專利名稱：母板、像素陣列基板、光電裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種母板、像素陣列基板、光電裝置及上述各種元件的制造方 法，且尤其涉及一種設(shè)置有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的母板、像素陣列基板、光電裝置及 上述各種元件制造方法。現(xiàn)有技術(shù)在日常生活環(huán)境中，靜電放電的現(xiàn)象隨處可見。由于電子對于各種物體的 親和力不同，故任何兩個(gè)物體接觸之后再分開，便容易產(chǎn)生物體間電荷轉(zhuǎn)移的 現(xiàn)象，造成靜電的累積。 一旦物體中的靜電累積到一定程度，且當(dāng)此帶靜電的 物體觸碰或接近另一個(gè)與其電位不同的物體時(shí)，便會(huì)發(fā)生瞬間電荷轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象， 即是所謂的靜電放電。以液晶顯示面板為例，液晶顯示面板在制造、生產(chǎn)、組裝、運(yùn)送，甚至消 費(fèi)者購買后的使用過程中，遭受到靜電放電傷害的可能性很高。因此，液晶顯 示面板必須具備靜電放電的防護(hù)設(shè)計(jì)，才能夠有效延長其使用壽命。 一般來說， 液晶顯示面板包括像素陣列基板、對向基板以及位于此兩基板間的液晶層。以 制作像素陣列基板為例，為了使工藝效率提高，常會(huì)在一玻璃基材的母板上形 成多個(gè)顯示單元，而后經(jīng)由切割工藝將這些顯示單元切割下來以形成多個(gè)像素 陣列基板。此外，在形成這些顯示單元的同時(shí)，可在玻璃基材上利用導(dǎo)電性良好的金 屬形成靜電防護(hù)線以將各個(gè)顯示單元連接。若任何一個(gè)工藝步驟中發(fā)生靜電累 積的現(xiàn)象，靜電防護(hù)線可以將這些靜電荷導(dǎo)出，以避免各顯示單元中的線路或 元件因靜電放電而受到永久性的損壞。進(jìn)一步來說，各個(gè)顯示單元被切割下來 而形成多個(gè)像素陣列基板后，靜電防護(hù)線也有助于將組裝、運(yùn)送、甚至消費(fèi)者 使用的過程中可能產(chǎn)生的靜電荷釋放。因此，靜電防護(hù)線的配置有助于延長應(yīng) 用此像素陣列基板的液晶顯示面板的使用壽命。
然而，當(dāng)各個(gè)顯示單元被切割下來而形成多個(gè)像素陣列基板時(shí)，金屬材質(zhì) 的靜電防護(hù)線便會(huì)裸露出來。在后續(xù)的面板測試過程中，這些裸露的金屬可能 受到腐蝕或氧化，進(jìn)而影響液晶顯示面板的顯示效果。因此，現(xiàn)有技術(shù)的液晶 顯示面板無法兼顧良好的顯示效能以及較長的使用壽命。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種母板，以解決母板切割后，切割 面上金屬材質(zhì)(如靜電防護(hù)線)裸露的問題。本發(fā)明另一目的在于提供一種像素陣列基板，以解決裸露出來的金屬材質(zhì) (如靜電防護(hù)線)受到腐蝕而影響顯示效能的問題。本發(fā)明又一 目的在于提供一種母板的制造方法，以制造切割后不會(huì)有金屬 材質(zhì)(如靜電防護(hù)線)裸露的母板。本發(fā)明再一 目的在于提供一種像素陣列基板的制造方法，可制造顯示質(zhì)量 較好的像素陣列基板。本發(fā)明再一目的在于提供一種光電裝置，其具有良好的質(zhì)量。本發(fā)明更一目的在于提供一種光電裝置的制造方法，其具有較高的工藝良率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種母板，包括一基板及至少一靜電防護(hù)結(jié) 構(gòu)?；寰哂卸鄠€(gè)顯示單元，顯示單元之間定義出至少一預(yù)切割區(qū)。各顯示單 元包括一具有多個(gè)像素的顯示區(qū)與至少一周邊線路區(qū)。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)置于預(yù) 切割區(qū)上，位于周邊線路區(qū)中，且連接于顯示區(qū)。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)具有至少一第 一區(qū)域及與第一區(qū)域相鄰的至少一第二區(qū)域。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括第一圖案化導(dǎo) 電層、第一圖案化介電層、圖案化透明導(dǎo)電層以及第二圖案化介電層。第一圖 案化導(dǎo)電層配置于第一區(qū)域上，且第一圖案化導(dǎo)電層的末端遠(yuǎn)離預(yù)切割區(qū)。第 一圖案化介電層配置于第一圖案化導(dǎo)電層以及基板上。第一圖案化介電層具有 至少一第一開口暴露出部份第一圖案化導(dǎo)電層。圖案化透明導(dǎo)電層對應(yīng)于預(yù)切 割區(qū)上并電性連接于第一圖案化導(dǎo)電層。第二圖案化介電層覆蓋于圖案化透明 導(dǎo)電層及基板上。而且，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明另提出一種像素陣列基板，包括一基板以 及至少一靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)?；灏ň哂卸鄠€(gè)像素的顯示區(qū)與至少一周邊線路區(qū)。
靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)位于外圍線路區(qū)中，連接于顯示區(qū)，且具有至少一第一區(qū)域及與 第一區(qū)域相鄰的至少一第二區(qū)域。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括第一圖案化導(dǎo)電層、第一 圖案化介電層、圖案化透明導(dǎo)電層以及第二圖案化介電層。第一圖案化導(dǎo)電層 配置于第一區(qū)域上，且第一圖案化導(dǎo)電層的末端遠(yuǎn)離基板的邊緣。第一圖案化 介電層配置于第一圖案化導(dǎo)電層及基板上，且第一圖案化介電層暴露出部份第 一圖案化導(dǎo)電層。圖案化透明導(dǎo)電層配置于基板上，并與第一圖案化導(dǎo)電層電 性連接。第二圖案化介電層覆蓋于圖案化透明導(dǎo)電層及基板上。而且，本發(fā)明又提出一種母板的制造方法。母板包括一基板及至少一靜電 防護(hù)結(jié)構(gòu)。基板具有多個(gè)顯示單元，顯示單元之間定義出至少一預(yù)切割區(qū)。各 顯示單元包括一具有多個(gè)像素的顯示區(qū)與至少一周邊線路區(qū)。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè) 置于預(yù)切割區(qū)上，位于周邊線路區(qū)中，并連接于顯示區(qū)。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)具有至 少一第一區(qū)域及與第一區(qū)域相鄰的至少一第二區(qū)域。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法 包括形成一第一圖案化導(dǎo)電層于第一區(qū)域，第一圖案化導(dǎo)電層的末端遠(yuǎn)離預(yù) 切割區(qū)。形成一第一圖案化介電層于第一金屬層及基板上，且第一圖案化介電 層具有至少一第一開口，暴露部份出第一圖案化導(dǎo)電層。形成一圖案化透明導(dǎo) 電層對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)上并電性連接于第一圖案化導(dǎo)電層。形成一第二圖案化介 電層于圖案化透明導(dǎo)電層及基板上。而且，本發(fā)明還提出一種像素陣列基板的制造方法。提供一如前述實(shí)施例 所述的母板。沿著預(yù)切割區(qū)切割母板，其中第一區(qū)域上的第一圖案化導(dǎo)電層的 末端與圖案化透明導(dǎo)電層的末端被第二圖案化介電層所覆蓋，且第二區(qū)域上的 圖案化透明導(dǎo)電層的一側(cè)邊被曝露出來。而且，本發(fā)明再提出一種像素陣列基板的制造方法。首先，提供一母板。 此母板包括一基板及至少一靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)?；寰哂卸鄠€(gè)顯示單元，顯示單元 之間定義出至少一預(yù)切割區(qū)。各顯示單元包括一具有多個(gè)像素的顯示區(qū)與至少 一周邊線路區(qū)。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)置于預(yù)切割區(qū)上，位于周邊線路區(qū)中，且連接 于顯示區(qū)。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)具有至少一第一區(qū)域及與第一區(qū)域相鄰的至少一第二 區(qū)域。