末端二甲基聚硅氧烷中可以舉出例如XC96-723、XF3905、YF3057、YF3800、YF3802、YF3807、YF3897等。GE東芝有機(jī)硅社制造的羥基末端甲基苯基聚硅氧垸中可以舉出例40如YF3804等。Gelest社制造的兩末端硅烷醇聚二甲基硅氧烷中可以舉出例如DMS-S12、DMS-S14等。Gelest社制造的兩末端硅烷醇二苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物中可以舉出例如PDS-1615。Gelest社制造的兩末端硅烷醇聚二苯基硅氧烷中可以舉出例如PDS-9931。<含3官能以上的硅的低聚物的例子>信越化學(xué)工業(yè)制造的硅酮烷氧基低聚物(甲基/甲氧基型)中可以舉出例如KC-89S、KR-500、X-40-9225、X-40-9246、X-40-9250等。信越化學(xué)工業(yè)制造的硅酮烷氧基低聚物(苯基/甲氧基型)中可以舉出例如KR-217等。信越化學(xué)工業(yè)制造的硅酮烷氧基低聚物(甲基苯基/甲氧基型)中可以舉出例如KR-9218、KR-213、KR-510、X-40-9227、X-40-9247等。這些之中，僅由2官能硅構(gòu)成的低聚物賦予本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材柔軟性的效果大，但是僅利用2官能硅時(shí)，機(jī)械強(qiáng)度容易不足。因此，通過與由3官能以上的硅構(gòu)成的單體或者含有3官能以上的硅的低聚物同時(shí)聚合，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材能夠得到作為密封材料有用的機(jī)械強(qiáng)度。另外，具有硅垸醇作為反應(yīng)性基團(tuán)的化合物具有無需事先進(jìn)行水解并且無需使用醇等溶劑作為用于添加水的相溶化劑的優(yōu)點(diǎn)。需要說明的是，使用具有垸氧基的低聚物的情況下，與使用具有烷氧基的單體作為原料的情況相同，需要用于水解的水。另外，作為原料，可以僅使用這些化合物(l)、化合物(2)以及它們的低聚物中的1種，也可以以任意的組合和組成混合兩種以上來使用。此外，還可以使用預(yù)先水解了的(即，通式(l)、(2)中X為OH基)化合物(1)、化合物(2)及其低聚物。但是，在本發(fā)明中，作為原料，需要使用至少一種以上含有硅作為M且具有至少一個(gè)有機(jī)基團(tuán)Y1或有機(jī)基團(tuán)Y2的化合物(l)、化合物(2)及其低聚物(包括經(jīng)水解的低聚物)。并且，體系內(nèi)的交聯(lián)優(yōu)選主要由以硅氧垸鍵為首的無機(jī)成分形成，因此，同時(shí)使用化合物(1)和化合物(2)的情況下，優(yōu)選以化合物(l)為主體。并且，為了得到以硅氧烷鍵為主體的半導(dǎo)體器件用部材，優(yōu)選將化合物(l)和/或其低聚物用作原料的主體。而且，更優(yōu)選這些化合物(l)的低聚物和/或化合物(2)的低聚物以主體為2官能的組成構(gòu)成。特別優(yōu)選將該化合物(l)的低聚物和/或化合物(2)的低聚物的2官能單元作為2官能低聚物使用。此外，將化合物(l)的低聚物和/或化合物(2)的低聚物中的2官能的低聚物(為了方便起見，下面稱為"2官能成分低聚物")作為主體使用時(shí)，這些2官能成分低聚物的使用量相對于原料的總重量(即，化合物(l)、化合物(2)、及其低聚物的重量之和)通常為50重量％以上、優(yōu)選為60重量%以上、更優(yōu)選為70重量％以上。此外，用量的上限通常為97重量％。這是因?yàn)椋瑢?官能成分低聚物作為原料主體使用是能夠通過本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的制造方法來容易地制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的要因之一。下面詳細(xì)說明將2官能成分低聚物用作原料主體所產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)。例如，在通過現(xiàn)有的溶膠凝膠法制造的半導(dǎo)體器件用部材中，使其原料水解以及縮聚得到的水解-縮聚物(包括涂布液(水解液)中含有的物質(zhì)等)具有高反應(yīng)活性。因此，若不利用醇等溶劑稀釋該水解-縮聚物，則發(fā)生體系內(nèi)的聚合，立即固化，因而難以進(jìn)行成型或處理。例如，以往不利用溶劑進(jìn)行稀釋時(shí)，即使溫度為4(TC50。C左右也會(huì)固化。因此，為了確保水解后得到的水解-縮聚物的處理性，必須在水解-縮聚物中共存溶劑。并且，若在水解-縮聚物中共存有溶劑的狀態(tài)下進(jìn)行水解-縮聚物的干燥和固化，則除需要考慮固化時(shí)脫水縮合引起的收縮之外，還要考慮脫溶劑引起的收縮(脫溶劑收縮)。因此，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，固化物的內(nèi)部應(yīng)力容易增大，易產(chǎn)生由該內(nèi)部應(yīng)力所致的裂紋、剝離、斷線等。此外，當(dāng)為了緩和上述的內(nèi)部應(yīng)力而使半導(dǎo)體器件用部材柔軟化時(shí)，若為了該目的而使用大量2官能成分單體作為原料，則縮聚物中的低沸環(huán)狀物有可能增多。由于低沸環(huán)狀物在固化時(shí)揮發(fā)，所以若低沸環(huán)狀物增多，則重量收率下降。并且，有時(shí)低沸環(huán)狀物還從固化物中揮發(fā)，成為產(chǎn)生應(yīng)力的原因。而且，含有較多低沸環(huán)狀物的半導(dǎo)體器件用部材的耐熱性有可能降低。根據(jù)這些理由，以往難以獲得作為性能良好的彈性體狀固化體的半導(dǎo)體器件用部材。相對于此，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的制造方法中，采用將2官能成分預(yù)先在其它體系中(即，不參與水解-縮聚工序的體系中)低聚物化并蒸餾除去了不具有反應(yīng)性末端的低沸雜質(zhì)后的物質(zhì)用作原料。因此，即使使用較多的2官能成分(S卩，上述的2官能成分低聚物)，這些低沸雜質(zhì)也不會(huì)揮發(fā)，能夠?qū)崿F(xiàn)固化物重量收率的提高，并且能夠得到性能良好的彈性體狀固化物。此外，通過將2官能成分低聚物用作主原料，能夠抑制水解-縮聚物的反應(yīng)活性。據(jù)推測其原因?yàn)樗?縮聚物的立體障礙和電子效果、以及與使用2官能成分低聚物相伴的硅烷醇末端量的減少。通過抑制反應(yīng)活性，即使不共存有溶劑，水解-縮聚物也不會(huì)固化，因此，能夠?qū)⑺?縮聚物形成為一液型且為無溶劑體系的水解-縮聚物。并且，水解-縮聚物的反應(yīng)活性下降，因而與以往相比，能夠提高固化起始溫度。因此，在水解-縮聚物中共存有水解-縮聚物的固化起始溫度以下的溶劑的情況下，干燥水解-縮聚物時(shí)，在水解-縮聚物開始固化之前，溶劑揮發(fā)。由此，即使使用了溶劑，也能夠抑制因脫溶劑收縮而產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力。水解-縮聚工序在本發(fā)明中，首先使上述的化合物(l)、化合物(2)、和/或它們的低聚物進(jìn)行水解-縮聚反應(yīng)(水解-縮聚工序)。該水解-縮聚反應(yīng)可以采用公知的方法進(jìn)行。另外，在不區(qū)分化合物(l)、化合物(2)、及其低聚物的情況下，為了方便起見，下文中將其稱作"原料化合物"。根據(jù)下述式(3)所示的反應(yīng)式，為了進(jìn)行原料化合物的水解-縮聚反應(yīng)而使用的水的理論量為體系內(nèi)的水解性基團(tuán)的總量的1/2摩爾比。2X三Si—X+H20—三Si—Q一Si三+2XXH(3)43另外，上述式(3)是以通式(1)、(2)的M為硅的情況為例表示的。并且"三Si"以及"Si="是省略硅原子所具有的4個(gè)結(jié)合鍵之中的3個(gè)來表示的。本說明書中，以該水解時(shí)所需的水的理論量、即相當(dāng)于水解性基團(tuán)的總量的1/2摩爾比的水量為基準(zhǔn)(水解率100%)，水解時(shí)使用的水量用相對于該基準(zhǔn)量的百分比即"水解率"來表示。本發(fā)明中，以上述的水解率表示為了進(jìn)行水解-縮聚反應(yīng)而使用的水量時(shí)，該量優(yōu)選通常為80%以上、優(yōu)選為100%以上的范圍。水解率小于該范圍時(shí)，水解-聚合不充分，所以在固化時(shí)原料可能揮發(fā)、固化物的強(qiáng)度可能不充分。另一方面，水解率大于200°/。時(shí)，有時(shí)固化中途的體系內(nèi)始終殘留有游離的水，半導(dǎo)體元件或熒光體因水分而劣化，或者杯皿部吸水，成為固化時(shí)的發(fā)泡、裂紋、剝離的原因。但是，水解反應(yīng)中重要的是利用100%附近以上(例如80%以上)的水進(jìn)行水解-縮聚，若在涂布前增加除去游離水的工序，則超過200%的水解率是可以應(yīng)用的。該情況下，若使用過多量的水，則應(yīng)除去的水量和作為相溶劑使用的溶劑的量增加，濃縮工序煩瑣，或是縮聚過度，部材的涂布性能下降，因此，優(yōu)選水解率的上限在通常為500%以下、優(yōu)選為300%以下、更優(yōu)選為200%以下的范圍。對原料化合物進(jìn)行水解-縮聚時(shí)，優(yōu)選使體系中共存催化劑等促進(jìn)水解-縮聚。該情況下，作為所用的催化劑，例如可以使用乙酸、丙酸、丁酸等有機(jī)酸；硝酸、鹽酸、磷酸、硫酸等無機(jī)酸；有機(jī)金屬化合物催化劑等。其中，用作與半導(dǎo)體器件直接相接的部分中使用的部材時(shí)，優(yōu)選使用對絕緣特性影響少的有機(jī)金屬化合物催化劑。此處，有機(jī)金屬化合物催化劑不是僅指由有機(jī)基團(tuán)和金屬原子直接結(jié)合所形成的狹義有機(jī)金屬化合物構(gòu)成的催化劑，而是指由包括有機(jī)金屬絡(luò)合物、金屬醇鹽、有機(jī)酸和金屬的鹽等的廣義有機(jī)金屬化合物構(gòu)成的催化劑。有機(jī)金屬化合物催化劑中，優(yōu)選含有選自鋯、鉿、錫、鋅和鈦的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑，更優(yōu)選含有鋯的有機(jī)金屬化合物催化劑。關(guān)于其具體例，作為含有鋯的有機(jī)金屬化合物催化劑的例子，可以舉出四乙酰丙酮酸鋯、三丁氧基乙酰丙酮酸鋯、二丁氧基二乙酰丙酮酸鋯、四正丙醇鋯、四異丙醇鋯、四正丁醇鋯、酰基化鋯(、7""-二々A7)"一卜)、三丁氧基硬脂酸鋯等。另外，作為含有鉿的有機(jī)金屬化合物催化劑的例子，可以舉出四乙酰丙酮酸鉿、三丁氧基乙酰丙酮酸鉿、二丁氧基二乙酰丙酮酸鉿、四正丙醇鉿、四異丙醇鉿、四正丁醇鉿、?；x(八7二々厶7^"—卜)、三丁氧基硬脂酸鉿等。另外，作為含有鈦的有機(jī)金屬化合物催化劑的例子，可以舉出四異丙醇鈦、四正丁醇鈦、鈦酸丁酯二聚物、鈦酸四辛酯、乙酰丙酮絡(luò)鈦、辛二醇鈦、乙基乙酰乙酸鈦等。另外，作為含有鋅的有機(jī)金屬化合物催化劑的例子，可以舉出硬脂酸鋅、辛酸鋅、2-乙基己酸鋅、三乙酰丙酮酸鋅。另外，作為含有錫的有機(jī)金屬化合物催化劑的例子，可以舉出四丁基錫、單丁基三氯化錫、二丁基二氯化錫、氧化二丁錫、四辛基錫、二辛基二氯化錫、氧化二辛基錫、四甲基錫、月桂酸二丁基錫、月桂酸二辛基錫、二(2-乙基己酸)錫、二(新癸酸)錫、二正丁基二(乙基己基蘋果酸)錫、二正丁基二(2，4-戊二酸)錫、二正丁基丁氧基氯錫、二正丁基二乙酰氧基錫、二正丁基二(月桂酸)錫、二甲基二新癸酸錫等。此外，這些有機(jī)金屬化合物催化劑可以單獨(dú)使用一種，也可以以任意組合和比例并用2種以上。通過使用上述的優(yōu)選的有機(jī)金屬化合物催化劑，在對原料化合物進(jìn)行水解-縮聚時(shí)，能夠抑制副產(chǎn)物低分子環(huán)狀硅氧烷的生成，以高的成品率合成半導(dǎo)體器件用部材形成液。另外，通過使用該有機(jī)金屬化合物催化劑，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材滿足上述[1-1]說明的特性(l)的范圍，能夠?qū)崿F(xiàn)高的耐熱性。其原因尚不清楚，據(jù)認(rèn)為，上述有機(jī)金屬化合物并不僅僅是簡單地作為催化劑促進(jìn)原料化合物的水解-縮聚反應(yīng)，其還可以暫時(shí)與水解-縮聚物及其固化物的硅垸醇末端發(fā)生結(jié)合/解離，由此調(diào)整含有硅烷醇的聚硅氧垸的反應(yīng)性，具有在高溫條件下(i)防止有機(jī)基團(tuán)的氧化、(ii)防止聚合物間不必要的交聯(lián)、(iii)防止主鏈的切斷等的作用。下面對這些作用(i)(iii)進(jìn)行說明。關(guān)于(i)防止有機(jī)基團(tuán)的氧化方面，據(jù)推測，由于熱的作用，例如在甲基上產(chǎn)生了自由基，此時(shí)，有機(jī)金屬化合物催化劑的過渡金屬具有補(bǔ)充自由基的效果。另一方面，通過補(bǔ)充自由基，該過渡金屬自身失去了離子價(jià)數(shù)，從而防止了有機(jī)基團(tuán)與氧發(fā)生作用而被氧化。其結(jié)果抑制了半導(dǎo)體器件用部材的劣化。關(guān)于(ii)防止聚合物間不必要的交聯(lián)方面，據(jù)推測，例如甲基被氧分子氧化而變成甲醛，生成了結(jié)合在硅原子上的羥基。如此形成的羥基之間發(fā)生脫水縮合時(shí)，在聚合物間出現(xiàn)交聯(lián)點(diǎn)，隨著這樣的交聯(lián)點(diǎn)的增加，本來是橡膠狀的半導(dǎo)體器件用部材存在變硬、變脆的可能性。但是，有機(jī)金屬化合物催化劑通過與硅烷醇基結(jié)合，由此能夠防止熱分解引起的交聯(lián)的進(jìn)行。關(guān)于(m)防止主鏈的切斷等方面，據(jù)推測，通過有機(jī)金屬化合物催化劑與硅烷醇結(jié)合，抑制了硅烷醇的分子內(nèi)攻擊引起的聚合物主鏈的切斷和由于生成環(huán)狀硅氧烷而導(dǎo)致的熱減重，提高了耐熱性。有機(jī)金屬化合物催化劑的優(yōu)選的混配量是根據(jù)所使用的催化劑的種類適當(dāng)選擇的，相對于進(jìn)行水解-縮聚的原料的總重量，該混配量通常為0.01重量％以上，優(yōu)選為0.05重量°/。以上，進(jìn)一步優(yōu)選為o.i重量％以上，且通常為5重量％以下，優(yōu)選為2重量％以下，特別優(yōu)選為1重量％以下。有機(jī)金屬化合物催化劑過少時(shí)，固化所需時(shí)間過多，存在由于固化不充分而不能得到足夠的機(jī)械強(qiáng)度、耐久性的可能性。另一方面，有機(jī)金屬化合物催化劑過多時(shí)，固化過快，難以控制作為固化物的半導(dǎo)體器件用部材的物理性質(zhì)，或是催化劑不能溶解分散而析出，有損半導(dǎo)體器件用部材的透明度，或是催化劑自身帶入的有機(jī)物量增多，得到的半導(dǎo)體器件用部材在高溫使用時(shí)發(fā)生著色。這些有機(jī)金屬催化劑可以在水解-縮合時(shí)一次性混合到原料體系中，也可以分批混合。另外，水解-縮聚時(shí)可以使用溶劑以溶解催化劑，也可直接將催化劑溶解到反應(yīng)液中。但是，用作半導(dǎo)體發(fā)光器件用形成液時(shí)，為了防止固化時(shí)的發(fā)泡、因熱引起的著色，優(yōu)選在水解-縮聚工序后嚴(yán)格地蒸餾除去上述的溶劑。此外，催化劑是固體時(shí)，催化劑的溶解度低，溶解不充分就直接升溫時(shí)，局部發(fā)生不均勻反應(yīng)，有時(shí)體系內(nèi)出現(xiàn)混濁，或是生成透明凝膠狀的不溶物。為了防止這種情況，均勻地進(jìn)行反應(yīng)，可以(i)用研缽將催化劑顆粒粉碎到幾十幾百微米，使其容易溶解，或(ii)為了溶解催化劑，將混合了催化劑的樹脂組合物于3(TC5(TC在攪拌下進(jìn)行預(yù)加熱，催化劑溶解后升溫到反應(yīng)溫度。另外，混合活性不同的硅氧烷原料時(shí)，可以在活性低的成分中混合催化劑，催化劑溶解后再與活性最高的成分混合。水解-縮聚反應(yīng)時(shí)體系內(nèi)發(fā)生分液而處于不均勻的情況下，可以使用溶劑。作為溶劑，可以任意使用例如C1C3的低級醇類、二甲基甲酰胺、二甲亞砜、丙酮、四氫呋喃、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁酮、甲苯、水等，其中，從不會(huì)對水解-縮聚帶來不良影響的原因出發(fā)，優(yōu)選不顯示出強(qiáng)酸性或強(qiáng)堿性的溶劑。溶劑可以單獨(dú)使用1種，但也可以以任意組合和比例合用2種以上。溶劑使用量可以自由選擇，但由于多數(shù)情況下涂布到半導(dǎo)體器件時(shí)需要除去溶劑，因此優(yōu)選溶劑使用量為必要最低限度的量。并且，為了易于除去溶劑，優(yōu)選沸點(diǎn)為IOO'C以下、更優(yōu)選沸點(diǎn)為80'C以下的溶劑。另外，即使不從外部添加溶劑，通過水解反應(yīng)也會(huì)生成醇等溶劑，所以有時(shí)即使在反應(yīng)開始時(shí)不均勻，反應(yīng)中也會(huì)變均勻。上述原料化合物的水解-縮聚反應(yīng)在常壓下實(shí)施時(shí)，在通常15'C以上、優(yōu)選20。C以上、更優(yōu)選40。C以上、并且通常140。C以下、優(yōu)選135。C以下、更優(yōu)選13(TC以下的范圍進(jìn)行。也可以通過在加壓下維持液相，從而在更高溫度下進(jìn)行，但優(yōu)選不超過15(TC。水解-縮聚反應(yīng)時(shí)間根據(jù)反應(yīng)溫度而不同，通常在0.1小時(shí)以上、優(yōu)選1小時(shí)以上、進(jìn)一步優(yōu)選3小時(shí)以上、且通常在100小時(shí)以下、優(yōu)選20小時(shí)以下、進(jìn)一步優(yōu)選15小時(shí)以下的范圍實(shí)施。反應(yīng)時(shí)間的調(diào)整優(yōu)選在進(jìn)行分子量管理的同時(shí)適當(dāng)進(jìn)行。在以上的水解-縮聚條件中，若時(shí)間縮短或溫度過低，則存在因水解-47聚合不充分而在固化時(shí)原料發(fā)生揮發(fā)或者固化物的強(qiáng)度不充分的可能性。并且，若時(shí)間增長或溫度過高，則聚合物的分子量增大，體系內(nèi)的硅垸醇量減少，涂布時(shí)產(chǎn)生密合性不良或過早固化，導(dǎo)致固化物的結(jié)構(gòu)不均勻，容易產(chǎn)生裂紋。鑒于上述傾向，優(yōu)選根據(jù)所希望的物性值來選擇適宜的條件。上述水解-縮聚反應(yīng)結(jié)束后，直到使用前將所得到的水解-縮聚物在室溫以下進(jìn)行保管，但在此期間水解-縮聚物也會(huì)慢慢進(jìn)行縮聚，因而特別是在作為厚膜狀的部材使用的情況下，優(yōu)選從通過上述加溫進(jìn)行的水解-縮聚反應(yīng)結(jié)束的時(shí)刻算起，通常在室溫保管60日以內(nèi)、優(yōu)選在30日以內(nèi)、更優(yōu)選在15日以內(nèi)供于使用。可以根據(jù)需要在不結(jié)凍的范圍進(jìn)行低溫保管，從而可以延長保管期限。保管期限的調(diào)整優(yōu)選在進(jìn)行分子量管理的同時(shí)適當(dāng)進(jìn)行。通過上述的操作，得到了上述的原料化合物的水解-縮聚物(縮聚物)。該水解-縮聚物優(yōu)選為液態(tài)。但是，對于固體狀的水解-縮聚物，也可通過使用溶劑，使其形成為液態(tài)來使用。另外，如此得到的液態(tài)的水解-縮聚物在此后說明的工序中發(fā)生固化，由此形成了構(gòu)成本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的半導(dǎo)體器件用部材形成液。[2-3]蒸餾除去溶劑在上述的水解-縮聚工序中使用溶劑的情況下，通常優(yōu)選在干燥之前從水解-縮聚物中蒸餾除去溶劑(蒸餾除去溶劑工序)。由此，能夠得到不含溶劑的半導(dǎo)體器件用部材形成液(液態(tài)的水解-縮聚物)。如上所述，以往若蒸餾除去溶劑，則水解-縮聚物會(huì)固化，因此難以對水解-縮聚物進(jìn)行處理。但是，在本發(fā)明的制造方法中，若使用2官能成分低聚物，則能夠抑制水解-縮聚物的反應(yīng)性，因此，即使在干燥之前蒸餾除去溶劑，水解-縮聚物也不會(huì)固化，可以蒸餾除去溶劑。通過在干燥前蒸餾除去溶劑，能夠防止脫溶劑收縮引起的裂紋、剝離、斷線等。另外，通常在蒸餾除去溶劑時(shí)，還蒸餾除去了水解中使用的水。并且，蒸餾除去的溶劑中還含有通過上述通式(l)、(2)所表示的原料化合物的水解-縮聚反應(yīng)而生成的以XH等表示的溶劑。此外，還包括反應(yīng)時(shí)生成的副產(chǎn)物低分子環(huán)狀硅氧烷。蒸餾除去溶劑的方法是任意的，只要不顯著損害本發(fā)明的效果即可。但是，要避免在水解-縮聚物的固化起始溫度以上的溫度進(jìn)行蒸餾除去溶劑的操作。若舉出進(jìn)行蒸餾除去溶劑時(shí)的溫度條件的具體范圍，則通常為6(TC以上、為80。C以上、更優(yōu)選為IO(TC以上、并且通常為150。C以下、優(yōu)選為130'C以下、更優(yōu)選為12(TC以下。若低于該范圍的下限，則有可能不能充分蒸餾除去溶劑，若高于上限，則水解-縮聚物有可能凝膠化。并且，進(jìn)行蒸餾除去溶劑時(shí)的壓力條件通常為常壓。此外也可以根據(jù)需要減壓以使蒸餾除去溶劑時(shí)的反應(yīng)液沸點(diǎn)不達(dá)到固化起始溫度(通常為120°C以上)。并且，壓力的下限為水解-縮聚物的主成分不餾出的程度。通常在高溫-高真空條件能夠高效地蒸餾除去低沸點(diǎn)成分，但是在由于低沸點(diǎn)成分是微量的而不能利用裝置形狀精密地蒸餾除去低沸點(diǎn)成分的情況下，存在高溫下進(jìn)一步進(jìn)行聚合而分子量過度升高的可能性。另外，在使用規(guī)定種類的催化劑的情況下，長時(shí)間用于高溫反應(yīng)時(shí)，該催化劑發(fā)生失活，存在難以使半導(dǎo)體器件用部材形成液固化的可能性。因此，這些情況下，可以根據(jù)需要吹入氮?dú)饣蚶盟魵庹麴s等方法在低溫常壓下蒸餾除去低沸點(diǎn)成分。在減壓蒸餾除去或吹入氮?dú)獾鹊娜魏吻闆r下，均優(yōu)選在前段的水解-縮聚反應(yīng)適當(dāng)提高分子量，以避免水解-縮聚物的主成分主體餾出。使用通過這些方法充分除去了溶劑、水分、作為副產(chǎn)物的低分子環(huán)狀硅氧垸、溶存空氣等低沸點(diǎn)成分的半導(dǎo)體器件用形成液制造的半導(dǎo)體器件用部材能夠降低因低沸點(diǎn)成分的氣化引起的固化時(shí)發(fā)泡或高溫使用時(shí)的與器件的剝離，因此是優(yōu)選的。但是，蒸餾除去溶劑并不是必須的操作。尤其是使用沸點(diǎn)在水解-縮聚物的固化溫度以下的溶劑的情況下，干燥水解-縮聚物時(shí)，溶劑在水解-縮聚物開始固化之前就會(huì)揮發(fā)，因此，即使不特別進(jìn)行溶劑蒸餾除去工序，也能夠防止因脫溶劑收縮而產(chǎn)生裂紋等。但是，溶劑的揮發(fā)有可能造成水解-縮聚物的體積變化，因此，從精密控制半導(dǎo)體器件用部材的尺49寸和形狀的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選進(jìn)行溶劑的蒸餾除去。干燥通過對由上述的水解-縮聚反應(yīng)所得到的水解-縮聚物進(jìn)行干燥(干燥工序或固化工序)能夠得到本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。如上所述，該水解-縮聚物通常為液態(tài)，但是，將水解-縮聚物加入到目的形狀的模具中，通過在該狀態(tài)下進(jìn)行干燥，就能夠形成具有目的形狀的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。并且，在將該水解-縮聚物涂布在目的部位上的狀態(tài)下進(jìn)行干燥，由此能夠在目的部位上直接形成本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。另外，干燥工序中并不是必須使溶劑氣化，此處，將包括使具有流動(dòng)性的水解-縮聚物失去流動(dòng)性而固化的現(xiàn)象的工序稱為干燥工序。因此，在不伴隨有溶劑的氣化時(shí)，上述"干燥"可以解讀為"固化"來理解。干燥工序中，通過進(jìn)一步使水解-縮聚物聚合，從而形成金屬-氧-金屬鍵，干燥/固化聚合物，得到本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。干燥時(shí)，將水解-縮聚物加熱到規(guī)定的固化溫度，使其固化。具體的溫度范圍是任意的，只要可以干燥水解-縮聚物即可，通常在10(TC以上可以有效地形成金屬-氧-金屬鍵，因而優(yōu)選在120'C以上、更優(yōu)選在15(TC以上實(shí)施干燥。但是，與半導(dǎo)體器件一起加熱時(shí)，通常在器件構(gòu)成要素的耐熱溫度以下的溫度、優(yōu)選在20(TC以下實(shí)施干燥。并且，為干燥水解-縮聚物而在固化溫度保持的時(shí)間(固化時(shí)間)根據(jù)催化劑濃度和部材的厚度等而有所不同，不能一概而定，通常在0.1小時(shí)以上、優(yōu)選0.5小時(shí)以上、更優(yōu)選l小時(shí)以上、并且通常10小時(shí)以下、優(yōu)選5小時(shí)以下、更優(yōu)選3小時(shí)以下的范圍實(shí)施干燥。另外，干燥工序中的升溫條件沒有特別限定。即，干燥工序期間，可以保持恒定溫度，也可以使溫度連續(xù)或間歇地變化。并且，也可以進(jìn)一步分多次進(jìn)行干燥工序。進(jìn)而，在干燥工序中，也可以使溫度階段性地變化。通過使溫度階段性地變化，能夠得到可以防止殘留溶劑或溶存水蒸氣(dissolvedsteam)導(dǎo)致的發(fā)泡的優(yōu)點(diǎn)。另外，在低溫使其固化后在高溫進(jìn)一步固化的情況下，所得到的半導(dǎo)體器件用部材中不易產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力，能夠得到不易發(fā)生紋裂、剝離的優(yōu)點(diǎn)。但是，在溶劑的存在K進(jìn)行上述的水解-縮聚反應(yīng)時(shí)，在不進(jìn)行蒸餾除去溶劑工序的情況下，或者雖然進(jìn)行了蒸餾除去溶劑工序但水解-縮聚物中仍殘留有溶劑的情況下，優(yōu)選將該干燥工序分為第一干燥工序和第二干燥工序來進(jìn)行，所述第一干燥工序是在溶劑的沸點(diǎn)以下的溫度實(shí)質(zhì)地除去溶劑的工序，所述第二干燥工序是在該溶劑的沸點(diǎn)以上的溫度進(jìn)行干燥的工序。另外，此處所說的"溶劑"包括由上述的原料化合物的水解-縮聚反應(yīng)而生成的以XH等所表示的溶劑和低分子環(huán)狀硅氧烷。并且，本說明書中的"干燥"是指如下工序上述原料化合物的水解-縮聚物失去溶劑，進(jìn)一步聚合/固化，形成金屬-氧-金屬鍵。第一干燥工序中，并不積極推進(jìn)原料化合物的水解-縮聚物的進(jìn)一步聚合，而是在所含有的溶劑的沸點(diǎn)以下的溫度實(shí)質(zhì)地除去該溶劑。艮P，在該工序中得到的產(chǎn)物是干燥前的水解-縮聚物發(fā)生濃縮、通過氫鍵而形成了粘稠的液體或柔軟的膜狀的物質(zhì)，或是除去溶劑后水解-縮聚物以液態(tài)存在的物質(zhì)。但是，通常優(yōu)選在低于溶劑沸點(diǎn)的溫度下進(jìn)行第一干燥工序。若在該溶劑的沸點(diǎn)以上的溫度進(jìn)行第一干燥，則所得到的膜中會(huì)出現(xiàn)因溶劑的蒸氣所致的發(fā)泡，難以得到?jīng)]有缺陷的均勻的膜。在部材為薄膜狀的情況等溶劑的蒸發(fā)效率好的情況下，該第一干燥工序可以以單獨(dú)的步驟進(jìn)行，而在杯皿上進(jìn)行澆灌來制作部材的情況等蒸發(fā)效率差的情況下，該第一干燥工序可以分為多個(gè)步驟進(jìn)行升溫。并且，在蒸發(fā)效率非常差的形狀的情況下，也可以預(yù)先用其它高效率的容器進(jìn)行干燥濃縮之后，在保留有流動(dòng)性的狀態(tài)下涂布，進(jìn)一步實(shí)施干燥。蒸發(fā)效率差的情況下，不采用大風(fēng)量的通風(fēng)干燥等僅使部材的表面濃縮的手段，而是優(yōu)選設(shè)法使部材整體均勻干燥。第二干燥工序中，在通過第一干燥工序?qū)嵸|(zhì)地除去了上述水解-縮聚物的溶劑的狀態(tài)下，以溶劑的沸點(diǎn)以上的溫度加熱該水解-縮聚物，通過形成金屬-氧-金屬鍵而成為穩(wěn)定的固化物。若在該工序中殘留有大量的溶劑，則進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)的同時(shí)，溶劑蒸發(fā)導(dǎo)致體積減少，因此，產(chǎn)生較大的內(nèi)部應(yīng)力，成為由于收縮而引起的剝離或裂紋的原因。通常在iocrc以上能高效形成金屬-氧-金屬鍵，因而im在io(rc以上、更優(yōu)選在i2o'c以上實(shí)施第二干燥工序。但是，與半導(dǎo)體器件一起加熱的情況下，通常在器件構(gòu)成要素的耐熱溫度以下的溫度、優(yōu)選在2otrc以下實(shí)施^M。第二干燥工序中的固化時(shí)間根據(jù)催化劑濃度和部材的厚度等而有所不同，不能一概而定，但通常在o.i小時(shí)以上、優(yōu)選0.5小時(shí)以上、更優(yōu)選1小時(shí)以上、并且通常10小時(shí)以下、優(yōu)選5小時(shí)以下、更優(yōu)選3小時(shí)以下的范圍實(shí)施。這樣通過明確分為溶劑除去工序(第一干燥工序)和固化工序(第二干燥工序)，即使在不進(jìn)行蒸餾除去溶劑工序的情況下，也能夠不產(chǎn)生裂紋和剝離地得到具有本發(fā)明的物理性質(zhì)且耐光性和耐熱性優(yōu)異的半導(dǎo)體器件用部材。不過，在第一干燥工序中有可能也進(jìn)行固化，在第二干燥工序中有可能也進(jìn)行溶劑除去。但是，第一干燥工序中的固化和第二干燥工序中的溶劑除去的程度通常較小，在不會(huì)對本發(fā)明的效果帶來影響的程度。另外，各工序的升溫條件沒有特別限制，只要能夠?qū)嵸|(zhì)地實(shí)現(xiàn)上述的第一干燥工序以及第二干燥工序即可。即，各干燥工序期間可以保持恒定溫度，也可以使溫度連續(xù)或間歇地變化。并且，也可以進(jìn)一步分為多次來進(jìn)行各干燥工序。此外，即使對于在第一干燥工序期間暫時(shí)處于溶劑的沸點(diǎn)以上的溫度、或在第二干燥工序期間存在小于溶劑沸點(diǎn)的溫度的期間的情況，只要能夠?qū)嵸|(zhì)地獨(dú)立實(shí)現(xiàn)如上所述的溶劑除去工序(第一干燥工序)和固化工序(第二干燥工序)，則均包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。另外，使用沸點(diǎn)在水解-縮聚物的固化溫度以下、優(yōu)選小于固化溫度的溶劑的情況下，即使不特別調(diào)整溫度而將水解-縮聚物加熱到固化溫度時(shí)，在干燥工序的中途在溫度達(dá)到沸點(diǎn)的時(shí)刻也可將與水解-縮聚物共存的溶劑從水解-縮聚物中蒸餾除去。