專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，尤其涉及一種雙面板型有機(jī)發(fā) 光二極管顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器件是自發(fā)光的，因而不必像液晶顯示 (LCD)器件一樣需要背光單元，從而它們可以制造成具有纖細(xì)的外形和較輕 的重量。此外，因為可通過簡單的工序制造OLED顯示器件，所以它們具有 價格競爭性。此外，因為OLED顯示器件具有低電壓驅(qū)動、高發(fā)射效率和寬 視角的特性，所以它們快速發(fā)展成為下一代顯示器件。
OLED顯示器件包括用于產(chǎn)生光的有機(jī)發(fā)光二極管陣列和開關(guān)器件陣列。 薄膜晶體管(TFT) —般用于單獨驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管陣列，且即使當(dāng)施加較 小電流時仍可提供均勻的亮度。因此，OLED顯示器件具有各種優(yōu)點，如低功 耗、高清晰度、大尺寸和較高的壽命。
因為在相同基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管和開關(guān)器件的陣列，所以工序時間 增加，生產(chǎn)效率降低。因此，已經(jīng)提出了雙面板型OLED顯示器件，其中在 不同的基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管和開關(guān)器件，當(dāng)兩個基板粘接在一起時將它 們彼此電性連接。因此，提高了OLED顯示器件的生產(chǎn)效率。然而，有機(jī)發(fā) 光二極管和開關(guān)器件之間的電接觸是不穩(wěn)定的，且雙面板型OLED顯示器件 的孔徑比較低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法，其基本上
克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而造成的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個優(yōu)點是提供了 一種可穩(wěn)定形成在不同基板上的有機(jī)發(fā)光二 極管與薄膜晶體管之間電接觸的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，及其制造方法。
將在下面的描述中列出本發(fā)明其他的特征和優(yōu)點，其一部分從下面的描述 而變得顯而易見，或者通過本發(fā)明的實踐而理解。通過在所寫說明書和權(quán)利要 求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它的優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目的和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體化和廣 泛描述的，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件包括在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的第 一基板上的第一電極，第二區(qū)域基本上圍繞第一區(qū)域；在第二區(qū)域中的第一電極上的像素分離圖案；至少在第一區(qū)域中的有機(jī)發(fā)光圖案；在有機(jī)發(fā)光圖案上 的第二電極；在像素分離圖案上的接觸電極，該接觸電極與第二電極電連接； 和在面對第一基板的第二基板上的薄膜晶體管，該薄膜晶體管與接觸電極電連接。
在本發(fā)明的另一個方面中，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制造方法包括 在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一基板上形成第一電極，第二區(qū)域基本上圍繞 第一區(qū)域；在第二區(qū)域中的第一電極上形成像素分離圖案.；在至少第一區(qū)域中 形成有機(jī)發(fā)光圖案；在有機(jī)發(fā)光圖案上形成第二電極，在像素分離圖案上形成 接觸電極，接觸電極與第二電極電連接；提供包含薄膜晶體管的第二基板；和將第一基板與第二基板粘接，并將接觸電極與薄膜晶體管電連接。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的一般描述和隨后的詳細(xì)描述是示范性的和說明性的，意在提供如權(quán)利要求所述的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


