專利名稱：：對用作存儲器或現(xiàn)場可編程邏輯陣列的普通單相硫?qū)俨牧系木幊痰闹谱鞣椒▽τ米鞔鎯ζ骰颥F(xiàn)場可編程邏輯陣列的普通單相硫?qū)俨牧系木幊?br>背景技術(shù)：
：本發(fā)明總的涉及采用硫?qū)俨牧系拇鎯ζ?。硫?qū)俨牧媳挥米靼雽?dǎo)體存儲器已經(jīng)多年。這些存儲器傳統(tǒng)上被稱為相變存儲器。它們通常涉及從非晶相到晶相的轉(zhuǎn)變。至今硫?qū)俨牧先圆捎秒p穩(wěn)態(tài)的材料，因為當(dāng)在20(TC暴露30分鐘或者更短時間時，該材料將由基本的非晶相轉(zhuǎn)變?yōu)榛镜慕Y(jié)晶相，且施用65(TC的短時間快速淬火后變回非晶相狀態(tài)。硫?qū)俨牧显诎雽?dǎo)體存儲器中應(yīng)用的一個優(yōu)點是相對適度的熱量可以使裝置在不同的可測量的相位或狀態(tài)間轉(zhuǎn)換。該熱量可以通過在硫?qū)俨牧仙鲜┘与娏骰蛘唠妷簛懋a(chǎn)生。雖然相變材料具有許多優(yōu)點，但它們在一些情況下還有許多缺點。例如"關(guān)"態(tài)泄漏可能很高。雙向閣值開關(guān)已被認(rèn)為是單態(tài)硫?qū)倩镅b置，然而具有高的"關(guān)，，態(tài)泄漏。當(dāng)將兩態(tài)硫?qū)俨牧洗?lián)組合時，會產(chǎn)生高的"關(guān)"態(tài)泄漏和兩態(tài)存儲器。然而，所產(chǎn)生的雙層堆疊需要大量的沉積。圖1是本發(fā)明一個實施例的示意性描述圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例，用于編程重置和設(shè)置狀態(tài)的編程脈沖所施加電壓或電流相對時間的圖3A是本發(fā)明一個實施例的單元結(jié)構(gòu)的電路示意圖3B是本發(fā)明另一個實施例的單元結(jié)構(gòu)的電路示意圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的被編程過程中的存儲器陣列的描述圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的系統(tǒng)描述圖；圖6是本發(fā)明一個實施例的電流電壓圖；和圖7是一個實施例的闊值電壓隨周期變化的圖。具體實施例方式參考圖1,閾值開關(guān)存儲器單元的陣列12可沿被稱作行線的地址線16a-16n排列，并^皮耦合至行解碼電路102。單元12也可通過被稱作列線的地址線14a-14n耦合至列解碼電路100。每個單元12可包括穩(wěn)態(tài)硫?qū)俨牧稀Ｔ谝粋€實施例中，硫?qū)俨牧峡梢允且话闾幱诜蔷啵以诓僮髦幸膊晦D(zhuǎn)變?yōu)榫嗟牟牧?。更具體來說，當(dāng)在200°C下暴露30分鐘或者更短時間時，該硫?qū)俨牧喜话l(fā)生諸如變?yōu)榈妥钁B(tài)的相改變。例如Ge2Sb2Te5(GST)的雙向通用存儲器(OUM)在該條件下發(fā)生相改變。選擇或閣值裝置是由硫?qū)倩锏暮辖鹬瞥傻碾p向閾值開關(guān)("OTS")，其不會從非晶相轉(zhuǎn)化為晶相，而會發(fā)生快速的由電場觸發(fā)的電導(dǎo)率變化，僅只要維持電流通過裝置則該電導(dǎo)率的改變就會保持。而通過施加合適的編程脈沖，可以改變單元的閾值電壓。然后基于該閾值電壓，被改變閾值電壓的單元可被;險測為處于至少兩個可編程狀態(tài)中的一個或另一個。為了獲得附加的存儲器容限，閾值開關(guān)存儲單元可以與"OUM"(雙向通用存儲器)裝置串聯(lián)組合，或者與從低阻到高阻相發(fā)生相改變的且在這些相之間具有相應(yīng)閾值差異的其它合金串聯(lián)組合。