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括第一圖案化導(dǎo)電層、第一圖案化介電層、圖案化半導(dǎo) 體層、第二圖案化導(dǎo)電層、圖案化透明導(dǎo)電層以及第二圖案化介電層。第一圖 案化導(dǎo)電層配置于第一區(qū)域上，且第一圖案化導(dǎo)電層的末端遠(yuǎn)離預(yù)切割區(qū)。第 一圖案化介電層配置于第一圖案化導(dǎo)電層以及基板上。第一圖案化介電層具有至少一第一開口暴露出部份第一圖案化導(dǎo)電層。圖案化半導(dǎo)體層配置于第二區(qū) 域中，以便于部分第一圖案化介電層位于基板以及圖案化半導(dǎo)體層之間。第二 圖案化導(dǎo)電層配置于第一圖案化介電層上。第二圖案化導(dǎo)電層具有至少一第三 開口與第一開口交錯(cuò)，以遠(yuǎn)離預(yù)切割區(qū)并電性連接第一圖案化導(dǎo)電層及圖案化 半導(dǎo)體層。圖案化透明導(dǎo)電層對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)上并電性連接于第一圖案化導(dǎo)電 層。第二圖案化介電層覆蓋于圖案化透明導(dǎo)電層及基板上。然后，沿著預(yù)切割 區(qū)切割母板，其中第一區(qū)域上的圖案化透明導(dǎo)電層的一側(cè)邊及第二區(qū)域上的圖 案化透明導(dǎo)電層、第一圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層的一側(cè)邊被暴露出來。而且，本發(fā)明更提出一種光電裝置，包含本發(fā)明前述的像素陣列基板。而且，本發(fā)明再提出一種光電裝置的制造方法，包含本發(fā)明前述的像素陣 列基板的制造方法。本發(fā)明因采用非金屬導(dǎo)電材料配置在靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)上的區(qū) 域。因此，母板切割區(qū)中不會(huì)有金屬材質(zhì)的結(jié)構(gòu)(如靜電防護(hù)結(jié)構(gòu))，也即母 板切割后所形成的像素陣列基板的側(cè)邊不會(huì)有金屬材質(zhì)裸露。如此，任何顯示 面板應(yīng)用本發(fā)明的像素陣列基板時(shí)，不易發(fā)生金屬材質(zhì)腐蝕的問題，進(jìn)而具有 良好的顯示質(zhì)量。另外，非金屬導(dǎo)電材料的配置使得靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)可以維持其 傳導(dǎo)靜電荷的功能，而有助于延長像素陣列基板的使用壽命。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳 實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的母板的局部上視示意圖；圖2A至圖2E為沿圖1的剖線AA'及剖線BB，繪示的本發(fā)明的第一實(shí)施例的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程剖面圖；圖3A至圖3E繪示為圖1的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程局部上視圖；圖4A繪示為本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素陣列基板的上視示意圖；圖4B1、圖4B2及圖4B3分別為沿圖4A的剖線I-II、 II-III、 IV-III所繪示的剖面示意圖；圖5繪示為本發(fā)明的第二實(shí)施例的母板的局部上視示意圖；圖6A至圖6E為沿圖5的剖線CC'及剖線DD'繪示的本發(fā)明的第二實(shí)施例
的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程剖面圖；圖7A至圖7E繪示為圖5的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程局部上視圖； 圖8A繪示為本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素陣列基板的上視示意圖；圖8B1、圖8B2及圖8B3分別為沿圖8A的剖線I-II、 II-III、 IV-III所 繪示的剖面示意圖；圖9A為本發(fā)明的第三實(shí)施例的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)之上視示意圖；圖9B為沿圖9A的剖線EE'及剖線FF，所繪示的剖面圖；圖10A為本發(fā)明的第四實(shí)施例的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)之上視示意圖；圖10B為沿圖10A的剖線GG，及剖線HH，所繪示的剖面圖；圖11A為本發(fā)明的第五實(shí)施例的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)之上視示意圖；圖11B為沿圖11A的剖線JJ，及剖線KK，所繪示的剖面圖；圖IIC為沿圖IIA的剖線LL'所繪示的剖面圖；圖12為本發(fā)明的一實(shí)施例的光電裝置的示意圖； 其中，附圖標(biāo)記100、 500:母板112:顯示單元 116:像素 116B:數(shù)據(jù)線 116D:像素電極 120:周邊線路區(qū) 132:第一區(qū)域 140:第一圖案化導(dǎo)電層 154:第一介電層162、 962:第二開口 400、 800:像素陣列基板590:第二圖案化導(dǎo)電層 1202:顯示面板130、 530、 930、 1030、 1130:靜電防護(hù)結(jié)構(gòu) 一圖案化介電層152、 952、 954、 1052、 1054、 1152:第一開口數(shù)據(jù)A-A，、 B-B，、 C-C，、 D-D，、 E-E，、 F_F，、 G-G，、 H_H，、 I-II-III-IV、 J-J，、110:基板114:預(yù)切割區(qū)116A:掃描線116C:主動(dòng)元件118:顯示區(qū)134:第二區(qū)域142:第一導(dǎo)電層160:圖案化透明導(dǎo)電層170:第二圖案化介電層580:圖案化半導(dǎo)體層1200:電子裝置1204:電子元件150、 950、 1050、 1150:K-K，、 L-L，剖線具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的母板的局部上視示意圖。請參照圖1，母板100包括一基板110及至少一靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130?；?10具有多個(gè)顯示單元 112，顯示單元之間定義出至少一預(yù)切割區(qū)114。各顯示單元112包括一具有多 個(gè)像素116的顯示區(qū)118與相鄰于顯示區(qū)118的至少一周邊線路區(qū)120，本發(fā) 明的實(shí)施例是以環(huán)繞顯示區(qū)118的至少一周邊線路區(qū)120為實(shí)施范例，但不限 于此。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130設(shè)置于預(yù)切割區(qū)114上，位于周邊線路區(qū)120中，且 連接于顯示區(qū)118。舉例來說，像素116例如包括有掃描線116A、數(shù)據(jù)線116B、 至少一主動(dòng)元件116C以及像素電極116D。在其它實(shí)施例中，像素116還可以 還包括有至少一電容電極(未繪示)、至少一配向結(jié)構(gòu)(未繪示)、間隙子(Spacer, 未繪示)等元件的其中至少一者。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130具有至少一第一區(qū)域132及與第一區(qū)域132相鄰的至少 一第二區(qū)域134。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130包括第一圖案化導(dǎo)電層140、第一圖案化介 電層150、圖案化透明導(dǎo)電層160以及第二圖案化介電層170。第一圖案化導(dǎo)電 層140配置于第一區(qū)域132上，且第一圖案化導(dǎo)電層140的末端遠(yuǎn)離預(yù)切割區(qū) 114。第一圖案化導(dǎo)電層140的另一未端連接至像素116，也就是說第一圖案化 導(dǎo)電層140的末端也即未連接至像素116的端點(diǎn)。第一圖案化介電層150配置 于第一圖案化導(dǎo)電層140以及基板110上。第一圖案化介電層150具有至少-第一開口 152以暴露出部份第一圖案化導(dǎo)電層140。在本實(shí)施例中，是以第一 開口 152對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)114上，以暴露出第一圖案化導(dǎo)電層140的末端為實(shí) 施范例，但不限于此，也可如后續(xù)的實(shí)施例。圖案化透明導(dǎo)電層160對應(yīng)于預(yù) 切割區(qū)114上并連接于第一圖案化導(dǎo)電層150。第二圖案化介電層170覆蓋于 圖案化透明導(dǎo)電層160及基板110上。此外，圖案化透明導(dǎo)電層160具有至少 一對應(yīng)于第一開口 152的第二開口 162。圖案化透明導(dǎo)電層160的第二開口 162實(shí)質(zhì)上定義出預(yù)切割區(qū)114的寬度， 也就是第二開口 162的寬度例如是與預(yù)切割區(qū)114的寬度大致相同，也即第二 開口 162的部份側(cè)邊與第一圖案化導(dǎo)電層140的末端重迭或是切齊，但不于此
