專利名稱：晶圓清洗設(shè)備及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的設(shè)備及其制造方法，特別是有 關(guān)于 一 種可防止晶圓的清洗制程中液態(tài)的硫酸銨殘留結(jié)晶，而造成位于晶 圓上的集成電路短路或產(chǎn)生開口的晶圓清洗設(shè)備及其方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)普遍運(yùn)用來制造記憶體、中央 處理器、液晶顯示器、發(fā)光二極管、激光二極管以及元件或晶片組。為了 達(dá)到高積集度和高速度的目標(biāo)，半導(dǎo)體集成電路的特征尺寸仍在持續(xù)縮小 中，目前已有許多材料與技術(shù)被發(fā)展出來，用以達(dá)到上述積集度和速度的目標(biāo)，并克服隨之而來的制程阻礙。另外，制程時(shí)間(cycle time)也很重要，不 僅因?yàn)橹瞥虝r(shí)間關(guān)系著產(chǎn)品的產(chǎn)量，同時(shí)也因?yàn)樗鼤黾又圃斐杀?。傳統(tǒng)上，晶圓在經(jīng)過蝕刻或摻雜植入(implantation)制程后，會進(jìn)行 清洗制程， 一般稱之為卡羅製程(Caro， s Process)。其中清洗制程是在包 括有數(shù)個(gè)提供不同化學(xué)物質(zhì)(例如次硫酸/過氧化氫混合[S u 1 f e r i c acid/Hydrogen Peroxide Mixture; SPM]溶液、氨水/過氧化氫混合溶液 [Ammonia/Hydrogen Peroxide Mixture; APM]以及去離子tK或以上的任意 組合)的槽體的濕式清洗臺設(shè)備(wet bench apparatus)中進(jìn)行。濕式清洗 臺可在同 一制程之中同時(shí)處理數(shù)批晶圓，但是濕式工作臺設(shè)備制程的制程 時(shí)間很長。為了縮短濕式清洗臺制程的制程時(shí)間，目前已經(jīng)采用單一清洗制 程，來取代傳統(tǒng)的濕式清洗臺清洗制程。請參閱圖1A和圖1B所示，是繪示一種使用現(xiàn)有習(xí)知的單一晶圓清洗 槽進(jìn)行晶圓清洗制程的結(jié)構(gòu)剖面圖，圖1A是一種現(xiàn)有習(xí)知單一晶圓清洗槽 的結(jié)構(gòu)剖面圖。該清洗槽100包含槽壁110?；_120設(shè)置于清洗槽IOO之 中?；_120包括用來承載晶圓150的工作平臺125。側(cè)壁130，一般稱之 為化學(xué)品杯(chemical cup)，是設(shè)置于清洗槽100中，并且圍繞基臺120,用 來阻擋化學(xué)品由晶圓150或化學(xué)品噴灑器140所噴出的化學(xué)品?；瘜W(xué)品噴 灑器140包括一個(gè)設(shè)置于清洗槽100中，用來將化學(xué)品噴灑于晶圓150上 的噴嘴145。噴嘴145是一奈米噴霧噴嘴，通過噴嘴145所提供的化學(xué)品是 呈現(xiàn)為霧狀或蒸汽狀。雖然清洗制程是在清洗槽100之中進(jìn)行，但是當(dāng)進(jìn) 行晶圓150的清洗制程時(shí)，并沒有其他包裹物或遮蔽物，而可以將基臺120 與位于清洗槽100中，側(cè)壁130和槽壁110之間的空間實(shí)質(zhì)地隔離開，或?qū)?br> 基臺120實(shí)質(zhì)地密封起來。通常這樣的清洗制程稱之為半開放(Semi-open) 制程。請?jiān)賲㈤?A所示，在Caro， s Process (清洗制程)中，次石克酸/過氧化氫 混合溶液160是藉由噴嘴145噴灑到晶圓150之上，藉以清潔晶圓150。如 以上所述，次硫酸/過氧化氬混合溶液160是以霧狀或蒸汽的形式飄入進(jìn)清 洗槽100。在次硫酸/過氧化氫混合溶液清洗過程之中或在此步驟之后，該次 硫酸/過氧化氫混合溶液的殘余物160a會粘附于槽壁110、側(cè)壁130及/或 噴灑器140之上。另外，請參閱圖1B所示，氨水/過氧化氫混合溶液170也是藉由噴嘴 145噴灑到晶圓150之上，藉以清潔晶圓150。該氨水/過氧化氫混合溶液 170也是以霧狀或蒸汽的形式飄入進(jìn)清洗槽100中，并且該氨水/過氧化氫 混合溶液170的殘余物170a也會粘附于槽壁110、側(cè)壁130及/或噴灑器 140之上。其中有些次硫酸/過氧化氪混合溶液的殘余物160a會與氨水/過 氧化氫混合溶液170的殘余物170a相混合而產(chǎn)生硫酸銨(仰4304)殘留物 180。 一開始混合時(shí)，硫酸銨殘留物180是由水溶液所組成。經(jīng)過十小時(shí)左 右，液態(tài)的硫酸銨殘留物180會因?yàn)槿芤褐械乃终舭l(fā)而結(jié)晶，形成固態(tài)的 硫酸銨殘留物180的結(jié)晶。當(dāng)晶圓150在進(jìn)行傳輸及/或正在制程之中，硫 酸銨殘留物180的結(jié)晶可能會從槽壁110、側(cè)壁130及/或噴灑器140上剝 落，并落在晶圓150之上。而落在晶圓150上的硫酸銨殘留物180結(jié)晶，可 能會造成位于晶圓150上的集成電路短路或產(chǎn)生開口。由此可見，上述現(xiàn)有的清潔基材的設(shè)備及其方法在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法與 使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上 述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直 未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的結(jié)構(gòu)及方法 能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此迫切需要提 供一種新的晶圓清洗設(shè)備及其方法，以改善上述晶圓清洗制程所發(fā)生的問 題，則成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)及當(dāng)前重要研發(fā)課題之一。有鑒于上述現(xiàn)有的清潔基材的設(shè)備及其方法存在的缺陷，本發(fā)明人基 于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的 運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的晶圓清洗設(shè)備及其方法，能夠 改進(jìn)一般現(xiàn)有的清潔基材的設(shè)備及其方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷 的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本 發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的晶圓清洗設(shè)備存在的缺陷，而提供一種