即，在該情況下，在干燥工序中將水解-縮聚物升溫到固化溫度的過程中，在水解-縮聚物固化之前以溶劑的沸點(diǎn)以下的溫度實(shí)施實(shí)質(zhì)地除去溶劑的工序(第一干燥工序)。由此，水解-縮聚物成為不含溶劑的液態(tài)的水解-縮聚物。于是，之后以溶劑的沸點(diǎn)以上的溫度(即固化溫度)干燥，進(jìn)行使水解-縮聚物固化的工序(第二干燥工52序)。因此，若使用具有上述的固化溫度以下的沸點(diǎn)的溶劑，則即使不是有意地進(jìn)行實(shí)施，也會(huì)進(jìn)行上述的第一干燥工序和第二干燥工序。因此，若使用沸點(diǎn)在水解-縮聚物的固化溫度以下、優(yōu)選小于上述固化溫度的溶劑，則實(shí)施干燥工序時(shí)，即使水解-縮聚物含有溶劑，也不會(huì)對半導(dǎo)體器件用部材的品質(zhì)帶來較大影響，因此是優(yōu)選的。其他上述的干燥工序后，可以根據(jù)需要對所得到的半導(dǎo)體器件用部材實(shí)施各種后處理。作為后處理的種類，可以舉出用于改善與模塑部的密合性的表面處理、制作防反射膜、為了提高光取出效率而制作微細(xì)凹凸面等。半導(dǎo)體器件用部材形成液如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液是經(jīng)水解-縮聚工序得到的液態(tài)材料，通過在干燥工序使其固化，其成為半導(dǎo)體器件用部材。半導(dǎo)體器件用部材形成液是固化性有機(jī)聚硅氧烷的情況下，從該固化物的熱膨脹系數(shù)方面考慮，與直鏈狀有機(jī)聚硅氧烷相比，更優(yōu)選的是支鏈狀有機(jī)聚硅氧垸。這是因?yàn)?，直鏈狀有機(jī)聚硅氧垸的固化物是彈性體狀，其熱膨脹系數(shù)大，而支鏈狀有機(jī)聚硅氧垸的固化物的熱膨脹系數(shù)比直鏈狀有機(jī)聚硅氧垸的固化物的熱膨脹系數(shù)小，所以伴隨熱膨脹而發(fā)生的光學(xué)特性的變化小。對本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液的粘度沒有限制，在液溫25°C時(shí)，該粘度通常為20mPa*s以上，優(yōu)選為100mPa*s以上，更優(yōu)選為200mPas以上，且通常為1500mPa*s以下，優(yōu)選為1000mPa*s以下，更優(yōu)選為800mPa"以下。此外，上述粘度可以通過RV型粘度計(jì)(例如Brookfidd社制造的RV型粘度計(jì)"RVDV-II+Pro"進(jìn)行測定。對本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液的重均分子量和分子量分布沒有限制。但是，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液通過GPC(凝膠滲透色譜法)測定的聚苯乙烯換算重均分子量(Mw)通常為500以上，優(yōu)選為900以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3200以上，并且通常為400000以下，優(yōu)選為70000以下，進(jìn)一步優(yōu)選為27000以下。重均分子量過小時(shí)，向半導(dǎo)體器件容器填充后，在固化時(shí)有產(chǎn)生氣泡的傾向，重均分子量過大時(shí)，即使在低溫下半導(dǎo)體器件用部材形成液的粘度也有隨時(shí)間增加的傾向，并且有向半導(dǎo)體器件容器的填充效率變差的傾向。另外，分子量分布(Mw/Mn。此處，Mw表示重均分子量，Mn表示數(shù)均分子量)通常為20以下，優(yōu)選為10以下，進(jìn)一步優(yōu)選為6以下。分子量分布過大時(shí)，低溫下部材的粘度也有隨時(shí)間增加的傾向，并且有向半導(dǎo)體器件容器的填充效率變差的傾向。另外，與Mw相同，Mn也可以通過基于GPC的聚苯乙烯換算來測定。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液優(yōu)選特定分子量以下的低分子量成分少。具體地說，基于GPC面積比例，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液中分子量為800以下的成分為全體的通常10%以下、優(yōu)選7.5%以下、進(jìn)一步優(yōu)選5%以下。低分子量成分過多時(shí)，存在半導(dǎo)體器件用部材形成液固化時(shí)產(chǎn)生氣泡或隨著主成分的揮發(fā)固化時(shí)的重量成品率(固體成分率)降低的可能性。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液優(yōu)選特定分子量以上的高分子量成分少。具體地說，對于本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液的GPC分析值，高分子量的組分的范圍達(dá)到5%的分子量通常為1000000以下，優(yōu)選為330000以下，進(jìn)一步優(yōu)選為110000以下。GPC中，高分子量側(cè)組分范圍過多時(shí)，存在下述可能性a)即使低溫保存，半導(dǎo)體器件用部材形成液的粘度也隨時(shí)間增加；b)保存中的脫水縮合引起生成水分，在基板、封裝材等的表面形成半導(dǎo)體器件用部材后，半導(dǎo)體器件用部材形成液容易從基板、封裝材等剝離；c)由于粘度高，所以半導(dǎo)體器件用部材形成液的固化時(shí)不易清除氣泡；等。概括地說，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液優(yōu)選在上述所示的分子量范圍，作為實(shí)現(xiàn)這樣的分子量范圍的方法，可以舉出下述的方法。(i)充分進(jìn)行合成時(shí)的聚合反應(yīng)，消耗未反應(yīng)原料。(ii)合成反應(yīng)后，充分進(jìn)行低沸點(diǎn)成分的蒸餾除去，除去低沸點(diǎn)的低分子量殘留物。(iii)適當(dāng)控制合成反應(yīng)時(shí)的反應(yīng)速度、條件，使聚合反應(yīng)均勻進(jìn)行，不使分子量分布大到必要以上。例如，如"[2]半導(dǎo)體器件用部材的制造方法"那樣，將特定的化合物水解-縮聚，用如此得到的縮聚物形成半導(dǎo)體器件用部材，該情況下優(yōu)選在維持適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)速度的同時(shí)，均勻地進(jìn)行半導(dǎo)體器件用部材形成液合成時(shí)的水解-聚合反應(yīng)。水解-聚合通常在15'C以上、優(yōu)選2(TC以上、更優(yōu)選40°C以上、且通常140°C以下、優(yōu)選為135°C以下、更優(yōu)選為130°C以下的范圍進(jìn)行。另外，水解-聚合時(shí)間因反應(yīng)溫度而有所不同，但通常在O.l小時(shí)以上、優(yōu)選1小時(shí)以上、進(jìn)一步優(yōu)選3小時(shí)以上、且通常100小時(shí)以下、優(yōu)選20小時(shí)以下、進(jìn)一步優(yōu)選15小時(shí)以下的范圍實(shí)施。反應(yīng)時(shí)間比此時(shí)間少時(shí)，存在下述的可能性未能達(dá)到必要分子量；反應(yīng)進(jìn)行的不均勻?qū)е職埓嬗械头肿恿吭喜⒋嬖诟叻肿恿砍煞郑袒锏钠焚|(zhì)差，缺少儲(chǔ)藏穩(wěn)定性。另外，反應(yīng)時(shí)間比此時(shí)間長時(shí)，存在下述可能性聚合催化劑失活；合成所需時(shí)間長，生產(chǎn)率變差。原料的反應(yīng)活性低、反應(yīng)難以進(jìn)行時(shí)，根據(jù)需要可以流通例如氬氣、氦氣、氮?dú)獾榷栊詺怏w，由此使縮合反應(yīng)產(chǎn)生的水分、醇隨著這些惰性氣體流動(dòng)而被除去，促迸反應(yīng)進(jìn)行。對于反應(yīng)時(shí)間的調(diào)整，優(yōu)選在根據(jù)GPC和粘度測定進(jìn)行分子量管理的同時(shí)適當(dāng)進(jìn)行。另外，優(yōu)選進(jìn)行調(diào)整時(shí)考慮升溫時(shí)間。使用溶劑的情況下，優(yōu)選根據(jù)需要在常壓進(jìn)行溶劑的蒸餾除去。另外，溶劑和要除去的低分子量物的沸點(diǎn)為固化開始溫度(通常為120'C以上)的情況下，優(yōu)選根據(jù)需要進(jìn)行減壓蒸餾除去。另一方面，根據(jù)導(dǎo)光膜的薄層涂布等使用目的，為了低粘度化，可以殘存部分溶劑，也可以在蒸餾除去反應(yīng)溶劑后添加與反應(yīng)溶劑不同的溶劑。此處，優(yōu)選半導(dǎo)體器件用部材形成液的分子量分布的上限和下限在上述范圍，在該范圍時(shí)，分子量分布可以不是單重峰。另外，根據(jù)賦予功能等目的，還可混合不同的分子量分布的半導(dǎo)體器件用部材形成液，這種情況下，分子量分布曲線可以是多峰性。例如，為了賦予半導(dǎo)體器55件用部材機(jī)械強(qiáng)度，在提高到高分子量的第一方案的半導(dǎo)體器件用部材報(bào)成、波由/1>畏今右今4<,念彌厶R^^V的^:^zp縣的笛一卡安的坐旦/7lc與/f生/y,"wniyviznrgn，入yulij~i〃a乂jmjyvj平.hjzj—wj、jrrTifTII用部材形成液的情況等就屬于這種情況。另外，與"[1-4-9]低沸點(diǎn)成分"中說明的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材相同，優(yōu)選本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液中的低沸點(diǎn)成分少。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材中通常殘存有微量的烷氧基。該末端烷氧基少的半導(dǎo)體器件用部材和半導(dǎo)體器件用部材形成液通過TG-DTA測定得到的減重少、耐熱性高。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用形成液所含有的烷氧基量通常為5重量％以下，優(yōu)選為3重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.2重量％以下。另外，對于某些用途，半導(dǎo)體器件用部材形成液可以含有其他成分。例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材用作半導(dǎo)體發(fā)光器件的構(gòu)成部件等的情況下，可以在半導(dǎo)體器件用部材形成液中含有熒光體、無機(jī)顆粒等。此時(shí)，特別地將含有半導(dǎo)體器件用部材形成液和熒光體的物質(zhì)稱作本發(fā)明的熒光體組合物。此外，對于這些將和用途一起在后面進(jìn)行說明。另外，其他成分可以僅使用1種，也可以以任意組合和比例合用2種以上。半導(dǎo)體器件用部材的用途對本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的用途沒有特別限制，可以在以用于密封半導(dǎo)體元件等的部材(密封材料)為代表的各種用途中使用。其中，通過與熒光體顆粒和/或無機(jī)顆粒合用，能夠更加良好地用于特定的用途。下面對這些與熒光體顆粒和無機(jī)顆粒的合用進(jìn)行說明。[4-1]熒光體關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材，例如將熒光體分散到半導(dǎo)體器件用部材中，通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的杯皿內(nèi)成型或以薄層狀涂布在適當(dāng)?shù)耐该髦С煮w上來制成波長轉(zhuǎn)換用部材后使用。此外，熒光體可以僅使用1種，也可以以任意的組合和比例合用2種以上。[4-1-1]熒光體的種類對熒光體的組成沒有特別限定，優(yōu)選為在作為結(jié)晶母體的以Y203、Zri2Si04等為代表的金屬氧化物、以Ca5(P04)3Cl等為代表的磷酸鹽以及以ZnS、SrS、CaS等為代表的硫化物中組合有作為活化劑或共活化劑的Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等稀土金屬的離子或Ag、Cu、Au、Al、Mn、Sb等金屬的離子的組成。作為結(jié)晶母體的優(yōu)選的實(shí)例，例如可以舉出(Zn,Cd)S、SrGa2S4、SrS、ZnS等硫化物；Y202S等氧硫化物；(Y,Gd)3Al5012、YA103、BaMgAl1()017、(Ba,Sr)(Mg，Mn)Al10O17、(Ba,Sr,Ca)(Mg，Zn，Mn)Al10O17、BaAl12019、CeMgAl019、(Ba,Sr,Mg)OA1203、BaAl2Si208、SrAl204、Sr4Al14025、丫3八15012等鋁酸鹽；Y2Si05、Zn2Si04等硅酸鹽；Sn02、丫203等氧化物；GdMgB501()、(Y,Gd)B03等硼酸鹽；Ca1()(P04)6(F,Cl)2、(Sr，Ca,Ba，Mg)k)(P04)6Cl2等鹵磷酸鹽；Sr2P207、(La，Ce)P04等磷酸鹽等。其中，上述的結(jié)晶母體以及活化劑或共活化劑在元素組成上沒有特別限制，可以部分被同族的元素取代，所得到的熒光體只要能夠吸收從近紫外到可見區(qū)域的光并發(fā)出可見光就可以使用。具體地說，作為熒光體可以f頓下面舉出的物質(zhì)，但這些只不過是示例，本發(fā)明中可以使用的熒光體不限于此。另外，以下的示例中，適當(dāng)省略g僅有部分結(jié)構(gòu)不同的熒光體。例如，將"Y2Si05:Ce3+"、"Y2Si05:Tb3+"以及"Y2Si05:Ce3+,Tb3+"總結(jié)表示為"Y2Si05:Ce3+,Tb3+";將"La202S:Eu"、"Y202S:Eu"以及"(IaY)202S:Eu"總結(jié)表示為"0aY)2O2S:Eu"。省略處用半角逗號(hào)(，)隔開表不。紅色熒光體若示例發(fā)出紅色熒光的熒光體(為了方便起見，下面稱為"紅色熒光體")所發(fā)出的熒光的具體波長范圍，則峰波長優(yōu)選的是通常為570nm以上、優(yōu)選為580nm以上、并且通常為700nm以下、優(yōu)選為680nm以下。作為這樣的紅色熒光體，可以舉出例如下述的熒光體由具有紅色斷裂面的斷裂顆粒所構(gòu)成的在紅色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光的以(Mg,Ca，Sr，Ba)2Si5N8:Eu所表示的銪活化堿土硅氮化物類熒光體；由作為規(guī)則的結(jié)晶成長形狀具有大致球形的成長顆粒所構(gòu)成的在紅色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光的以(Y,La,Gd，Lu)202S:Eu所表示的銪活化稀土氧硫化物類熒光體等。此夕卜，日本特開2004-300247號(hào)公報(bào)中記載了下述的熒光體該熒光體含有氧氮化物和/或氧硫化物，所述氧氮化物和/或氧硫化物含有選自由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、W以及Mo組成的組中的至少1種元素，并且，所述熒光體含有Al元素的一部分或全部被Ga元素取代的具有a賽隆(a-sialon)結(jié)構(gòu)的氧氮化物；這類熒光體也能夠在本實(shí)施方式中使用。另外，它們是含有氧氮化物和/或氧硫化物的熒光體。此外，作為紅色熒光體，還可以使用(La,Y)202S:Eu等Eu活化氧硫化物熒光體；Y(V,P)04:Eu、Y203:Eu等Eu活化氧化物熒光體；(Ba,Sr,Ca，Mg)2Si04:Eu,Mn、(Ba,Mg)2Si04:Eu，Mn等Eu,Mn活化硅酸鹽熒光體；(Ca,Sr)S:Eu等Eu活化硫化物熒光體；YA103:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體；LiY9(Si04)602:Eu、Ca2Y8(Si04)602:Eu、(Sr，Ba，Ca)3Si05:Eu、Sr2BaSi05:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體；(Y，Gd)3Al5012:Ce、(Tb，Gd)3Al5012:Ce等Ce活化鋁酸鹽熒光體；(Ca，Sr，Ba)2Si5N8:Eu、(Mg，Ca,Sr，Ba)SiN2:Eu、(Mg,Ca，Sr，Ba)AlSiN3:Eu等Eu活化氮化物熒光體；(Mg，Ca，Sr，Ba)AlSiN3:Ce等Ce活化氮化物熒光體；(Sr,Ca,Ba,Mg)1G(P04)6Cl2:Eu，Mn等Eu，Mn活化鹵磷酸鹽熒光體；(Ba3Mg)Si208:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca，Mg)3(Zn，Mg)Si208:Eu,Mn等Eu，Mn活化硅酸鹽熒光體；3.5MgO-0.5MgF2-GeO2:Mn等Mn活化鍺酸鹽熒光體；Eu活化a賽隆等Eu活化氧氮化物熒光體；(Gd，Y,Lu，La)203:Eu，Bi等Eu,Bi活化氧化物熒光體；(Gd,Y,Lu,La)202S:Eu，Bi等Eu，Bi活化氧硫化物熒光體；(Gd，Y，Lu,La)V04:Eu，Bi等Eu，Bi活化釩酸鹽熒光體；SrY2S4:Eu，Ce等Eu，Ce活化硫化物熒光體；CaLa2S4:Ce等Ce活化硫化物熒光體；(Ba,Sr,Ca)MgP207:Eu,Mn、(Sr，Ca，Ba,Mg,Zn)2P207:Eu,Mn等Eu，Mn活化磷酸鹽熒光體；(Y，Lu)2W06:Eu,Mo等Eu,Mo活化鎢酸鹽熒光體；(Ba,Sr,Ca)xSiyNz:Eu,Ce(其中，x、y、z是1以上的整數(shù))等Eu，Ce活化氮化物熒光體；(Ca，Sr，Ba,Mg)1()(P04)6(F，Cl,Br，OH):Eu，Mn等Eu,Mn活化鹵磷酸鹽熒光體；((Y，Lu，Gd,Tb)1.xScxCey)2(Ca,Mg)1.r(Mg，Zn)2+rSiz.qGeq012+s等Ce活化硅酸鹽熒光體等。作為紅色熒光體，還可以使用由以(3-二酮酸鹽、P-二酮、芳香族羧58酸、或布朗斯臺(tái)德酸等陰離子作為配位體的稀土元素離子絡(luò)合物構(gòu)成的紅色有機(jī)熒光體、二萘嵌苯系顏料(例如，二苯并([f,f，]-4，4，，7，7'-四苯基}二茚并[l,2，3-cd:r，2，，3，-lm]二萘嵌苯)、蒽醌系顏料、色淀系顏料、偶氮系顏料、喹吖啶酮系顏料、蒽系顏料、異吲哚啉系顏料、異吲哚啉酮系顏料、酞菁系顏料、三苯甲垸系堿性染料、陰丹酮系顏料、靛酚系顏料、花青系顏料、二噁嗪系顏料。另外，紅色熒光體之中，處于峰波長為580nm以上、優(yōu)選為590nm以上、并且為620nm以下、優(yōu)選為610nm以下的范圍內(nèi)的熒光體適合作為橙色熒光體使用。作為這類橙色熒光體的例子，可以舉出(Sr，Ba)3Si05:Eu、(Sr，Mg)3(P04)2:Sn2+、SrCaAlSiN3:Eu、Eu活化a賽隆等Eu活化氧氮化物熒光體等。[4-1-1-2]綠色熒光體若示例發(fā)出綠色熒光的熒光體(為了方便起見，下面簡稱為"綠色熒光體")所發(fā)出的熒光的具體波長范圍，則優(yōu)選峰波長通常為490nm以上、優(yōu)選為500nm以上、并且通常為570nm以下、優(yōu)選為550nm以下。作為這類綠色熒光體，可以舉出例如下述的熒光體由具有斷裂面的斷裂顆粒構(gòu)成的在綠色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光的以(Mg，Ca,Sr，Ba)Si202N2:Eu所表示的銪活化堿土硅氧氮化物類熒光體；由具有斷裂面的斷裂顆粒構(gòu)成的在綠色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光的以(Ba,Ca,Sr，Mg)2Si04:Eu所表示的銪活化堿土硅酸鹽類熒光體；等等。此外，作為綠色熒光體，還可以使用Sr4Al14025:Eu、(Ba,Sr，Ca)Al204:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體；(Sr，Ba)Al2Si208:Eu、(Ba，Mg)2Si04:Eu、(Ba,Sr，Ca，Mg)2Si04:Eu、(Ba,Sr，Ca)2(Mg，Zn)Si207:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體；Y2Si05:Ce,Tb等Ce，Tb活化硅酸鹽熒光體；Sr2P2OrSr2B205:Eu等Eu活化硼酸磷酸鹽熒光體；Sr2Si308-2SrCl2:Eu等Eu活化鹵硅酸鹽熒光體；Zn2Si04:Mn等Mn活化硅酸鹽熒光體；CeMgAl019:Tb、Y3Al5012:Tb等Tb活化鋁酸鹽熒光體；Ca2Y8(Si04)602:Tb、La3Ga5Si014:Tb等Tb活化硅酸鹽熒光體；(Sr,Ba，Ca)Ga2S4:Eu，Tb，Sm等Eu,Tb,Sm活化硫代鎵酸鹽熒光體；Y3(Al，Ga)5012:Ce、(Y,Ga，Tb，La，Sm，Pr,Lu)3(Al，Ga)5012:Ce等Ce活化鋁酸鹽熒光體；Ca3Sc2Si3012:Ce、Ca3(Sc,Mg，Na,Li)2Si3012:Ce等Ce活化硅酸鹽熒光體；CaSc204:Ce等Ce活化氧化物熒光體；SrSi202N2:Eu、(Sr，Ba，Ca)Si202N2:Eu、Eu活化(3賽隆等Eu活化氧氮化物熒光體；BaMgAl1()017:Eu，Mn等Eu，Mn活化鋁酸鹽熒光體；SrAl204:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體;(La，Gd，Y)202S:Tb等Tb活化氧硫化物熒光體;LaP04:Ce，Tb等Ce,Tb活化磷酸鹽熒光體；ZnS:Cu，Al、ZnS:Cu，Au,Al等硫化物熒光體；(Y,Ga,Lu，Sc，La)B03:Ce，Tb、Na2Gd2B207:Ce，Tb、(Ba，Sr)2(Ca，Mg，Zn)B206:K，Ce，Tb等Ce,Tb活化硼酸鹽熒光體；Ca8Mg(Si04)4Cl2:Eu，Mn等Eu，Mn活化鹵硅酸鹽熒光體；(Sr，Ca,Ba)(Al,Ga，In)2S4:Eu等Eu活化硫代鋁酸鹽熒光體或硫代鎵酸鹽熒光體；(Ca，Sr)8(Mg，Zn)(Si04)4Cl2:Eu，Mn等Eu，Mn活化鹵硅酸鹽熒光體等。另外，作為綠色熒光體，還可以使用吡啶-鄰苯二甲酰亞胺縮合衍生物、苯并噁嗪酮系、喹唑啉酮系、香豆素系、喹酞酮系、萘二甲酰亞胺系等熒光色素、具有水楊酸己酯作為配位體的鋱配合物等有機(jī)熒光體。[4-1-1-3]藍(lán)色熒光體若示例發(fā)出藍(lán)色熒光的熒光體(為了方便起見，下面簡稱為"藍(lán)色熒光體")發(fā)出的熒光的具體波長范圍，則峰波長優(yōu)選的是通常為420nm以上、優(yōu)選為440nm以上、并且通常為480nm以下、優(yōu)選為470nm以下。作為這類藍(lán)色熒光體，可以舉出例如下述的熒光體由具有作為規(guī)則結(jié)晶成長形狀的大致六邊形的成長顆粒構(gòu)成的在藍(lán)色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光的以BaMgAl1()017:EU所表示的銪活化鋇鎂鋁酸鹽類熒光體；由具有作為規(guī)則結(jié)晶成長形狀的大致球形的成長顆粒構(gòu)成的在藍(lán)色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光的以(Ca,Sr,Ba)5(P04)3Cl:EU所表示的銪活化卣磷酸鈣類熒光體；由具有作為規(guī)則結(jié)晶成長形狀的大致立方體形的成長顆粒構(gòu)成的在藍(lán)色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光的以(Ca,Sr，Ba)2Bs09Cl:Eu所表示的銪活化堿土氯硼酸鹽類熒光體；由具有斷裂面的斷裂顆粒構(gòu)成的在藍(lán)綠色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光的以(Sr,Ca,Ba)Al204:Eu或(Sr,Ca，Ba)4Alw025:Eu所表示的銪活化堿土鋁酸鹽類熒光體等。此外，作為藍(lán)色熒光體，還可以使用Sr2P207:Sn等Sn活化磷酸鹽熒光體；Sr4Al14025:Eu、BaMgAl1G017:Eu、BaAl8013:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體；SrGa2S4:Ce、CaGa2S4:Ce等Ce活化硫代鎵酸鹽熒光體；(Ba,Sr，Ca)MgAlK)On:Eu、BaMgAhoOn:Eu，Tb,Sm等Eu活化鋁酸鹽熒光體；(Ba，Sr,Ca)MgAl1Q017:Eu,Mn等Eu，Mn活化鋁酸鹽熒光體；(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、(Ba，Sr，Ca)5(P04)3(Cl，F(xiàn)，Br，OH):Eu，Mn，Sb等Eu活化鹵磷酸鹽熒光體；BaAl2Si208:Eu、(Sr,Ba)3MgSi208:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體；Sr2P207:Eu等Eu活化磷酸鹽熒光體；ZnS:Ag、ZnS:Ag，Al等硫化物熒光體；Y2SiOs:Ce等Ce活化硅酸鹽熒光體；CaW04等鎢酸鹽熒光體；(Ba，Sr，Ca)BP05:Eu,Mn、(Sr，Ca)1()(P04)6-nB203:Eu、2SrO-0.84P2O5-0.16B2O3:Eu等Eu，Mn活化硼酸磷酸鹽熒光體；Sr2Si308-2SrCl2:Eu等Eu活化鹵硅酸鹽熒光體等。另外，作為藍(lán)色熒光體，例如還可以使用萘二酸酰亞胺系、苯并噁唑系、苯乙烯基系、香豆素系、吡唑啉系、三唑系化合物的熒光色素、銩絡(luò)合物等有機(jī)熒光體等。[4-1-1-4]黃色熒光體若示例發(fā)出黃色熒光的熒光體(為了方便起見，下面簡稱為"黃色熒光體")發(fā)出的熒光的具體波長范圍，則優(yōu)選峰波長處于530nm以上，優(yōu)選為540nm以上，更優(yōu)選為550nm以上，且通常為620nm以下，優(yōu)選為600nm以下，更優(yōu)選為580nm以下的波長范圍。黃色熒光體的發(fā)光峰波長過短時(shí)，黃色成分少，存在得到的半導(dǎo)體發(fā)光器件的演色性差的可能性，黃色熒光體的發(fā)光峰波長過長時(shí)，存在半導(dǎo)體發(fā)光器件的輝度降低的可能性。作為這樣的黃色熒光體，例如可以舉出各種氧化物系、氮化物系、氧氮化物系、硫化物系、氧硫化物系等熒光體。特別是以RE3M5O12:Ce0fe處，RE表示Y、Tb、Gd、Lu、Sm中的至少一種元素，M表示A1、Ga、Sc中的至少一種元素)或以MM、MV^2:Ce(此處，Nf是2價(jià)的金屬元素、MS是3價(jià)的金屬元素、MA是4價(jià)的金屬元素)等表示的具有石榴石結(jié)構(gòu)的石榴石系熒光體；以AE2MS()4:Eu(此處，AE表示Ba、Sr、Ca、Mg、Zn中的至少一種元素，]V^表示Si、Ge中的至少一種元素)等表示的原硅酸鹽系熒光體；這些體系的熒光體的構(gòu)成元素的一部分氧被氮取代的氧氮化物系熒光體；AEAlSiN3:Ce(此處，AE表示Ba、Sr、Ca、Mg、Zn中的至少一種元素)等具有CaAlSiN3結(jié)構(gòu)的氮化物系熒光體等用Ce活化的熒光體等。此外，作為黃色熒光體，還可以使用CaGa2S4:Eu(Ca，Sr)Ga2S4:Eu、(Ca，Sr)(Ga,Al)2S4:Eu等硫化物系熒光體；Cax(Si，Al)12(0，N)16:Eu等具有SiAlON結(jié)構(gòu)的氧氮化物系熒光體等用Eu活化的熒光體。[4_M_5]其他的熒光體本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材還可含有上述以外的熒光體。例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材還可以形成均勻/透明地溶解/分散有離子狀的熒光物質(zhì)或有機(jī)/無機(jī)的熒光成分的熒光玻璃。[4-1-2]熒光體的粒徑對本發(fā)明使用的熒光體的粒徑?jīng)]有特別限制，以中值粒徑(D50)計(jì)，通常為O.lpm以上，優(yōu)選為2pm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為5pim以上。并且，通常為100pm以下，優(yōu)選為50,以下，進(jìn)一步優(yōu)選為20pm以下。熒光體的中值粒徑(D5Q)在上述范圍的情況下，后述的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，從半導(dǎo)體元件發(fā)出的光得到了充分的散射。并且，從半導(dǎo)體元件發(fā)出的光被熒光體顆粒充分吸收，因此，進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換的效率高，并且從熒光體發(fā)出的光被照射到所有的方向。由此能夠?qū)深愐陨系臒晒怏w發(fā)出的一次光混色而形成白色，同時(shí)得到均勻的白色，因此，半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)出的合成光中得到了均勻的白色光和均勻的照度。另一方面，與上述范圍相比，熒光體的中值粒徑(D50)大的情況下，熒光體不能充分埋入發(fā)光部的空間，因而，后述的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，存在從半導(dǎo)體元件發(fā)出的光不能被熒光體充分吸收的可能性。另外，與上述范圍相比，熒光體的中值粒徑(Ds(O小的情況下，熒光體的發(fā)光效率降低，因而存在半導(dǎo)體發(fā)光器件的照度降低的可能性。為了使半導(dǎo)體器件用部材中的顆粒的分散狀態(tài)一致，優(yōu)選熒光體顆粒的粒度分布(QD)小，但是熒光體顆粒的粒度分布(QD)小時(shí)，分級收率下降，成本增加，所以熒光體顆粒的粒度分布(QD)通常為0.03以上，優(yōu)選為0.05以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.07以上。并且，熒光體顆粒的粒度分布(QD)通常為0.4以下，優(yōu)選為0.3以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.2以下。此外，本發(fā)明中，中值粒徑(D5o)和粒度分布(QD)可以由重量基準(zhǔn)粒度分布曲線得到。上述重量基準(zhǔn)粒度分布曲線是通過利用激光衍射-散射法測定粒度分布得到的，具體地說，例如可以如下進(jìn)行測定。(重量基準(zhǔn)粒度分布曲線的測定方法)(1)在氣溫25'C、濕度70%的環(huán)境下，將熒光體分散到乙二醇等溶劑中。(2)利用激光衍射式粒度分布測定裝置(堀場制作所LA-300)，在0.1pm60(Vm的粒徑范圍進(jìn)行測定。