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電壓施加裝置以及使用其的導(dǎo)電處理方法

文檔序號(hào):7232913閱讀:148來源:國(guó)知局

專利名稱::電壓施加裝置以及使用其的導(dǎo)電處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及向磁頭裝置等各種被處理制品提供檢查用或?qū)щ娞幚碛玫鹊碾妷旱碾妷菏┘友b置、以及使用所述電壓施加裝置來降低接合部的電阻的導(dǎo)電處理方法。
背景技術(shù)
:在下面的專利文獻(xiàn)l中記載了向形成于多層電路板等被檢物的表面上的導(dǎo)電觸點(diǎn)接觸探頭來進(jìn)行檢査的發(fā)明。此外,在下面的專利文獻(xiàn)2中記載了對(duì)磁頭滑塊通過導(dǎo)電性粘合劑而粘在板簧上的磁頭裝置實(shí)施導(dǎo)電處理的發(fā)明。在該發(fā)明中,通過向磁頭滑塊和板簧之間施加電壓來破壞磁頭滑塊和板簧之間的接合部上的絕緣狀態(tài),由此來降低所述接合部的電阻。專利文獻(xiàn)l:(日本)特開平4-2969號(hào)公報(bào);專利文獻(xiàn)2:(日本)特開2002-343048號(hào)公報(bào)。在現(xiàn)有例中,當(dāng)向被檢制品或被處理制品施加電壓時(shí),如果將高剛性的探頭接觸到所述制品上,則無法使探頭與制品之間的接觸壓力恒定,從而存在探頭對(duì)制品的局部施加過大壓力的問題。此外,當(dāng)將探頭接觸到制品上來向制品施加電壓時(shí),探頭的表面容易氧化,在探頭的表面形成氧化膜,從而探頭將變得無法繼續(xù)使用。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有的問題而作出的,其目的在于,提供一種能夠?qū)⑻筋^以穩(wěn)定的壓力接觸到被處理制品上并能夠抑制探頭表面的氧化的電壓施加裝置。此外,本發(fā)明的目的還在于,提供一種可使用所述電壓施加裝置來使被處理制品的導(dǎo)電性部件之間的接合部上的電阻降低的導(dǎo)電處理方法。本發(fā)明是一種電壓施加裝置,包括與被處理制品接觸的探頭、和向所述被處理制品與所述探頭之間施加電壓的電源部,其特征在于所述探頭在其自身發(fā)生彈性變形的情況下抵接到所述被處理制品上,相比于提供給所述被處理制品的電位,所述電源部向所述探頭提供正的電位。例如,在本發(fā)明中設(shè)置了致動(dòng)器,該致動(dòng)器朝著被處理制品以恒定的速度送出所述探頭,并且在所述探頭抵接到被處理制品上并向被處理制品施加電壓之后,使所述探頭向遠(yuǎn)離被處理制品的方向后退。在本發(fā)明的電壓施加裝置中,由于探頭發(fā)揮彈性力來抵接到被處理制品上,因而能夠使探頭和磁頭滑塊的接觸壓力總為恒定。此外,通過相比于提供給被處理制品的電位,將探頭的電位設(shè)定為正電位,能夠抑制探頭表面的氧化,從而能夠長(zhǎng)時(shí)間使用探頭。例如,所述探頭由鎢、鈀合金、鈹銅中的一種形成。用所述金屬材料形成的探頭具有高彈性,能夠發(fā)揮彈性力并難以塑性變形。通過將所述探頭設(shè)定為正電位,能夠抑制探頭表面的氧化。本發(fā)明的導(dǎo)電處理方法的特征在于所述被處理制品是至少將兩個(gè)導(dǎo)電性部件接合起來的制品,所述方法使用所述電壓施加裝置,向一個(gè)所述導(dǎo)電性部件施加電壓,并使所述探頭接觸另一個(gè)所述導(dǎo)電性部件,由此向?qū)щ娦圆考g施加電壓來降低所述接合部的電阻。在本發(fā)明的導(dǎo)電處理方法中,降低所述導(dǎo)電性部件的接合部的起因于表面氧化膜的電阻?;蛘?,所述接合部夾有包含導(dǎo)電性填充物和粘合劑樹脂的導(dǎo)電性樹脂,所述導(dǎo)電處理方法降低所述導(dǎo)電性部件與所述導(dǎo)電性樹脂的接合部的電阻。