限，也可是第二開口 162的寬度例如是與預(yù)切割區(qū)114的寬度大致上不同，也
即第二開口 162的部份側(cè)邊退縮于第一圖案化導(dǎo)電層140末端的投影面積內(nèi)， 也就是第二開口 162的部份側(cè)邊會(huì)暴露出第一圖案化導(dǎo)電層140的末端，或是 上述的組合。換言之，第一圖案化導(dǎo)電層140的末端不在預(yù)切割區(qū)114之內(nèi)。 當(dāng)母板IOO沿著預(yù)切割區(qū)114被切割時(shí)，切割面上不會(huì)有第一圖案化導(dǎo)電層140 的裸露。因此，當(dāng)?shù)谝粓D案化導(dǎo)電層140為金屬材質(zhì)或是包括金屬材質(zhì)時(shí)，母 板100切割下來的制品在后續(xù)測試以及運(yùn)送的過程中不會(huì)因裸露的金屬腐蝕而 影響其質(zhì)量。另外，圖案化透明導(dǎo)電層160連接于第一圖案化導(dǎo)電層150，有 助于使靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130將各顯示單元112中可能累積的靜電荷導(dǎo)出。所以， 母板100中不易發(fā)生靜電放電的現(xiàn)象，因而具有較長使用壽命。以下將提出靜 電防護(hù)結(jié)構(gòu)130的制造方法，以說明本實(shí)施例的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130在母板100 工藝中所達(dá)到的防護(hù)作用。然而，本實(shí)施例僅為本發(fā)明的實(shí)施范例，并非用以 限定本發(fā)明。
圖2A至圖2E為沿圖1的剖線AA，及剖線BB，繪示的本發(fā)明的第一實(shí)施例 的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程剖面圖，而圖3A至圖3E繪示為圖1的母板的靜電 防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程局部上視圖。請同時(shí)參照圖2A與圖3A，首先在基板110 上形成第一導(dǎo)電層142。第一導(dǎo)電層142為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，其的材質(zhì)例 如是由金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅等金屬、 上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物、或上述的組合。在本實(shí)施例中， 第一導(dǎo)電層142所在位置例如定義出第一區(qū)域132，也就是剖線AA'的位置。在 母板100中，第一導(dǎo)電層142設(shè)置于各顯示單元112的周邊線路區(qū)120中，且 第一導(dǎo)電層142例如是連接于各個(gè)顯示區(qū)118。當(dāng)工藝步驟中有靜電荷累積于 顯示區(qū)118的各線路中時(shí)，第一導(dǎo)電層142可將這些靜電荷導(dǎo)出。因此，第一 導(dǎo)電層142作為靜電放電的防護(hù)之用，其有助于提高母板100的工藝良率。
此外，基板110的材質(zhì)是包含無機(jī)透明材質(zhì)(如玻璃、石英、或其它材 質(zhì))、有機(jī)透明材質(zhì)(如聚烯類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性 聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙酰酸甲酯類、聚碳酸酯類、或 其它、或上述的衍生物、或上述的組合)、無機(jī)不透明材質(zhì)(如硅片、陶瓷、 或其它、或上述的組合)、或上述的組合。舉例來說，基板110是用在像素陣列 基板中作為基底之用，且以無機(jī)透明材質(zhì)的玻璃為實(shí)施范例，但不以此為限。
接著，請同時(shí)參照圖2B與圖3B，在第一導(dǎo)電層142及基板110上形成第 一圖案化介電層150。第一圖案化介電層150中例如具有至少一第一開口 152， 其暴露出第一導(dǎo)電層142的部份區(qū)域。第一圖案化介電層150的材質(zhì)例如是無 機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它材 質(zhì)、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光刻膠、苯并環(huán)丁烯(enzocyclobutane， BCB)、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙烷類、聚 苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它材料、或上述的組合)、或上述的組合。 值得一提的是，第一開口 152的位置例如是對應(yīng)于母板100的預(yù)切割區(qū)114上 為范例，也就是位于各顯示單元112的交界處。此外，第一開口152的尺寸例 如是略大于預(yù)切割區(qū)114的寬度，以將預(yù)切割區(qū)114中以及預(yù)切割區(qū)114兩側(cè) 的部份第一導(dǎo)電層142暴露出來，但不限于此，第一開口 152的尺寸是大致上 相同于預(yù)切割區(qū)114的寬度。在其它實(shí)施例中，第一開口 152也可以沿著預(yù)切 割區(qū)114延伸，以使預(yù)切割區(qū)114中的基板110被暴露出來。也就是說，第一 圖案化介電層150的邊緣可以是位于預(yù)切割區(qū)114之外。
然后，請同時(shí)參照圖2C與圖3C，形成圖案化透明導(dǎo)電層160，其連接于第 一導(dǎo)電層142。圖案化透明導(dǎo)電層160的形成方式例如是先形成透明導(dǎo)電材料 于基板110上，并進(jìn)行一圖案化工藝以形成對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)114并連接于第一 導(dǎo)電層142的圖案化透明導(dǎo)電層160。透明導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物、銦鋅 氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、 鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物等或上述的組合。在本實(shí)施例中，圖案化透明導(dǎo)電層 160的外形，也即上視圖形，較佳地，例如為口字形、O字形的環(huán)狀圖案或是n 字形、U字形的折曲狀圖案，也可使用H字形、S字形、W字形、V字形等的折 曲狀圖案。同時(shí)，上述環(huán)狀圖案或是折曲狀圖案的部分構(gòu)成的第二開口 162位 于預(yù)切割區(qū)114中，對應(yīng)第一開口 152，并暴露出第一導(dǎo)電層142的部份區(qū)域。 實(shí)務(wù)上，圖案化透明導(dǎo)電層160的第二開口 162將預(yù)切割區(qū)114中的第一導(dǎo)電 層142暴露出來。此外，圖案化透明導(dǎo)電層160的部份區(qū)域位于圖1中所繪示 的第一區(qū)域132旁，以定義出第二區(qū)域134，也就是剖線BB'所在位置。
第一導(dǎo)電層142未圖案化之前是連續(xù)的金屬導(dǎo)線而可作為釋放靜電荷之 用。然而，若母板100被切割后，位于預(yù)切割區(qū)114中的第一導(dǎo)電層142被裸 露的側(cè)邊可能在后續(xù)測試過程中被腐蝕或是氧化而影響產(chǎn)品質(zhì)量。所以，請參
照圖2D與圖3D,在進(jìn)行上述的圖案化工藝以形成圖案化透明導(dǎo)電層160的同 時(shí)，也將第一圖案化導(dǎo)電層140圖案化成多段不連續(xù)的線段。實(shí)務(wù)上，位于第 二開口 162中的第一導(dǎo)電層142將在此步驟中被移除，以形成第一圖案化導(dǎo)電 層140。因此，第一圖案化導(dǎo)電層140的末端例如是與圖案化透明導(dǎo)電層160 在第二開口 162中的部份側(cè)壁切齊，但不限于此，第一圖案化導(dǎo)電層140的末 端也可退縮于圖案化透明導(dǎo)電層160在第二開口 162中的部份側(cè)壁的投影面積 內(nèi)。必需說明的是，在其它實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層也可于圖2A或圖2B過程中 配合光掩模來進(jìn)行圖案化工藝以形成第一圖案化導(dǎo)電層140，而不需要與圖案 化透明導(dǎo)電層160過程中同時(shí)形成。
