專利名稱：顯示基板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法
顯示基板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法技術(shù)背景本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器件，尤其涉及一種具有 安全穩(wěn)定性能的頂發(fā)射型OLED顯示器件背景技術(shù)OLED顯示器件是一種自發(fā)光型顯示器件，因此不像液晶顯示(LCD)器 件一樣需要背光單元。而且，OLED顯示器件可通過簡(jiǎn)單的過程制造成重量輕、 厚度薄的外形。并且，OLED由于具有驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高和視角寬的優(yōu) 點(diǎn)，已經(jīng)成為下一代顯示器件的注目焦點(diǎn)。OLED顯示器件包括設(shè)置在基板上的薄膜晶體管(TFT)， OLED電連接到 TFT以進(jìn)行發(fā)光，和用于覆蓋OLED器件的密封基板。這里，OLED顯示器件可根據(jù)發(fā)光方向分為底發(fā)射型顯示器件和頂發(fā)射型 顯示器件。由于頂發(fā)射型顯示器件通過密封基板發(fā)射光線，其相對(duì)于底發(fā)射型顯示器 件可獲得大的孔徑比。并且，在頂發(fā)射型顯示器件中，孔徑比不受驅(qū)動(dòng)器件的 影響，從而可設(shè)計(jì)多種驅(qū)動(dòng)器件。然而，在頂發(fā)射型顯示器件中，采用具有可腐蝕特性的導(dǎo)電材料為每個(gè)像 素形成圖案化的陰極，之后在陰極上形成有機(jī)發(fā)光層和陽極，因此陰極容易收 到腐蝕。因此，由于陰極容易收到腐蝕，頂發(fā)射型OLED顯示器件具有較低 穩(wěn)定性的缺點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容實(shí)施例提供了一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的顯示基板，可防止 由于陰極的腐蝕而導(dǎo)致的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的穩(wěn)定性的降低。 實(shí)施例還提供了一種制造顯示基板的方法。實(shí)施例還提供了一種采用包括顯示基板的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件。實(shí)施例還提供了一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的方法。 在一個(gè)實(shí)施例中， 一種顯示基板包括在基板上的像素部分，該像素部分 包括用于產(chǎn)生光的光產(chǎn)生區(qū)域，以及光產(chǎn)生區(qū)域周圍的像素分離區(qū)域；在光產(chǎn) 生區(qū)域中的薄膜晶體管；在基板上的絕緣圖案，該絕緣圖案覆蓋薄膜晶體管并 暴露薄膜晶體管的一部分；和像素分離圖案，包括第一像素分離部分和第二像 素分離部分，其中第一像素分離部分從絕緣圖案的上表面分離并設(shè)置在像素分 離區(qū)域上，而第二像素分離部分從第一像素分離部分延伸并設(shè)置在對(duì)應(yīng)于像素 部分的邊緣的絕緣圖案的上表面上。在另一實(shí)施例中， 一種制造顯示基板的方法包括提供限定了包括用于產(chǎn) 生光線的光產(chǎn)生區(qū)域的像素部分的基板，且像素分離區(qū)域圍繞在光產(chǎn)生區(qū)域設(shè) 置；在光產(chǎn)生區(qū)域中形成薄膜晶體管；在基板上形成絕緣圖案以覆蓋薄膜晶體 管并暴露薄膜晶體管的一部分；形成包括第一像素分離部分和第二像素分離部 分的像素分離圖案，其中第一像素分離部分從絕緣圖案的上表面分離并設(shè)置在 像素分離區(qū)域上，而第二像素分離部分從第一像素分離部分延伸并設(shè)置在對(duì)應(yīng) 于像素部分的邊緣的絕緣圖案的上表面上。在再一實(shí)施例中， 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件包括在基板上的像素部 分，該像素部分包括用于產(chǎn)生光的光產(chǎn)生區(qū)域，光產(chǎn)生區(qū)域周圍的像素分離區(qū) 域；在光產(chǎn)生區(qū)域中的薄膜晶體管；在基板上的絕緣圖案，該絕緣圖案覆蓋薄 膜晶體管并暴露薄膜晶體管的一部分；像素分離圖案，包括第一像素分離部分 和第二像素分離部分，其中第一像素分離部分從絕緣圖案的上表面分離并設(shè)置 在像素分離區(qū)域上，而第二像素分離部分從第一像素分離部分延伸并設(shè)置在對(duì) 應(yīng)于像素部分的邊緣的絕緣圖案的上表面上；第一電極電連接到薄膜晶體管， 利用像素分離部將第一電極設(shè)置在光產(chǎn)生區(qū)域；在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層； 和在有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。