亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

堆疊封裝及其制造方法

文檔序號(hào):7236326閱讀:359來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):堆疊封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種堆疊封裝及其制作方法,并且尤其涉及到一種能 夠提高在彼此堆疊的半導(dǎo)體芯片之間的電連接特性、并提高封裝產(chǎn)量 的堆疊封裝,以及該堆疊封裝的制作方法。
背景技術(shù)
最近幾年,消費(fèi)者需求已經(jīng)逐漸轉(zhuǎn)向小、輕、高速和高容量的電 子產(chǎn)品。為了滿足對(duì)小型電子產(chǎn)品的需求,半導(dǎo)體芯片封裝已變得越 來(lái)越小和越來(lái)越輕。為了滿足上述需求,研究方向已逐漸轉(zhuǎn)移到封裝 技術(shù),比如其中不再使用現(xiàn)有引線鍵合方法的倒裝芯片,以使得半導(dǎo) 體芯片不與晶片分離的狀態(tài)來(lái)封裝的晶片級(jí)封裝,等等。特別是,以如下結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)了堆疊封裝,在所述結(jié)構(gòu)中,利用在半 導(dǎo)體芯片中形成的貫通通孔來(lái)形成金屬貫通電極,這些金屬貫通電極 隨后彼此直接連接,使得半導(dǎo)體芯片彼此直接連接。在這樣的情況下, 由于沒(méi)有使用鍵合引線,所以堆疊封裝能夠具有小的外形因數(shù) (form-factor)。另外,因?yàn)榻饘儇炌姌O的長(zhǎng)度比鍵合引線的長(zhǎng)度短, 所以高性能、高速和低能耗的堆疊封裝成為可能。圖1是顯示傳統(tǒng)堆疊封裝的結(jié)構(gòu)的截面圖,圖2是顯示在切割成 單個(gè)半導(dǎo)體芯片之前的晶片的平面視圖。參考圖1和2,金屬襯墊40和鈍化層(未表示)首先被堆疊在半 導(dǎo)體芯片90上,隨后被圖案化。接下來(lái),在半導(dǎo)體芯片90上形成再 分布圖案35,該再分布圖案35將金屬襯墊40電連接到在與金屬襯墊 40分開(kāi)的位置處的金屬貫通電極30。形成再分布圖案35的方法如下首先,在由劃線80所定義的區(qū) 域中設(shè)置金屬貫通電極30的位置,該劃線80是單獨(dú)邊界線或半導(dǎo)體 芯片90的切割線,并且利用激光鉆孔在金屬貫通電極30的位置處形 成貫通通孔95。籽晶金屬層34被沉積在貫通通孔95中,并隨后通過(guò) 包括曝光和顯影工藝的光刻工藝圖案化成預(yù)定的形狀以形成再分布圖 案35。 g卩,再分布圖案35通過(guò)光刻工藝來(lái)形成,并且除了再分布圖案 35之外的其他部分都被刻蝕工藝移除。如果再分布圖案35是通過(guò)在包括有貫通通孔95和金屬襯墊40的 預(yù)定區(qū)域中沉積籽晶金屬層34、然后對(duì)籽晶金屬層34進(jìn)行圖案化而形 成的,則通過(guò)用電鍍工藝在貫通通孔95中填充金屬材料來(lái)形成金屬貫 通電極30。接下來(lái),實(shí)施背疊(back lap)工藝,以降低半導(dǎo)體芯片90 的厚度,并且隨后使用焊球或凸塊20將半導(dǎo)體芯片90的金屬貫通電 極30彼此連接起來(lái),以便半導(dǎo)體芯片90能夠彼此電連接。通過(guò)使用 焊球或凸塊20,將彼此電連接的半導(dǎo)體芯片90連接到基底10的各電 極。然而,根據(jù)該常規(guī)方法,由于金屬貫通電極30的位置是通過(guò)劃線 80來(lái)定義的,所以對(duì)于金屬襯墊40或金屬貫通電極30的位置設(shè)置就 只有有限的方案可供選用。而且,當(dāng)沿著劃線80來(lái)切割半導(dǎo)體芯片90 時(shí),在再分布圖案35或金屬貫通電極30的位置處可能產(chǎn)生裂縫。這 會(huì)導(dǎo)致如下的幾個(gè)問(wèn)題可能降低產(chǎn)量,在為了形成貫通通孔95而進(jìn) 行鉆孔期間可能破壞晶片或半導(dǎo)體芯片90,需要用于除去與形成貫通 通孔95相關(guān)的雜質(zhì)的工藝,雜質(zhì)可能會(huì)引起電流漏泄,并且整個(gè)工藝會(huì)變得更復(fù)雜。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中的上述和其他不足。