此外,本發(fā)明中的所述被處理制品是磁頭裝置,該磁頭裝置包括安裝有磁功能元件的磁頭滑塊和與該磁頭滑塊粘合的支承體,所述導(dǎo)電處理方法在向所述支承體提供電位的同時(shí),使所述探頭接觸所述磁頭滑塊。此時(shí),優(yōu)選使所述探頭接觸到所述磁頭滑塊中的與安裝所述磁功能元件的端面相反一側(cè)的引導(dǎo)側(cè)端面上。在本發(fā)明中,由于由探頭發(fā)揮彈性力來與磁頭滑塊抵接,因而不會(huì)向磁頭滑塊施加過大的壓力。此外,通過按壓磁頭滑塊的引導(dǎo)側(cè)端面,能夠抑制受板簧支承的磁頭滑塊的姿態(tài)發(fā)生變化。發(fā)明效果在本發(fā)明的電壓施加裝置中,能夠穩(wěn)定地向被處理制品施加電壓,并能夠抑制探頭表面的氧化。本發(fā)明的導(dǎo)電處理方法能夠使用所述電壓施加裝置來降低導(dǎo)電性部件之間的接合電阻。圖1示出了作為被處理制品的一個(gè)例子的磁頭裝置,其中,(A)是側(cè)視圖,(B)是仰視圖。圖2是用于說明電壓施加裝置以及使用電壓施加裝置的導(dǎo)電處理方法、圖3是磁頭裝置的撓曲件與磁頭滑塊的接合部的放大截面圖。圖4是示出向承載梁與探頭施加的電壓以及磁頭滑塊與承載梁之間的電阻值的曲線圖。圖5是示出在施加一次電壓后的磁頭裝置中向承載梁與探頭施加的電壓以及磁頭滑塊與承載梁之間的電阻值的曲線圖。具體實(shí)施例方式圖1示出了作為被處理制品的一個(gè)例子的磁頭裝置,其中,(A)是側(cè)視圖,(B)是仰視圖。圖2是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式的電壓施加裝置以及使用電壓施加裝置的導(dǎo)電處理方法的側(cè)視圖,圖3是示出磁頭裝置的接合部的局部截面圖。圖4和圖5是示出導(dǎo)電處理前和處理后的電阻變化的曲線圖。圖1所示的磁頭裝置1具有支承體2。支承體2具有由帶彈性的金屬板形成的承載梁3以及由比所述承載梁3薄的板簧形成的撓曲件4。承載梁3和撓曲件4均用不銹鋼板等可發(fā)揮彈性的板材形成。承載梁3的頂部下面是支承面3a。在比支承面3a更靠近根部的一側(cè)設(shè)置了其兩側(cè)部朝上垂直彎折的彎折部3b、3b。承載梁3的具有所述彎折部3b、3b的部分的剛性高。承載梁3的根部構(gòu)成為不具有所述彎折部3b、3b的彈性變形部,通過所述彈性變形部的彈性力,磁頭滑塊10以小的力壓在記錄介質(zhì)上。所述撓曲件4具有以焊接等手段而固定在所述承載梁3的支承面3a上的根端部4a、比根端部4a更位于頂部的彎折部4b、以及從所述彎折部4b折回的固定片4c。所述磁頭滑塊10通過粘合劑而粘合固定在所述固定片4c的表面上。如圖1(A)所示,在承載梁3的支承面3a上與其一體地設(shè)置有朝下突出的支樞(pivot)3c,所述撓曲件4的固定片4c與支樞3c抵接。粘合固定在固定片4c上的磁頭滑塊10能夠?qū)⑴c所述支樞3c的抵接點(diǎn)作為支點(diǎn)而傾斜。磁頭滑塊10的主要的傾斜方向是轉(zhuǎn)動(dòng)(roll)方向以及間距(pitch)方向,所述轉(zhuǎn)動(dòng)方向是以通過與支樞3c的抵接點(diǎn)并沿X軸方向延伸的線為中心的轉(zhuǎn)動(dòng)方向,所述間距方向是以通過與支樞3c的抵接點(diǎn)并沿Y軸方向延伸的線為中心的轉(zhuǎn)動(dòng)方向。如圖1(A)(B)所示,撓曲件4的固定片4c的后端部4d向磁頭滑塊10的后方突出。在所述承載梁3的支承面3a上設(shè)置了從承載梁3的一部分切出并垂直彎折的突出片3d,并且從該突出片3d設(shè)置了與該突出片3d—體延伸的止動(dòng)部3e。