專利名稱：使用虛擬柵極的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地涉及一種其中布局面積可以減小 的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件趨于高度集成、高速度、低功耗和緊湊尺寸，正在發(fā)展
的MOSFET器件的設(shè)計(jì)規(guī)則已不斷減小。相應(yīng)地，柵極的尺寸不斷地減小。 這種趨勢(shì)減小了在單元內(nèi)和外圍電路區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體器件的柵極的尺寸。特 別地，60納米技術(shù)所要求的外圍電路中柵極的尺寸已經(jīng)減小到約100納米。
結(jié)果，現(xiàn)有的平面晶體管結(jié)構(gòu)限制了具體器件所要求的MOSFET器件 的閾值電壓(Vt)目標(biāo)。
形成柵極圖案存在很多困難。例如，所使用的柵極的實(shí)際尺寸可能比目 標(biāo)尺寸小，結(jié)果形成了不一致的柵極分布，其中無(wú)虛擬柵極地形成柵極布局。
因此，為了解決這些困難，在進(jìn)行柵極布局時(shí)使用了具有與實(shí)際柵極相 同長(zhǎng)度和寬度的虛擬柵極。這些虛擬柵極按照與實(shí)際使用的柵極相同的間距 而等間距地布置，由此實(shí)現(xiàn)真實(shí)柵極目標(biāo)以用于進(jìn)行該柵極布局。
圖1為示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的外圍電路區(qū)域的布局的示意圖。如所示，要 求高速工作的電路使用下述的結(jié)構(gòu)，其中柵極焊墊130和140分別置于柵極 表面的兩端，且位線150同時(shí)連接到焊墊130和140以防止當(dāng)置于半導(dǎo)體襯 底100的有源區(qū)110上的柵極120導(dǎo)通時(shí)該柵極的導(dǎo)通速度的變化。
圖1中，未解釋的標(biāo)號(hào)160和170表示金屬引線。
然而，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的外圍電路區(qū)域中，由于根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則的間距來(lái) 布置位線，柵極之間的距離不規(guī)則。而如果柵極之間的距離不規(guī)則，當(dāng)進(jìn)行 柵極布局時(shí)在光刻工藝中難以形成圖案化柵極。
為了解決如上所述的柵極圖案化的困難，當(dāng)進(jìn)行柵極布局時(shí)應(yīng)使用虛擬 柵極。然而，由于相h極焊墊置于有源區(qū)的兩側(cè)，在進(jìn)行柵極布局時(shí)無(wú)法插入 虛擬柵極。如果在進(jìn)行柵極布局時(shí)插入虛擬柵極，其中插入了虛擬柵極的有源區(qū)之 間的間距增加，這從而導(dǎo)致器件的布局面積的增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及具有布局面積可以減小的外圍電路區(qū)域的半導(dǎo)體器件。
在一個(gè)實(shí)施例中，外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件可包括具有多個(gè)置為相
互遠(yuǎn)離的有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底；柵極圖案，包括置于該有源區(qū)上的至少一個(gè) 柵極、置于該有源區(qū)之間的虛擬柵極、以及分別連接該柵極和虛擬柵極的第 一側(cè)部和第二側(cè)部的第一和第二焊墊；以及第一引線，形成為接觸該第一和 第二焊墊的至少一個(gè)。
該虛擬柵極具有和柵極相同的長(zhǎng)度和寬度。
該柵極之間的間距等于該柵極與虛擬柵極之間的間距。
該虛擬柵極與置于與虛擬柵極相鄰的另 一個(gè)有源區(qū)上的柵極之間的間
距等于置于該第一有源區(qū)上的柵極之間的間距。
該第 一 引線的至少 一個(gè)區(qū)域接觸該第 一和第二焊墊任何一個(gè)。 該外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件還可包括置于柵極兩側(cè)且接觸有源區(qū)
的第二引線和第三引線。
該第一引線置于從第二引線或第三引線延伸的線性方向上，其中該第三
51線跨過(guò)該第 一或第二焊墊上方。 該第二和第三引線等間距排列。
該外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件還可包括第二引線，該第二引線置于柵 極和虛擬柵極之間，以及該虛擬斥冊(cè)極和置于郵b鄰并接觸該有源區(qū)的第二有源 區(qū)上的柵極之間。
在另一個(gè)實(shí)施例中，外圍電^各區(qū)域中的半導(dǎo)體器件可包括具有多個(gè)置為 相互遠(yuǎn)離的有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底；柵極圖案，包括至少一個(gè)置于有源區(qū)上的 柵極、置于有源區(qū)之間的虛擬柵極、及與該柵極和虛擬柵極的第一側(cè)部和第 二側(cè)部連接的焊墊；以及第一引線，形成為接觸對(duì)應(yīng)于該一冊(cè)極之間的第一區(qū) 域或該柵極與虛擬柵極之間的第二區(qū)域的該焊墊的一部分。 該虛擬柵極具有和該柵極相同的長(zhǎng)度和寬度。 該柵極之間的間距等于該柵極與虛擬柵極之間的間距。該虛擬柵極與置于毗鄰該虛擬柵極的第二有源區(qū)上的柵極之間的間距 等于置于該第 一 有源區(qū)上的柵極之間的間距。 該第一引線接觸該焊墊的至少一個(gè)區(qū)域。