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了一種堆疊封裝,該堆疊封裝不僅能夠提高堆疊封裝 的電學(xué)性質(zhì),而且能夠通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝提高堆疊封裝的可靠性和批量 生產(chǎn)的產(chǎn)量,還提供了一種制造該堆疊封裝的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種堆疊封裝,該堆疊封裝包括 每一個(gè)具有鍵合襯墊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片;每一個(gè)具有用于插入半導(dǎo)體芯片的空腔和位于半導(dǎo)體芯片與空腔的側(cè)壁之間的互連端子槽的多個(gè) 插入器; 一把鍵合襯墊連接到形成于互連端子槽內(nèi)的互連端子的再分 布圖案,其中研磨插入器的背面從而使互連端子暴露出來(lái)。


本發(fā)明的以上和其他特征以及優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)其中參照附圖的的詳細(xì)實(shí)施例的描述變得更明顯,其中圖1是顯示傳統(tǒng)堆疊封裝的結(jié)構(gòu)的截面圖;圖2是顯示切割成單個(gè)半導(dǎo)體芯片之前的晶片的平面視圖;圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的堆疊封裝的結(jié)構(gòu)的截面圖;圖4至6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的堆疊封裝的制作方法的截面圖;圖7是圖3的堆疊封裝的平面視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將在下文中參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更充分的描述,在圖中示 出了本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例。但是本發(fā)明可以以不同的形式來(lái)具體實(shí) 現(xiàn),并且不應(yīng)僅限于在此闡明的各實(shí)施例。圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的堆疊封裝200的結(jié)構(gòu)的截面 圖。參考此圖,堆疊封裝200包括半導(dǎo)體芯片110和插入器100。每個(gè)半導(dǎo)體芯片110被插入到相應(yīng)的一個(gè)插入器100中。在堆疊封裝200 中,以垂直的布局來(lái)堆疊半導(dǎo)體芯片110和插入器100。在每個(gè)半導(dǎo)體 芯片110上形成有鍵合襯墊130,該鍵合襯墊130被暴露出以便為了提 供信號(hào)或電力的目的而被連接到引線(未示出)或再分布圖案150,還 形成有鈍化層120,該鈍化層120用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片IIO的表面。例 如,可以以鋁層的形式來(lái)形成鍵合襯墊130,可以以氮化硅層(SiN) 的形式來(lái)形成鈍化層120。半導(dǎo)體芯片IIO可以被垂直堆疊,同時(shí)每個(gè)半導(dǎo)體芯片lio被插 入到插入器100中。插入器100包括面積比半導(dǎo)體芯片110寬的空腔 102 (圖4所示),作為在其中插入半導(dǎo)體芯片IIO的位置,還包括互 連端子槽170,該互連端子槽170是由于空腔102和半導(dǎo)體芯片110之 間的面積差異而在空腔102中產(chǎn)生的空間。換句話說(shuō),互連端子槽包 括在半導(dǎo)體芯片110和空腔102側(cè)壁之間的空腔102的一部分?;ミB 端子槽170的一部分被填充金屬材料,以形成互連端子160。在插入器 100中形成的互連端子160經(jīng)由再分布圖案150連接到鍵合襯墊130。圖4到6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的用于制造堆疊封裝200 的方法的截面圖。圖7是圖3的堆疊封裝200的平面視圖。在下文中, 將根據(jù)圖3至7來(lái)描述堆疊封裝200及其制作方法。參照?qǐng)D4,準(zhǔn)備了半導(dǎo)體芯片110,該半導(dǎo)體芯片11例如被測(cè)試 工藝判定為合格產(chǎn)品(半導(dǎo)體芯片110可被描述為已知合格芯片 (KGD))。堆疊多個(gè)插入器100,以及通過(guò)每一個(gè)都是對(duì)插入器100 的背面進(jìn)行研磨而被暴露出來(lái)的每個(gè)互連端子160相互連接起來(lái),以 便多個(gè)半導(dǎo)體芯片110互相堆疊并互相電連接。在本圖中以通過(guò)切割 工藝而從晶片分割下來(lái)的單個(gè)芯片的形式示出了半導(dǎo)體芯片110。