專利名稱：清洗半導(dǎo)體器件的方法及其清洗半導(dǎo)體器件的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明從總體上說涉及半導(dǎo)體器件生產(chǎn)，而更具體地說涉及一種用于清除諸如有機(jī)殘余物、無機(jī)殘余物和其他殘余物之類的有害物的清洗技術(shù)，尤其適用于從半導(dǎo)體基片的表面清除這些有害物。
半導(dǎo)體晶片的尺寸近來已從6英寸達(dá)到了8英寸，且現(xiàn)已達(dá)12英寸，這就導(dǎo)致了包括清洗具有這樣大直徑半導(dǎo)體晶片在內(nèi)的清洗費(fèi)用的增加。由于半導(dǎo)體器件的大小已減小到亞微米級，故必須進(jìn)行清洗處理，以致在半導(dǎo)體基片上既無殘余物也不留有微粒。
圖8展示了傳統(tǒng)的半導(dǎo)體基片的清洗設(shè)備。在圖8中，展示一個第一清洗槽14a和一個第二清洗槽14b，它們中的每一個可包含一個取決于所用清洗劑類型的加熱器。15a是一個第一水洗槽。15b是一個第二水洗槽。放在第一水洗槽15a和第二水洗槽15b里的僅僅是純水。第一清洗槽14a和第一水洗槽15a是成對設(shè)置的。第二清洗槽14b和第二水洗槽15b是成對設(shè)置的。多個這樣的槽以它們使用次序依次布置。16是一個諸如旋轉(zhuǎn)干燥機(jī)的干燥裝置。17是一個裝載機(jī)，18是一個卸載機(jī)。
現(xiàn)闡述基于上述半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備的一種清洗技術(shù)。
第一清洗槽14a盛有一種具有硫酸∶雙氧水比例為5∶1的第一清洗劑。第一清洗劑的溫度約為130℃。另一方面，第二清洗槽14b盛有一種具有氨水∶雙氧水∶水比例與1∶1∶5的第二清洗劑。第二清洗劑的溫度約為70℃。
將一半導(dǎo)體基片承載器移入第一清洗槽14a。在第一清洗槽14a中，清洗由承載器所載的半導(dǎo)體基片，以便用第一清洗劑從半導(dǎo)體基片上清除有害物(如殘余光刻膠)。然后，將承載器移入第一水洗槽15a，以便除去第一清洗劑。
其次，將承載器移入第二清洗槽14b，在那里，用第二清洗劑清除半導(dǎo)體基片表面的微粒。其后，將承載器移入第二水洗槽15b，以便除去第二清洗劑。再后，用干燥裝置16將半導(dǎo)體基片進(jìn)行干燥處理。將干燥的半導(dǎo)體基片傳送到卸載機(jī)18。上述的輸送是通過一個具有一個夾裝機(jī)構(gòu)的輸送機(jī)器人實(shí)現(xiàn)的。
如上所述，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的清洗方法包括4個步驟使用第一清洗劑清除有機(jī)和無機(jī)殘余物的第一清洗步驟;第一水洗步驟;使用第二清洗劑清除包括微粒在內(nèi)的其他殘余物的第二清洗步驟;以及第二水洗步驟。這就意味著至少需要兩對清洗槽和兩對水洗槽。需要更大的安裝空間。生產(chǎn)能力降低。
由于SiO2層刻蝕產(chǎn)生的C-F系殘余物和由于硅刻蝕產(chǎn)生的Si-Br系殘余物的分解/清除不能通過硫酸和雙氧水清洗劑來實(shí)現(xiàn)，必須使用一種合適的可浸蝕半導(dǎo)體基片表面的溶液，以便以搬走(lft-off)的方式清除這樣的殘余物。
以No.4-234188公開的日本專利揭示了一種半導(dǎo)體基片清洗技術(shù)。該技術(shù)中，清除有害物(即，有機(jī)殘余物，無機(jī)殘余物，刻蝕殘余物和微粒)是在單一的清洗槽中實(shí)現(xiàn)的。這清洗槽盛有強(qiáng)酸、氧化劑和氫氟酸清洗劑。
發(fā)明人所做的試驗(yàn)顯示，上述清洗技術(shù)產(chǎn)生問題，即這種清洗劑經(jīng)過一段時間后會退化，因此，該清洗狀態(tài)是不穩(wěn)定的。
本發(fā)明的目的正是提供一種改進(jìn)的半導(dǎo)體器件的清洗方法，該方法使清洗劑避免了隨時間而退化。
按照本發(fā)明，含氟的氟硫酸(HSO3F)或SO2F2化合物用來代替所用的氫氟酸，其在清洗劑氟的量減少時由水解作用產(chǎn)生氟。