包含用來提供本發(fā)明進(jìn)一步理解并粘接組成該說明書一部分的附解了本發(fā)明的實施方案并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中
圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的平面圖2是沿圖1的線I-I'提取的橫截面圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的橫 截面圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的橫截面圖5A到5J是解釋根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制造 方法的橫截面圖；以及
圖6A到6F是解釋根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器 件的制造方法的橫截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式詳細(xì)描述，附圖中圖解了其實施例。
實施方式l
圖1和2圖解了根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器 件。圖1是圖解OLED顯示器件的平面圖，圖2是沿圖1的線I-I'提取的橫截面圖。
參照圖l， OLED顯示器件100包括顯示圖像的多個像素P。每個像素P都包括產(chǎn)生光的第一區(qū)域P1和沿第一區(qū)域P1的外圍設(shè)置的第二區(qū)域P2。
在第一區(qū)域P1中形成有機(jī)發(fā)光二極管E，用于產(chǎn)生光。此外，在第二區(qū) 域P2中形成接觸電極152，用于將有機(jī)發(fā)光二極管E與TFT Tr電性連接。接 觸電極152具有沿第一區(qū)域Pl外圍設(shè)置的框架形。
TFTTr與有機(jī)發(fā)光二極管E之間的接觸區(qū)域大于現(xiàn)有技術(shù)的接觸區(qū)域， 從而減小了接觸電阻。在現(xiàn)有技術(shù)中，因為使用第一區(qū)域P1內(nèi)的間隔體(spcer) ， TFTTr與有機(jī)發(fā)光二極管E通過點接觸而電性連接，所以TFTTr 與有機(jī)發(fā)光二極管E之間的接觸電阻較高。此外，隨著TFT Tr與有機(jī)發(fā)光二 極管E之間的接觸區(qū)域變大，可減小或避免由制造過程中的錯位而導(dǎo)致的TFT Tr與有機(jī)發(fā)光二極管E之間的非接觸缺陷。結(jié)果，提高了OLED顯示器件的 穩(wěn)定性和可靠性。
此外，因為TFT Tr與有機(jī)發(fā)光二極管E之間的電接觸設(shè)置在不產(chǎn)生光的第二區(qū)域P2中，所以可提高OLED顯示器件100的孔徑比。由于形成在第一電極170與第二電極150之間的像素分離圖案172，所以在第二區(qū)域P2中不產(chǎn)生光。
參照圖2， OLED顯示器件100包括彼此分離的第一基板180和第二基板 110。第一基板180包括多個像素P，每個像素都具有產(chǎn)生光的第一區(qū)域P1和 在TFT Tr與有機(jī)發(fā)光二極管E之間提供電接觸的第二區(qū)域P2。
作為公共電極的第一電極170形成在第一基板180上。就是說，各個像素 P的第一電極170整體形成。第一電極170由可透光的透明導(dǎo)電材料形成。例 如，第一電極170由氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成。OLED顯示 器件100通過第一電極170和第一基板180發(fā)射光，從而顯示圖像。
在第一基板180與第一電極170之間還形成有輔助電極182，用于減小第 一電極170的電阻。輔助電極182形成在像素P之間的非顯示區(qū)域中的第一基 板180上，因而不會影響OLED顯示器件100的孔徑比。
像素分離圖案172沿第一區(qū)域P2外圍形成在第一電極170與第二區(qū)域P2 相對應(yīng)的部分上。像素分離圖案172以反錐形形成，從而對每個像素的第二電 極150和接觸電極152構(gòu)圖。像素分離圖案172包括上表面172a、第一壁表 面172b和第二壁表面172c。上表面172a平行于第一基板180并對應(yīng)于第一 基板180的第二區(qū)域P2。第一壁表面172b從上表面172a的邊緣延伸并相對 于第一基板180具有預(yù)定的角度。第一壁表面172b形成在第一區(qū)域Pl與第二 區(qū)域P2之間的邊界處。第二壁表面172c基本上平行地面對第一壁表面172b， 并形成在第二區(qū)域P2的外部。第二壁表面172c具有底切形狀。