新型結(jié)構(gòu)的晶圓清洗設(shè)備，所要解決的技術(shù)問題是使其在清洗槽與清洗臺 之間設(shè)有密閉空間，可以防止晶圓的清洗制程中液態(tài)的硫酸銨殘留結(jié)晶，而 造成位于晶圓上的集成電路短路或產(chǎn)生開口，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的清潔基材的方法存在的缺陷，而提 供一種新的清洗晶圓的方法，所要解決的技術(shù)問題是將晶圓的清洗制程實(shí) 質(zhì)地隔離于清洗槽中的密閉空間里，可以防止液態(tài)的硫酸銨殘留結(jié)晶，而造 成位于晶圓上的集成電路短路或產(chǎn)生開口 ，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種晶圓清洗設(shè)備，其包括 一槽體； 一基臺，位于該槽體之中；至少一第一側(cè)壁，設(shè)置于該槽體之中，并圍繞該基臺； 一上蓋，設(shè)置于該 槽體之中，并位于該基臺之上，可操作用以在該基臺和該第一側(cè)壁之間，區(qū) 隔出一第一空間；以及一排氣裝置，聯(lián)通位于該基臺和該第一側(cè)壁之間的 該第一空間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的晶圓清洗設(shè)備，其中所述的基臺是可以旋轉(zhuǎn)。前述的晶圓清洗設(shè)備，其中所述的上蓋是可旋轉(zhuǎn)，并可操作而將該基臺 實(shí)質(zhì)密封于該第一側(cè)壁之中。前述的晶圓清洗設(shè)備，其更包括至少一第二側(cè)壁，設(shè)置于該第一側(cè)壁和 該基臺之間。前述的晶圓清洗設(shè)備，其中所述的排氣裝置聯(lián)通至位于該第一側(cè)壁與 該第二側(cè)壁之間的一第二空間。前述的晶圓清洗設(shè)備，其更包括至少一噴灑器，設(shè)置于該槽體之中，用 以噴灑至少 一 化學(xué)品。前述的晶圓清洗設(shè)備，其更包括至少一噴嘴，位于由該第一側(cè)壁和該上 蓋所密封的 一 空間中，用來將至少 一化學(xué)品導(dǎo)入該空間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種清洗晶圓的方法，其包括以下步驟實(shí)質(zhì)地將放置有一晶 圓的一基臺置于一密閉容器中，其中該密閉容器位于一反應(yīng)槽之中；藉由 一第一噴嘴將一第一化學(xué)品噴灑在該基材的一表面上；以及藉由一第二噴 嘴將一第二化學(xué)品噴灑在該基材的該表面上，則藉以避免在該第一噴嘴和 該第二噴嘴之中形成由該第一化學(xué)品和該第二化學(xué)品因化學(xué)反應(yīng)所生成的產(chǎn)物。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的晶圓清洗方法，其中所述的第 一化學(xué)品包括次硫酸/過氧化氫混 合(Sulferic acid/Hydrogen Peroxide Mixture; SPM)溶液。前述的晶圓清洗方法，其中所述的第二化學(xué)品包括氨水/過氧化氫混合
溶液(Ammonia/Hydrogen Peroxide Mixture; APM)。前述的晶圓清洗方法，其中當(dāng)噴灑該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品至少 之一者時(shí)，更包括旋轉(zhuǎn)該基臺。前述的晶圓清洗方法，其中當(dāng)噴灑該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品至少 之一者時(shí)，更包括以一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)該上蓋，其中該轉(zhuǎn)速夠快可使該第一化學(xué)品 和該第二化學(xué)品偏離該上蓋。前述的晶圓清洗方法，其更包括噴灑去離子水及氮?dú)庵猎撋仙w、該基臺及側(cè)壁至少其一者上。前述的晶圓清洗方法，其更包括噴灑去離子水至該基材上。前述的晶圓清洗方法，其中當(dāng)噴灑該第 一 化學(xué)品和該第二化學(xué)品至少之一者時(shí)，更包括以一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)該上蓋，其中該轉(zhuǎn)速夠快可使該第一化學(xué)品和該第二化學(xué)品偏離該上蓋；以及當(dāng)噴灑該第一化學(xué)品和該第二化學(xué)品的步驟在進(jìn)行時(shí)，更包括將該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品排出該反應(yīng)槽。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案 可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下根據(jù)本發(fā)明的一些較佳實(shí)施例，提供一種包含有反應(yīng)槽的晶圓清洗設(shè) 備。其中反應(yīng)槽包括一基臺位于其中。該反應(yīng)槽具有至少有一個(gè)圍繞于基 臺周圍的第一側(cè)壁。反應(yīng)槽的基臺之上建構(gòu)設(shè)有一上蓋，使制程得以在基 臺至第一側(cè)壁之間的第一空間中進(jìn)行，并將第一空間封閉起來。此一晶圓 清洗設(shè)備還包括一個(gè)排氣裝置(Exhauster)聯(lián)通于基臺至第一側(cè)壁之間的 第一空間。根據(jù)本發(fā)明的一些較佳實(shí)施例，提供一種單一晶圓清洗制程，此一制 程包括下述步驟首先使用至少一個(gè)密封容器來圍繞，并實(shí)質(zhì)地密閉用來承 載基材的基臺。然后將第一化學(xué)品噴灑至基材表面。再將第二化學(xué)品噴灑 至基材表面，使第一化學(xué)品與第二化學(xué)品產(chǎn)生交互作用。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明晶圓清洗設(shè)備及其方法至少具有下列的優(yōu) 點(diǎn)及有益效果1、 本發(fā)明的晶圓清洗設(shè)備，在清洗槽與清洗臺之間設(shè)有密閉空間，可 以防止晶圓的清洗制程中液態(tài)的硫酸銨殘留結(jié)晶，而造成位于晶圓上的集 成電路短路或產(chǎn)生開口，非常適于實(shí)用。