在再一實(shí)施例中， 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制造方法包括提供限 定了包括用于產(chǎn)生光線的光產(chǎn)生區(qū)域的像素部分的基板，且像素分離區(qū)域圍繞 在光產(chǎn)生區(qū)域設(shè)置；在光產(chǎn)生區(qū)域中形成薄膜晶體管；在絕緣圖案上形成絕緣 圖案以覆蓋薄膜晶體管并暴露薄膜晶體管的一部分；形成包括第一像素分離部 分和第二像素分離部分的像素分離圖案，其中第一像素分離部分從絕緣圖案的 上表面分離并設(shè)置在像素分離區(qū)域上，而第二像素分離部分從第一像素分離部分延伸并設(shè)置在對(duì)應(yīng)于像素部分的邊緣的絕緣圖案的上表面上；在絕緣圖案上 形成對(duì)應(yīng)于光產(chǎn)生區(qū)域的第一電極電連接到薄膜晶體管，利用像素分離圖案自 然圖案化第一電極并形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；并在有機(jī) 發(fā)光層上形成第二電極。在附圖和以下的描述中將對(duì)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例進(jìn)行具體描述。其他特征將 在以下描述和附圖以及所附權(quán)利要求中明顯看出。


圖1A所示的是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的顯示基板的平面圖。 圖1B所示的是沿著圖1A中的線I-I'的截面圖。圖2A到2G所示的是根據(jù)另一實(shí)施例的顯示基板的制造方法的截面圖。 圖3所示的是根據(jù)再一實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的截面圖。 圖4A到4B所示的是根據(jù)再一實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的 制造方法的截面圖。
具體實(shí)施方式
這里將參考附圖具體描述一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件。圖1A和1B所示的根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的顯示基板。這里，圖1A所示的是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的顯示基板的平面圖，而圖1B所示的是沿著圖1A中的線I-I'的截面圖。參考圖1A和1B，在基板100上設(shè)置多個(gè)像素部分P以進(jìn)行圖像顯示。 盡管沒有在附圖中顯示，在基板100上的柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉可限定像素 部分P。在這點(diǎn)上，柵極絕緣層110夾置在柵極線和數(shù)據(jù)線之間，使得柵極線 和數(shù)據(jù)線彼此絕緣。每個(gè)像素部分P包括光產(chǎn)生區(qū)域Pl和沿著光產(chǎn)生區(qū)域Pl設(shè)置的光產(chǎn)生 區(qū)域P2。光產(chǎn)生區(qū)域P1是產(chǎn)生用于顯示圖像的光線的區(qū)域。這里，當(dāng)將顯示 基板應(yīng)用到有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件中時(shí)，用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管器件 (未示出)可設(shè)置在光產(chǎn)生區(qū)域P1。為每個(gè)像素部分P設(shè)計(jì)用于分離有機(jī)發(fā) 光二極管器件的像素分離區(qū)域P2。至少一個(gè)薄膜晶體管設(shè)置在光產(chǎn)生區(qū)域Pl 。這里TFT Tr可為設(shè)置在光產(chǎn)生區(qū)域Pl中與有機(jī)發(fā)光二極管電連接以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管器件的驅(qū)動(dòng)TFT。TFTTr可包括柵極102、覆蓋柵極102的柵極絕緣層110、設(shè)置在對(duì)應(yīng)于 柵極102的柵極絕緣層110的一部分上的半導(dǎo)體圖案104、設(shè)置在半導(dǎo)體圖案 104的一部分上的源極106和設(shè)置在半導(dǎo)體圖案104的一部分上并與源極106 彼此分離設(shè)置的漏極108。這里半導(dǎo)體圖案104可包括有非晶硅圖案形成的活 性層，和由摻雜非晶硅圖案形成的歐姆接觸層。歐姆接觸層設(shè)置在半導(dǎo)體圖案 104和源極106之間，并位于半導(dǎo)體圖案104和漏極108之間。