整形和驅(qū)動電3各520可供應(yīng)脈沖給列解碼電3各100用于對單元12編程。讀耳又電路525可施加列電位或電流用于一全測單元12的編程狀態(tài)。寫猝熄(writequench)晶體管46a-46n可位于每條地址線14a-14n上。在一個實施例中，地址線14a-14n可以適當(dāng)?shù)钠?。才艮?jù)單元的閾值電壓，單元基于此偏置可以傳導(dǎo)或不傳導(dǎo)。例如，在一個實施例中，提供了介于與不同閾值電壓相關(guān)的兩個狀態(tài)(例如，如圖6所示，可檢測的狀態(tài)1和2)之間的偏置電壓。如圖7所示，在經(jīng)過大量循環(huán)后仍可保持這兩種狀態(tài)。位于讀取電路525下節(jié)點處的用于所選列的電壓可在比較器42中與由參考發(fā)生器210所產(chǎn)生的電壓相比較。此外，在一個實施例中，參考發(fā)生器210可產(chǎn)生兩個閾值電壓之間的電壓，其中兩個閾值電壓根據(jù)其先前是如何被編程的由行和列解碼器所選定的單元12來設(shè)定。由單元545提供適當(dāng)?shù)臅r序和控制信號。參考圖2,根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，示出了所施加電壓或電流相對時間的理論圖。具有幅值B的重置編程脈沖具有比具有幅值E的設(shè)置編程脈沖更高的幅值。而且，第一個可檢測狀態(tài)脈沖的下降時間C比第二個可檢測狀態(tài)的下降時間F更短。這些狀態(tài)對應(yīng)于不同的閾值電壓。一種用于在300A,500A,750A和IOOOA厚度的3386合金OTS(36%Te31.75%As，6%Ge,26%Si,0.25%In)狀態(tài)之間進行編程的方法包括第一可檢測狀態(tài)(分別示為圖2的A、B和C):幅值大約為700|aA;a=100ns;B=1ms;c=10ns(越快越好)。根據(jù)接觸尺寸和ots合金的厚度，幅值優(yōu)選的大于400nA，前沿和脈沖寬度并不關(guān)鍵，可以更長或更短。后沿可以更緩，但是越快越好，因此圖1中有寫猝熄晶體管46b。第二可檢測狀態(tài)(D、e和F):幅值大約為300mA(〈400mA;>100juA);D=ljus;E=2jus;F=15]Us(越長越好)。對于大約lym2的接觸面積，幅值優(yōu)選為lOOjaa到400ma之間。前沿和脈沖寬度并不關(guān)鍵，可以更長或更短。后沿可以更短，但是對于更好的容限，其優(yōu)選為更長。因此，整形和驅(qū)動電路520可提供合適的脈沖以編程單元12從而產(chǎn)生其中一種可^f企測狀態(tài)。這些脈沖改變單元的閾值電壓到其中一種狀態(tài)?？捎衫绶岛瓦呇厮俾蕿榭烧{(diào)(例如片上由帶隙調(diào)整器調(diào)整)的p-通道電流鏡提供脈沖。緩慢的后沿可以通過指數(shù)關(guān)閉或梯狀下降(通過順序關(guān)閉N個并聯(lián)電流源中的一個，其中N優(yōu)選為20或更多)所產(chǎn)生。轉(zhuǎn)向圖3A,根據(jù)本發(fā)明一個實施例，每個單元12由第一元件12a和第二元件12b組成。每個元件被例如列線14a的地址線和例如行線16a和16b的一對地址線夾在中間。在此情況下，元件12a和12b可以是互補的，這樣如果一個元件處于第二狀態(tài)，則另一個元件處于第一狀態(tài)。