專利名稱：監(jiān)測干法刻蝕過程的方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種監(jiān)測方法及系統(tǒng)，尤其是一種監(jiān)測干法刻蝕過程的方法 及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)的制造過程中， 有些流程需要進行干法刻蝕，在玻璃基板上形成所需的膜層圖案?？涛g工 藝通常在等離子體腔室內(nèi)進行，將適當(dāng)量的刻蝕氣體通入到等離子體腔室 中，在高頻波的激發(fā)下形成等離子體，對玻璃基板上沒有被光刻膠保護的 部分進4于刻蝕。
刻蝕過程一般會伴隨有200nm-800nm波段的發(fā)射光譜，該發(fā)射光譜從氣 相反應(yīng)物及被刻蝕膜層表面與等離子反應(yīng)形成的產(chǎn)物基團中釋放出來，隨著 刻蝕反應(yīng)的進行，玻璃基板上表面膜層會逐漸耗盡，上層膜參與等離子體激 發(fā)的化學(xué)反應(yīng)會逐漸減弱，反應(yīng)產(chǎn)物減少。
刻蝕進行到膜層界面時，下層的薄膜將暴露于等離子體的轟擊之下，下 層薄膜表面與等離子體發(fā)生反應(yīng)形成產(chǎn)物基團，隨著反應(yīng)的進行，這種產(chǎn)物 基團逐漸增加。這種等離子體內(nèi)的化學(xué)變化可以通過光傳感器檢測發(fā)射光譜 信號的強度表現(xiàn)出來。通過對反應(yīng)腔室中發(fā)射光譜的波長及強度進行監(jiān)測能 達到監(jiān)測刻蝕過程的目的。IC半導(dǎo)體刻蝕中常用到的刻蝕終點檢測設(shè)備(End Point Detect,簡稱EPD )就是依靠特定發(fā)射光譜的變化來判斷是否達到刻 蝕終點。
TFT產(chǎn)品制造是連續(xù)的批量化生產(chǎn)，對精度要求很高。干刻設(shè)備使用一 定時期以后，工藝室內(nèi)的設(shè)備會發(fā)生一系列的變化，如真空橡膠閥老化，等離子體腔室的內(nèi)壁板上沉積有金屬刻蝕的大量副產(chǎn)物，或副產(chǎn)物堵塞電極氣 體供應(yīng)孔道等。雖然這些變化在設(shè)備自身設(shè)定參數(shù)的變化范圍內(nèi)，并不足以 引起報警，但有時會影響產(chǎn)品質(zhì)量。
目前，常用的設(shè)備方面監(jiān)測的方法是記錄刻蝕過程每一設(shè)定步驟的設(shè)備 參數(shù)(如壓力、氣體流量等)。這種方法由于要記錄的設(shè)備參數(shù)很多，數(shù)據(jù) 量很大，人工記錄數(shù)據(jù)有限，并且對比的效率低，不能及時反應(yīng)設(shè)備的狀態(tài)。 而影響產(chǎn)品質(zhì)量的因素很多，設(shè)備的原因只是其中之一 。
現(xiàn)在常規(guī)的產(chǎn)品監(jiān)測方法大多數(shù)是在刻蝕之后或除膠之后對產(chǎn)品進行分 批抽測，檢查產(chǎn)品的圖案或?qū)﹃P(guān)鍵尺寸進行測定。這種方法效率低且有滯后 性，當(dāng)發(fā)現(xiàn)不良產(chǎn)品時，往往已造成一定損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種監(jiān)測干法刻蝕過程的方法及系統(tǒng)，有效解決現(xiàn) 有監(jiān)測方法程序滯后、效率低等缺陷。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種監(jiān)測干法刻蝕過程的方法，包
括
步驟100、采集等離子體腔室內(nèi)設(shè)定光譜物質(zhì)在刻蝕過程中的光譜參 數(shù)，并根據(jù)所述光i普參數(shù)生成工作變化曲線；
當(dāng)對比偏差超出設(shè)定閾值范圍時，輸出報警信息。 其中，所述步驟IOO具體為
步驟IIO、根據(jù)接收到的開始刻蝕的控制信號，開始采集光語參數(shù)；
步驟120、將所述光譜參數(shù)轉(zhuǎn)換成電壓信號；
步驟130、將所述電壓信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；
步驟140、根據(jù)所述數(shù)字信號生成工作變化曲線。
其中，所述步驟200具體為將工作變化曲線與數(shù)據(jù)庫中存儲的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線進行比較，獲得對比偏差，當(dāng)所述對比偏差超出設(shè)定閾值范圍時， 輸出停機信號和/或報警信息，當(dāng)所述對比偏差未超出設(shè)定閾值范圍時， 輸出正常信息。