在一個(gè)實(shí)施例中，TFT Tr并不限于底柵型TFT。例如TFT Tr可為頂柵型 TFT。覆蓋TFT Tr的絕緣圖案A設(shè)置在基板100上。絕緣圖案A具有暴露TFT Tr一部分的接觸孔。絕緣圖案A包括覆蓋TFTTr的鈍化圖案120以保護(hù)TFTTr。這里，鈍化 圖案120可由無機(jī)絕緣材料形成。例如，鈍化圖案120可由氧化硅或氮化硅形 成。絕緣圖案A可進(jìn)一步包括設(shè)置在鈍化圖案120上的平面圖案130。平面圖 案130防止在設(shè)置在鈍化圖案120之下的TFT Tr和導(dǎo)電圖案142或以下將要 描述的有機(jī)發(fā)光二極管器件E之間產(chǎn)生寄生電容。因此，當(dāng)將顯示基板應(yīng)用 到顯示器件中時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管器件E可設(shè)置在TFTTr上，因此可提高顯 示器件的孔徑比?？刹捎镁哂行〗殡姵?shù)的絕緣材料形成平面圖案130。形成 平面圖案130的材料的例子包括BCB (苯環(huán)丁烯)樹脂和丙烯酸基樹脂。并且，平面圖案130的上表面可為平面狀。也就是說，平面圖案130設(shè)置 在鈍化圖案120上以克服由TFT和線(例如柵極線和數(shù)據(jù)線)引起的形成在 鈍化圖案120上的高度差異。因此，導(dǎo)電圖案和以下將描述的第一電極可形成 為平面狀。絕緣圖案A還可包括設(shè)置在平面圖案130上的緩沖圖案140。緩沖圖案 140增強(qiáng)了平面圖案130和導(dǎo)電圖案142之間的粘力。并且，當(dāng)將顯示基板應(yīng) 用到顯示器件中時(shí)，緩沖圖案140可防止有害氣體侵害平面圖案130以破壞有 機(jī)發(fā)光二極管器件E。在這點(diǎn)上，緩沖圖案140可由無機(jī)絕緣材料形成。例如， 緩沖圖案140可由氧化硅或氮化硅形成。盡管上述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的絕緣圖案A包括鈍化圖案120、平面圖案130 和緩沖圖案140，但是絕緣圖案A不局限于此。也就是說，可通過堆疊鈍化圖 案120和平面圖案130形成絕緣圖案A。并且，可通過堆疊平面圖案130和緩 沖圖案140形成絕緣圖案A。為每個(gè)像素部分P圖案化的導(dǎo)電圖案142設(shè)置在絕緣圖案A上。也就是 說，導(dǎo)電圖案142設(shè)置在光產(chǎn)生區(qū)域Pl和像素分離區(qū)域P2上。在這點(diǎn)上， 導(dǎo)電圖案142電連接到TFT Tr的漏極108上。導(dǎo)電圖案142防止漏極通過接 觸孔暴露從而被外部環(huán)境腐蝕。并且，盡管未示出，導(dǎo)電圖案142可由與覆蓋 用于向TFT Tr提供電信號(hào)的襯墊電極(例如柵極襯墊電極和數(shù)據(jù)襯墊電極) 的襯墊接觸電極采用相同的材料形成。導(dǎo)電圖案142可采用具有比金屬更強(qiáng)的 抗腐蝕的導(dǎo)電材料形成。例如，導(dǎo)電圖案142可由氧化銦錫(ITO)或氧化銦 鋅(IZO)形成。像素分離圖案150設(shè)置在導(dǎo)電圖案142和絕緣圖案A的邊緣，當(dāng)將顯示 基板應(yīng)用倒顯示器件中時(shí)，像素分離圖案150為每個(gè)像素部分P自然圖案化有 機(jī)發(fā)光二極管器件E的第一電極。像素分離圖案150包括設(shè)置在對(duì)應(yīng)于像素分離區(qū)域P2的導(dǎo)電圖案的一部 分上的第一像素分離部分150a，和設(shè)置在絕緣圖案A上的第二像素分離部分 150b。導(dǎo)電圖案142的上表面與面對(duì)導(dǎo)電圖案142的上表面的第一像素分離部 分150a的下表面分離設(shè)置。也就是說，第一像素分離部分150a在其與導(dǎo)電圖 案142接觸的橫向側(cè)面具有(undercut)狀。在這點(diǎn)上，具有倒凹狀的橫向側(cè) 面沿著光產(chǎn)生區(qū)域的外側(cè)邊緣設(shè)置。盡管所述第一像素分離部分150a在圖中 具有倒凹狀，第一像素分離部分150a并不限于這種形狀，還可以具有反轉(zhuǎn)錐 形(inverse taper)狀的橫向側(cè)面。也就是說，第一像素分離部分150a可具有 相對(duì)導(dǎo)電圖案142的上表面形成銳角的橫向側(cè)面。并且，像素分離圖案150可由無機(jī)絕緣材料形成。例如，像素分離圖案 150可由氮化硅或氧化硅形成。犧牲圖案144還可設(shè)置在倒凹狀B中。也就是說，犧牲圖案144夾置在 導(dǎo)電圖案142和面對(duì)導(dǎo)電圖案142的上表面的第一像素分離部分150a的下表 面之間。這里，犧牲圖案144形成了倒凹狀B。犧牲圖案144可由與導(dǎo)電圖案 142所用材料相比具有高刻蝕選擇性的材料形成。例如，犧牲圖案144可由Mo形成。因此，當(dāng)將顯示基板應(yīng)用到顯示器件中時(shí)，特別是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例中的有 機(jī)發(fā)光二極管顯示器件中時(shí)，并不需要執(zhí)行采用像素分離圖案用于形成第一電 極的分離光刻過程。