專利名稱：：柵氧化膜的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及適于在制造MOS型IC等時(shí)使用的柵氧化膜的制造方法，且更具體地涉及在一個(gè)熱氧化工藝中形成的具有彼此不同厚度的多個(gè)柵氧化膜的制造方法。
背景技術(shù)：
：常規(guī)公知的，當(dāng)制造MOS型IC等時(shí)，在半導(dǎo)體襯底上形成具有彼此不同厚度的多個(gè)MOS型晶體管。除涉及的這種技術(shù)之外，還提出了在一個(gè)熱氧化工藝中形成具有彼此不同厚度的多個(gè)柵氧化膜的各種類型的方法。圖16至圖18示出了柵氧化膜形成方法的一個(gè)實(shí)例。日本特開專利2000-195968的全部?jī)?nèi)容并入這里，作為柵氧化膜形成方法的細(xì)節(jié)參考。在圖16示出的工藝中，通過選擇性氧化工藝在硅襯底1的一個(gè)主表面上形成由硅氧化膜制成的場(chǎng)絕緣膜2。其后，通過熱氧化工藝分別在絕緣膜2的元件口(elementhole)2a和2b內(nèi)的表面上形成由硅氧化膜制成的犧牲氧化膜3a和3b。氧化膜3a和3b的厚度都約為15nm。接下來，在襯底表面上，通過光刻工藝形成具有對(duì)應(yīng)元件口2a的孔4a的抗蝕劑層4。用抗蝕劑層4作掩模并經(jīng)由氧化膜3a通過注入氬(Ar)離子，在元件口2a的表面上形成離子注入層5。此時(shí)的加速電壓約為15keV。在離子注入層5中，因?yàn)橥ㄟ^離子注入破壞了硅的結(jié)晶性，所以硅的氧化速度將增加。在圖17示出的工藝中，在通過化學(xué)處理等除去抗蝕劑層4之后，通過氟化氬處理來除去氧化膜3a和3b。當(dāng)氧化膜3a和3b的厚度為15nm時(shí)，在除去30nm厚度氧化膜的條件下進(jìn)行氟化氫處理。因此，絕緣膜2也變得略薄些。其后，對(duì)硅襯底1的表面進(jìn)行具有蝕刻效應(yīng)的清洗工藝如RCA清洗作為熱工藝的先行工藝。在圖18示出的工藝中，通過熱工藝在元件口2a和2b內(nèi)的表面上形成由硅氧化膜形成的氧化膜6a和6b。通過在制作50nm厚度柵氧化膜的條件下進(jìn)行熱工藝，可以獲得80-100nm厚度的硅氧化膜作為柵氧化膜6a,因?yàn)樵谠?a內(nèi)的硅表面附近通過離子注入層5使得硅的氧化速度加速。然后，通過標(biāo)準(zhǔn)的硅柵工藝等在元件口2a和2b內(nèi)形成分別具有氧化膜6a和6b作為柵絕緣膜的第一和第二MOS型晶體管。根據(jù)上述的現(xiàn)有技術(shù)，通過一個(gè)熱氧化工藝形成具有不同厚度的柵氧化膜6a和6b增加了生產(chǎn)率，且因?yàn)樵谛纬珊统タ刮g劑層4時(shí)由犧牲氧化膜3a和3b覆蓋了硅的表面，所以通過避免污染硅表面可以獲得高的可靠性。然而，在低的加速電壓如約15keV下經(jīng)由犧牲氧化膜3a進(jìn)行Ar離子的注入，且因此，因?yàn)樽⑷腚x子的范圍約為17.1nm,所以在硅表面附近的淺區(qū)域中形成離子注入層5。因此，在圖17示出的工藝中，當(dāng)在除去犧牲氧化膜3a和3b之后，進(jìn)行具有蝕刻效應(yīng)的清洗工藝如RCA清洗作為熱氧化工藝的先行工藝，通過蝕刻除去了具有最高離子密度的離子注入層5的表面部分。當(dāng)其后進(jìn)行圖18中的熱工藝時(shí)，通過向外擴(kuò)散(out-difftisions)進(jìn)一步降低了離子注入層5中的離子密度。因此，元件口2a中的氧化效率將降低，且相比氧化膜6b,使得獲得具有足夠厚度的氧化膜6a困難。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于提供一種柵氧化膜的制造方法，其當(dāng)通過一個(gè)熱氧化工藝形成具有不同厚度的多個(gè)柵氧化膜時(shí)能夠有效地進(jìn)行厚的柵氧化。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種柵氧化膜的制造方法，包括如下步驟(a)制備半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成具有第一和第二元件口的場(chǎng)絕緣膜；(c)通過第一熱氧化工藝在第一和第二元件口內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二犧牲氧化膜；(d)在場(chǎng)絕緣膜上形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層暴露出第一元件口且覆蓋第二元件口；(e)在20至50keV的加速電壓和lxl0"至2xl016ions/cm2的劑量的條件下，用抗蝕劑層作掩模，通過將氬離子經(jīng)由第一犧牲氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分中形成離子注入層；(f)在形成離子注入層之后除去抗蝕劑層；(g)在除去抗蝕劑層之后除去第一和第二犧牲氧化膜；以及(h)在除去第一和第二犧牲氧化膜之后，通過第二熱工藝在第一和第二元件口中的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二柵氧化膜，其中由于基于離子注入層的加速氧化，第一柵氧化膜形成得比第二柵氧化膜厚。根據(jù)本發(fā)明，在離子注入步驟(e)，在20-50keV的加速電壓下、以lxl014至2xl0"ions/cn^的劑量注入氬離子；因此，自硅襯底的表面相對(duì)深的區(qū)域形成離子注入層。由此，當(dāng)進(jìn)行具有蝕刻效應(yīng)的清洗作為第二熱工藝的先行工藝時(shí)，因?yàn)樽怨枰r底的表面相對(duì)深的區(qū)域形成具有最高雜質(zhì)密度的部分，所以通過蝕刻效應(yīng)將不會(huì)除去離子注入層。其后，當(dāng)進(jìn)行第二熱氧化工藝時(shí)，注入的離子輕微地?cái)U(kuò)散到半導(dǎo)體表面附近的外方向上；然而，在自硅表面的相對(duì)深的區(qū)域中的離子難以擴(kuò)散，且總體上離子密度降低是很少的。因此，改善了第一元件口中的氧化效率，且通過短時(shí)間的處理第一柵氧化膜可以比第二柵氧化膜厚很多。