所述步驟IOO之前還包括根據(jù)刻蝕物質(zhì)選擇需要監(jiān)測的所述設(shè)定光 i普物質(zhì)。
其中，所述步驟200之后還包括
步驟210、根據(jù)接收到的停機信號控制刻蝕過程停止；
步驟220、將所述對比偏差對應(yīng)的異常數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)庫中的歷史數(shù)據(jù)作
對比，若有記錄，則按照所述數(shù)據(jù)庫中相應(yīng)的診斷信息給出診斷提示；若
無記錄，則執(zhí)行步驟230;
步驟230、對所述工作變化曲線進行分析，并確定診斷信息；
步驟240、將所述異常數(shù)據(jù)及診斷信息存儲到數(shù)據(jù)庫中。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種監(jiān)測干法刻蝕過程的系統(tǒng)，
包括
采集裝置，用于采集等離子體腔室內(nèi)設(shè)定光譜物質(zhì)在刻蝕過程中的光 語參數(shù)；
監(jiān)測裝置，與所述采集裝置相連接，對所述光譜參數(shù)進行處理，根據(jù) 處理結(jié)果判斷所迷刻蝕過程是否正常，并根據(jù)判斷結(jié)果輸出控制信號；
控制裝置，與所述監(jiān)測裝置相連接，根據(jù)所述控制信號控制所述刻蝕 過程的進行。
針對現(xiàn)有監(jiān)測刻蝕工藝的方法僅考慮到硬件的因素、程序滯后、效率 低、損失嚴(yán)重等缺陷，本發(fā)明提供了 一種監(jiān)測干法刻蝕過程的方法及系統(tǒng)， 通過采集等離子體腔室內(nèi)設(shè)定光i普物質(zhì)在刻蝕過程中的光譜參數(shù)，并根據(jù) 光語參數(shù)生成工作變化曲線；根據(jù)工作變化曲線與預(yù)先存儲的標(biāo)準(zhǔn)變化曲 線進行比較得到的對比偏差是否超過設(shè)定閾值范圍來判斷監(jiān)測過程是否 異常。本發(fā)明監(jiān)測及時有效，自動化程度較高，準(zhǔn)確性高，易于實現(xiàn)，有效避免了不良產(chǎn)品的出現(xiàn)。
下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明監(jiān)測干法刻蝕過程的方法流程圖； 圖2為生成工作變化曲線的流程圖3本發(fā)明監(jiān)測干法a-Si刻蝕過程的方法實施例流程圖; 圖4為本發(fā)明監(jiān)測干法刻蝕過程的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
圖1為本發(fā)明監(jiān)測干法刻蝕過程的方法流程圖，具體步驟為
步驟100、采集等離子體腔室內(nèi)設(shè)定光語物質(zhì)在刻蝕過程中的光譜參 數(shù)，并根據(jù)該光i普參數(shù)生成工作變化曲線；
步驟200、將工作變化曲線與預(yù)先存儲的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線進行比較，當(dāng) 對比偏差超出設(shè)定閾值范圍時，輸出報警信息。
本發(fā)明通過將實時采集的刻蝕過程中的光語參數(shù)生成工作變化曲線， 并將該工作變化曲線與標(biāo)準(zhǔn)變化曲線作對比，根據(jù)對比偏差是否超出設(shè)定 的閾值范圍來判斷刻蝕過程是否正常，因此本發(fā)明能及時監(jiān)測和處理刻蝕 過程中的故障，有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量。
圖2為生成工作變化曲線的流程圖，如圖2所示，在上述技術(shù)方案中， 步驟100具體為
步驟IIO、根據(jù)接收到的開始刻蝕的控制信號，開始采集光鐠參數(shù)；
步驟120、將光i普參數(shù)轉(zhuǎn)換成電壓信號；
步驟130、將電壓信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；
步驟140、根據(jù)數(shù)字信號生成工作變化曲線。
進一步地，步驟100之前還包括，根據(jù)刻蝕物質(zhì)選擇需要監(jiān)測的設(shè)定
7光譜物質(zhì)。
其中，步驟200之后還包括
步驟210、根據(jù)接收到的停機信號停止刻蝕過程；
步驟220、將所述對比偏差對應(yīng)的異常數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)庫中的歷史數(shù)據(jù)作 對比，若有記錄，則按照數(shù)據(jù)庫中的相應(yīng)的診斷信息給出診斷提示；若無 記錄，則執(zhí)行步驟230;