該外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件還可包括置于該柵極兩側(cè)且接觸該有 源區(qū)的第二引線和第三引線。
該第二引線和第三引線等間距排列。
該外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件還可包括第二引線，該引線置于該柵極 和虛擬4冊(cè)極之間，以及該虛擬4冊(cè)極和置于毗鄰并接觸該有源區(qū)的第二有源區(qū) 上的柵極之間。


圖1為示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的布局。
圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的第 一 實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的布局。
圖3A到3C為示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo) 體器件制造步驟的布局。
圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的 布局。
圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的 布局。
圖6為用于比較依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的外圍電路區(qū)域中半導(dǎo)體器件的 尺寸的布局。
圖7為示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的 布局。
圖8A到8C為示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo) 體器件制造工藝的布局。
圖9為示出根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的布局。
圖10為示出根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件 的布局。
圖11為示出根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的布局。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例涉及一種外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中柵極 圖案包括置于半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)的至少一個(gè)柵極以及連接到該柵極的任 一側(cè)部的焊墊。虛擬柵極置于在其制造中形成的有源區(qū)之間。
因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，該虛擬柵極具有與在形成柵極圖案時(shí)在有 源區(qū)之間形成的柵極相同的形狀。因此，由于該虛擬柵極，該柵極之間的間 距能夠保持一致。
通過(guò)虛擬柵極不但解決了用光刻工藝形成柵極圖案的困難，而且有助于 柵極布局的穩(wěn)定。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，金屬引線形成為接觸柵極之間的坪墊和柵極與虛 擬柵極之間的焊墊，其中通過(guò)該金屬引線來(lái)施加電壓，由此實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件 布局的尺寸相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)減小。因而，金屬引線不是置于有源區(qū)域之間。
圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的第 一 實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的布局。
如所示，外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)包括具有多個(gè)置為相互遠(yuǎn) 離的有源區(qū)210的半導(dǎo)體襯底200。該器件還包括柵極圖案，該柵極圖案包 含置于有源區(qū)210的至少 一個(gè)柵極220 、連接到柵極220和虛擬柵極221的 側(cè)部的第一焊墊230和第二焊墊240、以及形成為接觸第一焊墊230和第二 焊墊240任何一個(gè)的第一引線250。
在根據(jù)如上所述的本發(fā)明的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件中，當(dāng)形成柵 極圖案234時(shí)，置于有源區(qū)210中的柵極220通過(guò)虛擬柵極221來(lái)連接第一 焊墊230和第二焊墊240而導(dǎo)通。
圖3A到3C為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器 件的制造工藝步驟的布局，并參考附圖進(jìn)行詳細(xì)的描述。
