專利名稱：：超導(dǎo)薄膜材料以及超導(dǎo)薄膜材料的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及超導(dǎo)薄膜材料和超導(dǎo)薄膜材料的制造方法，以及例如涉及超導(dǎo)性優(yōu)良的超導(dǎo)薄膜材料和該超導(dǎo)薄膜材料的制造方法。
背景技術(shù)：
：通常，如圖5所示，超導(dǎo)薄膜材料由層壓于基底101上的中間層102和進(jìn)一步沉積在中間層102上的超導(dǎo)層103形成。為了使這些超導(dǎo)薄膜材料IOO獲得良好的超導(dǎo)性，例如日本專利待審公開(kāi)11-53967(專利文獻(xiàn)1)公開(kāi)了具有取向的多晶中間層的各向異性多晶基材。注意圖5是顯示了常規(guī)超導(dǎo)薄膜材料的剖視圖。上面提及的專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種方法，其中中間層形成在基底上，所述基底在其表面上具有晶體取向，接著進(jìn)一步在上面形成超導(dǎo)層，以提高超導(dǎo)層的取向。專利文獻(xiàn)l:日本專利待審公開(kāi)11-5396
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，就在上面提及的專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的各向異性多晶基材而言，因?yàn)槌瑢?dǎo)層是通過(guò)熱反應(yīng)沉積的，所以可能發(fā)生元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)，即超導(dǎo)層的構(gòu)成元素可能擴(kuò)散出來(lái)到達(dá)基底側(cè)，而基底的構(gòu)成元素可能擴(kuò)散出來(lái)到達(dá)超導(dǎo)層側(cè)。當(dāng)基底的構(gòu)成元素超過(guò)中間層到達(dá)超導(dǎo)層時(shí)，它們傾向于與組成超導(dǎo)層的超導(dǎo)元素反應(yīng)，導(dǎo)致較低超導(dǎo)性的問(wèn)題。因而做出本發(fā)明以解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種通過(guò)防止元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)實(shí)現(xiàn)優(yōu)良超導(dǎo)性的超導(dǎo)薄膜材料，以及這種超導(dǎo)薄膜材料的制造方法。解決問(wèn)題的手段本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)中間層的厚度解釋了在超導(dǎo)薄膜材料中元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)發(fā)展的問(wèn)題。如果中間層具有不足的厚度，則基底的構(gòu)成元素會(huì)超過(guò)中間層到達(dá)超導(dǎo)層而引起它們之間元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)的問(wèn)題。本發(fā)明人全身心地進(jìn)行設(shè)計(jì)以防止這種元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)，隨后發(fā)現(xiàn)了防止該元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)所需要的中間層的膜厚。根據(jù)本發(fā)明的超導(dǎo)薄膜材料裝備有基底、中間層和超導(dǎo)層。一層或至少兩層構(gòu)成形成在基底上的中間層，其具有不小于0.4Mm的厚度。所述超導(dǎo)層形成在中間層上。根據(jù)本發(fā)明的超導(dǎo)薄膜材料，通過(guò)提供厚度不小于0.4Mm的中間層，能夠防止基底和超導(dǎo)層之間的元素?cái)U(kuò)散。這樣，能夠防止形成的超導(dǎo)層的超導(dǎo)性的退化，使得可能提供具有良好超導(dǎo)性的超導(dǎo)薄膜材料。在上述超導(dǎo)薄膜材料中用于形成中間層的材料優(yōu)選為具有晶體結(jié)構(gòu)的氧化物，所述晶體結(jié)構(gòu)為石巖型、熒石型、鈣鈦礦型和燒綠石型的至少一種。