用于結晶化半導體膜的方法和由該方法結晶化的半導體膜的制作方法

文檔序號：7233850閱讀：193來源：國知局

專利名稱：用于結晶化半導體膜的方法和由該方法結晶化的半導體膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及集成電路(ic)制造，更具體的說，涉及使用掩埋晶種層間(interlevel)結晶化方法的雙柵薄膜晶體管(DG-TFT)制造工藝。
背景技術：
對于用于TFT應用的硅(Si)薄膜的混合連續(xù)晶粒硅(CGS)處理，"l脈沖(1-shot)"工藝是能提供晶粒間界在結晶膜中的位置控制的高產量方案。激光脈沖一般被稱為"脈沖(shot)"，并且l脈沖工藝使用單個激光脈沖退火膜。該方法有兩種主要的實施方式，其影響所得到的微結構，或者在結晶化之前預構圖Si島，或者不這樣做。在任一種情況下，通過在除需要預先定位的晶種的地方以外的所有區(qū)域中完全熔化Si膜來引起位置控制，以便開始過冷熔化的結晶化。一般，該晶種通過下述步驟被放置首先利用500 A Si(h蓋層封裝Si層(被預構圖或沒有被構圖)，沉積足夠厚的Si層(大約 2， 000人)，然后構圖該Si層以留下將遮蔽來自下面的Si有源層的受激準分子激光輻射的點或線。這些點或線必須足夠大以保持Si下層的足夠寬的區(qū)域被照射，以便解決橫向熱擴散。典型的寬度為大約3-4微米(jim)。當周圍熔化的Si在平衡溫度以下開始冷卻時，晶種開始橫向生長到周圍區(qū) 域中。圖1是描述對于"1脈沖"位置控制結晶化方案，利用遮蔽Si 層(點)預構圖Si有源層的透視圖(現(xiàn)有技術)。圖1示出了 70。傾斜的樣品，其具有預構圖的Si島和覆蓋Si層以引起橫向生長。照射時，晶種開始從遮蔽點以下生長，然后在螺旋形物周圍和Si島的其余部分中繼續(xù)進行橫向生長。在上述方法的許多實施例中，該點最終必須被去除，這對于隨后
的TFT制造步驟(例如，注入、接觸孔形成、和平面化)來說可能是有問題的。去除該點需要Si遮蔽層的受控的干法刻蝕、在TMAH 中的濕法腐蝕，或(對于未被構圖的Si有源層)在稀釋的HF中的腐蝕以鉆蝕所述線和點并使得它們被剝離。更好的方法是通過可以在結晶化之后留在原位的裝置(通過接觸孔)為橫向生長提供晶種，所述裝置不會干擾隨后的處理步驟。發(fā)明內容如果Si有源層的預定區(qū)域能夠被留下與可以用作橫向生長的晶種的固體(即未熔化的)Si區(qū)接觸，那么"1脈沖(l-shot)"位置控制結晶化方案能夠被增強。由于多種原因，包括與3D體系結構的更好的兼容性和改善的生產量，希望利用單脈沖結晶化更大的區(qū)。常規(guī)的定向凝固方法不再足以滿足目前利用各種3D體系結構(例如，背柵TFT、平面TFT、和雙柵TFT)的共同集成的設計。為了更好地實現(xiàn)3D結構的結晶化，本發(fā)明使用背柵作為為橫向生長提供晶種的裝置并且控制晶粒間界相對于TFT的有源溝道的位置。因此，提供了一種方法，用于使用掩埋晶種1脈沖層間結晶化工藝結晶化半導體膜。該方法形成具有結晶結構、覆蓋在透明襯底上面的第一半導體膜。形成覆蓋在第一半導體膜上面的絕緣體層，并且在絕緣體層中形成開口，該開口暴露第一半導體膜頂表面的一部分。然后，形成覆蓋在絕緣體層上面的具有非晶結構的第二半導體膜。一般，第一和第二半導體膜是Si，并且絕緣體層通常是氧化物或氮化物。第二半導體膜被激光退火。在一個方面中，該退火利用單激光脈沖來完成。響應于激光退火，第二半導體膜完全熔化并且第一半導體膜局部熔化。使用未熔化的第一半導體膜作為晶種，結晶化第二半導體膜。