近來，代替氫使用氬用于制造具有剝蝕區(qū)(DZ)的晶片。因?yàn)橐詵叛趸さ纳鲜鲋圃旆椒?、自半?dǎo)體表面相對(duì)深的區(qū)域中形成氬離子注入層之后，進(jìn)行第二熱氧化工藝，由于向外擴(kuò)散使得引起缺陷的氧的密度在襯底(晶片)的表面中降低，且在襯底的內(nèi)區(qū)域中生長(zhǎng)了捕獲有害的重金屬等的微缺陷；因此，襯底表面將轉(zhuǎn)換成DZ。因此，用第一柵氧化膜作柵絕緣膜，在襯底表面上的DZ中可以形成高質(zhì)量的MOS型晶體管。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種柵氧化膜的制造方法，包括如下步驟(a)制備半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成具有第一和第二元件口的場(chǎng)絕緣膜；(c)通過第一熱氧化工藝在第一和第二元件口內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二犧牲氧化膜；(d)在場(chǎng)絕緣膜上形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層暴露出第一元件口且覆蓋第二元件口；(e)在15至25keV的加速電壓和6><1014至lxl015ions/cm2的劑量的條件下，用抗蝕劑層作掩模，通過將氟離子經(jīng)由第一犧牲氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分中形成離子注入層；(f)在形成離子注入層之后除去抗蝕劑層；(g)在除去抗蝕劑層之后除去第一和第二犧牲氧化膜；以及(h)在除去第一和第二犧牲氧化膜之后，通過第二熱工藝在第一和第二元件口中的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二柵氧化膜，其中由于基于離子注入層的加速氧化，使第一柵氧化膜形成得比第二柵氧化膜厚。才艮據(jù)本發(fā)明，在離子注入步驟(e)，在15-25keV的加速電壓下、以6xl014至lxlO"ions/cn^的劑量注入氟離子；因此，自硅襯底的表面相對(duì)深的區(qū)域形成離子注入層。因此，改善了第一元件口中的氧化效率，且通過短時(shí)間的處理第一柵氧化膜可以比第二柵氧化膜厚很多。而且，已報(bào)道，除了增加氧化速度之外，氟化物還可以改善氧化膜的質(zhì)量。在上述的柵氧化膜的制造方法中，在第二熱氧化工藝期間氟化物被帶入第一柵氧化膜中；因此，將改善第一柵氧化膜的熱載流子容限和絕緣電阻容量。而且，已報(bào)道，氟化物可以抑制在硅中導(dǎo)電類型限定雜質(zhì)如硼、磷等的擴(kuò)散。在源區(qū)和漏區(qū)的柵極的最深區(qū)域中出現(xiàn)了引起MOS型晶體管的性質(zhì)的最嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)。在上述的柵氧化膜的制造方法中，在相對(duì)深的區(qū)域中形成了氟離子注入層；因此，在形成源區(qū)和漏區(qū)之后，因?yàn)樵诟鞣N熱工藝中源區(qū)和漏區(qū)中的雜質(zhì)如硼、磷等擴(kuò)散，所以可以使MOS型晶體管的性質(zhì)穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種柵氧化膜的制造方法，包括如下步驟(a)制備半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成具有第一和第二元件口的場(chǎng)絕緣膜；(c)通過第一熱氧化工藝在第一和第二元件口內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二柵氧化膜；(d)在場(chǎng)絕緣膜上形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層暴露出第一元件口且覆蓋第二元件口；(e)用抗蝕劑層作掩模，通過將增加氧化速度但不限定導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子經(jīng)由第一柵氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分，來形成離子注入層；(f)在形成離子注入層之后除去抗蝕劑層；(g)在除去抗蝕劑層之后，通過蝕刻工藝減薄第一和第二柵氧化膜；以及(h)在減薄第一和第二柵氧化膜之后，通過第二熱工藝加厚第一和第二柵氧化膜，其中由于基于離子注入層的加速氧化，使第一柵氧化膜變得比第二柵氧化膜更厚。在通過將增加氧化速度但不限定導(dǎo)電類型的雜質(zhì)如氬或氟化物等經(jīng)由第一柵氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分以形成離子注入層之后，通過蝕刻工藝減薄第一和第二柵氧化膜。其后，在第二熱氧化工藝中，由于基于離子注入層的加速氧化，使第一柵氧化膜變得比第二柵氧化膜更厚。在第一柵氧化膜覆蓋離子注入層的條件下進(jìn)行第二熱氧化工藝；因此，第一柵氧化膜抑制了注入離子的向外擴(kuò)散，且改善了第一元件口內(nèi)的氧化效率。因此，在短的時(shí)間內(nèi)，第一柵氧化膜的厚度可以比第二柵氧化膜的厚。而且，離子注入步驟(e)可以在20至50keV的加速電壓和1><1014至2xl016ions/cm2的劑量的條件下注入氬離子作為雜質(zhì)離子。在該情況下，可以在襯底表面上形成DZ。此外，離子注入步驟(e)可以在15至25keV的加速電壓和6><1014至lxl015ions/cm2的劑量的條件下注入氟離子作為雜質(zhì)離子。在該情況下，可以使晶體管的性質(zhì)穩(wěn)定，且將改善第一柵氧化膜的熱載流子容限和耐絕緣的能力。