(3)對于該重量基準(zhǔn)粒度分布曲線，將積分值達(dá)到50%時(shí)的粒徑值記作中值粒徑D,另外，將積分值為25%和75%時(shí)的粒徑值分別記作D25、D75，定義(^二(075-025)/(075+025)。QD小意味著粒度分布窄。另外，只要對半導(dǎo)體器件用部材的形成沒有影響，例如不影響熒光體部形成液(是指含有熒光體的半導(dǎo)體器件用部材形成液，其與熒光體組合物相同)的流動(dòng)性等，則對熒光體顆粒的形狀沒有特別限定。[4-1-3]熒光體的表面處理為了提高耐水性或者為了防止半導(dǎo)體器件用部材中熒光體的不必要的凝集，可以對本發(fā)明中使用的熒光體進(jìn)行表面處理。作為所述表面處理的例子，可以舉出日本特開2002-223008號(hào)公報(bào)所記載的使用有機(jī)材料、無機(jī)材料、玻璃材料等的表面處理、日本特開2000-96045號(hào)公報(bào)等記載的利用金屬磷酸鹽進(jìn)行的被覆處理、利用金屬氧化物進(jìn)行的被覆處理、二氧化硅涂布等公知的表面處理等。表面處理的具體例可以舉出，例如在熒光體的表面被覆上述金屬磷酸鹽時(shí)進(jìn)行下述的(i)(iii)的表面處理。(i)將規(guī)定量的磷酸鉀、磷酸鈉等水溶性磷酸鹽和氯化鈣、硫酸鍶、氯化錳、硝酸鋅等堿土金屬、Zn和Mn中的至少一種的水溶性金屬鹽化合物混合在熒光體懸浮液中，并進(jìn)行攪拌。(ii)在懸浮液中生成堿土金屬、Zn和Mn中的至少一種金屬的磷酸鹽，同時(shí)使生成的這些金屬磷酸鹽在熒光體表面沉積。(iii)除去水分。另外，對于表面處理的其他例之中優(yōu)選的例子，作為二氧化硅涂布，可以舉出下述方法中和水玻璃，使Si02析出的方法；對垸氧基硅垸的水解產(chǎn)物進(jìn)行表面處理的方法(例如，日本特開平3-231987號(hào)公報(bào))等，從提高分散性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選對烷氧基硅垸水解產(chǎn)物進(jìn)行表面處理的方法。熒光體的混合方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明中，對加入熒光體顆粒的方法沒有特別限制。只要熒光體顆粒的分散狀態(tài)良好，只需后混合在上述的半導(dǎo)體器件用部材形成液中即可。即，將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液和熒光體混合，準(zhǔn)備熒光體部形成液，使用該熒光體部形成液制作半導(dǎo)體器件用部材即可。熒光體顆粒容易發(fā)生凝集的情況下，先在水解前的含有原料化合物的反應(yīng)用溶液(為了方便起見，下面簡稱為"水解前溶液")中混合熒光體顆粒，在熒光體顆粒的存在下進(jìn)行水解-縮聚，這樣，顆粒的表面得到了部分硅垸偶聯(lián)處理，改善了熒光體顆粒的分散狀態(tài)。此外，熒光體中有時(shí)存在水解性物質(zhì)，但對于本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材來說，在涂布前的液態(tài)(半導(dǎo)體器件用部材形成液)中，水分是以硅垸醇體的形式潛在存在的，基本不存在游離的水分，所以即使是這樣的熒光體，使用時(shí)也不會(huì)發(fā)生水解。另外，對水解-縮聚后的半導(dǎo)體器件用部材形成液進(jìn)行脫水-脫醇處理后使用時(shí)，存在容易與這樣的熒光體合用的優(yōu)點(diǎn)。另外，將熒光體顆粒、無機(jī)顆粒(后述)分散到本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的情況下，也可利用有機(jī)配位體對顆粒表面進(jìn)行修飾以改善分散性。以往，用作半導(dǎo)體器件用部材的加成型有機(jī)硅樹脂容易因這樣的有機(jī)配位體而受到固化阻斷，所以不能混合/固化進(jìn)行了這樣的表面處理的顆粒。這是因?yàn)?，加成反?yīng)型有機(jī)硅樹脂中使用的鉑系固化催化劑與這些有機(jī)配位體具有強(qiáng)的相互作用，喪失了氫甲硅烷基化的能力，引起固化不良。作為這樣的毒素，除了含有N、P、S等的有機(jī)化合物之外，還可以舉出Sn、Pb、Hg、Bi、As等重金屬的離子性化合物、乙炔基等含有重鍵的有機(jī)化合物(熔劑、胺類、聚氯乙烯、硫硫化橡膠)等。與此相對，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材是根據(jù)不易由這些毒素引起阻斷固化的縮合型固化機(jī)理得到的。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材與經(jīng)有機(jī)配位體進(jìn)行了表面改性的熒光體顆粒、無機(jī)顆粒以及絡(luò)合物熒光體等熒光成分混合使用的自由度大，具有作為熒光體粘合劑、高折射率納米顆粒導(dǎo)入透明材料的優(yōu)異特性。熒光體的含量只要不明顯損害本發(fā)明的效果，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材中的熒光體的含量是任意的，可以根據(jù)其應(yīng)用形態(tài)自由選擇。以用于白色LED、白色照明等用途的白色發(fā)光的半導(dǎo)體發(fā)光器件為例，在均勻分散熒光體，將含有半導(dǎo)體元件的封裝材的凹部全體埋起來澆灌的情況下，熒光體總量通常為0.1重量％以上，優(yōu)選為1重量％以上，更優(yōu)選為5重量％以上，且通常為35重量％以下，優(yōu)選為30重量％以下，更優(yōu)選為28重量％以下。另外，同用途下，將高濃度分散有熒光體的物質(zhì)以薄膜狀涂布在距半導(dǎo)體發(fā)光器件的半導(dǎo)體元件發(fā)光面的遠(yuǎn)方(例如，用透明密封材料包埋了含有半導(dǎo)體元件的凹部的封裝材開口面、LED氣密密封用玻璃蓋體-透鏡-導(dǎo)光板等外部光學(xué)部材的出光面等)的情況下，熒光體總量通常為5重量％以上，優(yōu)選為7重量％以上，更優(yōu)選為10重量％以上，且通常為90重量％以下，優(yōu)選為80重量％以下，更優(yōu)選為70重量％以下。另外，在混合半導(dǎo)體元件的發(fā)光色和熒光體的發(fā)光色得到白色的情況下，為了使半導(dǎo)體元件的發(fā)光色的一部分透過，熒光體含量通常是低濃度，并在接近上述范圍的下限的區(qū)域。另一方面，在將半導(dǎo)體元件發(fā)出的全部光轉(zhuǎn)換成熒光體發(fā)光色來得到白色的情況下，優(yōu)選高濃度的熒光體，所以熒光體含量在接近上述范圍的上限的區(qū)域。與該范圍相比，熒光體含量多時(shí)，涂布性能變差，由于光學(xué)干涉作用，存在熒光體的利用效率變低，半導(dǎo)體發(fā)光器件的輝度變低的可能性。另外，與該范圍相比，熒光體含量少時(shí)，通過熒光體進(jìn)行的波長轉(zhuǎn)換是不夠的，存在不能得到目的發(fā)光色的可能性。上面對白色發(fā)光的半導(dǎo)體發(fā)光器件用途進(jìn)行了舉例，但根據(jù)目的色、熒光體的發(fā)光效率、混色形式、熒光體比重、涂布膜厚、器件形狀，具體的熒光體含量是多種多樣的，并不限于上述范圍。與環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂等現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光器件用形成液相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用形成液的粘度低，并且與熒光體、無機(jī)顆粒的融合性好，具有即使分散高濃度的熒光體或無機(jī)顆粒，也能維持充分的涂布性能的優(yōu)點(diǎn)。另外，根據(jù)需要，也可通過進(jìn)行聚合度調(diào)整、含有氣相法二氧化硅等觸變材料來制成高粘度，能夠提供對應(yīng)熒光體目的含量的粘度的調(diào)整范圍大、可靈活對應(yīng)涂布對象物的種類、形狀以及澆灌/旋涂/印刷等各種涂布方法的涂布液。此外，對于半導(dǎo)體器件用部材中的熒光體的含量來說，如果能夠確定熒光體組成，則可將含熒光體的試樣粉碎后，進(jìn)行預(yù)燒制，除去碳成分后，利用氫氟酸處理，從而將硅成分制成氟硅酸除去，將殘?jiān)芙獾较×蛩嶂校瑢⒅鞒煞值慕饘僭刂瞥伤芤?，利用ICP、火焰分析、熒光X線分析等公知的元素分析方法，對主成分金屬元素進(jìn)行定量，通過計(jì)算求出熒光體含量。另外，如果熒光體形狀、粒徑均勻，且已知其比重，還可以采用簡單的方法，根據(jù)涂布物截面的圖像解析，求出每單位面積中顆粒的個(gè)數(shù)，換算成熒光體含量。另外，按半導(dǎo)體器件用部材中的熒光體的含量在上述范圍那樣設(shè)定熒光體部形成液中的熒光體的含量即可。所以，熒光體部形成液在干燥工序不發(fā)生重量變化的情況下，熒光體部形成液中的熒光體的含量與半導(dǎo)體器件用部材中的熒光體的含量相同。另外，熒光體部形成液含有溶劑等的情況下等熒光體部形成液在干燥工序發(fā)生重量變化的情況下，只需使除去了其溶劑等的熒光體部形成液中的熒光體的含量與半導(dǎo)體器件用部材中的熒光體的含量相同即可。與無機(jī)顆粒(填料)的并用另外，將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材用于半導(dǎo)體發(fā)光器件等的情況下，為了提高光學(xué)特性、作業(yè)性，以及為了得到下述的<1><5〉中66的任一效果，可以進(jìn)一步含有無機(jī)顆粒。<1>在半導(dǎo)體器件用部材中混入無機(jī)顆粒作為光散射物質(zhì)，使半導(dǎo)體發(fā)光器件的光發(fā)生散射，由此使半導(dǎo)體元件照射到熒光體的光量增加，提高波長轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)擴(kuò)大從半導(dǎo)體發(fā)光器件向外部釋放出的光的指向角。<2〉將作為粘合劑的無機(jī)顆?；烊氲桨雽?dǎo)體器件用部材中，由此防止產(chǎn)生裂紋。<3>將作為粘度調(diào)節(jié)劑的無機(jī)顆?；烊氲桨雽?dǎo)體器件用部材形成液中，由此提高該形成液的粘度。<4>將無機(jī)顆?；烊氲桨雽?dǎo)體器件用部材中，由此減少部件的收縮。<5>將無機(jī)顆?；烊氲桨雽?dǎo)體器件用部材中，由此調(diào)整部材的折射率，提高光取出效率。該情況下，與熒光體粉末同樣，可以根據(jù)目的將無機(jī)顆粒適量混合到半導(dǎo)體器件用部材形成液中。該情況下，根據(jù)所混合的無機(jī)顆粒的種類和量，所得到的效果有所不同。例如，無機(jī)顆粒是粒徑為約10nm的超微顆粒狀二氧化硅(曰本Aerosil株式會(huì)社制，商品名AEROSIL弁200)的情況下，半導(dǎo)體器件用部材形成液的觸變性增大，因而上述<3>的效果大。另外，無機(jī)顆粒是具有約數(shù)微米粒徑的破碎二氧化硅或正球狀二氧化硅的情況下，該無機(jī)顆粒發(fā)揮作為半導(dǎo)體器件用部材的骨材的作用成為中心而幾乎不增加觸變性，因而上述<2>和<4>的效果大。另外，若使用折射率不同于半導(dǎo)體器件用部材的粒徑為約lpm的無機(jī)顆粒，則半導(dǎo)體器件用部材與無機(jī)顆粒之間的界面上的光散射增大，因而上述<1>的效果大。此外，若使用折射率大于半導(dǎo)體器件用部材且粒徑為3nm5nm(具體地說粒徑小于或等于發(fā)光波長)的無機(jī)顆粒，則能夠在保持半導(dǎo)體器件用部材的透明性的同時(shí)提高折射率，因而上述<5>的效果大。因此，可以根據(jù)目的選擇所混合的無機(jī)顆粒的種類。并且，其種類可以是單一的，也可以組合多個(gè)種類進(jìn)行使用。并且，為了改善分散性，可以利用硅垸偶聯(lián)劑等表面處理劑進(jìn)行表面處理。無機(jī)顆粒的種類作為所使用的無機(jī)顆粒的種類，可以舉出二氧化硅、鈦酸鋇、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鈮、氧化鋁、氧化鈰、氧化釔等無機(jī)氧化物顆?；蚪饎偸w粒，但并不限于這些，根據(jù)目的還可以選擇其他的物質(zhì)。無機(jī)顆粒的形態(tài)可以根據(jù)目的為粉體狀、漿料狀等任意形態(tài)，在需要保持透明性時(shí)，優(yōu)選折射率與本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材相同或者在半導(dǎo)體器件用部材形成液中加入作為水系/溶劑系的透明溶膠的無機(jī)顆粒。無機(jī)顆粒的中值粒徑對這些無機(jī)顆粒(一次顆粒)的中值粒徑?jīng)]有特別的限制，通常為熒光體顆粒的1/10以下的程度。具體地說，根據(jù)目的使用下述中值粒徑的無機(jī)顆粒。例如，使用無機(jī)顆粒作為光散射材料時(shí)，其中值粒徑優(yōu)選為0.1pm10jLim。另外，例如使用無機(jī)顆粒作為骨材時(shí)，其中值粒徑優(yōu)選為lnm10,。另夕卜，例如使用無機(jī)顆粒作為增稠齊U(觸變齊U)時(shí)，其中值粒徑優(yōu)選為10nm100nm。另外，例如使用無機(jī)顆粒作為折射率調(diào)整劑時(shí)，其中值粒徑優(yōu)選為lnm10nm。無機(jī)顆粒的混合方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明中，對混合無機(jī)顆粒的方法沒有特別限制，通常推薦與熒光體同樣地使用行星攪拌磨等，一邊進(jìn)行除氣一邊進(jìn)行混合。例如在混合氣相法二氧化硅那樣的容易發(fā)生凝集的小顆粒的情況下，顆?；旌虾?，根據(jù)需要使用珠磨機(jī)、三輥機(jī)等，進(jìn)行凝集顆粒的粉碎，然后混合熒光體等容易混合的大顆粒成分。[4-2-4]無機(jī)顆粒的含量只要不明顯損害本發(fā)明的效果，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材中的無機(jī)顆粒的含量是任意的，可根據(jù)其應(yīng)用形態(tài)自由選擇。例如，使用無機(jī)顆粒作為光散射劑的情況下，其含量優(yōu)選為0.01重量％10重量％。另外，例如，使用無機(jī)顆粒作為骨材的情況下，其含量優(yōu)選為1重量％50重量％。另外，例如，使用無機(jī)顆粒作為增稠劑(觸變劑)時(shí)，其含量優(yōu)選為O.l重量％20重量°/。。另外，例如，使用無機(jī)顆粒作為折射率調(diào)整劑的情況下，其含量優(yōu)選為10重量％80重量％。無機(jī)顆粒的量過少時(shí)，存在不能得到所期望的效果的可能性，無機(jī)顆粒的量過多時(shí)，存在對固化物的密合性、透明性、硬度等各種特性產(chǎn)生不良影響的可能性。與環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂等現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光器件用形成液相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用形成液的粘度低，并且與熒光體、無機(jī)顆粒的融合性好，具有即使分散高濃度的無機(jī)顆粒也能維持充分的涂布性能的優(yōu)點(diǎn)。另外，根據(jù)需要，也可通過進(jìn)行聚合度調(diào)整、含有氣相法二氧化硅等觸變材料來制成高粘度，能夠提供對應(yīng)無機(jī)顆粒目的含量的粘度的調(diào)整范圍大、可靈活對應(yīng)涂布對象物的種類、形狀以及澆灌/旋涂/印刷等各種涂布方法的涂布液。此外，半導(dǎo)體器件用部材中的無機(jī)顆粒的含量可以與上述的熒光體含量同樣地進(jìn)行測定。另外，按半導(dǎo)體器件用部材中的無機(jī)顆粒的含量在上述范圍那樣設(shè)定半導(dǎo)體器件用部材形成液中的無機(jī)顆粒的含量即可。所以，半導(dǎo)體器件用部材形成液在干燥工序不發(fā)生重量變化的情況下，半導(dǎo)體器件用部材形成液中的無機(jī)顆粒的含量與半導(dǎo)體器件用部材中的無機(jī)顆粒的含量相同。另外，半導(dǎo)體器件用部材形成液含有溶劑等的情況下等半導(dǎo)體器件用部材形成液在干燥工序發(fā)生重量變化的情況下，只需使除去了其溶劑等的半導(dǎo)體器件用部材形成液中的無機(jī)顆粒的含量與半導(dǎo)體器件用部材中的無機(jī)顆粒的含量相同即可。[4-3]與導(dǎo)電性填料的并用另外，將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材用于半導(dǎo)體發(fā)光器件的情況下，基于賦予導(dǎo)電性、使用印刷、澆灌等技術(shù)在低于焊料使用溫度的低溫形成電路的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材還可以含有導(dǎo)電性填料。作為所使用的導(dǎo)電性填料的種類，可以舉出銀粉、金粉、鉑粉、鈀粉等貴金屬粉、銅粉、鎳粉、鋁粉、黃銅粉、不銹鋼粉等賤金屬粉、鍍覆銀等貴金屬而合金化了的賤金屬粉、覆蓋有貴金屬或賤金屬的有機(jī)樹脂粉或二氧化硅粉、其他炭黑、石墨粉等碳系填料等，但并不限于這些，根據(jù)目的還可以選擇其他物質(zhì)。另外，導(dǎo)電性填料可以使用1種，也可以以任意組合和比例合用2種以上。導(dǎo)電性填料的供給形態(tài)可以是粉體狀、漿料狀等對應(yīng)目的的任意形態(tài)，需要保持透明性時(shí)或需要印刷形成微細(xì)的配線時(shí)，優(yōu)選制成無凝集的水系/溶劑系透明溶膠或容易再分散且?guī)П砻嫘揎椀募{米顆粒粉末加入半導(dǎo)體器件用部材形成液中。作為這些金屬粉的形狀，有薄片狀(鱗片狀)、球狀、粟狀、樹枝狀(dentrite，樹突狀)、球狀一次顆粒凝集成3維狀的形狀等。其中，從導(dǎo)電性、成本、可靠性方面考慮，優(yōu)選以銀粉為主體，從導(dǎo)電性方面考慮，更優(yōu)選在銀粉中合用少量的炭黑和/或石墨粉。另外，從導(dǎo)電性、可靠性方面出發(fā)，優(yōu)選使用薄片狀、球狀的銀粉，最優(yōu)選合用薄片狀和球狀的銀粉。另外，根據(jù)需要還可以少量混配二氧化硅、滑石、云母、硫酸鋇、氧化銦等無機(jī)填料等。銀粉與炭黑和/或石墨微粉末的優(yōu)選混配比(質(zhì)量比)如下以銀粉與炭黑和/或石墨微粉末的總量為100質(zhì)量比時(shí)，銀粉的上限優(yōu)選為99.5質(zhì)量比以下、更優(yōu)選為99質(zhì)量比以下。銀粉的下限為85質(zhì)量比以上、更優(yōu)選為90質(zhì)量比以上。對于導(dǎo)電性填料的中值粒徑?jīng)]有特別的限制，通常為0.1,以上，優(yōu)選為0.5pm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為lpm以上，且通常為50pm以下，優(yōu)選為20pm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10pm以下。另外，特別要求透明性、微細(xì)加工性的情況下，導(dǎo)電性填料的中值粒徑通常為3nm以上，優(yōu)選為10nm以上，且通常為150nm以下，優(yōu)選為100nm以下。另外，以該導(dǎo)電性填料和粘合劑樹脂的總量為100重量％時(shí)，導(dǎo)電性填料的含量通常為50重量％以上，優(yōu)選為75重量％以上，更優(yōu)選為80質(zhì)量比以上。另外，從粘結(jié)性、油墨的粘性的角度出發(fā)，導(dǎo)電性填料的含量通常為95重量％以下，優(yōu)選為93重量°/。以下，更優(yōu)選為90重量％以下。導(dǎo)電性填料的量過少時(shí)，存在不能得到所期望的效果的可能性，導(dǎo)電性填料的量過多時(shí)，存在對固化物的密合性、透明性、硬度等各種特性有不良影響的可能性。與環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂等現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光器件用形成液相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用形成液的粘度低，并且與熒光體、無機(jī)顆粒的融合性好，具有即使分散高濃度的無機(jī)顆粒也能充分維持涂布性能的特征。另外，根據(jù)需要，也可以通過進(jìn)行聚合度的調(diào)整或含有氣相法二氧化硅等觸變材料來制成高粘度，能夠提供對應(yīng)無機(jī)顆粒的目的含量的粘度的調(diào)整范圍大、可靈活對應(yīng)涂布對象物的種類、形狀以及澆灌/旋涂/印刷等各種涂布方法的涂布液。此外，半導(dǎo)體器件用部材中無機(jī)顆粒的含量可以與上述的熒光體含量同樣地進(jìn)行測定。與其他部材的組合本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材可以單獨(dú)用作密封材料，但在密封有機(jī)熒光體、容易因氧和水分而發(fā)生老化的熒光體、半導(dǎo)體器件的情況等要求更嚴(yán)密地隔絕氧、水分的用途中，可以利用本發(fā)明的部材實(shí)施熒光體的保持、半導(dǎo)體元件的密封/光取出，以及在其外側(cè)利用玻璃板、環(huán)氧樹脂等高氣密材料實(shí)施氣密密封或?qū)嵤┱婵彰芊狻υ撉闆r下的器件形狀沒有特別限制，只需將由本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材得到的密封體、涂布物或者涂布面用金屬/玻璃/高氣密性樹脂等高氣密材料實(shí)質(zhì)性地保護(hù)起來，阻斷外界的影響，使其處于沒有氧、水分流通的狀態(tài)即可。另外，如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的密合性好，所以能用作半導(dǎo)體器件用粘結(jié)劑。具體地說，例如，在將半導(dǎo)體元件和封裝材粘結(jié)的情況下、將半導(dǎo)體元件和基臺(tái)粘結(jié)的情況下、將封裝材構(gòu)成要件彼此粘結(jié)的情況下、將半導(dǎo)體器件和外部光學(xué)部材粘結(jié)的情況下等情況下，能夠通過進(jìn)行涂布、印刷、澆灌等操作來使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的耐光性、耐熱性特別優(yōu)異，所以用作長時(shí)間處于高溫、紫外光下的高功率半導(dǎo)體發(fā)光器件用粘結(jié)劑的情況下，能夠提供可長期使用的具有高可靠性的半導(dǎo)體發(fā)光器件。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材雖然僅自身就能保證足夠的密合性，但是，為了進(jìn)一步保證密合性，可以對與半導(dǎo)體器件用部材直接相71接的表面進(jìn)行用于改善密合性的表面處理。作為這樣的表面處理，例如可以舉出使用底層涂料、硅烷偶聯(lián)劑的密合改善層的形成；使用酸、堿性等試劑的化學(xué)表面處理；使用等離子體照射、離子照射-電子線照射的物理表面處理；利用噴砂、蝕刻-微粒涂布等的粗面化處理等。作為用于改善密合性的表面處理，還可舉出例如日本特開平5-25300號(hào)公報(bào)、稻垣訓(xùn)宏著"表面化學(xué)"Vol.18No.9、pp2l-26、黑崎和夫著"表面化學(xué)"Vol.19No.2、pp44-51(1998)等公開的公知的表面處理方法。半導(dǎo)體發(fā)光器件(A樹裝材本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的封裝材的特征在于，其表面材料含有Si、Al和Ag中的任意一種以上元素。其中，封裝材是指半導(dǎo)體發(fā)光器件中載置后述的(B)半導(dǎo)體元件的部材。封裝材可以舉出杯皿狀、平板上設(shè)有凹部的形狀、平板的周圍設(shè)置有堰的形狀，但也可以是平板狀等，通常使用杯皿狀的封裝材。[5-1-1]表面材料本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件所使用的封裝材的表面材料的特征在于含有Si、Al和Ag中的任意一種以上元素。如上所述，封裝材是載置(B)半導(dǎo)體元件的部材，為了提高輝度(反射率)、耐久性-耐熱性、耐光性、密合性、散熱性等，對其實(shí)施了各種表面加工。特別是對于功率器件，常為了提高耐久性、耐熱性而實(shí)施材料的選擇、表面加工。具體地說，例如除了基于提高反射率、進(jìn)而提高輝度的目的的鍍銀等表面加工之外，還可以舉出基于提高散熱性/絕緣性/耐熱性/耐久性/耐光性等目的而選擇使用了SiNx、SiC、Si02、Al、A1N、^203等的陶瓷制封裝材、或基于提高反射率、賦予光擴(kuò)散功能的目的的通過涂覆無機(jī)系涂布層進(jìn)行的表面平滑化、粗面化等陶瓷表面加工等。艮口，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，實(shí)施了所述特殊的表面處理的封裝材也具有不產(chǎn)生密封材料的剝離等問題的優(yōu)異性質(zhì)。表面材料中，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的封裝材的表面材料含有的Si、Al的含量通常為5重量％以上，優(yōu)選為10重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為40重量％以上，且通常為100重量％以下，優(yōu)選為90重量°/。以下，進(jìn)一步優(yōu)選為80重量％以下。對于像使用Si02作為燒結(jié)助劑的A1203陶瓷燒結(jié)體那樣表面固熔混合存在有Si02和Al203的情況下，上述含量以Si和Al的總含量的形式計(jì)算。像含有玻璃纖維等無機(jī)質(zhì)填料的增強(qiáng)塑料那樣材料表面由2層構(gòu)成的情況下，上述含量以增強(qiáng)塑料中的Si含量的形式計(jì)算。另外，半導(dǎo)體發(fā)光器件中，常存在高純度的Ag作為鍍覆金屬，含有Ag的表面中的Ag含量通常為60重量°/。以上，優(yōu)選為70重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為80重量％以上，且通常為100重量％以下，優(yōu)選為98重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為95重量％以下。上述含量過少時(shí)，存在不能實(shí)現(xiàn)各種表面處理等的效果的可能性。另外，上述含量過多時(shí)，存在對加工有妨礙或脫離目的陶瓷組成的可能性。[5-1-2]其他材質(zhì)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的封裝材的材料部分或全部具有上述的表面材料。對于部分具有表面材料的封裝材，其他部分可根據(jù)目的選擇任意的材質(zhì)，通?？梢詮挠袡C(jī)材料、無機(jī)材料、玻璃材料等以及這些的組合中適當(dāng)進(jìn)行選擇。作為有機(jī)材料，可以舉出聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、尼龍類樹脂、聚鄰苯二甲酰胺類樹脂、聚乙烯樹脂等有機(jī)樹脂以及這些樹脂與玻璃填料、無機(jī)粉末混合得到的增強(qiáng)材料，所述增強(qiáng)材料的耐熱性、機(jī)械強(qiáng)度得到了提高，并且降低了其熱膨脹率。作為無機(jī)材料，可以舉出SiNx、SiC、Si02、A1N、A1203等陶瓷材料；鐵/銅/黃銅/鋁/鎳/金/銀/鉑/鈀等金屬材料或這些的合金等。作為玻璃材料，可以舉出用于氣密密封部或部材之間的粘結(jié)等的低熔點(diǎn)玻璃、用作封裝材的窗材、透明蓋體等的封裝材的一部分的光學(xué)玻璃等。另外，在產(chǎn)熱/發(fā)光量多的所謂功率器件中使用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件的情況下，與現(xiàn)有構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光器件相比，能夠選擇耐久性優(yōu)73異的材料。這樣的功率器件中，相比于容易發(fā)生變色等老化的有機(jī)材料，優(yōu)選耐熱-耐光耐久性優(yōu)異的無機(jī)材料。其中，優(yōu)選銅/鋁/SiNpA1N、Al203等容易加工且散熱性優(yōu)異的材料。另外，如上所述，基于提高反射率、進(jìn)而提高輝度的目的，可以對這些封裝材原料實(shí)施鍍銀等表面加工。[5-1-3]形狀對本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的封裝材的形狀沒有特別限制，除了公知的半導(dǎo)體發(fā)光器件用封裝材之外，還可以使用根據(jù)各種目的進(jìn)行了適當(dāng)改良的半導(dǎo)體發(fā)光器件用封裝材。作為具體的形狀，可以舉出反射器和基板為一體型的陶瓷封裝材、發(fā)光元件正下方設(shè)置有由銅、鋁等構(gòu)成的吸熱設(shè)備的封裝材、反射器的反射面覆蓋有銀的封裝材等。封裝材可以舉出杯皿狀、平板上設(shè)置有凹部的形狀、平板的周圍設(shè)置有堰的形狀、平板狀等，通常使用杯皿狀的封裝材。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的封裝材可以使用市售的物質(zhì)。具體地說，例如可以舉出工厶、〉一才一(MCO)株式會(huì)社制造的型號(hào)"3PINMETAL"(反射器材料是帶有鍍銀的銅制材料，銷的周圍的氣密密封是低熔點(diǎn)玻璃制造的)、共立二"'7，^(ELEX)株式會(huì)社制造的型號(hào)"M5050N"(反射器材料、基板材料是Al203制、電極材料是Ag-Pt制、反射器與基板的粘結(jié)部分是低熔點(diǎn)玻璃制)等。[5-2](B)半導(dǎo)體元件[5-2-1]半導(dǎo)體元件作為本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的半導(dǎo)體元件，具體可以使用發(fā)光二極管(LED)、半導(dǎo)體激光二極管(LD)等。具體地說，可以舉出GaN系化合物半導(dǎo)體、ZnSe系化合物半導(dǎo)體、ZnO系化合物半導(dǎo)體。其中，優(yōu)選使用了GaN系化合物半導(dǎo)體的GaN系LED、LD。其原因在于，與發(fā)出該區(qū)域的光的SiC系LED等相比，GaN系LED、LD的發(fā)光功率、外部量子效率明顯大，通過與后述的熒光體組合，能夠得到電力非常低但非常明亮的發(fā)光。例如，對于相同的電流載荷，通常GaN系LED、LD具有SiC系的100倍以上的發(fā)光強(qiáng)度。GaN系LED、LD中，優(yōu)選具有AlxGayN發(fā)光層、GaN發(fā)光層或者InxGayN發(fā)光層的LED、LD。GaN系LED中，具有其中的InxGayN發(fā)光層的LED的發(fā)光強(qiáng)度非常強(qiáng)，所以是特別優(yōu)選的，GaN系LD中具有InxGayN層和GaN層的多重量子阱結(jié)構(gòu)時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度非常強(qiáng)，所以是特別優(yōu)選的。