此外，圖案化透明導(dǎo)電層160的部份區(qū)域例如與第一開口 152所暴露出來 的第一圖案化導(dǎo)電層140接觸。也即，對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)114的圖案化透明導(dǎo)電 層160將第一圖案化導(dǎo)電層140的末端連接。因此，圖案化透明導(dǎo)電層160與 第一圖案化導(dǎo)電層140構(gòu)成一完整的導(dǎo)電線路，而有助于將工藝歩驟中或是環(huán) 境中累積在基板110上的靜電荷釋放。
換言之，本實(shí)施例是借著圖案化透明導(dǎo)電層160的配置以將不連續(xù)的第一 圖案化導(dǎo)電層140連接，而構(gòu)成完整的靜電防護(hù)線路。因此，基板110上的各 元件不易受到靜電放電的破壞，而可維持良好的質(zhì)量。此外，在后續(xù)工藝中沿 著切割區(qū)144切割基板110時(shí)，含有金屬材質(zhì)的第一圖案化導(dǎo)電層140不會(huì)被 暴露出來而被腐蝕。所以，本實(shí)施例的設(shè)計(jì)有助于維持產(chǎn)品的質(zhì)量。
之后，請參照圖2E與圖犯，在基板110及圖案化透明導(dǎo)電層160上形成 第二圖案化介電層170，以完成靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130。第二圖案化介電層170可以 由有機(jī)介電材料、無機(jī)介電材料或是上述的組合制作而成，而且其材料可選用 第一圖案化介電層150所描述的材料。第二圖案化介電層170完整地覆蓋于基 板110之上。實(shí)務(wù)上，第二圖案化介電層170例如是覆蓋住第一圖案化導(dǎo)電層 140與圖案化透明導(dǎo)電層160的部份側(cè)壁，也即第二圖案化介電層170順應(yīng)地 覆蓋住第一圖案化導(dǎo)電層140與圖案化透明導(dǎo)電層160。此外，位于預(yù)切割區(qū) 114的部份第二圖案化介電層170例如直接配置于基板110上。
另外，在制作靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130的過程中，可以同時(shí)在各顯示單元112的 顯示區(qū)118中形成多個(gè)像素116。整體而言，母板100的每一個(gè)制作階段都有 完整的導(dǎo)電線路將不必要的靜電荷導(dǎo)出，而使本發(fā)明的母板100具有高工藝良
率。甚至，母板ioo在被切割成多個(gè)像素陣列基板之后仍維持良好的質(zhì)量。
由于，母板100包括多個(gè)顯示單元112，因此母板100制作完成后，必需 通過雷射切割工藝、切割刀工藝、切割輪工藝、或其它切割工藝、或上述的切
割工藝組合將各個(gè)顯示單元112分割成多個(gè)各自獨(dú)立的像素陣列基板。圖4a 繪示為本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素陣列基板的上視示意圖，而圖4b1、圖4b2 及圖4b3分別為沿圖4a的剖線i-ii、 ii-iii、 iv-iii所繪示的剖面示意圖。 請同時(shí)參照圖4a與圖4b1、圖4b2及圖4b3，像素陣列基板400是由上述的母 板100沿預(yù)切割區(qū)114切割而成的，所以像素陣列基板400的組成元件與母板 100相同。像素陣列基板400包括一基板100以及至少一靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130?；?板100包括具有多個(gè)像素116的顯示區(qū)118與相鄰于顯示區(qū)118的至少一周邊 線路區(qū)120，本發(fā)明的實(shí)施例是以環(huán)繞顯示區(qū)118的至少一周邊線路區(qū)120為 實(shí)施范例，但不限于此。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130位于外圍線路區(qū)120中，連接于顯 示區(qū)118，且具有至少一第一區(qū)域132及與第一區(qū)域132相鄰的至少一第二區(qū) 域134。此外，剖線i-ii是位于第一區(qū)域132中，剖線ii-iii是沿著基板110 邊緣，而剖線iv-iii則位于第二區(qū)域134中。
從剖線i-ii可知，第一圖案化介電層150的第一開口 152暴露出部份第一 圖案化導(dǎo)電層140，本實(shí)施例是以第一開口 152暴露出第一圖案化導(dǎo)電層140 的末端為實(shí)施范例，且圖案化透明導(dǎo)電層160與第一圖案化導(dǎo)電層140連接。 靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130中，第一圖案化導(dǎo)電層140的末端遠(yuǎn)離基板110的邊緣。因 此，第一圖案化導(dǎo)電層140位于剖線ii-iii所繪示的剖面之外。也即，基板 110的邊緣不會(huì)有第一圖案化導(dǎo)電層140的側(cè)邊裸露出來。另外，第二圖案化 介電層170覆蓋于圖案化透明導(dǎo)電層160及基板110上。實(shí)務(wù)上，從剖線ii-iii 可知，第二圖案化介電層170暴露出第二區(qū)域134上的圖案化透明導(dǎo)電層160
像素陣列基板400的內(nèi)部若有靜電荷的累積，則這些靜電荷可沿著第一圖 案化導(dǎo)電層140傳導(dǎo)至圖案化透明導(dǎo)電層160而釋放至像素陣列基板400之外。 因此，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130在像素陣列基板400中扮演著重要的靜電放電防護(hù)的 角色，而有助于維持像素陣列基板400的質(zhì)量。另外，如剖線ii-ni所示，靜 電防護(hù)結(jié)構(gòu)130中裸露于外的導(dǎo)電層為圖案化透明導(dǎo)電層160，其并非金屬材 質(zhì)，所以靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130不會(huì)有金屬裸露面被腐蝕的問題發(fā)生。 第二實(shí)施例圖5繪示為本發(fā)明的第二實(shí)施例的母板的局部上視示意圖。請參照圖5，母板500與第一實(shí)施例的母板100相似，其中相同的元件在此不再贅述。母板 500與母板100差異的處在于，母板500的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530中還包括一圖案 化半導(dǎo)體層580以及第二圖案化導(dǎo)電層590至少其中之一。圖案化半導(dǎo)體層580配置于第二區(qū)域134中，以便于部分第一圖案化介電 層150位于基板110以及圖案化半導(dǎo)體層580之間。第二圖案化導(dǎo)電層590配 置于第一圖案化介電層150上。第二圖案化導(dǎo)電層590具有至少一第三開口 592 與第一開口 152交錯(cuò)，以遠(yuǎn)離預(yù)切割區(qū)114并電性連接第一圖案化導(dǎo)電層140 及圖案化半導(dǎo)體層580。圖案化透明導(dǎo)電層160對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)114上并電性 連接于第一圖案化導(dǎo)電層140。實(shí)務(wù)上，圖案化透明導(dǎo)電層160例如通過第二 圖案化導(dǎo)電層590電性連接于第一圖案化導(dǎo)電層140及圖案化半導(dǎo)體層580。 當(dāng)?shù)诙D案化導(dǎo)電層590不存在時(shí)，圖案化透明導(dǎo)電層160可電性連接第一圖 案化導(dǎo)電層140及圖案化半導(dǎo)體層580。換言之，第一圖案化導(dǎo)電層140及圖 案化半導(dǎo)體層580之間可以通過圖案化透明導(dǎo)電層160及第二圖案化導(dǎo)電層 590至少其中的一者電性連接，以更進(jìn)一步將第一圖案化導(dǎo)電層140的不同線 段之間電性連接。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530中，第一圖案化導(dǎo)電層140 、第二圖案化導(dǎo)電層590 、圖 案化半導(dǎo)體層580與圖案化透明導(dǎo)電層160連接成完整的導(dǎo)電線路，以防止母 板500中發(fā)生靜電放電的現(xiàn)象。因此，母板500在制造過程中不易受到損壞， 而有較高的工藝良率。另外，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530位于預(yù)切割區(qū)114內(nèi)的導(dǎo)電線 路部份都由非金屬材質(zhì)制成。所以，母板114沿預(yù)切割區(qū)114被切割后的切割 面上不會(huì)有金屬裸露于外，而可維持良好的質(zhì)量。圖6A至圖6E為沿圖5的剖 線CC'及剖線DD'繪示的本發(fā)明的第二實(shí)施例的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程剖 面圖；圖7A至圖7E繪示為圖5的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程局部上視圖， 詳細(xì)來說，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530的制造方法如圖6A 6E的剖面示意圖及圖7A 7E的上視示意圖所示，其中圖6A 6E是沿圖5的剖線CC，與剖線DD，所繪示。請先參照圖6A與圖7A，在基板110上形成一第一導(dǎo)電層142以及形成第 一介電層154。在此，形成第一導(dǎo)電層142的步驟例如與圖2A與圖3A的步驟 相同。此外，第一介電層154覆蓋于第一導(dǎo)電層142以及基板110上，特別是