因?yàn)檫@些用于中間層的材料具有與超導(dǎo)層非常低的反應(yīng)性，所以即使該中間層接觸超導(dǎo)層，它們也傾向于與超導(dǎo)層發(fā)展較少的元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)。優(yōu)選地，在上述超導(dǎo)薄膜材料中用于形成基底的材料是各向異性金屬，而用于形成中間層的材料包括氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯、氧化鈰、氧化鎂和鈦酸鍶的至少一種。這樣，當(dāng)具有優(yōu)異性能的各向異性金屬用于基底時(shí)，能夠抑制在基底和超導(dǎo)層之間的元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的超導(dǎo)薄膜材料的制造方法涉及制造上述超導(dǎo)薄膜的方法，其包括以下步驟制備基底，在基底上形成由一層或至少兩層構(gòu)成的中間層，以及形成超導(dǎo)層。在形成超導(dǎo)層的步驟中，所述超導(dǎo)層通過(guò)氣相和液相沉積法的至少一種形成在中間層上。根據(jù)本發(fā)明超導(dǎo)薄膜材料的制造方法，在形成超導(dǎo)層的步驟中能夠形成表面晶體取向和平坦方面都優(yōu)異的超導(dǎo)層。因此，能夠制造具有良好超導(dǎo)性的超導(dǎo)薄膜材料，所述良好超導(dǎo)性表現(xiàn)出大的臨界電流值和大的臨界電流密度。本發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的超導(dǎo)薄膜材料，提供厚度不小于0.4pm的中間層實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的超導(dǎo)性，所述厚度足以防止元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)。圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料的剖視圖。圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料的另一實(shí)施例的剖視圖。圖3是用于描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料的制造方法的流程圖。圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的超導(dǎo)薄膜材料的臨界電流值。圖5是顯示常規(guī)的超導(dǎo)薄膜材料的剖視圖。附圖標(biāo)記列表10超導(dǎo)薄膜材料511基底12中間層12a第一層12b第二層12c第三層13超導(dǎo)層具體實(shí)施例方式以下將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。相同或相應(yīng)的元件具有相同的分配的附圖標(biāo)記。它們的標(biāo)志和功能也是一樣的。因此，將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料的剖視圖。參考圖l，現(xiàn)在描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料。如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料IO具有基底11，由一層或至少兩層構(gòu)成并且形成在基底11上的中間層12，以及形成在中間層12上的超導(dǎo)層13。中間層12具有不小于0.4/mi的厚度。更詳細(xì)地，形成基底11的材料優(yōu)選為金屬。更優(yōu)選基底11是各向異性金屬基底。注意各向異性金屬基底是指其中晶體取向相對(duì)于在基底表面的面內(nèi)的雙軸方向是統(tǒng)一的基底。例如，由下面兩種以上金屬組成的合金可以適合用作各向異性金屬基底Ni(鎳)、Cr(鉻)、Mn(錳)、Co(鈷)、Fe(鐵)、Pd(鈀)、Cu(銅)、Ag(銀)和Au(金)。這些金屬也能夠與其他金屬或合金層壓。例如還能使用諸如高強(qiáng)度材料SUS的合金。注意基底11的材料不具體限制于以上，例如也可以使用除了金屬以外的材料?