所述固定片4c的后端部4d位于支承面3a和止動(dòng)部3e之間的空間內(nèi)。如果磁頭滑塊10較多地向間距方向傾斜,則所述后端部4d抵接到所述止動(dòng)部3e上,此時(shí)即為磁頭滑塊10向間距方向傾斜的界線。所述磁頭滑塊10用Al203-TiC等導(dǎo)電性陶瓷材料形成。在磁頭滑塊10中,與粘合在固定片4c上的背面10d相反一側(cè)的表面是與記錄介質(zhì)對(duì)置的對(duì)置面10a,朝向承載梁3的頂端的端面是從動(dòng)(trailing)側(cè)端面10b,朝向承載梁3的根部的端面是引導(dǎo)(leading)側(cè)端面10c。在磁頭滑塊10的從動(dòng)側(cè)端面10b配置了磁功能部,所述磁功能部具有利用了MR效果、GMR效果或TMR效果的薄膜的讀取部、以及具有磁性金屬薄膜和線圈薄膜的薄膜的記錄部。在磁頭滑塊10的對(duì)置面10a與作為記錄介質(zhì)的硬盤對(duì)置的狀態(tài)下,如果硬盤旋轉(zhuǎn),則硬盤表面的空氣流從引導(dǎo)側(cè)端面10c的一側(cè)流入對(duì)置面10a。此時(shí),磁頭滑塊10變成引導(dǎo)側(cè)端面10c比從動(dòng)側(cè)端面10b更遠(yuǎn)離硬盤地傾斜的浮起姿態(tài)。通過設(shè)置于該浮起姿態(tài)的磁頭滑塊10上的所述磁功能部,向記錄介質(zhì)記錄磁信息,或者讀取在記錄介質(zhì)上記錄的磁信息。圖3是將撓曲件4的固定片4c與磁頭滑塊10的背面10d的接合部放大了的截面圖。圖3為了與圖2—致,以撓曲件4位于下側(cè)、磁頭滑塊IO位于上側(cè)的朝向進(jìn)行了圖示。固定片4c和磁頭滑塊10隔著粘合劑并通過該粘合劑的接合力而固定在撓曲件4的固定片4c與磁頭滑塊10的背面10d的接合部上。通過磁頭滑塊10以低浮姿態(tài)與記錄介質(zhì)的表面對(duì)置,磁頭滑塊10易于帶靜電。因此,如圖3所示,有必要使撓曲件4的固定片4c與磁頭滑塊10的背面10d的接合部的至少一部分夾有導(dǎo)電性粘合劑12,來將磁頭滑塊IO所帶的電荷基本上向設(shè)定為接地電位的撓曲件4以及承載梁3釋放。或者,也可以在磁頭滑塊10的引導(dǎo)側(cè)端面10c與固定片4c之間設(shè)置導(dǎo)電性粘合劑12。如圖3所示,導(dǎo)電性粘合劑12通過在熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等樹脂粘合劑14內(nèi)混入銀或銅等導(dǎo)電性填充物13而形成。在緊接著粘合后的初始狀態(tài)下,撓曲件4的固定片4c與磁頭滑塊10的背面10d的接合部上的電阻較大。其原因之一是形成于撓曲件4的固定片4c的表面上的絕緣膜15以及形成于磁頭滑塊10的背面10d上的絕緣膜16。這些絕緣膜15、16是氧化膜或油膜等。此外,當(dāng)通過導(dǎo)電性粘合劑12粘合兩個(gè)部件時(shí),在導(dǎo)電性粘合劑與部件的邊界部分,電阻有變高的傾向??深A(yù)測(cè)這是因?yàn)橛捎趦蓚€(gè)部件、即撓曲件4的固定片4c的表面和磁頭滑塊10的背面10d的可濕性(濡tl性),每個(gè)部件的表面上的導(dǎo)電性填充物13的密度變低的緣故。如果接合部上的電阻變高,則磁頭滑塊10上所帶的電荷難以向承載梁3—側(cè)流動(dòng)。該電荷易使讀取元件帶電。尤其在如利用溝道效應(yīng)的薄膜磁頭那樣的檢測(cè)電流向多層膜的膜厚方向流動(dòng)的讀取元件的情況下,電流容易積累。當(dāng)讀取元件如上述帶電時(shí),一旦導(dǎo)電體與讀取元件的電極接觸,所帶的電荷就會(huì)在一瞬間流向所述導(dǎo)電體,從而容易發(fā)生讀取元件因該電流而受損傷的問題。