此外，上述中，x+y的值通常是0.81.2的范圍的值。GaN系LED中，在調(diào)整發(fā)光特性方面，優(yōu)選這些發(fā)光層中摻雜有Zn、Si的LED或沒有進(jìn)行摻雜的LED。GaN系LED以這些發(fā)光層、p層、n層、電極以及基板為基本構(gòu)成要件，具有n型和p型的AlxGayN層、GaN層或者InxGayN層等夾著發(fā)光層的異質(zhì)結(jié)構(gòu)時(shí)，發(fā)光效率高，所以是優(yōu)選的，另外，將異質(zhì)結(jié)構(gòu)制成量子阱結(jié)構(gòu)時(shí)，發(fā)光效率更高，所以是更優(yōu)選的。作為用于形成GaN系半導(dǎo)體元件的GaN系結(jié)晶層的成長方法，可以舉出HVPE(氫化物氣相外延)法、MOVPE(有機(jī)金屬化合物氣相淀積)法、MBE(分子束外延)法等。制作厚膜的情況下，優(yōu)選HVPE法，形成薄膜的情況下，優(yōu)選MOVPE法、MBE法。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，使用面發(fā)光型的發(fā)光體、特別是面發(fā)光型GaN系激光二極管作為發(fā)光元件時(shí)，提高了發(fā)光裝置全體的發(fā)光效率，所以是特別優(yōu)選的。面發(fā)光型的發(fā)光體是在膜的面方向具有強(qiáng)的發(fā)光的發(fā)光體，對于面發(fā)光型GaN系激光二極管來說，通過控制發(fā)光層等的結(jié)晶成長且靈活應(yīng)用反射層等，與發(fā)光層的邊緣方向相比，能夠增強(qiáng)面方向的發(fā)光。與從發(fā)光層的邊緣發(fā)光的類型相比，通過使用面發(fā)光型的發(fā)光體，每單位發(fā)光量的發(fā)光截面積變大。[5-2-2]發(fā)光峰波長本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的半導(dǎo)體元件的發(fā)光峰波長可以是可見近紫外的任意波長。半導(dǎo)體元件的發(fā)光峰波長是重要的要素，其與熒光體的激發(fā)效率、以及由熒光體的激發(fā)光向熒光的轉(zhuǎn)換效率有關(guān)，并且對密封材料的耐久性有影響。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，通常使用具有近紫外區(qū)域到藍(lán)色區(qū)域的發(fā)光波長的發(fā)光元件，具體地說，通常使用峰發(fā)光波長為300nm以上、優(yōu)選為330nm以上、進(jìn)一步優(yōu)選為350nm以上、且通常為卯Onm以下、優(yōu)選為500nm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為480nm以下的發(fā)光元件。波長過短時(shí)，密封材料吸收發(fā)光波長，不能得到高輝度的器件，并且成為了產(chǎn)熱導(dǎo)致器件熱劣化的原因，所以不是優(yōu)選的。發(fā)光面的尺寸本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件對于高輸出的功率器件用途是特別優(yōu)異的。所以，用于功率器件用途的情況下，(B)半導(dǎo)體元件(芯片)的發(fā)光面的面積通常為0.15mm2以上，優(yōu)選為0.2mm2以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.3mm2以上，且通常為10mm2以下，優(yōu)選為5mm2以下，進(jìn)一步優(yōu)選為3mm2以下。發(fā)光面的面積過小時(shí)，難以用作功率器件用途。此處，發(fā)光面是指pn結(jié)面。另外，將小型芯片連裝于一個(gè)封裝材的情況下，上述的面積是這些小型芯片的總面積。此外，為了降低晶片切割中的損失，芯片本身的形狀通常是長方形或正方形。因此，芯片為長方形的情況下，發(fā)光面由1個(gè)芯片構(gòu)成時(shí)，發(fā)光面的長邊通常為0.43mm以上，優(yōu)選為0.5mm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.6mm以上，且通常為4mm以下，優(yōu)選為3mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為2mm以下。另外，短邊通常為0.35mm以上，優(yōu)選為0.4mm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.5mm以上，且通常為2.5mm以下，優(yōu)選為2mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1.5mm以下。芯片是正方形的情況下，發(fā)光面的一邊通常為0.38mm以上，優(yōu)選為0，45mm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.55mm以上，且通常為3.1mm以下，優(yōu)選為2.2mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1.7mm以下。[5-2-4]發(fā)光面的表面溫度本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件對于高功率的功率器件用途特別優(yōu)異。所以，用于功率器件用途的情況下，工作時(shí)的(B)半導(dǎo)體元件(芯片)的發(fā)光面的表面溫度通常為8(TC以上，優(yōu)選為85X:以上，進(jìn)一步優(yōu)選為90。C以上，且通常為20(TC以下，優(yōu)選為18(TC以下，進(jìn)一步優(yōu)選為15(TC以下。發(fā)光面的表面溫度過低時(shí)，難以用作功率器件用途。發(fā)光面的表面溫度過高時(shí)，散熱變得困難，存在難以均勻流通電流的可能性。此外，發(fā)光面的表面溫度過高時(shí)，優(yōu)選在器件附近設(shè)置吸熱設(shè)備或散熱扇等，抑制76半導(dǎo)體、周邊部材的劣化。表面材料本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的半導(dǎo)體元件的表面材料的特征在于含有Si、Al和Ag中的任意一種以上元素。作為半導(dǎo)體元件(芯片)的保護(hù)層的SiNx、Si02通常不是必須的，可以使用沒有這些保護(hù)層的芯片。但是，GaN是化學(xué)、物理方面"硬的"物質(zhì)，所以加工時(shí)需要強(qiáng)的能量，因而，從加工的角度出發(fā)，最好有保護(hù)層。S卩，SiNx層、SiC層、Si02層是從加工工序中的等離子體/試劑/氧化的環(huán)境中進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)層。并且，對于制品芯片，有時(shí)其起到防止靜電、防止雜質(zhì)金屬遷移、防止附著焊錫的作用以及起到光取出膜等的作用。但是，任何情況下，保護(hù)層均是在將GaN切分成單個(gè)芯片之前的工序形成的，所以制品芯片的側(cè)面不可避免地生成了沒有保護(hù)層的面。即，通常保護(hù)層以覆蓋芯片的一部分的狀態(tài)存在。需要說明的是，本發(fā)明中稱作"芯片"的表達(dá)包括保護(hù)層，可以全面覆蓋有保護(hù)層。實(shí)際上電極取出面、側(cè)面部分為沒有保護(hù)層的狀態(tài)。為了確保微細(xì)加工的精度，與芯片主體、基板的GaN層的厚度相比，上述保護(hù)層的膜厚通常十分小。即，上述保護(hù)層的膜厚通常為1000nm以下，優(yōu)選為500nm以下。并且，通常為lnm以上，優(yōu)選為10nm以上。膜厚過薄時(shí)，存在保護(hù)效果不足的可能性。膜厚過厚時(shí)，存在對微細(xì)加工造成不便的可能性。Al和Ag是不透明的，其作為LED芯片上的保護(hù)層的例子少，但是Al可以藍(lán)寶石(八1203)的形式用于芯片的GaN發(fā)光層形成用基板(絕緣性)。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的半導(dǎo)體元件的表面材料含有的Si、Al和Ag的含量通常為40重量。/c以上，優(yōu)選為50重量°/。以上，進(jìn)一步優(yōu)選為60重量％以上，且通常為100重量％以下，優(yōu)選為90重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為80重量％以下。半導(dǎo)體元件的發(fā)光面的表面存在厚度幾百納米的SiNx、Si02等薄膜狀保護(hù)層的情況下，以該保護(hù)層的材質(zhì)為表面組成。上述含量過少時(shí)，不能充分發(fā)揮各種的表面處理等的效果。另外，上述含量過多時(shí)，成為了不透明層，對發(fā)光功率有不良影響，脫離了目的陶瓷組成。芯片表面形狀和芯片形狀芯片的表面形狀可以是平滑的或粗面的，優(yōu)選不會(huì)產(chǎn)生不必要的漫反射且對光取出效率沒有不良影響的形狀。芯片的表面形狀是平滑形狀時(shí)，優(yōu)選對芯片全體的形狀進(jìn)行加工，以防止從發(fā)光面射出的光向芯片內(nèi)全反射。芯片的表面形狀是粗面的情況下，形成了適合在以優(yōu)選發(fā)光波長以下、更優(yōu)選發(fā)光波長的1/4以下的頻率進(jìn)行光取出的微細(xì)結(jié)構(gòu)時(shí)，得到了高的光取出效率，所以是優(yōu)選的。芯片的表面形狀是粗面的情況下，雖然加工上難以設(shè)置(殘留)寬闊的含Si的保護(hù)層，但設(shè)有該保護(hù)層時(shí)，接觸面積增大，所以具有粘結(jié)力提高的優(yōu)點(diǎn)。另外，對于具有SiC基板、藍(lán)寶石基板的半導(dǎo)體元件，在基板上設(shè)置粗面，并實(shí)施倒裝芯片安裝的情況下，含有Si、Al的表面與后述的密封材料相接得越緊，密合性越高，所以是優(yōu)選的。另外，上述平滑、粗面的任意情況下，為了提高與本發(fā)明的密封材料的粘結(jié)性，必須在本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件中存在含有Si的表面層，并且，優(yōu)選含有Si的層的表面積相對于芯片的總表面積(除了焊料或銀膠形成的粘結(jié)面)的比例為5%90%。為了降低晶片切割時(shí)的損失，芯片本身的形狀通常為長方形或正方形。[5-2-7]芯片基板基板可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇SiC、Si02、藍(lán)寶石、GaN、A1N等。其中，含有Si的SiC、SK)2以及含有A1的藍(lán)寶石與本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的密封材料具有高的密合性，所以是優(yōu)選的。使用不含Si、Al的基板的情況下，優(yōu)選在芯片發(fā)光面?zhèn)却嬖诤琒i的被覆層(SiNx、Si02)。[5-3](C)密封材料本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件使用的(C)密封材料(以下有時(shí)選擇性稱作"本發(fā)明的密封材料")具有滿足下述(I)(III)的全部條件的特征。另外，根據(jù)需要還可以滿足后述的其他要件。(I)具有能夠與存在于陶瓷或金屬的表面的羥基或金屬-氧-金屬鍵中的氧形成氫鍵的官能團(tuán)。78(II)波長為400nm的光的透射率在于20(TC放置500小時(shí)前后的維持率為80°/。110%。(m)波長為400nm的光的透射率在照射中心波長為380nm、波長為370nrn以上且輻射強(qiáng)度為0.6kW/n^的光72小時(shí)前后的維持率為80%110%。下面，對要件(i)(m)和其他要件進(jìn)行詳細(xì)描述。(I)官能團(tuán)本發(fā)明的密封材料具有能夠與存在于陶瓷或金屬的表面的規(guī)定的官能團(tuán)(例如，羥基、金屬-氧-金屬鍵中的氧等)形成氫鍵的官能團(tuán)。如上所述，(A)封裝材、(B)半導(dǎo)體元件通常表面由陶瓷或金屬形成或裝飾。并且，陶瓷、金屬的表面通常存在羥基。另一方面，本發(fā)明的密封材料通常具有能與該羥基形成氫鍵的官能團(tuán)。所以，通過上述氫鍵，本發(fā)明的密封材料對(A)封裝材、(B)半導(dǎo)體元件的密合性優(yōu)異作為本發(fā)明的密封材料具有的能夠與上述的羥基形成氫鍵的官能團(tuán)，例如可以舉出硅烷醇、垸氧基等。需要說明的是，上述官能團(tuán)可以是1種，也可以是2種以上。此外，如上所述，本發(fā)明的密封材料是否具有能夠與羥基形成氫鍵官能團(tuán)可通過固體Si-NMR、固體^-NMR、紅外線吸收光譜(IR)、拉曼光譜等分光學(xué)方法進(jìn)行確認(rèn)。[5-3-2](II)耐熱性本發(fā)明的密封材料的耐熱性優(yōu)異。即，具有即使放置在高溫條件下對具有規(guī)定波長的光的透射率也不易變動(dòng)的性質(zhì)。具體地說，在20(TC放置500小時(shí)前后，本發(fā)明的密封材料對波長400nm的光的透射率的維持率通常為80%以上，優(yōu)選為90%以上，更優(yōu)選為95%以上，且通常為110%以下，優(yōu)選為105%以下，更優(yōu)選為100%以下。需要說明的是，上述的變動(dòng)比可通過利用紫外/可見分光光度計(jì)進(jìn)行的透射率測定，與[1-4-3]中所述的透射率的測定方法同樣地進(jìn)行測定。[5-3-3](m)耐uv性本發(fā)明的密封材料的耐光性優(yōu)異。即，具有即使照射UV(紫外光)對具有規(guī)定波長的光的透射率也難以變動(dòng)的性質(zhì)。具體地說，在以中心波長為380nm、且波長370nm以上、輻射強(qiáng)度為0.6kW/m2的光照射72小時(shí)之前和之后，本發(fā)明的密封材料對波長為400nm的光的透射率的維持率通常為80%以上、優(yōu)選為90%以上、更優(yōu)選為95%以上、并且通常為110%以下、優(yōu)選為105%以下、更優(yōu)選為100%以下。需要說明的是，上述的變動(dòng)比可通過利用紫外/可見分光光度計(jì)進(jìn)行的透射率測定，與[1-4-3]中所述的透射率的測定方法同樣地進(jìn)行測定。[5-3-4]其他物理性質(zhì)本發(fā)明的密封材料以上述特性為主要的特征。作為這樣的密封材料，可以使用無機(jī)系材料和/或有機(jī)系材料。作為無機(jī)系材料，例如可以舉出金屬醇鹽、陶瓷前體聚合物或含有者金屬醇鹽的溶液經(jīng)溶膠凝膠法水解聚合而成的溶液或這些的組合經(jīng)固化得到的無機(jī)系材料(例如具有硅氧烷鍵的無機(jī)系材料)等。作為有機(jī)系材料，可以舉出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光固性樹脂等。具體地說，例如可以舉出聚甲基丙烯酸甲酯等甲基丙烯酸樹酯；聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物等苯乙烯樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚酯樹脂;苯氧樹脂；丁縮醛樹脂；聚乙烯醇；乙基纖維素、纖維素醋酸酯、醋酸丁酸纖維素等纖維素類樹脂；環(huán)氧樹脂；酚醛樹脂；有機(jī)硅樹脂等。以往，作為半導(dǎo)體發(fā)光器件用的熒光體分散材料，通常使用環(huán)氧樹脂，但是特別是照明等需要大功率的發(fā)光裝置的情況下，基于耐熱性、耐光性等的目的，優(yōu)選使用含硅化合物。含硅化合物是指分子中具有硅原子的化合物，可以舉出聚有機(jī)硅氧垸等有機(jī)材料(硅酮系材料)、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等無機(jī)材料以及硼硅酸鹽、磷硅酸鹽、堿性硅酸鹽等玻璃材料。其中，從操作的容易性、固化物具有應(yīng)力緩和力的方面考慮，優(yōu)選硅酮系材料。關(guān)于半導(dǎo)體發(fā)光器件用有機(jī)硅樹脂，例如日本特開平10-228249號(hào)公報(bào)、日本專利2927279號(hào)公報(bào)、日本特開2001-36147號(hào)公報(bào)等嘗試了將其用于密封材料，日本特開2000-123981號(hào)公報(bào)嘗試了將其用于波長調(diào)整涂布。[5一3-4A]硅酮系材料硅酮系材料通常是指以硅氧垸鍵為主鏈的有機(jī)聚合物，例如可以舉出組成通式表示的化合物和/或這些化合物的混合物。(RWSiO"2)M(R4R5Si02/2)D(R6Si03/2)T(SiO—此處，R'W相同或不同，選自由有機(jī)官能團(tuán)、羥基、氫原子組成的組。另外，M、D、T和Q是0到小于1的數(shù)，并且滿足M+D+T十Q=l。將硅酮系材料用于半導(dǎo)體元件的密封的情況下，可以使用液態(tài)的硅酮系材料密封后，利用熱或光使其固化，從而進(jìn)行應(yīng)用。根據(jù)固化的機(jī)理對硅酮系材料進(jìn)行分類的話，通?？梢耘e出加成聚合固化型、縮聚固化型、紫外線固化型、過氧化物硫化型等的硅酮系材料。這些之中，優(yōu)選加成聚合固化型(加成型有機(jī)硅樹脂)、縮合固化型(縮合型有機(jī)硅樹脂)、紫外線固化型。下面對加成型硅酮系材料以及縮合型硅酮系材料進(jìn)行說明。加成型硅酮系材料加成型硅酮系材料是指聚有機(jī)硅氧烷鏈通過有機(jī)加成鍵交聯(lián)得到的物質(zhì)。作為代表性物質(zhì)，可以舉出例如乙烯基硅烷和氫硅烷在Pt催化劑等加成型催化劑的存在下反應(yīng)得到的在交聯(lián)點(diǎn)具有Si-C-C-Si鍵的化合物等。這些物質(zhì)可以使用市售品，例如作為加成聚合固化型的具體的商品名，可以舉出信越化學(xué)工業(yè)社制造的"LPS-1400"、"LPS-2410"、"LPS國3400"等。上述加成型硅酮系材料具體可如下得到例如將下述平均組成式(la)表示的(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧烷和下述平均組成式(2a)表示的(B)含氫甲硅烷基的有機(jī)聚硅氧垸以(B)的總的氫甲硅烷基量為(A)的總鏈烯基的0.52.0倍的量的比例混合，在催化劑量的(C)加成反應(yīng)催化劑的存在下進(jìn)行反應(yīng)，由此得到上述加成型硅酮系材料。(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧烷是下述組成式(la)表示的在1分子中具有至少2個(gè)與硅原子結(jié)合的鏈烯基的有機(jī)聚硅氧烷。RnSiO((4—n)/2)(la)(其中，式(la)中，R相同或不同，是具有取代基或不具有取代基的1價(jià)烴基、烷氧基或者羥基，n是滿足l^n〈2的正數(shù)。但是，R之中至少一個(gè)是鏈烯基。)(B)含氫甲硅垸基的聚有機(jī)硅氧垸是下述組成式(2a)表示的在1分子中具有至少2個(gè)與硅原子結(jié)合的氫原子的有機(jī)氫聚硅氧烷。R,aHbSiO((4-a-b)/2)(2a)(其中，式(2a)中，R'是除了鏈烯基以外的相同或不同的具有取代基或不具有取代基的1價(jià)烴基，a和b是滿足0.7蕓a^2.1、O.OOl^b^l.O且0.8^a+b^2.6的正數(shù)。)下面對加成型有機(jī)硅樹脂進(jìn)行更詳細(xì)地說明。上述式(la)中的R中，鏈烯基優(yōu)選是乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基等碳原子數(shù)28的鏈烯基。另外，R是烴基的情況下，優(yōu)選是選自甲基、乙基等垸基、乙烯基、苯基等碳原子數(shù)120的1價(jià)烴基的烴基,更優(yōu)選是甲基、乙基、苯基。R可以各不相同，但在要求耐UV性的情況下，優(yōu)選R的80。/。以上是甲基。R可以是碳原子數(shù)18的烷氧基或羥基，垸氧基、羥基的含量優(yōu)選為(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧垸的重量的3%以下。上述組成式(la)中，n是滿足l^n〈2的正數(shù)，其值為2以上時(shí)，不能得到作為密封材料的足夠的強(qiáng)度，其值小于1時(shí)，該有機(jī)聚硅氧垸的合成是困難的。此外，(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧烷可以僅使用1種，也可以以任意組合和比例使用2種以上。接著，說明(B)含氫甲硅烷基的聚有機(jī)硅氧烷，其通過與(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧烷進(jìn)行氫甲硅烷基化反應(yīng)，起到使組合物固化的交聯(lián)劑的作用。組成式(2a)中，R，表示除了鏈烯基以外的一價(jià)烴基。此處，作為R，，可以舉出與組成式(la)中的R相同的基團(tuán)(但除鏈烯基以外)。另外，用于要求耐UV性的用途的情況下，優(yōu)選R，中至少80%以上是甲基。組成式(2a)中，a通常為0.7以上、優(yōu)選為0.8以上、且通常為2.1以下、優(yōu)選為2以下的正數(shù)。另外，b通常為0.001以上、優(yōu)選為0.01以上、且通常為1.0以下的正數(shù)。但是，a+b為0.8以上，優(yōu)選為1以上，且為2.6以下，優(yōu)選為2.4以下。另外，(B)含氫甲硅垸基的聚有機(jī)硅氧烷在1分子中具有至少2個(gè)、優(yōu)選3個(gè)以上的SiH鍵。該(B)含氫甲硅垸基的聚有機(jī)硅氧垸的分子結(jié)構(gòu)可以是直鏈狀、環(huán)狀、支鏈狀、三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的任一結(jié)構(gòu)，可以使用1分子中的硅原子的數(shù)量(或聚合度)為31000、特別是3300左右的(B)含氫甲硅烷基的聚有機(jī)硅氧烷。此外，(B)含氫甲硅垸基的聚有機(jī)硅氧烷可以僅使用l種，也可以以任意組合和比例使用2種以上。上述(B)含氫甲硅垸基的聚有機(jī)硅氧垸的混配量取決于(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧垸的總鏈烯基量。具體地說，(B)含氫甲硅烷基的聚有機(jī)硅氧垸的總SiH量通常為(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧烷的總鏈烯基的0.5摩爾倍以上、優(yōu)選0.8摩爾倍以上、且通常為2.0摩爾倍以下、優(yōu)選1.5摩爾倍以下的量即可。(C)加成反應(yīng)催化劑是用于促進(jìn)(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧垸中的鏈烯基與(B)含氫甲硅烷基的聚有機(jī)硅氧垸中的SiH基的氫甲硅烷基化加成反應(yīng)的催化劑。作為該(C)加成反應(yīng)催化劑，例如可以舉出鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸與一元醇的反應(yīng)物、氯鉑酸與烯烴類的絡(luò)合物、雙乙酰乙酸鉑等鉑系催化劑、鈀系催化劑、銠系催化劑等鉑族金屬催化劑。此外，(C)加成反應(yīng)催化劑可以僅使用1種，也可以以任意組合和比例使用2種以上。該加成反應(yīng)催化劑的混配量可以設(shè)定為催化劑量，通常，鉑族金屬優(yōu)選為(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧烷和(B)含氫甲硅烷基的聚有機(jī)硅氧烷的總重量的lppm以上、特別是2ppm以上、且為500ppm以下、特別是100ppm以下。在不損害本發(fā)明的效果的范圍，用于得到加成型硅酮系材料的組合物中除了上述(A)含鏈烯基的有機(jī)聚硅氧烷、(B)含氫甲硅垸基的聚有機(jī)硅氧烷和(C)加成反應(yīng)催化劑之外，作為選擇性成分，還可以含有用于賦予83固化性、貯存期的加成反應(yīng)控制劑、用于調(diào)整硬度和粘度的具有例如鏈烯基的直鏈狀二有機(jī)聚硅氧垸以及直鏈狀的非反應(yīng)性有機(jī)聚硅氧烷、硅原子數(shù)為210個(gè)左右的直鏈狀或環(huán)狀的低分子有機(jī)聚硅氧烷等。對上述組合物的固化條件沒有特別限制，優(yōu)選設(shè)定在120180°C、30分鐘1S0分鐘的條件。得到的固化物是固化后也柔軟的凝膠狀的情況下，其線性膨脹系數(shù)比橡膠狀、硬質(zhì)塑料狀的有機(jī)硅樹脂的大，所以通過在室溫附近的低溫固化10小時(shí)30小時(shí)能夠抑制內(nèi)部應(yīng)力的產(chǎn)生。加成型硅酮系材料可以使用公知的材料，還可以進(jìn)一步導(dǎo)入用于提高對金屬、陶瓷的密合性的添加劑、有機(jī)基團(tuán)。例如，適合的有日本專利3909826號(hào)公報(bào)、日本專利3910080號(hào)公報(bào)、日本特開2003-128922號(hào)公報(bào)、日本特開2004-221308號(hào)公報(bào)、日本特開2004-186168號(hào)公報(bào)所記載的硅酮材料?？s合型硅酮系材料縮合型硅酮系材料可以舉出例如烷基烷氧基硅烷經(jīng)水解-縮聚得到的在交聯(lián)點(diǎn)具有Si-O-Si鍵的化合物。具體地說，可以舉出下述通式(lb)和/或(2b)表示的化合物、和/或其低聚物經(jīng)水解-縮聚得到的縮聚物。(lb)(式(lb)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團(tuán)，V表示1價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，m表示M的價(jià)數(shù)且為1以上的整數(shù)，n表示X基團(tuán)的數(shù)量且為1以上的整數(shù)。其中，m^n。)(MS+XtY、小,)uY2(2b)(式(2b)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團(tuán)，^表示1價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，YZ表示u價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，s表示M的價(jià)數(shù)且為1以上的整數(shù)，t表示1s-l的整數(shù)，u表示2以上的整數(shù)。)另外，作為固化催化劑，可以優(yōu)選使用例如金屬螯合物等。金屬螯合物優(yōu)選含有Ti、Ta、Zr、Hf、Zn、Sn中的任意一種以上，更優(yōu)選含有Zr?？s合型硅酮系材料可以使用公知的材料，例如適合的有日本特開2006-77234號(hào)公報(bào)、日本特開2006-291018號(hào)公報(bào)、日本特開2006-316264號(hào)公報(bào)、日本特開2006-336010號(hào)公報(bào)、日本特開2006-348284號(hào)公報(bào)和國際公開2006/090804號(hào)小冊子記載的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材。其中，作為用于本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件的密封材料，優(yōu)選使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。這是因?yàn)?，上述的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材通常具有(C)密封材料應(yīng)具有的特性，并且還具有上述說明的優(yōu)異的特性。下面使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，下述的各實(shí)施方式中，為了方便起見，將半導(dǎo)體發(fā)光器件簡稱作"發(fā)光裝置"。另外，用于半導(dǎo)體發(fā)光器件的密封材料稱作半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材，并且該密封材料使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材。另外，關(guān)于在什么部位使用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材，將在全部的實(shí)施方式的說明后作總結(jié)說明。但是，這些實(shí)施方式當(dāng)然只是為了方便說明而采用的，本發(fā)明的發(fā)光裝置(半導(dǎo)體發(fā)光器件)的例子不限于這些實(shí)施方式。[5-4]基本概念使用了本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材的半導(dǎo)體發(fā)光器件有例如以下的A)、B)的應(yīng)用例。與現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材在任一應(yīng)用例中均顯示出了優(yōu)異的光耐久性和熱耐久性，不易產(chǎn)生裂紋或剝離，輝度的下降不明顯。因此，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材，能夠提供長期具有高可靠性的部材。A)直接利用發(fā)光元件的發(fā)光色的半導(dǎo)體發(fā)光器件。B)具有下述特征的半導(dǎo)體發(fā)光器件在發(fā)光元件的附近配置熒光體部，利用從發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)熒光體部中的熒光體或熒光體成分，利用熒光發(fā)出希望波長的光。在A)的應(yīng)用例中，利用了本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材的高耐久性、透明性以及密封材料性能，通過單獨(dú)進(jìn)行使用，能夠用作高耐久密封材料、光取出膜、各種功能性成分保持劑。特別是在將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作保持上述無機(jī)顆粒等的功能性成分保持劑，使本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材保持有透明高折射成分的情況下，若按照將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材與發(fā)光元件的出光面相密合的方式來使用且使得折射率接近于發(fā)光元件，則能夠減少在發(fā)光元件的出光面上的反射，能得到更高的光取出效率。并且，在B)的應(yīng)用例中，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材能夠發(fā)揮與上述A)的應(yīng)用例相同的優(yōu)異性能，并且能夠通過保持熒光體或熒光體成分來形成高耐久性且光取出效率高的熒光體部。