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種柵氧化膜的制造方法，包括如下步驟(a)制備半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成具有第一和第二元件口的場(chǎng)絕緣膜；(c)通過第一熱氧化工藝在第一和第二元件口內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二犧牲氧化膜；(d)在場(chǎng)絕緣膜上形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層暴露出第一元件口且覆蓋第二元件口；(e)通過多個(gè)離子注入形成多個(gè)離子注入層，在;f皮此不同的加速電壓下，用抗蝕劑層作掩模，每個(gè)注入都將增加氧化速度但不限定導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子經(jīng)由第一犧牲氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分；(f)在形成離子注入層之后除去抗蝕劑層；(g)在除去抗蝕劑層之后，除去第一和第二犧牲氧化膜；以及(h)在除去第一和第二犧牲氧化膜之后，通過第二熱工藝在第一和第二元件口中的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二柵氧化膜，其中由于基于離子注入層的加速氧化，使第一柵氧化膜形成得比第二柵氧化膜更厚。而且，離子注入步驟(e)通過兩步注入氬離子作為雜質(zhì)離子，其中在50至100keV的加速電壓和5xl013至5xl015ions/cm2的劑量的條件下進(jìn)行第一步，且在10至40keV的加速電壓和5xl0"至5xl0"ions/cm2的劑量的條件下進(jìn)行第二步。此外，離子注入步驟(e)通過兩步注入氟離子作為雜質(zhì)離子，其中在30至60keV的加速電壓和5xl0"至5xl015ions/cm2的劑量的條件下進(jìn)行第一步，且在10至25keV的加速電壓和5xl013至5xl015ions/cm2的劑量的條件下進(jìn)行第二步。用抗蝕劑層作掩模，通過將增加氧化速度但不限定導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子如氬或氟離子經(jīng)由第一犧牲氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分，在不同的深度形成了多個(gè)離子注入層；因此，通過離子注入層使注入離子密度分布在深度方向上是均勻的。因此，與一步注入相比，進(jìn)一步改善了氧化效率，且可以在更短的時(shí)間內(nèi)形成厚的第一柵氧化膜。而且，被帶入第一柵氧化膜中的雜質(zhì)(氬或氟化物)的量將不變，且將使第一柵氧化膜的膜質(zhì)量穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種柵氧化膜的制造方法，包括如下步驟(a)制備半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成具有第一和第二元件口的場(chǎng)絕緣膜；(c)通過第一熱氧化工藝在第一和第二元件口內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二柵氧化膜；(d)在場(chǎng)絕緣膜上形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層暴露出第一元件口且覆蓋第二元件口；(e)通過多個(gè)離子注入形成多個(gè)離子注入層，在彼此不同的加速電壓下，用抗蝕劑層作掩模，每個(gè)注入都將增加氧化速度但不限定導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子經(jīng)由第一柵氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分；(f)在形成離子注入層之后除去抗蝕劑層；(g)在除去抗蝕劑層之后，通過蝕刻工藝減薄第一和第二柵氧化膜；以及(h)在減薄第一和第二柵氧化膜之后，通過第二熱工藝加厚第一和第二柵氧化膜，其中由于基于離子注入層的加速氧化，使第一柵氧化膜形成得比第二柵氧化膜更厚。而且，離子注入步驟(e)通過兩步注入氬離子作為雜質(zhì)離子，其中在50至100keV的加速電壓和5xl0"至5xl015ions/cm2的劑量的條件下進(jìn)行第一步，且在10至40keV的加速電壓和5xl(^3至5><1015ions/cm2的劑量的條件下進(jìn)行第二步。此外，離子注入步驟(e)通過兩步注入氟離子作為雜質(zhì)離子，其中在30至60keV的加速電壓和5xl013至5xl015ions/cm2的劑量的條件下進(jìn)行第一步，且在10至25keV的加速電壓和5xl0"至5xl015ions/cm2的劑量的條件下進(jìn)行第二步。用抗蝕劑層作掩模，通過將增加氧化速度但不限定導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子如氬或氟離子經(jīng)由第一柵氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分，在不同的深度形成了多個(gè)離子注入層；因此，通過離子注入層使注入的離子密度分布在深度方向上均勻。因此，與一步注入相比，進(jìn)一步改善了氧化效率，且可以在更短的時(shí)間內(nèi)形成厚的第一柵氧化膜。而且，被帶入第一柵氧化膜中的雜質(zhì)(氬或氟化物)的量將不變，且將^f吏第一柵氧化膜的膜質(zhì)量穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)樵跓嵫趸に囍?，通過在半導(dǎo)體襯底的表面的深區(qū)域中形成氬或氟化氬的離子注入層，通過用柵氧化膜覆蓋離子注入層進(jìn)行熱氧化工藝或通過多個(gè)離子注入而形成具有不同深度的多個(gè)離子注入層，改善了氧化效率，所以通過短時(shí)間的處理，第一斥冊(cè)氧化膜相比第二柵氧化膜可以形成足夠的厚度。圖1是示出在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的MOS型IC的制造方法中形成犧牲氧化膜工藝的剖面圖。圖2是示出在圖1中所示工藝之后的抗蝕劑層形成工藝和離子注入工藝的剖面圖。