第二區(qū)域134中，第一介電層154直接配置于基板110上。第一介電層154的材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化 鋁、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光刻膠、苯并環(huán)丁烯(enzocyclobutane， BCB)、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、 聚環(huán)氧乙垸類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它材料、或上述的組 合)、或上述的組合。接著，請參照圖6B與圖7B，在第一導(dǎo)電層142旁形成圖案化半導(dǎo)體層580。 圖案化半導(dǎo)體層580的位置對應(yīng)預(yù)切割區(qū)114的位置，且不與第一導(dǎo)電層142 重迭或相交。圖案化半導(dǎo)體層580配置于第一介電層154上，也即于第二區(qū)域 134中，且第一介電層154介于圖案化半導(dǎo)體層580與基板110之間。然后，請參照圖6C與圖7C，于第一介電層154中形成一第一開口 152，以 使第一介電層154圖案化為第一圖案化介電層150。此時(shí)，第一圖案化介電層 150的部份區(qū)域例如是介于圖案化半導(dǎo)體層580與基板110之間。第一開口 152 與預(yù)切割區(qū)114部份重迭并暴露出部份第一導(dǎo)電層142。由于，連續(xù)的第一導(dǎo) 電層142可將基板110中的靜電荷導(dǎo)出，而提供適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)作用以避免上述各 制作步驟中發(fā)生靜電放電而造成部份元件的損壞。之后，請參照圖6D與圖7D，于第一圖案化介電層150上形成第二圖案化 導(dǎo)電層590。在本實(shí)施例中，第二圖案化導(dǎo)電層590的材質(zhì)例如選自與第一圖 案化導(dǎo)電層142相同的材質(zhì)或不相同的材質(zhì)，且第一圖案化導(dǎo)電層142可選自 于前述實(shí)施例中所述的材質(zhì)。第二圖案化導(dǎo)電層590具有至少一與第一開口 152 交錯(cuò)的第三開口 592。第三開口 592的邊緣大致鄰近于預(yù)切割區(qū)114的邊緣或 切齊預(yù)切割區(qū)114的邊緣，并且第三開口 592將第二圖案化導(dǎo)體層590斷開成 多個(gè)區(qū)塊。也就是說，第三開口 592的配置使得第二圖案化導(dǎo)電層590實(shí)質(zhì)上 位于預(yù)切割區(qū)114之外。此外，形成第三開口 592的同時(shí)，也將位于第三開口 592中的第一導(dǎo)電層 142移除以形成第一圖案化導(dǎo)電層140。換言之，第一圖案化導(dǎo)電層140與第二 圖案化導(dǎo)電層590是在同一個(gè)圖案化工藝中形成的。對應(yīng)第三開口 592處，第 一圖案化導(dǎo)電層140與第二圖案化導(dǎo)電層590的邊緣例如會(huì)大致切齊。因此， 第一圖案化導(dǎo)電層140與第二圖案化導(dǎo)電層590實(shí)質(zhì)上都位于預(yù)切割區(qū)114之 外。所以，后續(xù)工藝中沿著預(yù)切割區(qū)114所切割的切割面上不會(huì)有第一圖案化
導(dǎo)電層140與第二圖案化導(dǎo)電層590的金屬材質(zhì)裸露于外。此外，在其它實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層142也可于圖6a、圖6c或圖6d過程中各別配合光掩模來進(jìn) 行圖案化工藝以形成第一圖案化導(dǎo)電層140，而不需要與圖案化第二導(dǎo)電層590 過程中同時(shí)形成。因此，第一圖案化導(dǎo)電層140實(shí)質(zhì)上都位于預(yù)切割區(qū)114之 外。所以，后續(xù)工藝中沿著預(yù)切割區(qū)114所切割的切割面上不會(huì)有第一圖案化 導(dǎo)電層140的金屬材質(zhì)裸露于外。另外，第一圖案化導(dǎo)電層140、第二圖案化導(dǎo)電層590與圖案化半導(dǎo)體層 580構(gòu)成一連續(xù)的導(dǎo)電層線路。即使原本提供靜電防護(hù)作用的第一金屬層142 在此步驟中被圖案化成不連續(xù)的線斷，第一圖案化導(dǎo)電層140、第二圖案化導(dǎo) 電層590與圖案化半導(dǎo)體層580構(gòu)成的導(dǎo)電層線路仍可將工藝中或是環(huán)境中累 積在基板110上的靜電荷導(dǎo)出。整體來說，基板110上仍保有靜電防護(hù)的線路， 而使工藝良率不受影響。之后，請參照圖6e與圖7e，依序形成一圖案化透明導(dǎo)電層160以及第二 圖案化介電層170于基板iio上，以構(gòu)成靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530。圖案化透明導(dǎo)電 層的材質(zhì)可選用前述實(shí)施例所述的材質(zhì)。圖案化透明導(dǎo)電層160電性連接于第 二圖案化導(dǎo)電層590及圖案化半導(dǎo)體層580。實(shí)務(wù)上，圖案化透明導(dǎo)電層160 將位于預(yù)切割區(qū)114兩側(cè)的第二圖案化導(dǎo)電層590電性連接。所以，圖案化透 明導(dǎo)電層160的配置也有助于靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530將靜電荷導(dǎo)出于基板110之外， 而進(jìn)一步提升母板530的良率。當(dāng)然，在形成靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530的過程中也可 以同時(shí)在顯示單元112中形成多個(gè)如第一實(shí)施例所述的像素116于顯示區(qū)118 中。值得一提的是，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530的制造過程可與像素116的制造過程兼 容，而本發(fā)明并不排除以不同的制造步驟以分別制作靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530與像素 116。然而，在其它實(shí)施例中，也可不存在第二圖案化導(dǎo)電層590的步驟，而由 后續(xù)的步驟來構(gòu)成一連續(xù)的導(dǎo)電層線路。因此，此時(shí)所構(gòu)成的連續(xù)的導(dǎo)電層線 路是由第一圖案化導(dǎo)電層140、圖案化半導(dǎo)體層580與圖案化透明導(dǎo)電層160 所組成。圖8a繪示為本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素陣列基板的上視示意圖，而圖8b 為沿圖8a的剖線1-11、 ii-iii、 iv-iii所繪示的剖面示意圖。其中，剖線i-ii 是位于第一區(qū)域132中，剖線ii-iii是沿著基板110的邊緣，而剖線iv-iii 則位于第二區(qū)域134中。請參照圖8a與圖8b，像素陣列基板800是由圖5的