像素分離圖案172在有機(jī)發(fā)光二極管E與TFT Tr之間保留盒間隙，并在 有機(jī)發(fā)光二極管E與TFTTr之間提供電接觸。因此，可最小化或避免在包含 形成TFT Tr工序的制造工序中產(chǎn)生的顆粒損壞有機(jī)發(fā)光二極管E。
像素分離圖案172可以是有機(jī)層、無機(jī)層或其疊層。例如，有機(jī)層可由丙 烯酸基樹脂、氨基(urethane)樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、和聚酰亞胺(PI) 形成。此外，無機(jī)層可由氧化硅或氮化硅形成。當(dāng)像素分離圖案172由無機(jī)材 料形成時，可減小或避免有機(jī)發(fā)光層160的惡化。這是因為有機(jī)材料可產(chǎn)生使 有機(jī)發(fā)光層160降級的有害輸出氣體。
有機(jī)發(fā)光圖案160形成在第一電極170與第一區(qū)域Pl相對應(yīng)的部分上。 在該實施方式中，有機(jī)發(fā)光圖案160進(jìn)一步延伸到第二區(qū)域P2。然而，應(yīng)當(dāng) 理解，形成有機(jī)發(fā)光圖案160的區(qū)域的尺寸和位置可根據(jù)有機(jī)發(fā)光圖案160 的制造工序而變化。
當(dāng)分別從第一電極170和第二電極150提供的第一電荷和第二電荷重新結(jié)
合時，有機(jī)發(fā)光圖案160產(chǎn)生光。OLED顯示器件100向第一電極170和第一 基板180發(fā)射光，從而顯示圖像。此外，可進(jìn)一歩在有機(jī)發(fā)光圖案160的上表 面或下表面上設(shè)置光效率補(bǔ)償層(沒有示出)，從而提高OLED顯示器件IOO 的發(fā)光效率。光效率補(bǔ)償層控制第一電極170、有機(jī)發(fā)光圖案160和第二電極 150之間邊界處的能量級別，從而向有機(jī)發(fā)光圖案160有效提供第一電荷和第 二電荷。光效率補(bǔ)償層可以是第一電荷注入層、第一電荷傳輸層、第一電荷阻 擋層、第二電荷傳輸層、第二電荷注入層等。
第二電極150形成在第一區(qū)域P1中的有機(jī)發(fā)光圖案160上。從第二電極 150的邊緣延伸的接觸電極152形成在像素分離圖案172的上表面172a上。 因此，接觸電極152具有暴露第一區(qū)域P1的框架形狀3接觸電極152將第二 電極150與TFTTr電連接。接觸電極152與第二電極150—體形成，因為對 于每個像素，接觸電極152和第二電極150通過像素分離圖案172 —起被構(gòu)圖。
因此，像素分離圖案172包括形成在上表面172a上的接觸電極，從而在 有機(jī)發(fā)光二極管E與TFT Tr之間保持盒間隙并在有機(jī)發(fā)光二極管E與TFT Tr 之間提供電接觸。就是說，第一區(qū)域P1中的有機(jī)發(fā)光二極管E相對于第二基 板110來說具有預(yù)定間隙，由于像素分離圖案172，第二區(qū)域P2中的接觸電 極152與第二基板110的TFTTr的接觸元件相接觸。
因為像素分離圖案172向第二基板110突出，所以可保持有機(jī)發(fā)光二極管 E與TFTTr之間的盒間隙。因此，像素分離圖案172將有機(jī)發(fā)光二極管E與 第二基板110分離，因而可最小化或避免第二基板110的污染物污染并損壞有 機(jī)發(fā)光二極管E。
第二基板110具有面對第一基板180的表面。與設(shè)置在每個像素P中的有 機(jī)發(fā)光二極管E電連接的至少一個TFT Tr形成在該相對表面上。
TFTTr包括柵極112、柵絕緣層120、半導(dǎo)體層122、和源極/露極124和 126。盡管附圖中沒有示出，但在第二基板110的相對表面上形成有給TFTTr 施加信號的多條線。例如在第二基板110的相對表面上形成有給柵極112施加 柵信號的柵線和給源極126施加數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線。
在柵絕緣層120上形成有覆蓋TFT Tr的鈍化層130，從而保護(hù)TFT Tr。 鈍化層130由無機(jī)材料或有機(jī)材料形成。例如，鈍化層130可由氧化硅或氮化
硅形成。