圖3是示出在圖2中所示工藝之后的抗蝕劑層除去工藝的剖面圖。圖4是示出在圖3中所示工藝之后的犧牲膜除去工藝的剖面圖。圖5是示出在圖4中所示工藝之后的氧化工藝的剖面圖。圖6是示出在圖5中所示工藝之后的MOS型晶體管形成工藝的剖面圖。圖7是示出氬離子的劑量與氧化膜厚度增加之間的關(guān)系圖。圖8是示出在兩步注入的情況下氬離子的劑量與氧化膜厚度的增加之間的關(guān)系圖。圖9是示出通過在圖2中所示用兩步注入工藝形成的離子注入層形成的剖面圖。圖IO是示出在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的MOS型IC的制造方法中形成犧牲氧化膜工藝的剖面圖。圖ll是示出圖10中所示工藝之后的氧化工藝的剖面圖。圖12是示出圖11中所示工藝之后的抗蝕劑層形成工藝和離子注入工藝的剖面圖。圖13是示出圖12中所示工藝之后的抗蝕劑層除去工藝的剖面圖。圖14是示出圖13中所示工藝之后的氧化膜清洗工藝的剖面圖。圖15是示出圖14中所示工藝之后的氧化工藝的剖面圖。圖16是示出在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的柵氧化膜制造方法中的離子注入工藝的剖面圖。圖17是示出圖16中所示工藝之后的抗蝕劑層除去工藝和犧牲氧化膜除去工藝的剖面圖。圖18是示出圖17中所示工藝之后的氧化工藝的剖面圖。具體實(shí)施方式圖1是示出在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的MOS型IC的制造方法中形成犧牲氧化膜工藝的剖面圖。在例如由p型硅制成的半導(dǎo)體村底10的一個(gè)主表面上，通過/>知的選擇蝕刻工藝形成由具有元件口12a和12b的由硅氧化膜制成的場(chǎng)絕緣膜12。還可以通過選擇蝕刻在襯底表面上形成凹面部分和其后利用化學(xué)氣相淀積(CVD)等形成絕緣膜來填充凹面部分，從而形成場(chǎng)絕緣膜12。接下來，在元件口12a和12b的表面上，通過熱氧化工藝形成由硅氧化膜制成的犧牲氧化膜14a和14b。例如，在干02(或干空氣)氣氛下、在950攝氏度進(jìn)行熱氧化，以制造40nm厚的犧牲氧化膜14a和14b。在形成柵氧化膜之前，形成犧牲氧化膜14a和14b，用于通過除去粘性雜質(zhì)來清洗元件口12a和12b的表面；因此，在形成柵氧化膜之前除去犧牲氧化膜14a和14b，如以后參考圖4描述的。圖2是示出在圖1中所示工藝之后的抗蝕劑層形成工藝和離子注入工藝的剖面圖。在場(chǎng)絕緣膜12上，通過公知的光刻工藝形成具有孔16a的抗蝕劑層16，孔16a暴露出元件口12a。形成抗蝕劑層16來覆蓋元件口12b中的犧牲氧化膜14b。接下來，用抗蝕劑層16作掩模進(jìn)行選擇性離子注入工藝，以通過經(jīng)由抗蝕劑層16的孔16a和犧牲氧化膜14a、將氬離子Ar+注入到元件口12a內(nèi)的半導(dǎo)體部分中來形成離子注入層18。例如，在40keV的加速電壓、1.5xlO"ions/cn^劑量的條件下進(jìn)行離子注入。當(dāng)在40keV的加速電壓下將氬離子注入到硅襯底時(shí)的射程是31.0nm?？稍?0keV的加速電壓下注入氬離子，且該條件下的射程將為49.8nm。形成離子注入層18，以增加元件口12a內(nèi)的半導(dǎo)體部分的氧化速度。圖3是示出在圖2中所示工藝之后的抗蝕劑層除去工藝的剖面圖。通過化學(xué)處理除去抗蝕劑層16以暴露出場(chǎng)絕緣膜12和犧牲氧化膜和14b。化學(xué)處理可以是利用硫酸和過氧化氫(雙氧水)的工藝。圖4是示出在圖3中所示工藝之后的犧牲膜除去工藝的剖面圖。通過稀釋(rare)的氫氟酸處理除去犧牲氧化膜14a和14b，來暴露出元件口12a和12b內(nèi)的半導(dǎo)體表面?？梢岳?0:1HF進(jìn)行70秒的稀釋的氫氟酸處理。其后，通過具有蝕刻效應(yīng)的清洗工藝如RCA清洗等來清洗元件口12a和12b內(nèi)的半導(dǎo)體表面。而且，通過稀釋的氫氟酸處理和清洗工藝輕微地蝕刻場(chǎng)絕緣膜12。圖5是示出在圖4中所示工藝之后的氧化工藝的剖面圖。通過熱氧化工藝在元件口12a和12b內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成由硅氧化膜制成的柵氧化膜20a和20b。在干02氣氛中、在950攝氏度下進(jìn)行熱氧化工藝。如圖4所示，已在元件口12a內(nèi)的半導(dǎo)體表面上形成了離子注入層18;因此，元件口12a內(nèi)硅的氧化速度比元件口12b內(nèi)的快。因此，僅通過一個(gè)熱氧化工藝，在元件口12a內(nèi)形成了厚的柵氧化膜20a,且同時(shí)在元件口12b內(nèi)形成了薄的柵氧化膜20b。例如，當(dāng)在如上所述的40keV的加速電壓、1.5xlO"ions/cn^劑量的條件下形成離子注入層18時(shí)，柵氧化膜20a的厚度將為50nm，且柵氧化膜20b的厚度將為25nm。圖6是示出在圖5中所示工藝之后的MOS型晶體管形成工藝的剖面圖。在元件口12a內(nèi)形成n溝道MOS型晶體管T!，并在元件口12b內(nèi)形成n溝道MOS型晶體管T2。通過分別利用柵氧化膜20a和20b作柵絕》彖膜形成晶體管Ti和T2。雖然圖6中示出了具有輕摻雜漏極(LDD)結(jié)構(gòu)的晶體管和T2的形成，但可以形成具有其它結(jié)構(gòu)的晶體管。在襯底上形成導(dǎo)電材料層之后，通過用光刻或干蝕刻工藝構(gòu)圖已形成的導(dǎo)電材料層，來形成由剩余的導(dǎo)電材料制成的柵電才及層22a和22b。例如，導(dǎo)電材料是導(dǎo)電多晶硅的單層或?qū)щ姸嗑Ч韬透呷埸c(diǎn)金屬如Ti、W、Mo等的疊層或上述金屬的硅化物的疊層。接下來，利用場(chǎng)絕緣膜12、柵氧化膜20a和柵電4及層22a的疊層、以及柵氧化膜20b和柵電極層22b作掩模，通過n型雜質(zhì)如磷等的離子注入形成具有較低雜質(zhì)密度的源區(qū)24和28和漏區(qū)26和30。接下來，通過CVD在硅村底的上方淀積覆蓋柵電4及層22a和22b的硅氧化膜。