專利名稱：高散熱內存模塊結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種高散熱內存模塊結構，尤指一種將半導體組件中芯片的表平面暴露于空 氣中，以改善發(fā)散熱量的內存模塊結構。
背景技術：
內存模塊，如圖14及圖15所示，指一個印刷電路板5 1表面上有鑲嵌數(shù)個半導體組件5 2。當裝置在印刷電路板5 l上的半導體組件5 2，其操作速度愈來愈快時，就有更多的熱 量從該半導體組件5 2內的芯片5 3產(chǎn)生。因此，有效散發(fā)熱量就愈形重要。
目前于業(yè)界上要解決熱量的問題， 一般的做法是使用一熱接口物質(Thermal Interface Material, T頂)將一散熱片附接在該半導體組件5 2上。而該熱接口物質由硅 膠所組成，雖然具有良好的熱傳導性質，可傳遞由該半導體組件5 2產(chǎn)生的熱至該散熱片； 然而，由于該半導體組件5 2是將芯片5 3經(jīng)過封裝而包覆于封模膠材6內，因此，該熱接 口物質并無法直接與該半導體組件5 2內的芯片5 3接觸，進而使得散熱的效果有所折扣。 故， 一般無法符合使用者于實際使用時所需。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是針對上述現(xiàn)有技術的不足，提供一種可改善內存模塊的 散熱性的高散熱內存模塊結構。
為了解決上述技術問題，本發(fā)明所采用的技術方案是 一種高散熱內存模塊結構，其包 括數(shù)個半導體組件、 一內存模塊板、及數(shù)個芯片，該內存模塊板上鑲嵌有各半導體組件；該 各芯片位于各半導體組件于該內存模塊板上，其特點是所述各芯片的表平面裸露于空氣中
本發(fā)明采用的另一種技術方案是 一種高散熱內存模塊結構，其包括數(shù)個半導體組件、
一內存模塊板、及數(shù)個芯片，該內存模塊板鑲嵌有各個半導體組件，各芯片位于各半導體組
件于該內存模塊板上；其特點是還包括至少一個散熱片，該散熱片用以發(fā)散或散布各半導
體組件所產(chǎn)生的熱量。
如此，將鑲嵌于一內存模塊板上的半導體組件中芯片的表平面暴露于空氣中；亦可進一 步在一般內存模塊板上將半導體組件進行涂底膠或封模后，以研磨方式直至該半導體組件中 芯片的表平面完全暴露于空氣中，以增進該內存模塊的散熱特性。此外，亦可利用一熱接口
物質將一散熱片緊密粘著在表平面暴露的芯片上，達到更可強化整個內存模塊的散熱功能


圖1是本發(fā)明的第 一實施例內存模塊示意圖。
圖2是圖1的剖面示意圖。
圖3是圖2中A的放大示意圖。
圖4是本發(fā)明的第二實施例第一散熱板內存模塊剖面示意圖。
圖5是本發(fā)明的第二實施例第二散熱板內存模塊剖面示意圖。
圖6是本發(fā)明的第三實施例涂膠研磨示意圖。
圖7是本發(fā)明的第三實施例的剖面示意圖。
圖8是本發(fā)明的第三實施例第一散熱板分解示意圖。
圖9是本發(fā)明的第三實施例第二散熱板分解示意圖。
圖10是本發(fā)明的第三實施例第一散熱板內存模塊示意圖。
圖ll是本發(fā)明的第三實施例第二散熱板內存模塊示意圖。
圖12是本發(fā)明的第三實施例第一散熱板內存模塊剖面示意圖。
13是圖12中B的放大示意圖。
圖14是已知的內存模塊示意圖。
圖15是圖14的內存模塊剖面示意圖。
標號說明
半導體組件12、 1 2 a 芯片13、 13a 散熱片1 4a、 14b 錫球2
熱界面物質4 半導體組件5 2 膠材6
內存模塊板11、 1 1 a 平面l 2 1
表平面13 1、 13 1a 平面1 4 1 a、 14 1b 底膠3
印刷電路板51 芯片5 3
具體實施例方式
請參閱圖1 圖3所示，本發(fā)明為一種高散熱內存模塊結構，至少包含有一內存模塊板l 1、數(shù)個半導體組件l 2及數(shù)個芯片1 3，可改善內存模塊的散熱特性。
該內存模塊板ll鑲嵌有各半導體組件l2，由各半導體組件l2的平面12l以錫球 2與該內存模塊板1 l相連接，且各半導體組件l 2上含有各芯片1 3，由各芯片l 3位于
各半導體組件l 2于該內存模塊板1 l上，而各芯片l 3的表平面1 3 l裸露于空氣中，其 中，各半導體組件l 2放置于該內存模塊板1 l的一側或二側。
當本發(fā)明于組裝時，將數(shù)組半導體組件l 2鑲嵌于一內存模塊板1 l上，由各半導體組 件1 2中芯片1 3的表平面1 3 1直接暴露于空氣中。
實施例2，請進一步參閱圖4及圖5所示，本發(fā)明尚可在該第一實施例的結構中，進一步 于各芯片l 3上加上一散熱片1 4a或數(shù)個散熱片l 4b，以發(fā)散或散布各半導體組件1 2所 產(chǎn)生的熱量，其中，該散熱片l 4a、 1 4b由金屬或合金所制成。
當本發(fā)明于組裝時，系進一步在該第一實施例的結構上，藉由一高熱傳導性質的膠材所 制成的熱接口物質(Thermal Interface Material, T頂)4，由該熱界面物質4將該散熱片 14由該熱界面物質4將該散熱片1 4 a、 14 b的平面1 4 1 a、 14 1 b直接粘著在各芯片1 3的表平面131以緊密貼靠在內存模塊上。
