專利名稱：內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種可提升散熱效果的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般來說，就傳統(tǒng)的雙列直插式存儲器模塊(Dual In-line Memory Module，DIMM)而言，其DDR2內(nèi)存模塊的運作是由一單核心中央處理器(CPU)所控制。然而，在新一代的服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)中，其中央處理器將全面晉升為64位雙核心(64bit/dual core)的形式，而其內(nèi)存模塊也將轉(zhuǎn)變?yōu)槿彌_雙列直插式存儲器模塊(Fully Buffered Dual In-line Memory Module，F(xiàn)BDIMM)。
請參閱圖1，在一服務(wù)器系統(tǒng)的一主機板2上插接有若干個全緩沖雙列直插式存儲器模塊1，而每一個全緩沖雙列直插式存儲器模塊1除了仍具有若干個DDR2內(nèi)存模塊10之外，其還另外具有一高速存儲器緩沖芯片(Advanced MemoryBuffer chip，AMB chip)11，此高速存儲器緩沖芯片11可加速全緩沖雙列直插式存儲器模塊1的頻率及加大其頻寬。值得注意的是，上述的高速存儲器緩沖芯片11乃是設(shè)置于全緩沖雙列直插式存儲器模塊1內(nèi)的其中一個DDR2內(nèi)存模塊10之上。
如上所述，由于高速存儲器緩沖芯片11在全速運行時的功率會達到4~6瓦特，故將會產(chǎn)生額外的熱量。因此，仍如圖1所示，在高速存儲器緩沖芯片11上還會附著有一銅片12來幫助高速存儲器緩沖芯片11進行散熱。然而，在目前規(guī)格為1U(容置高度為44.45毫米)的機架式服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)中，由于其空間的限制，故含有銅片12的全緩沖雙列直插式存儲器模塊1并無法有效地將高速存儲器緩沖芯片11所產(chǎn)生的額外熱量排除，因而會對整個服務(wù)器系統(tǒng)造成過熱現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，可加速排除全緩沖雙列直插式存儲器模塊的高速存儲器緩沖芯片所產(chǎn)生的額外熱量，以避免過熱現(xiàn)象發(fā)生。
本發(fā)明基本上采用如下技術(shù)方案以解決上述問題。也就是說，本發(fā)明內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)包括至少一全緩沖雙列直插式存儲器模塊，具有一第一板體、至少一內(nèi)存模塊、一高速存儲器緩沖芯片以及一導(dǎo)熱片，其中，該內(nèi)存模塊設(shè)置于該第一板體之中，該高速存儲器緩沖芯片附著于該內(nèi)存模塊之上，以及該導(dǎo)熱片連接于該高速存儲器緩沖芯片；以及一散熱裝置，設(shè)置于該全緩沖雙列直插式存儲器模塊之上，并且連接于該導(dǎo)熱片，其中，該高速存儲器緩沖芯片運行所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由該導(dǎo)熱片傳導(dǎo)至該散熱裝置，并且經(jīng)由該散熱裝置傳導(dǎo)至外界。
同時，根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)熱片平行于該第一板體，該散熱裝置具有一第二板體以及至少一夾接部，該第二板體設(shè)置于該第一板體之上，并且垂直于該第一板體，以及該夾接部從該第二板體延伸至該導(dǎo)熱片，并且夾接該導(dǎo)熱片。
本發(fā)明還具有以下技術(shù)特征，所述夾接部包括兩平行夾片，導(dǎo)熱片位于該夾片之間。
本發(fā)明還具有以下技術(shù)特征，在該導(dǎo)熱片與每一夾片之間涂覆有散熱膏。
本發(fā)明還具有以下技術(shù)特征，在該導(dǎo)熱片與每一夾片之間設(shè)置有一導(dǎo)熱墊。
本發(fā)明還具有以下技術(shù)特征，該散熱裝置以及該導(dǎo)熱片是由金屬所制成。
本發(fā)明還具有以下技術(shù)特征，該散熱裝置以及該導(dǎo)熱片是由銅或鋁所制成。
由于采用以上的技術(shù)方案，當(dāng)高速存儲器緩沖芯片運作時，其所產(chǎn)生的額外熱量可經(jīng)由導(dǎo)熱片傳導(dǎo)至散熱裝置，然后再經(jīng)由散熱裝置傳導(dǎo)或散逸至外界。因此，服務(wù)器系統(tǒng)的過熱現(xiàn)象即可避免發(fā)生。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)全緩沖雙列直插式存儲器模塊的應(yīng)用示意圖；圖2是本發(fā)明內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)的立體示意圖；圖3是本發(fā)明內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)的分解示意圖；圖4是本發(fā)明內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)的局部示意圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例并結(jié)合附圖做詳細說明。
請參閱圖2及圖3，本實施例內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)100可應(yīng)用于一服務(wù)器系統(tǒng)之中，并且插接于一主機板200之上。