通過回蝕刻淀積的硅氧化膜，在柵電極層22a的一側(cè)和另一側(cè)上形成了由氧化硅剩余物制成的側(cè)壁32和34,且同時(shí)在4冊(cè)電極層22b的一側(cè)和另一側(cè)上形成了由氧化硅剩余物制成的側(cè)壁36和38。此時(shí)燭刻工藝除去柵氧化膜20a和20b，以暴露出源區(qū)和漏區(qū)。接下來，利用場(chǎng)絕緣膜12、包括柵氧化膜20a、4冊(cè)電極層22a、側(cè)壁32和34的柵極部分、以及包括柵氧化膜20b、柵電極層22b及側(cè)壁36和38的柵極部分作掩模，通過n型雜質(zhì)的離子注入形成具有較高雜質(zhì)密度的源區(qū)40和44以及漏區(qū)42和46。其后，根據(jù)IC的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)造法，將形成層間絕緣膜、形成到層間絕緣膜的連接孔、到每個(gè)連接孔的布線等。通過使襯底、源極和漏極的導(dǎo)電型反型，晶體管Ti和丁2可以形成為P溝道MOS晶體管。而且，可以在以圖1所示的工藝形成場(chǎng)絕緣膜12之前形成p型阱區(qū)lla和n型阱區(qū)lib,且可以在阱區(qū)lla和lib中分別形成n溝道晶體管T!和p溝道晶體管T2。在該情況下，阱區(qū)lla和llb可以是n型和p型，且晶體管T!和T2可以是p型和n型。雖然圖6所示的晶體管T,和T2中每一個(gè)的柵絕緣膜20a和20b用單層的柵氧化膜形成，但它們可以由疊層制成。例如，可以使用柵氧化膜20a(或20b)以及氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鉭膜和高介質(zhì)常數(shù)膜中至少一種的疊層或其中經(jīng)由氮化硅膜或氮氧化硅膜在柵氧化膜20a(或20b)的上方疊置CVD硅氧化膜的多層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的發(fā)明人已對(duì)氬離子注入對(duì)硅氧化的影響進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。在該實(shí)驗(yàn)中，制備了每個(gè)由p型硅襯底制成的晶片No.l至No.lO，且如下面的表1所示，在40keV的加速電壓下以不同劑量向No.2至No.lO晶片注入氬離子Ar+,然后對(duì)No.l至No.lO晶片進(jìn)行熱工藝。其后，測(cè)量了每個(gè)晶片的氧化膜的厚度，且測(cè)量了對(duì)于每個(gè)晶片No.2至No.lO相比No.1晶片的厚度的增加值。表l示出了對(duì)于每個(gè)晶片No.l至No.10,Ar+的劑量、氧化膜的厚度和厚度的增加值。表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>圖7是示出根據(jù)表1中所示數(shù)據(jù)的氬離子的劑量與氧化膜厚度增加之間的關(guān)系圖。在氬離子Ar+的劑量從lxlO"至2xl0"ions/cn^的范圍R中，可以得知氧化膜厚度增加。可在20-50keV的加速電壓和lxlO"至2xlO"ions/cn^劑量的條件(優(yōu)選地，加速電壓為20-45keV，劑量為6xl0"至lxl015ions/cm2)下進(jìn)行圖2所示的離子注入工藝。而且，代替氬離子，可在15-25keV的加速電壓下、用劑量6xl0"至lxlO"ions/cr^注入氟離子，且其后可進(jìn)行如圖3至圖6中所示的相似工藝。如果注入氬離子和氟離子的加速電壓分別設(shè)置得不高于20keV和15keV,則由于向外擴(kuò)散注入離子的密度將降低，且其難以獲得足夠的氧化速度。此外，如果注入氬離子和氟離子的加速電壓分別設(shè)置得高于50keV和25keV，則離子注入深度將更深，且其由于襯底中的結(jié)晶缺陷增加而導(dǎo)致漏電壓增加。本發(fā)明的發(fā)明人已對(duì)硅的氧化進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，用于將通過一步進(jìn)行離子注入的情況與通過兩步進(jìn)行離子注入的情況作比較。在該比較實(shí)驗(yàn)中，將由p型硅襯底制成的No.O晶片定義為標(biāo)準(zhǔn)晶片，且沒有對(duì)No.O進(jìn)行離子注入。在40keV的加速電壓和下面表2中的所示劑量下，對(duì)每個(gè)都由p型硅襯底制成的No.l1至Mo.14晶片進(jìn)行一步離子注入。表2:<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>另一方面，以下面的表3中所示的劑量對(duì)每個(gè)由p型硅襯底制成的No.21至No.24進(jìn)行兩步離子注入，在60keV的加速電壓下進(jìn)行用于較深注入的第一步，且在20keV下進(jìn)行用于較淺注入的第二步。表3:<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在第一步和第二步用于表3中所示的每個(gè)晶片No.21至No.24的總劑量分別等于表2中所示的每個(gè)晶片No.ll至No.14的劑量。換句話說，將在一步的注入中的注入劑量分成在兩步的注入中注入不同深度的兩個(gè)部分。接下來，在相同的氧化條件下對(duì)晶片No.O、No.ll至No.l4和No.21至No.24進(jìn)行熱氧化工藝。其后，測(cè)量了每個(gè)晶片No.ll至No.l4和No.21至No.24的氧化膜的厚度，并測(cè)量了對(duì)于每個(gè)晶片No.2至No.lO相比No.O晶片厚度(15.1nm)的厚度增加值(差)。下面的表4示出了對(duì)于每個(gè)晶片No.ll至No.14和No.21至No.24的Ar+劑量和氧化膜厚度的增加。關(guān)于晶片No.21至No.24，示出了在第一和第二步的總劑量。表4:<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>8.00xl0151412,52414.5圖8是示出在基于表4所示數(shù)據(jù)的兩步注入的情況下氬離子的劑量與氧化膜厚度的增加之間的關(guān)系圖。