步驟230、對工作變化曲線進行分析，并確定診斷信息；
步驟240、將異常數(shù)據(jù)及診斷信息存儲到數(shù)據(jù)庫中。
實施本發(fā)明之前，首先建立數(shù)據(jù)庫。根據(jù)不同膜層的刻蝕物質(zhì)選擇需要 監(jiān)測的設(shè)定光鐠物質(zhì)，確定待測的光譜參數(shù)。本實施例優(yōu)選特定波長的光強 度信號作為光譜參數(shù)。數(shù)據(jù)庫中存儲正?？涛g過程中光強度信號的正常數(shù)據(jù)、 及其生成的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線、以及設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線容許的偏差范圍，即設(shè) 定闊值范圍。此外，還可根據(jù)歷史經(jīng)驗，在數(shù)據(jù)庫中存儲根據(jù)經(jīng)驗已知的各 種異常情況下的光強度信號的異常數(shù)據(jù)、由該異常數(shù)據(jù)生成的異常變化曲線、 以及與每種異常情況對應(yīng)的診斷信息。
在本實施例中，當(dāng)接收到開始刻蝕的控制信號時，開始采集等離子體腔 室內(nèi)的光強度信號，并將光強度信號變換成電壓信號，再經(jīng)模擬/數(shù)字轉(zhuǎn) 換將該電壓信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，之后根據(jù)該數(shù)字信號與時間的關(guān)系實時 生成工作變化曲線。當(dāng)刻蝕過程結(jié)束，工作變化曲線完成。然后將該工作 變化曲線與數(shù)據(jù)庫中的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線進行對比，得到對比偏差。當(dāng)該對比 偏差在設(shè)定的閾值范圍之內(nèi)時，表明刻蝕工藝正常，然后輸出正常信息， 根據(jù)正常信息控制刻蝕工藝進行下一個刻蝕步驟。當(dāng)對比偏差超出了設(shè)定 的閾值范圍時，表明刻蝕工藝出現(xiàn)了異常，發(fā)出報警信息，提醒及時進行 檢查，以避免產(chǎn)生不良產(chǎn)品。同時發(fā)送停機信號使刻蝕工藝停止，以便及 時檢查刻蝕工藝異常的原因。
進一步地，還可以將該異常數(shù)據(jù)及工作變化曲線與數(shù)據(jù)庫中存儲的各種異常情況下的數(shù)據(jù)、及其生成的異常變化曲線作對比，看是否有對應(yīng)的歷 史記錄，若有記錄，則根據(jù)數(shù)據(jù)庫中該異常情況對應(yīng)的診斷信息對刻蝕過程
進行診斷；若無記錄，則人工檢查并給出診斷信息。設(shè)備調(diào)整后，將此次異 常情況的異常數(shù)據(jù)，工作變化曲線以及診斷信息都存儲到數(shù)據(jù)庫中。
本發(fā)明通過采集光譜參數(shù)，不僅能監(jiān)測到刻蝕設(shè)備的異常(如真空橡 膠閥老化，等離子體腔室的內(nèi)壁板上沉積有金屬刻蝕的大量副產(chǎn)物，或副產(chǎn) 物堵塞電極氣體供應(yīng)孔道等)，而且能監(jiān)測到刻蝕薄膜本身出現(xiàn)的異常(如 刻蝕膜層厚度異常，物質(zhì)沉積時受到污染而成份發(fā)生變化或物質(zhì)沉積時受 到腐蝕而成份發(fā)生變化等)，還能進一步監(jiān)測刻蝕過程中等離子體環(huán)境狀 態(tài)變化異常，如與工藝設(shè)定不符、刻蝕殘留等。
因此，本發(fā)明可以對刻蝕過程進行及時有效的監(jiān)測，自動化程度較 高，準(zhǔn)確性高，易于實現(xiàn)，有效避免了不良產(chǎn)品的出現(xiàn)。
圖3為本.發(fā)明監(jiān)測干法a-Si刻蝕過程的方法實施例流程圖，如圖3所示， 具體包括
步驟310、根據(jù)開始a-Si刻蝕的控制信號，采集SiFx的光強度信號； 步驟320、將SiFx的光強度信號轉(zhuǎn)化為電壓信號； 步驟330、將電壓信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號； 步驟340、根據(jù)數(shù)字信號生成工作變化曲線；
步驟350、將工作變化曲線與標(biāo)準(zhǔn)變化曲線做對比，得到對比偏差； 步驟360、判斷對比偏差是否超出設(shè)定閾值范圍；是則執(zhí)行步驟370，否 則執(zhí)行步驟361;
