專利名稱：用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
雖然原理上適用于任何集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，但是下文中的發(fā)明以
及要解決的問題將關(guān)于硅技術(shù)中的集成DRAM存儲電路來進(jìn)行解 釋，所述的集成DRAM存儲電路尺寸小至遠(yuǎn)低于100 nm級別 (generation )并JU是出了更大的由匕戰(zhàn)。
動態(tài)隨4幾存取存儲器(DRAM)的存儲單元通常包括儲能電容 器(存儲電容器)以及與儲能電容器連接的存取晶體管，其中，該 儲能電容器用于儲存代表待被儲存的信息的電荷。存取晶體管包括 源極/漏極區(qū)域、連接源極/漏極區(qū)域的溝道、以及控制源極/漏極區(qū) 域之間電流流動的柵電極。晶體管通常至少部分地形成在半導(dǎo)體基 ^反上。4冊電才及形成字線的 一部分并且通過4冊才及絕纟彖體與溝道電絕 緣。通過經(jīng)由相應(yīng)字線來訪問存取晶體管，讀取或編程儲存在儲能 電容器中的信息。具體地，經(jīng)由位線接點將信息讀取到相應(yīng)的位線。
在目前所使用的DRAM存儲單元中，儲能電容器可#1實現(xiàn)為 溝道式電容器，其中，兩個電容器電極被布置于在基板中沿垂直于 基板表面的方向延伸的槽(trench)中。根據(jù)DRAM存儲單元的另 一實施方式，電荷儲存在形成于基板表面上方的疊置電容器(疊層 電容器)中。
存儲裝置通常包括存儲單元陣列和外圍器件區(qū)域。通常，存儲 裝置的外圍器件區(qū)域包括用于訪問存儲單元以及用于感測和處理 從各存儲單元接收到的信號的電路。通常，外圍部分與各存儲單元 形成在同一半導(dǎo)體基板上。因此，非常希望能夠具有可靠的制造工 藝，通過該制造工藝，可以高生產(chǎn)率地同時且可靠地形成存儲裝置 的單元陣列和外圍部件。
/>開內(nèi)容全部結(jié)合于此作為參考的美國文獻(xiàn)7,034,408 B1公開 了存儲裝置以及制造存儲裝置的方法。
具體地，公知方法包括以下步驟通過提供存取晶體管來形成 存儲單元，其中，每個存取晶體管包括第一和第二源極/漏極區(qū)域、 布置在第 一與第二源極/漏極區(qū)域之間的溝道、以及與溝道電絕緣且 適于控制溝道的導(dǎo)電性的柵電極，所述的存取晶體管至少部分地形 成在包括表面的半導(dǎo)體基板中，并且通過提供用于儲存信息的儲存 元件使得每個儲存元件適于被存取晶體管之一所存??；提供沿基板 在第一方向上延伸的位線，所述位線經(jīng)由位線*接點連接至存取晶體 管的第一源極/漏極區(qū)域；提供沿基板在第二方向上延伸的字線，所 述第二方向與所述第一方向相交；以及提供外圍電^各，所述外圍電
路包括至少一個外圍晶體管、外圍溝道、和外圍柵電極，其中，所 述外圍晶體管包括第 一和第二外圍源極/漏極區(qū)域，所述外圍溝道連 接第 一和第二外圍源極/漏極區(qū)域，所述外圍柵電極控制外圍溝道的 導(dǎo)電性，存取晶體管的柵電極形成一個字線的一部分，外圍電路與 字線和位線連接，其中，字線的頂表面設(shè)置在基板表面的下方，并 且外圍柵電極和包括位線接點的位線通過形成層堆疊來形成，該層 堆疊包括位于基板表面上的至少一層以覆蓋存儲單元和外圍電3各， 并且隨后對該層堆疊進(jìn)行圖案化以形成位線和外圍柵電才及。