2、 本發(fā)明的清洗晶圓的方法，將晶圓的清洗制程實(shí)質(zhì)地隔離于清洗槽 中的密閉空間里，可以防止液態(tài)的硫酸銨殘留結(jié)晶，而造成位于晶圓上的 集成電路短路或產(chǎn)生開口，從而更加適于實(shí)用。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種清潔基材的設(shè)備及其方法，提供了一種 晶圓清洗設(shè)備及晶圓清洗方法。此清洗設(shè)備設(shè)備包括槽體、基臺、至少 一第一側(cè)壁、上蓋以及排氣裝置?；_位于槽體之中。第一側(cè)壁設(shè)置于槽 體之中，并圍繞基臺。上蓋設(shè)置于槽體之中，并位于基臺之上，可操作用以 在基臺和第 一側(cè)壁之間區(qū)隔出第 一空間。排氣裝置聯(lián)通位于基臺和第 一側(cè) 壁之間的第 一空間。本發(fā)明晶圓清洗設(shè)備及其方法具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí) 用價(jià)值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、清洗方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù) 上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的清潔基材的設(shè) 備及其方法具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛 利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)i兌明如下。


圖1A和圖1B是繪示一種使用現(xiàn)有習(xí)知的單一晶圓清洗槽進(jìn)行晶圓清 洗制程的結(jié)構(gòu)剖面圖。圖2A和圖2B是根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的濕式制程所分別繪示的結(jié) 構(gòu)俯視圖及結(jié)構(gòu)剖面圖。圖3A至圖3G是繪示使用圖2A和圖2B的清洗設(shè)備，所進(jìn)行的無塵室 (Clean Room)制程的結(jié)構(gòu)剖面圖。110:槽壁 130:側(cè)壁 145:噴嘴160:次-克酸/過氧化氫混合溶液160a:次硫酸/過氧化氫混合-容液殘余物170:氨水/過氧化氫混合溶液170a:氨水/過氧化氫混合溶液的殘余物180:硫酸銨殘留物200濕式制程設(shè)備210反應(yīng)槽215基材220基臺225工作平臺230側(cè)壁230s:肩部240側(cè)壁250a:噴灑器250b:噴灑器255a:噴嘴255b:噴嘴260噴嘴265270排氣裝置273閥門277管路300濕式制程設(shè)備310反應(yīng)槽315基材 320 330 340基臺 325:工作平臺側(cè)壁 330s:肩部側(cè)壁 350a:噴灑器350b:噴灑器 355a:噴嘴355b:噴嘴 360噴嘴 氣裝置 路 學(xué)品 學(xué)品具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的晶圓清洗設(shè)備及其方 法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。本說明書的實(shí)施例必須配合圖示說明加以閱讀，其中圖示說明必須被 視為本說明書的一部分。在說明書中的相對關(guān)系詞，例如較高的、較低 的、平行的、垂直的、位于上方、位于下方、往上、往下、頂端或底部，以 及上述用詞的衍生詞(例如副詞平行地、往下地或往上地)皆必須參照照 圖示說明中所繪示的的方向。采用這些相對關(guān)系詞僅是為了描述方便，并非 用以限制本發(fā)明的技術(shù)特征。請參閱圖2A和圖2B所示，是根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的濕式制程所分 別繪示的結(jié)構(gòu)俯視圖及結(jié)構(gòu)剖面圖，繪示了濕式制程設(shè)備200的結(jié)構(gòu)俯視 圖及結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，圖2A是繪示濕式制程設(shè)備200的結(jié)構(gòu)俯視圖，為了 更清楚說明，圖2A中忽略了濕式制程設(shè)備200中的上蓋265,但是在圖2B 中則將上蓋265繪示出來。圖2B是圖2A較佳實(shí)施例中沿著剖面線2B-2B 的具有上蓋265的濕式制程i殳備200結(jié)構(gòu)剖面圖。請參閱圖2A和圖2B所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的用來對基材215進(jìn)行 濕式制程的濕式制程設(shè)備200，其包括反應(yīng)槽210的基臺220 (圖2A中未 繪示，但繪示于圖2B中)，工作平臺225設(shè)置于基臺220之上；至少一個(gè)側(cè) 壁230設(shè)置于反應(yīng)槽210中，用來圍繞基臺220或工作平臺225;至少有一個(gè) 側(cè)壁240設(shè)置于基臺220和側(cè)壁230之間； 一上蓋265，以密封方式與側(cè)壁 230的上部相結(jié)合；至少一個(gè)噴灑器(例如，噴灑器250a和噴灑器250b,其 中噴灑器250a和噴灑器250b各自具有一個(gè)噴嘴255a和噴嘴255b)設(shè)置于 反應(yīng)槽210中，藉以噴灑至少一種化學(xué)品。排氣裝置270 (繪示于圖2B)聯(lián) 通于基臺220至側(cè)壁2 30之間的空間。排氣裝置270是藉由，例如至少一個(gè)排管化化品品品蓋門學(xué)學(xué)學(xué)上閥化化化