并且，在常用方法中，當(dāng)采用光刻過程形成第一電極時(shí)， 第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極在各個(gè)真空腔內(nèi)形成。因此，當(dāng)?shù)谝浑姌O暴 露在外時(shí)，在形成第一電極時(shí)或之后，第一電極容易被腐蝕。同時(shí)，由于在本 發(fā)明中有機(jī)發(fā)光層和第二電極在形成第一電極的真空腔中形成，可降低或去除 第一電極暴露在外的時(shí)間，從而防止第一電極被腐蝕。因此，可采用上述顯示 基板制造具有高可靠性的顯示器件。圖2A到2G所示的是根據(jù)另一實(shí)施例的顯示基板的制造方法的截面圖。 根據(jù)另一實(shí)施例的制造方法用于制造根據(jù)上述實(shí)施例的顯示基板。因此，省略 了相同部分的描述。相同的附圖標(biāo)記用于表達(dá)相同的部件。參考圖2A，提供基板100用于制造顯示基板?；?00限定了用于顯示 圖像的像素部分P。這里，將像素部分P分為產(chǎn)生用于圖像顯示的光線的光產(chǎn) 生區(qū)域P1，和沿光產(chǎn)生區(qū)域P1的邊緣設(shè)置的像素分離區(qū)域P2。TFTTr形成在對(duì)應(yīng)于光產(chǎn)生區(qū)域Pl的基板100的一部分上。具體的，在基板100上形成柵極102以形成TFT Tr。在這點(diǎn)上，與柵極 102 —體形成的柵極線通過形成柵極102的過程形成。在基板100上形成覆蓋 柵極102的柵極絕緣層110。在這點(diǎn)上，可采用化學(xué)蒸汽沉積法(CVD)形成 柵極絕緣層110。在對(duì)應(yīng)柵極102的柵極絕緣層110的一部分上形成半導(dǎo)體圖 案104。通過順次沉積非晶硅和摻雜非晶硅并進(jìn)行圖案化過程形成半導(dǎo)體圖案 104。之后，在半導(dǎo)體圖案104上形成彼此分離設(shè)置的源極106和漏極108。 盡管未示出，在形成源極106和漏極108的過程中還可形成與源極106 —體形 成的數(shù)據(jù)線。在這點(diǎn)上，數(shù)據(jù)線可形成為與柵極線交叉。這里，像素部分P 可由數(shù)據(jù)線和柵極線交叉限定。因此，可在基板100上形成TFTTr。之后，在基板100上形成覆蓋TFTTr的鈍化層120a。鈍化層120a可由無 機(jī)絕緣材料構(gòu)成。例如，鈍化層120a可由氧化硅或氮化硅形成。在這點(diǎn)上， 可采用CVD形成鈍化層120a。參考圖2B，在形成鈍化層120a后，在鈍化層120a中形成包括暴露對(duì)應(yīng) 于TFTTr的一部分的鈍化層120a的一部分的第一接觸孔Cl的平面圖案130。在鈍化層120a上形成平面層以形成平面圖案130?？捎删哂行〗殡姵?shù)的絕 緣材料形成平面層以防止在TFT和圖2G中的導(dǎo)電圖案142之間產(chǎn)生寄生電 容。在這點(diǎn)上，形成平面層的方法的例子包括旋涂法、噴涂法、滴涂法和噴墨 打印法。之后，在平面層上設(shè)置掩模，之后從掩模向基板100照射光。隨后， 在包括曝光平面層的基板上進(jìn)行顯影以形成平面圖案130。參考圖2C，形成平面圖案130后，在平面圖案130上形成緩沖層140a。 可由無機(jī)絕緣材料形成緩沖層140a?？捎糜谛纬删彌_層140a的材料的例子包 括氮化硅和氧化硅。在這點(diǎn)上，可采用CVD形成緩沖層140a。參考圖2D，形成緩沖層140a后，刻蝕緩沖層140a和鈍化層120a以形成 緩沖圖案"O和鈍化圖案120。在這點(diǎn)上，緩沖圖案140和鈍化圖案120包括 從形成在平面圖案130中的第一接觸孔C1延伸的第二接觸孔C2。因此，包括 鈍化圖案120、平面圖案130和緩沖圖案140的絕緣圖案A形成在基板100上。 在這點(diǎn)上，絕緣圖案包括接觸孔，也就是第一和第二接觸孔C1和C2，用于暴 露TFTTr的一部分，也就是漏極108的一部分。參考圖2E，形成絕緣圖案A后，在絕緣圖案A上形成導(dǎo)電圖案142和初 步犧牲圖案144a。具體的，在絕緣圖案A上順次形成導(dǎo)電層和犧牲層以形成導(dǎo)電圖案142 和初步犧牲圖案144a。導(dǎo)電層可由具有至少與金屬相比更高的抗腐蝕性的導(dǎo)電材料形成。例如， 導(dǎo)電層可由ITO或IZO形成。在這點(diǎn)上，可采用真空沉積法形成導(dǎo)電層。例 如，可采用真空沉積的噴濺法形成導(dǎo)電層。在導(dǎo)電層上形成犧牲層。犧牲層可由具有與導(dǎo)電層的材料相比更高的刻蝕 選擇性的材料形成。例如，可用Mo形成犧牲層。在對(duì)應(yīng)于像素部分P的犧牲層的一部分上形成光刻圖案。之后，利用光刻 圖案作為掩?？涛g導(dǎo)電層和犧牲層以形成導(dǎo)電圖案142和初步犧牲圖案144a。 隨后，從初步犧牲圖案144a上移除光刻圖案。因此，可在絕緣圖案A上為每 個(gè)像素部分P形成導(dǎo)電圖案142和初步犧牲圖案144a。