實施例3，請參閱圖6 圖13所示，本發(fā)明亦可選取一般的內存模塊，在該內存模塊中的 內存模塊板l la上進行涂底膠(underfill) 3或封模后，利用研磨方式，直至各半導體組 件l 2a中芯片l 3a的表平面l 3 la完全暴露于空氣中，并且進一步于各芯片1 3 a上加上 一散熱片l 4a或l 4b，以發(fā)散或散布各半導體組件1 2a所產(chǎn)生的熱量，其中，該散熱片 1 4a、 1 4b由金屬或合金所制成。
當本發(fā)明于組裝時，系進一步在該第一實施例的結構上，藉由一由高熱傳導性質的膠材 所制成的熱接口物質4，由該熱界面物質4將該散熱片14a、 14b的平面l 4 la、 1 4 1 b直 接粘著在各芯片l 3a的表平面l 3 la以緊密貼靠在內存模塊上。
如是，藉由第一實施例的結構，即可達到增進該內存模塊的散熱特性，而本發(fā)明的第二 實施例及第三實施例是分別于第一實施例的結構上，或選取一般的內存模塊，進一步利用該 熱接口物質4將散熱片1 4a、 1 4b與芯片l 3、 1 3a相接連接，更可強化該內存模塊的 散熱功能。因此，本發(fā)明在改善該內存模塊的散熱性同時，亦可使整個制程上具有方便性與 經(jīng)濟性的效益。
綜上所述，本發(fā)明的高散熱內存模塊結構，可有效改善現(xiàn)有技術的種種缺點，利用裸露 于空氣中的芯片或進一步以熱接口物質將散熱片與該芯片相接連接，不僅可在改善內存模塊 散熱性的同時，亦可使整個制程上具有方便性與經(jīng)濟性的效益。
權利要求
1.一種高散熱內存模塊結構，其包括數(shù)個半導體組件、一內存模塊板、及數(shù)個芯片，該內存模塊板上鑲嵌有各半導體組件；該各芯片位于各半導體組件于該內存模塊板上，其特征在于所述各芯片的表平面裸露于空氣中。
2.根據(jù)權利要求l所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述各 半導體組件放置于該內存模塊板的一側。
3.根據(jù)權利要求l所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述各 半導體組件放置于該內存模塊板的二側。
4.根據(jù)權利要求l所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述各 半導體組件的平面以錫球與該內存模塊板相連接。
5.根據(jù)權利要求l所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述各 芯片的表平面直接暴露于空氣中。
6.根據(jù)權利要求5所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述各 芯片的表平面進一步以一熱接口物質與至少一散熱片的平面相接連接。
7.根據(jù)權利要求6所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述熱 接口物質由高熱傳導性質的膠材制成。
8.根據(jù)權利要求6所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述散 熱片由金屬或合金制成。
9. 一種高散熱內存模塊結構，其包括數(shù)個半導體組件、 一內存模塊 板、及數(shù)個芯片，該內存模塊板鑲嵌有各個半導體組件，各芯片位于各半導體組件于該內存 模塊板上；其特征在于還包括至少一個散熱片，該散熱片用以發(fā)散或散布各半導體組件所產(chǎn)生的熱量。
10.根據(jù)權利要求9所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述 各半導體組件放置于該內存模塊板的一側。
11.根據(jù)權利要求9所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述 各半導體組件放置于該內存模塊板的二側。
12.根據(jù)權利要求9所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述 散熱片由金屬或合金所制成。
13.根據(jù)權利要求9所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述 內存模塊板上系將半導體組件進行涂底膠或封模后，以研磨方式，直至各半導體組件上芯片 的表平面完全暴露于空氣中，再與該散熱片的平面間以一熱界面物質相接連接。
14.根據(jù)權利要求13所述的高散熱內存模塊結構，其特征在于所述 熱接口物質由高熱傳導性質的膠材制成。
全文摘要
一種高散熱內存模塊結構，是將鑲嵌于一內存模塊板上的半導體組件中芯片的表平面暴露于空氣中，亦可進一步在一般內存模塊板上將半導體組件進行涂底膠或封模后，以研磨方式直至該半導體組件中芯片的表平面完全暴露于空氣中，以增進該內存模塊的散熱特性。此外，亦可利用一熱接口物質將一散熱片緊密粘著在表平面暴露的芯片上，達到更可強化整個內存模塊的散熱功能，同時，亦可使整個制程上具有方便性與經(jīng)濟性的效益。
文檔編號H01L23/34GK101373760SQ20071020142
公開日2009年2月25日 申請日期2007年8月21日 優(yōu)先權日2007年8月21日
發(fā)明者林文強, 潘偉光, 王家忠 申請人:鈺橋半導體股份有限公司