但 是,根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體芯片110被插入到 插入器100中,并且在插入器100和晶片之間的間隙中形成互連端子 160。因此,可以形成如下的晶片-晶片堆疊結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中,每一個(gè)都具有互連端子160的多個(gè)插入器100彼此堆疊。可以使用硅晶片、玻璃基底、或印刷電路板(PCB)來(lái)作為本發(fā) 明的插入器100。而且,還可以使用任何能夠形成互連端子160、并能 夠允許通過(guò)研磨插入器100的背面而暴露出互連端子160的材料來(lái)作 為插入器100。盡管在本圖中示出了通過(guò)切割晶片而形成的插入器100, 但未切割的硅晶片本身也可以作為本發(fā)明的實(shí)施例。S卩,在通過(guò)切割 晶片而形成的插入器的情況下、或在硅晶片本身的情況下,均可以堆 疊本發(fā)明的插入器IOO。當(dāng)堆疊的插入器是晶片狀態(tài)時(shí),在該晶片狀態(tài) 的插入器上形成再分布圖案,并且通過(guò)研磨插入器的背面暴露出互連 端子。然后,晶片狀態(tài)的插入器被堆疊、并隨后被切割,或被切割、 并隨后被堆疊。在插入器100中形成空腔102,隨后半導(dǎo)體芯片110被插入到該 空腔102中。盡管空腔102的深度沒(méi)有受到限制,但是空腔102的面 積應(yīng)該比半導(dǎo)體芯片110的面積大。這是因?yàn)?,互連端子槽170是在 由于空腔102和半導(dǎo)體芯片IIO之間的面積差而形成的空間內(nèi)提供的。 同樣,半導(dǎo)體芯片110的扇出(fan out)是指,如果半導(dǎo)體芯片110 的尺寸小到難以設(shè)置大量的引腳和焊球的程度,則使用附加的部件對(duì) 將在其中設(shè)置引腳或焊球等互連元件的區(qū)域進(jìn)行延展。在本發(fā)明中, 半導(dǎo)體芯片110的扇出可以通過(guò)插入器IOO來(lái)實(shí)現(xiàn)。至此,插入器100 比半導(dǎo)體芯片110的面積寬,寬出的面積是在實(shí)現(xiàn)芯片110的扇出時(shí) 所需要的面積。參照?qǐng)D5,通過(guò)在互連端子槽170中電鍍金屬形成互連端子160。 根據(jù)一些實(shí)施例,可以通過(guò)對(duì)位于半導(dǎo)體芯片110和互連端子槽170 表面上的籽晶金屬層140進(jìn)行圖案化、并在籽晶金屬層140上電鍍金 屬,來(lái)形成把互連端子160與鍵合襯墊130相連接的再分布圖案150。 例如,通過(guò)濺射工藝,在鈍化層120或互連端子槽170上沉積Ti/Cu 層,然后通過(guò)包括曝光和刻蝕工藝在內(nèi)的光刻工藝,將籽晶金屬層圖案化為期望的形狀。根據(jù)其他的實(shí)施例,可以在鈍化層和互連端子槽 170上直接對(duì)再分布圖案150進(jìn)行圖案化,而不需要形成籽晶金屬層 140。使用光刻工藝、電鍍或類(lèi)似的工藝進(jìn)行圖案化的任意方法都可以 用來(lái)直接形成再分布圖案150。如果插入器100的背面B被研磨直到線A-A',則暴露出互連端子 160。當(dāng)多個(gè)插入器IOO彼此堆疊時(shí),外部連接端子180將暴露出的互 連端子160彼此連接起來(lái),或者將互連端子160連接到基底襯墊197。 外部連接端子180可以是由銅、金、鎳等制成的焊球或金屬凸塊。模 塊基底190包括光阻焊層195和基底襯墊197。作為絕緣鈍化層的光阻 焊層195被形成,以使得在模塊基底190上形成的基底襯墊197暴露 出來(lái)?;滓r墊197連接到模塊基底190的配線,以將信號(hào)和電源傳 送到基底襯墊197。在堆疊封裝200中,半導(dǎo)體芯片110被插入到具有空腔102的插 入器100,并且金屬被填充在由于空腔102與半導(dǎo)體芯片110之間的面 積差而形成的互連端子槽170中,從而形成互連端子160。接下來(lái),通 過(guò)研磨插入器100的背面而暴露出互連端子160,插入器IOO彼此堆疊, 然后相對(duì)于互連端子160來(lái)實(shí)現(xiàn)電連接。這樣的結(jié)構(gòu)比在其中利用激 光切割而形成貫通通孔并隨后在該貫通通孔中形成金屬貫通電極的傳 統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單得多。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中的結(jié)構(gòu),能夠顯著減少由于 激光切割而產(chǎn)生的雜質(zhì)和裂縫,能夠提高晶片堆疊封裝的產(chǎn)量,并能 夠避免晶片破損。