；?1可以是50200/mi厚以及具有長(zhǎng)的帶狀形狀。6中間層12的厚度x不小于0.4/mi。厚度x優(yōu)選不小于0.8/xm，更優(yōu)選不小于l.lpm。如果中間層102的厚度y如圖5所示的常規(guī)的超導(dǎo)薄膜材料100那么小，則可能會(huì)發(fā)生元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)，即基底101的構(gòu)成元素朝超導(dǎo)層103移動(dòng)并且超導(dǎo)層103的構(gòu)成元素朝基底101移動(dòng)。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)中間層12應(yīng)該具有不小于0.4^mi的厚度以防止元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)。也就是說(shuō)，通過(guò)將中間層12的厚度x設(shè)定為不小于0.4/mi，能夠防止元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)并且結(jié)果能夠獲得良好的超導(dǎo)性。通過(guò)將厚度x設(shè)定為不小于0.8/mi，能夠進(jìn)一步防止元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)，并且通過(guò)將厚度x設(shè)定為不小于l.l/mi，能夠還進(jìn)一步防止元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)。用于形成中間層12的材料優(yōu)選為具有晶體結(jié)構(gòu)的氧化物，所述晶體結(jié)構(gòu)為石巖型、熒石型、鈣鈦礦型和燒綠石型中的至少一種。具有這種晶體結(jié)構(gòu)的氧化物的實(shí)例包括稀土元素氧化物，諸如氧化鈰(Ce02)、氧化鈥(Ho203)、氧化釔(Y203)和氧化鐿(Yb203);氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯(YSZ);氧化鎂(MgO);鈦酸鍶(SrTi03);BZO(BaZr03);氧化鋁(A1203);以及Ln-M-0化合物(Ln是一種或多種鑭族元素，M是選自Sr、Zr和Ga的一種或多種元素，并且O是氧)。具體地，從晶體常數(shù)和晶體取向的觀點(diǎn)，氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯(YSZ)、氧化鈰(Ce02)、氧化鎂(MgO)、鈦酸鍶(SrTi03)等可適合用作形成中間層12的材料。這些材料具有與超導(dǎo)層非常低的反應(yīng)性，使得即使在具有這些材料的中間層12與超導(dǎo)層13相接觸的界面，它們也不會(huì)使超導(dǎo)層13的超導(dǎo)性退化。具體地，在金屬用作形成基底11的材料的情況下，當(dāng)超導(dǎo)層13在高溫形成時(shí)，在它的表面具有晶體取向的基底11與超導(dǎo)層13的差異會(huì)減小，并且防止金屬原子從基底11流出而流向超導(dǎo)層13，所述基底11由在其表面具有晶體取向的各向異性金屬組成。注意形成中間層12的材料不限于上面提及的材料。而且，中間層12優(yōu)選具有良好的晶體取向。上面提及的材料是這些具有良好晶體取向的材料的實(shí)例。如圖2所示，中間層12可以由多層構(gòu)成。在多層構(gòu)成中間層12的情況下，各層的總厚作為中間層12的厚度x，其也應(yīng)該不小于0.4/xm。注意圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料的另一實(shí)施例的剖視圖。當(dāng)中間層12由多層構(gòu)成時(shí)，構(gòu)成中間層12的各層可以由不同的材料形成。例如如圖2所示，中間層12能具有三層，第一層12a、第二層12b和第三層12c。優(yōu)選地，在這種情況下，第一層12a形成在基底11上作為用作晶體生長(zhǎng)的核心的籽晶層。第二層12b優(yōu)選形成在第一層12a上作為防止元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)的擴(kuò)散防止層。