參考圖2F，形成初步犧牲圖案144a后，在包括初步犧牲圖案144a的絕 緣圖案A上形成像素分離圖案150。像素分離圖案150形成在像素分離區(qū)域P2的上表面和像素分離區(qū)域P2的周邊上。并且，像素分離圖案150具有暴露光產(chǎn)生區(qū)域P1的開口。光產(chǎn)生 區(qū)域P1基本上是用于顯示圖像的區(qū)域。具體的，首先在絕緣圖案A上形成無機(jī)層以形成像素分離圖案150。之后，在無機(jī)層上形成光刻圖案，之后利用光刻圖案作為刻蝕掩模刻蝕無機(jī)層以形成像素分離圖案150。這里，無機(jī)層可由氮化硅或氧化硅形成。參考圖2C，利用像素分離圖案作為刻蝕掩模濕刻蝕初步犧牲圖案144a。 在這點(diǎn)上，與像素分離區(qū)域P2相比，過刻蝕初步犧牲圖案144a。因此，具有 倒凹狀B的橫向側(cè)面的第一像素分離圖案形成在像素分離圖案150上。也就 是說，像素分離圖案150具有在像素分離區(qū)域P2中的第一像素分離部分150a， 和圍繞像素部分P設(shè)置的第二像素分離部分150b。這里，由于第一像素分離 部分150a具有倒凹狀B，當(dāng)在包括第一像素分離部分150a的基板上沉積導(dǎo)電 材料時(shí)，可利用第一像素分離部分150a為每個(gè)像素區(qū)域自然圖案化第-一電極， 以為每個(gè)像素區(qū)域形成圖案化的第 一 電極。并且，由于采用具有抗腐蝕性的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電圖案142，可防止由于 外部環(huán)境導(dǎo)致的TFT的腐蝕，從而可容易保存包括TFT的顯示基板。圖3所示的是根據(jù)再一實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的截面圖。 這里，再一實(shí)施例涉及利用上述實(shí)施例的顯示基板制造的有機(jī)發(fā)光二極管顯示 器件。因此，省略了與上述實(shí)施例相同部分的描述。相同的附圖標(biāo)記表達(dá)相同 的部件。參考圖3，基板100限定了多個(gè)像素部分P以顯示圖像。這里，像素部分 P包括產(chǎn)生用于顯示圖像的光線的光產(chǎn)生區(qū)域P1，沿著光產(chǎn)生區(qū)域P1的邊緣 基本限定像素部分P的像素分離區(qū)域P2。在像素部分中設(shè)置TFTTr，也就是光產(chǎn)生區(qū)域P1。覆蓋TFTTr的絕緣圖 案A設(shè)置在基板100上。絕緣圖案A包括暴露TFT Tr —部分，也就是漏極108 的一部分的接觸孔。在對(duì)應(yīng)像素部分P的絕緣圖案A的一部分上設(shè)置導(dǎo)電圖案142。在這點(diǎn)上， 導(dǎo)電圖案142通過接觸孔電連接到TFT Tr。并且，導(dǎo)電圖案142由具有與第 一電極160的材料相比更強(qiáng)的抗腐蝕性的導(dǎo)電材料形成。這里，還可在對(duì)應(yīng)像 素分離區(qū)域P2的導(dǎo)電圖案142的一部分上設(shè)置犧牲圖案144。在這點(diǎn)上，犧 牲圖案144用于在像素分離圖案150中形成倒凹狀。絕緣圖案A包括覆蓋TFT Tr的鈍化圖案120、設(shè)置在鈍化圖案120上的 平面圖案130和設(shè)置在平面圖案130上的緩沖圖案140。盡管上述絕緣圖案A 包括鈍化圖案120、平面圖案130和緩沖圖案140，絕緣圖案A并不限于此。 也就是說，絕緣圖案A可通過堆疊鈍化圖案120和平面圖案130形成。并且， 絕緣圖案A可通過堆疊平面圖案130和緩沖圖案140形成。在絕緣圖案A上設(shè)置暴露光產(chǎn)生區(qū)域P1的像素分離圖案150。這里，像 素分離圖案150設(shè)置在對(duì)應(yīng)于像素分離區(qū)域P2的導(dǎo)電圖案112的-一部分上。 因此，像素分離圖案150包括設(shè)置在對(duì)應(yīng)于像素分離區(qū)域P2的導(dǎo)電圖案142 的一部分上的第一像素分離部分150a，和從第一像素分離部分150a延伸并設(shè) 置在像素部分P的周圍的第二像素分離部分150b。導(dǎo)電圖案142的上表面從面對(duì)導(dǎo)電圖案142的上表面的第一像素分離部分 150a的下表面分離。例如，與導(dǎo)電圖案142接觸的第一像素分離部分150a的 橫向側(cè)面具有倒凹狀。這里，倒凹的高度具有比第一電極160的高度大的厚度。 在這點(diǎn)上，高度d和第一電極160厚度的差額在100-1500 A的范圍內(nèi)。這里， 當(dāng)高度d和第一電極160的厚度的差額小于100 A時(shí)，第一電極160不是自然 圖案化。同時(shí)，當(dāng)高度d和第一電極160的厚度的差額大于1500A時(shí)，形成 在第一電極160上的第二電極180可能短路。第一電極160設(shè)置在對(duì)應(yīng)于光產(chǎn)生區(qū)域P1的導(dǎo)電圖案142的一部分上。 因此，第一電極160通過導(dǎo)電圖案142電連接到TFT Tr。