制造存儲裝置的公知方法所具有的問題是，用于字線的特定金 屬(諸如TiN、 TaN、 W等等)對于高溫處理步驟非常敏感，特別
是溫度通常在800。C以上的氧化處理步驟。因此，支持或外圍器件 的柵極氧化也可不利地氧化字線的金屬。
另一方面， 一個難以實現(xiàn)的任務(wù)是，在字線金屬沉積之前的工 藝步驟(process s叫uence )的開始階段提供高溫處理步驟，同時不 會使工藝步驟產(chǎn)生更多麻煩并且不會對用于存儲單元陣列和外圍 器件的多個同時進(jìn)行的處理步驟放松要求。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)如權(quán)利要求1所要求保護(hù)的本發(fā)明，用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 的制造方法包括以下步驟在外圍器件區(qū)域中形成外圍電路，所述 外圍電路包括至少部分地形成在所述半導(dǎo)體基板上并具有在第一 高溫處理步驟中形成的第 一柵極絕緣體的外圍晶體管；在存儲單元 區(qū)域中形成多個存儲單元，每個所述存儲單元包括存取晶體管，所 述存取晶體管至少部分地形成在半導(dǎo)體基板上并具有第二棚-極絕 緣體，該第二柵極絕緣體在第二高溫處理步驟中形成并具有金屬柵 才及導(dǎo)體，其中，所述第一和第二高溫處理步驟在形成所述金屬棚-才及 導(dǎo)體的步驟之前進(jìn)4亍。
本發(fā)明的潛在方法是，在字線形成之前和字線形成之后，將支 持或外圍器件處理分為多個部分，同時保持存儲單元和外圍器件區(qū) i或的許多同時的處理步驟。
優(yōu)選實施例在各從屬權(quán)利要求中列出。
才艮據(jù)一個實施例，所述第一高溫處理步驟在所述第二高溫處理 步驟之前執(zhí)行。
才艮據(jù)另一實施例，4丸行以下步驟在所述存4諸單元區(qū)域內(nèi)，在 所述基板上形成絕緣層；執(zhí)行所述第一高溫處理步驟；在所述存儲 單元區(qū)域中的所述絕》彖層上以及在所述外圍器件區(qū)域中的所述第 一4冊極絕緣體上沉積第一多晶硅層；在所述多晶硅層上沉積氮化物 層；在所述氮化物層上形成硬掩沖莫(hardmask);在所述存儲單元區(qū) 域中，在所述基板上形成字線凹槽；執(zhí)行所述第二高溫處理步驟； 并且在所述字線凹槽中，在所述第二柵極絕緣體上形成所述金屬才冊 極導(dǎo)體；以及去除所述硬掩模和所述氮化物層。
根據(jù)另一實施例，執(zhí)行以下步驟在蝕刻步驟中暴露所述存儲 單元區(qū)域中的所述存取晶體管的位線接點區(qū)域，其中，從所述基板 上去除所述多晶硅層和絕緣層；在所述存儲單元區(qū)域和所述外圍器 件區(qū)域中沉積第二多晶硅層；以及平坦化所述第一和第二多晶硅層 以l吏它們形成平坦的共用上表面。
才艮據(jù)另一實施例，執(zhí)4于以下步驟在所述平坦的共用上表面上 沉積至少一層導(dǎo)電層；在所述至少一層導(dǎo)電層上沉積絕緣層；以及 同時構(gòu)造所述第一和第二多晶硅層、所述至少一層導(dǎo)電層、和所述 絕緣層，以使它們形成在所述存儲單元區(qū)域中連接至所述存取晶體 管的位線和在所述外圍器件區(qū)域中的所述外圍晶體管的柵極堆疊。