閥門273，與基臺220至側(cè)壁230之間的空間相聯(lián)通。雖然圖2B僅繪示了 兩個(gè)噴灑器2 5 Oa和2 5 Ob ，但是此一 系統(tǒng)可以包括任何lt量的噴灑器，例如 包括三個(gè)、四個(gè)或四個(gè)以上各自搭配有噴嘴的噴灑器。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí) 施例中，包括有兩個(gè)噴灑器，分別用來噴灑第一化學(xué)品和第二化學(xué)品，而第 三個(gè)噴灑器則是用來噴灑去離子水。基材的濕式制程設(shè)備200可以是一種，例如單一晶圓的濕式反應(yīng)槽。相 較于濕式清洗臺，該單一晶圓的濕式反應(yīng)槽可以較有效率地處理基材或晶 圓。反應(yīng)槽210包括至少一個(gè)開口 (圖中未繪示)，藉以將晶圓或基材傳遞 進(jìn)出反應(yīng)槽210。雖然圖示繪示為方形，但是該反應(yīng)槽210的形狀并不以此 為限，只要能夠容納進(jìn)行濕式制程設(shè)備200所需的組成部件或零件，反應(yīng) 槽210可以是任何形狀。在圖2A和圖2B之中，該基材215是放置于工作平臺225上，藉以對 該基材215進(jìn)行濕式制程。其中，該基材215可以是一種P型或N型硅基 材、三-五(III-V)族半導(dǎo)體基材、顯示器(液晶顯示器、電漿顯示器或電激 發(fā)光燈)基材、發(fā)光二極管基材或上述任意的組合。該基材215包括至少 一導(dǎo)電層(例如多晶硅層)、包含有金屬(鋁、銅、銅鋁合金、鎢、鈦、氮 化鈦、鉭、氮化鉭或上述任意組合)的材質(zhì)、介電材質(zhì)(例如氧化硅、氮化 硅、氮氧化硅、低介電系數(shù)材質(zhì)、超低介電系數(shù)材質(zhì)、極低介電系數(shù)材質(zhì) 或上述任意組合)、形成在基材215之上或之中的摻質(zhì)(例如硼、砷、磷或 上述組合)摻雜區(qū)。請參閱圖2B所示，基臺220是設(shè)置于反應(yīng)槽210之中，并且被側(cè)壁230 所圍繞。其中，基臺220是用來承載基材215,藉以對基材215進(jìn)行濕式制 程?；_220可以相對于反應(yīng)槽210的底板旋轉(zhuǎn)，而往上或往下操作。工作 平臺225則設(shè)置于基臺220之上，且具有可實(shí)質(zhì)將基材215固定于工作平 臺225上的裝置，例如E型卡盤(E-chuck)、夾具或其類似結(jié)構(gòu)。請參閱圖2A和圖2B所示，圍繞于基臺220的側(cè)壁230是一空心圓柱 體，具有一上方開口。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，俯視側(cè)壁230，其形狀可 以是圓形、橢圓形、方形、三角形、方形、六邊形、八角形或其他形狀，并 且可配合上蓋265,將基臺220實(shí)質(zhì)密封起來。該側(cè)壁230包括一個(gè)或多個(gè) 肩部230s(如圖2B所示)，當(dāng)上蓋265往下移動時(shí)，可以用來與上蓋265相 結(jié)合。側(cè)壁230和上蓋265的結(jié)合可以在反應(yīng)槽210之中形成一個(gè)容器，兩 者配合的情形，詳述如下其中側(cè)壁230包括聚丙烯、聚乙烯、氧化聚乙 烯、聚苯醚或其他不會與濕式制程的化學(xué)品實(shí)質(zhì)產(chǎn)生反應(yīng)的物質(zhì)。濕式制程設(shè)備200更至少包括一側(cè)壁240,設(shè)置于基臺220和側(cè)壁230 之間，用來捕捉由基材215表面所甩出和/或由灑器所噴出的化學(xué)品。如圖 2B所示的側(cè)壁240是圍繞基臺220，并且具有一上方開口，因此可以由此 結(jié)構(gòu)提供化學(xué)品進(jìn)入基材215的上表面區(qū)域。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，該 側(cè)壁240包括有一上方部分是呈往基臺220傾斜，藉以防止化學(xué)品由側(cè)壁 240反彈。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，假如由噴灑器250a和250b所噴出的 化學(xué)品，可以-陂限制在由側(cè)壁230和上蓋265所封閉的空間中，而側(cè)壁240 的設(shè)置則是可選擇性(非必須)的。濕式制程設(shè)備200至少包括一噴灑器，例如噴灑器250a和250b，設(shè)置 于反應(yīng)槽210中，用來噴灑至少一種化學(xué)品。噴灑器250a和250b是設(shè)置 于側(cè)壁230和基臺220之間，或者甚至設(shè)置于側(cè)壁230和側(cè)壁240之間(如 圖2A中所示)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，多個(gè)噴灑器250a和250b是設(shè) 置來提供不同的化學(xué)品，例如酸和堿，使其在基材215的表面產(chǎn)生化學(xué)作 用。藉由使用多個(gè)噴灑器250a和噴灑器250b,可以避免兩種化學(xué)品因化學(xué) 反應(yīng)，而在噴灑器250a和噴灑器250b中和/或噴嘴255a和噴灑器255b上 產(chǎn)生非預(yù)期的產(chǎn)品或;隊(duì)粒。每一個(gè)噴灑器250a和噴灑器250b,分別具有一個(gè)噴嘴255a或噴嘴 255b，例如奈米噴霧噴嘴。通過該噴嘴，化學(xué)品(次硫酸/過氧化氫混合[SPM] 溶液、氨水/過氧化氫混合溶液[APM]、去離子水或以上任意組合)可以以溶 劑、噴霧或蒸氣的型式散布于基材215的表面上。噴灑器250a和噴灑器250b 分別設(shè)置有管線(圖中未示)，用來提供化學(xué)品。其中噴灑器250a和噴灑器 250b可以沿著圖2A中所繪式的箭頭方向噴灑，以移動噴嘴255a或噴嘴255b 到預(yù)設(shè)的位置，例如移動到平臺225的中心上方，以噴灑化學(xué)品。濕式制程設(shè)備200更至少包括一噴嘴260，設(shè)置于由側(cè)壁230和上蓋 265所封閉的空間中，藉以將至少一種化學(xué)品導(dǎo)入此一空間。這些化學(xué)品包 括酸、堿、去離子水或以上的任意組合。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，噴嘴 260具有至少一個(gè)奈米噴霧噴嘴。噴嘴260是設(shè)置在側(cè)壁230，或/和設(shè)置于 上蓋265上，面對基臺220的一側(cè)。另外如圖2B所示，噴嘴260是設(shè)置于 側(cè)壁230上半部靠近肩部230s的位置。藉此，當(dāng)噴嘴260面對基臺220進(jìn) 行操作時(shí)，可以將化學(xué)品噴灑在基臺220、側(cè)壁240、噴嘴255a、噴嘴255b 和/或上蓋265上。其中，該噴嘴260是在濕式制程完成之后，用來清洗濕 式制程設(shè)備200的零組件(例如，基臺220、側(cè)壁230、側(cè)壁240、噴灑器 250a、噴灑器250b、噴嘴255a、噴嘴255b和/或上蓋265)。雖然圖2B中 只繪示了兩個(gè)噴嘴260，但在本發(fā)明的其他實(shí)施例之中，該噴嘴260的數(shù)目 并不以此為限。為了達(dá)到預(yù)設(shè)的清洗狀態(tài)，可以在側(cè)壁230和/或上蓋265 之上設(shè)置有單一或多于兩個(gè)以上的噴嘴260。但是在另外的實(shí)施例中，假如 濕式制程設(shè)備200零組件的清潔并非制程考慮的重點(diǎn)，該噴嘴260則為可 以選擇性地設(shè)置。請參閱圖2B所示，濕式制程設(shè)備200包含設(shè)置于反應(yīng)槽210中且位于