當(dāng)讀取電流被施加到所選列線，行線被選定為零伏特(圖4),則感應(yīng)放大器或比較器42在第二狀態(tài)元件12a或12b上#全測到和第一狀態(tài)元件12b或12a相比更低的電壓。如果元件1位于比元件2更高的電壓，則結(jié)果為零，否則為一?？蛇x的，單個元件12a可一皮選"^，且參考電壓被施加到圖1中的比較器42。在寫操作期間，可分開的用快(C)或慢(F)后沿將位寫為較高和較低閾值電壓的可檢測狀態(tài)。在一個實施例中，每個存儲單元的位可總是被寫為相反狀態(tài)。在寫期間，與未被選擇的位線相比，可以減少所選位線的偏壓。對于元件12合適的硫?qū)俨牧习p向閣值開關(guān)合金，其能夠在至少兩個不同狀態(tài)間修改裝置的閾值電壓。適用于本發(fā)明的一些實施例中的合金包括以下材^":36%碲、31.75%砷、6%4者、26%石圭、0.25%銦；39%碲、36%砷、9%鍺、14%珪、1%硫；21%碲、50%竭、10%砷、2%銻和2%硫；45%石帝、30%砷、和25%鍺；42%石西、28%砷和30%鍺；或30%碲、15%硒、30%砷和25%鍺?？捎玫暮辖鸢ㄦN(大約0-30%)、碲(大約0-60%)、砷(大約11-40%)、硒(大約0-42%)和銻(大約5-15%)。當(dāng)暴露于較長的第二狀態(tài)脈沖時這樣的裝置可具有更好的穩(wěn)定性。作為例子，在一個實施例中，對于由TeAsGeSSe構(gòu)成的各自原子百分比為16/13/15/1/55/的0.5微米直徑的裝置12，保持電流可以在大約0.1到1微安(mA)。低于該保持電流，裝置12關(guān)閉并在被施加低電壓、低電場時返回到高阻態(tài)。裝置12的閾值電流一般與保持電流處于相同的數(shù)量級?？梢酝ㄟ^變化工藝變量來改變保持電流，例如頂部和底部的電極材料以及硫?qū)俨牧?，?或電才及和硫?qū)傥镏g的接觸面積。裝置12可為裝置給定的面積提供高的"通路電流(oncurrent)",例如與諸如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或雙極結(jié)型晶體管或半導(dǎo)體二極管的常規(guī)存取裝置相比。通過改變第二狀態(tài)脈沖(圖2中的D、E和F)的形狀，閾值電壓能夠成功的減小至這樣一個電平，該電平介于第二和第一狀態(tài)脈沖之間并與它們有明顯的區(qū)別。閾值電壓隨著時間會漂移，并且最后第二狀態(tài)閾值電壓與初始定義的第一狀態(tài)閾值電壓看起來類似。可應(yīng)用各種技術(shù)來克服漂移。一種是結(jié)合圖3所示和所描述的具有互補的狀態(tài)。另一種方法是同時編程整個塊并編程參考第二和第一狀態(tài)裝置。又一種方法是發(fā)出觸發(fā)讀取脈沖以有效的重置Vth。一種可能的脈沖是具有諸如低于100"A的低電流幅值的脈沖，其太慢而不能將存儲器單元轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝粻顟B(tài)，但太快而不能將單元12轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙顟B(tài)。這樣的編程脈沖對于每種狀態(tài)都不會干擾。此存儲器單元可以被用作兩個互連線之間的單層，例如在可編程邏輯陣列(PLA)或現(xiàn)場可編程邏輯陣列(FPLA)中。根據(jù)層的狀態(tài)，穿過這些線路元件可以處于低或高阻態(tài)。在啟動該邏輯時，電源將被提高至介于可編程的閾值之間。如果高于元件12a的較低閾值狀態(tài)，該元件觸發(fā)至位于較低保持電壓的低阻抗。如果電源低于較高閾值狀態(tài)，該元件12a保持在非閾值。