此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材中除了保持有熒光體或熒光體成分之外還一并保持有透明的高折射成分的情況下，通過使本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材的折射率位于發(fā)光元件或熒光體的折射率附近，能夠降低界面反射，得到更高的光取出效率。下面參照圖50(a)、圖50(b)來說明應(yīng)用了本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材的各實(shí)施方式的基本概念。另外，圖50是各實(shí)施方式的基本概念的說明圖，圖50(a)與上述A)的應(yīng)用例對應(yīng)，圖50(b)與上述B)的應(yīng)用例對應(yīng)。如圖50(a)、圖50(b)所示，各實(shí)施方式的發(fā)光裝置(半導(dǎo)體發(fā)光器件)1A，1B具備發(fā)光元件2以及本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3A，3B，所述發(fā)光元件2由LED芯片構(gòu)成，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3A，3B配置于發(fā)光元件2的附近。但是，在圖50(a)所示的與上述A)的應(yīng)用例對應(yīng)的實(shí)施方式(實(shí)施方式A-l，A-2)中，發(fā)光裝置1A的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3A不含熒光體或熒光體成分。該情況下，半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3A發(fā)揮將發(fā)光元件2密封的功能、光取出功能、保持功能性成分等各功能。另外，在下面的說明中，將不含熒光體或熒光體成分的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3A適當(dāng)稱為"透明部材"。另一方面，在圖50(b)所示的與上述B)的應(yīng)用例對應(yīng)的實(shí)施方式(實(shí)施方式B-1B-41沖，發(fā)光裝置1B的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3B含有熒光體或熒光體成分。該情況下，半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3B除了可發(fā)揮圖50(a)的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3A所發(fā)揮的諸多功能之外還能夠發(fā)揮波長轉(zhuǎn)換功能。另外，在下面的說明中，將含有熒光體或熒光體成分的半86導(dǎo)體發(fā)光器件用部材3B適當(dāng)稱為"熒光體部"。并且，根據(jù)熒光體部的形狀或功能等，有時(shí)適當(dāng)以符號(hào)33,34等表示熒光體部。發(fā)光元件2由例如發(fā)射藍(lán)色光紫外光的LED芯片構(gòu)成，也可以為這些發(fā)光色以外的發(fā)光色的LED芯片。并且，透明部材3A發(fā)揮發(fā)光元件2的高耐久性密封材料、光取出膜、諸功能附加膜等的功能。透明部材3A可以單獨(dú)使用，在不顯著損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，除熒光體或熒光體成分之外還可以含有任意添加劑。另一方面，熒光體部3B發(fā)揮發(fā)光元件2的高耐久性密封材料、光取出膜、諸功能附加膜等的功能，并且還發(fā)揮被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)而發(fā)出希望波長的光的波長轉(zhuǎn)換功能。熒光體部3B至少含有熒光物質(zhì)，該熒光物質(zhì)被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。作為這類熒光物質(zhì)的例子，可以舉出上面示例的各種熒光體。作為熒光體部3B的發(fā)光色，除了紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的3原色之外，還可以是熒光燈等的白色或燈泡等的黃色。總而言之，熒光體部3B具有發(fā)射出與激發(fā)光不同的希望波長的光的波長轉(zhuǎn)換功能。在圖50(a)所示的上述發(fā)光裝置1A中，從發(fā)光元件2發(fā)射的光4透過透明部材3A，發(fā)射到發(fā)光裝置1A的外部。因此，在發(fā)光裝置1A中，在保持從發(fā)光元件2發(fā)射時(shí)的發(fā)光色的狀態(tài)下對從發(fā)光元件2發(fā)射的光4進(jìn)行利用。另一方面，在圖50(b)所示的發(fā)光裝置1B中，從發(fā)光元件2，的光的一部分4a直接透過熒光體部3B，發(fā)射到發(fā)光裝置1B的外部。并且，發(fā)光裝置1B中，從發(fā)光元件2刻寸的光的另一部分4b被熒光體部3B吸收，激發(fā)熒光體部3B，熒光體部3B中所含有的熒光體顆粒、熒光離子、熒光染料等熒光成分所特有的波長的光5發(fā)射到發(fā)光裝置1B的外部。因此，發(fā)光裝置1B將從發(fā)光元件2發(fā)光并透過了熒光體部3B的光4a與從熒光體部3B發(fā)出的光5的合成光6作為波長轉(zhuǎn)換后的光進(jìn)行發(fā)射，由發(fā)光元件2的發(fā)光色和熒光體部3B的發(fā)光色來確定作為發(fā)光裝置1B整體的發(fā)光色。另外，從發(fā)光元件2發(fā)出的透過熒光體部3B的光4a不是必須的。[5-5]實(shí)施方式(實(shí)施方式A-l〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1A如圖1所示，在施有印刷布線17的絕緣基板16上，表面實(shí)裝有發(fā)光元件2。該發(fā)光元件2中，發(fā)光層部21的p形半導(dǎo)體層(未圖示)和n形半導(dǎo)體層(未圖示)分別經(jīng)由導(dǎo)線15,15與印刷布線17,17電連接。另夕卜，為了不防礙從發(fā)光元件2發(fā)射的光，導(dǎo)線15，15使用截面積小的導(dǎo)線(wire)。此處，作為發(fā)光元件2，可以使用發(fā)出紫外紅外區(qū)域的任意波長的光的元件，在這里使用氮化鎵類的LED芯片。并且，該發(fā)光元件2在圖1的下面?zhèn)刃纬捎衝形半導(dǎo)體層(未圖示)、在上面?zhèn)刃纬捎衟形半導(dǎo)體層(未圖示)，由于是從p形半導(dǎo)體層側(cè)取出光輸出，因此將圖l的上方作為前方進(jìn)行說明。并且，絕緣基板16上固定有包圍發(fā)光元件2的框狀的框材18，框材18的內(nèi)側(cè)設(shè)置有用于密封和保護(hù)發(fā)光元件2的密封部19。該密封部19是采用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材即透明部材3A來形成的，其可以使用上述的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材形成液進(jìn)行澆灌來形成。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1A具有發(fā)光元件2和透明部材3A，因此能夠提高發(fā)光裝置1A的光耐久性、熱耐久性。并且，密封部3A不易產(chǎn)生裂紋或剝離，所以能夠提高密封部3A的透明性。此外，與以往相比，能夠減少光色斑或光色不均，并且能夠提高光向外部的取出效率。即，能夠?qū)⒚芊獠?A形成為沒有污斑或混濁的高透明性的部件，因此光色的均勻性優(yōu)異，發(fā)光裝置1A間幾乎沒有光色不均，與以往相比，能夠提高發(fā)光元件2的光向外部的取出效率。并且能夠提高發(fā)光物質(zhì)的耐候性，與以往相比，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光裝置1A的長壽命化。(實(shí)施方式A-2)如圖2所示，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1A中，透明部材3A覆蓋發(fā)光元件2的前面，并且采用不同于透明部材3A的材料在該透明部材上形成密封部19，除此之外，采用與上述的實(shí)施方式A-1相同的方式構(gòu)成。并且，發(fā)光元件2表面的透明部材3A是起到光取出膜、密封膜的作用的透明薄膜，其例如是通過在形成發(fā)光元件2的芯片時(shí)利用旋涂機(jī)等涂布上述的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材形成液來形成的。另外，對與實(shí)施方式A-1相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，并省略說明。而且，與實(shí)施方式A-1相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1A也具有發(fā)光元件2和透明部材3A，因此，能夠提高發(fā)光裝置1A的光耐久性、熱耐久性，密封部3A上不易產(chǎn)生裂紋或剝離，所以能夠提高密封部3A的透明性。進(jìn)而，也能夠得到與實(shí)施方式A-1相同的優(yōu)點(diǎn)。[B.利用了熒光的實(shí)施方式](實(shí)施方式B-1〕如圖3(a)所示，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B具備發(fā)光元件2，其由LED芯片構(gòu)成；以及模塑部ll，其采用透光性的透明材料成型為炮彈形。模制部11覆蓋發(fā)光元件2，發(fā)光元件2與采用導(dǎo)電性材料形成的引線端子12，13電連接。引線端子12，13由引線框形成。發(fā)光元件2是氮化鎵類的LED芯片，在圖3(a)中的下面?zhèn)刃纬捎衝形半導(dǎo)體層(未圖示)、在上面?zhèn)刃纬捎衟形半導(dǎo)體層(未圖示)，由于從p形半導(dǎo)體層側(cè)取出光輸出，因此將圖3(a)和圖3(b)的上方作為前方進(jìn)行說明。發(fā)光元件2的后面通過管芯焊街diebond)與反射鏡(杯皿部)14接合，該反射鏡14安裝在引線端子13的前端部。并且，發(fā)光元件2中，上述的p形半導(dǎo)體層和n形半導(dǎo)體層分別通過焊接連接有導(dǎo)線(例如金屬線)15，15，發(fā)光元件2與引線端子12，13經(jīng)由該導(dǎo)線15，15電連接。另外，為了不防礙從發(fā)光元件2發(fā)射的光，導(dǎo)線15，15使用截面積小的導(dǎo)線。反射鏡14具有將從發(fā)光元件2的側(cè)面和后面發(fā)射的光反射到前方的功能，從LED芯片發(fā)射的光和被反射鏡14反射到前方的光通過起到透鏡作用的模塑部11的前端部，從模塑部11向前方發(fā)射。模塑部11覆蓋反射鏡14、導(dǎo)線15，15、引線端子12,13的一部分并同時(shí)覆蓋發(fā)光元件2，從而防止發(fā)光元件2與大氣中的水分等反應(yīng)所致的特性劣化。各引線端子12,13的后端部分別從模塑部11的后面向外部突出。89但是，如圖3(b)所示，發(fā)光元件2具有如下結(jié)構(gòu)在熒光體部3B上利用半導(dǎo)體工藝形成有由氮化鎵類半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光層部21，在熒光體部3B的后面形成有反射層23。來自發(fā)光層部21的發(fā)光所產(chǎn)生的光向全方位發(fā)射，被熒光體部3B吸收的一部分光激發(fā)熒光體部3B，使熒光體部3B發(fā)射上述熒光成分所特有的波長的光。該熒光體部3B發(fā)出的光被反射層3反射，向前方發(fā)射。因此，發(fā)光裝置1B能夠得到從發(fā)光層部21發(fā)射的光與從熒光體部3B發(fā)射的光的合成光。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B具備發(fā)光元件2和熒光體部3B，該熒光體部3B被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。此處，作為熒光體部3B，只要使用透光性優(yōu)異的材料即可，從發(fā)光元件2發(fā)射的光的一部分直接向外部發(fā)射，并且從發(fā)光元件2發(fā)射的光的另一部分激發(fā)成為發(fā)光中心的熒光成分，該熒光成分所特有的發(fā)光所產(chǎn)生的光向外部發(fā)射，因此能夠得到從發(fā)光元件2發(fā)射的光與從熒光體部3B的熒光成分發(fā)射的光的合成光，并且與以往相比，能夠減少光色斑或光色不均，同時(shí)能夠提高光向外部的取出效率。即，作為熒光體部3B，若使用沒有污斑或混濁的透明性高的材料，則光色的均勻性優(yōu)異，發(fā)光裝置1B間幾乎沒有光色不均，與以往相比，能夠提高發(fā)光元件2的光向外部的取出效率。此外還能夠提高發(fā)光物質(zhì)的耐候性，與以往相比，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光裝置1B的長壽命化。并且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，熒光體部3B兼用作形成發(fā)光元件2的基板，因此，能夠利用從發(fā)光元件2發(fā)出的光的一部分有效激發(fā)熒光體部中成為發(fā)光中心的熒光體，能夠提高該熒光成分特有的發(fā)光所產(chǎn)生的光的輝度。(實(shí)施方式B-2)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B如圖4所示，在施有印刷布線17的絕緣基板16上，表面實(shí)裝有發(fā)光元件2。在這里，發(fā)光元件2具有與實(shí)施方式B-l相同的構(gòu)成，由氮化鎵類半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光層部21形成在熒光體部3B上，熒光體部3B的后面形成有反射層23。并且，發(fā)光元件2中，發(fā)光層部21的p形半導(dǎo)體層(未圖示)和n形半導(dǎo)體層(未圖示)分別經(jīng)由導(dǎo)線15，15與印刷布線17，17電連接。并且，絕緣基板16上固定有包圍發(fā)光元件2的框狀的框材18，框材18的內(nèi)側(cè)設(shè)置有用于密封和保護(hù)發(fā)光元件2的密封部19。而且，與實(shí)施方式B-1相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B也具有發(fā)光元件2和熒光體部3B，該熒光體部3B被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)，發(fā)出希望波長的光，因此，發(fā)光裝置1B能夠得到從發(fā)光元件2發(fā)出的光與從熒光體發(fā)出的光的合成光。此外，與實(shí)施方式B-1相同，與以往相比，能夠減少光色斑或光色不均，同時(shí)能夠提高光向外部的取出效率，可以實(shí)現(xiàn)長壽命化?！矊?shí)施方式B-3〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-2大致相同，但不使用實(shí)施方式B-2中說明的框材18(參照圖4)，并且如圖5所示，密封部19的形狀不同。另外，對與實(shí)施方式B-2相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，并省略說明。本實(shí)施方式中的密封部19由圓錐臺(tái)狀的密封功能部19a和透鏡狀的透鏡功能部19b構(gòu)成，所述密封功能部19a用于密封發(fā)光元件2，所述透鏡功能部1%在密封部19的前端部起到透鏡作用。而且，與實(shí)施方式B-2相比，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中可以減少部件的數(shù)量，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化以及輕量化。并且，通過在密封部19的一部分設(shè)置起到透鏡作用的透鏡功能部19b，從而能夠得到指向性優(yōu)異的配光。(實(shí)施方式B-4〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-2大致相同，其特征在于，如圖6所示，在絕緣基板16的一面(圖6中的上面)設(shè)置有用于收納發(fā)光元件2的凹處16a，凹處16a的底部安裝有發(fā)光元件2，凹處16a內(nèi)設(shè)置有密封部19。在這里，形成于絕緣基板16上的印刷布線17,17延伸到凹處16a的底部，經(jīng)由導(dǎo)線15,15與發(fā)光元件2的由氮化鎵類半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光層部21電連接。另外，對與實(shí)施方式B-2相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，密封部19按照對形成于絕緣基板16上面的凹處16a進(jìn)行填充的方式來形成，因此，無需使用實(shí)施方式B-2中說明的框材18(參照圖5)或?qū)嵤┓绞紹-3中說明的成型用模具就能夠形成密封部19，因而與實(shí)施方式B-2、B-3相比，具有能夠簡便地進(jìn)行發(fā)光元件2的密封工序的優(yōu)點(diǎn)?！矊?shí)施方式B-5〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-4大致相同，其特征在于，如圖7所示，通過所謂的倒裝片式(flip-tip)實(shí)裝，發(fā)光元件2被安裝在絕緣基板16上。g卩，發(fā)光元件2的結(jié)構(gòu)如下在發(fā)光層部21的p形半導(dǎo)體層(未圖示)和n形半導(dǎo)體層(未圖示)的各表面?zhèn)仍O(shè)置有由導(dǎo)電性材料形成的補(bǔ)片24,24，發(fā)光層部21采用面朝下(facedown)的方式經(jīng)由補(bǔ)片24,24與絕緣基板16的印刷布線17，17電連接。因此，本實(shí)施方式中的發(fā)光元件2在最靠近絕緣基板16—側(cè)配置發(fā)光層部21，在最遠(yuǎn)離絕緣基板16的一側(cè)配置反射層23，在發(fā)光層部21和反射層23之間存在有熒光體部3B。另外，對與實(shí)施方式B-4相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被反射層23反射到圖7中的下方(后方)的光被凹處16a的內(nèi)周面反射，向圖7中的上方(前方)發(fā)射。在這里，優(yōu)選在處于凹處16a的內(nèi)周面的印刷布線17,17以外的部位上另外設(shè)置由高反射率材料構(gòu)成的反射層。而且，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，無需為了使設(shè)置于絕緣基板16的印刷布線17，17與發(fā)光元件2相連接而設(shè)置實(shí)施方式B-4那樣的導(dǎo)線15,15，因此，與實(shí)施方式B-4相比，能夠提高機(jī)械強(qiáng)度以及可靠性。(實(shí)施方式B-6)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-5大致相同，不同之處在于，如圖8所示，其結(jié)構(gòu)中沒有設(shè)置實(shí)施方式B-5中說明的反射層23。概括地說，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，發(fā)光層部21發(fā)出的光以及熒光體部3B發(fā)出的光透過密封部19后，直接向前方發(fā)射。另外，對與實(shí)施方式B-5相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-5相比，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，能夠削減部件數(shù)量，容易制造。(實(shí)施方式B-7〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-l大致相同，其特征在于，如圖9所示，該發(fā)光裝置1B具有覆蓋發(fā)光元件2的模塑部11，模塑部ll與熒光體部一體形成。另外，對與實(shí)施方式B-1相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。制造本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B時(shí)，采用如下方法等形成模塑部11:將未設(shè)置模塑部11的半成品浸漬到儲(chǔ)存有熒光體部形成液的成型模具中，使熒光體部形成液(縮聚物)固化，從而形成模塑部ll。而且，本實(shí)施方式中，模塑部ll與熒光體部形成為一體，因此，如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部，由此能夠提高模塑部ll的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用時(shí)產(chǎn)生的裂紋或剝離?！矊?shí)施方式B-8〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-l大致相同，其特征在于，如圖10所示，在模塑部ll的外面實(shí)裝有后面開口的杯皿狀的熒光體部3B。g卩，本實(shí)施方式中，不像實(shí)施方式B-l那樣在發(fā)光元件2上設(shè)置熒光體部3B，而設(shè)置沿模塑部11外周的形狀的熒光體部3B。另外，對與實(shí)施方式B-1相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。本實(shí)施方式中的熒光體部3B可以采用實(shí)施方式B-7中說明的使熒光體部形成液(縮聚物調(diào)化的方法形成為薄膜，或者，也可以預(yù)先將固態(tài)熒光體部成型加工成杯皿狀，將加工得到的部材安裝到模塑部11上。而且，與實(shí)施方式B-7的發(fā)光裝置1B那樣的將模塑部11整體與熒光體部形成為一體的情況相比，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B能夠削減熒光體部的材料使用量，能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。〔實(shí)施方式B-9〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-2大致相同，其特征在于，如圖11所示，該發(fā)光裝置1B具備以包圍發(fā)光元件2的方式配置在絕緣基板16的一面(圖11的上面)側(cè)的框狀的框材18，利用與實(shí)施方式B-2中說明的熒光體部3B相同的熒光體部形成框材18內(nèi)側(cè)的密封部19。另外，對與實(shí)施方式B-2相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式中，利用熒光體部形成密封部19，因此，如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部，由此能夠提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用時(shí)產(chǎn)生的裂紋或剝離。(實(shí)施方式B-10)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-2大致相同，其特征在于，如圖12所示，該發(fā)光裝置1B具備以包圍發(fā)光元件2的方式配置在絕緣基板16的一面(圖12的上面)側(cè)的框狀的框材18，利用與實(shí)施方式B-2中說明的熒光體部3B相同的熒光體部形成框材18內(nèi)側(cè)的密封部19。另外，對與實(shí)施方式B-2相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式中，利用熒光體部形成密封部19，因此，通過如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部，能夠提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用時(shí)產(chǎn)生的裂紋或剝離。并且，本實(shí)施方式中，在發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的后面形成有熒光體部3B，利用熒光體部形成用于覆蓋發(fā)光元件2的密封部19，因此，在發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的全方位存在熒光體部，與實(shí)施方式B-9相比具有更有效地進(jìn)行熒光體部的激發(fā)和發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)。(實(shí)施方式B-ll〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-2大致相同，其特征在于，如圖13所示，在由透光性材料形成的密封部19的上面配置有預(yù)先成型為透鏡狀的熒光體部33。在這里，熒光體部33采用與實(shí)施方式B-2中說明的熒光體部3B相同的材質(zhì)形成，熒光體部33被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-2相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置IB中，熒光體部33不僅具有波長轉(zhuǎn)換功能，還具有作為透鏡的功能，能夠通過透鏡效果來控制發(fā)光的指向性?！矊?shí)施方式B-12〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-2大致相同，其特征在于，如圖14所示，在由透光性材料形成的密封部19的上面配置有預(yù)先成型為透鏡狀的熒光體部33。在這里，熒光體部33采用與實(shí)施方式B-2中說明的熒光體部3B相同的材質(zhì)形成，熒光體部33被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-2相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，熒光體部33不僅具有波長轉(zhuǎn)換功能，還具有作為透鏡的功能，能夠通過透鏡效果來控制發(fā)光的指向性。此外，本實(shí)施方式中，在發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的后面形成有熒光體部3B，因此，與實(shí)施方式B-11相比具有更有效地進(jìn)行熒光體部的激發(fā)和發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)。(實(shí)施方式B-13〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-3大致相同，其特征在于，如圖15所示，在絕緣基板16的上面?zhèn)染邆涓采w發(fā)光元件2的密封部19，密封部19由熒光體部形成。此處，與實(shí)施方式B-3相同，密封部19由圓錐臺(tái)狀的密封功能部19a和透鏡狀的透鏡功能部19b構(gòu)成，所述密封功能部19a用于密封發(fā)光元件2，所述透鏡功能部19b在密封部19的前端部起到透鏡作用。另外，對與實(shí)施方式B-3相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，密封部19不僅具有密封和保護(hù)發(fā)光元件2的功能，還具有將來自發(fā)光元件2的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換的波長轉(zhuǎn)換功能、對發(fā)光的指向性進(jìn)行控制的透鏡功能。此外還能夠提高密封部19的耐候性，實(shí)現(xiàn)長壽命化。另外，本實(shí)施方式中，在發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的后面形成有熒光體部3B，覆蓋發(fā)光元件2的密封部19由熒光體部形成，所以熒光體部存在于發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的全方位，因而與實(shí)施方式B-12相比具有更有效地進(jìn)行熒光體部的激發(fā)和發(fā)光95的優(yōu)點(diǎn)。〔實(shí)施方式B-14〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-3大致相同，其特征在于，如圖16所示，在絕緣基板16的一面(圖16的上面)側(cè)具備覆蓋發(fā)光元件2的密封部19，密封部19由熒光體部3B形成。此處，與實(shí)施方式B-3相同，密封部19由圓錐臺(tái)狀的密封功能部19a和透鏡狀的透鏡功能部19b構(gòu)成，所述密封功能部19a用于密封發(fā)光元件2，所述透鏡功能部1%在密封部19的前端部起到透鏡作用。另外，對與實(shí)施方式B-3相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，密封部19不僅具有密封和保護(hù)發(fā)光元件2的功能，還具有將來自發(fā)光元件2的光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換的波長轉(zhuǎn)換功能、對發(fā)光的指向性進(jìn)行控制的透鏡功能。此外還能夠提高密封部19的耐候性，實(shí)現(xiàn)長壽命化?！矊?shí)施方式B-15〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-3大致相同，其特征在于，如圖17所示，在絕緣基板16的上面?zhèn)扰渲糜糜诟采w發(fā)光元件2的圓頂狀的熒光體部34，在熒光體部34的外面?zhèn)刃纬擅芊獠?9，該密封部19由透光性樹脂構(gòu)成。此處，與實(shí)施方式B-3相同，密封部19由密封功能部19a和透鏡狀的透鏡功能部19b構(gòu)成，所述密封功能部19a用于密封發(fā)光元件2，所述透鏡功能部19b在密封部19的前端部起到透鏡作用。另外，對與實(shí)施方式B-3相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。'而且，與實(shí)施方式B-13、B-14相比，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B能夠減少熒光體部34的材料使用量。