該方法的一個方面包括在利用來自第二激光源的至少一個激光能量密度(fluence)脈沖熔化第二半導體膜之前，利用來自第一激光源的至少一個激光能量密度脈沖F ( J/cm、脈沖)預加熱襯底。在一個應用中，第一半導體膜形成覆蓋在襯底上面的底柵，絕緣體層形成底柵電介質，以及第二半導體層形成有源Si層。更具體地說，該底柵具有第一部分和第二部分，并且在該柵電介質中形成覆蓋在底柵第一部分上面的通孔(通路接觸孔)。底柵第一部分通過退火被局部熔化，并且底柵第二部分用作結晶化有源Si層的晶種。下面提供上述方法的另外的細節(jié)。通過下面的描述，本發(fā)明的另外的目的、特征和強度將變得清楚。另外，由以下參考附圖的說明，本發(fā)明的優(yōu)點將變得明顯。

圖1是描述對于"1脈沖"位置控制結晶化方案利用遮蔽Si層 (點)預構圖Si有源層的透視圖(現(xiàn)有技術)。圖2是底柵的平面圖，其解釋了使用掩埋晶種1脈沖激光退火工藝結晶化雙柵TFT (DG-TFT)的過程中的步驟。圖3是在形成通孔之后圖2的底柵，其解釋了使用掩埋晶種1 脈沖激光退火工藝結晶化雙柵TFT (DG-TFT)的過程中的步驟。圖4是圖3的底柵的局部截面圖，其解釋了使用掩埋晶種1脈沖激光退火工藝結晶化雙柵TFT (DG-TFT)的過程中的步驟。圖5是結晶化之后有源Si層12的平面圖，其解釋了使用掩埋晶種1脈沖激光退火工藝結晶化雙柵TFT (DG-TFT)的過程中的步驟。圖6是描述被構圖之后的有源Si層的平面圖，其解釋了使用掩埋晶種1脈沖激光退火工藝結晶化雙柵TFT(DG-TFT)的過程中的步驟。圖7是示出最終的分立器件布局的平面圖，其解釋了使用掩埋晶種1脈沖激光退火工藝結晶化雙柵TFT (DG-TFT)的過程中的步驟。圖8是示出用于使用掩埋晶種1脈沖激光退火工藝結晶化半導體膜的方法的流程圖。圖9是示出用于使用至下面底柵的通孔為有源Si層的結晶化提供晶種的DG-TFT制造方法的流程圖。
具體實施方式
參考附圖本發(fā)明的實施例將得到最佳理解，其中類似的部分始終用類似的數(shù)字表示。上述圖被明確并入作為該詳細描述的一部分。"1脈沖"位置控制結晶化方案依賴被留下與用作橫向生長的晶種的(未熔化的)單晶區(qū)域接觸的Si有源層的預定區(qū)域。背柵、平
面和雙柵TFT體系結構中的3D結構的結晶化利用1脈沖激光退火工藝被改善。下面提供了背柵的實例，其用于為橫向生長提供晶種并且控制晶粒間界相對于TFT的有源溝道的位置。圖2到7描述了使用掩埋晶種1脈沖激光退火工藝結晶化雙柵 TFT (DG-TFT)的步驟。通常，DG-TFT是具有覆蓋在平面TFT結構上面的底柵或背柵的晶體管，其包括源區(qū)和漏區(qū)，溝道和頂柵。該背柵用于控制上覆的平面TFT的閾值電壓。DG-TFT的另外的細節(jié)可以在于2005年7月18日提交的由Afentakis等人發(fā)明的題為DUAL-GATE TRANSISTOR DISPLAY的未決的申請(序列號No. 11/184， 699 ) 中找到，該申請在此被并入作為參考(案巻號SLA8010)。圖2是底柵(背柵)IO的平面圖。底柵10被摻雜、構圖、然后被蓋上如圖4中所示的背柵絕緣體11。一般，底柵IO是多晶的，或者它也可以具有單晶結構。圖3是在形成通路接觸孔(通孔)13之后圖2的底柵10，所述通孔被開口通過背柵絕緣體11直到底柵10。然后在背柵絕緣體11 上方沉積非晶Si (a-Si)有源層12，其通過通路接觸孔13與底柵 10形成接觸。圖4是圖3的底柵10的局部截面圖。大多數(shù)(如果不是全部的話)受激準分子能量密度(由標有"XeCl"的箭頭表示)被有源Si層 12吸收。典型的有源Si層12可以具有大約500 A的厚度。熱傳導導致延伸通過通路接觸孔13并且局部熔化掩埋底柵電極10的熔化前部(melt front)。