此外,由于能夠?qū)崿F(xiàn)諸如晶片-晶片和單芯片-單芯片 的堆疊之類(lèi)的各種實(shí)施例,因此本結(jié)構(gòu)具有很好的工藝適用性。同樣, 由于可以使用本發(fā)明的堆疊結(jié)構(gòu)將半導(dǎo)體芯片110嵌入到插入器100 中,所以本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的可靠性要比在其中形成貫通通孔的傳統(tǒng)堆疊 結(jié)構(gòu)優(yōu)越得多?;ミB端子160和外部連接端子180的互連長(zhǎng)度都縮短 了,其互連密度得到了提高,并且堆疊封裝200的電學(xué)性質(zhì)得到了顯 著提高。因此,實(shí)現(xiàn)了高速、高容量和多功能的封裝。參照?qǐng)D7,在互連端子槽170的一部分中填充彈性體175。彈性體 175指的是如果受到外力拉伸便會(huì)延長(zhǎng)、而如果外力撤銷(xiāo)便會(huì)恢復(fù)到原 始長(zhǎng)度的聚合體。替代地,具有顯著彈性的聚合體材料也可稱(chēng)為塑性 體(plastomer)。彈性體175的代表性例子為彈性橡膠,比如丁二烯 或苯乙烯,和彈性纖維,比如氨綸(spandex)。彈性體175用來(lái)保護(hù) 互連端子160免受外力,并且保護(hù)互連端子160的互連穩(wěn)定性。此外,還可以在空腔102中提供對(duì)準(zhǔn)器115。當(dāng)將半導(dǎo)體芯片110 插入到空腔102中時(shí),對(duì)準(zhǔn)器115用來(lái)對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片UO的位置。 對(duì)準(zhǔn)器115不限于圖示的形狀,而可以有各種其它形狀和或不規(guī)則的 形狀。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的堆疊封裝的制作方法將簡(jiǎn)要描述如 下首先,將半導(dǎo)體芯片110插入至具有空腔102的插入器100中。 形成將互連端子160連接到鍵合襯墊130的再分布圖案150,以及在互 連端子槽170中形成互連端子160。通過(guò)研磨插入器100的背面而暴露 出互連端子160。根據(jù)需要,可以在互連端子槽170的一部分中填充彈 性體175。然后,至少一個(gè)或多個(gè)插入器IOO彼此堆疊,互連端子160 互相連接。當(dāng)將堆疊的插入器IOO裝配到模塊基底190上時(shí),互連端 子160連接至基底襯墊197,從而完成堆疊封裝。如上所述,在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的堆疊封裝和制作堆疊封 裝的方法中,能夠顯著減少由于激光切割產(chǎn)生的雜質(zhì)和裂縫,能夠提 高晶片堆疊封裝的產(chǎn)量,并避免晶片的破損。此外,由于能夠?qū)崿F(xiàn)諸 如晶片-晶片和單芯片-單芯片之類(lèi)的堆疊的各種實(shí)施例,所以本發(fā)明的 結(jié)構(gòu)具有很好的工藝適用性。同樣,由于可以使用本發(fā)明的堆疊結(jié)構(gòu) 來(lái)將半導(dǎo)體芯片嵌入到插入器中,因此該結(jié)構(gòu)的可靠性要比在其中形成貫通通孔的傳統(tǒng)堆疊結(jié)構(gòu)優(yōu)越得多。由于互連端子與外部連接端子 的互連長(zhǎng)度和互連密度得到了改進(jìn),并且堆疊封裝的電學(xué)性質(zhì)得到顯 著提高,因此實(shí)現(xiàn)了高速、高容量和多功能的封裝。11根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種堆疊封裝,該堆疊封裝包括 每一個(gè)具有鍵合襯墊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片;多個(gè)插入器,每個(gè)均具有在其中放置半導(dǎo)體芯片的空腔、以及位于半導(dǎo)體芯片與空腔的側(cè)壁之間 的互連端子槽;以及把鍵合襯墊連接到位于互連端子槽內(nèi)的互連端子 的再分布圖案,其中通過(guò)插入器的背面暴露出互連端子。這里,多個(gè)插入器可以相互堆疊,并且暴露出的互連端子可以相 互連接,以使得多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互堆疊并且電連接。堆疊封裝可以 進(jìn)一步包括在互連端子槽的一部分中填充的彈性體。插入器可以是硅 晶片、玻璃基底和印刷電路板(PCB)中的一種。