技術編號：7235695
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及適于在制造MOS型IC等時使用的， 且更具體地涉及在 一個熱氧化工藝中形成的具有彼此不同厚度的多個柵氧 化膜的制造方法。背景技術常規(guī)公知的，當制造MOS型IC等時，在半導體襯底上形成具有彼此 不同厚度的多個MOS型晶體管。除涉及的這種技術之外，還提出了在一個 熱氧化工藝中形成具有彼此不同厚度的多個柵氧化膜的各種類型的方法。 圖16至圖18示出了柵氧化膜形成方法的一個實例。日本特開專利 2000-195968的全部內容并入這里，作為柵氧化膜形成方法...
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