步驟361、輸出正常信息；
步驟362、進行下一刻蝕步驟；
步驟370、輸出停機信號和報警信息；
步驟380、根據(jù)停機信號控制a-S i刻蝕過程停止；
步驟390、將異常數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)庫中的歷史數(shù)據(jù)做對比；步驟400、判斷數(shù)據(jù)庫中有無歷史記錄，若有，則執(zhí)行步驟401,無則執(zhí) 行步驟410;
步驟401、根據(jù)數(shù)據(jù)庫中對應(yīng)的診斷信息對刻蝕過程進行診斷； 步驟410、對本次刻蝕異常情況進行診斷； 步驟420、將本次異常數(shù)據(jù)及診斷信息存儲到數(shù)據(jù)庫中。 本實施例以六氟化硫SF6氣體對TFT有源層a-Si層進行等離子體刻 蝕過程為例，首先建立數(shù)據(jù)庫，根據(jù)SF6氣體刻蝕a-Si層時的主要產(chǎn)物為 SiFx，所以本實施例選擇氟化硅SiFx作為設(shè)定光語物質(zhì)。并選擇SiFx的特 定波長的光強度信號作為光譜參數(shù)。數(shù)據(jù)庫中存儲正常a-Si刻蝕過程中光強 度信號的正常數(shù)據(jù)、由正常數(shù)據(jù)生成的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線、以及正常數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn) 變化曲線容許的偏差范圍，即設(shè)定閾值范圍。本實施例還4艮據(jù)歷史經(jīng)驗，在 數(shù)據(jù)庫中存儲根據(jù)經(jīng)驗已知的各種異常情況下的光強度信號的異常數(shù)據(jù)、由 該異常數(shù)據(jù)生成的工作變化曲線、以及與每種異常情況對應(yīng)的診斷信息。
具體地，當(dāng)a-Si刻蝕工藝開始進行時，開始采集等離子體腔室內(nèi)SiFx 的光強度信號，并將光強度信號轉(zhuǎn)換成電壓信號，再經(jīng)模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換將 該電壓信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，之后根據(jù)該數(shù)字信號與時間的關(guān)系實時生成 工作變化曲線，當(dāng)a-Si刻蝕過程結(jié)束，工作變化曲線完成。然后將該工 作變化曲線與數(shù)據(jù)庫中的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線進行對比，得到對比偏差。當(dāng)對比 偏差在設(shè)定的閾值范圍之內(nèi)時，表明a-Si刻蝕過程正常，然后輸出正常 信息，a-Si刻蝕工藝進行下一個刻蝕步驟。當(dāng)對比偏差超出了設(shè)定的閾 值范圍時，表明a-Si刻蝕工藝出現(xiàn)了異常，這時發(fā)出報警信息，提醒及 時進行檢查，以避免產(chǎn)生不良產(chǎn)品。同時發(fā)送停機信號使a-Si刻蝕工藝 停止，以便及時檢查a-Si刻蝕工藝的異常原因。
進一步地，還可以將該異常數(shù)據(jù)及工作變化曲線與數(shù)據(jù)庫中存儲的各 種異常情況下的數(shù)據(jù)、由該異常數(shù)據(jù)生成的異常變化曲線作對比，看是否有 對應(yīng)的歷史記錄，若有記錄，則根據(jù)數(shù)據(jù)庫中與該異常情況對應(yīng)的診斷信息對a-Si刻蝕過程進行診斷；若無記錄，則人工檢查并給出診斷信息。設(shè)備調(diào) 整后，將此次異常情況的異常數(shù)據(jù)、由該異常數(shù)據(jù)生成的工作變化曲線以及 診斷信息都存儲到數(shù)據(jù)庫中，以方便之后的監(jiān)測。
本發(fā)明能對a-Si刻蝕過程進行及時有效的監(jiān)測，自動化程度較高， 準(zhǔn)確性高，易于實現(xiàn)，有效避免了不良產(chǎn)品的出現(xiàn)。
圖4為本發(fā)明監(jiān)測干法刻蝕過程的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，本發(fā) 明監(jiān)測干法刻蝕過程的系統(tǒng)包括采集裝置1,監(jiān)測裝置2和控制裝置3。 其中采集裝置1用于采集刻蝕設(shè)備4內(nèi)設(shè)定光語物質(zhì)在刻蝕過程中的光語 參數(shù)。監(jiān)測裝置2與釆集裝置1相連接，用于對光語參數(shù)進行處理，根據(jù) 處理結(jié)果判斷刻蝕過程是否正常，并根據(jù)判斷結(jié)果輸出控制信號?？刂蒲b 置3與監(jiān)測裝置2相連接，還與刻蝕設(shè)備4相連，根據(jù)接收到的監(jiān)測裝置 2的控制信號控制刻蝕過程的進行。