插入器可包括從晶片 切割下的一部分,或者包括硅晶片本身。插入器的面積可以比半導(dǎo)體 芯片的面積寬,寬出的面積是在實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的扇出時(shí)所需的面積。 堆疊封裝可以進(jìn)一步包括從鍵合襯墊到互連端子槽的圖案化的籽晶金 屬層。再分布圖案和互連端子可被鍍?cè)谧丫Ы饘賹由?。堆疊封裝可進(jìn) 一步包括在半導(dǎo)體芯片和籽晶金屬層之間形成的鈍化層。堆疊封裝可 以進(jìn)一步包括當(dāng)多個(gè)插入器彼此堆疊時(shí),將暴露出的互連端子彼此互 連起來(lái)的外部連接端子。堆疊封裝可以進(jìn)一步包括具有在其上堆疊了 一個(gè)或多個(gè)插入器的基底襯墊的模塊基底。互連端子可以連接至基底 襯墊。堆疊封裝可進(jìn)一步包括當(dāng)將半導(dǎo)體芯片插入至空腔中時(shí),用來(lái) 對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片的位置的對(duì)準(zhǔn)器。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種堆疊封裝,該堆疊封裝包括 至少一個(gè)或多個(gè)插入器,在該插入器中插入具有鍵合襯墊的半導(dǎo)體芯 片,由于半導(dǎo)體芯片與其中插入半導(dǎo)體芯片的空腔之間的面積差而形 成的互連端子槽,以及在互連端子槽中形成被連接到鍵合襯墊的互連 端子,其中插入器彼此堆疊,并且互連端子相互連接,使得至少一個(gè) 或多個(gè)半導(dǎo)體芯片彼此堆疊并相互電連接??梢酝ㄟ^(guò)研磨插入器的背面直至暴露出互連端子槽,來(lái)暴露出互連端子。堆疊封裝可以進(jìn)一步包括在互連端子槽的一部分中填充的彈 性體。插入器可以是硅晶片、玻璃基底和印刷電路板(PCB)中的一種。 插入器可以包括被切割的晶片的一部分,或者包括硅晶片本身。插入 器的面積比半導(dǎo)體芯片的面積寬,寬出的面積是在實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的 扇出時(shí)所需的面積。堆疊封裝可進(jìn)一步包括當(dāng)將半導(dǎo)體芯片插入至空 腔時(shí)用來(lái)對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片的位置的對(duì)準(zhǔn)器。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種制作堆疊封裝的方法,該方 法包括將半導(dǎo)體芯片插入到具有空腔的插入器中;在由于空腔和半 導(dǎo)體芯片之間的面積差而形成的互連端子槽中形成互連端子,以及將 互連端子連接到在半導(dǎo)體芯片上形成的鍵合襯墊;研磨插入器的背面 以暴露出互連端子;以及堆疊至少一個(gè)或多個(gè)插入器,并將互連端子 彼此連接起來(lái)。這里,封裝堆疊封裝的方法可以進(jìn)一步包括在互連端子槽的一部 分中填充彈性體。插入器可以包括被切割的晶片的一部分,或者包括 硅晶片本身。雖然已參考示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明,但本領(lǐng)域技 術(shù)人員能夠理解在不脫離通過(guò)所附的權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明的精神 和范圍的情況下,可以在其中做出各種形式與細(xì)節(jié)上的變動(dòng)。
權(quán)利要求
1.一種堆疊封裝,包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片,每個(gè)半導(dǎo)體芯片均具有鍵合襯墊;多個(gè)插入器,每個(gè)插入器均具有在其中設(shè)置有所述半導(dǎo)體芯片的空腔、以及在所述半導(dǎo)體芯片與所述空腔側(cè)壁之間的互連端子槽;以及再分布圖案,所述再分布圖案將所述鍵合襯墊連接到在所述互連端子槽中設(shè)置的互連端子,其中,所述互連端子通過(guò)插入器的背面而暴露出來(lái)。
2. 如權(quán)利要求l所述的堆疊封裝,其中,所述多個(gè)插入器相互堆 疊,并且所述暴露出來(lái)的互連端子相互連接,以使得所述多個(gè)半導(dǎo)體 芯片相互堆疊并電連接。
3. 如權(quán)利要求l所述的堆疊封裝,進(jìn)一步包括彈性體,所述彈性 體填充在所述互連端子槽的一部分中。
4. 如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝,其中,所述插入器包括硅晶片、 玻璃基底和印刷電路板(PCB)中的一種。