根據(jù)另 一實施例，通過STI槽而分離的有源區(qū)域帶在所述存儲 單元區(qū)域中沿第 一方向形成，并且所述存取晶體管形成在所述有源 區(qū)域帶中。
根據(jù)另一實施例，其中，利用具有線/空間圖案的模(掩模， mask)來光刻法地限定位線接點區(qū)域，從而露出位線接點區(qū)域待被 露出的部分；并且將所述多晶石圭層和絕緣層,人所述基4反上去除的所 述蝕刻步驟相對于所述絕纟彖層來"i兌是選擇性的。
根據(jù)另一實施例，在所述存儲單元區(qū)域中，沿第二方向延伸的 被掩埋的字線形成在所述基板中，所述第二方向與所述第一方向相 叉。
根據(jù)另一實施例，在所述存儲單元區(qū)域中，沿第三方向延伸的 《立線形成在所述基纟反上，所述第二方向和所述第三方向^皮此垂直。
才艮據(jù)另 一實施例，絕》彖側(cè)壁分隔件同時形成在所述存4諸單元區(qū) 域中的所述位線上以及所述外圍器件區(qū)域中的所述4冊才及堆疊上。
才艮據(jù)另一實施例，所述第一和第二高溫處理步驟是溫度在800 至1100。C范圍之間的氧化處理步驟。


附圖中
圖1A-8B示出了才艮據(jù)本發(fā)明實施例的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制造方法的示意性布局圖，具體地，圖1A、圖2、圖3、圖4、圖 5A、圖6A、圖7、圖8A是三個不同的截面a)、 b)、 c),而圖1B、 圖5B、圖6B、圖8B是示意性平面圖。
附圖中，相同參考標(biāo)號表示等價的或功能上等價的部件。
具體實施例方式
圖1A-8B示出了才艮據(jù)本發(fā)明實施例的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制造方法的示意性布局圖，具體地，圖1A、圖2、圖3、圖4、圖 5A、圖6A、圖7、圖8A是三個不同的截面a)、 b)、 c),而圖1B、 圖5B、圖6B、圖8B是示意性平面圖。
工藝序列從圖1A、圖1B所示的狀態(tài)開始。具體地，圖1B是 存儲單元區(qū)域ZFB和外圍器件區(qū)域PB的平面圖，而圖1A示出了 沿圖1B中的線I-I的截面a)、沿線II-II的截面b)、和沿線ni-ni 的截面c)。
在圖1A中，參考標(biāo)號1表示硅半導(dǎo)體基板。在所述硅半導(dǎo)體 基板1的上表面OF上，已經(jīng)形成有氮化物帶形式的氮化硅掩模 (mask ) 5，該氮化物帶位于存儲單元區(qū)域ZFB中的有源區(qū)域線4 上。在有源區(qū)域線4之間，已經(jīng)在相應(yīng)的蝕刻步驟中利用所述氮化 物帶5作為掩模而形成了填充有絕緣體材料(絕緣材料)的STI絕 *彖槽10。 ^C填充的絕緣槽10的上水平面與氮化物帶5的上水平面 相同，這可通過絕緣體沉積工藝獲得，例如，在選4奪性的氧化之后 進(jìn)行高密度等離子氧化沉積以及隨后的化學(xué)機(jī)械拋光步驟。
具體地，沿有源區(qū)域線4截取的沿線I-I的截面a)，沿有源區(qū) 域線4截耳又的沿線II-II的截面b)并且該截面b)垂直于之后將形 成的位線8(參見圖8B),以及沿外圍器件區(qū)域PB的部分截取的沿
線in-in的截面c)并且該截面c)祐^殳定在與沿線ii-ii的截面b) 相同的方向上。
