專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)如今，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到很多領(lǐng)域，如何 能得到性能更優(yōu)越的發(fā)光二極管已經(jīng)變成人們研發(fā)的方向，在此， 一種新型發(fā)光二極管可參 見Daniel A. Steigerwald等人在文獻(xiàn)IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 8， No. 2， March/April 2002中的Illumination With Solid State Lighting Technology—文。因?yàn)榘l(fā)光二極管具有發(fā)光效率高、演色性佳等特點(diǎn)，所以其開 始被人們運(yùn)用在路燈上以利于日常生活所需。
然而，現(xiàn)有的發(fā)光二極管光源射出的白光的色溫值偏高，其通常介于450(T6500K，這樣 會(huì)讓人們感覺寒冷且光線刺眼、同時(shí)光源的演色性也僅能達(dá)到80%，這樣的色溫值及演色性 還不能達(dá)到人們的要求?，F(xiàn)有的發(fā)光二極管通常是通過在發(fā)光二極管晶粒中加入熒光物質(zhì)以 發(fā)出白光，而熒光物質(zhì)的比例在發(fā)光二極管制造完成后即已固定，因此不能在后續(xù)的使用過 程中對發(fā)光二極管的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而不利于人們的使用要求。
有鑒于此，提供一種色溫可調(diào)的發(fā)光二極管實(shí)為必要。

發(fā)明內(nèi)容
以下將以實(shí)施例說明 一種色溫可調(diào)的發(fā)光二極管。
一種發(fā)光二極管，其包括 一基座； 一第一電極及與所述第一電極極性相反的第二電極 ，所述第一電極與第二電極均安裝在所述基座上，其特征在于所述發(fā)光二極管還包括至少 一第一發(fā)光二極管芯片及至少一第二發(fā)光二極管芯片以及一封裝體，所述封裝體內(nèi)局部摻雜 有熒光物質(zhì)，所述至少一第一芯片用于射出第一波長的光以激發(fā)所述熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光，所 述至少一第二芯片用于射出第二波長的光以調(diào)節(jié)所述白光的色溫，所述第二波長的范圍為 57(T670納米，所述至少一第一發(fā)光二極管芯片及至少一第二發(fā)光二極管芯片由所述第一電 極與第二電極向其提供電能。
相對于現(xiàn)有技術(shù)，所述發(fā)光二極管可射出白光及的波長范圍為57(T670納米的光，使所 述發(fā)光二極管通過調(diào)節(jié)波長范圍為57(T670納米的光的亮度以實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)所述白光的色溫，從 而適當(dāng)?shù)奶岣呷藗兊氖孢m度。


圖l是本發(fā)明第一實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。 圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。 圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請參見圖l，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管IO，其包括 一個(gè)基座ll， 一個(gè)第一 電極12， 一個(gè)第二電極13， 一個(gè)第一發(fā)光二極管芯片14， 一個(gè)第二發(fā)光二極管芯片15及一個(gè) 封裝體16。
所述第一電極12與所述第二電極13均安裝在所述基座11上且極性相反。在本實(shí)施例中， 所述第一電極12為正極，所述第二電極13為負(fù)極。
所述第一發(fā)光二極管芯片14與所述第二發(fā)光二極管芯片15串聯(lián)，所述第一發(fā)光二極管芯 片14與所述第二發(fā)光二極管芯片15由所述第一電極12與第二電極13向其提供電能。在本實(shí)施 例中，所述第一發(fā)光二極管芯片14設(shè)置在所述第一電極12上，且所述第一發(fā)光二極管芯片 14的第一極141與所述第一電極12打線連接，所述第一發(fā)光二極管芯片14用于發(fā)出具有第一 波長的激發(fā)光；所述第二發(fā)光二極管芯片15設(shè)置在所述第二電極13上，所述第二發(fā)光二極管 芯片15的第一極151與所述第一發(fā)光二極管芯片14的與其第一極141極性相反的第二極142打 線連接，所述第二發(fā)光二極管芯片15的第二極152直接與所述第二電極13電性連接，所述第 二發(fā)光二極管芯片15用于射出第二波長的光，所述第二波長的范圍為57(T670納米。
所述第一發(fā)光二極管芯片14所用材料為III-V族化合物，例如氮化鋁鎵銦(AlInGaN)等 ，所述第二發(fā)光二極管芯片15所用材料為I11-V族化合物，例如磷化鋁鎵銦(AlInGaP)。
可以理解的是，所述發(fā)光二極管10所包括的第一發(fā)光二極管芯片14及第二發(fā)光二極管芯 片15的數(shù)量不限于一個(gè)，其也可為多個(gè)。