參照?qǐng)D3A,至少一個(gè)4冊(cè)4及320形成于具有多個(gè)有源區(qū)310的半導(dǎo)體襯 底300的每一個(gè)有源區(qū)310上。優(yōu)選地，4冊(cè)極320成對(duì)形成于有源區(qū)。
隨后，具有與柵極320相同寬度和長(zhǎng)度的虛擬柵極321形成于有源區(qū)310 之間。
此外，置于一個(gè)有源區(qū)310上的虛擬柵極321與置于與虛擬柵極321相鄰的第二有源區(qū)310上的柵極320之間的間距等于置于一個(gè)有源區(qū)310上的 柵極320之間的間距以及柵極320與虛擬柵極321之間的間距。因此，由于 布置了虛擬柵極321 ，柵極320之間的間距可以保持一致。
隨后，第一焊墊330和第二焊墊340形成，以接觸柵極320和虛擬柵極 321的兩側(cè)部，從而形成含有柵極320、虛擬柵極321、第一焊墊330和第二 焊墊340的柵極圖案334。然后，源/漏區(qū)(未顯示)形成于柵極320兩側(cè)的 有源區(qū)中。
參照?qǐng)D3B,存在接觸半導(dǎo)體襯底300的源/漏區(qū)的金屬引線用第一接觸 341。金屬引線用第一接觸341形成使得其至少一個(gè)點(diǎn)沿著與有源區(qū)310垂 直的方向接觸該有源區(qū)310。優(yōu)選地，金屬引線用第一接觸341形成為沿著 有源區(qū)310的方向接觸該有源區(qū)310的三個(gè)點(diǎn)，并沿著與有源區(qū)310垂直的 方向接觸該有源區(qū)310的四個(gè)點(diǎn)。
金屬引線用第二接觸342形成于第一焊墊330或者第二焊墊340上。金 屬引線用第二接觸342形成為接觸第一焊墊330或第二焊墊340的兩個(gè)點(diǎn)。
參照?qǐng)D3C,第一引線350形成為接觸金屬引線用第二接觸342的至少 一個(gè)點(diǎn)，該金屬引線用第二接觸342形成于第一焊墊330或第二焊墊340上。 優(yōu)選地，第一引線350形成為接觸第 一焊墊330的兩個(gè)點(diǎn)。
第二引線360和第三引線370形成并布置于柵極320的兩側(cè)，且接觸有 源區(qū)。優(yōu)選地，第二引線360成對(duì)形成在柵極320外部以接觸源區(qū)。第三引 線370形成在一對(duì)柵極320之間以接觸漏區(qū)。
第二引線360和第三引線370等間距布置。另外，第一引線350、第二 引線360和第三引線370之間的間距相等。而且，第一引線350、第二引線 360和第三引線370之間的間距等于有源區(qū)310之間的間距。
此外，由于第二引線360和第三引線370形成在金屬引線用第一接觸341 上，第二引線360和第三引線370分別接觸有源區(qū)310的四個(gè)點(diǎn)。
然后，盡管沒(méi)有顯示，依次實(shí)施一系列已知的后續(xù)工藝，由此制造根據(jù) 本發(fā)明第一實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的 制造中，第一引線350形成于在第一焊墊330上方延伸的與第二引線360和 第三引線370平行的線上，且優(yōu)選地橫向地形成于與跨過(guò)第一焊墊330的第 三引線370的同一條線上，以接觸第一焊墊330的兩個(gè)點(diǎn)。然而，在如圖4所示的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例中，第 一 引線450可橫向地形成于與跨過(guò)第二 焊墊440的第二引線460的同一條線上，以接觸第二焊墊440的兩個(gè)點(diǎn)。
在圖4中，沒(méi)有解釋的標(biāo)號(hào)400、 410、 420、 421、 430、 434和470分 別表示半導(dǎo)體襯底、有源區(qū)、柵極、虛擬柵極、柵極圖案和第三引線。
同樣，在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件中，第 二引線360和第三引線370形成且布置于片冊(cè)才及320的兩側(cè)以4妄觸有源區(qū)310。 然而，在如圖5所示的根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例中，僅第二引線560接觸有 源區(qū)510,并布置于柵極520與虛擬柵極521之間以及虛擬4冊(cè)極521與置于 與其相鄰的另 一個(gè)有源區(qū)510上的柵極520之間。
在圖5中，沒(méi)有解釋的標(biāo)號(hào)500、 530和540、 534以及550分別表示半 導(dǎo)體襯底、焊墊、柵極圖案和第一引線。
如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于連接第一焊墊和第二焊墊并具有 和柵極同樣形狀的虛擬柵極，在形成柵極圖案時(shí)形成在有源區(qū)之間，因此與 依據(jù)其中第 一焊墊和第二坪墊通過(guò)位線連接的現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件相比，
布局尺寸可以減小。
同樣，在本發(fā)明的實(shí)施例中，虛擬柵極還有助于柵極圖案的穩(wěn)定。 特別地，要求高速的MOSFET器件的傳統(tǒng)布局使用這樣的結(jié)構(gòu)，其中
柵極焊墊置于柵極的側(cè)部且位線連接到該柵極焊墊。通過(guò)引線連接到焊墊，
才冊(cè)極由此導(dǎo)通。
這是由于引線的電阻是硅化鎢(WSix)柵極的1/3,現(xiàn)有技術(shù)中用鎢作 引線。當(dāng)把和柵極連接的焊墊連接到位線時(shí)，通過(guò)具有低電阻的位線來(lái)導(dǎo)通 柵極是有利的。