而且，參照圖2，氮化物掩模5被剝掉(剝?nèi)?，strip),并且在 未示出的處理步艱《中，形成平坦的犧4生fU匕物(sacrificial oxide )， 進(jìn)行將電位阱(well)和源極/漏極區(qū)域植入到有源區(qū)域線4中，并 且再次剝掉平坦的犧牲氧化物。
在下一處理步驟中，同時在存儲單元區(qū)域ZFB和外圍器件區(qū)域 PB中，將氧化物層O沉積在基板1的上表面OF上。
接著，例如由光刻膠形成的另一 (未示出的)阻擋掩模形成在 存儲單元區(qū)域ZFB上方，并且之后在外圍器件區(qū)域PB中從基板1
的表面OF去除所述氧^4勿層o。在下一處理步驟中，在去除光刻
月交之后，柵極氧化物層GO在溫度通常為800。C以上的高溫形成步 驟中形成在外圍器件區(qū)域中。
接著，從存儲單元區(qū)域ZFB中去除(未示出的)阻擋掩模，并 且將厚的未摻雜的多晶珪層15沉積在整個結(jié)構(gòu)上并通過化學(xué)機(jī)械 拋光步驟被可選地平坦化。
在下一處理步驟中，將薄的氧化物層16可選地沉積在整個結(jié) 構(gòu)上。接著，將氮化硅層20沉積在整個結(jié)構(gòu)上的薄氧化物層16上， 這產(chǎn)生了圖2所示的處理狀態(tài)。
這里應(yīng)該注意的是，氮化硅層20在下面的處理步驟中用作拋 光停止層，并可包括多個相等的或不同的層，其可等同地執(zhí)行拋光 停止層的功能。
而且，這里應(yīng)該已經(jīng)注意到了，多晶硅層15在外圍器件區(qū)域 PB中將具有柵電極層的作用，而在存儲單元區(qū)域ZFB中將具有位 線連4妄層的作用。
如圖3所示，形成并構(gòu)造了石更掩才莫層25，從而其在存4諸單元區(qū) 域ZFB中包括硬掩模開口 26,用于在當(dāng)已經(jīng)相應(yīng)地構(gòu)造了下層20、 16、 15、 0之后的后續(xù)蝕刻步驟中形成字線凹槽30，這也在圖3中 示出。而且，在這些字線凹槽形成步驟中，硬掩模層25在外圍器 件區(qū)域PB中用作保護(hù)性的阻擋掩模層。
如圖4所示，執(zhí)行非選擇性的蝕刻步驟，以在硅半導(dǎo)體基板l 中形成字線凹槽30。之后，通過通常公知的方法來剝掉硬掩模25。 在后續(xù)處理步驟中，執(zhí)行各向同性蝕刻步驟(即，濕蝕刻步驟或干 蝕刻步-驟)以在字線凹槽30的底部形成彎曲并加寬字線凹槽30，后面的這種加寬并未在這里示出。字線凹槽30的底部的彎曲將避 免在這些部分處出現(xiàn)不均勻的電場分布。
之后，可以在圖4的結(jié)構(gòu)上執(zhí)行另一蝕刻步驟，其為氧化蝕刻 步驟，以提供特別拐角的裝置的形成。
接著如圖5A、圖5B所示，執(zhí)行溫度通常在800。C以上的熱氧 化步驟，以在字線凹槽30中提供柵極氧化物層GO'。之后，在沉 積步驟中字線凹槽30填充有諸如TiN或W或TaN的字線金屬，之 后，對字線2的柵極氧化物層GO，和所述金屬填充物35進(jìn)行拋光 和內(nèi)蝕刻，使其處于珪半導(dǎo)體基板1的表面OF的下方。
在后續(xù)處理步艱《中，沉^積氧^f匕物:真充物40,并進(jìn)4亍平坦4匕和內(nèi) 蝕刻，以到達(dá)位于表面OF上方的水平上，這里是到達(dá)多晶硅層15 的大約中間。
如圖6A和圖6B所示，在下一處理步驟中，剝掉氮化石圭層20。 之后，通過光刻法限定位線接點區(qū)域BLK。如可從圖6B看到的， ^使用了帶狀形式的具有開口 412的阻擋掩才莫411。為此，第一光刻 月交層施加于整個結(jié)構(gòu)的表面，并且之后通過光刻法方式#皮圖案化， 以形成所述帶形式的開口 412。