底柵電極10的熱質量可以是有源Si層厚度的大約四倍，結果形成底柵的顯著部分保持固態(tài)。當冷卻時，固態(tài) 材料的垂直再生長延伸通過通路接觸孔13，為LC (位置受控的)橫向生長提供晶種。圖5是在結晶化之后有源Si層12的平面圖。結晶微結構可以適于特殊應用，例如控制晶粒間界相對于TFT的有源溝道區(qū)的位置。圖5示出了在晶粒中心的圓形區(qū)域，在此通過被留下與熔化的Si接觸的晶種啟動橫向生長。底柵10的相對位置用陰影線示出。圖6是描述在有源Si層12被構圖以用作TFT的有源溝道之后該有源Si層12的平面圖。在構圖之前執(zhí)行結晶化。因為掩埋底柵電極IO被覆蓋了有源Si層12，因此在照射期間其沒有熔化。構圖有源區(qū)斷開了與有源溝道和掩埋底柵電極的(Si)接觸。圖7是示出最終的分立器件布局的平面圖，且4個墊(pad)分別用于與源極21、漏極22、頂柵23、背柵24的接觸。器件還可以使用上述方法、不利用頂柵或底柵(23, 24 )來制造，以便除了雙柵 TFT之外還提供平面TFT或背柵TFT。更一般而言，該方法可適用于使用"l脈沖"未預構圖位置控制結晶化方案結晶化垂直結構。功能描述圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于使用掩埋晶種1脈沖層間結晶化工藝結晶化半導體膜的方法的流程圖。盡管為了清楚起見，該方法被描述成有編號的步驟序列，但是該編號并不一定表示這些步驟的順序。應當理解，這些步驟中的一些可以被跳過、并行執(zhí)行，或者在不需要保持嚴格的序列順序的情況下執(zhí)行。該方法在步驟800處開始。在步驟802中，形成覆蓋在透明襯底上面的具有結晶結構的第一半導體膜。對于透明襯底的材料，可以采用例如玻璃、塑料、或石英。盡管該方法可以與任何襯底材料一起使用，但是激光退火工藝常常與這些溫度敏感的材料相關。在步驟804中，形成覆蓋在第一半導體膜上面的絕緣體層。在步驟806中，在絕緣體層中形成開口，該開口暴露第一半導體膜頂表面的一部分。在步驟808中，形成覆蓋在絕緣體層上面的非晶結構的第二半導體膜。在步驟810中，執(zhí) 行對第二半導體膜的激光退火。響應于步驟810中的激光退火工藝，在S812中第二半導體膜完全熔化，并且第一半導體膜局部熔化。在 S814中使用未熔化的第一半導體膜作為晶種，結晶化第二半導體膜。在一個方面中，在步驟804中在絕緣體層中形成開口的工藝包括在第一位置中形成開口的工藝。然后，通過響應于第一位置的定位控制結晶化的第二半導體膜的晶粒間界來執(zhí)行步驟814中第二半導體膜的結晶化。暫時返回圖5和6,可以看出形成在Si有源層12中的晶粒間界相對于柵電介質10中的通路接觸孔13的位置被定位和形成。在一個方面中，在步驟810中對第二半導體膜激光退火的工藝包括下述工藝在利用來自第二激光源的至少一個激光能量密度脈沖熔化第二半導體膜之前，利用來自第一激光源的至少一個激光能量密度脈沖預加熱襯底。例如，該襯底可以利用二氧化碳激光(CDL) 脈沖被預加熱，該二氧化碳激光脈沖具有在大約IO微秒至1毫秒的范圍內的持續(xù)時間，和在大約100Hz至50KHz的范圍內的重復頻率。在另一個方面中，在步驟812中熔化第二半導體膜的工藝包括利用單個受激準分子激光脈沖激光退火第二半導體膜的工藝。例如，可以使用在大約30納秒(ns)至300ns范圍內的脈沖持續(xù)時間執(zhí)行利用單個受激準分子激光脈沖激光退火第二半導體膜的工藝。首先C02激光器發(fā)光以預加熱下面的Si02襯底。在CDL脈沖(一般長度是10 ps至1 ms)的末端，受激準分子激光器被點亮使得直接位于襯底上的預加熱的亮點上面的Si薄膜熔化。