專(zhuān)利名稱(chēng)：一種發(fā)光二極管用芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管用的芯片。
背景技術(shù)：
能源短缺是當(dāng)今世界的熱門(mén)話(huà)題，在照明行業(yè)中，發(fā)光二極管(LED)因?yàn)?它的高效、節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命等多種優(yōu)點(diǎn)，是取代能耗高，壽命短的傳統(tǒng)照 明的首選，但因?yàn)楝F(xiàn)今的LED技術(shù)瓶頸，取代傳統(tǒng)照明尚需克服一些與LED正 常工作有關(guān)的技術(shù)難題。最重要的就是LED的發(fā)光效率，發(fā)光效率主要是由LED 的芯片決定的?，F(xiàn)有技術(shù)中的芯片其形狀是正方形的，工作時(shí)的散熱效果比較差，芯片的 工作壽命較短。芯片中金線(xiàn)的P結(jié)(陽(yáng)極)和N結(jié)(陰極)是通過(guò)焊接連起來(lái) 的，其焊接面積一般在O. 120—0. 130nm2之間，電流在通過(guò)時(shí)此處時(shí)會(huì)過(guò)高的溫 度，從而降低了LED的使用壽命。發(fā)明內(nèi)容為了解決上述發(fā)光二極管用芯片存在的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一 種發(fā)光效率高的發(fā)光二極管用芯片。為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明采用了以下的技術(shù)方案一種發(fā)光二極管用芯片，其特征在于所述芯片呈長(zhǎng)方形，其長(zhǎng)寬比例為1.12: 1;芯片中金線(xiàn)的P結(jié)和N結(jié)的焊接面積在O. 131—0. 145nm2之間。本發(fā)明的芯片長(zhǎng)寬比例為1.12: 1，改變傳統(tǒng)芯片長(zhǎng)寬相等的形狀，該芯片 能加速芯片在工作時(shí)的散熱，保證芯片的工作壽命同光衰。P結(jié)和N結(jié)的焊接面 積在O. 131—0.145nm2之間，焊接面積更大，使得電流在通過(guò)時(shí)不致于產(chǎn)于過(guò)高的溫度，保證LED的使用壽命。
具體實(shí)施方式
一種發(fā)光二極管用芯片，芯片呈長(zhǎng)方形，其長(zhǎng)寬比例為1.12: 1。芯片中金 線(xiàn)的P結(jié)和N結(jié)的焊接面積O. 131—0. 145nm2之間。使用上述芯片，在30ma的 情況下工作，本發(fā)明的芯片工作溫度為70攝氏度，光通量為100—110 LM/W， 現(xiàn)有的普通芯片工作溫度為120攝氏度，光通量為50—60 LM/W。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光二極管用芯片，其特征在于所述芯片呈長(zhǎng)方形，其長(zhǎng)寬比例為1.12∶1；芯片中金線(xiàn)的P結(jié)和N結(jié)的焊接面積在0.131-0.145nm2之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管領(lǐng)域。一種發(fā)光二極管用芯片，所述芯片呈長(zhǎng)方形，其長(zhǎng)寬比例為1.12∶1；芯片中金線(xiàn)的P結(jié)和N結(jié)的焊接面積在0.131-0.145nm<sup>2</sup>之間。本發(fā)明的一種發(fā)光二極管用芯片解決現(xiàn)有發(fā)光二極管用芯片存在的發(fā)光效率低的技術(shù)問(wèn)題，該芯片能加速芯片在工作時(shí)的散熱，保證芯片的工作壽命同光衰。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101320770SQ20071015685
公開(kāi)日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2007年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月21日
發(fā)明者王麗娜, 王元成 申請(qǐng)人:王元成