當(dāng)鈍化層130由無機(jī)材料形成時，由于TFTTr和信號線的底層結(jié)構(gòu)，所 以鈍化層130的表面具有不同高度的表面波動。然而，這種高度差對接觸電極 152與第一接觸元件142之間的電連接具有影響。就是說，由于第一接觸元件 142的不同高度，接觸電極152與第一接觸元件142之間的接觸面積減小，或 者接觸電極152和第一接觸元件142彼此不接觸。因此，在鈍化層130上形成 涂層140，從而減小鈍化層130的高度差，提高鈍化層130的平坦度。涂層140 可由提高表面平坦度的有機(jī)材料形成。例如，涂層140由丙烯酸基樹脂、氨基 樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、和聚酰亞胺(PI)形成。
與TFTTr的漏極126電連接并與接觸電極152接觸的第一接觸元件142 形成在涂層140上。因此，TFTTr和有機(jī)發(fā)光二極管E彼此電連接。第一接 觸元件142形成在涂層140與第二區(qū)域P2相對應(yīng)的部分上，從而與接觸電極 152接觸。第一接觸元件142形成整個表面上，從而避免在OLED顯示器件的 制造工序過程中由于錯位導(dǎo)致的接觸電極152與第一接觸元件142之間的非接 觸。
在鈍化層130和涂層140中形成有暴露漏極126的接觸孔，從而將第一接 觸元件142與漏極126電性連接。在接觸孔的形成過程中，漏極126暴露于蝕 刻溶液并被損壞。因而，OLED顯示器件lOO進(jìn)一步包括覆蓋TFTTr的漏極 126的第二接觸元件132^第二接觸元件132可避免漏極126被蝕刻溶液損壞。 因此，TFT Tr和有機(jī)發(fā)光二極管E通過接觸電極152以及第一和第二接觸元 件142和132彼此電連接。
在第一個實施方式中，形成在不同基板上的TFT Tr和有機(jī)發(fā)光二極管E 在第二區(qū)域P2中彼此接觸。結(jié)果，可提高OLED器件的孔徑比，并可減小 OLED器件的接觸電阻。因此，可確保OLED顯示器件的可靠性。
實施方式2
圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示 器件的橫截面圖。除了像素分離圖案的形狀之外，該實施方式的OLED顯示 器件具有與上述第一個實施方式的OLED顯示器件相同的結(jié)構(gòu)。因此，省略 相同部件的描述，對于相同的部件使用相同的名稱和附圖標(biāo)記。參照圖3， OLED顯示器件100包括像素P，像素P具有產(chǎn)生光的第一區(qū) 域Pl和沿第一區(qū)域Pl外圍設(shè)置的第二區(qū)域P2。
OLED顯示器件100包括彼此相對的第一基板180和第二基板110。在第 一基板180上形成有機(jī)發(fā)光二極管E，在第二基板llO上形成有TFTTr。有機(jī) 發(fā)光二極管E和TFT Tr通過與第二區(qū)域P2相對應(yīng)的接觸電極152彼此電連接觸電極152和有機(jī)發(fā)光二極管E的第二電極150 —體形成，并對每個像 素P都通過像素分離圖案270而被構(gòu)圖。像素分離圖案270包括上表面272a、 第一壁表面272b和第二壁表面272c。第一壁表面272b從上表面272a的邊緣 延伸并相對于第一基板180具有預(yù)定的角度。第一壁表面272b形成在第一區(qū) 域Pl與第二區(qū)域P2之間的邊界處。第二壁表面272c基本上平行地面對第一 壁表面272b，并形成在第二區(qū)域P2外部。在此，第二壁表面272c具有底切 形狀。
在底切內(nèi)形成有輔助電極282，從而與第一電極170接觸。通過利用輔助 電極282和像素分離圖案270的不同蝕刻選擇性的優(yōu)點來形成所述底切。因此， 不需要形成底切的分離層，因而減少了制造工序的數(shù)量。在底切內(nèi)沒有填充輔 助電極282，從而對于每個像素對接觸電極152和第二電極150構(gòu)圖。輔助電 極282與接觸電極152交迭，在它們之間夾有像素分離圖案270。此外，因為 限定像素的像素分離圖案270具有框架形狀，所以輔助電極282具有框架形狀。
在第二個實施方式中，使用輔助電極282形成像素分離圖案270的底切形 狀。結(jié)果，可減少OLED顯示器件的制造工序的數(shù)量。
實施方式3
圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示 器件的橫截面圖。除了導(dǎo)電彈性元件之外，該實施方式的OLED顯示器件具 有與上述第二個實施方式的OLED顯示器件相同的結(jié)構(gòu)。因此，省略相同部 件的描述，對于相同的部件使用相同的名稱和附圖標(biāo)記。
參照圖4， OLED顯示器件100包括彼此相對的第一基板180和第二基板 110。在第一基板180上形成有機(jī)發(fā)光二極管E，在第二基板110上形成有TFT Tr。因為對應(yīng)于第二區(qū)域P2形成的接觸電極152和第一接觸元件142彼此接觸，所以有機(jī)發(fā)光二極管E和TFTTr彼此電連接。