這些操作允許完全局部加熱該材料至超過900 。C至1， 000 。C的溫度。這種局部高溫又允許根據(jù)條件超過30至100 ^un的非常長的橫向生長長度。該工藝因其利用單脈沖結晶化整個Si膜的能力而被稱為"1脈沖"工藝，所述Si膜將構成器件的有源部分。提供晶種的結構被設置用于提供適合于特定的有源溝道定向、尺寸、或其它所需特性的最佳微結構。當然，術語"1脈沖"僅僅指的是受激準分子激光器。C02激光器可以為每個受激準分子激光脈沖多次發(fā)光。CDL可以以高達幾十kHz的頻率工作，并且對于一些條件而言，這是典型的工作條件。該工藝的另外的細節(jié)可以在美國專利7, 018, 468中找到，其在此被并入作為參考?？商鎿Q的預加熱源包括uv激光器，例如受激準分子激光器或三倍頻固體激光器；或可見光激光器，例如兩倍頻固體激光器，來作為激光退火源。在308nm的XeCl激光器或在243nm的KrF激光器可以是受激準分子激光器的候選者。三倍頻固體激光器，例如三倍頻 Nd-YAG激光器或三倍頻Nd-YV04激光器，也可以是UV激光器的候選者。兩倍頻固體激光器，例如工作在532nm的兩倍頻Nd-YAG激光器或兩倍頻Nd-YV04激光器，可以是可見光激光器的候選者。在不同的方面中，分別在步驟802和808中形成第一和第二半導體膜包括形成包括Si的第一和第二半導體膜。例如，可以使用(純) Si和SiGe的膜，然而該工藝有可能應用于更寬范圍的薄膜工藝材料。在步驟804中形成的絕緣體層一般是氧化物膜，例如二氧化硅、
氮化物膜，例如氮化硅、氮氧化物、乃至高k介電材料。在一個方面中，在步驟802中形成第一半導體膜的工藝包括形成覆蓋在襯底上面的底柵的工藝，其后是在步驟804中形成底柵電介質的工藝。在步驟808中形成第二半導體層的工藝包括形成有源Si 層的工藝。在一個方面中，在步驟808中形成的有源Si層具有在大約500 A至1, 500 A的范圍內的厚度。更具體的說，在步驟802中形成底柵的工藝包括形成具有第一部分和第二部分的底柵的工藝。在步驟806中，在覆蓋在底柵第一部分上面的柵電介質中形成通路接觸孔。然后，在步驟812中局部熔化第一半導體膜的工藝包括熔化底柵第一部分的工藝。在步驟814 中將要使用未熔化的第一半導體膜作為晶種來執(zhí)行的工藝包括將要使用底柵第二部分作為用來結晶化有源Si層的晶種來執(zhí)行的工藝。在結晶化有源Si層的工藝之后，在步驟816中有源Si層被構圖以除去覆蓋在柵電介質中的通路接觸孔上面的有源Si層。然后，在步驟818中，形成覆蓋在有源Si層上面的頂柵，并且在步驟820中，在有源Si層中形成源/漏(S/D)區(qū)。這些與DG-TFT制造工藝相關的步驟816到820沒有在該圖中示出，因為圖9特別專用于DG-TFT 工藝。在一個方面中，結晶化第二半導體膜的工藝包括在第二半導體膜中橫向生長具有在大約20微米(nm)至30nm的范圍內的長度的晶粒的工藝。就DG-TFT而言，從通路接觸孔到底柵的未熔化部分的距離一般小于晶粒長度。橫向生長的晶粒的晶向可以在半特征長度 (semi-characteristic length)(對于50nm厚的Si膜來說是大約15 jim)之后改變或破壞，并且由控制晶種的定向(即通路接觸孔附近的布置)得到的任何好處減少。圖9是示出用于使用至下面的底柵的通路接觸孔為有源Si層的結晶化提供晶種的DG-TFT制造方法的流程圖。該方法開始于步驟 900。在步驟902中，形成覆蓋在透明襯底上面的具有多晶結構的Si 底柵。在步驟904中，形成覆蓋在底柵上面的絕緣體層。例如，可以使用氧化物或氮化物絕緣體。在步驟906中，在絕緣體層中形成開口，該開口暴露底柵頂表面的一部分。在步驟908中，形成覆蓋在絕緣體層上面的非晶Si膜。在步驟910中，執(zhí)行對非晶Si膜激