第三層12c優(yōu)選作為晶格匹配層形成以與在第三層12c上形成的超導(dǎo)層13的晶格尺寸相匹配。注意例如氧化鈰能適合用于籽晶層。例如氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯適合用于擴(kuò)散防止層。例如氧化鈰能適合用于晶格匹配層。中間層12不具體限制于以上，而可以具有任意數(shù)目的層，例如兩層，不小于四層，或如圖1所示的一層。一層或兩層構(gòu)成中間層時(shí)，優(yōu)選該層用作籽晶層、擴(kuò)散防止層和晶格匹配層。注意中間層12和超導(dǎo)層13之間的晶格失配率優(yōu)選為不大于10%，并且中間層12和基底11之間的晶格失配率為不大于10%。優(yōu)選其上形成超導(dǎo)層13的中間層12的表面是平坦的。例如，中間層12優(yōu)選具有10nm以下的表面粗糙度。雖然形成超導(dǎo)層13的材料不具體限制，但優(yōu)選使用例如RE-123超導(dǎo)體。注意所述RE-123超導(dǎo)體是指表示為REBa2Cu3Oy(y介于6和8之間，更優(yōu)選為約7，RE是諸如釔、Gd、Sm或Ho的稀土元素)的超導(dǎo)體。由此在由柔性金屬構(gòu)成的基底11上形成的中間層12和超導(dǎo)層13能夠獲得顯示出大臨界電流值和臨界電流密度的超導(dǎo)薄膜材料。超導(dǎo)層13的厚度可以是例如介于0.2/im和5/mi。當(dāng)使用例如所述超導(dǎo)薄膜材料作為超導(dǎo)線材料時(shí)，可以在超導(dǎo)層13上形成Ag(銀)穩(wěn)定層或Cu(銅)穩(wěn)定層作為表面保護(hù)層或者穩(wěn)定層(未示出)，以保護(hù)超導(dǎo)層13的表面。現(xiàn)在參考圖1和圖3，描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料的制造方法。注意圖3是用于解釋根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料制造方法的流程圖。如圖3所示，最初執(zhí)行制備基底11的步驟(S10)。在該步驟(S10)中，制備用作超導(dǎo)薄膜材料IO基礎(chǔ)的基底11。優(yōu)選用于基底11的材料可以是各向異性金屬材料，諸如由例如鎳制成的帶狀金屬帶。隨后，執(zhí)行形成中間層12的步驟(S20)。在該步驟(S20)中，中間層12形成在制備的基底11上，使得它的厚度不小于0.4/xm。例如具有諸如石巖型、熒石型、鈣鈦礦型和燒綠石型的晶體結(jié)構(gòu)的氧化物能用作中間層12。在該步驟(S20)中，能夠使用任意沉積方法，諸如包括脈沖激光沉積法(PLD法)的物理沉積法等。注意在該步驟(S20)中，即使當(dāng)中間層12如圖2所示由多層構(gòu)成時(shí)，也用如上所述同樣的方式，第一層12a例如通過(guò)物理沉積法形成在基底11上，第二層12b例如通過(guò)物理沉積法形成在第一層12a上，并且第三層12c例如通過(guò)物理沉積法形成在第二層12b上。接下來(lái)，執(zhí)行在中間層12的表面上形成超導(dǎo)層13的步驟(S30)。在該步驟(S30)中，超導(dǎo)層13通過(guò)氣相或液相沉積法形成。具體地，例如可以提及激光沉積法、濺射法、電子束沉積法等作為氣相沉積法。例如提及有機(jī)金屬沉積法作為液相沉積法。如果超導(dǎo)層13通過(guò)激光沉積法、濺射法、電子束沉積法和有機(jī)金屬沉積法的至少一種形成，則該層能裝備有具有優(yōu)良的晶體取向和平坦度的表面。在該步驟(S30)中，在形成超導(dǎo)層13中，優(yōu)選設(shè)定為600°C900°C的溫度。即使當(dāng)在如此高的溫度下由此形成超導(dǎo)層13時(shí)，由于中間層12足夠厚，超導(dǎo)層13和基底11之間也幾乎不產(chǎn)生原子擴(kuò)散反應(yīng)。注意平坦化基底11、中間層12和超導(dǎo)層13的表面的平坦化步驟可以在步驟(SIO、20、30)之后執(zhí)行。所述平坦化步驟能夠通過(guò)諸如CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)法、濕法蝕刻法、機(jī)械拋光法等的任意方法實(shí)施。超導(dǎo)薄膜材料10能通過(guò)實(shí)施上述步驟(S10S30)制造。