在圖表中，線S,表示一步注入的數(shù)據(jù)，線S2表示兩步注入的數(shù)據(jù)。如圖8所示，兩步注入的氧化速度比一步注入的快，因?yàn)閮刹降淖⑷氲哪ず穸仍黾颖纫徊阶⑷氲母??？紤]到兩步注入具有較快氧化速度的原因是，在深度方向上兩步注入的注入離子的密度分布相比一步注入的高斯分布是均勻的。圖9是示出通過表3和4和圖8所示的代—齊應(yīng)用一步注入的兩步注入、采用圖2所示工藝形成的離子注入層形成的剖面圖。相同的附圖標(biāo)記表示如圖2中的相同部件，且將省略它們的詳細(xì)說明。例如，在圖9所示的離子注入工藝中，第一步通過在60keV的加速電壓下、以2x1015ions/cm2的劑量將氬離子Ar+注入到元件口12a內(nèi)的半導(dǎo)體部分上來形成較深的離子注入層18a,且第二步通過在20keV的加速電壓下、以2xl0"ions/cn^的劑量將氬離子Ar+注入到元件口12a內(nèi)的半導(dǎo)體部分上來形成較淺的離子注入層18b。在該情況下第一步離子注入工藝可以在50-100keV的加速電壓和5xl0'3至5xlOl5ions/cm2的劑量的條件下(優(yōu)選地加速電壓為60-80keV，劑量為5xl014至4xl015ions/cm2)進(jìn)行，第二步可以在10-40keV的加速電壓和5xl0"至5xl015ions/cm2的劑量的條件下(優(yōu)選地加速電壓為20-30keV，齊'J量為5xl0"至4xl015ions/cm2)進(jìn)行。離子注入工藝之后，進(jìn)行如圖3至圖6所示的工藝。而且，代替氬離子，在第一和第二步可以注入氟離子F+,以代替注入氬離子形成離子注入層18a和18b。在該情況下，第一步在30-60keV的加速電壓下和5><1013至5xl015ions/cm2的劑量的條件下(優(yōu)選地加速電壓為40-50keV，劑量為5xl014至4><1015ions/cm2)注入氟離子F+，第二步在10-25keV的加速電壓下和5x1013至5x1015ions/cm2的劑量的條件下(優(yōu)選地，加速電壓為15-20keV,劑量為5xl0"至4xl015ions/cm2)注入。在離子注入工藝之后，進(jìn)行圖3至圖6中所示的工藝。在圖5示出的熱氧化工藝中，通過注入氬或氟離子形成的厚的柵氧化膜20a的厚度可以設(shè)置為35-70nm(優(yōu)選45-60nm,且更優(yōu)選50nm)。而且，在圖5示出的熱氧化工藝中，沒有注入氬或氟離子形成的薄的柵氧化膜20b的厚度可以設(shè)置為6.5-35nm(優(yōu)選12-20nm，且更優(yōu)選15nm)。雖然通過將注入離子的劑量設(shè)置為上述實(shí)施例中的兩個(gè)值來形成兩種類型的柵氧化膜，但可以通過將注入離子的劑量設(shè)置為三個(gè)值來形成三種類型的柵氧化膜。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，在如下的一種條件下通過圖2中示出的離子注入工藝形成離子注入層18或18a，即在20-50keV的加速電壓下、以lxl0"至2xl0"ions/cm2的劑量注入氬離子，在15-25keV的加速電壓下、以6xl014至lxlO"ions/ci^的劑量注入氟離子，以及通過兩步注入氬離子或氟離子；因此，自硅襯底的表面相對(duì)深的區(qū)域形成離子注入層18或18a。由此，當(dāng)在圖4示出的清洗工藝中進(jìn)行具有蝕刻效應(yīng)的清洗時(shí)，通過蝕刻效應(yīng)將不會(huì)除去離子注入層18或18a，因?yàn)殡x子注入層18或18a自硅襯底表面相對(duì)深的區(qū)域形成。其后，當(dāng)進(jìn)行圖5中示出的熱氧化工藝時(shí)，注入的離子少量擴(kuò)散到了外方向；然而，自硅表面的相對(duì)深的區(qū)域中的離子很難擴(kuò)散，且總體上離子密度降低是很少的。因此，改善了元件口12a中的氧化效率，且柵氧化膜20a通過短時(shí)間的處理可以比柵氧化膜20b厚很多。尤其是，當(dāng)通過參考圖9所述的兩步注入來注入氬離子或氟離子時(shí)，元件口12a內(nèi)的氧化效率將進(jìn)一步增加，且厚的柵氧化膜20a可以形成得更快。當(dāng)通過圖2中示出的離子注入工藝注入氬離子時(shí)，在自珪表面相對(duì)深的區(qū)域中形成了氬離子注入層18或18a;因此，在圖5示出的熱氧化工藝中，元件口12a內(nèi)的硅表面區(qū)域轉(zhuǎn)換成了剝蝕區(qū)(denudedzone)(DZ)。因此，在圖6示出的工藝中，可以在元件口12a中具有小缺陷的硅表面區(qū)中形成高質(zhì)量的晶體管TV當(dāng)通過圖2中示出的離子注入工藝注入氟離子時(shí)，在自硅表面的較深區(qū)域中形成了氟離子注入層18或18a;因此，在形成圖6中示出的晶體管T，之后的各種熱工藝中，在源區(qū)24和40以及漏區(qū)26和42中抑制了導(dǎo)電類型定義雜質(zhì)如磷等的擴(kuò)散，且可以使晶體管的性質(zhì)穩(wěn)定。而且，在圖5中的熱氧化工藝中，氟化物被從離子注入層18或18a帶入柵氧化膜20a中；因此，將改善柵氧化膜20a的熱載流子容限和耐絕緣的能力。當(dāng)在圖2示出的離子注入工藝中通過兩步注入氬或氟離子時(shí)，通過離子注入層18a或18b改善了硅襯底中注入的離子密度分布的均勻性；因此，在圖5中的熱氧化工藝時(shí)被帶入柵氧化膜20a中的雜質(zhì)(氬或氟化物)的量將不變，且將使柵氧化膜20a的膜質(zhì)量穩(wěn)定。圖10至圖15示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的MOS型IC的制造方法。在圖10至圖15中，如圖1至圖5中的相同附圖標(biāo)記表示與圖1至圖5相同的部件，且將省略其詳細(xì)的說明。圖IO是示出在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的MOS型IC的制造方法中形成犧牲氧化膜工藝的剖面圖。在圖IO示出的工藝中，在與圖1中示出的上述工藝相同的半導(dǎo)體襯底(p型硅襯底)10的一個(gè)主表面上形成具有元件口12a和12b的場(chǎng)絕緣膜12。