母板500沿著預(yù)切割區(qū)114切割而成的，其與母板500的元件相同。所以，在 靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530中，圖案化透明導(dǎo)電層160覆蓋于第二圖案化導(dǎo)電層590、 第一圖案化介電層150、部份圖案化半導(dǎo)體層580及基板110上或覆蓋于第一 圖案化介電層150、部份圖案化半導(dǎo)體層580及基板110上。如沿剖線II-III觀察像素陣列基板800，則第二圖案化介電層170暴露出 第二區(qū)域134上的圖案化透明導(dǎo)電層160、第一圖案化介電層150與圖案化半 導(dǎo)體層580的一側(cè)邊，以及第一區(qū)域132上的圖案化透明導(dǎo)電層160的一側(cè)邊。 也就是說，像素陣列基板800的側(cè)邊所裸露出來的導(dǎo)電層(如圖案化透明導(dǎo)電層 160與圖案化半導(dǎo)體層580)都為非金屬材質(zhì)的導(dǎo)電層。所以，像素陣列基板800 在后續(xù)的測試過程中不會(huì)有金屬腐蝕的問題發(fā)生。另外，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530中圖案化透明導(dǎo)電層160將第二圖案化導(dǎo)電層590 以及部份圖案化半導(dǎo)體層580電性連接，且第二圖案化導(dǎo)電層590直接連接第 一圖案化導(dǎo)電層140或是圖案化透明導(dǎo)電層160將部份圖案化半導(dǎo)體層580與 第一圖案化導(dǎo)電層140電性連接。所以，像素陣列基板800中若有靜電產(chǎn)生， 則靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530可將靜電導(dǎo)出以避免靜電放電對各元件或線路的損壞。簡 言之，本發(fā)明的像素陣列基板800非但不會(huì)有金屬外露而腐蝕的問題，更具有 較長的使用壽命。應(yīng)用本實(shí)施例的像素陣列基板800而制作的顯示面板更是具 有良好的質(zhì)量及較長的使用壽命。第三實(shí)施例圖9A為本發(fā)明第三實(shí)施例的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的上視示意圖，而圖9B 為沿圖9A的剖線E-E'及剖線F-F'所繪示的剖面圖。請參照圖9A與圖9B，靜電 防護(hù)結(jié)構(gòu)930與第一實(shí)施例中母板100上的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130相似且其描述、 制造方法與必要元件的材料也可依造第一實(shí)施例中的描述、配置、制造方法來 實(shí)施及選用。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)930中，第一圖案化介電層950具有多個(gè)第一開口 952、 954。第一開口 952對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)114，且與第一圖案化導(dǎo)電層140的 邊緣大致上切齊。另外，第一開口 954位于第一圖案化導(dǎo)電層140鄰近預(yù)切割 區(qū)114的末端，并將部份第一圖案化導(dǎo)電層140暴露出來。如此，第一圖案化 導(dǎo)電層140可透過第一開口 954與圖案化透明導(dǎo)電層960電性連接。除此之外，圖案化透明導(dǎo)電層960的第二開口 962在本實(shí)施例中例如是暴 露出部份的第一圖案化介電層950。也就是說，在第一圖案化導(dǎo)電層140的延
伸方向上，第二開口 962的寬度例如是實(shí)質(zhì)上大于第一開口 952的寬度。本實(shí) 施例的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)930具有第一實(shí)施例中所述的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)130的優(yōu)點(diǎn)。 所以本實(shí)施例的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)930有助于提升母板或是主動(dòng)元件陣列基板的制 作良率以及質(zhì)量。另外，本實(shí)施例的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方式也可以兼容于現(xiàn) 有技術(shù)的主動(dòng)元件陣列工藝。另外，此實(shí)施例中，當(dāng)母片切割出復(fù)數(shù)個(gè)像素陣列基板時(shí)，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu) 也不會(huì)有金屬裸露面被腐蝕的問題發(fā)生且其沿著基板110邊緣的剖面結(jié)構(gòu)，也 如第一實(shí)施例的剖線n-in是沿著基板110邊緣所述的結(jié)構(gòu)。第四實(shí)施例圖IOA為本發(fā)明第四實(shí)施例的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的上視示意圖，而圖10B 為沿圖10A的剖線G-G'及剖線H-H'所繪示的剖面圖。請參照圖10A與圖IOB， 在本實(shí)施例中，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1030與第二實(shí)施例中母板500的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu) 530相似且其描述、配置、制造方法與必要元件的材料也可依造第二實(shí)施例中 的描述、制造方法來實(shí)施及選用。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1030中，第一圖案化介電層 1050具有多個(gè)第一開口 1052、 1054。第一開口 1052對應(yīng)于預(yù)切割區(qū)114，且 與第一圖案化導(dǎo)電層140的邊緣大致上切齊。另外，第一開口 1054位于第一圖 案化導(dǎo)電層140鄰近預(yù)切割區(qū)114的末端，并將部份第一圖案化導(dǎo)電層140暴 露出來。同時(shí)，第二圖案化導(dǎo)電層590的第三開口 592在本實(shí)施例中例如是暴 露出部份的第一圖案化介電層1050，使得第三開口 592的邊緣位于預(yù)切割區(qū)140 外。實(shí)務(wù)上，第一圖案化導(dǎo)電層140可以通過第一開口 1054電性連接第二圖案 化導(dǎo)電層590，并進(jìn)一步與圖案化透明導(dǎo)電層160電性連接。當(dāng)靜電防護(hù)結(jié)構(gòu) 1030中未設(shè)置有第二圖案化導(dǎo)電層590時(shí)，第一圖案化導(dǎo)電層140也可通過第 一開口 1054與圖案化透明導(dǎo)電層160電性連接。本實(shí)施例的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1030 具有第二實(shí)施例中所述的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530的優(yōu)點(diǎn)。所以本實(shí)施例的靜電防護(hù) 結(jié)構(gòu)1030有助于提升母板或是主動(dòng)元件陣列基板的制作良率以及質(zhì)量。另外，此實(shí)施例中，當(dāng)母片切割出復(fù)數(shù)個(gè)像素陣列基板時(shí)，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu) 也不會(huì)有金屬裸露面被腐蝕的問題發(fā)生且其沿著基板110邊緣的剖面結(jié)構(gòu)，也 如第二實(shí)施例的剖線II-III是沿著基板110邊緣所述的結(jié)構(gòu)。第五實(shí)施例
圖IIA為本發(fā)明第五實(shí)施例的母板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的上視示意圖，而圖11B為沿圖11A的剖線J-J'及剖線K-K'所繪示的剖面圖。請參照圖11A與圖11B， 在本實(shí)施例中，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1130與第四實(shí)施例中的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1030相似 且其描述、制造方法與必要元件的材料也可依造第二實(shí)施例中的描述、制造方 法來實(shí)施及選用。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1130中，第一圖案化介電層1150的第一開口 1152位于第一圖案化導(dǎo)電層140鄰近預(yù)切割區(qū)114的末端，并將部份第一圖案 化導(dǎo)電層140暴露出來。也就是說，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1130未設(shè)置有對應(yīng)于預(yù)切割 區(qū)114中的第一開口 1152，也即本實(shí)施例的第一開口 1152都不在預(yù)切割區(qū)114中。