光退火的工藝。響應于步驟910的激光退火工藝，在步驟S912中非晶Si膜完全熔化并且底柵局部熔化。使用未熔化的底柵多晶結構作為晶種，在S914中形成多晶Si有源層。在一個方面中，在S910中，在利用來自第二激光源的至少一個激光能量密度脈沖熔化非晶Si膜之前，利用來自第一激光源的至少一個激光能量密度脈沖預加熱襯底。在另一個方面中，在S910中利用單個受激準分子激光脈沖執(zhí)行激光退火工藝。在不同的方面中，在步驟902中形成具有第一部分和第二部分的底柵，并且在步驟904中，在覆蓋在底柵第一部分上面的柵電介質中形成通路接觸孔。然后，在S914中熔化底柵第一部分，并且在步驟914中，使用底柵第二部分作為用來結晶化有源Si層的晶種。在形成多晶有源Si層的工藝之后，在S916中有源Si層被構圖以除去覆蓋在柵電介質中的通路接觸孔上面的有源Si層。在步驟918 中，形成覆蓋在有源Si層上面的頂柵。在步驟920中，在有源Si 層中形成源/漏(S/D)區(qū)。已經提供了使用掩埋晶種結晶化半導體膜的方法。工藝細節(jié)、材料和DG-TFT結構用作說明本發(fā)明的實例。然而，本發(fā)明不僅僅限于實施例。前面說明中采用的術語和表達方式在其中用作描述的術語并且不是限制性的，使用這些術語和表達方式不旨在排除所示和所描述的特征或其部分的等效物，應當理解本發(fā)明的范圍由下面的權利要求來限定和限制。
權利要求
1. 一種用于使用掩埋晶種1脈沖層間結晶化工藝結晶化半導體膜的方法，該方法包括以下步驟形成具有結晶結構、覆蓋在透明襯底上面的第一半導體膜；形成覆蓋在第一半導體膜上面的絕緣體層；在絕緣體層中形成開口，該開口暴露第一半導體膜的頂表面的一部分；形成覆蓋在絕緣體層上面的具有非晶結構的第二半導體膜；激光退火第二半導體膜；響應于激光退火的步驟，完全熔化第二半導體膜并且局部熔化第一半導體膜；以及使用未熔化的第一半導體膜作為晶種，結晶化第二半導體膜。
2. 如權利要求l的方法，其中激光退火第二半導體膜的步驟包括在利用來自第二激光源的至少一個激光能量密度脈沖熔化第二半導體膜之前，利用來自第一激光源的至少一個激光能量密度脈沖預加熱該透明襯底的工藝。
3. 如權利要求2的方法，其中預加熱襯底的工藝包括利用二氧化碳激光(CDL)脈沖預加熱襯底的工藝，該二氧化碳激光脈沖具有在大約IO微秒至1毫秒的范圍內的持續(xù)時間，和在大約100Hz至50KHz的范圍內的重復頻率。
4. 如權利要求2的方法，其中熔化第二半導體膜的步驟包括利用單個受激準分子激光脈沖激光退火第二半導體膜的工藝。
5. 如權利要求4的方法，其中使用在大約30納秒(ns)至300ns范圍內的脈沖持續(xù)時間執(zhí)行利用單個受激準分子激光脈沖激光退火第二半導體膜的步驟。
6. 如權利要求l的方法，其中硅(Si)用于第一和第二半導體膜的材料；以及形成絕緣體層的步驟包括由選自由氧化物膜和氮化物膜構成的組的材料形成絕緣體的工藝。
7. 如權利要求l的方法，其中所述在絕緣體層中形成開口的步驟包括在第一位置中形成開口的工藝；以及通過響應于第一位置的定位控制結晶化的第二半導體膜的晶粒間界來執(zhí)行結晶化第二半導體膜的步驟。
8. 如權利要求1的方法，其中形成第一半導體膜的步驟包括形成覆蓋在襯底上面的底柵的工藝；形成絕緣體層的步驟包括形成底柵電介質的工藝；以及形成第二半導體層的步驟包括形成有源Si層的工藝。
9. 如權利要求8的方法，其中形成底柵的步驟包括形成具有第一部分和第二部分的底柵的工藝；在絕緣體層中形成開口的步驟包括在覆蓋在底柵第一部分上面的柵電介質中形成通孔的工藝；局部熔化第一半導體膜的步驟包括熔化底柵第一部分的工藝；以及使用底柵第二部分作為用來結晶化有源Si層的晶種來執(zhí)行所述使用未熔化的第一半導體膜作為晶種結晶化第二半導體膜的步驟。