而且，當(dāng)使用所述超導(dǎo)薄膜材料作為例如超導(dǎo)導(dǎo)線材料時(shí)，可以進(jìn)一步提供例如在超導(dǎo)層13的表面上形成表面保護(hù)層(未示出)的另一步驟。在該步驟中，例如，作為Ag穩(wěn)定層的表面保護(hù)層形成在超導(dǎo)層13上。如上所述，由于中間層12具有不小于0.4/mi的厚度，所以根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料IO防止了元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)，在元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)中基底11的構(gòu)成元素朝向超導(dǎo)層13移動(dòng)并且超導(dǎo)層13的構(gòu)成元素朝向基底11移動(dòng)。而且，根據(jù)該實(shí)施方式的超導(dǎo)薄膜材料IO用來(lái)提供良好的晶體取向以及防止元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)。這樣，由于超導(dǎo)層13的性能沒(méi)有退化，所以超導(dǎo)薄膜材料10能獲得優(yōu)異的超導(dǎo)性。實(shí)例進(jìn)行下面的實(shí)驗(yàn)以證實(shí)根據(jù)本發(fā)明的超導(dǎo)薄膜材料的效果。也就是說(shuō)，制備了根據(jù)實(shí)施例13以及對(duì)比例1和2的具有表1中所示厚度的中間層的超導(dǎo)薄膜材料，并測(cè)量它們的臨界電流值。每種超導(dǎo)薄膜材料的中間層的膜厚和測(cè)得的臨界電流值示于表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>(實(shí)例1:超導(dǎo)薄膜材料)在實(shí)例1中，基本根據(jù)上述實(shí)施方式的制造方法制造所述超導(dǎo)薄膜材料。具體地，在制備基底的步驟(S10)中首先制備Ni合金基底。然后在形成中間層的步驟(S20)中，通過(guò)氣相沉積法在所述基底上形成由金屬氧化物組成的中間層。具體地，所述中間層由三層構(gòu)成，在所述基底上形成厚度為0.1/mi的氧化鈰作為籽晶層(第一層)用于生長(zhǎng)晶體。然后在籽晶層上形成厚度為的YSZ作為擴(kuò)散防止層(第二層)，以及形成厚度為O.lpm的氧化鈰作為晶格匹配層(第三層)。然后在形成超導(dǎo)層的步驟(S30)中，通過(guò)激光沉積法沉積HoBa2Cu3Ox作為超導(dǎo)層使得它具有0.8/mi的膜厚。由此獲得根據(jù)實(shí)施例1的超導(dǎo)薄膜材料。注意在表1中的中間層的膜厚表示第一、第二和第三層的總厚度。(實(shí)例2:超導(dǎo)薄膜材料)實(shí)例2中的超導(dǎo)薄膜材料基本裝備有與實(shí)例1中相同的結(jié)構(gòu)，所不同的是，實(shí)例2中的中間層具有0.8/rni的膜厚。具體地，實(shí)例2中的超導(dǎo)薄膜材料的中間層具有0.1/mi厚的籽晶層(第一層)，0.6/mi厚的擴(kuò)散防止層(第二層)，以及0.1/xm厚的晶格匹配層(第三層)。(實(shí)例3:超導(dǎo)薄膜材料)實(shí)例3中的超導(dǎo)薄膜材料基本裝備有與實(shí)例1中相同的結(jié)構(gòu)，所不同的是，實(shí)例3中的中間層具有1.1/rni的膜厚。具體地，實(shí)例3中的超導(dǎo)薄膜材料的中間層具有0.1/mi厚的籽晶層(第一層)，0.9/im厚的擴(kuò)散防止層(第二層)，以及0.1/mi厚的晶格匹配層(第三層)。(對(duì)比例1:超導(dǎo)薄膜材料)對(duì)比例1中的超導(dǎo)薄膜材料基本裝備有與實(shí)例1中相同的結(jié)構(gòu)，所不同的是，對(duì)比例1中的中間層具有0.2/mi的膜厚。具體地，對(duì)比例1中的超導(dǎo)薄膜材料的中間層異有0.lMm厚的籽晶層(第一層)，0/xm厚的擴(kuò)散防止層(第二層)，以及0.1/mi厚的晶格匹配層(第三層)。(對(duì)比例2:超導(dǎo)薄膜材料)對(duì)比例2中的超導(dǎo)薄膜材料基本裝備有與實(shí)例1中相同的結(jié)構(gòu)，所不同的是，對(duì)比例2中的中間層具有0.3/rni的膜厚。