專利名稱：一種peteos沉積設(shè)備清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其涉及一種PETEOS沉積設(shè)備清洗方法。
背景技術(shù)：
等離子體增強正硅酸乙脂(PETEOS)沉積設(shè)備的作用就是用化學(xué)反應(yīng)的方法，在 晶片表面沉積薄膜，該設(shè)備采用單片式作業(yè)方式，即在設(shè)備的腔體內(nèi)工藝完一片晶片后，手 臂需要將已工藝好的晶片傳出腔體，然后進行腔體的清洗。清洗腔體的目的主要是為了將PETEOS沉積過程中沉積在腔體壁和備件表面的膜 去掉，防止長時間工藝后膜層剝落，產(chǎn)生大量顆粒，導(dǎo)致下一片晶片在工藝過程中會有顆粒 生長在PETEOS膜層里，影響膜層的致密性和產(chǎn)品的可靠性。目前設(shè)備的清洗工序一般包括近距離清洗前通入氣體穩(wěn)定步驟、對各腔體進行 近距離清洗操作[也叫局部清洗操作，即圓片基座與showerheacK反應(yīng)腔內(nèi)使工藝氣體均 勻流出的備件)間距為500mils的情況下的清洗操作]、對各腔體進行遠距離清洗(也叫全 部清洗操作，即圓片基座與showerhead之間間距為999mils的情況下的清洗操作)前通入 氣體穩(wěn)定步驟以及對各腔體進行遠距離清洗的步驟、抽空各腔體內(nèi)氣體的步驟等。但是目前設(shè)備的清洗工序中存在清洗氣體用量較大，工藝時間較長，一般在近距 離清洗中C2F6氣體流量達到700scc，&氣體流量達到750scc，反應(yīng)時間為3 左右，使得設(shè) 備備件損耗過快，往往在工藝了一定數(shù)量的晶片之后，就需要更換新的備件，導(dǎo)致設(shè)備清洗 和設(shè)備使用成本較高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種PETEOS沉積設(shè)備清洗方法，用以解決現(xiàn)有清洗工序中 清洗氣體用量較大導(dǎo)致的設(shè)備備件損耗過快的問題。本發(fā)明實施例提供的一種PETEOS沉積設(shè)備清洗方法，包括向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入C2F6和仏作為清洗氣體，施加射頻交流電， 對各反應(yīng)腔依次進行近距離清洗和遠距離清洗，通入的C2F6氣體流量為380 420scc ；O2 的氣體流量為475 52kcc ；清洗完成后抽空各反應(yīng)腔內(nèi)的氣體。本發(fā)明實施例的有益效果如下本發(fā)明實施例提供的PETEOS沉積設(shè)備清洗方法，向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔 中通入C2F6和A作為清洗氣體，施加射頻交流電，對各反應(yīng)腔依次進行近距離清洗和遠距 離清洗，通入的C2F6氣體流量為380 420SCC ；O2的氣體流量為475 52kcc ；清洗完成 后抽空各反應(yīng)腔內(nèi)的氣體。該清洗方法，能夠保證PETEOS設(shè)備的清洗質(zhì)量，并且由于減少 了工藝氣體的耗費量，降低了成本，同時工藝氣體耗費量的減少使得反應(yīng)腔內(nèi)備件耗損速 度減緩，提高了設(shè)備的使用率。


圖1為本發(fā)明實施例提供的PETEOS沉積設(shè)備清洗方法的流程圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明提供的一種PETEOS沉積設(shè)備清洗方法進行詳細的說明。本發(fā)明實施例提供的PETEOS沉積設(shè)備清洗方法，與現(xiàn)有PETEOS沉積設(shè)備清洗步 驟大致相同，不同之處在于清洗過程中氣體用量大小和反應(yīng)時間等工藝參數(shù)，具體清洗工 藝過程如下S101、向PETEOS沉積設(shè)備中各反應(yīng)腔內(nèi)持續(xù)通入C2F6和仏直至各反應(yīng)腔內(nèi)氣體 達到穩(wěn)定的狀態(tài)；本步驟SlOl中，通入C2F6氣體流量為380 420scc，也就是400scc上下浮動5% ； O2的氣體流量為475 52kcc，也就是400scc上下浮動5% ；本步驟SlOl是為下一步近距離清洗進行準(zhǔn)備的步驟，在本步驟中，反應(yīng)腔中的氣 壓穩(wěn)定在9. 5T ；通入氣體的時間為k。S102、向PETEOS沉積設(shè)備中各反應(yīng)腔內(nèi)持續(xù)通入C2F6和仏作為清洗氣體，施加射 頻交流電，對各反應(yīng)腔進行近距離清洗；近距離清洗時，圓片基座與showerhead之間的間距為500mils。本步驟S102中，通入C2F6氣體流量為380 420scc ；O2的氣體流量為475 525scc ；對反應(yīng)腔施加的射頻交流電的功率為600W，C2F6氣體和&在射頻交流電形成的高 頻電場中，生成等離子體，與反應(yīng)腔的腔體壁和備件表面沉積的S^2膜層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，達 到清洗反應(yīng)腔的目的。近距離清洗過程中，反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓保持為9. 5T。近距離清洗過程反應(yīng)時間為25士&。