10. 如權利要求8的方法，其中有源Si層被形成為具有在大約500 A至1， 500 A的范圍內的厚度。
11. 如權利要求9的方法，進一步包括以下步驟在結晶化有源Si層之后，構圖有源Si層以除去覆蓋在柵電介質中的通孔上面的有源Si層。
12. 如權利要求ll的方法，進一步包括以下步驟形成覆蓋在有源Si層上面的頂柵；以及在有源Si層中形成源/漏(S/D)區(qū)。
13. 如權利要求8的方法，其中覆蓋在透明襯底上面的底柵是使用選自由玻璃、塑料、和石英構成的組的材料形成的。
14. 如權利要求8的方法，其中結晶化第二半導體膜的步驟包括在第二半導體膜中橫向生長具有在大約20微米(jim)至30nm的范圍內的長度的晶粒的工藝。
15. —種用于在雙柵薄膜晶體管(DG-TFT)中使用至下面的底柵的通孔為有源硅(Si)層的結晶化提供晶種的方法，該方法包括以下步驟形成具有多晶結構、覆蓋在透明襯底上面的Si底柵；形成覆蓋在底柵上面的絕緣體層；在絕緣體層中形成開口，該開口暴露底柵頂表面的一部分；形成覆蓋在絕緣體層上面的非晶Si膜；激光退火該非晶Si膜；響應于激光退火，完全熔化該非晶Si膜并且局部熔化該底柵；以及使用未熔化的底柵多晶結構作為晶種，形成多晶Si有源層。
16. 如權利要求15的方法，其中激光退火該非晶Si膜的步驟包括在利用來自第二激光源的至少一個激光能量密度脈沖熔化該非晶Si膜之前，利用來自第一激光源的至少一個激光能量密度脈沖預加熱襯底的工藝。
17. 如權利要求15的方法，其中利用單個受激準分子激光脈沖執(zhí)行激光退火該非晶Si膜的步驟。
18. 如權利要求15的方法，其中形成絕緣體層的步驟包括由選自由氧化物膜和氮化物膜構成的組的材料形成柵絕緣體的工藝。
19. 如權利要求15的方法，其中形成底柵的步驟包括形成具有第一部分和第二部分的底柵的工藝；在絕緣體層中形成開口的步驟包括在覆蓋在底柵第一部分上面的柵電介質中形成通孔的工藝；局部熔化底柵的步驟包括熔化底柵第一部分的工藝；以及將要使用未熔化的底柵多晶結構作為晶種來執(zhí)行的步驟包括將要使用底柵第二部分作為用來結晶化有源Si層的晶種來執(zhí)行的工藝。
20. 如權利要求19的方法，進一步包括以下步驟在形成多晶有源Si層的步驟之后，構圖有源Si層以除去覆蓋在柵電介質中的通孔上面的有源Si層；形成覆蓋在有源Si層上面的頂柵；以及在有源Si層中形成源/漏(S/D)區(qū)。
21. —種利用如權利要求1至20中的任一項所述的方法結晶化的半導體膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于結晶化半導體膜的方法和由該方法結晶化的半導體膜。提供了一種用于使用掩埋晶種1脈沖層間結晶化工藝結晶化半導體膜的方法。該方法在透明襯底上以該順序形成具有結晶結構的第一半導體膜，具有暴露第一半導體膜頂表面的一部分的開口的絕緣體層，然后以該順序形成具有非晶結構的第二半導體膜。激光退火第二半導體膜使得第二半導體膜完全熔化并且第一半導體膜局部熔化。使用未熔化的第一半導體膜作為晶種，結晶化第二半導體膜。
文檔編號H01L21/20GK101145517SQ200710138198
公開日2008年3月19日申請日期2007年7月31日優(yōu)先權日2006年9月15日
發(fā)明者A·T·沃特薩斯, M·A·克勞德申請人:夏普株式會社

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