OLED顯示器件100包括夾在接觸電極152與第一接觸元件142之間的導(dǎo) 電彈性元件162。導(dǎo)電彈性元件162形成在第二基板110的至少第二區(qū)域P2 中。當(dāng)?shù)谝换?80和第二基板110彼此粘接時，導(dǎo)電彈性元件162提高了接 觸電極152與第一接觸元件142之間的接觸穩(wěn)定性。因為導(dǎo)電彈性元件162 具有彈性，所以即使在第一和第二基板180和110的粘接工序過程中施加壓力 時，其仍可最小化或避免夾在第一和第二基板180和110之間的器件被損壞。 在沒有導(dǎo)電彈性元件162的情況下，由于考慮到第一和第二基板180和110 之間器件的損壞，所以當(dāng)粘接第一和第二基板180和110時施加較小的壓力， 這樣就在有機(jī)發(fā)光二極管E與TFTTr之間產(chǎn)生了接觸缺陷。因此，導(dǎo)電彈性 元件162最小化或避免了 OLED顯示器件的這種接觸缺陷。
導(dǎo)電彈性元件162可以是導(dǎo)電球或?qū)щ娔?。?dǎo)電球包括彈性體和覆蓋彈性 體的導(dǎo)電層。此外，導(dǎo)電膜可包括膜形彈性體和分散在彈性體內(nèi)的導(dǎo)電材料。 彈性體可由硅或合成樹脂形成。
在第三個實施方式中，在接觸電極152與第一接觸元件142之間額外形成 導(dǎo)電彈性元件162。結(jié)果，可進(jìn)一歩提高有機(jī)發(fā)光二極管E與TFT Tr之間的 接觸可靠性。
實施方式4
圖5A到5J是解釋根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示 器件的制造方法的橫截面圖。
參照圖5A，提供限定多個像素P的第一基板180，以制造OLED顯示器 件。各個像素P以恒定的間隔設(shè)置。像素P分割為第一區(qū)域P1和沿第一區(qū)域 P1外圍的第二區(qū)域P2。
第一基板180是透光的透明基板。例如，第一基板180可以是玻璃基板、 塑料基板或透明膜。
在第一基板180上沉積電阻系數(shù)比第一電極170低的導(dǎo)電材料并對其構(gòu) 圖，從而形成輔助電極182。例如，輔助電極182包括A1， AlNd， Mo， Cr等。 輔助電極182用于減小第一電極170的電阻。此外，輔助電極182形成在像素 P的邊界處，以避免漏光。
然后在包含輔助電極182的第一基板180上形成第一電極170。第一電極 170通過濺射或真空沉積由透明導(dǎo)電材料形成。例如，第一電極170可由ITO 或IZO形成。
參照圖5B，在形成第一電極170之后，在第一電極170上形成犧牲圖案 (sacrificial pattern) 173,從而暴露像素P。就是說，犧牲圖案173形成在像 素P之間的邊界處。犧牲圖案173形成在第一電極170與輔助電極182交迭的 部分上。犧牲圖案173形成為像素分離圖案172的底切形狀。在隨后工序過程 中犧牲圖案173可以完全移除或者留下一部分犧牲圖案173。
在形成了犧牲圖案173之后，在包含犧牲圖案173的第一基板180上形成 絕緣層174。絕緣層174由具有不同于犧牲圖案173的蝕刻選擇性的材料形成。 在該實施方式中，絕緣層174由具有小于犧牲圖案173的蝕刻選擇性的材料形 成，從而形成具有底切形狀的像素分離圖案172。例如，犧牲圖案173可由氮 化硅或氧化硅形成。絕緣層174可由丙烯酸基樹脂、氨基樹脂、苯并環(huán)丁烯 (BCB)、聚酰亞胺(PI)、氮化硅、氧化硅等形成。
在形成絕緣層174之后，在絕緣層174上形成光刻膠圖案175。光刻膠圖 案175分割像素P并具有圍繞像素P邊緣的框架形狀。
參照圖5C，在形成光刻膠圖案175之后，使用光刻膠圖案175作為掩模 蝕刻絕緣層174，從而在第二區(qū)域P2中形成絕緣圖案176。通過干刻法或濕刻 法蝕刻絕緣層。
參照圖5D，在形成絕緣圖案176之后，與絕緣圖案176—起蝕刻犧牲圖 案173，從而形成像素分離圖案172。因為絕緣圖案176和犧牲圖案173具有 不同的蝕刻選擇性，所以像素分離圖案172的壁表面具有底切形狀。在該實施 方式中，絕緣圖案176具有比犧牲圖案173小的蝕刻選擇性。像素分離圖案 172包括上表面172a、第一壁表面172b和第二壁表面172c。
第一壁表面172b從上表面172a的邊緣延伸，并相對于第一基板180具有 預(yù)定的角度。第一壁表面172b形成在第一區(qū)域Pl與第二區(qū)域P2之間的邊界 處。第二壁表面172c基本上平行地面對第一壁表面172b，并形成在第二區(qū)域 P2的外部。第二壁表面172c具有底切形狀。
參照圖5E，在形成像素分離圖案172之后，在第一電極170上形成有機(jī) 發(fā)光圖案160。有機(jī)發(fā)光圖案160由低分子材料或聚合物形成。當(dāng)有機(jī)發(fā)光圖