然而，在傳統(tǒng)的MOSFET器件中，由于焊墊構(gòu)造成連接到位線，位線 使得柵極之間的距離不規(guī)則。因此，進(jìn)行柵極布局時(shí)在光刻工藝中進(jìn)行柵極 圖案化是困難的。
同時(shí)，使用虛擬柵極可以解決這種柵極圖案化困難，但是由于焊墊連接 到柵極，難以插入虛擬柵極。
如果在進(jìn)行柵極布局時(shí)插入虛擬柵極，其中插入了柵極與虛擬柵極的有 源區(qū)之間的間距進(jìn)一步增大，從而導(dǎo)致器件布局尺寸的增大。
因此，本發(fā)明使用一種導(dǎo)通柵極的方式，不是通過(guò)位線將該柵極連接到 焊墊，而是如上所述通過(guò)虛擬柵極將該柵極連接到焊墊。同樣地，在本發(fā)明實(shí)施例中可以通過(guò)虛擬柵極而不是位線來(lái)連接焊墊的
原因如下因?yàn)槭褂镁哂休^小的電阻的鴒來(lái)代替硅化鴒作為柵極的金屬材 料，而且由于半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)規(guī)則減小到小于60納米，因此柵極電阻減 小到使用鴒的位線的水平，可以通過(guò)使用具有與位線相同水平的電阻的柵極 的虛擬柵極而不是位線來(lái)連接焊墊。
因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于采用了焊墊通過(guò)使用柵極的虛擬柵極 而不是位線而被連接的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，該結(jié)構(gòu)與所描述的通 過(guò)位線連接焊墊的現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)沒(méi)有很大不同。然而，與現(xiàn)有技術(shù)相比可以減 小整個(gè)布局尺寸。
圖6是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的尺寸和根據(jù) 本發(fā)明的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的尺寸的布局。
如所示，可以觀察到根據(jù)本發(fā)明的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的尺寸 與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的尺寸相比減小約20%。
同樣地，在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于虛擬柵極形成于有源區(qū)之間，柵極 與金屬引線的距離可以保持一致。虛擬柵極還有助于在形成柵極圖案時(shí)該柵 極圖案的穩(wěn)定。
圖7為示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的 布局。
如所示，外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件具有這樣一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括 具有多個(gè)置為相互遠(yuǎn)離的有源區(qū)710的半導(dǎo)體襯底200。該器件還包括置于 有源區(qū)710的具有至少一個(gè)柵極720的柵極圖案、連接到柵極720和虛擬柵 極721的任一側(cè)部的焊墊730、以及形成為接觸焊墊730的第一引線750。
在根據(jù)如上所述本發(fā)明的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件中，當(dāng)形成柵極 圖案734時(shí)，置于有源區(qū)710中的柵極720通過(guò)虛擬4冊(cè)極721來(lái)連接焊墊730 而被導(dǎo)通。
圖8A到8C為示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo) 體器件的制造工藝步驟的布局，并將參考附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
參照?qǐng)D8A，至少一個(gè)柵極820形成于具有多個(gè)置為相互遠(yuǎn)離的有源區(qū) 810的半導(dǎo)體襯底800的每一個(gè)有源區(qū)810上。優(yōu)選地，柵極820成對(duì)形成 于有源區(qū)。具有與柵極820相同寬度和長(zhǎng)度的虛擬柵極821形成于有源區(qū)810 之間。柵極820之間的間距等于柵極820與虛擬柵極821之間的間距。置于一個(gè)有源區(qū)810上的虛擬柵極821與置于第二有源區(qū)810上毗鄰虛 擬柵極821的柵極之間的間距等于置于一個(gè)有源區(qū)810上的柵極820之間的 間距以及柵極820與虛擬柵極821之間的間距。因此，由于布置了虛擬柵極 821 ，柵極820之間的間距可以保持一致。
焊墊830形成為連接?xùn)艠O820和虛擬4冊(cè)極821的任一側(cè)部，/人而形成包 含柵極820、虛擬柵極821以及焊墊830的柵極圖案834。然后，源/漏區(qū)(未 顯示)形成于柵極820兩側(cè)的有源區(qū)810中。