基臺220上方的上蓋265。構(gòu)成上蓋265的材質(zhì)可包括，例如聚丙烯、聚乙 烯、氧化聚乙烯、聚苯醚或其他不會與濕式制程的化學(xué)品實(shí)質(zhì)產(chǎn)生反應(yīng)的 物質(zhì)。上蓋265可藉由旋轉(zhuǎn)而面對基臺220。其中該上蓋265是與用來移動 和/或轉(zhuǎn)動上蓋的傳動裝置(圖中未示)相連結(jié)。傳動裝置可以將上蓋265往 基臺220移動，藉此上蓋265可以與側(cè)壁230相配合，以實(shí)質(zhì)封閉圍繞于 基臺220的空間。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，為了緊密地密封此一空間，會 在側(cè)壁230和/或上蓋265上，兩者接觸的位置，設(shè)置密封元件，例如0型環(huán) 或其密封襯墊。但是在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，上蓋265和相對應(yīng)的側(cè) 壁230表面或肩部230s的結(jié)合部位的形狀，是藉由兩者的結(jié)合關(guān)系來加以 控制，以提供預(yù)設(shè)的密閉程度，其中并未使用密封襯墊。例如，上蓋265和側(cè) 壁230都是圓形，上蓋265的周邊具有外螺紋，而側(cè)壁2 30具有內(nèi)螺紋。濕式制程設(shè)備200包含有排氣裝置270，聯(lián)通于基臺220至側(cè)壁230之 間的空間。如同圖2B所示，排氣裝置270更藉由閥門273聯(lián)通于側(cè)壁240 至側(cè)壁230之間的空間。排氣裝置270是用來排除濕式制程中由噴灑器250a 和250b所導(dǎo)入的化學(xué)品霧氣、蒸氣或溶液。排氣裝置270是藉由至少一管 路277,例如水管，與閥門273相連接。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，基臺220 和側(cè)壁240之間還設(shè)置有其他閥門(圖中未示)，藉由管路277和閥門273與 排氣裝置270相聯(lián)通。雖然圖2A和圖2B中僅繪示了兩個(gè)閥門，但是在本 發(fā)明的其他實(shí)施例之中，閥門的數(shù)目并不以此為限，可以采用單一或多于 二個(gè)以上的閥門來排除化學(xué)品。另外，閥門273的位置可選擇性設(shè)置，并未 限制設(shè)于反應(yīng)槽210的底部。例如，只要化學(xué)品可以如預(yù)期地被移除，閥門 273可以設(shè)置在側(cè)壁230、側(cè)壁240或/和基臺220上。另外，為了達(dá)到移 除化學(xué)品或/和為例的預(yù)期目的，可以設(shè)置有更多的排氣裝置和管路。請參閱圖3A至圖3G所示，是使用圖2A和圖2B的清洗設(shè)備所進(jìn)行的 無塵室(Clean Room)制程的結(jié)構(gòu)剖面圖，是繪示使用圖2A和圖2B的濕式 制程設(shè)備200來進(jìn)行無塵室制程的結(jié)構(gòu)剖面圖。首先，將基材315經(jīng)由反 應(yīng)槽310的開口 (圖中未示)，放置于工作臺325上。在尚未放置于工作臺 325之前，基材315已經(jīng)進(jìn)行過一半導(dǎo)體制程，例如蝕刻制程、摻雜植入制 程、微影制程、薄膜沉積制程或上述的任意組合。接著，將上蓋365往基 臺320或側(cè)壁330方向(如圖3A所示的箭頭方向)移動。上蓋365停止于側(cè) 壁330的肩部330s,并與側(cè)壁330相配合，實(shí)質(zhì)地將基臺320密封在由側(cè) 壁330和上蓋365所定義的空間之中。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，此一空 間可以藉由設(shè)置于側(cè)壁330和上蓋365之間，且位于兩者結(jié)合的肩部330s 的密封元件，例如0型環(huán)或其密封村墊，而密封起來。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，上蓋365也可以繞其軸心旋轉(zhuǎn)(例如，上 蓋365的周邊,具有用來與側(cè)壁330進(jìn)行密封的螺紋)。但值得注意的是,在
此步驟中，旋轉(zhuǎn)上蓋365的動作是可以選擇性的。請參閱圖3B所示，藉由噴灑器350a通過嘴355a來將化學(xué)品MO的霧 氣、蒸氣或溶液噴灑至基材315上。其中化學(xué)品380包括，例如酸、堿、次 硫酸/過氧化氫混合(SPM)溶液、氨水/過氧化氫混合溶液(APM)或以上任 意組合。在本發(fā)明的一些采用Caro， s Process (清洗制程)的實(shí)施例中，該 化學(xué)品380包括溫度實(shí)質(zhì)為130°(3的次硫酸/過氧化氫0^02+11202)混合(SPM) 溶液。由于化學(xué)品380是以霧狀、蒸氣或溶液的形式存在，因此會浮動并 粘粘在基臺320、工作平臺325、側(cè)壁330、側(cè)壁340、噴灑器350a和/或 上蓋365上。如上所述，由于側(cè)壁330及上蓋365是實(shí)質(zhì)性地密封制程空 間，因此不會有大量的霧狀、蒸氣或溶液形式的化學(xué)品380由此空間逸散出 來。當(dāng)噴灑器350a在噴灑化學(xué)品380時(shí)，基臺320和上蓋365是以實(shí)質(zhì)每 分鐘300轉(zhuǎn)至每分鐘1000轉(zhuǎn)之間的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。其中，基臺320是沿著 圖3B所示的箭頭方向轉(zhuǎn)動，藉以將化學(xué)品380旋轉(zhuǎn)而穿越基材315的上表 面，使化學(xué)品380實(shí)質(zhì)平均地散布在基材315的表面上，并/或使粘黏在基 材315表面上的微粒(圖中未示)由基材315的表面甩出。上蓋365是沿著 圖3B所示的箭頭方向旋轉(zhuǎn)，藉以使由噴灑器350a所噴出的化學(xué)品380轉(zhuǎn) 向。如此，位于反應(yīng)槽310、側(cè)壁330及上蓋365之間的空間則不會受到化 學(xué)品380的實(shí)質(zhì)污染。