更具體地說，本發(fā)明揭示了一種清洗半導(dǎo)體器件的方法，其中清洗劑用于清洗半導(dǎo)體基片的表面。該清洗劑的組成如下(a)一種強(qiáng)酸和一種氧化劑，以便清除半導(dǎo)體基片表面的有機(jī)和無機(jī)殘余物，(b)一種能產(chǎn)生氟的HSO3F或SO2F2含氟化合物，以便以通過輕微地浸蝕半導(dǎo)體基片表面的方式，清除半導(dǎo)體基片表面的其他殘余物和微粒，和(c)水。
根據(jù)該清洗方法，由強(qiáng)酸和氧化劑清除有機(jī)和無機(jī)殘余物，以及通過由HSO3F或SO2F2產(chǎn)生的氟離子非常輕微地浸蝕方式清除掉表面的刻蝕殘余物和微粒。
對于使用HSO3F作為含氟化合物的情況來說，如果由于蒸發(fā)使氟離子的量減少，那么就發(fā)生表達(dá)式為HSO3F+H2O→H2SO4+HF的反應(yīng)，由此產(chǎn)生氫氟酸和氟離子。如果由于清洗劑水的蒸發(fā)導(dǎo)致氟離子濃度增加，那么就發(fā)生表達(dá)式為HSO3F+H2O←H2SO4+HF的反應(yīng)，由此減少氟離子的量。
因此，清洗劑的氟離子量保持在一個近于恒定的值。與含有氫氟酸的清洗劑相比，浸蝕速度是穩(wěn)定的。因此，能以穩(wěn)定的方式清除殘余物和微粒。
如果使用SO2F2作為含氟化合物，那么就會發(fā)生表達(dá)式為SO2F2+OH-→HSO3F+F-的反應(yīng)，由此產(chǎn)生氟和氟硫酸(HSO3F)。強(qiáng)酸和氧化物的液態(tài)混合物顯示酸性，以致于OH-離子濃度是低的。上述反應(yīng)未必發(fā)生。與使用HSO3F清洗劑相比，浸蝕速度穩(wěn)定。
對于上述清洗劑來說，最好以這樣的量來保持含氟化合物，即半導(dǎo)體基片的表面以0.5-2nm/min的速度來浸蝕。
由此，成功地將半導(dǎo)體基片表面的殘余物清除。
最好上述的強(qiáng)酸為硫酸，上述的氧化劑為雙氧水(hydrogenperoxideinwater)。
最好上述清洗劑具有的溫度在80℃至130℃之間。如果清洗劑的溫度超過80℃，就能成功地清除殘余物;如果低于130℃，那么就能避免氟離子蒸發(fā)，這就有利于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的浸蝕速度。
上述清洗劑最好具有0.005-0.05%量的氟硫酸作為含氟化合物。以此確保浸蝕以0.5-2nm/min的浸蝕速度進(jìn)行。這樣設(shè)置的結(jié)果是，在清洗處理時，可對表面無損傷地將殘余物和微粒清除掉。
上述清洗劑最好保持足夠的水以避免氟離子蒸發(fā)。由此，浸蝕速度穩(wěn)定，并且能成功地將殘余物和微粒清除。
本發(fā)明公開了清洗半導(dǎo)體器件的設(shè)備。該半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備包括(a)一個容納半導(dǎo)體基片的清洗槽，(b)一個用于向清洗槽饋送強(qiáng)酸和氧化劑以便從半導(dǎo)體基片表面清除有機(jī)和無機(jī)殘余物的氧化劑饋料裝置，和(c)一個用于向清洗槽饋送HSO3F或SO2F2以便產(chǎn)生氟的含氟化合物的含氟化合物饋料裝置。
上述半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備最好進(jìn)一步包括(a)一個檢測清洗槽中氟濃度的檢測器，(c)一個控制含氟化合物饋料裝置的控制器，用以控制從含氟化合物饋料裝置饋入的含氟化合物的量，以便在清洗槽中保持氟的濃度為一恒量。
此設(shè)備的結(jié)果使浸饋速度穩(wěn)定，并能以穩(wěn)定方式清除殘余物和微粒。
上述半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備也可用另一種控制含氟化合物饋料裝置的控制器來代替上述的檢測器和控制器，以此使含氟化合物饋料裝置周期地嚴(yán)格按預(yù)定量饋送含氟化合物。
這樣設(shè)置的結(jié)果是，氟濃度保持在近于恒量，浸蝕速度穩(wěn)定，可以穩(wěn)定的方式將殘余物和微粒清除。


圖1展示了依照本發(fā)明的第一種半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備;