第一電極160分離 到每個(gè)像素部分P，也就是說，由像素分離圖案150形成的光產(chǎn)生區(qū)域P1。 第一電極160為可反射光的導(dǎo)電圖案。例如，第一電極160可由Al或AlNd 形成。第一電極160的殘留層160a可設(shè)置在像素分離圖案150的第二像素分 離部分150b上。用于產(chǎn)生光的有機(jī)發(fā)光層170設(shè)置在第一電極160上。在有機(jī)發(fā)光層170 中，由第一電極160提供的第一電荷和由第二電極180提供的第二電荷復(fù)合以 產(chǎn)生光。第二電極180設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層上。第二電極180在全部像素部分P 上作為公共電極。在這點(diǎn)上，第二電極180可由能傳輸光線的透明導(dǎo)電材料形 成。例如，第二電極180由ITO或IZO形成。因此，由有機(jī)發(fā)光層170產(chǎn)生的光通過第二電極180傳輸以提供圖像。 在根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件中，可由像素分離圖案在一個(gè)真空腔內(nèi)形成第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極，從而防止由外部環(huán)境導(dǎo)致的對(duì) 第一電極的腐蝕。圖4A和4B所示的是根據(jù)再一實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制造方法的截面圖。根據(jù)再一實(shí)施例的制造方法用于制造采用根據(jù)上述實(shí)施例 制造的顯示基板的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件。因此，省略了相同部分的描述。 相同的附圖標(biāo)記表達(dá)相同的部件。參考圖4A，提供了--種包括像素分離圖案150的基板。這里，基板100 限定多個(gè)像素部分P以顯示圖像。每個(gè)像素部分P包括產(chǎn)生光線的光產(chǎn)生區(qū) 域P1，和圍繞光產(chǎn)生區(qū)域P1設(shè)置的像素分離區(qū)域P2。TFTTr、覆蓋TFTTr的絕緣圖案A和電連接到TFTTr并具有對(duì)應(yīng)于像素 部分P的區(qū)域的導(dǎo)電圖案142設(shè)置在像素分離圖案150和基板100之間。像素分離圖案150包括設(shè)置在對(duì)應(yīng)于像素分離區(qū)域P2的導(dǎo)電圖案142的 一部分上的第一像素分離部分150a，和從第一像素分離部分150a延伸并設(shè)置 在絕緣圖案A上的第二像素分離部分150b。在這點(diǎn)上，第一像素分離部分150a 的橫向側(cè)面具有倒凹狀。這里，倒凹狀的高度大于第一電極160的厚度以利用 自然圖案化過程形成第一電極。在包括像素分離圖案150的第一基板100上沉積金屬。在這點(diǎn)上，形成設(shè) 置在光產(chǎn)生區(qū)域Pl上的第一電極160，設(shè)置在像素分離區(qū)域P2上的殘留層 160a和第二像素分離部分150b。由第一像素分離部分150a在像素分離區(qū)域 P2的邊緣上為每個(gè)像素自然分離第一電極160和殘留層160a。因此，為每個(gè)像素部分P圖案化的第一電極，也就是每個(gè)光產(chǎn)生區(qū)域P2， 可不需要分離圖案化過程而形成。參考圖4B，形成第一電極160后，在第一電極160上形成有機(jī)發(fā)光層170。 這里，可在一個(gè)真空腔內(nèi)形成第一電極160、有機(jī)發(fā)光層170和第二電極180。 因此，第一電極不會(huì)暴露在外部環(huán)境中，或者將減少第一電極暴露在外部環(huán)境 中的時(shí)間，從而防止第一電極160被腐蝕。因此，可制造具有高穩(wěn)定性的有機(jī) 發(fā)光二極管顯示器件。盡管參考多個(gè)實(shí)施例描述了實(shí)施方式，顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍 的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例做出各種改進(jìn)和變型。 特別是，可進(jìn)行在本發(fā)明說明書、附圖和所附權(quán)利要求范圍內(nèi)對(duì)結(jié)合部分和/或主題的組合排列進(jìn)行變化和調(diào)整。