實施本發(fā)明之前，首先建立數(shù)據(jù)庫。然后根據(jù)不同膜層的刻蝕物質(zhì)選擇 需要監(jiān)測的設(shè)定光語物質(zhì)，并確定待測的光語參數(shù)，本實施例優(yōu)選特定波長 的光強度信號作為光語參數(shù)。數(shù)據(jù)庫中存儲正?？涛g過程中光強度信號的正 常數(shù)據(jù)、由正常數(shù)據(jù)生成的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線、以及正常數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)變化曲線容 許的偏差范圍，即設(shè)定閾值范圍。本實施例還根據(jù)歷史經(jīng)驗，在數(shù)據(jù)庫中存 儲根據(jù)經(jīng)驗已知的各種異常情況下的光強度信號的異常數(shù)據(jù)、由該異常數(shù)據(jù) 生成的異常變化曲線、以及與每種異常情況對應(yīng)的診斷信息。
在本實施例中，當(dāng)控制裝置3控制刻蝕工藝開始進行時，同時發(fā)送給監(jiān) 測裝置2開始監(jiān)測的控制信號，監(jiān)測裝置2接收該控制信號，立即控制采集 裝置1開始釆集等離子體腔室內(nèi)的光強度信號，監(jiān)測裝置2將接收到的該 光強度信號變換成電壓信號，再經(jīng)模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換將該電壓信號轉(zhuǎn)換成數(shù) 字信號，監(jiān)測裝置2對整個刻蝕過程中接收的數(shù)字信號進行記錄并根據(jù)該 數(shù)字信號與時間的關(guān)系實時生成工作變化曲線，當(dāng)刻蝕過程結(jié)束，工作變 化曲線完成。然后將該工作變化曲線與數(shù)據(jù)庫中的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線進行對比，得到對比偏差。當(dāng)該對比偏差在設(shè)定的閾值范圍之內(nèi)時，表明刻蝕過
程正常，然后監(jiān)測裝置2給控制裝置3正常信息，控制裝置3根據(jù)該正常 信息控制刻蝕工藝進行下一個刻蝕步驟。當(dāng)對比偏差超出了設(shè)定的閾值范 圍，表明刻蝕工藝出現(xiàn)了異常，這時監(jiān)測裝置2會發(fā)出報警信息，提醒及 時進行檢查，以避免產(chǎn)生不良產(chǎn)品。同時發(fā)送停機信號給控制裝置3,控 制裝置3根據(jù)停止信號控制刻蝕設(shè)備4停止刻蝕工藝，以便及時檢查刻蝕 工藝的異常原因。
進一步地，監(jiān)測裝置2還可以將該異常數(shù)據(jù)及工作變化曲線與數(shù)據(jù)庫 中存儲的各種異常情況下的數(shù)據(jù)、由該異常數(shù)據(jù)生成的異常變化曲線作對 比，看是否有對應(yīng)的歷史記錄，若有記錄，則根據(jù)數(shù)據(jù)庫中與該異常情況對 應(yīng)的診斷信息對刻蝕過程進行診斷；若無記錄，則人工檢查并給出診斷信息。 設(shè)備調(diào)整后，將此次異常情況的異常數(shù)據(jù)、由該異常數(shù)據(jù)生成的異常變化曲 線以及診斷信息都存儲到數(shù)據(jù)庫中，以方便之后的監(jiān)測。
本發(fā)明通過設(shè)置監(jiān)測裝置并采集光i普參數(shù)，不僅能監(jiān)測到刻蝕設(shè)備的 異常(如真空橡膠閥老化，等離子體腔室的內(nèi)壁板上沉積有金屬刻蝕的大量 副產(chǎn)物，或副產(chǎn)物堵塞電極氣體供應(yīng)孔道等)，而且能監(jiān)測到刻蝕薄膜本身 出現(xiàn)的異常(如刻蝕膜層厚度異常，物質(zhì)沉積時受到污染而成份發(fā)生變化 或物質(zhì)沉積時受到腐蝕而成份發(fā)生變化等)，還能進一步監(jiān)測刻蝕過程中 等離子體環(huán)境狀態(tài)變化異常，如與工藝設(shè)定不符，刻蝕殘留等。
本發(fā)明能對刻蝕過程進行及時有效的監(jiān)測，自動化程度高，準(zhǔn)確度高， 節(jié)省了時間，提高了效率。