如可乂人圖6B得到的，所述開口 412從一個字線2的中間沿寬 度方向地延伸至鄰接字線2的中間。進(jìn)而，在寬度方向上具有不在 電學(xué)方面4吏用的中介絕緣字線2，接著，該中介絕緣字線沿著下一 開口 412乂人一個字線2的中間延伸至下一字線2的中間。
在形成所述光阻阻擋掩一莫411之后，首先執(zhí)行氧化蝕刻步驟， 以將氧化物層16從掩模開口 412中的區(qū)域處去除。之后，也使用 所述阻擋掩模411，執(zhí)行多晶硅蝕刻步驟，其在阻擋掩模411的開
口 412中選擇性地去除多晶硅。之后，通過傳統(tǒng)技術(shù)剝?nèi)プ钃跹谀?411。接著，在沒有任何掩才莫的情況下，對整個結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化蝕刻 步驟，該氧化蝕刻步驟從硅半導(dǎo)體基板1的位線接點區(qū)域BLK中 以及從剩余的多晶硅層15的上表面上去除氧化層O。這產(chǎn)生了圖 6A和圖6B所示的處理狀態(tài)。應(yīng)該提到的是，根據(jù)氧化物層16和 O的厚度，還可在層O突破到所述位線接點區(qū)域BLK之后留下層 16的剩余部分(見下文中的可替換方法)。
如圖7所示，在執(zhí)行濕清潔步驟之后，將第二多晶硅層15，沉
形成具有第一多晶硅層15的平坦表面SP。這產(chǎn)生圖7所示的處理 狀態(tài)。
所述可替換方法將提供厚于氧化物層O的并在氧化物層O突 破到所述位線接點區(qū)域BLK上之后留下氧化物層16的剩余厚度的 所述氧化物層16。在這種情況下，可在多晶硅層15上執(zhí)行干多晶 石圭蝕刻，其在處于外圍的剩余氧化物層16上4亭止，之后去除該剩 余的氧4匕物層16。
如圖8A和圖8B所示，例如可由Ti、 TiN、或Wn制成的障礙 層50沉積在多晶硅層15、 15，的表面SP上。之后，鎢層51和氮化 物蓋層52沉積在障礙層上。接著，通過在所述層15/15，、 50、 51、 52堆疊中執(zhí)行的光刻/蝕刻處理步驟而分別形成存儲單元區(qū)域ZFB 中的位線8、 8和外圍器件區(qū)域PB中的柵極堆疊8，。因此，同時形 成外圍器件區(qū)域PB的柵4及堆疊8，和存儲單元區(qū)域ZFB的位線8。
在下一處理步驟中，在存儲單元區(qū)域的位線8的兩側(cè)以及在外 圍器件區(qū)域的柵極堆疊8，的兩側(cè)上同時形成氧化物間隔件53。
如圖8B所示，位線8 4皮此平行地延伸并垂直于字線2。位線 接點在圖8B中用參考標(biāo)號41表示并設(shè)置在有源區(qū)域線4和位線8 的交點處。
執(zhí)行下一步驟，也被稱為X-植入(implantation)步驟，以便 為離開外圍器件而設(shè)置延伸的源極/漏極區(qū)域(未示出)。
最后，4丸行用于完成存^f諸單元裝置的通常步驟。具體地，在結(jié) 構(gòu)的頂部形成疊置的電容器(疊層電容器)，并使其連接至在位線8 兩側(cè)上的有源區(qū)域線4。但是，這些處理步驟在現(xiàn)有技術(shù)中是公知 的，因此不在這里詳細(xì)存又述。有關(guān)這方面的內(nèi)容可參考美國文獻(xiàn) 7,034,408 Bl.