此外，本實(shí)施方式中配置有用于覆蓋發(fā)光元件2的圓頂狀的熒光體部34，因而通過如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部，能夠更可靠地防止來自外部的水分等所引起的發(fā)光元件2的劣化，能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命化。(實(shí)施方式B-16〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-3大致相同，其特征在于，如圖18所示，在絕緣基板16的上面?zhèn)扰渲糜糜诟采w發(fā)光元件2的圓頂狀的熒光體部34，在熒光體部34的外面?zhèn)刃纬捎忻芊獠?9。此處，與實(shí)施方式B-3相同，密封部19由密封功能部19a和透鏡狀的透鏡功能部19b構(gòu)成，所述密封功能部19a用于密封發(fā)光元件2，所述透鏡功能部1%在密封部19的前端部起到透鏡作用。另外，對與實(shí)施方式B-3相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-13、B-14相比，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B能夠減少熒光體部34的材料使用量。此外，本實(shí)施方式中配置有用于覆蓋發(fā)光元件2的圓頂狀的熒光體部34，因而通過如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部，能夠更可靠地防止來自外部的水分等所引起的發(fā)光元件2的劣化，能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命化。另外，本實(shí)施方式中，在發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的后面形成有熒光體部3B，覆蓋發(fā)光元件2的密封部19由熒光體部形成，因此，熒光體部全方位存在于發(fā)光元件2的發(fā)光層部21，因而與實(shí)施方式B-15相比具有更有效地進(jìn)行熒光體部的激發(fā)和發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)?！矊?shí)施方式B-17〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-4大致相同，其特征在于，如圖19所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該發(fā)光元件2配置在設(shè)置于絕緣基板16的一面(圖19中的上面)的凹處16a的底部，該密封部19由熒光體部形成。在這里，與實(shí)施方式B-l中說明的熒光體部3B相同，熒光體部被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-4相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，密封部19由熒光體部形成，因而通過如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部，能夠提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用引起的裂紋或剝離。并且，本實(shí)施方式中，在發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的后面形成有熒光體部3B，用于覆蓋發(fā)光元件2的密封部19由熒光體部3B形成，因此，熒光體部全方位存在于發(fā)光元件2的發(fā)光層部21，與實(shí)施方式B-15相比具有更有效地進(jìn)行熒光體部的激發(fā)和發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)。(實(shí)施方式B-18〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置IB的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-4大致相同，其特征在于，如圖20所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該發(fā)光元件2配置在設(shè)置于絕緣基板16的一面(圖20中的上面)的凹處16a的底部，該密封部19由熒光體部3B形成。在這里，與實(shí)施方式B-1中說明的熒光體部3B相同，熒光體部3B被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-4相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，密封部19由熒光體部形成，因而通過如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部3B，能夠提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用引起的裂紋或剝離?！矊?shí)施方式B-19)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-4大致相同，其特征在于，如圖21所示，在密封部19的上面(光取出面)配置有預(yù)先成型為透鏡狀的熒光體部33。在這里，與實(shí)施方式B-1中說明的熒光體部3B相同，熒光體部33被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-4相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，熒光體部33不僅具有波長轉(zhuǎn)換功能，還具有作為透鏡的功能，因而能夠由透鏡效果來控制發(fā)光的指向性。(實(shí)施方式B-20〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-4大致相同，其特征在于，如圖22所示，在密封部19的上面(光取出面)配置有預(yù)先成型為透鏡狀的熒光體部33。在這里，與實(shí)施方式B-1中說明的熒光體部3B相同，熒光體部33被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-4相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，熒光體部33不僅具有波長轉(zhuǎn)換功能，還具有作為透鏡的功能，從而能夠由透鏡效果來控制發(fā)光的指向性。此外，本實(shí)施方式中，在發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的后面還配置有熒光體部3B，因此，與實(shí)施方式B-19相比具有更有效地進(jìn)行熒光體部的激發(fā)和發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)。(實(shí)施方式B-21〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-5大致相同，其特征在于，如圖23所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該發(fā)光元件2配置在設(shè)置于絕緣基板16的一面(圖23中的上面)的凹處16a的底部，該密封部19由熒光體部3B形成。在這里，如圖24所示，預(yù)先將密封部19加工成外周形狀與凹處16a相對應(yīng)的形狀且在與發(fā)光元件2相對應(yīng)的部位具有用于收容發(fā)光元件2的凹部19c，將加工成上述形狀的密封部19安裝到裝配有發(fā)光元件2的絕緣基板16的凹處16a，因而能夠簡化密封工序。而且，與實(shí)施方式B-1中說明的熒光體部3B相同，形成密封部19的熒光體部3B被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-5相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，密封部19由熒光體部形成，因而通過如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部3B，能夠提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以提高長期使用引起的裂紋或剝離。此外，本實(shí)施方式中，從發(fā)光元件2的發(fā)光層部21向前方發(fā)射的光被反射層23暫時(shí)反射到凹處16a的內(nèi)底面?zhèn)龋虼?，若在凹?6a的內(nèi)底面以及內(nèi)周面設(shè)置反射層，則光進(jìn)一步被凹處16a的內(nèi)底面以及內(nèi)周面反射，向前方發(fā)射，從而光程增長，具有能夠通過熒光體部3B有效激發(fā)并進(jìn)行發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)?！矊?shí)施方式B-22〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-5大致相同，其特征在于，如圖25所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該發(fā)光元件2配置在設(shè)置于絕緣基板16的一面(圖25中的上面)99的凹處16a的底部，該密封部19由熒光體部3B形成。在這里，如圖26所示，預(yù)先將密封部19加工成外周形狀與凹處16a相對應(yīng)的形狀且在與發(fā)光元件2對應(yīng)的部位具有用于收容發(fā)光元件2的凹部19c，將加工成上述形狀的密封部19安裝到裝配有發(fā)光元件2的絕緣基板16的凹處16a，因而能夠簡化密封工序。此外，與實(shí)施方式B-1中說明的熒光體部3B相同，形成密封部19的熒光體部3B被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-5相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，密封部19由熒光體部3B形成，因而通過如后所述將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作熒光體部3B，能夠提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以提高長期使用引起的裂紋或剝離。(實(shí)施方式B-23)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-6大致相同，其特征在于，如圖27所示，在發(fā)光元件2的上面配置有預(yù)先加工成棒狀的熒光體部3B。在這里，在發(fā)光元件2以及熒光體部3B的周圍形成有密封部19，該密封部19由透光性材料形成，熒光體部3B的一端面(圖27中的下端面)與發(fā)光元件2的發(fā)光層部21相密合，另一端面(圖27中的上端面)露出。另外，對與實(shí)施方式B-6相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，上述一端面與發(fā)光元件2的發(fā)光層部21相密合的熒光體部3B形成為棒狀，因此，能夠有效地將發(fā)光層部21發(fā)出的光經(jīng)由熒光體部3B的上述一端面取出到熒光體部3B，熒光體部3B受到取出的光的激發(fā)而發(fā)光，所發(fā)的光經(jīng)由熒光體部3B的上述另一端面有效地向外部發(fā)射。另外，本實(shí)施方式中，將熒光體部3B形成為較大直徑的棒狀，并僅使用1個(gè)，但也可以如圖28所示，將熒光體部3B形成為較小直徑的纖維狀，將多根熒光體部3B并列配置。此外，熒光體部3B的截面形狀不限于圓形，可以形成為例如四邊形，當(dāng)然也可以形成為其它形狀?！矊?shí)施方式B-24〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置IB的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-23大致相同，其特征在于，如圖29所示，該發(fā)光裝置1B具備設(shè)置于絕緣基板16的凹處16a內(nèi)的密封部19，密封部19由熒光體部3B形成。在這里，如圖30所示，預(yù)先將密封部19加工成外周形狀與凹處16a相對應(yīng)的形狀且在與發(fā)光元件2對應(yīng)的部位具有用于收容發(fā)光元件2的貫通孔19d，將加工成上述形狀的密封部19安裝到裝配有發(fā)光元件2的絕緣基板16的凹處16a上，由此能夠簡化密封工序。此外，與實(shí)施方式B-l中說明的熒光體部3B相同，形成密封部19的熒光體部3B被來自發(fā)光元件2的光所激發(fā)，發(fā)出希望波長的光。另外，對與實(shí)施方式B-23相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。，而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，密封部19也由熒光體部3B形成，因而能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命化以及發(fā)光的高效率化。另外，本實(shí)施方式中，將熒光體部3B形成為較大直徑的棒狀，并僅使用1個(gè)，但也可以如圖31所示，將熒光體部3B形成為較小直徑的纖維狀，將多根熒光體部3B并列配置。此外，熒光體部3B的截面形狀不限于圓形，可以形成為例如四邊形，當(dāng)然也可以形成為其它形狀。(實(shí)施方式B-25)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-2大致相同，其特征在于，如圖32所示，該發(fā)光裝置1B具備配置于絕緣基板16的一面(圖32中的上面)側(cè)的框材18，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，在用作框材18內(nèi)側(cè)的密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，被近紫外光所激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)。并且，本實(shí)施方式中，作為熒光體部3B使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205-AlF3-MgF-CaF2-SrF2-BaCl2:Eu2+)。另夕卜，對與實(shí)施方式B-2相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成101的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。因此，將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料時(shí)，利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。本實(shí)施方式中，從熒光體部3B發(fā)射藍(lán)色光，并且從熒光體粉末發(fā)射黃色光，能夠得到與該任一發(fā)光色都不相同的白色光。另外，對于現(xiàn)有的熒光體粉末或熒光體部的熒光體顆粒，各自中可發(fā)光的材料是有限的，有時(shí)不能僅靠某一方來得到希望的光色，在這樣的情況下，本實(shí)施方式非常有效。即，在僅靠熒光體部3B不能得到所希望的光色特性的情況下，通過并用具有熒光體部3B所欠缺的適當(dāng)光色特性的熒光體粉末來進(jìn)行補(bǔ)充，就能夠?qū)崿F(xiàn)所希望的光色特性的發(fā)光裝置1B。并且，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。此處，使熒光體部3B和熒光體粉末的發(fā)光色大致同色的情況下，例如將發(fā)出紅色光的P2(VSrF2'BaF2:Eu"用作熒光體部3B的熒光體顆粒，同時(shí)將發(fā)出紅色光的Y202S:E^+用作發(fā)熒光體粉末，則能夠?qū)崿F(xiàn)紅色發(fā)光的高效率化。該熒光體部3B和熒光體粉末的組合為一種示例，當(dāng)然可以采用其它組合?！矊?shí)施方式B-26〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-3大致相同，其特征在于，如圖33所示，在絕緣基板16的一面(圖33的上面)側(cè)具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:Ce"熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P2(VAlF3'MgF《aF2'SrF2'BaCl2:Eu")作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-3相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-27〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-4大致相同，其特征在于，如圖34所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該密封部19填充在形成于絕緣基板16的上面的凹處16a中，發(fā)光元{牛2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205-AlF3-MgF.CaF2.SrF2-BaCl2:Eu2"作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另夕卜，對與實(shí)施方式B-4相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-28〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-5大致相同，其特征在于，如圖35所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該密封部19填充在形成于絕緣基板16的一面(圖35中的上面)的凹處16a中，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205，AnVMgFCaF2'SrF^BaCl2:Eu2+)作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-5相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-29)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-6大致相同，其特征在于，如圖36所示，發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該密封部19填充在形成于絕緣基板16的一面(圖36中的上面)的凹處16a中，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P2(VAUVMgF'CaF2'SrF2'BaCl2:Eu2+)作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-6相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮卩，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率?！矊?shí)施方式B-30〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-1大致相同，其特征在于，如圖37(a)、圖37(b)所示，該發(fā)光裝置1B具備炮彈形的模塑部11，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作模塑部11的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，模塑部11起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P2CVAlF3'MgF'CaF2'SrF2'BaCl2:Eu2+)作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-l相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置IB中，與實(shí)施方式B-25相同，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在模塑部11中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和模塑部ll中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-31)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-8大致相同，其特征在于，如圖38所示，該發(fā)光裝置1B具備炮彈形的模塑部11，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21(圖38中省略圖示。)為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作模塑部11的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，模塑部11起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P2(VAlF3'MgF'CaF^SrF2'BaCl2:Eu2+)作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-8相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，與實(shí)施方式B-25相同，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在模塑部11中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和模塑部ll中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-32〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-ll大致相同，其特征在于，如圖39所示，在絕緣基板16的一面(圖39的上面)側(cè)具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205AlF3'MgF'CaF2'SrF2'BaCl2:Eu2+:^為熒光體部33的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-ll相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部33發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部33和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部33的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部33的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部33的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-33〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-15大致相同，其特征在于，如圖40所示，在絕緣基板16的一面(圖40的上面)側(cè)具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205AlF3MgF，CaF2-SrF2-BaCl2:Eu2+:^為熒光體部34的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-15相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部34發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部34和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部34的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部34的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與發(fā)光體部34的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-34〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-19大致相同，其特征在于，如圖41所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該密封部19填充在形成于絕緣基板16的一面(圖41中的上面)的凹處16a，發(fā)光元件2.的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性d"料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P2(VAlF3'MgF《aF2'SrF2'BaCl2:Eu2+)作為熒光體部33的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-19相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部33發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若f發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從、發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部33和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部33的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部33的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與發(fā)光體部33的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-35)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-12、B-22大致相同，其特征在于，如圖42所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該密封部19填充在形成于絕緣基板16的一面(圖42中的上面)的凹處16a，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P2CVAlF3MgF《aF2'SrF2'BaCl2:Eu2+;^為熒光體部33的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-12、B-22相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。'而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部33和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部33的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部33的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與發(fā)光體部33的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-36〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-12大致相同，其特征在于，如圖43所示，在絕緣基板16的上面?zhèn)染邆溆糜诿芊獍l(fā)光元件2的密封部19。發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P2CVAlFyMgF《aFfSrFfBaCl2:Eu2+)作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-12相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而g光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-37〕^本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-16大致相同，其特征在于，如圖44所示，在絕緣基板16的一面(圖44的上面)側(cè)具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205AlFyMgF《aF2'SrF2'BaCl2:Eu2+;^為熒光體部34的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-16相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部34發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部34和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部34的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部34的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與發(fā)光體部34的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率?！