最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對 其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述實施例所記載的技術(shù)方案進行修 改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不 使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1. 一種監(jiān)測干法刻蝕過程的方法，其特征在于包括步驟100、采集等離子體腔室內(nèi)設(shè)定光譜物質(zhì)在刻蝕過程中的光譜參數(shù)，并根據(jù)所述光譜參數(shù)生成工作變化曲線；步驟200、將所述工作變化曲線與預(yù)先存儲的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線進行比較，當(dāng)對比偏差超出設(shè)定閾值范圍時，輸出報警信息。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測干法刻蝕過程的方法，其特征在于，所 述步驟100具體為步驟IIO、根據(jù)接收到的開始刻蝕的控制信號，開始采集光語參數(shù)； 步驟120、將所述光i普參數(shù)轉(zhuǎn)換成電壓信號； 步驟130、將所述電壓信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號； 步驟140、根據(jù)所述數(shù)字信號生成工作變化曲線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測干法刻蝕過程的方法，其特征在于，所 述步驟200具體為將工作變化曲線與數(shù)據(jù)庫中存儲的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線進行 比較，獲得對比偏差，當(dāng)所述對比偏差超出設(shè)定閾值范圍時，輸出停機信 號和/或報警信息，當(dāng)所述對比偏差未超出設(shè)定閾值范圍時，輸出正常信 息。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測干法刻蝕過程的方法，其特征在于，所 述步驟IOO之前還包括步驟根據(jù)刻蝕物質(zhì)選擇需要監(jiān)測的所述設(shè)定光語物質(zhì)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的監(jiān)測干法刻蝕過程的方法，其特征在于，所 述200之后還包括步驟步驟210、根據(jù)接收到的停機信號控制刻蝕過程停止；步驟220、，將所述對比偏差對應(yīng)的異常數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)庫中的歷史數(shù)據(jù)作對比，若有記錄，則按照所述數(shù)據(jù)庫中相應(yīng)的診斷信息給出診斷提示；若無記錄，則執(zhí)行步驟230;步驟240、將所述異常數(shù)據(jù)及診斷信息存儲到數(shù)據(jù)庫中。
6.—種監(jiān)測干法刻蝕過程的系統(tǒng)，其特征在于，包括 采集裝置，用于采集等離子體腔室內(nèi)設(shè)定光i普物質(zhì)在刻蝕過程中的光 譜參數(shù)；監(jiān)測裝置，與所述采集裝置相連接，對所述光譜參數(shù)進行處理，根據(jù) 處理結(jié)果判斷所述刻蝕過程是否正常，并根據(jù)判斷結(jié)果輸出控制信號；控制裝置，與所述監(jiān)測裝置相連接，根據(jù)所述控制信號控制所述刻蝕 過程的進行。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種監(jiān)測干法刻蝕過程的方法及系統(tǒng)，通過采集等離子體腔室內(nèi)設(shè)定光譜物質(zhì)在刻蝕過程中的光譜參數(shù)，并根據(jù)光譜參數(shù)生成工作變化曲線；通過工作變化曲線與預(yù)先存儲的標(biāo)準(zhǔn)變化曲線進行對比，根據(jù)得到的對比偏差是否超過設(shè)定閾值范圍來判斷刻蝕過程是否異常。本發(fā)明監(jiān)測及時有效，自動化程度較高，準(zhǔn)確性高，易于實現(xiàn)，有效避免了不良產(chǎn)品的出現(xiàn)。
文檔編號H01L21/00GK101441984SQ200710177920
公開日2009年5月27日 申請日期2007年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月22日
發(fā)明者賀 周, 常有軍 申請人:北京京東方光電科技有限公司