仍如圖2及圖3所示，內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)100主要包括有若干個全緩沖雙列直插式存儲器模塊(Fully Buffered Dual In-line Memory Module，F(xiàn)BDIMM)110以及一散熱裝置120。
每一個全緩沖雙列直插式存儲器模塊110具有一第一板體111、若干個內(nèi)存模塊(例如，DDR2內(nèi)存模塊)112、一高速存儲器緩沖芯片(Advanced MemoryBuffer chip，AMB chip)113以及一導(dǎo)熱片114。內(nèi)存模塊112設(shè)置于第一板體111之中，而高速存儲器緩沖芯片113附著于其中一個內(nèi)存模塊112之上。導(dǎo)熱片114附著于高速存儲器緩沖芯片113之上，并且導(dǎo)熱片114平行于第一板體111。
散熱裝置120設(shè)置于若干個全緩沖雙列直插式存儲器模塊110之上，并且同時連接于若干個導(dǎo)熱片114。更詳細的來說，散熱裝置120具有一第二板體121以及若干個夾接部122。第二板體121設(shè)置于若干個第一板體111之上，并且垂直于若干個第一板體111。每一個夾接部122均從第二板體121延伸至每一個導(dǎo)熱片114，并且每一個夾接部122都夾接每一個導(dǎo)熱片114。在本實施例之中，每一個夾接部122還包括有兩個平行夾片122a，當(dāng)每一個夾接部122夾接每一個導(dǎo)熱片114時，導(dǎo)熱片114位于兩夾片122a之間。此外，在導(dǎo)熱片114與每一個夾片122a之間可涂覆散熱膏，或者，如圖4所示，在導(dǎo)熱片114與每一個夾片122a之間可設(shè)置一導(dǎo)熱墊123。涂覆散熱膏或設(shè)置導(dǎo)熱墊123的目的是為了避免在導(dǎo)熱片114與每一個夾片122a之間產(chǎn)生間隙，而影響到導(dǎo)熱片114與夾片122a之間的熱傳導(dǎo)效果。此外，散熱裝置120可由金屬(例如銅或鋁)所制成。
如上所述，當(dāng)高速存儲器緩沖芯片113運行時，其所產(chǎn)生的額外熱量可經(jīng)由導(dǎo)熱片114傳導(dǎo)至散熱裝置120，然后再經(jīng)由散熱裝置120傳導(dǎo)或散逸至外界。因此，服務(wù)器系統(tǒng)的過熱現(xiàn)象即可避免發(fā)生。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括至少一全緩沖雙列直插式存儲器模塊，具有一第一板體、至少一內(nèi)存模塊、一高速存儲器緩沖芯片以及一導(dǎo)熱片，其中，該內(nèi)存模塊設(shè)置于該第一板體之上，該高速存儲器緩沖芯片附著于該第一板體之上，該導(dǎo)熱片附著于該高速存儲器緩沖芯片，其中所述內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)還包括一散熱裝置，設(shè)置于所述全緩沖雙列直插式存儲器模塊之上，并且連接于所述導(dǎo)熱片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱裝置具有一第二板體以及至少一夾接部，該第二板體設(shè)置于該第一板體之上，所述夾接部從第二板體延伸至導(dǎo)熱片，并且夾接該導(dǎo)熱片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二板體垂直于第一板體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述夾接部包括兩平行夾片，所述導(dǎo)熱片位于該夾片之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述導(dǎo)熱片與每一夾片之間涂覆有散熱膏。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述導(dǎo)熱片與每一夾片之間設(shè)置有一導(dǎo)熱墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱裝置是由金屬所制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱裝置是由銅所制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱裝置是由鋁所制成。
全文摘要
一種內(nèi)存模塊整合結(jié)構(gòu)，可加速排除全緩沖雙列直插式存儲器模塊的高速存儲器緩沖芯片所產(chǎn)生的額外熱量，包括至少一全緩沖雙列直插式存儲器模塊以及一散熱裝置。所述全緩沖雙列直插式存儲器模塊具有一第一板體、至少一內(nèi)存模塊、一高速存儲器緩沖芯片以及一導(dǎo)熱片。該內(nèi)存模塊設(shè)置于該第一板體之中，該高速存儲器緩沖芯片附著于該內(nèi)存模塊之上，以及該導(dǎo)熱片連接于該高速存儲器緩沖芯片。所述散熱裝置設(shè)置于該全緩沖雙列直插式存儲器模塊之上，并且連接于該導(dǎo)熱片。所述高速存儲器緩沖芯片運行所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由該導(dǎo)熱片傳導(dǎo)至該散熱裝置，并且經(jīng)由該散熱裝置傳導(dǎo)至外界，避免產(chǎn)生服務(wù)器系統(tǒng)的過熱現(xiàn)象。
文檔編號H01L25/00GK1992241SQ20051013292
公開日2007年7月4日 申請日期2005年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者張弘 申請人:技嘉科技股份有限公司