專利名稱：內(nèi)存模塊測試修補方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)存模塊，且特別是有關(guān)于一種內(nèi)存模塊測試修補方法及裝置。
一般在個人電腦中所使用的內(nèi)存，有同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存(Synchronous dynamic random access memory，簡稱SDRAM)，和雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存取內(nèi)存(double data rate dynamic random accessmemory，簡稱DDR DRAM)。其中，SDRAM是參考系統(tǒng)時脈的上升緣來進行數(shù)據(jù)的存取操作，而DDR DRAM則為參考系統(tǒng)時脈的上升緣及下降緣來進行數(shù)據(jù)的存取操作，以達雙倍于系統(tǒng)時脈頻率的數(shù)據(jù)傳輸速率。
目前市面上發(fā)展的DDR DRAM內(nèi)存模塊是使用符合JEDEC標準的184腳位規(guī)格的內(nèi)存模塊插槽，而SDRAM內(nèi)存模塊則使用168腳位的內(nèi)存模塊插槽，故內(nèi)存模塊的組裝需配合插槽的規(guī)格來制作，制作完成并需經(jīng)測試才可使用。公知的內(nèi)存模塊制作流程如圖1所示，從內(nèi)存芯片進料(步驟S110)開始，然后組裝(步驟S120)、測試(步驟S130)，如測試通過則制作完成(步驟S150)而可出貨，但如于S140步驟判斷有任何內(nèi)存地址故障(fail)時，則需至S160步驟以人工將故障的內(nèi)存芯片解焊，再更換另一顆良好的內(nèi)存芯片，然后重新測試。此種作法會有以下缺點1.需培養(yǎng)專業(yè)的維修人員，方可勝任此項修補工作，導致生產(chǎn)成本無法降低。
2.生產(chǎn)流程較為復雜，導致生產(chǎn)量無法提高。
為達上述及其它目的，本發(fā)明提供一種內(nèi)存模塊測試修補方法，適用于測試并修補一內(nèi)存模塊，其包括下列步驟首先測試內(nèi)存模塊并記錄內(nèi)存模塊中故障的內(nèi)存地址；再將內(nèi)存模塊上的內(nèi)存芯片設(shè)定為測試模式；然后以阻絕故障的內(nèi)存地址的尋址路徑，并選取一備用地址來取代的方式來修補；最后將內(nèi)存模塊上的內(nèi)存芯片設(shè)定為正常模式。
其中，阻絕故障的內(nèi)存地址的尋址路徑并選取一備用地址來取代的步驟是以電氣熔斷(Electrical fuse blow)方法來完成。而測試內(nèi)存模塊時，是對內(nèi)存模塊的每一內(nèi)存地址進行數(shù)據(jù)寫入及數(shù)據(jù)讀取動作，并確認讀取的數(shù)據(jù)是否正確。
本發(fā)明另提供一種內(nèi)存模塊測試修補裝置，適用于測試并修補一內(nèi)存模塊，此裝置至少包括儲存媒體及內(nèi)存測試專用機臺。其中，儲存媒體用來儲存測試修補內(nèi)存模塊的測試修補程序；而內(nèi)存測試專用機臺用以插置內(nèi)存模塊，及自儲存媒體加載其測試修補程序，以進行內(nèi)存模塊的測試修補程序。其中并以上述的內(nèi)存模塊測試修補方法來進行其測試修補程序。
本發(fā)明的較佳實施例中，其儲存媒體為軟盤驅(qū)動器及磁盤、或為類似硬盤驅(qū)動器或光驅(qū)等可儲存程序的儲存媒體，且可更包括一顯示器，以顯示其測試修補結(jié)果。
由上述的說明中可知，由于本發(fā)明提供的內(nèi)存模塊測試修補方法及裝置在發(fā)現(xiàn)內(nèi)存模塊故障時，是以電氣熔斷方法來阻絕故障的內(nèi)存地址的尋址路徑，并選取一備用地址來取代，而不再以人工方式更換故障的內(nèi)存芯片，故可有效節(jié)省測試修補的人力與成本，并提高內(nèi)存模塊的生產(chǎn)量。


圖1為一種公知的內(nèi)存模塊制作流程圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的內(nèi)存模塊制作流程圖；以及圖3為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的內(nèi)存模塊測試修補裝置示意圖。
S110～S275內(nèi)存模塊制作、測試及修補流程S300內(nèi)存模塊測試修補裝置S310儲存媒體S320內(nèi)存測試專用機臺S330內(nèi)存模塊插槽S340顯示器首先，必須將測試故障的內(nèi)存地址予以記錄(步驟S260)，以供后續(xù)修補內(nèi)存模塊時使用。當內(nèi)存模塊上的內(nèi)存芯片所設(shè)計的阻絕故障的內(nèi)存地址后再以一備用地址來取代的方法，例如是以電氣熔斷(Electrical fuse blow)方法來阻絕故障的內(nèi)存地址并以一備用地址來取代的方法，是需要先行將內(nèi)存芯片設(shè)定為測試模式或其它非正常操作的模式時，則將內(nèi)存芯片設(shè)定為測試模式(步驟S265)，然后運用例如是電氣熔斷方法來阻絕故障的內(nèi)存地址并以一備用地址來取代(步驟S270)，此時因已完成內(nèi)存模塊中故障的內(nèi)存地址的修補，故再將內(nèi)存芯片設(shè)定回到正常操作的正常模式(步驟S275)，以利于再測試或使用。