矊?shí)施方式B-38〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-20大致相同，其特征在于，如圖45所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該密封部19填充在形成于絕緣基板16的一面(圖45中的上面)的凹處16a中，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:Ce"熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205.AlF3.MgF.CaF2'SrF2.BaCl2:Eu")作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-20相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮P，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-39〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-5、B-12大致相同，其特征在于，如圖46所示，該發(fā)光裝置1B具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該密封部19填充在形成于絕緣基板16的一面(圖46中的上面)的凹處16a中，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205'AlF3'MgF'CaF2'SrF2'BaCl2:Eu,作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-5、B-12相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本賣施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到含有由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。即，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率。(實(shí)施方式B-40〕本實(shí)施方式的發(fā)光裝置IB的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-20、B-21大致相同，其特征在于，如圖47所示，該發(fā)光裝置IB具備用于密封發(fā)光元件2的密封部19，該密封部19填充在形成于絕緣基板16的一面(圖47中的上面)的凹處16a中，發(fā)光元件2的發(fā)光層部21為AlGaN系且發(fā)出近紫外光，用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如被近紫外光激發(fā)而發(fā)出黃色光的YAG:Ce"熒光體的粉末)，密封部19起到熒光體部的作用。并且，本實(shí)施方式中，使用氟磷酸鹽類玻璃(例如，被近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光的P205AlF3，MgF，CaF^SrFrBaCl2:Ei^+)作為熒光體部3B的熒光體顆粒。另外，對與實(shí)施方式B-20、B-21相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。而且，與實(shí)施方式B-25相同，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B中，被來自發(fā)光元件2的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體粉末分散在密封部19中，因而能夠得到由下述合成光形成的光輸出，所述合成光為從發(fā)光元件2發(fā)射的光和從熒光體部3B發(fā)射的光以及從熒光體粉末發(fā)射的光的合成光。艮卩，與實(shí)施方式B-25相同，若將發(fā)出近紫外光的材料選作發(fā)光元件2的發(fā)光層部21的材料，則利用從發(fā)光元件2發(fā)射的光來對熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末這兩者進(jìn)行激發(fā)，使它們分別發(fā)出固有的光，得到其合成光。此外，本實(shí)施方式中，熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色并不相同，但是，若使熒光體粉末的發(fā)光色與熒光體部3B的發(fā)光色相一致，則熒光體粉末的發(fā)光與熒光體部3B的發(fā)光相重疊，能夠增加光輸出，能夠提高發(fā)光效率?！矊?shí)施方式B-41)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式B-2大致相同，其特征在于，如圖48所示，該發(fā)光裝置1B在絕緣基板16的一面(圖48的上面)側(cè)具備以將發(fā)光元件2圍起的方式配置的框狀的框材18，利用與實(shí)施方式B-2說明的熒光體部3B相同的熒光體部形成框材18的內(nèi)側(cè)的密封部19。其中，發(fā)光元件2與密封部19的上面?zhèn)壤糜刹ＡЩ蚋邭饷軜渲瑯?gòu)成的透明蓋體36與外界的氧、水分隔絕。另外，對與實(shí)施方式B-2相同的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，省略說明。蓋體36和密封部19可以直接相接，也可以有空隙，無空隙時(shí)，可以得到光取出效率高、輝度高的半導(dǎo)體發(fā)光器件。有空隙時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行真空密封或封入惰性氣體。而且，本實(shí)施方式中，密封部19是由熒光體部形成的，所以，如后述那樣，通過使用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材作為熒光體部，能夠提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性，可以抑制長期使用時(shí)產(chǎn)生的裂紋或剝離。另外，本實(shí)施方式中，通過蓋體36抑制了水分、氧等促進(jìn)熒光體和密封樹脂劣化的外界因素的侵入、熱和光引起的密封樹脂分解氣體的揮發(fā)，因此其具有能夠降低由這些引起的輝度的降低、密封部收縮剝離的優(yōu)點(diǎn)。但是，上述各實(shí)施方式中，將熒光體部3B加工成希望形狀，或采用溶膠凝膠法形成熒光體部3B，但是，如圖49所示，若將熒光體部3B形成為直徑比可見波長稍大的球狀并將多個(gè)熒光體部3B分散到由透光性材料形成的固體介質(zhì)35中代替使用上述各實(shí)施方式中的熒光體部，則能夠維持熒光體部在可見波長區(qū)域的透明性，同時(shí)能夠減少熒光體部的材料使用量，實(shí)現(xiàn)低成本化。并且，上述各實(shí)施方式的發(fā)光裝置1B僅具備1個(gè)發(fā)光元件2，但是當(dāng)然也可以由多個(gè)發(fā)光元件2構(gòu)成1個(gè)單元的模塊，并使作為發(fā)光物質(zhì)的熒光體部與模塊的至少一部分相鄰接來進(jìn)行配置。另外，例如在實(shí)施方式B-1中說明的具備炮彈形的模塑部11的發(fā)光裝置的情況下，也可以將多個(gè)發(fā)光裝置安裝到同一印刷基板上，構(gòu)成1個(gè)單元的模塊。而且，例如對于實(shí)施方式B-2中所說明的表面實(shí)裝型的發(fā)光裝置，也可以將多個(gè)發(fā)光元件2配置在同一絕緣基板16上，構(gòu)成1個(gè)單元的模塊。(半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材的應(yīng)用〕在上述說明的各實(shí)施方式A-1、A-2、B-lB-41的發(fā)光裝置(半導(dǎo)體發(fā)光器件)1A、1B中，對應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材的位置沒有特別限制。上述的各實(shí)施方式中，示出了應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材作為形成透明部材3A或熒光體部3B、33、34等的部材的例子,但是，除此之外，也可以用作例如形成上述的模塑部ll、框材18、密封部19等的部材。通過將本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材用作這些部材，可以得到如上所述的優(yōu)異的密封性、透明性、耐光性、耐熱性、成膜性、抑制長期使用引起的裂紋或剝離等的各種效果。并且，應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材時(shí)，優(yōu)選根據(jù)應(yīng)用本發(fā)明的部位，適當(dāng)進(jìn)行變形。例如，將本發(fā)明應(yīng)用于熒光體部3B、33、34時(shí)，只要將上述的熒光體顆?；驘晒怏w離子、熒光染料等熒光成分混合到本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材中即可。由此，除了可獲得上述舉出的各種效果之外，還能夠獲得提高熒光體的保持性的效果。而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材耐久性優(yōu)異，因此，即使不含熒光體而單獨(dú)使用，也可以作為光耐久性(紫外線耐久性)或熱耐久性優(yōu)異的密封材料(無機(jī)類粘合劑用途)來密封發(fā)光元件(LED芯片等)。此外，若將上述的無機(jī)顆粒混合到本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材中進(jìn)行使用，則除了可獲得上述舉出的各種效果之外，還可以獲得并用無機(jī)顆粒的說明中所敘述的效果。尤其是，通過并用無機(jī)顆粒而將折射率調(diào)整為與發(fā)光元件的折射率接近的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材可以起到適合的光取出膜的作用?！舶雽?dǎo)體發(fā)光器件的用途等〕半導(dǎo)體發(fā)光器件例如可用于發(fā)光裝置。將半導(dǎo)體發(fā)光器件用于發(fā)光裝置的情況下，該發(fā)光裝置中可以將含有紅色熒光體、藍(lán)色熒光體以及綠色熒光體的混合物的含熒光體層配置在光源上。該情況下，紅色熒光體不必一定與藍(lán)色熒光體和綠色熒光體混合在同一層中，例如可以在含有藍(lán)色熒光體和綠色熒光體的層上層疊含有紅色熒光體的層。發(fā)光裝置中，含熒光體層可以設(shè)置于光源的上部。含熒光體層可以作為光源和密封樹脂部之間的接觸層、或作為密封樹脂部外側(cè)的涂布層、或作為外部罩內(nèi)側(cè)的涂層來提供。并且，也可以采用在密封樹脂內(nèi)含有熒光體的方式。作為所使用的密封樹脂，可以使用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材。并且，也可以使用其它樹脂。作為這樣的樹脂，通?？梢耘e出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光固性樹脂等。具體地說，可以舉出例如聚甲基丙烯酸甲酯等甲基丙烯酸樹脂；聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物等苯乙烯樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚酯樹脂；苯氧樹脂；丁縮醛樹脂；聚乙烯醇；乙基纖維素、纖維素乙酸酯、乙酸丁酸纖維素等纖維素類樹脂；環(huán)氧樹脂;酚醛樹脂；有機(jī)硅樹脂等。而且，可以使用無機(jī)系材料，例如可以使用金屬醇鹽、陶瓷前體聚合物或含有金屬醇鹽的溶液經(jīng)溶膠凝膠法水解聚合而成的溶液、或者將這些的組合進(jìn)行固化而得到的無機(jī)系材料，例如具有硅氧垸鍵的無機(jī)系材料。此外，密封樹脂可以使用1種，也可以以任意組合和比例合用2種以上。對熒光體相對于密封樹脂的用量沒有特別限定，通常相對于100重量份密封樹脂，熒光體的用量為0.01重量份以上，優(yōu)選為0.1重量份以上，更優(yōu)選為1重量份以上，且通常為IOO重量份以下，優(yōu)選為80重量份以下，更優(yōu)選為60重量份以下。另外，還可以在密封樹脂中含有熒光體和無機(jī)顆粒以外的成分。例如，色調(diào)校正用的色素、抗氧化劑、磷系加工穩(wěn)定劑等加工及氧化和熱穩(wěn)定化劑、紫外線吸收劑等耐光性穩(wěn)定化劑和硅垸偶聯(lián)劑。此外，這些成分可以使用一種，也可以以任意組合和比例合用2種以上。對光源沒有限制，優(yōu)選發(fā)出在350nm500nm的范圍具有峰波長的光的光源，作為具體例，可以舉出發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD)等。其中，優(yōu)選使用了GaN系化合物半導(dǎo)體的GaN系LED、LD。其原因在于，與發(fā)出該區(qū)域的光的SiC系LED等相比，GaN系LED、LD的發(fā)光功率、外部量子效率非常大，通過與上述熒光體組合，能夠得到電力非常低但非常明亮的發(fā)光。例如，對于20mA的電流載荷，通常GaN系LED、LD具有SiC系的100倍以上的發(fā)光強(qiáng)度。GaN系LED、LD中，優(yōu)選具有AlxGaYN發(fā)光層、GaN發(fā)光層歲者InxGaYN發(fā)光層的LED、LD。GaN系LED中，具有其中的InxGaYN發(fā)光層的LED的發(fā)光強(qiáng)度非常強(qiáng)，所以是特別優(yōu)選的，GaN系LD中，具有InxGayN層和GaN層的多重量子阱結(jié)構(gòu)時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度非常強(qiáng)，所以是特別優(yōu)選的。此外，上述中，X+Y的值通常是0.81.2的范圍的值。GaN系LED中，在調(diào)整發(fā)光特性方面，優(yōu)選這些發(fā)光層中摻雜有Zn、Si或沒有摻雜。GaN系LED以這些發(fā)光層、p層、n層、電極以及基板為基本構(gòu)成要件，具有n型和p型的AlxGayN層、GaN層或者InxGaYN層等夾著發(fā)光層的異質(zhì)結(jié)構(gòu)時(shí)，發(fā)光效率高，所以是優(yōu)選的，進(jìn)而，將異質(zhì)結(jié)構(gòu)制成量子阱結(jié)構(gòu)時(shí)，發(fā)光效率更高，所以是更優(yōu)選的。發(fā)光裝置是發(fā)白色光的，裝置的發(fā)光效率為201m/W以上，優(yōu)選為221m/W以上，更優(yōu)選為251m/W以上，特別優(yōu)選為281m/W以上，平均演色評價(jià)指數(shù)Ra為80以上，優(yōu)選為85以上，更優(yōu)選為88以上。發(fā)光裝置可以單個(gè)或2個(gè)以上組合用作例如照明燈、液晶面板用等背部照明、超薄型照明等各種照明裝置、圖像顯示裝置。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材在用于密封LED元件、特別是密封藍(lán)色LED和紫外LED的元件的用途中是有用的。并且，作為以藍(lán)色發(fā)光元件或紫外發(fā)光元件為激發(fā)光源而經(jīng)熒光體進(jìn)行了波長轉(zhuǎn)換的白色LED和電燈泡色LED等高功率照明光源用熒光體保持材料，可以很好地進(jìn)行使用。此外，基于其優(yōu)異的耐熱性、耐紫外線性、透明性等特性，其還可以用于下述的顯示器材料等用途。作為顯示器材料，例如可以舉出液晶顯示器的基板材料、導(dǎo)光板、棱鏡片、偏振片、位相差板、可視角校正膜、粘結(jié)劑、偏光鏡保護(hù)膜等液晶顯示裝置周邊材料；作為第二代平板顯示器的彩色等離子體顯示器(PDP)的密封材料、防反射膜、光學(xué)校正膜、外殼材-前面玻璃的保護(hù)膜、前面玻璃替代材料、粘結(jié)材等；等離子體尋址液晶(PALC)顯示器的基板材料、導(dǎo)光板、棱鏡片、偏振片、位相差板、可視角校正膜、粘結(jié)劑、偏光鏡保護(hù)膜等；有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示器的前面玻璃的保護(hù)膜、前面玻璃代替材料、粘結(jié)劑等；場發(fā)射顯示器(FED)的各種膜基板、前面玻璃的保護(hù)膜、前面玻璃替代材料、粘結(jié)劑等。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的密合性優(yōu)異，可以利用以公知的加成縮合型有機(jī)硅樹脂難以進(jìn)行的多次涂布進(jìn)行層積。利用該特性，例如用以甲基為主體的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材作為低折射率層，與引入了苯基等高折射有機(jī)基團(tuán)或氧化鋯納米顆粒等的高折射率層層積，由此形成具有折射率差的層結(jié)構(gòu)，能夠容易地形成耐久性高且密合性和可撓性優(yōu)異的導(dǎo)光層。實(shí)施例下面舉出實(shí)施例，更具體地說明本發(fā)明，但這些實(shí)施例是用于說明本發(fā)明的，并不是用來將本發(fā)明限定為這些方式的。[I]第一實(shí)施例組[1-1]分析方法以下述的順序?qū)笫龈鲗?shí)施例和各比較例的半導(dǎo)體器件用部材進(jìn)行分析。D-l-l]熱減重(TG-DTA)的測定分別使用10mg各實(shí)施例和各比較例的半導(dǎo)體器件用部材的碎片，禾U用熱重-差熱(thermogravimetry-differentialthermalanalysis:為了方便起見，下面簡稱為"TG-DTA")測定裝置(精工電子株式會(huì)社制造的TG/DTA6200)，在流通200ml/分鐘空氣下，以1(TC/分鐘的升溫速度從35"C加熱到50(TC，進(jìn)行減重測定。需要說明的是，對于難以準(zhǔn)確稱量的碎片，考慮有效數(shù)字的范圍，采用在10士lmg的范圍的碎片作為10mg的碎片。密合性評價(jià)方法(1)將實(shí)施例和比較例的半導(dǎo)體器件用部材的固化前的水解-縮聚液(半導(dǎo)體器件用部材形成液)滴加到直徑9mm、凹部的深度lmm的表面鍍Ag的銅制杯皿中，在規(guī)定的固化條件使其固化，制作測定用試樣(半導(dǎo)體器件用部材)。、(2)在厚lmm、長25mm、寬70mm的鋁板上薄薄地涂布散熱用硅潤滑油(silicongrease)，將所得到的測定用試樣擺放在上面，在溫度85。C、濕度85%的氣氛(為了方便起見，下面簡稱為"吸濕環(huán)境")下吸濕20小時(shí)。(3)將吸濕后的測定用試樣從上述(2)的吸濕環(huán)境下取出，冷卻到室溫(2025°C)。連同鋁板將吸濕并冷卻后的測定用試樣放置在設(shè)定為260°C的加熱板上，保持1分鐘。在該條件下，約50秒，測定用試樣的實(shí)溫達(dá)到了26(TC，其后在26(TC保持10秒。(4)將加熱后的試樣連同鋁板放置在不銹鋼制的室溫的冷卻板上，使其冷卻到室溫。通過目視觀察和顯微鏡觀察，，觀察測定用試樣有無從上述銅制杯皿剝離。即使觀察到稍有剝離，也記作"有剝離"。(5)對10個(gè)測定用試樣分別實(shí)施上述(2)、(3)和(4)的操作，求出上述測定用試樣的剝離率。硬度測定使用古里精機(jī)制作所生產(chǎn)的A型(A型硬度計(jì))橡膠硬度計(jì)，基于JISK6253測定實(shí)施例和比較例的半導(dǎo)體,器件用部材的硬度(肖氏A)。耐熱性試驗(yàn)對于實(shí)施例以及比較例的半導(dǎo)體器件用部材，將使用特氟隆(注冊商標(biāo))皿制作成的直徑為5cm、膜厚為約lmm的樣品在溫度200。C的通風(fēng)干燥機(jī)中保持500小時(shí)。比較試驗(yàn)前后該樣品在400nm下的透射率的變化。硅含量的測定將單獨(dú)的各實(shí)施例和各比較例的半導(dǎo)體器件用部材的固化物粉碎成10(Him左右，用鈾柑堝于大氣中在45(TC保持1小時(shí)，接著在750'C保持l小時(shí)，在95(TC保持1.5小時(shí)，從而進(jìn)行燒制，除去碳成分之后，在得到的少量殘?jiān)屑尤?0倍量以上的碳酸鈉，利用燃燒器進(jìn)行加熱，使混合物熔融，將混合物冷卻，加入脫鹽水，進(jìn)一步利用鹽酸將pH調(diào)整到中性程度，同時(shí)按照硅達(dá)到幾ppm的程度進(jìn)行定容，使用精工電子社制造的"SPS1700HVR"進(jìn)行ICP分析。連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)使用實(shí)施例和比較例得到的密封材料液制作半導(dǎo)體發(fā)光器件，對該半導(dǎo)體發(fā)光器件通20mA的驅(qū)動(dòng)電流，在溫度為85。C、相對濕度為85%的條件下進(jìn)行連續(xù)點(diǎn)亮。測定經(jīng)過500小時(shí)后的輝度，與點(diǎn)亮試驗(yàn)前的輝度進(jìn)行比較。此外，如下準(zhǔn)備半導(dǎo)體發(fā)光器件。即，首先，如圖50所示，制作由杯皿101和LED芯片102構(gòu)成的表面實(shí)裝型的LED元件103作為LED119光源。杯皿101是用聚鄰苯二甲酰胺形成的，其底部設(shè)置有未圖示的電極。另外，LED芯片102使用具有發(fā)光峰波長為405nm的面朝上型GaN系半導(dǎo)體作為發(fā)光層的LED芯片。另外，使用環(huán)氧樹脂作為管芯焊接劑，用管芯焊接機(jī)(Westbond社制造的"手控焊接機(jī)(manualdiebonder)")將LED芯片102焊接在杯皿101內(nèi)的電極表面。另夕卜，在LED芯片102的上部設(shè)置有電極(未圖示)，使用日本Avionics社制造的引線接合機(jī)"MB-2200"將該電極和杯皿101的電極用金屬線引線接合，獲得電導(dǎo)通。接著，將實(shí)施例和比較例準(zhǔn)備的密封材料液用微量移液管滴加到杯皿101內(nèi)，使液面高度與杯皿的上緣相同。接著，在規(guī)定的溫度條件使密封材料液固化，制作具有透明密封層(半導(dǎo)體器件用部材)的半導(dǎo)體發(fā)光器件。周期加熱試驗(yàn)將實(shí)施例和比較例的密封材料液澆灌于表面實(shí)裝用聚鄰苯二甲酰胺性杯皿(無芯片空杯皿)，使各密封材料液在規(guī)定的固化條件固化。將該空PKG涂布品裝入塔巴依愛斯佩克株式會(huì)社制造的小型環(huán)境試驗(yàn)器SH-241，不調(diào)整濕度，"在-40。C靜置30分鐘，用1小時(shí)由-4(TC升溫到100°C，在10(TC靜置30分鐘，用1小時(shí)從10(TC降溫到-4(TC"，以該操作作為一個(gè)周期(合計(jì)3小時(shí))，實(shí)施200個(gè)周期的溫度周期試驗(yàn)。200個(gè)周期后，取出試樣，使用實(shí)體顯微鏡，觀察杯皿與密封材料液的接觸部分有無剝離。實(shí)驗(yàn)操作<實(shí)施例1-1〉準(zhǔn)備140gGE東芝有機(jī)硅生產(chǎn)的兩末端硅烷醇二甲基硅油XC96-723、14g苯基三甲氧基硅烷以及0.308g作為催化劑的四乙酰丙酮酸鋯粉末，將其裝入帶有攪拌槳和冷凝器的三頸瓶中，在室溫?cái)嚢?5分鐘直至催化劑充分溶解。其后，將反應(yīng)液升溫到120度，在120度完全回流下攪拌30分鐘，同時(shí)進(jìn)行初期水解。接著，以SV20吹入氮?dú)?，將生成的甲醇和水分、副產(chǎn)物低沸硅成分蒸餾除去，同時(shí)在12(TC攪拌，進(jìn)行6小時(shí)的聚合反應(yīng)。需要說明的是，此處"SV"是"空速(SpaceVelocity)"的簡稱，是指每單位時(shí)間吹入的體積量。因此，SV20是指1小時(shí)吹入反應(yīng)液的20倍體積的N2。停止吹入氮?dú)?，將反?yīng)液先冷卻到室溫，然后將反應(yīng)液轉(zhuǎn)移到茄形燒瓶中，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器，在油浴上，于12(TC、lkPa的條件蒸餾20分鐘，除去殘留的微量的甲醇和水分、低沸硅成分，得到無溶劑的密封材料液(半導(dǎo)體器件用部材形成液)。將2g上述的密封材料液裝入直徑5cm的特氟龍(注冊商標(biāo))皿中，在防爆爐中，于微風(fēng)下、ll(TC保持l小時(shí)，接下來，在150'C保持3小時(shí)，得到了厚度約lmm的獨(dú)立的圓形透明彈性體狀膜。將該膜作為試樣，實(shí)施[1-1-1]熱減重(TG-DTA)的測定、[1-1-3]硬度測定、[1-1-4]耐熱性試驗(yàn)以及[1-1-5]硅含量的測定。結(jié)果見表2。需要說明的是，表2中，TG-DTA欄的數(shù)值是負(fù)數(shù)，其表示重量減少了。另外，使用該密封材料液，進(jìn)行[1-1-2]密合性評價(jià)方法、[1-1-6]連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)以及[1-1-7]周期加熱試驗(yàn)。此時(shí)，作為上述規(guī)定的固化條件，在90。C保持2小時(shí)、ll(TC保持1小時(shí)，接著在15(TC保持3小時(shí)，由此使密封材料液固化。結(jié)果見表2。<實(shí)施例1-2〉準(zhǔn)備100gGE東芝有機(jī)硅生產(chǎn)的兩末端硅垸醇二甲基硅油XC96-723、10g苯基三甲氧基硅烷以及22g作為催化劑的四正丙醇鋯溶液(5重量份四正丙醇鋯的75重量％正丙醇溶液經(jīng)95重量份甲苯稀釋后的稀釋液)，將其裝入帶有攪拌槳和冷凝器的三頸瓶中，于室溫、大氣壓下攪拌15分鐘，進(jìn)行初期水解，然后，在約50度邊攪拌邊加熱8小時(shí)。此后，將反應(yīng)液冷卻到室溫，移入茄形燒瓶，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器在50°C、lkPa蒸餾30分鐘以除去溶劑和反應(yīng)生成的醇、水分、低沸硅成分，得到無溶劑的密封材料液。將2g上述的密封材料液與實(shí)施例1-1同樣地裝入直徑5cm的特氟龍(注冊商標(biāo))皿，在防爆爐中，于微風(fēng)下、ll(TC保持1小時(shí)，接下來，在15(TC保持3小時(shí)，得到了厚度約lmm的獨(dú)立的圓形透明彈性體狀膜。以此為試樣，實(shí)施[1-1-1]熱減重(TG-DTA)的測定、[1-1-3]硬度測定、[1-1-4]耐熱性試驗(yàn)以及[1-1-5]硅含量的測定。結(jié)果見表2。另外，使用該密封材料液，進(jìn)行[1-1-2]密合性評價(jià)方法、[1-1-6]連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)以及[1-1-7]周期加熱試驗(yàn)。此時(shí)，上述規(guī)定的固化條件與實(shí)施例I-1中的相同，在該固化條件使密封材料液固化。結(jié)果見表2。<實(shí)施例1-3>在帶有攪拌槳和戴氏冷凝器(Dimrothcondenser)的100cc燒瓶中量取27g信越化學(xué)制的甲基氫聚硅氧垸KF-99、32.41g東京化成工業(yè)制的乙烯基三甲氧基硅垸以及以鉑元素?fù)Q算時(shí)為5ppm的加成縮合催化劑，攪拌使其混合均勻。將該液體在氮?dú)鈿夥障?、IO(TC加熱20小時(shí)，得到粘度300mPa"的含甲氧基的聚二甲基硅氧烷。用^-NMR測定該液體的乙烯基殘存量，結(jié)果乙烯基完全消失了。在100ml茄形燒瓶中，向lg該液體中混合10gMomentivePerformanceMaterialsJapan合同會(huì)社制造的兩末端硅垸醇聚二甲基硅氧烷XC96-723以及0.01lg作為縮合催化劑的四乙酰丙酮酸鋯粉末，加塞子，用攪拌子在室溫?cái)嚢柚链呋瘎┩耆芙?。此后，安裝戴氏冷凝器，在氮?dú)鈿夥障?，將反?yīng)液升溫到ll(TC，進(jìn)行30分鐘的回流。將反應(yīng)液先冷卻到室溫，然后將茄形燒瓶接到旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上，在油浴上，于12(TC、lkPa的條件蒸餾30分鐘，除去殘留的微量的甲醇和水分、低沸硅成分，得到無溶劑的密封材料液(半導(dǎo)體器件用部材形成液)。將2g上述的密封材料液裝入直徑5cm的特氟龍(注冊商標(biāo))皿，在防爆爐中，于微風(fēng)下、110。C保持l小時(shí)，接下來在150'C保持3小時(shí)，得到了厚度約lmm的獨(dú)立的圓形透明彈性體狀膜。以此為試樣，實(shí)施[I-l-l]熱減重(TG-DTA)的測定、[I-l-3]硬度測定、[I-l-4]耐熱性試驗(yàn)以及[I-l-5]硅含量的測定。結(jié)果見表2。另外，使用該密封材料液，進(jìn)行[1-1-2]密合性評價(jià)方法、[1-1-6]連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)以及[1-1-7]周期加熱試驗(yàn)。此時(shí)，上述規(guī)定的固化條件是在9(TC保持2小時(shí)、ll(TC保持1小時(shí)，接著在150。C保持3小時(shí)，由此使密封材料液固化。結(jié)果見表2。<比較例1-1>122準(zhǔn)備100gGE東芝有機(jī)硅生產(chǎn)的兩末端硅烷醇二甲基硅油XC96-723、10g苯基三甲氧基硅烷以及22g作為催化劑的三乙酰丙酮酸鋁的5重量％甲醇溶液，將其裝入帶有攪拌槳和冷凝器的三頸瓶中，于室溫、大氣壓下攪拌15分鐘，進(jìn)行初期水解，然后，在約75。C攪拌下回流4小時(shí)。此后，直至內(nèi)溫達(dá)到100'C在常壓蒸餾除去甲醇和低沸硅成分，再在10(TC攪拌回流4小時(shí)。將反應(yīng)液冷卻到室溫，制備無溶劑的密封材料液。將2.5g上述的密封材料液裝入直徑5cm的特氟龍(注冊商標(biāo))皿，在防爆爐中、微風(fēng)下，于5(TC保持30分鐘、ll(TC保持l小時(shí)，接下來，在15(TC保持3小時(shí)，得到厚度約lmm的獨(dú)立的圓形透明彈性體狀膜。以此為試樣，實(shí)施[1-1-1]熱減重(TG-DTA)的測定、[1-1-3]硬度測定、[1-1-4]耐熱性試驗(yàn)以及[1-1-5]硅含量的測定。結(jié)果見表2。另外，使用該密封材料液，進(jìn)行[1-1-2]密合性評價(jià)方法、[1-1-6]連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)以及[1-1-7]周期加熱試驗(yàn)。此時(shí)，上述規(guī)定的固化條件是在5(TC保持30分鐘、12(TC保持1小時(shí)，接著在15(TC保持3小時(shí)，由此使密封材料液固化。結(jié)果見表2。<比較例1-2〉作為密封材料液，準(zhǔn)備用作半導(dǎo)體發(fā)光器件用模塑劑的市售有機(jī)硅樹脂(東麗道康寧社制造的JCR6101UP)。將30g該密封材料液用涂布器涂布到特氟龍(注冊商標(biāo))板上，在25°C抽真空l小時(shí)后，在15(TC加熱干燥2小時(shí)，然后將其剝離，得到厚度約lmm的彈性體狀膜。