S103、在近距離清洗步驟之后，繼續(xù)向PETEOS沉積設(shè)備中各反應(yīng)腔內(nèi)持續(xù)通入 C2F6和A直至各反應(yīng)腔內(nèi)氣體達到穩(wěn)定的狀態(tài)；本步驟S103是為下一個步驟即對各反應(yīng)腔進行遠距離清洗作準(zhǔn)備，在本步驟 S103中，圓片的基座下移，達到與showerhead之間的間距為999mils，為遠距離清洗做準(zhǔn)備。通入的C2F6氣體流量為380 420scc ；O2的氣體流量為475 52kcc，氣體通入 的時間為k。S104、向PETEOS沉積設(shè)備中各反應(yīng)腔內(nèi)持續(xù)通入C2F6和02，施加射頻交流電，對各 反應(yīng)腔進行遠距離清洗；本步驟S104中，通入的C2F6氣體流量為380 420scc ；O2的氣體流量為475 525scc，遠距離清洗的范圍較近距離清洗的范圍大，因此清洗時間稍長，清洗時間為 ；35士 10s，反應(yīng)腔內(nèi)氣壓為1.6T。對反應(yīng)腔施加的射頻交流電的功率為700W，也比近距離清洗時的功率值稍大。S105、清洗完成后，抽空各反應(yīng)腔內(nèi)的氣體，使反應(yīng)腔內(nèi)達到真空狀態(tài)。本發(fā)明實施例提供的PETEOS沉積設(shè)備清洗方法，還可以包括下述步驟
S106、向各腔體中通入&和TEOS氣體，施加射頻交流電，在各反應(yīng)腔的備件上沉 積保護膜；通入&氣體流量約為IOOOscc ；TEOS的氣體流量約為500scc，反應(yīng)時間為15s ；反 應(yīng)腔內(nèi)氣壓為8. 2T。對反應(yīng)腔施加的射頻交流電的功率為500W。各反應(yīng)腔的備件主要是指圓片基座，最終沉積保護膜的厚度約為50A。S107、將反應(yīng)腔內(nèi)抽真空。下表1中所列的是現(xiàn)有PETEOS設(shè)備清洗的各步驟中常用的工藝時間和工藝氣體 流量大小。表 權(quán)利要求
1.一種PETEOS沉積設(shè)備清洗方法，其特征在于，包括向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入C2F6和&作為清洗氣體，施加射頻交流電，對各 反應(yīng)腔依次進行近距離清洗操作和遠距離清洗操作，通入的C2F6氣體流量為380 420scc ； O2的氣體流量為475 525scc ；清洗完成后抽空各反應(yīng)腔內(nèi)的氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入 C2F6和A進行近距離清洗操作之前，還包括向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入C2F6和A直至穩(wěn)定的步驟；該步驟中，通入的 C2F6氣體流量為380 420scc ；O2的氣體流量為475 52kcc，氣體通入的時間為k。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入 C2F6和A進行遠距離清洗操作之前，還包括向PETEOS沉積設(shè)備的所有腔體中通入C2F6和A直至穩(wěn)定的步驟；該步驟中，C2F6的 氣體流量為380 420scc ；O2的氣體流量為475 52kcc ；氣體通入的時間為k。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對各反應(yīng)腔進行近距離清洗的時間為 ^±5s。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對各反應(yīng)腔進行近距離清洗時施加的射頻 交流電功率為600W。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對各反應(yīng)腔進行遠距離清洗的時間為 35士10s。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對各反應(yīng)腔進行遠距離清洗時施加的射頻 交流電功率為700W。
8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，還包括向各腔體中通入OJPTEOS 氣體，施加射頻交流電，在各反應(yīng)腔的備件表面上沉積保護膜；抽空各反應(yīng)腔內(nèi)的氣體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種PETEOS沉積設(shè)備清洗方法，包括向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入C2F6和O2作為清洗氣體，施加射頻交流電，對各反應(yīng)腔依次進行近距離清洗和遠距離清洗，通入的C2F6氣體流量為380～420scc；O2的氣體流量為475～525scc；清洗完成后抽空各反應(yīng)腔內(nèi)的氣體。本發(fā)明提供的PETEOS沉積設(shè)備清洗方法在保證PETEOS設(shè)備的清洗質(zhì)量的前提下，減少了工藝氣體耗費量，降低了成本，還使得反應(yīng)腔內(nèi)備件耗損速度減緩，提高了設(shè)備正常的生產(chǎn)時間。
文檔編號H01L21/00GK102110583SQ200910243500
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月24日
發(fā)明者周華強, 崔曉娟, 彭亮, 徐鋒, 熊炳輝 申請人:北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司