案160由低分子材料形成時，可通過真空沉積方法形成有機(jī)發(fā)光圖案160。有機(jī)發(fā)光圖案160形成在第一電極170和像素分離圖案172的上表面172a與第 一區(qū)域P1相對應(yīng)的部分上。
在形成有機(jī)發(fā)光圖案160之后，形成第二電極150和接觸電極152并通過 像素分離圖案172對于每個像素P被構(gòu)圖。
第二電極150和接觸電極152 —體形成。就是說，通過真空沉積方法在包 含像素分離圖案172的基板180上沉積導(dǎo)電材料。在沉積導(dǎo)電材料過程中，對每個像素P通過像素分離圖案172自動對第二電極150和接觸電極152構(gòu)圖。 接觸電極152形成在像素分離圖案172的上表面172a上，第二電極150形成 在有機(jī)發(fā)光圖案160與第一區(qū)域P1相對應(yīng)的部分上。因此，在產(chǎn)生光的第一 區(qū)域P1中順序形成第一電極170、有機(jī)發(fā)光圖案160和第二電極150。此外， 在不產(chǎn)生光的第二區(qū)域P2中順序形成第一電極170、像素分離圖案172、有機(jī)發(fā)光圖案160和第二電極150。
參照圖5F，提供形成有TFTTr的第二基板llO。在第二基板110上形成鈍化層130，從而覆蓋TFTTr。通過化學(xué)氣相沉積(CVD)方法由氧化硅或氮化硅形成鈍化層130。
參照圖5G，在鈍化層130中形成暴露TFT Tr的漏極126的接觸孔。形成覆蓋通過接觸孔而暴露的漏極126的第二接觸元件132。第二接觸元件]32避免漏極126在隨后的工序中損壞。
參照圖5H，在形成第二接觸元件132之后，在鈍化層130上形成覆蓋第二接觸元件132的涂層140。涂層140提高鈍化層130的平坦度。涂層140由對平坦化有利的有機(jī)材料形成。涂層140通過浸漬涂敷、噴射涂敷或旋轉(zhuǎn)涂敷方法形成。
參照圖51，在形成涂層140之后在涂層140中形成暴露第二接觸元件132 的通孔。然后形成第一接觸元件142，該第一接觸元件142與通過通孔而暴露的第二接觸元件132接觸。由于涂層140，第一接觸元件142具有平坦的表面。 第一接觸元件142形成在第二基板110與第一和第二區(qū)域Pl和P2相對應(yīng)的部分上。
參照圖5J，將其上形成有有機(jī)發(fā)光二極管E的第一基板180和其上形成有TFTTr的第二基板110彼此粘接。接觸電極152和第一接觸元件142彼此接觸，由此將有機(jī)發(fā)光二極管E與TFT Tr電連接。
在第一和第二基板180和110彼此粘接之前，在第一和第二基板180和 110之一上形成導(dǎo)電彈性元件，從而提高接觸的穩(wěn)定性。導(dǎo)電彈性元件可以是 導(dǎo)電球或?qū)щ娔ぁ４送?，?yīng)當(dāng)理解，并不限制有機(jī)發(fā)光二極管E和TFTTr的 形成順序。
在該實施方式中，因為在不產(chǎn)生光的第二區(qū)域P2中形成接觸電極152， 所以可提高完成的OLED顯示器件的孔徑比。此外，因為接觸電極152和第 一接觸元件142的接觸面積較大，所以可降低有機(jī)發(fā)光二極管E和TFT Tr的 接觸電阻，且即使當(dāng)在第一基板180和第二基板110的粘接工序過程中產(chǎn)生錯 位時，也可減小非接觸缺陷。
實施方式5
圖6A到6F是解釋根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 顯示器件的制造方法的橫截面圖。除了像素分離圖案的形成之外，該實施方式 中的制造方法與上述制造方法相同。因此，省略相同工序的描述，對于相同的 部件使用相同的名稱和附圖標(biāo)記。
參照圖6A，提供第一基板180制造OLED顯示器件。在第一基板180上 形成第一電極170。
然后在第一電極170上形成導(dǎo)電圖案283。導(dǎo)電圖案283限定像素P。導(dǎo) 電圖案283由具有比第一電極170低的電阻系數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，導(dǎo)電 圖案283可由Mo， Cu， Cr， AlNd， MoW等形成。導(dǎo)電圖案可通過真空沉積 或濺射方法形成。
參照圖6B，在形成導(dǎo)電圖案283之后，在包含導(dǎo)電圖案283的第一基板 180上形成絕緣層274。絕緣層274可通過CVD或濺射方法由無機(jī)層形成。然 后在絕緣層274上形成限定像素P的光刻膠圖案275。
參照圖6C，在形成光刻膠圖案275之后，使用光刻膠圖案275作為掩模 蝕刻絕緣層274，從而在像素P的第二區(qū)域P2中形成絕緣圖案276。在第一區(qū) 域P1中暴露第一電極170。