因此,在粘合磁頭滑塊10和固定片4c之后,使用圖2所示的電壓施加裝置20實(shí)施導(dǎo)電處理,即破壞所述接合部上的絕緣狀態(tài)并降低接合部上的電阻。所述電壓施加裝置20具有探頭21。探頭21具有接觸部21b和腕部21a,所述接觸部21b幾乎與所述磁頭滑塊10的引導(dǎo)側(cè)端面10c垂直對(duì)置,所述腕部21a從所述接觸部21b垂直彎折。腕部21a可彈性變形,通過腕部21a變形時(shí)的彈性力,所述接觸部21b以幾乎恒定的壓力抵接到所述引導(dǎo)側(cè)端面10c上。探頭21是線材或窄幅板材,所述線材或窄幅板材由具有比較高的彎曲彈性系數(shù)并難以塑性變形的高彈性材料形成。此外,構(gòu)成探頭21的導(dǎo)電性材料優(yōu)選高熔點(diǎn)材料中耐磨損耐腐蝕的材料。例如,可使用鎢、鈀合金或鈹銅合金。所述探頭21的腕部21a的根部固定在活動(dòng)部22上?;顒?dòng)部22可向與承載梁3的支承面3a平行的方向進(jìn)退移動(dòng),并設(shè)置有使該活動(dòng)部22以恒定的速度往復(fù)移動(dòng)的致動(dòng)器23。致動(dòng)器23由直線電機(jī)構(gòu)成,或者由固定于伺服電機(jī)的輸出軸上的小齒輪和固定于所述活動(dòng)部22上的齒條部構(gòu)成。在電壓施加裝置20上設(shè)有控制所述致動(dòng)器23的動(dòng)作的控制器24和電源部25。從電源部25向承載梁3或撓曲件4與探頭21之間提供電壓。但是,相對(duì)于提供給承載梁3或撓曲件4的電位,提供給探頭21的電位是正的電位。在圖2所示的實(shí)施方式中,將承載梁3設(shè)定為接地電位,向探頭21施加正電位。接著,對(duì)使用所述電壓施加裝置20來降低圖3所示接合部的電阻的導(dǎo)電處理的方法進(jìn)行說明。如圖2所示,作為被處理制品的磁頭裝置1以磁頭滑塊10朝上的姿態(tài)被設(shè)置在電壓施加裝置20上設(shè)置的支承臺(tái)(圖中沒有示出)上,并且承載梁3被設(shè)定為接地電位。從探頭21的接觸部21b與磁頭滑塊10的引導(dǎo)側(cè)端面10c分離的狀態(tài),使活動(dòng)部22向圖2的圖示右方向移動(dòng)。此時(shí)的移動(dòng)速度在0.1mm/sec5.0mm/sec的范圍內(nèi)。使活動(dòng)部22以恒定的速度移動(dòng),并使探頭21的接觸部21b的頂端抵接磁頭滑塊10的引導(dǎo)側(cè)端面10c,緊接著使致動(dòng)器23反向改變驅(qū)動(dòng)活動(dòng)部的方法,從而從磁頭滑塊10的引導(dǎo)側(cè)端面10c移開探頭21的接觸部21b。此外,在探頭21的接觸部21b與引導(dǎo)側(cè)端面10c抵接的整個(gè)時(shí)間,或者在抵接的一部分時(shí)間,從電源部25向探頭21施加正電位。通過向探頭21施加正電位并將承載梁3以及撓曲件4設(shè)定為接地電位,如圖3所示,向撓曲件4與磁頭滑塊IO之間施加電壓,并且還向設(shè)置于接合部上的導(dǎo)電性粘合劑12和絕緣膜15、16施加電壓。通過這樣的通電,絕緣膜15、16的絕緣狀態(tài)被破壞,并且位于撓曲件4的固定片4c的表面以及磁頭滑塊10的背面10d附近的導(dǎo)電性粘合劑12的絕緣狀態(tài)被破壞,從而能夠降低連接部上的電阻。當(dāng)探頭21與磁頭滑塊10抵接時(shí),通過腕部21a變形時(shí)產(chǎn)生的彈性力,接觸部21b的頂端與引導(dǎo)側(cè)端面10c抵接。g卩,接觸部21b與引導(dǎo)側(cè)端面10c的抵接力來源于腕部21a的彈性力。當(dāng)將磁頭裝置1用于硬盤裝置時(shí),磁頭滑塊10通過承載梁3根部的彈性變形部的彈性力而以小的力壓在記錄介質(zhì)上。