則對于正常操作，可以將電源降低或至少使其保持在低于較高閾值狀態(tài)。通過將電源電壓保持在雙閾值單元12的較低閾值和較高閾值之間，可獲得可用于FPLA的有效存儲元件。也即，當(dāng)電源電勢超出單元所編程的較低閾值電壓時，單元被觸發(fā)，通過硫?qū)俨牧线M行互連。對于被編程至較高閾值電壓的硫?qū)俨牧?，在讀取操作期間電源不超出閾值電壓，因此，實現(xiàn)了有效開路。在一些實施例中，因為不需要額外的選擇或閾值裝置，可獲得更經(jīng)濟的存儲器。這樣的存儲器可作為獨立的存儲器、嵌入式存儲器、交叉點、現(xiàn)場可編程邏輯陣列或現(xiàn)場可編程門陣列來實施，這里僅舉幾個例子。。作為現(xiàn)場可編程門陣列的進一步替代，晶體管的柵極可由雙閾值單元12的結(jié)點所驅(qū)動，其中晶體管的源極和漏極分別連接到可耦合的邏輯互連，該雙閾值單元接地并與晶體管的源極/漏極串聯(lián)連接到電源電壓，或者是邏輯電源或單獨的或泵電源。此處，單元12可由與電源串聯(lián)的晶體管驅(qū)動并編程，然后晶體管可被偏置到低電流，作為在正常邏輯操作期間于較低工作電源電壓時的上拉低電流。閾值開關(guān)和晶體管對在順序上可以顛倒。利用源極/漏極被連接到x、y可耦合邏輯線，晶體管漏極和單元12的結(jié)能夠驅(qū)動晶體管的柵極。然后，來自可耦合互連線的轉(zhuǎn)變的瞬態(tài)流經(jīng)單元12。此處再次設(shè)置正常工作電源電壓至少在啟動時短暫高于較低閾值狀態(tài)，并隨后保持于此或降低，使處于正確狀態(tài)，驅(qū)動通過邏輯線耦合的晶體管的柵極。參考圖3B，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，硫?qū)俨牧?8c被保持在多個平行導(dǎo)線16a，16b和多個橫向的導(dǎo)線14a,14b之間。硫?qū)俨牧?2可以是與應(yīng)用于圖3A的實施例中的材料18a和18b相同的材料。圖3B的導(dǎo)線16a可對應(yīng)于圖3A的實施例中的導(dǎo)線16a,而圖3B的導(dǎo)線14a可對應(yīng)于圖3A中的導(dǎo)線14a。一個區(qū)別在于圖3B的實施例中應(yīng)用了整個的硫?qū)俨牧?8c，且分開的線14a被用于限定每行和列中的每個單元。參考圖4，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，例如，沿著所選行線16a和橫向的列線14a和l樸的單元12a-12d的編程，可應(yīng)用編程電壓V拜g隱來完成。根據(jù)一個實施例，該編程電壓被施加到要被編程的所選的一個或多個單元12a到12n上，從而使列線14的電壓為編程電壓，行線電壓為零伏特。單條或多條列線可連續(xù)地或者并行地被編程到所選位，或每一周期一位。選擇取消的單元(deselectedcell)(將不一皮編程)在其上具有抑制電壓vinhibit。該抑制電壓可以是施加于選擇取消的行和列上的中間電壓，以確保選擇取消的位不接通。在這些單元上的壓降可保持比最低電壓狀態(tài)位的閾值電壓小。此條件可由所附的下述公式來滿足Vcol(desel)-Vrow(select)禾口Vcol(sel)-Vrow(desel)小于Vth(min);其中V叫誦)是第一(1)或第二(2)狀態(tài)閾值電壓的較低者。結(jié)果，進入所選列的編程電流(Ipr。gram)僅被引導(dǎo)通過所選位，與到未選行的泄漏無關(guān)。通過使選擇取消的行和列相等并大約等于峰值編程電壓和地之間的一半，選擇取消的單元的壓降是零，且選擇取消的行和列之間的斷開狀態(tài)泄漏可僅被限定于沿著所選行和列的單元。