以此為試樣，實(shí)施[I-1-1]熱減重(TG-DTA)的測定、[1-1-3]硬度測定、[1-1-4]耐熱性試驗(yàn)以及[1-1-5]硅含量的測定。結(jié)果見表2。另外，使用該密封材料液，進(jìn)行[1-1-2]密合性評價(jià)方法、[1-1-6]連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)以及[1-1-7]周期加熱試驗(yàn)。此時(shí)，上述規(guī)定的固化條件是在150。C加熱2小時(shí)，由此使密封材料液固化。結(jié)果見表2。此外，上述規(guī)定的固化條件下得到的密封部材是彈性體狀的密封部材。<比較例1-3〉作為密封材料液，準(zhǔn)備用作半導(dǎo)體發(fā)光器件用模塑劑的市售2液型有機(jī)硅樹脂(朋諾(Pelnox)社制造的XJL0012)。將2g該密封材料液放入直徑5cm的特氟龍(注冊商標(biāo))皿中，在防爆爐中，于微風(fēng)下、15(TC保持3小時(shí)，得到厚度約lmm的獨(dú)立的圓形透明硬質(zhì)膜。以此為試樣，實(shí)施[1-1-1]熱減重(TG-DTA)的測定、[1-1-3]硬度測定、[1-1-4]耐熱性試驗(yàn)以及[1-1-5]硅含量的測定。結(jié)果見表2。另外，使用該密封材料液，進(jìn)行[1-1-2]密合性評價(jià)方法、[1-1-6]連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)以及[1-1-7]周期加熱試驗(yàn)。此時(shí)，上述規(guī)定的固化條件是在15(TC加熱3小時(shí)，由此使密封材料液固化。結(jié)果見表2。此外，上述規(guī)定的固化條件下得到的密封部材是透明的硬質(zhì)密封部材。<比較例1-4>準(zhǔn)備30.80g硅酸甲酯(三菱化學(xué)社制造，MKC硅酸酯MS51)、56.53g甲醇、6.51g水以及6.16g作為催化劑的5。/。乙酰丙酮鋁鹽甲醇溶液，將其用能夠密閉的容器混合，加上塞子，用攪拌子攪拌下，在5(TC的溫水浴中加熱8小時(shí)后，返回到室溫，制成水解縮聚液。將10ml該水解縮聚液裝入直徑5cm的特氟龍(注冊商標(biāo))皿中，以與實(shí)施例I-1相同的條件干燥，得到厚度約0.3mm的玻璃膜，干燥過程中，產(chǎn)生了大量的裂紋，發(fā)生粉碎，不能得到獨(dú)立的圓形透明玻璃膜。但是，使用該玻璃膜進(jìn)行了[1-1-5]硅含量的測定。另外，用微量移液管將該水解-縮聚液滴加到具有405nm發(fā)光波長的GaN系半導(dǎo)體發(fā)光器件上，在35。C保持30分鐘，接下來在5(TC保持1小時(shí)，進(jìn)行第1干燥，然后，在15(TC保持3小時(shí)，進(jìn)行第2干燥，此時(shí)產(chǎn)生了大量的裂紋，不能用作密封部材(半導(dǎo)體器件用部材)。124表2<table>tableseeoriginaldocumentpage125</column></row><table>*由于出現(xiàn)裂紋而不能測定總結(jié)根據(jù)上述的實(shí)施例可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的耐熱性、對以大量應(yīng)用于電極、反射器等的銀表面為首的半導(dǎo)體器件表面的密合性以及耐光性(特別是耐UV性)優(yōu)異，所以在高溫高濕的加速環(huán)境下的連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)中，沒有產(chǎn)生因?yàn)槊芎闲越档?、變質(zhì)引起的剝離、點(diǎn)不亮、輝度降低，能夠維持穩(wěn)定的性能。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材與半導(dǎo)體器件的密合性高，且具有柔軟性，所以耐熱沖擊，在周期加熱試驗(yàn)中也沒有發(fā)生剝離，能夠提供可靠性高的半導(dǎo)體器件。與此相對，比較例I-1的半導(dǎo)體器件用部材中，雖然與實(shí)施例的部材同樣沒有發(fā)現(xiàn)因耐熱試驗(yàn)帶來的著色，但是密合性不足，在周期加熱試驗(yàn)中發(fā)生了剝離。另外，比較例I-2的半導(dǎo)體器件用部材中，雖然沒有發(fā)現(xiàn)因耐熱試驗(yàn)引起的著色，但是與實(shí)施例I-1、I-2和比較例I-1相比，其對銀表面的密合性不足，周期加熱試驗(yàn)后的連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)中產(chǎn)生了剝離和點(diǎn)不亮的現(xiàn)象。另外，比較例I-3的半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材是硬質(zhì)的，含有大量的3官能硅，交聯(lián)度高，所以熱減重少，但是密合性低，缺少柔軟性，因而連續(xù)點(diǎn)亮中，全部點(diǎn)不亮，周期加熱試驗(yàn)中的剝離率高。另外，耐熱性試驗(yàn)中，因密合改善劑等添加物引起的著色大，連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)中觀察到了輝度的降低。另外，比較例I-4得到的部材是由&02構(gòu)成的，本來期望其耐熱性和耐光性最高，但是脫溶劑和脫水縮合引起的收縮導(dǎo)致固化時(shí)的內(nèi)部應(yīng)力大，固化時(shí)容易產(chǎn)生裂紋，所以不能得到厚膜的透明密封體。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材通過同時(shí)采用的改善密合性的表面處理能夠進(jìn)一步起到提高密合性的效果，這在下述的強(qiáng)制剝離試驗(yàn)中能夠得到確認(rèn)。實(shí)施例I-3:在玻璃燒杯中向1%醋酸水中添加Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸并使Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷為1重量％，制備100g處理液。使用磁力攪拌子，將該液體在室溫?cái)嚢?小時(shí)，得到透明的水解液。將光學(xué)用硼硅酸玻璃板浸泡在該水解液中，使用溫水浴，在50度進(jìn)行1小時(shí)的表面處理。將處理后的玻璃板從處理液中取出，輕輕對處理面進(jìn)行水洗，但不用手接觸處理面，控去水后，用10(TC的通風(fēng)干燥機(jī)進(jìn)行1小時(shí)燒制。分別在未處理的玻璃板和表面處理玻璃板平面上滴加0.5ml實(shí)施例1-1的半導(dǎo)體器件用部材形成液，在15(TC使其固化1.5小時(shí)，得到厚度50pm的膜。用小鑷子提住膜的一端，緩慢地拉起膜，對于涂布在未處理的玻璃板上的膜，在膜與玻璃的界面殘留有附著物下剝離了該膜。另一方面，對于經(jīng)表面處理的玻璃板來說，膜壞掉了，不能剝離該膜。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的耐熱性、耐光性、密合性和成膜性的平衡優(yōu)異，與現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件用部材相比，能夠提供在過于苛刻的使用條件下的可靠性也高的半導(dǎo)體器件。尤其是其透明性、耐UV性優(yōu)異，所以適合用作半導(dǎo)體發(fā)光器件用部材。[II]第二實(shí)施例組分析方法以下述順序?qū)笫龈鲗?shí)施例和各比較例的半導(dǎo)體器件用部材進(jìn)行分析。耐熱性試驗(yàn)對于后述的實(shí)施例以及比較例的密封材料(半導(dǎo)體器件用部材)，將使用特氟隆(注冊商標(biāo))皿制作成的直徑為5cm、膜厚為約lmm的樣品放于溫度20(TC的通風(fēng)干燥機(jī)中保持500小時(shí)。比較試驗(yàn)前后該樣品在400nm下的透射率的變化。耐UV性試驗(yàn)對于后述的實(shí)施例和比較例的密封材料(半導(dǎo)體器件用部材)，使用用特氟龍(注冊商標(biāo))皿制作的直徑5cm、膜厚約0.5mm試樣，在下述條件照射紫外光，測定膜在照射前后對波長400nm的光的透射率的維持率。照射裝置suga試驗(yàn)機(jī)株式會(huì)社制造的加速耐光試驗(yàn)機(jī)金屬耐候儀MV30照射波長使用紫外線截止膜將255nm以上、主波長300nm450nm(在480nm580nm有亮線)的照射光變成中心波長380nm、波長370nm以上。照射時(shí)間72小時(shí)輻射強(qiáng)度0.6kW/m2連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)使用后述的實(shí)施例和比較例得到的密封劑液制作半導(dǎo)體發(fā)光裝置，對該半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行下述的連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)。[II-1-3-1]半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作將CREE社制的900pm見方的芯片"C460-XB900"用Au-Sn共晶焊料焊在基臺(tái)上后，將基臺(tái)用Au-Sn共晶焊料焊在MCO社制造的金屬封裝材上。用金屬線從芯片上的電極引線接合到金屬封裝材上的引腳(pin)上。連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)在維持發(fā)光面的溫度為IOO士I(TC下，對芯片(半導(dǎo)體元件)通350mA的驅(qū)動(dòng)電流，在溫度85'C、相對濕度85°/。的條件下，進(jìn)行500小時(shí)的連續(xù)點(diǎn)亮。測定500小時(shí)后的輝度相對于剛點(diǎn)亮后的輝度的百分率(輝度維持率)。此外，輝度的測定中，使用海洋光學(xué)(OceanOptics)社制造的分光器"USB2000"(積分波長范風(fēng)380-800nm、受光方式100mm())的積分球)，在25。C恒溫槽內(nèi)進(jìn)行測定。為了防止溫度上升，隔著熱傳導(dǎo)性絕緣片用3mm厚的鋁板進(jìn)行散熱。密合性評價(jià)方法(1)將實(shí)施例和比較例的密封材料的固化前的水解-縮聚液(半導(dǎo)體器件用部材形成液)滴加到直徑9mm、凹部的深度lmm的表面鍍Ag的銅制杯皿中，在規(guī)定的固化條件使其固化，制作測定用試樣。(2)在厚lmm、長25mm、寬70mm的鋁板上薄薄地涂布散熱用硅潤滑油，將所得到的測定用試樣擺放在上面，在溫度85X:、濕度85%的氣氛(為了方便起見，下面簡稱為"吸濕環(huán)境")下吸濕1小時(shí)。(3)將吸濕后的測定用試樣從上述(2)的吸濕環(huán)境下取出，冷卻到室溫(2025°C)。連同鋁板將吸濕并冷卻后的測定用試樣放置在設(shè)定為260°C的加熱板上，保持1分鐘。在該條件下，約50秒，測定用試樣的實(shí)溫達(dá)到了26(TC，其后在260'C保持10秒。(4)將加熱后的試樣連同鋁板放置在不銹鋼制的室溫冷卻板上，使其冷卻到室溫。通過目視觀察和顯微鏡觀察，觀察測定用試樣有無從上述銅制杯皿剝離。即使觀察到稍有剝離，也記作"有剝離"。(5)對10個(gè)測定用試樣分別實(shí)施上述(2)、(3)和(4)的操作，求出上述測定用試樣的剝離率。實(shí)驗(yàn)操作<實(shí)施例11-1>準(zhǔn)備140gGE東芝有機(jī)硅生產(chǎn)的兩末端硅烷醇二甲基硅油XC96-723、14g苯基三甲氧基硅烷以及0.308g作為催化劑的四乙酰丙酮酸鋯粉末，將其裝入帶有攪拌槳和冷凝器的三頸瓶中，在室溫?cái)嚢?5分鐘直至催化劑充分溶解。其后，將反應(yīng)液升溫到120度，在120度完全回流下攪拌30分鐘，同時(shí)進(jìn)行初期水解。接著，以SV20吹入氮?dú)猓瑢⑸傻募状己退?、副產(chǎn)物低沸硅成分蒸餾除去，同時(shí)在120'C攪拌，進(jìn)行6小時(shí)的聚合反應(yīng)。需要說明的是，此處"SV"是"空速(SpaceVelocity)"的簡稱，是指每單位時(shí)間吹入的體積量。因此，SV20是指1小時(shí)吹入反應(yīng)液的20倍體積的N2。停止吹入氮?dú)?，將反?yīng)液先冷卻到室溫，然后將反應(yīng)液轉(zhuǎn)移到茄形燒瓶中，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器，在油浴上，于12(TC、lkPa的條件蒸餾20分鐘，除去殘留的微量的甲醇和水分、低沸硅成分，得到無溶劑的密封劑液(半導(dǎo)體器件用部材形成液)。將2g上述的密封劑液裝入直徑5cm的特氟龍(注冊商標(biāo))皿，在防爆爐中，于微風(fēng)下、ll(TC保持l小時(shí)，接下來，在15(TC保持3小時(shí)，得到了厚度約lmm的獨(dú)立的圓形透明彈性體狀膜。以此為試樣，進(jìn)行上述[II-l]中的各項(xiàng)評價(jià)。結(jié)果見表3。<實(shí)施例11-2〉準(zhǔn)備100gGE東芝有機(jī)硅生產(chǎn)的兩末端硅烷醇二甲基硅油XC96-723、10g苯基三甲氧基硅垸以及22g作為催化劑的四正丙醇鋯溶液(5重量份四正丙醇鋯的75重量％正丙醇溶液經(jīng)95重量份甲苯稀釋后的稀釋液)，將其裝入帶有攪拌槳和冷凝器的三頸瓶中，于室溫、大氣壓下攪拌15分鐘，進(jìn)行初期水解，然后，在約50度邊攪拌邊加熱8小時(shí)。此后，將反應(yīng)液冷卻到室溫，移入茄形燒瓶，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器，在5(TC、lkPa蒸餾30分鐘，除去溶劑和反應(yīng)生成的醇、水分、低沸硅成分，得到無溶劑的密封劑液。將2g上述的密封劑液與實(shí)施例II-l同樣地裝入直徑5cm的特氟龍(注冊商標(biāo))皿，在防爆爐中，于微風(fēng)下、ll(TC保持1小時(shí)，接下來，在15(TC保持3小時(shí)，得到了厚度約lmm的獨(dú)立的圓形透明彈性體狀膜。以此為試樣，進(jìn)行上述[II-l]中的各項(xiàng)評價(jià)。結(jié)果見表3。<實(shí)施例11-3>在帶有攪拌槳和戴氏冷凝器的100cc燒瓶中量取27g信越化學(xué)制的甲基氫聚硅氧烷KF-99、32.41g東京化成工業(yè)制的乙烯基三甲氧基硅垸以及以鉑元素?fù)Q算時(shí)為5ppm的加成縮合催化劑，攪拌使其混合均勻。將該液體在氮?dú)鈿夥障隆?0(TC加熱20小時(shí)，得到粘度300mPa，s的含甲氧基的聚二甲基硅氧垸。用'H-NMR測定該液體的乙烯基殘存量，結(jié)果乙烯129基完全消失了。在100ml茄形燒瓶中，向lg該液體中混合lOgMomentivePerformanceMaterialsJapan合同會(huì)社制造的兩末端硅烷醇聚二甲基硅氧烷XC96-723以及0.011g作為縮合催化劑的四乙酰丙酮酸鋯粉末，加塞子，用攪拌子在室溫?cái)嚢柚链呋瘎┩耆芙狻４撕?，安裝戴氏冷凝器，在氮?dú)鈿夥障拢瑢⒎磻?yīng)液升溫到110°C，進(jìn)行30分鐘的回流。將反應(yīng)液先冷卻到室溫，然后將茄形燒瓶接到旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上，在油浴上，于120°C、lkPa的條件蒸餾30分鐘，除去殘留的微量的甲醇和水分、低沸硅成分，得到無溶劑的密封劑液(半導(dǎo)體器件用部材形成液)。使用該密封劑液，實(shí)施耐熱性試驗(yàn)、[II-1-2]耐UV性試驗(yàn)、[II-1-3]連續(xù)點(diǎn)亮試驗(yàn)和[II-1-4]密合性評價(jià)方法。此時(shí)，上述規(guī)定的固化條件是在90。C保持2小時(shí)、ll(TC保持l小時(shí)，接著，在150。C保持3小時(shí)，由此使密封劑液固化。結(jié)果見表3。<比較例11-1〉<比較例11-4>使用表3所示的市售的密封材料，進(jìn)行上述中的各項(xiàng)評價(jià)。結(jié)果見表3。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage131</column></row><table>產(chǎn)業(yè)上的可利用性對于本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材的用途沒有特別限制，可以適用于以用于密封半導(dǎo)體元件等的部材(密封材料)為代表的各種用途中。其中，可特別優(yōu)選用作藍(lán)色LED或近紫外光LED用的密封材料或光取出膜、以及將藍(lán)色LED或近紫外光LED等發(fā)光元件用作光源的高輸出白色LED用熒光體保持劑。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材在用于密封LED元件、特別是密封藍(lán)色LED和紫外LED的元件的用途中是有用的。并且，可以優(yōu)選用作以藍(lán)色發(fā)光元件或紫外發(fā)光元件為激發(fā)光源而經(jīng)熒光體進(jìn)行了波長轉(zhuǎn)換的白色LED和電燈泡色LED等高功率照明光源用熒光體保持材。此外，基于其優(yōu)異的耐熱性、耐紫外線性、透明性等特性，其還可以用于下述的圖像顯示裝置材料等用途。作為圖像顯示裝置材料，例如可以舉出液晶圖像顯示裝置的基板材料、導(dǎo)光板、棱鏡片、偏振片、位相差板、可視角校正膜、粘結(jié)劑、偏光鏡保護(hù)膜等液晶顯示裝置周邊材料；作為第二代的平板圖像顯示裝置的彩色等離子體顯示器(PDP)的密封材料、防反射膜、光學(xué)校正膜、外殼材-前面玻璃的保護(hù)膜、前面玻璃替代材料、粘結(jié)材等；等離子體尋址液晶(PALC)顯示器的基板材料、導(dǎo)光板、棱鏡片、偏振片、位相差板、可視角校正膜、粘結(jié)劑、偏光鏡保護(hù)膜等；有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示器的前面玻璃的保護(hù)膜、前面玻璃替代材料、粘結(jié)劑等；場發(fā)射顯示器(FED)的各種膜基板、前面玻璃的保護(hù)膜、前面玻璃替代材料、粘結(jié)劑等。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液的密合性優(yōu)異，可以利用以公知的加成縮合型有機(jī)硅樹脂難以進(jìn)行的多次涂布進(jìn)行層積。利用該特性，例如用以甲基為主體的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件用部材形成液作為低折射率層，與引入了苯基等高折射有機(jī)基團(tuán)或氧化鋯納米顆粒等的高折射率層層積，由此形成具有折射率差的層結(jié)構(gòu)，能夠容易地形成耐久性高且密合性和可撓性優(yōu)異的導(dǎo)光層。雖采用特定的方式對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人132員明白，在不脫離本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變化。本申請以2006年8月22日提出的日本專利申請(日本特愿2006-225410號(hào))、2006年8月23日提出的日本專利申請(日本特愿2006-226856號(hào))、2007年8月22日提出的日本專利申請(日本特愿2007-216451號(hào))和2007年8月22日提出的日本專利申請(日本特愿2007-216452號(hào))為基礎(chǔ)，并以引用的方式引用其全部內(nèi)容支持本發(fā)明。權(quán)利要求1、一種半導(dǎo)體器件用部材，其特征在于，其通過下述熱減重測定方法(I)測定的熱減重為50重量％以下，并且通過下述密合性評價(jià)方法(II)測定的剝離率為30％以下，熱減重測定方法(I)使用10mg上述半導(dǎo)體器件用部材的碎片，利用熱重差熱測定裝置，在以200ml/分鐘的流速流通空氣下，以10℃/分鐘的升溫速度從35℃加熱到500℃，進(jìn)行減重測定；密合性評價(jià)方法(II)(1)將半導(dǎo)體器件用部材形成液滴入直徑為9mm、凹部的深度為1mm的表面鍍覆有銀的銅制杯皿，在規(guī)定的固化條件使其固化，得到半導(dǎo)體器件用部材，(2)在溫度85℃、濕度85％的氣氛下使得到的半導(dǎo)體器件用部材吸濕20小時(shí)，(3)用50秒，將吸濕后的半導(dǎo)體器件用部材由室溫升溫到260℃后，在260℃保持10秒，(4)將升溫后的半導(dǎo)體器件用部材冷卻到室溫，通過目視觀察和顯微鏡觀察，觀察半導(dǎo)體器件用部材有無從上述銅制杯皿剝離，(5)對10個(gè)上述半導(dǎo)體器件用部材分別實(shí)施上述(2)、(3)和(4)的操作，求出上述半導(dǎo)體器件用部材的剝離率。2、一種半導(dǎo)體器件用部材，其特征在于，該部材通過下述熱減重測定方法(I)測定的熱減重為50重量％以下，并且通過A型硬度計(jì)得到的硬度測定值(肖氏A)為590，熱減重測定方法①使用10mg上述半導(dǎo)體器件用部材的碎片，利用熱重差熱測定裝置，在以200ml/分鐘的流速流通空氣下，以10'C/分鐘的升溫速度從35"C加熱到50(TC，進(jìn)行減重測定。3、如利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件用部材，其特征在于，其具有金屬-氧-金屬骨架。4、如權(quán)利要求13任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件用部材，其特征在于，其含有無機(jī)顆粒。5、如權(quán)利要求14任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件用部材，其特征在于，其含有熒光體。6、一種半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法，其特征在于，其是制造含有將下述式(l)表示的化合物和/或其低聚物進(jìn)行水解-縮聚而得到的縮聚物的半導(dǎo)體器件用部材形成液的方法，其中，在含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦中的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑的存在下進(jìn)行上述水解-縮聚，M"^XnY1『n(1)式(1)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，x表示水解性基團(tuán)，y表示l價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，m為l以上的整數(shù)，表示M的價(jià)數(shù)，n為l以上的整數(shù)，表示X基團(tuán)的數(shù)量，其中，m^n。7、一種半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法，其特征在于，其是制造含有將下述式(2)表示的化合物和/或其低聚物進(jìn)行水解-縮聚而得到的縮聚物的半導(dǎo)體器件用部材形成液的方法，其中，在含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦中的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑的存在下進(jìn)行上述水解-縮聚，(MUUOuY2(2)式(2)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團(tuán)，yi表示i價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，YZ表示u價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，s為2以上的整數(shù)，表示M的價(jià)數(shù)，t表示l以上且S-1以下的整數(shù)，u表示2以上的整數(shù)。8、一種半導(dǎo)體器件用部材的制造方法，其特征在于，該制造方法具有對將下述式(l)表示的化合物和/或其低聚物進(jìn)行水解-縮聚而得到的縮聚物進(jìn)行干燥的工序，其中，在含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦中的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑的存在下進(jìn)行上述水解-縮聚，MK一n(1)式(1)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團(tuán)，yi表示i價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，m為l以上的整數(shù)，表示M的價(jià)數(shù)，n為l以上的整數(shù)，表示X基團(tuán)的數(shù)量，其中，m^n。9、一種半導(dǎo)體器件用部材的制造方法，其特征在于，該制造方法具有對將下述式(2)表示的化合物和/或其低聚物進(jìn)行水解-縮聚而得到的縮聚物進(jìn)行干燥的工序，其中，在含有選自鋯、鉿、錫、鋅以及鈦中的至少一種元素的有機(jī)金屬化合物催化劑的存在下進(jìn)行上述水解-縮聚，(JVTXtYVt-DuY2(2)式(2)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團(tuán)，y表示l價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，￥2表示11價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，s為2以上的整數(shù)，表示M的價(jià)數(shù)，t表示l以上且s-l以下的整數(shù)，u表示2以上的整數(shù)。10、一種半導(dǎo)體器件用部材形成液，其特征在于，其是利用權(quán)利要求6或權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件用部材形成液的制造方法制造的。11、一種熒光體組合物，其特征在于，其含有權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件用部材形成液和熒光體。12、一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其是具有(A)封裝材、(B)半導(dǎo)體元件以及(C)密封材料的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，(A)封裝材和/或(B)半導(dǎo)體元件中，其表面材料含有Si、Al和Ag中的任意l種以上元素，(c)密封材料滿足下述的全部條件(i)(ni),并且(C)密封材料與(A)封裝材和/或(B)半導(dǎo)體元件的上述表面材料直接相接，(I)具有能夠與存在于陶瓷或金屬的表面的羥基或金屬-氧-金屬鍵中的氧形成氫鍵的官能團(tuán)，(II)波長為400nm的光的透射率在于20(TC放置500小時(shí)之前和之后的維持率為80%110%，(III)波長為400nm的光的透射率在照射72小時(shí)中心波長為380nm、且波長為370nm以上、輻射強(qiáng)度為0.6kW/m2的光前后的維持率為80%110%。13、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件還滿足下述條件(IV)，(IV)對于發(fā)光波長460士10nm且一邊為900pm的正方形半導(dǎo)體元件，在維持發(fā)光面的溫度為100±10°C下，通350mA的驅(qū)動(dòng)電流，在溫度85°C、相對濕度85%進(jìn)行500小時(shí)的連續(xù)點(diǎn)亮，此時(shí)，500小時(shí)后的輝度相對于剛點(diǎn)亮?xí)r的輝度的比例為90%以上。14、如權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，(C)密封材料是權(quán)利要求15任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件用部材。15、如權(quán)利要求1214任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，(A)封裝材和/或(B)半導(dǎo)體元件的所述表面材料含有SiNx、SiC以及Si02中的l種以上。16、如權(quán)利要求1215任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，(A)封裝材和/或(B)半導(dǎo)體元件的所述表面材料含有Al、A1N、八1203中的1種以上。17、如權(quán)利要求1216任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在(B)半導(dǎo)體元件的基板部分具有所述表面材料。18、如權(quán)利要求1217任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，(B)半導(dǎo)體元件的發(fā)光面的面積為0.15mm2以上。19、如權(quán)利要求1218任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，工作時(shí)的(B)半導(dǎo)體元件的發(fā)光面的表面溫度為80°C200°C。20、如權(quán)利要求1219任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，工作時(shí)的電功率為0.1W以上。21、一種照明裝置，其是使用權(quán)利要求1220任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件形成的。22、一種圖像顯示裝置，其是使用權(quán)利要求1220任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件形成的。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件用部材，其耐熱性、耐光性、成膜性、密合性優(yōu)異，即使長期使用也能夠不產(chǎn)生裂紋、剝離、著色地密封半導(dǎo)體器件，并能夠保持熒光體。為此，對于半導(dǎo)體器件用部材，設(shè)定其用規(guī)定的熱減重測定方法測定的熱減重為50重量％以下，且利用規(guī)定的密合性評價(jià)方法測定的剝離率為30％以下。文檔編號(hào)H01L33/32GK101506969SQ20078003084公開日2009年8月12日申請日期2007年8月22日優(yōu)先權(quán)日2006年8月22日發(fā)明者加藤波奈子,外村翼,小林博,寬森申請人:三菱化學(xué)株式會(huì)社