參照?qǐng)D8B,存在與半導(dǎo)體襯底800的源/漏區(qū)接觸的金屬引線用第一接 觸841。金屬引線用第一接觸841形成為使得其至少一點(diǎn)沿著與有源區(qū)810 垂直的方向接觸有源區(qū)810。優(yōu)選地，金屬引線用第一接觸841形成為沿著 有源區(qū)810的方向接觸有源區(qū)810的三個(gè)點(diǎn)以及沿著與有源區(qū)810垂直的方 向接觸有源區(qū)810的四個(gè)點(diǎn)。金屬引線用第二接觸842形成于焊墊830上。 金屬引線用第二接觸842形成為接觸焊墊830的兩個(gè)點(diǎn)。
參照?qǐng)D8C,第一引線850形成為接觸形成于焊墊830上的金屬引線用 第二接觸842的至少一個(gè)點(diǎn)。優(yōu)選地，第一引線850形成為接觸焊墊830的 兩個(gè)點(diǎn)。第二引線860和第三引線870形成并布置在柵極820的兩側(cè)并接觸 有源區(qū)810。優(yōu)選地，第二引線860成對(duì)形成在4冊(cè)極820的外部以接觸源區(qū)。 第三引線870形成在一對(duì)柵極820之間以接觸漏區(qū)。
第二引線860和第三引線870等間距排列。另外，第一引線850、第二 引線860和第三引線870相互之間的間距相等。而且，第一引線850、第二 引線860和第三引線870相互之間的間距等于有源區(qū)810之間的間距。此外， 由于第二引線860和第三引線870形成于金屬引線用第一接觸841上，第二 引線860和第三引線870分別接觸有源區(qū)810的四個(gè)點(diǎn)。
然后，盡管沒(méi)有顯示，依次實(shí)施一系列已知的后續(xù)工藝，由此制造出根 據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件 中，第二引線860和第三引線870形成于柵極820的兩側(cè)以接觸有源區(qū)810。 然而，在如圖9所示的根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例中，僅第二引線960接觸有 源區(qū)910,并置于柵極920和虛擬柵極921之間以及置于與該有源區(qū)910相 鄰的另 一有源區(qū)910上的虛擬柵極921和柵極920之間。
在圖9中，沒(méi)有解釋的標(biāo)號(hào)900、 930、 934和950分別表示半導(dǎo)體襯底、焊墊、斥冊(cè)^l圖案和第一引線。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第 一到第四實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo) 體器件中，當(dāng)形成柵極圖案時(shí)在有源區(qū)中形成一對(duì)柵極。然而，在如圖10所示的根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例中，當(dāng)形成柵極圖案1034時(shí)，單個(gè)柵極可 形成于有源區(qū)1010中。在圖10中，沒(méi)有解釋的標(biāo)號(hào)1000、 1020、 1021、 1034、 1050、 1060和 1070分別表示半導(dǎo)體襯底、柵極、虛擬柵極、柵極圖案、第一引線、第二引 線和第三引線。圖11為示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的 布局。如所示，其中單個(gè)柵極形成于有源區(qū)中，外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器 件可形成有柵極圖案1134，該柵極圖案1134包括形成于有源區(qū)1110中的單 個(gè)柵極1120、形成在有源區(qū)1110之間的虛擬柵極1121以及連接?xùn)艠O1120 與虛擬柵極1121的任一部分的焊墊1130。在圖11中，沒(méi)有解釋的標(biāo)號(hào)1100、 1150、 1160和1170分別表示半導(dǎo) 體襯底、第一引線、第二引線和第三引線。然后，盡管沒(méi)有顯示，依次實(shí)施一系列已知的后續(xù)工藝，由此制造出根 據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件。從上面的描述顯而易見(jiàn)，在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于在形成柵極圖案時(shí)， 虛擬柵極形成于半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)之間，因此可以調(diào)整與焊墊連接的金屬 引線的布置，這由此可以縮小半導(dǎo)體器件的總尺寸。同樣地，在本發(fā)明的實(shí) 施例中，通過(guò)形成虛擬柵極，可以保持柵極與金屬引線之間的間距相等。此 外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，形成虛擬柵極有助于柵極圖案的穩(wěn)定。盡管已經(jīng)出于說(shuō)明的目的描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人 員應(yīng)該理解，可以在不脫離權(quán)利要求所披露的本發(fā)明的精神和范疇內(nèi)進(jìn)行各 種修正、增加和替代。