子陣列塊中的其它位具有零壓降并不傳輸電流。由于列電壓被限定，可通過當(dāng)傳送恒定電流(Iread)流經(jīng)單元時所選字線電壓的差別來區(qū)分(也就是讀取)第二或第一狀態(tài)裝置。所選位線可能高，而其它列被偏置于讀取或?qū)戨妷旱闹虚g點，以阻止選擇取消的位的接通。如在編程時，選4奪取消的行和列可保持在相同電壓，以限定到沿著所選字線和位線的位的斷開狀態(tài)泄漏。因此，在一些實施例中，讀取電流低于或等于第二狀態(tài)位的閾值電流，并低于或等于第一狀態(tài)位的閾值電流。在另一實施例中，讀取電壓低于或等于第二較高Vth狀態(tài)位的閾值電壓并高于或等于第一狀態(tài)位的較低閾值電壓。實施例也可包括包含多于兩個具有可區(qū)別的閾值電壓的可檢測狀態(tài)的多級存儲器。轉(zhuǎn)向圖5，其描述了根據(jù)本發(fā)明的實施例的系統(tǒng)500的一部分。系統(tǒng)500可被用于例如無線裝置，諸如個人數(shù)字助理(PDA)、具有無線性能的膝上型或便攜式計算機、網(wǎng)頁平板(webtablet)、無線電話、尋呼機、即時通信裝置、數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機、或其它適用于無線傳輸和/或接收信息的裝置。系統(tǒng)500可被用于下述任一系統(tǒng)無線局域網(wǎng)(WLAN)系統(tǒng)、無線個人局域網(wǎng)(WPAN)系統(tǒng)、或^r窩網(wǎng)絡(luò)，但本發(fā)明的范圍并不限于這個方面。系統(tǒng)500可以包括控制器510,輸入/輸出(1/0)裝置520(例如鍵盤、顯示器)、存儲器530、無線接口540、數(shù)碼相機555、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)560,并通過總線550彼此耦合。在一個實施例中，電池580可給系統(tǒng)500供電。應(yīng)該注意本發(fā)明的范圍并不限制于具有任意或所有這些部件的實施例?？刂破?10可以包括，例如，一個或多個微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器或類似部件。存儲器530可被用于存儲傳輸?shù)较到y(tǒng)500或由其傳輸?shù)男畔?。可選地，存儲器530還可被用于存儲在系統(tǒng)500運行期間由控制器510執(zhí)行的指令，且可被用于存儲用戶數(shù)據(jù)?？纱鎯χ噶钭鳛閿?shù)字信息，和如此處公開的，用戶數(shù)據(jù)可在該存儲器的一部分作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲而在另一部分作為模擬存儲。如另一例子，給定的部分可以同時被如此標(biāo)記并存儲數(shù)字信息，然后被重新標(biāo)記并重新配置以存儲模擬信息?？捎梢粋€或多個不同類型的存儲器提供存儲器530。例如存儲器530可以包括易失性存儲器(隨機存儲器的任一類型)，諸如閃存的非易失性存儲器，和/或如圖1所描述的存儲器12。圖5中任一塊的邏輯部分可利用此處的一個或多個實施例，以構(gòu)建該邏輯并可編程地互連這些線，以及創(chuàng)建用于存儲數(shù)據(jù)或編程指令的存儲器。1/0裝置520可被用于產(chǎn)生信息。系統(tǒng)500可使用無線接口540來傳輸和接收以射頻(RF)信號發(fā)到和來自無線通信網(wǎng)絡(luò)的信息。