請參考圖3所示，其為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的內(nèi)存模塊測試修補裝置示意圖。圖中顯示，此內(nèi)存模塊測試修補裝置300至少包括儲存媒體310及內(nèi)存測試專用機臺320。其中，儲存媒體310用來儲存測試修補內(nèi)存模塊的測試修補程序；而內(nèi)存測試專用機臺320上具有數(shù)量不等的內(nèi)存模塊插槽330，此內(nèi)存模塊插槽330的腳位數(shù)量與規(guī)格需與欲測試修補的內(nèi)存模塊的腳位相符，以便插置欲測試修補的內(nèi)存模塊，當然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)知，其也可為一電腦主機板如圖中所示。當內(nèi)存模塊插置完成并激活測試時，內(nèi)存測試專用機臺320將自例如是軟盤驅(qū)動器及磁盤、或為類似硬盤驅(qū)動器或光驅(qū)等可儲存程序的儲存媒體310加載其測試修補程序，以開始進行內(nèi)存模塊的測試修補程序。其中的測試修補程序即為上述圖2中的內(nèi)存模塊測試修補步驟，此處不再重述。
此外，為了明確了解與控制整個內(nèi)存模塊的測試修補程序進行過程與結(jié)果，此內(nèi)存模塊測試修補裝置300更包括一顯示器340，以作為整個內(nèi)存模塊的測試修補程序進行過程與結(jié)果的輔助顯示。
綜上所述，由于本發(fā)明的一種內(nèi)存模塊測試修補方法及裝置在測試內(nèi)存模塊時，如發(fā)現(xiàn)內(nèi)存模塊故障，已無須將內(nèi)存芯片解焊，再更換另一顆良好的內(nèi)存芯片，故其至少具有以下優(yōu)點1.可減少所需專業(yè)維修人員的人數(shù)，并節(jié)省其培養(yǎng)成本。
2.可簡化生產(chǎn)流程，并提高生產(chǎn)量。
3.因為不需要更換另一顆良好的內(nèi)存條，故可有效降低內(nèi)存芯片的耗用成本。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)存模塊測試修補方法，適用于測試并修補一內(nèi)存模塊，其特征是，該方法包括下列步驟測試該內(nèi)存模塊；記錄該內(nèi)存模塊中故障的該內(nèi)存地址；以及阻絕故障的該內(nèi)存地址的尋址路徑，并選取一備用地址來取代。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存模塊測試修補方法，其特征是，阻絕故障的該內(nèi)存地址的尋址路徑是以電氣熔斷方法來完成。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存模塊測試修補方法，其特征是，測試該內(nèi)存模塊是對該內(nèi)存模塊的每一內(nèi)存地址進行數(shù)據(jù)寫入及數(shù)據(jù)讀取動作，并確認讀取的數(shù)據(jù)是否正確。
4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存模塊測試修補方法，其特征是，更包括將該內(nèi)存模塊上的內(nèi)存芯片設(shè)定為測試模式的步驟。
5.一種內(nèi)存模塊測試修補裝置，適用于測試并修補一內(nèi)存模塊，其特征是，該裝置包括一儲存媒體，該儲存媒體儲存一測試修補該內(nèi)存模塊的一測試修補程序；以及一內(nèi)存測試專用機臺，該專用機臺插置該內(nèi)存模塊，及自該儲存媒體加載該測試修補程序，并進行該內(nèi)存模塊的一測試修補程序；其中該測試修補程序包括下列步驟測試該內(nèi)存模塊；記錄該內(nèi)存模塊中故障的該內(nèi)存地址；將該內(nèi)存模塊上的內(nèi)存芯片設(shè)定為測試模式；阻絕故障的該內(nèi)存地址的尋址路徑，并選取一備用地址來取代；以及將該內(nèi)存模塊上的內(nèi)存芯片設(shè)定為正常模式。
6.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)存模塊測試修補裝置，其特征是，該儲存媒體為一軟盤驅(qū)動器及磁盤。
7.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)存模塊測試修補裝置，其特征是，該儲存媒體為一硬盤驅(qū)動器。
8.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)存模塊測試修補裝置，其特征是，該儲存媒體為一光驅(qū)。
9.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)存模塊測試修補裝置，其特征是，更包括一顯示器，以顯示其測試修補結(jié)果。
全文摘要
一種內(nèi)存模塊測試修補方法及裝置，其運用內(nèi)存芯片中的備用存儲單元，而于測試并發(fā)現(xiàn)內(nèi)存模塊故障時，記錄其故障的內(nèi)存地址，再以電氣熔斷方法來阻絕故障的內(nèi)存地址的尋址路徑，并選取一備用地址來取代，而無須再以人工方式更換出現(xiàn)故障的內(nèi)存芯片，故可有效節(jié)省測試修補的人力與成本，并提高內(nèi)存模塊的生產(chǎn)量。
文檔編號G06F12/10GK1472651SQ02127589
公開日2004年2月4日 申請日期2002年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月1日
發(fā)明者洪瑞麟, 溫國成 申請人:南亞科技股份有限公司