然后，如上參考圖1所述，在元件口12a和12b內(nèi)的半導(dǎo)體表面上形成犧牲氧化膜14a和14b，其后，如上參考圖4所述除去犧牲氧化膜14a和14b。然后對(duì)去除的表面進(jìn)行具有蝕刻效應(yīng)的清洗工藝。結(jié)果，清洗了元件口12a和12b內(nèi)的半導(dǎo)體表面。圖ll是示出圖IO中所示工藝之后的氧化工藝的剖面圖。在圖11示出的工藝中，通過熱氧化工藝在元件口12a和12b內(nèi)的半導(dǎo)體表面上形成由硅氧化膜制成的柵氧化膜50a和50b。在干02氣氛下、在950攝氏度進(jìn)行熱氧化工藝，且兩個(gè)柵氧化膜50a和50b的厚度可以是25nm。圖12是示出圖11中所示工藝之后的抗蝕劑層形成工藝和離子注入工藝的剖面圖。在圖12示出的工藝中，通過公知的光刻工藝在場(chǎng)絕緣膜12上形成具有孔52a的抗蝕劑層52,孔52a暴露出元件口12a。形成抗蝕劑層52以覆蓋元件口12b中的柵氧化膜50b。接下來，用抗蝕劑層52作掩模進(jìn)行選擇性離子注入工藝，以經(jīng)由抗蝕劑層52和犧牲氧化膜50a的孔52a、通過將氬離子Ar+注入到元件口12a內(nèi)的半導(dǎo)體部分中形成離子注入層54。例如，在20-50keV的加速電壓下、以1x1014-2x1016ions/cm2的劑量的條件下(優(yōu)選加速電壓為20-45keV,劑量為6xl015-lxl016ions/cm2)進(jìn)行離子注入。而且，代替氬離子，可以在15-25keV的加速電壓下、以6xl014-lxlOl5ions/cm2的劑量注入氟離子,用于形成離子注入層54。在圖12示出的離子注入工藝中，通過參考圖9的以前所述的兩步注入工藝注入氬離子或氟離子，可以形成具有較深注入層和較淺注入層的離子注入層54。例如，在通過注入氬離子形成離子注入層54的情況下，第一步在50-100keV的加速電壓下和5xl0"至5xlO"ions/cm2的齊'J量的條件下(優(yōu)選加速電壓為60-80keV,劑量為5xl0"至4><1015ions/cm2)，且第二步在10-40keV的加速電壓下和5xl(^至5x1015ions/cm2的劑量的條件下(優(yōu)選加速電壓為20-30keV，劑量為5xl014至4xl0"ions/cm2)注入氬離子。而且，代替氬離子，可以注入氟離子F+。在該情況下，第一步在30-60keV的加速電壓下和5xl013至5xl015ions/cm2的劑量的條件下(優(yōu)選加速電壓為40-50keV,劑量為5xl014至4xl015ions/cm2)，且第二步在10-25keV的加速電壓和5xl013至5xl015ions/cm2的劑量的條件下(優(yōu)選加速電壓為15-20keV，劑量為5xl0'4至4xlOl5ions/cm2)注入氟離子F+。圖13是示出圖12中所示工藝之后的抗蝕劑層除去工藝的剖面圖。在圖12示出的工藝中，通過如參考圖3以前描述的相同工藝除去抗蝕劑層52。圖14是示出圖13中所示工藝之后的氧化膜清洗工藝的剖面圖。在圖14示出的工藝中，通過具有蝕刻效應(yīng)的清洗工藝減薄柵氧化膜50a和50b。4冊(cè)氧化膜54a和54b的蝕刻量都為2nm。對(duì)于清洗工藝，可以進(jìn)行使用銨、過氧化氫(雙氧水)和HF(200:1HF)的工藝。進(jìn)行清洗工藝，用于通過除去由粘附造成的污染的雜質(zhì)或除去(浸入到抗蝕劑清除槽)抗蝕劑層52來獲得柵氧化膜50a和50b的潔凈表面。而且，通過清洗工藝輕微地蝕刻場(chǎng)絕緣膜12。圖15是示出圖14中所示工藝之后的氧化工藝的剖面圖。在圖15示出的工藝中，在干02氣氛下、在950攝氏度通過熱氧化工藝加厚4冊(cè)氧化膜50a和50b。因?yàn)槿鐖D14所示已在元件口12a內(nèi)的半導(dǎo)體表面上形成了離子注入層54，所以元件口12a內(nèi)硅的氧化速度比元件口12b內(nèi)的快。因此，僅通過一個(gè)熱氧化工藝，在元件口12a內(nèi)形成了厚的柵氧化膜50a,同時(shí)在元件口12b內(nèi)形成了薄的柵氧化膜50b。例如，柵氧化膜50a的厚度將是35-70nm(優(yōu)選45-60nm，且更優(yōu)選50nm)。而且，形成為薄的柵氧化膜50b的厚度將是6.5-35nm(優(yōu)選12-20nm，更優(yōu)選15nm)。在圖15示出的工藝之后，如與參考圖6以前描述的工藝相同，可以在元件口12a和12b內(nèi)形成具有柵氧化膜50a和50b作為柵絕緣膜的MOS型晶體管。而且，如上參考圖6所述，每個(gè)晶體管Tl和T2的柵絕緣膜50a和50b可以由疊層制成。雖然在上述的第二實(shí)施例中通過將注入離子的劑量設(shè)置為兩個(gè)值形成了兩種類型的柵氧化膜，但可以通過將注入離子的劑量設(shè)置為三個(gè)值來形成三種類型的柵氧化膜。根據(jù)參考圖10至圖15描述的本發(fā)明的第二實(shí)施例，在圖12示出的工藝中通過注入增加氧化速度但不限定導(dǎo)電類型如氬或氟化物等的雜質(zhì)形成離子注入層54之后，通過熱氧化工藝來處理被減薄的柵氧化膜50a覆蓋的離子注入層54;因此，柵氧化膜50a變厚且有效地抑制了自離子注入層54的注入離子的向外擴(kuò)散。因此，改善了元件口12a內(nèi)的氧化速度，且通過較短的處理柵氧化膜50a的厚度可以比柵氧化膜50b的厚。尤其是如參考圖9的以前描述的，當(dāng)通過兩步注入來注入氬或氟離子時(shí)，將進(jìn)一步改善元件口12a內(nèi)的氧化效率，且厚的柵氧化膜50a可以形成得更快。當(dāng)通過圖12示出的離子注入工藝注入氬離子時(shí)，與上面參考圖5和6描述的相似，在元件口12a中具有小缺陷的硅表面區(qū)中可以形成高質(zhì)量的晶體管。而且，當(dāng)通過圖12中示出的離子注入工藝注入氟離子時(shí)，與上面參考圖5和圖6描述的相似，將改善柵氧化膜50a的熱載流子容限和耐絕緣的能力，且將使MOS型晶體管的性質(zhì)穩(wěn)定。而且，當(dāng)通過圖12示出的離子注入工藝中的兩步注入氬或氟離子時(shí)，通過由深和淺離子注入層構(gòu)成的離子注入層54改善了硅襯底中注入的離子密度分布的均勻性；因此，在圖15中的熱氧化工藝時(shí)帶入柵氧化膜50a的雜質(zhì)(氬或氟化物)量將不變，且將使柵氧化膜50a的膜質(zhì)量穩(wěn)定。