第一圖案化導(dǎo)電層140可以通過第一開口1152電性連接第二圖案化導(dǎo)電層 590，并進(jìn)一歩與圖案化透明導(dǎo)電層160電性連接。當(dāng)靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1130中未 設(shè)置有第二圖案化導(dǎo)電層590時(shí)，第一圖案化導(dǎo)電層140也可通過第一開口 1152與圖案化透明導(dǎo)電層160電性連接。本實(shí)施例的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1130是通 過不同的導(dǎo)體材質(zhì)制作而成的，并且位于預(yù)切割區(qū)114的導(dǎo)體是由非金屬材質(zhì) 構(gòu)成，因此沿著預(yù)切割區(qū)114切割的切割面上不會(huì)有金屬裸露的情形。靜電防 護(hù)結(jié)構(gòu)1130具有第二實(shí)施例中所述的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)530的優(yōu)點(diǎn)。實(shí)務(wù)上，若將靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)U30沿著預(yù)切割區(qū)114切割，則切割面的剖面 圖如圖11C所示。由圖11C可知，剖線L-L，上所裸露出來的導(dǎo)體層為圖案化半 導(dǎo)體層580以及圖案化透明導(dǎo)電層160。這兩層導(dǎo)體層都非由金屬材質(zhì)所構(gòu)成， 因此靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1130在切割后不會(huì)有金屬外露而腐蝕的問題。進(jìn)一步來說， 若液晶顯示面板應(yīng)用本實(shí)施例所提出的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)1130則可以具有較長的 使用壽命及較好的顯示質(zhì)量。另外，必需說明的是，上述實(shí)施例中各膜層的圖案化方式是經(jīng)過各膜層沉 積、光刻膠涂布、并配合光掩模曝光及蝕刻來移除不要保留的部份，但不限于 此，也可以其它任何適當(dāng)?shù)姆绞郊右灾苽?，例如噴墨方式、印刷方式、其?方式、或前述的組合。上述光掩模類型，也可采用一般光掩模，也即僅具有光 穿透區(qū)及光不穿透區(qū)或是具有不同光穿透程度的光掩模，也即具有光穿透區(qū)、 光不穿透區(qū)、及至少一位于光穿透區(qū)及光不穿透區(qū)的半透光區(qū)域，此種類型的 光掩模，如狹縫圖案光掩模、半透光掩模、灰階光掩模、繞射光掩模、或其 它相同類型的光掩模、或上述的組合。圖12為本發(fā)明的一實(shí)施例的光電裝置示意圖。如圖12所示，由上述各種實(shí)施例所形成的像素陣列基板可以應(yīng)用于一顯示面板1202中，且顯示面板1202 與電子元件1204電性連接則可組合成一光電裝置1200。在此，電子元件1204 包括如控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、存儲(chǔ)元件、驅(qū)動(dòng)元件、 發(fā)光元件、保護(hù)元件、感測元件、檢測元件、或其它功能元件、或前述的組合。 而光電裝置的類型包括可攜式產(chǎn)品(如手機(jī)、攝影機(jī)、照相機(jī)、筆記型計(jì)算機(jī)、 游戲機(jī)、手表、音樂播放器、電子信件收發(fā)器、地圖導(dǎo)航器、數(shù)字相片、或類 似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品(如影音放映器或類似的產(chǎn)品)、屏幕、電視、廣告牌、 投影機(jī)內(nèi)的面板等。一般而言，顯示面板1202的成品至少包含一像素陣列基板、另一相對于上 述像素陣列基板的透明基板，且另一透明基板具有一透明導(dǎo)電層、及一顯示介 質(zhì)(display media)的材料設(shè)置于像素陣列基板與另一透明基板之間。當(dāng)顯示介 質(zhì)的材料為液晶材料時(shí)，顯示面板1202稱為液晶顯示面板(如穿透型顯示面 板、半穿透型顯示面板、反射型顯示面板、彩色濾光片于主動(dòng)層上(color filter on array)的顯示面板、主動(dòng)層于彩色濾光片上(array on color filter)的 顯示面板、垂直配向型(VA)顯示面板、水平切換型(IPS)顯示面板、多域 垂直配向型(MVA)顯示面板、扭曲向列型(TN)顯示面板、超扭曲向列型(STN) 顯示面板、圖案垂直配向型(PVA)顯示面板、超級圖案垂直配向型(S-PVA) 顯示面板、先進(jìn)大視角型(ASV)顯示面板、邊緣電場切換型(FFS)顯示面 板、連續(xù)焰火狀排列型(CPA)顯示面板、軸對稱排列微胞型(ASM)顯示面 板、光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列型(0CB)顯示面板、超級水平切換型(S-IPS)顯示 面板、先進(jìn)超級水平切換型(AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場切換型(UFFS) 顯示面板、高分子穩(wěn)定配向型顯示面板、雙視角型(dual-view)顯示面板、 三視角型(triple-view) 顯示面板、三維顯示面板(three-dimensional)或 其它型面板、或上述的組合)。另外，當(dāng)顯示介質(zhì)的材料為有機(jī)電激發(fā)光材料 時(shí)，則顯示面板1202稱為有機(jī)電激發(fā)光顯示面板(如熒光有機(jī)電激發(fā)光顯示 面板、磷光有機(jī)電激發(fā)光顯示面板、或上述的組合)，或上述的組合。其中， 有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的有機(jī)電激發(fā)光材料包含小分子發(fā)光材料、高分子發(fā)光 材料、或上述的組合。綜上所述，本發(fā)明的母板以及像素陣列基板中，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)由金屬與非
金屬導(dǎo)電層連接而成，其中非金屬導(dǎo)電層是對應(yīng)于母板的預(yù)切割區(qū)而配置。母 板經(jīng)切割后所形成的像素陣列基板中，靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)裸露出來的一側(cè)面為非金 屬材質(zhì)。因此，像素陣列基板不會(huì)有金屬材質(zhì)裸露于側(cè)邊而被腐蝕的問題。另 外，本發(fā)明部分實(shí)施例的母板的制造方法中，每一階段的工藝都有靜電防護(hù)的 線路，而使母板的工藝良率提高。進(jìn)一步而言，本發(fā)明的母板切割而成的像素 陣列基板也具有高良率。綜合而論，本發(fā)明可提供高良率、高質(zhì)量及使用壽命 長的母板、像素陣列基板及其相關(guān)光電裝置。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種母板，包括一基板及至少一靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，該基板具有多個(gè)顯示單 元，該些顯示單元之間定義出至少一預(yù)切割區(qū)，各該顯示單元包括一具有多個(gè) 像素的顯示區(qū)與至少一周邊線路區(qū)，該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)置于該預(yù)切割區(qū)上并位 于該些周邊線路區(qū)中，且連接于該些顯示區(qū)，該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)具有至少一第一 區(qū)域及與該第一區(qū)域相鄰的至少一第二區(qū)域，該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括一第一圖案化導(dǎo)電層，配置于該第一區(qū)域上，且該第一圖案化導(dǎo)電層的末 端遠(yuǎn)離該預(yù)切割區(qū)；一第一圖案化介電層，配置于該第一圖案化導(dǎo)電層以及該基板上，且該第 一圖案化介電層具有至少一第一開口，暴露出部份該第一圖案化導(dǎo)電層；一圖案化透明導(dǎo)電層，對應(yīng)于該預(yù)切割區(qū)上并電性連接于該第一圖案化導(dǎo) 電層；一第二圖案化介電層，覆蓋于該圖案化透明導(dǎo)電層及該基板上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的母板，其特征在于，該圖案化透明導(dǎo)電層具有至 少一對應(yīng)于該第一開口的第二開口 。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的母板，其特征在于，還包括一圖案化半導(dǎo)體層， 配置于該第二區(qū)域中，以使部分該第一圖案化介電層位于該基板以及該圖案化 半導(dǎo)體層之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的母板，其特征在于，還包括一第二圖案化導(dǎo)電層， 配置于該第一圖案化介電層上，且該第二圖案化導(dǎo)電層具有至少一第三開口與 該第一開口交錯(cuò)，以遠(yuǎn)離該預(yù)切割區(qū)并電性連接該第一圖案化導(dǎo)電層及該圖案 化半導(dǎo)體層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的母板，其特征在于，該圖案化透明導(dǎo)電層覆蓋該 第二圖案化導(dǎo)電層、該第一圖案化介電層、部份該圖案化半導(dǎo)體層及該基板。