此時(shí)的負(fù)載壓力從支樞3c被施加給磁頭滑塊10。設(shè)定撓曲件4的彈性,使其在所述負(fù)載壓力作用時(shí)發(fā)揮規(guī)定的彈性力,而不發(fā)生塑性變形。從而,所述探頭21的接觸部21b與引導(dǎo)側(cè)端面10c抵接時(shí)的抵接力最好不要遠(yuǎn)大于所述負(fù)載壓力。由于所述負(fù)載壓力在9.8mN(lgf)19.6mN(2gf)左右,因而,接觸部21b的抵接力優(yōu)選在49mN(5gf)以下,更優(yōu)選在19.6mN(2gf)以下。此外,用接觸部21b按壓引導(dǎo)側(cè)端面10c時(shí)的撓曲件4的變形量的界限優(yōu)選到撓曲件4的周定片4c的后端部4d輕觸止動(dòng)部3e為止,或者剛要與止動(dòng)部3e抵接為止。表1示出了在用探頭21的接觸部21b按壓引導(dǎo)側(cè)端面10c時(shí)對(duì)磁頭滑塊10的靜態(tài)姿態(tài)的變化進(jìn)行測(cè)定的結(jié)果。在表1的評(píng)價(jià)中,對(duì)于10個(gè)磁頭裝置的每一個(gè),以19.6mN按壓引導(dǎo)側(cè)端面10c,并使撓曲件4彈性變形,直到其后端部4d與止動(dòng)部3e抵接為止。然后,以轉(zhuǎn)動(dòng)角度的變化量和間距角度的變化量,對(duì)于按壓引導(dǎo)側(cè)端面10c前、和先按壓然后解除按壓力后的磁頭滑塊10的靜態(tài)姿態(tài)的變化進(jìn)行測(cè)定。在表1中,以"分"為單位記載了各個(gè)方向上的角度變化量(A)。從表1可知,當(dāng)以規(guī)定的壓力將探頭21可靠地抵接到磁頭滑塊10上來供給電壓時(shí),通過將探頭21接觸到引導(dǎo)側(cè)端面10c上,能夠防止磁頭滑塊10的靜態(tài)姿態(tài)發(fā)生變化。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>此外,通過使探頭21相對(duì)于承載梁3—側(cè)電位具有正的電位,能夠抑制探頭21表面的氧化。為了與本實(shí)施方式進(jìn)行比較,用鎢形成圖2所示的電壓施加裝置20的探頭21,并將探頭21—側(cè)相對(duì)于承載梁3—側(cè)設(shè)定為負(fù)的電位,然后將探頭21的接觸部21b抵接到磁頭滑塊10的引導(dǎo)側(cè)端面10c上并施加電壓。在此情況下,當(dāng)超過第20次接觸時(shí),由于探頭21表面的氧化,探頭21和磁頭滑塊10之間發(fā)生了接觸不良。與此相對(duì),將使用未經(jīng)表面處理的鎢形成的探頭21設(shè)定為正的電位,并同樣地重復(fù)進(jìn)行了將探頭21的接觸部21b接觸到引導(dǎo)側(cè)端面10c上的動(dòng)作,此時(shí),可確認(rèn)即便超過3000次也沒有發(fā)生探頭21和磁頭滑塊IO之間的導(dǎo)通不良。其原因如下通過將探頭21設(shè)定為正電位,當(dāng)探頭21和磁頭滑塊10接觸時(shí),負(fù)電子從磁頭滑塊10向探頭21—側(cè)移動(dòng),從而探頭21的表面變?yōu)橐子谶€原的狀態(tài)。此外還能夠確認(rèn)由于在切斷施加給探頭21的電位之后,表面也容易維持在易于還原的狀態(tài),因而探頭21的表面也不被氧化。接著,圖4示出了在用導(dǎo)電性粘合劑12粘合磁頭滑塊10和撓曲件4的固定片4c之后,逐漸提高向承載梁3與探頭21之間施加的電壓時(shí),對(duì)磁頭滑塊10與承載梁3之間的電阻進(jìn)行測(cè)定的結(jié)果。在出現(xiàn)于磁頭滑塊10的從動(dòng)側(cè)端面10b上的接地觸點(diǎn)與承載梁3之間測(cè)定所述電阻值。