參照圖6D，在形成絕緣圖案276之后，與絕緣圖案276和光刻膠圖案275 一起蝕刻導(dǎo)電圖案283，從而形成輔助電極282和像素分離圖案272。在該施方式中，通過濕刻法蝕刻導(dǎo)電圖案283，從而像素分離圖案272具有底切形狀。
參照圖6E，在形成像素分離圖案272之后，在第一電極170上形成有機(jī) 發(fā)光圖案160、第二電極150和接觸電極152。
第二電極150和接觸電極152—體形成。對于每個像素P通過像素分離圖 案272自動對第二電極150和接觸電極152構(gòu)圖。因此，在第一基板180上形 成了有機(jī)發(fā)光二極管E和接觸電極152。
參照圖6F，在形成有機(jī)發(fā)光二極管E和接觸電極152之后，提供其上形 成有TFT Tr和第一接觸元件142的第二基板110。然后將第一和第二基板180 和110彼此粘接，接觸電極152和第一接觸元件142彼此接觸，由此完成了 OLED顯示器件的制造。
在該實施方式中，沒有形成用于形成像素分離圖案的單獨犧牲層，從而減 少了制造工序的數(shù)量。此外，提高了OLED器件的可靠性和孔徑比。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的OLED器件中，有機(jī)發(fā)光二極管和TFT的陣 列形成在不同的基板上。因此提高了生產(chǎn)率。此外，因為有機(jī)發(fā)光二極管和 TFT之間的電接觸形成在像素P的非發(fā)光部分中，所以進(jìn)一步提高了孔徑比和 亮度。
此外，因為沿像素P外圍形成電接觸，所以有機(jī)發(fā)光二極管與TFT之間 的接觸面積較大，提高了OLED顯示器件的可靠性，并降低了有機(jī)發(fā)光二極 管和TFT的接觸電阻以及OLED顯示器件的驅(qū)動電壓。
此外，因為接觸電極設(shè)置在像素分離圖案的上表面上，所以有機(jī)發(fā)光二極 管和TFT可以通過盒間隙彼此電連接，從而可減小或避免由形成TFT陣列的 基板所導(dǎo)致的有機(jī)發(fā)光二極管的損壞。
此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，因為使用輔助電極形成像素分離圖案，所 以不必形成單獨的犧牲層，從而減少了工序的數(shù)量。
在不脫離本發(fā)明精神或范圍的情況下，在本發(fā)明中可做各種修改和變化， 這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán) 利要求及其等價物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，包括在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一基板上的第一電極，第二區(qū)域基本上圍繞第一區(qū)域；在第二區(qū)域中的第一電極上的像素分離圖案；至少在第一區(qū)域中的有機(jī)發(fā)光圖案；在有機(jī)發(fā)光圖案上的第二電極；在像素分離圖案上的接觸電極，該接觸電極與第二電極電連接；和在面對第一基板的第二基板上的薄膜晶體管，該薄膜晶體管與接觸電極電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，像素分離圖案具有底切形狀。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，進(jìn)一歩包括在第一電極與 像素分離圖案的底切區(qū)域相對應(yīng)的部分上的輔助電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一歩包括在第一基板與 第一電極之間的輔助電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，第二區(qū)域具有圍繞第一區(qū) 域邊緣的框架形狀。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，像素分離圖案由有機(jī)材料、 無機(jī)材料及其疊層中的一個形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一歩包括 在第二基板上的鈍化層，該鈍化層覆蓋薄膜晶體管；和 在鈍化層上的涂層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，進(jìn)一歩包括在涂層上的第 一接觸元件，第一接觸元件與薄膜晶體管電連接并與所述接觸電極接觸，從而 將薄膜晶體管與第二電極電連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括鈍化層上的第 二接觸元件，第二接觸元件與薄膜晶體管的漏極和第一接觸元件電連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，第一接觸元件具有對應(yīng)于 至少第二區(qū)域的形狀。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，進(jìn)一歩包括在接觸電極與 第一接觸元件之間的導(dǎo)電彈性元件。