為了有效地移除用來清洗基材315的化學(xué)品380,可起動排氣裝置370 來移除霧狀、蒸氣或溶液形式的化學(xué)品380 (如圖3B中箭頭381所示)?；?學(xué)品380是藉由閥門373,并經(jīng)由管路377移除至排氣裝置370。如以上所 述，側(cè)壁340和基臺320之間設(shè)置有其他的噴嘴(圖中未示)，藉以更有效率 地移除噴灑于此空間中的化學(xué)品380。在噴灑完化學(xué)品380之后，上蓋365 和基臺320會停止旋轉(zhuǎn)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在化學(xué)品380噴灑步 驟之后，排氣裝置37G也會停止運(yùn)轉(zhuǎn)。請參閱圖3C所示，上蓋365沿著箭頭所示的方向旋轉(zhuǎn)著向上離開基臺 320。值得注意的是，假如上蓋365維持在如圖3B所示的位置，不會影響 基材315的后續(xù)制程時(shí)，則上蓋365旋轉(zhuǎn)向上是一可選擇(非必要)步驟。采用同一個(gè)噴灑器350a或其他噴灑器(圖中未示)，將化學(xué)品383噴灑 于基材315上。采用其他的噴灑器可以防止化學(xué)品380和化學(xué)品383交互 作用以致有產(chǎn)品產(chǎn)生?；瘜W(xué)品383包括，例如酸、堿、去離子水或上述的 任意組合。在采用卡羅制程(Caro， s Process)的實(shí)施例中，化學(xué)品383包 括去離子水。化學(xué)品383是提供在基材315之上，用來移除粘粘在基材315 上的微粒和/或化學(xué)品380的殘留物。當(dāng)噴灑器350a再噴灑化學(xué)品383時(shí)，基臺320會沿著圖3C所示的箭頭
方向轉(zhuǎn)動。旋轉(zhuǎn)的基臺320可以使化學(xué)品383有效地噴灑在基材315上，并 且/或有效地移除粘黏在基材315上的微粒和/或化學(xué)品380的殘留物?；?臺320的旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)質(zhì)介于每分300鐘轉(zhuǎn)至每分鐘1000轉(zhuǎn)之間。在本發(fā) 明的一些實(shí)施例中，當(dāng)噴灑器350a在噴灑化學(xué)品383時(shí)，排氣裝置3"70也 會同時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)，以有效地移除粘粘在基材315上的#1粒和/或化學(xué)品380及化 學(xué)品383的殘留物。請參閱圖3D所示，上蓋365如圖3A所示的狀況旋轉(zhuǎn)向下，將化學(xué)品3" 的霧氣、蒸氣或溶液藉由噴灑器350b通過嘴355b噴灑至基材315上?；?學(xué)品385包括酸、堿、次硫酸/過氧化氫混合(SPM)溶液氨水/過氧化氫混 合溶液(APM)或以上任意組合。假如進(jìn)行混合，化學(xué)品385會和化學(xué)品380 和/或化學(xué)品383起交互作用。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，化學(xué)品385包括 氨水/過氧化氫(NH40H+H202)混合(APM)溶液。值得注意的是，次硫酸和氨水會起化學(xué)作用而產(chǎn)生硫酸銨，其化學(xué)反應(yīng)式如下H2S02(1)+ NH4OH(aq)—NH4S0"aq)NH4SO"aq) — NH4S04(s)+H20 化學(xué)反應(yīng)所產(chǎn)生的硫酸銨水溶液，其水分會在大氣環(huán)境中蒸發(fā)，因此使 粘黏有硫酸銨溶液的部位產(chǎn)生固態(tài)的硫酸銨結(jié)晶。藉由下述方法，可以實(shí) 質(zhì)地并避免產(chǎn)生固態(tài)辟u酸銨。當(dāng)噴灑器350b在噴灑化學(xué)品385時(shí)，上蓋365和基臺320以實(shí)質(zhì)介于 每分鐘300轉(zhuǎn)到每分鐘100轉(zhuǎn)之間的轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動。其中，基臺320是沿著圖3D 所示的箭頭方向轉(zhuǎn)動，藉以將化學(xué)品385旋轉(zhuǎn)而穿越基材315上表面，使化 學(xué)品385實(shí)質(zhì)平均地散布在基材315的表面上，并/或使粘黏在基材315表 面上的微粒(圖中未示)由基材315的表面上甩出。上蓋365是沿著圖3D所 繪示的箭頭方向旋轉(zhuǎn)，藉以使由噴灑器350b所噴出的化學(xué)品385轉(zhuǎn)向。如 此，位于反應(yīng)槽310、側(cè)壁330及上蓋365之間的空間可以不會受到化學(xué)品 385的實(shí)質(zhì)污染。請參閱上述圖3B所示，使用排氣裝置370可以有效地降低側(cè)壁330及 上蓋365所定義的空間的化學(xué)品380的殘留量。在降低化學(xué)品380殘留量 時(shí)，粘附在濕式制程設(shè)備300的零組件(例如，基臺320、工作平臺325、側(cè) 壁330、側(cè)壁340、噴灑器350a、噴灑器350b、和/或噴嘴355a和噴嘴355b) 上，由化學(xué)品380和化學(xué)品385兩者的化學(xué)反應(yīng)所產(chǎn)生的硫酸銨溶液，也會 實(shí)質(zhì)地減少。另外，由于濕式制程是在由側(cè)壁330與上蓋365所實(shí)質(zhì)密封 的空間中進(jìn)行，因此已經(jīng)消除了在反應(yīng)槽310與由側(cè)壁330與上蓋365所 實(shí)質(zhì)密封的空間之間的空間產(chǎn)生硫酸銨的可能性。而消除或降低粘附在濕 式制程設(shè)備300的零組件上的硫酸銨溶液，則可藉由下述步驟來進(jìn)一步達(dá) 成。