雖然已經(jīng)參照優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于 此，而是可以通過對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見的各種方式對 其進(jìn)行更改。因此，應(yīng)該理解本發(fā)明的僅由所附權(quán)利要求的范圍所 限定。
權(quán)利要求
1.一種用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟在外圍器件區(qū)域中形成外圍電路，所述外圍電路包括外圍晶體管，所述外圍晶體管至少部分地形成在所述半導(dǎo)體基板上并具有在第一高溫處理步驟中形成的第一柵極絕緣體；在存儲單元區(qū)域中形成多個存儲單元，每個所述存儲單元包括存取晶體管，所述存取晶體管至少部分地形成在半導(dǎo)體基板中并具有第二柵極絕緣體，所述第二柵極絕緣體在第二高溫處理步驟中形成并具有金屬柵極導(dǎo)體；其中，所述第一和第二高溫處理步驟在形成所述金屬柵極導(dǎo)體的步驟之前執(zhí)行；其中，在所述存儲單元區(qū)域中形成柵極絕緣體之前形成所述外圍部分中的柵極絕緣體，以及在所述存儲單元區(qū)域中形成導(dǎo)電柵極材料之前形成所述外圍部分中的所述柵極絕緣體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，所述第一高溫處理步艱A在所述第二高溫處理步驟之前進(jìn) 行。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，扭J亍以下步驟在所述存4諸單元區(qū)域中的所述基4反上形成絕緣層；執(zhí)行所述第一高溫處理步驟；在所述存儲單元區(qū)域的所述絕緣層上以及在所述外圍器 件區(qū)域的所述第一柵極絕緣體上沉積第一多晶硅層；在所述多晶石圭層上沉積氮化物層； 在所述氮化物層上形成硬掩模； 在所述存儲單元區(qū)域的所述基^反上形成字線凹槽； ^M亍所述第二高溫處理步驟；并且在所述字線凹槽中的所述第二斥冊極絕纟彖體上形成所述金 屬柵4及導(dǎo)體；以及去除所述硬掩模和所述氮化物層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，進(jìn)一 步包纟舌以下步駛朵在蝕刻步驟中露出所述存儲單元區(qū)域中的所述存取晶體 管的位線接點區(qū)域，其中，所述多晶石圭層和絕鄉(xiāng)彖層從所述基4反 上一皮去除；在所述存儲單元區(qū)域以及所述外圍器件區(qū)域中沉積第二 多晶石圭層；以及平坦化所述第 一 和第二多晶石圭層以 <吏它們形成平坦的共 用上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，進(jìn)一 步包4舌以下步驟在所述平坦的共用上表面上沉積至少 一層導(dǎo)電層；在所述至少一層導(dǎo)電層上沉積絕纟彖層；以及同時構(gòu)造所述第一和第二多晶硅層、所述至少一層導(dǎo)電 層、以及所述絕緣層，以使它們形成連接至所述存儲單元區(qū)域 中的所述存取晶體管的位線以及所述外圍器件區(qū)域中的所述 外圍晶體管的棚^及堆疊。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，由STI槽分隔的有源區(qū)域帶在所述存儲單元區(qū)域中沿第一 方向形成，并且所述存取晶體管形成在所述有源區(qū)i或帶中。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，利用具有線/空間圖案的掩沖莫來光刻法地限定所述位線4妾 點區(qū)域，以暴露所述位線接點區(qū)域待被露出的部分；并且從所 述基板上去除所述多晶硅層和絕緣層的所述蝕刻步驟相對于 所述絕緣層來說是選擇性的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，沿第二方向延伸的^皮掩埋的字線在所述存々者單元區(qū)域中的 所述基板上形成，所述第二方向與所述第一方向相交。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，沿第三方向延伸的位線在所述存儲單元區(qū)域中的所述基板 上形成，所述第二方向和第三方向4皮此垂直。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，絕緣側(cè)壁間隔件同時形成在所述存儲單元區(qū)域中的所述位 線上以及所述外圍器件區(qū)域中的所述4冊才及堆疊上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，所述第一和第二高溫處理步驟是在800。C至1100。C溫度范 圍內(nèi)的氧化處理步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和相應(yīng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。該方法包括以下步驟在外圍器件區(qū)域中形成外圍電路，所述外圍電路包括外圍晶體管，所述外圍晶體管至少部分地形成在所述半導(dǎo)體基板上并具有在第一高溫處理步驟中形成的第一柵極絕緣體；在存儲單元區(qū)域中形成多個存儲單元，每個所述存儲單元包括存取晶體管，所述存取晶體管至少部分地形成在半導(dǎo)體基板上并具有第二柵極絕緣體，所述第二柵極絕緣體在第二高溫處理步驟中形成并具有金屬柵極導(dǎo)體；其中，所述第一和第二高溫處理步驟在形成所述金屬柵極導(dǎo)體的步驟之前進(jìn)行。
文檔編號H01L21/8239GK101170080SQ20071016512
公開日2008年4月30日 申請日期2007年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日
發(fā)明者帝爾·施洛瑟 申請人:奇夢達(dá)股份公司