5. 如權(quán)利要求l所述的堆疊封裝,其中,所述插入器包括從晶片 切割下的部分,或者包括硅晶片本身。
6. 如權(quán)利要求l所述的堆疊封裝,其中,每個(gè)插入器的面積比所 述半導(dǎo)體芯片的面積寬,寬出的面積是在實(shí)現(xiàn)所述半導(dǎo)體芯片的扇出 時(shí)所需的面積。
7. 如權(quán)利要求l所述的堆疊封裝,進(jìn)一步包括從所述鍵合襯墊至 所述互連端子槽設(shè)置的籽晶金屬層,其中,所述再分布圖案和所述互連端子被鍍?cè)谒鲎丫Ы饘賹由稀?br> 8. 如權(quán)利要求7所述的堆疊封裝,進(jìn)一步包括鈍化層,所述鈍化 層設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述籽晶金屬層之間。
9. 如權(quán)利要求l所述的堆疊封裝,進(jìn)一步包括外部連接端子,所述外部連接端子將所述暴露出來(lái)的互連端子相互電連接起來(lái)。
10. 如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝,進(jìn)一步包括模塊基底,所述模塊基底具有基底襯墊,在其上堆疊一個(gè)或多個(gè)插入器, 其中,所述互連端子被連接至所述基底襯墊。
11. 如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝,進(jìn)一步包括對(duì)準(zhǔn)器,所述對(duì) 準(zhǔn)器用于當(dāng)將所述半導(dǎo)體芯片插入到所述空腔中時(shí)對(duì)準(zhǔn)所述半導(dǎo)體芯 片的位置。
12. —種堆疊封裝,包括 一個(gè)或多個(gè)插入器,每個(gè)插入器包括空腔,在所述空腔中設(shè)置具有鍵合襯墊的半導(dǎo)體芯片; 互連端子槽,所述互連端子槽被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述空腔的側(cè)壁之間;以及互連端子,所述互連端子被設(shè)置在所述互連端子槽中,并被連接到所述鍵合襯墊,其中,所述插入器互相堆疊,并且所述互連端子相互連接,以使得所述半導(dǎo)體芯片堆疊并電連接。
13. 如權(quán)利要求12所述的堆疊封裝,其中,所述互連端子通過(guò)所 述插入器的背面暴露出來(lái)。
14. 如權(quán)利要求12所述的堆疊封裝,進(jìn)一步包括彈性體,所述彈性體設(shè)置在所述互連端子槽的一部分中。
15. 如權(quán)利要求12所述的堆疊封裝,其中,所述插入器是硅晶片、 玻璃基底和印刷電路板(PCB)中的一種。
16. 如權(quán)利要求12所述的堆疊封裝,其中,所述插入器包括被切 割的晶片的一部分,或者包括硅晶片本身。
17. 如權(quán)利要求12所述的堆疊封裝,其中,所述插入器的面積比 所述半導(dǎo)體芯片的面積寬,寬出的面積是在實(shí)現(xiàn)所述半導(dǎo)體芯片的扇 出時(shí)所需的面積。
18. 如權(quán)利要求12所述的堆疊封裝,進(jìn)一步包括對(duì)準(zhǔn)器,所述對(duì) 準(zhǔn)器用于當(dāng)將所述半導(dǎo)體芯片插入到所述空腔中時(shí)對(duì)準(zhǔn)所述半導(dǎo)體芯 片的位置。
全文摘要
提供了一種堆疊封裝及其制造方法。堆疊封裝包括在其中插入具有鍵合襯墊的半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)或多個(gè)插入器,由于半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體芯片插入的空腔之間的面積差而形成的互連端子槽,以及在互連端子槽中形成與鍵合襯墊連接的互連端子。在堆疊封裝中,插入器彼此堆疊,并且互連端子相互連接,以使得一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片彼此堆疊并電連接。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101252121SQ20071016912
公開(kāi)日2008年8月27日 申請(qǐng)日期2007年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月23日
發(fā)明者張東鉉, 柳承官, 鄭顯秀, 鄭泰敬, 金南錫 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社
網(wǎng)友詢(xún)問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1