對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說另外的在組 成部分和/或排列、替代應(yīng)用中的變化和調(diào)整也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1、一種顯示基板，包括在一個(gè)基板上的像素部分，所述像素部分包括用于產(chǎn)生光的光產(chǎn)生區(qū)域，和光產(chǎn)生區(qū)域周圍的像素分離區(qū)域；在光產(chǎn)生區(qū)域中的薄膜晶體管；在基板上的絕緣圖案，所述絕緣圖案覆蓋薄膜晶體管并暴露薄膜晶體管的一部分；和像素分離圖案，包括第一像素分離部分和第二像素分離部分，其中所述第一像素分離部分從所述絕緣圖案的上表面分離并設(shè)置在所述像素分離區(qū)域上，并且所述第二像素分離部分從所述第一像素分離部分延伸并設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所述像素部分的邊緣的絕緣圖案的上表面上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括位于所述絕緣 圖案和像素分離圖案之間的導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案電連接到所述薄膜晶體管 并位于所述像素部分上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，還包括位于所述絕緣 圖案和像素分離圖案之間的犧牲圖案，所述犧牲圖案位于所述像素分離區(qū)域 中。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案具有對(duì)應(yīng)于所述像素部分的區(qū)域。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一像素分離部分的橫向側(cè)面具有倒凹狀。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述絕緣圖案包括覆 蓋所述薄膜晶體管的平面圖案，和位于所述平面圖案上的緩沖圖案。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述絕緣圖案包括覆 蓋所述薄膜晶體管的鈍化圖案，和位于所述鈍化圖案上的平面圖案。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述絕緣圖案包括覆 蓋所述薄膜晶體管的鈍化圖案，位于所述鈍化圖案上的平面圖案和位于所述平 面圖案上的緩沖圖案。
9、 一種制造顯示基板的方法，所述方法包括提供限定了包括用于產(chǎn)生光線的光產(chǎn)生區(qū)域的像素部分的基板，且圍繞光 產(chǎn)生區(qū)域設(shè)置像素分離部分；在所述光產(chǎn)生區(qū)域中形成薄膜晶體管；在所述基板上形成絕緣圖案以覆蓋所述薄膜晶體管并暴露所述薄膜晶體 管的一部分；并形成包括第一像素分離部分和第二像素分離部分的像素分離圖案，其中所 述第一像素分離部分從絕緣圖案的上表面分離并設(shè)置在所述像素分離區(qū)域上， 并且所述第二像素分離部分從所述第一像素分離部分延伸并設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所 述像素部分的邊緣的絕緣圖案的上表面上。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述像素分離部分具有倒 凹狀的橫行側(cè)面。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包括，在形成所述絕緣 圖案和形成所述像素分離圖案之間，在所述絕緣圖案上形成導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo) 電圖案具有對(duì)應(yīng)于所述像素部分的區(qū)域，并電連接到所述薄膜晶體管上。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電圖案包括在所述導(dǎo)電圖案上形成初步犧牲圖案。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述像素分離圖案 包括在所述絕緣圖案上形成覆蓋所述初步犧牲圖案的邊緣的像素分離圖案； 并采用所述像素分離圖案作為掩模過刻蝕初步犧牲圖案以形成所述像素分離 圖案的第一像素。
14、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述絕緣圖案包括-. 形成覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層； 在所述鈍化層上形成平面層；刻蝕所述平面層形成平面圖案，所述平面圖案包括暴露對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶 體管的鈍化層的一部分的接觸孔；在所述平面圖案上形成緩沖層；并刻蝕部分所述緩沖層和對(duì)應(yīng)于所述接觸孔的鈍化層以形成暴露所述薄膜 晶體管一部分的緩沖圖案和鈍化圖案。