12. —種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制造方法，該方法包括 在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一基板上形成第一電極，第二區(qū)域基本上圍繞第一區(qū)域；在第二區(qū)域中的第一電極上形成像素分離圖案； 在至少第一 區(qū)域中形成有機(jī)發(fā)光圖案；在有機(jī)發(fā)光圖案上形成第二電極，在像素分離圖案上形成接觸電極，其中 接觸電極與第二電極電連接；提供包含薄膜晶體管的第二基板；和將第一基板與第二基板粘接，將接觸電極與薄膜晶體管電連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成像素分離圖案 的步驟包括在第二區(qū)域中的第一電極上形成導(dǎo)電圖案； 在導(dǎo)電圖案上形成絕緣層；在絕緣層上形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案暴露至少導(dǎo)電圖案的中部； 使用光刻膠圖案作為掩模蝕刻絕緣層，從而形成絕緣圖案；和 使用絕緣圖案作為掩模蝕刻導(dǎo)電圖案，從而形成像素分離圖案。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過在導(dǎo)電 圖案的蝕刻過程中將一部分導(dǎo)電圖案留在第一電極上而形成輔助電極。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成像素分離圖案 的步驟包括在第一電極上形成犧牲圖案；在犧牲圖案上形成絕緣層，該絕緣層具有與犧牲圖案不同的蝕刻選擇性； 在絕緣層上形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案暴露至少犧牲圖案的中部； 使用光刻膠圖案作為掩模蝕刻絕緣層，從而形成絕緣圖案；和 使用絕緣圖案作為掩模蝕刻犧牲圖案，從而形成像素分離圖案。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在第二基板 與第一電極之間形成第三電極。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 在第二基板上形成鈍化層，該鈍化層覆蓋薄膜晶體管；禾口 在鈍化層上形成涂層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在涂層上形成第一接觸元件，第一接觸元件與薄膜晶體管電連接并與所述接觸電極接觸。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在鈍化層上 形成第二接觸元件，第二接觸元件與薄膜晶體管的漏極電連接并與第一接觸元 件接觸。
20. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，接觸電極和第二電極一 體形成。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件包括在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一基板上的第一電極，第二區(qū)域基本上圍繞第一區(qū)域；在第二區(qū)域中的第一電極上的像素分離圖案；至少在第一區(qū)域中的有機(jī)發(fā)光圖案；在有機(jī)發(fā)光圖案上的第二電極；在像素分離圖案上的接觸電極，該接觸電極與第二電極電連接；和在面對第一基板的第二基板上的薄膜晶體管，該薄膜晶體管與接觸電極電連接。
文檔編號H01L27/32GK101202299SQ20071019534
公開日2008年6月18日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月13日
發(fā)明者南宇鎮(zhèn), 李在允, 李文基, 李晙碩, 趙興烈, 金京滿, 金度亨, 金廷炫 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社