6. —種像素陣列基板，包括一基板以及至少一靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，該基板包括 一具有多個(gè)像素的顯示區(qū)與至少一周邊線路區(qū)，該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)位于該外圍線 路區(qū)中，連接于該顯示區(qū)，且具有至少一第一區(qū)域及與該第一區(qū)域相鄰的至少 一第二區(qū)域，該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括一第一圖案化導(dǎo)電層，配置于該第一區(qū)域上，且該第一圖案化導(dǎo)電層的末端遠(yuǎn)離該基板的邊緣；一第一圖案化介電層，配置于該第一圖案化導(dǎo)電層及該基板上，且該第一 圖案化介電層暴露出部分該第一圖案化導(dǎo)電層；一圖案化透明導(dǎo)電層，配置于該基板上，并與該第一圖案化導(dǎo)電層電性連 接；以及一第二圖案化介電層，覆蓋于該圖案化透明導(dǎo)電層及該基板上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素陣列基板，其特征在于，該第二圖案化介電 層暴露出該第二區(qū)域上的該圖案化透明導(dǎo)電層的一側(cè)邊。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素陣列基板，其特征在于，還包括一圖案化半 導(dǎo)體層，配置于該第二區(qū)域中，以使部分該第一圖案化介電層位于該基板以及 該圖案化半導(dǎo)體層之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素陣列基板，其特征在于，該第二圖案化介電 層暴露出該第二區(qū)域上的該圖案化透明導(dǎo)電層、該第一圖案化介電層與該圖案 化半導(dǎo)體層的一側(cè)邊。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素陣列基板，其特征在于，還包括一第二圖案 化導(dǎo)電層，配置于該第一圖案化介電層上，以電性連接該第一圖案化導(dǎo)電層及 該圖案化半導(dǎo)體層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素陣列基板，其特征在于，該圖案化透明導(dǎo) 電層覆蓋于該第二圖案化導(dǎo)電層、該第一圖案化介電層、部份該圖案化半導(dǎo)體 層及該基板上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素陣列基板，其特征在于，該第二圖案化介 電層暴露出該第一區(qū)域上的該圖案化透明導(dǎo)電層的一側(cè)邊及該第二區(qū)域上的該 圖案化透明導(dǎo)電層、該圖案化半導(dǎo)體層、該第一圖案化介電層的一側(cè)邊。
13. —種母板的制造方法，該母板包括一基板及至少一靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，該基 板具有多個(gè)顯示單元，該些顯示單元之間定義出至少一預(yù)切割區(qū)，各該顯示單 元包括具有多個(gè)像素的一顯示區(qū)與至少一周邊線路區(qū)，該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)置于 該預(yù)切割區(qū)上，位于該些周邊線路區(qū)中，并連接于該些顯示區(qū)，該靜電防護(hù)結(jié) 構(gòu)具有至少一第一區(qū)域及與該第一區(qū)域相鄰的至少一第二區(qū)域，該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法包括形成一第一圖案化導(dǎo)電層于該第一區(qū)域，該第一圖案化導(dǎo)電層的末端遠(yuǎn)離該預(yù)切割區(qū)；形成一第一圖案化介電層于該第一圖案化導(dǎo)電層及該基板上，且該第一圖案化介電層具有至少一第一開口，以暴露出部分該第一圖案化導(dǎo)電層；形成一圖案化透明導(dǎo)電層對應(yīng)于該預(yù)切割區(qū)上并電性連接于該第一圖案化 導(dǎo)電層；形成一第二圖案化介電層于該圖案化透明導(dǎo)電層及該基板上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的母板的制造方法，其特征在于，還包括于該圖 案化透明導(dǎo)電層中形成至少一對應(yīng)于該第一開口的第二開口。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的母板的制造方法，其特征在于，還包括形成一 圖案化半導(dǎo)體層于該第二區(qū)域中，以使部分該第一圖案化介電層位于該基板以 及該圖案化半導(dǎo)體層之間。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的母板的制造方法，其特征在于，還包括形成一 第二圖案化導(dǎo)電層于該第一圖案化介電層上且該第二圖案化導(dǎo)電層具有至少一 第三開口與該第一開口交錯(cuò)，以遠(yuǎn)離該預(yù)切割區(qū)并電性連接該第一圖案化導(dǎo)電 層及該圖案化半導(dǎo)體層。
17. —種像素陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 提供一權(quán)利要求1所述的母板；以及沿著該預(yù)切割區(qū)切割該母板，該第一區(qū)域上的該第一圖案化導(dǎo)電層的末端 與該圖案化透明導(dǎo)電層的末端被該第二圖案化介電層所覆蓋，且該第二區(qū)域上 的該圖案化透明導(dǎo)電層的一側(cè)邊被曝露出來。
18. —種像素陣列基板的制造方法，其特征在于，包括提供一權(quán)利要求4所述的母板；以及沿著該預(yù)切割區(qū)切割該母板，其該第一區(qū)域上的該圖案化透明導(dǎo)電層的一 側(cè)邊及該第二區(qū)域上的該圖案化透明導(dǎo)電層、該第一圖案化介電層與該圖案化 半導(dǎo)體層的一側(cè)邊被暴露出來。
19. 一種光電裝置，其特征在于，包含權(quán)利要求6所述的像素陣列基板。
20. —種光電裝置的制造方法，其特征在于，包含權(quán)利要求17所述的像素 陣列基板的制造方法。
21. —種光電裝置的制造方法，其特征在于，包含權(quán)利要求18所述的像素 陣列基板的制造方法。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種母板、像素陣列基板、光電裝置及其制造方法，該母板包括具有顯示單元的基板及具有相鄰的第一區(qū)域及第二區(qū)域的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)。顯示單元之間定義出預(yù)切割區(qū)。各顯示單元包括具有像素的顯示區(qū)與周邊線路區(qū)。靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)置于預(yù)切割區(qū)上，位于周邊線路區(qū)中且連接于顯示區(qū)的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括配置于第一區(qū)域上并具有遠(yuǎn)離預(yù)切割區(qū)的末端的第一圖案化導(dǎo)電層、配置于第一圖案化導(dǎo)電層以及基板上且具有第一開口的第一圖案化介電層、對應(yīng)預(yù)切割區(qū)并連接第一圖案化導(dǎo)電層的圖案化透明導(dǎo)電層及覆蓋于圖案化透明導(dǎo)電層及基板上的第二圖案化介電層。第一開口暴露出部分第一圖案化導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101145567SQ200710165170
公開日2008年3月19日 申請日期2007年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月5日
發(fā)明者石志鴻, 陳培銘 申請人:友達(dá)光電股份有限公司