在圖4中重疊示出了對(duì)多個(gè)磁頭裝置的每一裝置的測(cè)定結(jié)果。在圖4中可知,通過使探頭21接觸磁頭滑塊10并向承載梁3與探頭21之間施加3V以上的電壓,使承載梁3與磁頭滑塊10之間的電阻極為低。這意味著通過施加所述電壓,起因于圖3所示的絕緣膜15、16的絕緣狀態(tài)和導(dǎo)電性粘合劑12與撓曲件4的邊界部以及導(dǎo)電性粘合劑12與磁頭滑塊10的邊界部的絕緣狀態(tài)遭到了破壞,從而電阻下降。圖5示出了施加電壓后的承載梁3與磁頭滑塊10之間的電阻變化。其評(píng)價(jià)如下在將撓曲件4的固定片4c與磁頭滑塊IO用導(dǎo)電性粘合劑12粘合后,使探頭21與磁頭滑塊10接觸,并向承載梁3與探頭21之間施加4V的電壓。此時(shí)的電流值為70mA。施加一次電壓之后,將承載梁3與探頭21之間的電壓從0V開始逐漸提高,并測(cè)定了此時(shí)的電阻變化。從圖5可知,通過向承載梁3與探頭21之間施加4V的電壓,撓曲件4的固定片4c與磁頭滑塊10的背面10d的接合部上的電阻下降了。從圖4和圖5可知,由圖2所示的電壓施加裝置20向承載梁3—側(cè)與探頭21之間施加的電壓優(yōu)選為310V左右。此外,施加所述電壓時(shí)的電流優(yōu)選為1200mA左右。在本實(shí)施方式中,被處理制品為磁頭裝置1,并以降低該磁頭,的導(dǎo)電性部件、即撓曲件4與磁頭滑塊10的接合部的電阻的處理為例進(jìn)行了說明。但是,本發(fā)明中的被處理制品也可以是將基板上形成的導(dǎo)電膜彼此用導(dǎo)電性粘合劑粘合的制品、或者基板表面的導(dǎo)電膜和背面的導(dǎo)電膜通過填充到通孔中的導(dǎo)電性粘合劑而導(dǎo)通的制品。此時(shí),通過向中間隔著導(dǎo)電性粘合劑而配置于兩側(cè)的導(dǎo)電體之間施加電壓來降低電阻。權(quán)利要求1.一種電壓施加裝置,包括與被處理制品接觸的探頭、和向所述被處理制品與所述探頭之間施加電壓的電源部,其特征在于,所述探頭在其自身發(fā)生彈性變形的情況下抵接到所述被處理制品上,相比于提供給所述被處理制品的電位,所述電源部向所述探頭提供正的電位。8、如權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電處理方法,其特征在于,使所述探頭接觸到所述磁頭滑塊中的與安裝所述磁功能元件的端面相反一側(cè)的引導(dǎo)側(cè)端面上。全文摘要本發(fā)明提供一種電壓施加裝置以及使用其的導(dǎo)電處理方法,以能夠降低在磁頭裝置等被處理制品中通過導(dǎo)電性粘合劑而粘合的導(dǎo)電性部件間的接合部的電阻。在作為被處理制品的磁頭裝置(1)中,磁頭滑塊(10)通過導(dǎo)電性粘合劑而粘在撓曲件(4)上。致動(dòng)器(23)使可彈性變形的探頭(21)移動(dòng),從而使探頭(21)的接觸部(21b)接觸到磁頭滑塊(10)的引導(dǎo)側(cè)端面(10c)上。此時(shí),從電源部(25)向承載梁(3)和探頭(21)施加電壓,并向探頭(21)施加正電荷。由此,能夠降低接合部的電阻,并能使探頭(21)以適當(dāng)?shù)牧Φ纸拥酱蓬^滑塊(10)上。文檔編號(hào)H01R4/48GK101097721SQ200710126308公開日2008年1月2日申請(qǐng)日期2007年6月29日優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日發(fā)明者佐藤秀治,阿部秀昭申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社
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