無線接口540的例子可以包括天線、或諸如偶極天線的無線收發(fā)器，但本發(fā)明的范圍并不限于此方面。I/O裝置520還可以傳輸將所存儲的內(nèi)容反映為數(shù)字輸出(如果存儲了數(shù)字信息)的電壓，或者是模擬信息(如果存儲了模擬信息)的電壓。雖然上面提供了無線應(yīng)用的例子，但本發(fā)明的實施例也可被用在非無線應(yīng)用中。整個說明書中對"一個實施例"或"實施例"的描述意指在本發(fā)明范圍內(nèi)的至少一個實施方式中所包含的結(jié)合實施例描述的特定性能、結(jié)構(gòu)或特征。因此，短語"一個實施例，，或"在實施例中，，的出現(xiàn)并非必然指同一個實施例。而且除了上述特定的實施例，這些特定性能、結(jié)構(gòu)或特征可以其它合適的形式進行組合，所有這樣的形式均被包括在本申請的權(quán)利要求中。雖然通過有限數(shù)量的實施例已經(jīng)對本發(fā)明進行了描述，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解由此可進行大量的修改和變化。附后的權(quán)利要求覆蓋了所有在本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的修改和變化。權(quán)利要求1.一種方法，包括編程存儲器元件，所述元件包括基本的非晶的硫?qū)賹樱湓?00℃下暴露30分鐘或者更短的時間時不會變?yōu)榛镜木?，以具有至少兩個不同的狀態(tài)，所述狀態(tài)具有不同的閾值電壓。2.權(quán)利要求1的方法，包括使用雙向閾值開關(guān)作為所述存儲器中的存儲單元。3.權(quán)利要求1的方法，包括提供具有被編程至相反狀態(tài)的兩個存儲元件的單元。4.權(quán)利要求1的方法，包括為編程一個狀態(tài)提供比編程另一個狀態(tài)更高幅值的脈沖。5.權(quán)利要求1的方法，包括提供具有第一下降時間的第一脈沖以編程第一狀態(tài)，并提供具有與所述第一下降時間不同的第二下降時間的第二脈沖以編程第二狀態(tài)。6.權(quán)利要求1的方法，包括通過施加在所述狀態(tài)的閾值電壓間的參考電壓讀取存儲單元的狀態(tài)。7.權(quán)利要求1的方法，包括使用參考電平以確定單元的狀態(tài)。初始狀態(tài)附近。8.<image>imageseeoriginaldocumentpage2</image>9.權(quán)利要求1的方法，包括用一個電壓偏置存儲元件陣列的選擇取消的單元，所述電壓大于位于第一和第二狀態(tài)的位的閾值電壓的差但小于位于第二狀態(tài)的位的閾值電壓。10.—種存儲器，包括至少兩個單元；耦合在所述單元間的地址線；耦合至所述單元的編程電路耦合至所述單元的讀取電路；并且其中所述單元具有至少兩個可^r測狀態(tài)，所述狀態(tài)具有相同相的不同閾值電壓，所述單元包括一種基本的非晶相的硫?qū)俨牧?，?dāng)暴露在200°C下30分鐘或者更短的時間時所述材料不會改變?yōu)榛镜木唷?1.權(quán)利要求10的存儲器，其中所述讀取電路施加處于所述狀態(tài)的閾^直電壓之間的電壓。12.權(quán)利要求IO的存儲器，其中所述編程電路施加不同幅值的脈沖以編程所述不同狀態(tài)。13.權(quán)利要求10的存儲器，其中所述編程電路對于所述不同狀態(tài)施加具有不同下降時間的脈沖。14.權(quán)利要求10的存儲器，其中每個單元包括處于不同狀態(tài)的兩個存儲元件。15.權(quán)利要求IO的存儲器，其中所述硫?qū)俨牧喜话l(fā)生相改變。16.權(quán)利要求10的存儲器，其中所述硫?qū)傥锇?