為了能夠有效地移除噴灑在基材315以外的石克酸銨溶液以及化學(xué)品 385，可以起動排氣裝置370來移除硫酸銨溶液和/或霧狀、蒸氣和/或溶液 形式的化學(xué)品385 (如圖3D的箭頭387所示)?；瘜W(xué)品385和硫酸銨溶液是 藉由閥門373,并經(jīng)由管路377移除至排氣裝置370。由于噴灑在基材315 以外的硫酸銨溶液及化學(xué)品385也可有效率地降低，因此由化學(xué)品380和化 學(xué)品385化學(xué)反應(yīng)所產(chǎn)生的硫酸銨溶液也會實(shí)質(zhì)地減少。在噴灑完化學(xué)品 385之后，上蓋365和基臺320會停止旋轉(zhuǎn)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在化 學(xué)品385噴灑步驟之后，排氣裝置370也會停止運(yùn)轉(zhuǎn)。請參閱圖3E所示，上蓋365沿著箭頭所示的方向旋轉(zhuǎn)向上離開基臺 320。值得注意的是，假如上蓋365維持在如圖3D所示的位置，不會影響 基材315的后續(xù)制程時(shí)，則上蓋365旋轉(zhuǎn)向上是一可選擇的步驟。采用同一個(gè)噴灑器350b或其他噴灑器(圖中未示)，將化學(xué)品389噴灑 于基材315上。釆用其他噴灑器可以防止化學(xué)品385和化學(xué)品389交互作 用以致有產(chǎn)品產(chǎn)生?；瘜W(xué)品389包括，例如酸、堿、去離子水或上述的任意 組合。在采用卡羅制程(Caro， s Process)的實(shí)施例中，化學(xué)品389包括去 離子水?；瘜W(xué)品389是提供在基材315之上，用來移除粘黏在基材315上 的硫酸銨溶液和/或化學(xué)品385的殘留物。當(dāng)噴灑器350b在噴灑化學(xué)品389時(shí)，上蓋365和基臺320是沿著圖3E 所示的箭頭方向轉(zhuǎn)動?；_320的轉(zhuǎn)動可將化學(xué)品389有效地散布在基材 315的表面上，并/或使粘黏在基材315表面上的硫S交銨溶液和/或化學(xué)品 385的殘留物移除?；_320的旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)質(zhì)介于每分300鐘轉(zhuǎn)至每分鐘 1000轉(zhuǎn)之間。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，當(dāng)噴灑器350b在噴灑化學(xué)品389 時(shí)，排氣裝置370也會同時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)，可以有效地移除粘粘在基材315上的硫酸 銨溶液、化學(xué)品385和/或化學(xué)品389的殘留物。請參閱圖3F所示，是繪示以基臺320來旋干基材315。在此步驟中，基 臺320是沿著圖3F所示的箭頭方向，以實(shí)質(zhì)介于每分鐘300轉(zhuǎn)至每分鐘1000 轉(zhuǎn)之間的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以將殘留基材315上的化學(xué)品389甩出。在旋干 制程之中，上蓋365也同時(shí)旋轉(zhuǎn)，或停留在配合側(cè)壁330以實(shí)質(zhì)密封基臺 320的位置上。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，上蓋365的轉(zhuǎn)速是實(shí)質(zhì)介于每 分鐘300轉(zhuǎn)至每分鐘1000轉(zhuǎn)之間。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，當(dāng)基臺320 在旋轉(zhuǎn)時(shí)，排氣裝置370也會同時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)，以移除化學(xué)品389。假如化學(xué)品 389可以藉由圖3E所述的步驟，如預(yù)期地被甩干，則該旋干步驟可選擇性 地進(jìn)行。在旋干步驟之后，上蓋365向上離開基臺320。上蓋365和基臺320也 停止旋轉(zhuǎn)。同時(shí)排氣裝置370也停止運(yùn)轉(zhuǎn)。將基材315藉由，例如機(jī)械手臂 系統(tǒng)(圖中未示)經(jīng)由反應(yīng)槽310的開口 (圖中未示)移出至晶圓盒或下一個(gè)制程設(shè)備，以進(jìn)行后續(xù)制程。請參閱圖3G所示，在移除基材315之后，再一次驅(qū)動上蓋365靠近基臺 320并驅(qū)動噴嘴360噴灑霧狀、蒸氣和/或溶液形式的化學(xué)品391，以移除 粘附在由側(cè)壁330和上蓋365所定義的空間內(nèi)的零組件(例如，基臺320、工 作平臺325、側(cè)壁330、側(cè)壁340、噴灑器350a、噴灑器350b、和/或噴嘴 355a和噴嘴355b)上的化學(xué)品380、化學(xué)品383、化學(xué)品385、化學(xué)品389 和/或硫酸銨溶液?；瘜W(xué)品391包括酸、堿、去離子水或以上的任意組合。在噴灑化學(xué)品391之后，再驅(qū)動噴嘴360來干燥濕式制程設(shè)備300的 這些零組件。此步驟是采用氮?dú)饣蚨栊詺怏w(例如氦氣或氬氣)來干燥零組 件(例如，基臺320、工作平臺325、側(cè)壁330、側(cè)壁340、噴灑器350a、噴 灑器350b、和/或噴嘴355a和噴嘴355b)。在這個(gè)噴氣步驟以后，濕式制 程設(shè)備300已準(zhǔn)備好，可以進(jìn)行下一個(gè)基材的清洗制程。雖然圖2A和圖2B以及圖3A至圖3G所繪示的實(shí)施例，是包含有一個(gè) 由側(cè)壁230和側(cè)壁330及和側(cè)壁230和側(cè)壁330及其匹配的上蓋265和上 蓋365所形成的容器(Container),但是其他具有側(cè)邊和上蓋的容器，也可 以用來形成前述的制程空間。例如，上述的容器可以是一種單件式(One Piece)的容器，具有開^:式的底部，與反應(yīng)槽210和310的底部相連結(jié)，以 形成封閉的容器。而單件式的容器可以是，例如一種具有上部密閉底部開 口的空心圓柱體、 一種具有底部開口的空心立方體或一種具有鐘形罩 (Bell-jar)外型的槽體。單件式容器的使用，是在驅(qū)動上蓋265、 365的同 一制程時(shí)點(diǎn)，將整個(gè)容器移至與反應(yīng)槽210、 310的底部相匹配的位置。相 關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識的技術(shù)人員，應(yīng)當(dāng)能夠采用適合用來取代側(cè)壁 230、 330和上蓋265、 365的組合的其他形狀的容器及結(jié)構(gòu)來實(shí)施本發(fā)明。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實(shí) 施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以 上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方 案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種晶圓清洗設(shè)備，其特征在于其包括一槽體；一基臺，位于該槽體之中；至少一第一側(cè)壁，設(shè)置于該槽體之中，并圍繞該基臺；一上蓋，設(shè)置于該槽體之中，并位于該基臺之上，可操作用以在該基臺和該第一側(cè)壁之間，區(qū)隔出一第一空間；以及一排氣裝置，聯(lián)通位于該基臺和該第一側(cè)壁之間的該第一空間。