所述封裝體16包括用于密封所述第一發(fā)光二極管芯片14的第一部分161，及用于密封所 述第二發(fā)光二極管芯片15和所述第一部分161外圍的第二部分162，所述第一部分161內(nèi)摻雜 有熒光物質(zhì)，所述第一發(fā)光二極管芯片14發(fā)出的激發(fā)光可激發(fā)所述熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光并出射 至所述封裝體16的外部。所述熒光物質(zhì)可為釔鋁石榴石(YAG)熒光粉，鋱鋁石榴石(TAG)熒光 粉，硅酸鹽熒光粉，或氮化物熒光粉等。
當(dāng)所述第一電極12與第二電極13連接至一驅(qū)動(dòng)控制單元(圖未示)時(shí)，所述第一發(fā)光二極 管芯片14與第二發(fā)光二極管芯片15串接在一電氣回路中，所述驅(qū)動(dòng)控制單元可控制流過所述
第一發(fā)光二極管芯片14與第二發(fā)光二極管芯片15的電流以調(diào)節(jié)所述第一發(fā)光二極管芯片14與 第二發(fā)光二極管芯片15所發(fā)出光的亮度，所述第一發(fā)光二極管芯片14所發(fā)出的激發(fā)光可激發(fā) 所述熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光，所述第二波長的光直接出射至所述封裝體16的外部。在此，所述驅(qū) 動(dòng)控制單元可通過控制流過上述電氣回路的電流來調(diào)節(jié)所述第二波長的光的亮度，從而可以 對所述發(fā)光二極管10所發(fā)出的白光的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)。
請參見圖2，本發(fā)明第二實(shí)施例提供的發(fā)光二極管20，其與上述第一實(shí)施例提供的發(fā)光 二極管10基本相同，不同之處在于所述發(fā)光二極管20還包括一個(gè)二極管芯片27，所述二極 管芯片27與所述第一發(fā)光二極管芯片14反向并聯(lián)，即當(dāng)所述第一電極12為正極而所述第二電 極13為負(fù)極時(shí)，所述二極管芯片27的負(fù)極271與所述第一電極12電性連接，所述二極管芯片 27的正極272與所述第二電極13電性連接，所述二極管芯片27可有效的防止反向電壓過大而 損壞所述第一發(fā)光二極管芯片14。在此，當(dāng)所述第一電極12與第二電極13連接至一驅(qū)動(dòng)控制 單元(圖未示)時(shí)，所述第一發(fā)光二極管芯片14與第二發(fā)光二極管芯片15并聯(lián)在一電氣回路中 ，所述驅(qū)動(dòng)控制單元可通過控制流過上述電氣回路的電流來調(diào)節(jié)所述第二波長的光的亮度， 從而可以對所述發(fā)光二極管1 O所發(fā)出的白光的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)。
請參見圖3，本發(fā)明第三實(shí)施例提供的發(fā)光二極管30，其包括 一個(gè)基座ll， 一個(gè)第一 電極12， 一個(gè)包括第一分部131及第二分部132的第二電極13， 一個(gè)第一發(fā)光二極管芯片14， 一個(gè)第二發(fā)光二極管芯片15，及一個(gè)封裝體16。
所述第一電極12，第二電極13的第一分部131及第二分部132均設(shè)置在所述基座11上，在 本實(shí)施例中，所述第一電極12為負(fù)極，所述第二電極13為正極。
所述第一發(fā)光二極管芯片14由所述第一電極12和第二電極13的第一分部131向其提供電 能。在本實(shí)施例中，所述第一發(fā)光二極管芯片14設(shè)置在所述第一電極12上，且所述第一發(fā)光 二極管芯片14的第一極141與所述第一電極12打線連接，所述第一發(fā)光二極管芯片14的與其 第一極141極性相反的第二極142與所述第二電極13的第一分部131打線連接，所述第一發(fā)光 二極管芯片14用于發(fā)出激發(fā)光。
所述第二發(fā)光二極管芯片15由所述第一電極12及所述第二電極13的第二分部132向其提 供電能。在本實(shí)施例中，所述第二發(fā)光二極管芯片15設(shè)置在所述第一電極12上且與所述第一 發(fā)光二極管芯片14相鄰，所述第二發(fā)光二極管芯片15的第一極151與所述第二電極13的第二 分部132打線連接，所述第二發(fā)光二極管芯片15的與其第一極151極性相反的第二極152直接 與所述第一電極12電性連接。
所述第一發(fā)光二極管芯片14發(fā)出的激發(fā)光可激發(fā)所述封裝體16的第一部分161內(nèi)摻雜的
熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光并出射至所述封裝體16的外部。在此，所述第二發(fā)光二極管芯片15由所述 封裝體16的第二部分162來覆蓋，所以所述第二發(fā)光二極管芯片15射出的第二波長的光可直 接經(jīng)所述第二部分162出射至所述封裝體16的外部。