具體地，對(duì)比例2中的超導(dǎo)薄膜材料的中間層具有0.1/mi厚的籽晶層(第一層)，0.1/xm厚的擴(kuò)散防止層(第二層)，以及O.lMm厚的晶格匹配層(第三層)。(測(cè)量結(jié)果)如上所述，實(shí)例1~3以及對(duì)比例1和2中的超導(dǎo)薄膜材料臨界電流值的測(cè)量結(jié)果呈現(xiàn)在圖4中。在圖4中，橫軸表示中間層的膜厚(單位Mm)，并且縱軸表示超導(dǎo)層的臨界電流值(單位A/cm寬度)。如表1和圖4所示，中間層膜厚為0.4/mi以上的實(shí)例1~3中的超導(dǎo)薄膜材料的臨界電流值不小于128A/cm寬度，證明了優(yōu)良的超導(dǎo)性。另一方面，因?yàn)閷?duì)比例1和2中的超導(dǎo)薄膜材料具有厚度小于0.4/xm的中間層，所以由于超導(dǎo)層和基底之間的元素?cái)U(kuò)散反應(yīng)，對(duì)比例1和2中的臨界電流值低。12根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，發(fā)現(xiàn)通過(guò)制造厚度不小于0.4pm的中間層，本發(fā)明的超導(dǎo)薄膜材料可以改進(jìn)諸如臨界電流值的超導(dǎo)層性質(zhì)。無(wú)論從哪方面看，這里公開(kāi)的實(shí)施方式和實(shí)施例不應(yīng)作為限制而是示例性的。本發(fā)明的范圍意于通過(guò)所附的權(quán)利要求書、而不是通過(guò)上述說(shuō)明書而表達(dá)，并且包括屬于權(quán)利要求書和其等價(jià)物的含義和范圍內(nèi)的所有修正。權(quán)利要求1.一種超導(dǎo)薄膜材料(10，20)，包括基底(11)；形成在所述基底上的中間層(12)，所述中間層(12)由一層或至少兩層構(gòu)成；以及形成在所述中間層(12)上的超導(dǎo)層(13)，所述中間層(12)具有不小于0.4μm的厚度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)薄膜材料(10，20)，其中，用于形成所述中間層(12)的材料是具有晶體結(jié)構(gòu)的氧化物，所述晶體結(jié)構(gòu)為石巖型、熒石型、鈣鈦礦型和燒綠石型的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的超導(dǎo)薄膜材料(10，20)，其中，用于形成所述基底(11)的材料是各向異性金屬，并且用于形成所述中間層(12)的材料包括氧化釔穩(wěn)定氧化鋯、氧化鈽、氧化鎂和鈦酸鍶中的至少一種。4.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)薄膜材料(10，20)的方法，包括以下步驟制備所述基底(11)(S10);在所述基底(11)上形成中間層(12)(S20)，所述中間層(l2)由一層或至少兩層構(gòu)成，并且具有不小于0.4iim的厚度；以及通過(guò)氣相沉積法和液相沉積法中的至少一種在所述中間層(12)上形成所述超導(dǎo)層(13)(S30)。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種超導(dǎo)薄膜材料，其中通過(guò)防止元素?cái)U(kuò)散獲得良好超導(dǎo)性。本發(fā)明還公開(kāi)了超導(dǎo)薄膜材料的制造方法。本發(fā)明具體公開(kāi)了一種超導(dǎo)薄膜材料(10)，該超導(dǎo)薄膜材料包括基底(11)，由一層或多層構(gòu)成并且形成在基底(11)上的中間層(12)，以及形成在中間層(12)上的超導(dǎo)層(13)。中間層(12)具有不小于0.4μm的厚度。中間層(12)優(yōu)選由具有選自氯化鈉結(jié)構(gòu)、熒石結(jié)構(gòu)、鈣鈦礦結(jié)構(gòu)和燒綠石結(jié)構(gòu)的至少一種晶體結(jié)構(gòu)的氧化物制成。文檔編號(hào)H01B12/06GK101449340SQ20078001813公開(kāi)日2009年6月3日申請(qǐng)日期2007年4月20日優(yōu)先權(quán)日2006年5月18日發(fā)明者大松一也,母?jìng)}修司申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社