-30%鍺、0-60%碲、11-40%砷、0-42%硒和5-15%銻。17.權(quán)利要求10的存儲器，包括用于所述單元的普通硫?qū)俨牧稀?8.權(quán)利要求10的存儲器，包括每個單元的單獨的硫?qū)俨牧稀?9.一種系統(tǒng)，包括處理器；和硫?qū)俅鎯ζ鳎ㄖ辽賰蓚€單元、在所述單元間耦合的地址線、耦合到所述單元的編程電路、耦合到所述單元的讀取電路，其中所述單元具有至少兩個可檢測狀態(tài)，所述狀態(tài)具有基本同相的不同閾值電壓，所述單元包括基本的非晶相的硫?qū)俨牧希?dāng)暴露在200。C下30分鐘或者更短的時間時所述材料不會改變?yōu)榛镜木唷?0.權(quán)利要求19的系統(tǒng)，其中所述讀耳又電^各施加處于所述狀態(tài)的閾值電壓之間的電壓。21.權(quán)利要求19的系統(tǒng)，其中所述編程電路施加不同幅值的脈沖以編程所述不同狀態(tài)。22.權(quán)利要求19的系統(tǒng)，其中所述編程電路對于所述不同狀態(tài)施加具有不同下降時間的脈沖。23.權(quán)利要求19的系統(tǒng)，其中每個單元包括處于不同狀態(tài)的兩個存儲元件。24.權(quán)利要求19的系統(tǒng)，其中所述硫?qū)俨牧喜话l(fā)生相改變。25.權(quán)利要求19的系統(tǒng)，其中所述硫?qū)俅鎯ζ靼ň哂行泻土械年嚵?，所述地址線是所述行或列之一。26.—種存儲器，包括第一和第二導(dǎo)體；和基本的非晶相的硫?qū)俨牧?，其在所述?dǎo)體之間當(dāng)暴露在20(TC下30分鐘或者更短的時間時不會改變?yōu)榛镜木?，所述硫?qū)傥锇s30%以下的鍺、約60%以下的碲、約10%到約40%的砷、約40%以下的硒和約5%到約15%的銻。27.權(quán)利要求26的存儲器，其中所述硫?qū)傥锇ù蠹s35%碲、30%砷和5%鍺。28.權(quán)利要求26的存儲器，其中所述硫?qū)傥锇ù蠹s40%碲、35%砷和10%鍺。29.權(quán)利要求26的存儲器，其中所述硫?qū)傥锇ù蠹s20%碲、50%硒、10%砷和2%銻。30.權(quán)利要求26的存儲器，其中所述硫?qū)傥锇ù蠹s45%碲、30%石申和25%鍺。31.權(quán)利要求26的存儲器，其中所述硫?qū)傥锇ù蠹s40%硒、30%砷和30%鍺。32.權(quán)利要求26的存儲器，其中所述硫?qū)傥锇ù蠹s30%碲、15%竭、30%砷和25%鍺。33.—種可編程互連的線的陣列，由具有不同閾值的單態(tài)的硫?qū)傥镞x擇性的連接。34.—種制造可編程互連的線的陣列的方法，所述可編程互連的線的陣列由具有不同閾值的單態(tài)的硫?qū)傥镞x擇性的連接。全文摘要存儲器可以利用一種被定義為基本的非晶相的硫?qū)俨牧系姆€(wěn)態(tài)硫?qū)俨Ａ韺崿F(xiàn)，當(dāng)該材料暴露在200℃下30分鐘或者更短的時間時不會改變?yōu)榛镜木??？梢酝ㄟ^改變材料的閾值電壓來編程不同的狀態(tài)?？梢酝ㄟ^不同振幅和/或不同脈沖下降時間的脈沖來改變閾值電壓。使用在兩個不同狀態(tài)的閾值電壓之間的參考電平，可以進行讀取操作。一般不再需要單獨的存取裝置。文檔編號H01L45/00GK101427396SQ200780014035公開日2009年5月6日申請日期2007年3月29日優(yōu)先權(quán)日2006年4月20日發(fā)明者C·C·庫奧,G·A·戈登,G·C·威克,I·V·卡爾波夫,J·M·彼得斯,S·奧辛斯基,T·A·洛里,W·D·帕金森申請人:奧沃尼克斯股份有限公司