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗設(shè)備，其特征在于其中所述的基臺 是可以旋轉(zhuǎn)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗設(shè)備，其特征在于其中所述的上蓋 是可旋轉(zhuǎn)，并可操作而將該基臺實(shí)質(zhì)密封于該第一側(cè)壁之中。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗設(shè)備，其特征在于其更包括至少一 第二側(cè)壁，設(shè)置于該第一側(cè)壁和該基臺之間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于其中所述的排氣 裝置聯(lián)通至位于該第一側(cè)壁與該第二側(cè)壁之間的一第二空間。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于其更包括至少一 噴灑器，設(shè)置于該槽體之中，用以噴灑至少一化學(xué)品。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗設(shè)備，其特征在于其更包括至少一 噴嘴，位于由該第一側(cè)壁和該上蓋所密封的一空間中，用來將至少一化學(xué)品 導(dǎo)入該空間。
8、 一種清洗晶圓的方法，其特征在于其包括以下步驟 實(shí)質(zhì)地將放置有一晶圓的一基臺置于一密閉容器中，其中該密閉容器位于一反應(yīng)槽之中；藉由一第一噴嘴將一第一化學(xué)品噴灑在該基材的一表面上；以及 藉由一第二噴嘴將一第二化學(xué)品噴灑在該基材的該表面上，則藉以避免在該第 一噴嘴和該第二噴嘴之中形成由該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品因化學(xué)反應(yīng)所生成的產(chǎn)物。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓清洗方法，其特征在于其中所述的第一 化學(xué)品包括次-琉酸/過氧化氪混合溶液。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓清洗方法，其特征在于其中所述的第二 化學(xué)品包括氨水/過氧化氫混合溶液。
11、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓清洗方法，其特征在于其中當(dāng)噴灑該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品至少之一者時(shí)，更包括旋轉(zhuǎn)該基臺。
12、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓清洗方法，其特征在于其中當(dāng)噴灑該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品至少之一者時(shí)，更包括以一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)該上蓋，其中 該轉(zhuǎn)速夠快可使該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品偏離該上蓋。
13、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓清洗方法，其特征在于其更包括噴灑去 離子水及氮?dú)庵猎撋仙w、該基臺及側(cè)壁至少其一者上。
14、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓清洗方法，其特征在于其更包括噴灑去 離子水至該基材上。
15、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓清洗方法，其特征在于其中當(dāng)噴灑該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品至少之一者時(shí)，更包括以一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)該上蓋，其中 該轉(zhuǎn)速夠快可使該第一化學(xué)品和該第二化學(xué)品偏離該上蓋；以及當(dāng)噴灑該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品的步驟在進(jìn)行時(shí)，更包括將該第 一化學(xué)品和該第二化學(xué)品排出該反應(yīng)槽。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)一種晶圓清洗設(shè)備及其方法。該清洗設(shè)備包括槽體、基臺、至少一第一側(cè)壁、上蓋及排氣裝置?；_位于槽體之中；第一側(cè)壁設(shè)于槽體中，并圍繞基臺；上蓋設(shè)于槽體中，并位于基臺上，可操作用以在基臺和第一側(cè)壁間區(qū)隔出第一空間；排氣裝置聯(lián)通位于基臺和第一側(cè)壁間第一空間。該清洗晶圓方法包括將放有晶圓的基臺置于密閉容器中，密閉容器位于反應(yīng)槽中；藉第一噴嘴將第一化學(xué)品噴灑在基材表面；及藉由第二噴嘴將第二化學(xué)品噴灑在基材表面，以避免在第一、第二噴嘴中形成由第一、第二化學(xué)品因化學(xué)反應(yīng)所生成的產(chǎn)物。本發(fā)明在清洗槽與清洗臺間設(shè)有密閉空間，可防止晶圓清洗制程中液態(tài)硫酸銨殘留結(jié)晶，而造成晶圓上集成電路短路或產(chǎn)生開口，非常適于實(shí)用。
文檔編號H01L21/67GK101131925SQ20071008829
公開日2008年2月27日 申請日期2007年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月25日
發(fā)明者江明晁, 魏正泉, 黃琮民 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司