當(dāng)所述第一電極12與第二電極13的第一分部131連接至一第一驅(qū)動(dòng)控制單元(圖未示)， 所述第一電極12與第二電極13的第二分部132連接至一第二驅(qū)動(dòng)控制單元(圖未示)時(shí)，所述 第一發(fā)光二極管芯片14處在由所述第一驅(qū)動(dòng)控制單元來控制的第一電氣回路中，所述第二發(fā) 光二極管芯片15處在由所述第二驅(qū)動(dòng)控制單元來控制的第二電氣回路中，所述第一驅(qū)動(dòng)控制 單元與第二驅(qū)動(dòng)控制單元可分別控制流過所述第一發(fā)光二極管芯片14與第二發(fā)光二極管芯片 15的電流以分別調(diào)節(jié)所述第一發(fā)光二極管芯片14與第二發(fā)光二極管芯片15所發(fā)出光的亮度， 所述第一發(fā)光二極管芯片14所發(fā)出的激發(fā)光可激發(fā)所述熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光，所述第二發(fā)光二 極管芯片15所發(fā)出的第二波長的光直接出射至所述封裝體16的外部。在此，第二驅(qū)動(dòng)控制單 元可通過控制流過上述第二電氣回路的電流來調(diào)節(jié)所述第二波長的光的亮度，從而可以對所 述發(fā)光二極管10所發(fā)出的白光的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效 果，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，其包括一基座；一第一電極及與所述第一電極極性相反的第二電極，所述第一電極與第二電極均安裝在所述基座上，其特征在于所述發(fā)光二極管還包括至少一第一發(fā)光二極管芯片及至少一第二發(fā)光二極管芯片以及一封裝體，所述封裝體內(nèi)局部摻雜有熒光物質(zhì)，所述至少一第一芯片用于射出第一波長的光以激發(fā)所述熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光，所述至少一第二芯片用于射出第二波長的光以調(diào)節(jié)所述白光的色溫，所述第二波長的范圍為570~670納米，所述至少一第一發(fā)光二極管芯片及至少一第二發(fā)光二極管芯片由所述第一電極與第二電極向其提供電能。
2.如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述至少一第一發(fā) 光二極管芯片與所述至少一第二發(fā)光二極管芯片串聯(lián)。
3.如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還 包括一個(gè)二極管芯片，所述二極管芯片與所述至少一第一發(fā)光二極管芯片反向并聯(lián)。
4.如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述至少一第一發(fā) 光二極管芯片與所述至少一第二發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述第一電極上且相鄰設(shè)置，所述第 二電極包括第一分部與第二分部，所述至少一第一發(fā)光二極管芯片經(jīng)由所述第一分部與第一 電極向其提供電能，所述至少一第二發(fā)光二極管芯片由所述第二分部與第一電極向其提供電 能。
5.如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述至少一第一發(fā) 光二極管芯片所用材料為氮化鋁鎵銦，所述至少一第二發(fā)光二極管芯片所用材料為磷化鋁鎵 銦。
6.如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述封裝體包括用 于密封所述至少一第一發(fā)光二極管芯片的第一部分，及用于密封所述至少一第二發(fā)光二極管 芯片和所述第一部分外圍的第二部分，所述第一部分內(nèi)摻雜有所述熒光物質(zhì)。
7.如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述所述熒光物質(zhì) 為釔鋁石榴石熒光粉，鋱鋁石榴石熒光粉，硅酸鹽熒光粉或氮化物熒光粉。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管。所述發(fā)光二極管包括一基座；一第一電極及與所述第一電極極性相反的第二電極，所述第一電極與第二電極均安裝在所述基座上，所述發(fā)光二極管還包括至少一第一發(fā)光二極管芯片及至少一第二發(fā)光二極管芯片以及一封裝體，所述封裝體內(nèi)局部摻雜有熒光物質(zhì)，所述至少一第一芯片用于射出第一波長的光以激發(fā)所述熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光，所述至少一第二芯片用于射出第二波長的光以調(diào)節(jié)所述白光的色溫，所述第二波長的范圍為570~670納米，所述至少一第一發(fā)光二極管芯片及至少一第二發(fā)光二極管芯片由所述第一電極與第二電極向其提供電能。
文檔編號H01L25/075GK101373763SQ200710201469
公開日2009年2月25日 申請日期2007年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月24日
發(fā)明者朱源發(fā), 江文章 申請人:富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)(上海)有限公司;沛鑫半導(dǎo)體工業(yè)股份有限公司