15、 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，包括在基板上的像素部分，所述像素部分包括用于產(chǎn)生光的光產(chǎn)生區(qū)域，和光200710308355.7權(quán)利要求書第3/4頁產(chǎn)生區(qū)域周圍的像素分離區(qū)域；在所述光產(chǎn)生區(qū)域中的薄膜晶體管；在基板上的絕緣圖案，所述絕緣圖案覆蓋薄膜晶體管并暴露薄膜晶體管的一部分；像素分離圖案，包括第一像素分離部分和第二像素分離部分分，其中所述 第一像素分離部分從所述絕緣圖案的上表面分離并設(shè)置在所述像素分離區(qū)域 上，而所述第二像素分離部分從所述第一像素分離部分延伸并設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所 述像素部分的邊緣的所述絕緣圖案的上表面上；第一電極電連接到所述薄膜晶體管，利用所述像素分離部分將所述第一電 極設(shè)置在光產(chǎn)生區(qū)域；在所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；和在所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所 述第一像素分離部分的橫向側(cè)面具有倒凹狀。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所 述倒凹狀具有比第一電極的厚度大的高度。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所 述倒凹的高度和第一電極的厚度之間的差額在100-1500 A的范圍內(nèi)。
19、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，還包括位于所述 絕緣圖案和第一 電極之間的導(dǎo)電圖案。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所 述導(dǎo)電圖案由具有與所述第一電極所用材料相比更強(qiáng)的抗腐蝕性的導(dǎo)電材料 形成。
21、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所 述絕緣圖案包括覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化圖案，位于所述鈍化圖案上的平面 圖案和位于所述平面圖案上的緩沖圖案。
22、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，所 述絕緣圖案包括覆蓋所述薄膜晶體管的平面圖案和位于所述平面圖案上的緩 沖圖案。
23、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其特征在于，第一電極包括可反射光的導(dǎo)電圖案。
24、 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制造方法，所述方法包括 提供限定了包括用于產(chǎn)生光線的光產(chǎn)生區(qū)域的像素部分的基板，且圍繞光產(chǎn)生區(qū)域設(shè)置像素分離部分；在所述光產(chǎn)生區(qū)域中形成薄膜晶體管；形成絕緣圖案以覆蓋所述薄膜晶體管并暴露所述薄膜晶體管的一部分；形成包括第一像素分離部分和第二像素分離部分的像素分離圖案，所述第 一像素分離部分從所述絕緣圖案的上表面分離并設(shè)置在所述像素分離區(qū)域上， 并且所述第二像素分離部分從所述第一像素分離部分延伸并設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所 述像素部分的邊緣的絕緣圖案的上表面上；在所述絕緣圖案上形成對(duì)應(yīng)于所述光產(chǎn)生區(qū)域的第一電極電連接到所述 薄膜晶體管，利用所述像素分離圖案自然圖案化以形成所述第一電極-，在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；并在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，形成所述第一電極包括 通過真空沉積可反射光的導(dǎo)電材料形成所述第一電極。
全文摘要
提供了一種顯示基板、采用所述顯示基板的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法。顯示基板包括第一像素分離部分和從第一像素分離部分延伸并圍繞像素部分設(shè)置的第二像素分離部分。因此，形成可減少制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制造程序數(shù)量，并防止有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的第一電極受到腐蝕。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101271919SQ20071030835
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2007年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月22日
發(fā)明者崔熙東 申請(qǐng)人:Lg.菲力浦Lcd株式會(huì)社