本申請(qǐng)要求于2007年5月31日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2007-0053112 的優(yōu)先權(quán)，其全文引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1、一種外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，包括具有多個(gè)置為相互遠(yuǎn)離的有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底；柵極圖案，包括至少一個(gè)置于該有源區(qū)上的柵極、置于該有源區(qū)之間的虛擬柵極、以及分別連接該柵極和該虛擬柵極的第一和第二側(cè)部的第一和第二焊墊；以及第一引線，形成為接觸該第一或第二焊墊的至少一個(gè)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述虛 擬柵極具有和該柵極相等的長(zhǎng)度和寬度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述柵 極之間的間距等于該柵極與虛擬柵極之間的間距。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述虛 擬柵極與置于毗鄰該虛擬柵極的第二有源區(qū)上的柵極之間的間距等于置于 該有源區(qū)上的柵極之間的間距。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述第 一引線的至少一個(gè)區(qū)域接觸該第一或第二焊墊的任意一個(gè)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，還包括置于 該柵極的兩側(cè)并接觸該有源區(qū)的第二引線和第三引線。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述第 一引線置于從該第二引線或跨過(guò)該第一或第二焊墊的第三引線延伸的線性 方向上。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述第 二引線和第三引線等間距排列。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，還包括第二 引線，置于該柵極和虛擬片冊(cè)極之間，以及該虛擬4冊(cè)極和置于毗鄰并接觸該有 源區(qū)的第二有源區(qū)上的柵極之間。
10、 一種外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，包括 多個(gè)置為相互遠(yuǎn)離的有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底；柵極圖案，包括至少一個(gè)置于該有源區(qū)上的柵極、置于該有源區(qū)之間的 虛擬柵極、以及連接該柵極和虛擬柵極的第一側(cè)部和第二側(cè)部的焊墊；以及第 一 引線，形成為接觸對(duì)應(yīng)于該柵極之間的第 一 區(qū)域或該柵極與虛擬柵 極之間的第二區(qū)域的焊墊的 一部分。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述 虛擬柵極具有和該柵極相等的長(zhǎng)度和寬度。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述 柵極之間的間距等于該柵極與虛擬柵極之間的間距。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述 虛擬柵極與置于毗鄰該虛擬4冊(cè)極的第二有源區(qū)上的柵極之間的間距等于置 于該有源區(qū)上的該柵極之間的間距。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述 第 一 引線接觸該焊墊的至少 一 個(gè)區(qū)域。
15、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，還包括置 于該柵極的兩側(cè)并接觸該有源區(qū)的第二引線和第三引線。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其中所述 第二引線和第三引線等間距排列。
17、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，還包括第 二引線，置于該柵極和虛擬柵極之間，以及該虛擬4冊(cè)極和置于毗鄰并接觸該 有源區(qū)的第二有源區(qū)上的柵極之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種外圍電路區(qū)域中的半導(dǎo)體器件，其包括具有多個(gè)置為相互遠(yuǎn)離的有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底；柵極圖案，包括至少一個(gè)置于有源區(qū)上的柵極、置于該有源區(qū)之間的虛擬柵極、以及第一和第二焊墊，該第一和第二焊墊分別連接到該柵極和虛擬柵極的兩側(cè)；以及第一引線，形成為接觸該第一和第二焊墊的至少一個(gè)。
文檔編號(hào)H01L23/485GK101315931SQ200710165219
公開(kāi)日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2007年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月31日
發(fā)明者洪性澤, 洪熙范 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司