連同優(yōu)選的實(shí)施例已描述了本發(fā)明。本發(fā)明不僅僅局限于上述的實(shí)施例。顯而易見的是，可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)行各種修改、改進(jìn)、組合等。該申請(qǐng)以2004年6月9日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2004-170905和2005年3月16日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2005-074489為基礎(chǔ)，其全部?jī)?nèi)容引用到這里作為參考。權(quán)利要求1.一種柵氧化膜的制造方法，包括如下步驟(a)制備半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成具有第一和第二元件口的場(chǎng)絕緣膜；(c)通過第一熱氧化工藝在第一和第二元件口內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二犧牲氧化膜；(d)在場(chǎng)絕緣膜上形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層暴露出第一元件口且覆蓋第二元件口；(e)在20至50keV的加速電壓和1×1014至2×1016ions/cm2的劑量的條件下，用抗蝕劑層作掩模，通過將氬離子經(jīng)由第一犧牲氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分中形成離子注入層；(f)在形成離子注入層之后除去抗蝕劑層；(g)在除去抗蝕劑層之后除去第一和第二犧牲氧化膜；以及(h)在除去第一和第二犧牲氧化膜之后，通過第二熱工藝在第一和第二元件口中的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二柵氧化膜，其中由于基于離子注入層的加速氧化，使第一柵氧化膜形成得比第二柵氧化膜厚。2.—種柵氧化膜的制造方法，包括如下步驟(a)制備半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成具有第一和第二元件口的場(chǎng)絕緣膜；(c)通過第一熱氧化工藝在第一和第二元件口內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二犧牲氧化膜；(d)在場(chǎng)絕緣膜上形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層暴露出第一元件口且覆蓋的第二元件口；(e)在15至25keV的加速電壓和6xlO"至lxl015ions/cm2的劑量的條件下，用抗蝕劑層作掩模，通過將氟離子經(jīng)由第一犧牲氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分中形成離子注入層；(f)在形成離子注入層之后除去抗蝕劑層；(g)在除去抗蝕劑層之后除去第一和第二犧牲氧化膜；以及(h)在除去第一和第二犧牲氧化膜之后，通過第二熱工藝在第一和第二元件口中的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二柵氧化膜，其中由于基于離子注入層的加速氧化，使第一柵氧化膜形成得比第二柵氧化膜厚。3.—種柵氧化膜的制造方法，包括如下步驟(a)制備半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成具有第一和第二元件口的場(chǎng)絕緣膜；(c)通過第一熱氧化工藝在第一和第二元件口內(nèi)的半導(dǎo)體表面上分別形成第一和第二柵氧化膜；(d)在場(chǎng)絕緣膜上形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層暴露出第一元件口且覆蓋第二元件口；(e)用抗蝕劑層作掩模，通過將增加氧化速度但不限定導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子經(jīng)由第一柵氧化膜注入到第一元件口內(nèi)的半導(dǎo)體部分，來形成離子注入層；(f)在形成離子注入層之后除去抗蝕劑層；(g)在除去抗蝕劑層之后，通過蝕刻工藝減薄第一和第二柵氧化膜；以及(h)在減薄第一和第二柵氧化膜之后，通過第二熱工藝加厚第一和第二柵氧化膜，其中由于基于離子注入層的加速氧化，使第一柵氧化膜變得比第二柵氧化膜更厚。4.根據(jù)權(quán)利要求3的柵氧化膜的制造方法，其中在20至50keV的加速電壓和lxlO"至2xl0"ions/cn^的劑量的條件下，離子注入步驟(e)注入作為雜質(zhì)離子的氬離子。5.根據(jù)權(quán)利要求3的柵氧化膜的制造方法，其中在15至25keV的加速電壓和6xl0"至lxlO"ions/cn^的劑量的條件下，離子注入步驟(e)注入作為雜質(zhì)離子的氟離子。全文摘要本發(fā)明涉及一種柵氧化膜的制造方法，在襯底上形成場(chǎng)絕緣膜(12)之后，形成犧牲或柵氧化膜作為氧化膜(14a和14b)。在元件口(12a)中，利用抗蝕劑層(16)作掩模，經(jīng)由氧化膜(14a)，通過氬(或氟)離子的一個(gè)或多個(gè)注入工藝形成離子注入層(18)。當(dāng)使用氧化膜(14a和14b)作犧牲氧化膜時(shí)，在除去抗蝕劑膜(16)及氧化膜(14a和14b)之后，在元件口(12a和12b)中形成柵氧化膜。當(dāng)使用氧化膜(14a和14b)作為柵氧化膜時(shí)，通過蝕刻一次減薄氧化膜，并且在除去抗蝕劑層(16)之后使其加厚。由于形成離子注入層(18)，使得柵氧化膜(14a)比柵氧化膜(14b)厚。文檔編號(hào)H01L21/265GK101131961SQ20071016128公開日2008年2月27日申請(qǐng)日期2005年6月9日優(yōu)先權(quán)日2004年6月9日發(fā)明者高見秀誠申請(qǐng)人:雅馬哈株式會(huì)社