圖2展示了依照本發(fā)明的第二種半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備;
圖3將通過向硫酸和雙氧水混合液中加氫氟酸時二氧化硅(SiO2)浸蝕速度隨時間變化與通過向相同的混合液中加HSO3F時SiO2浸饋速度隨時間變化相對比的情況;
圖4展示了氟硫酸濃度、氫氟酸濃度與SiO2浸饋速度的關(guān)系曲線;
圖5展示了清洗液溫度與SiO2浸饋速度的關(guān)系曲線;
圖6a、6b和6c展示了具有MOS電容器的半導(dǎo)體器件氧化層擊穿區(qū)，圖6a展示依照本發(fā)明清洗劑的擊穿區(qū)，圖6b展示使用傳統(tǒng)清洗劑的擊穿區(qū)，圖6c展示了使用另一種傳統(tǒng)清洗劑的擊穿區(qū);
圖7a和圖7b分別展示了殘余物清除情況，圖7a描繪了用強(qiáng)酸和雙氧水清洗劑清洗了的半導(dǎo)體基片表面，而圖7b描繪了用依照本發(fā)明清洗劑清洗過的半導(dǎo)體基片表面。
圖8粗略地展示了傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備。
現(xiàn)參照附圖描述本發(fā)明第一個最佳實(shí)施方案。
圖1展示了依照本發(fā)明的清洗半導(dǎo)體器件的設(shè)備。
圖1展示了一裝載半導(dǎo)體基片S的承載器1和一盛清洗劑的聚四氟乙烯Teflon(注冊商標(biāo))清洗槽2。在清洗槽2中，清洗半導(dǎo)體基片S。一外槽3是這樣設(shè)置的，它能盛收來自清洗槽2溢出的液體，以便使被盛的清洗劑循環(huán)。圖1還展示了一導(dǎo)入諸如硫酸的強(qiáng)酸饋料管4，一導(dǎo)入諸如雙氧水氧化劑的氧化劑饋料管5和一使從清洗槽2流入外槽3的溢流物回到清洗槽2中的清洗劑循環(huán)管6。清洗劑循環(huán)管6設(shè)有一個迫使清洗劑流向下一地方的泵7，一加熱清洗劑的加熱器8和一過濾清洗劑的過濾器9。圖1又展示了一個用于饋送HSO3F到外槽3中的氟硫酸饋料器10，一附設(shè)在清洗劑循環(huán)管6的旁路通道6a上的氟濃度檢測器11，和一根據(jù)氟濃度檢測器11的輸出信號用于控制氟硫酸饋料器10的流體通道開關(guān)閥門10a的控制器12A。
圖2展示了依照本發(fā)明的第二種半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備。相同的標(biāo)號用作表示相同的元件。
作為替代第一種半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備中的所用的氟濃度檢測器11和控制器12A，第二種半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備使用控制流體通道開關(guān)閥10a的控制器12B，靠那個流體通道開關(guān)閥10a周期性地開通某一段時間。
在第一種和第二種半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備中，提供了單一的清洗槽2?？紤]到生產(chǎn)量也可設(shè)置多個清洗槽。
清洗槽2優(yōu)選使用的材料是聚四氟乙烯Teflon(注冊商標(biāo))。為了充分地控制清洗劑的濃度和浸蝕速度，也可使用其他材料(例如，石英以及通過將含有礬土和氮化硼的陶瓷材料進(jìn)行燒結(jié)處理并用teflon涂覆表面得到的材料)。
現(xiàn)通過第二種半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備描述一種半導(dǎo)體器件清洗技術(shù)。
首先，通過強(qiáng)酸饋料管4和氧化劑饋料管5將給定量的諸如硫酸的強(qiáng)酸和給定量的諸如雙氧水的氧化劑加入清洗槽2，借此讓清洗槽2溢流。從清洗槽2溢出的液體由外槽3盛著。使用濃度為30%的雙氧水。其次，氟硫酸饋料器10向外槽3加入給定量的HSO3F。這HSO3F和從清洗槽2溢出的流體在外槽3中相互混合。該混合清洗劑用清洗劑循環(huán)管6的加熱器8加熱到，比如說，100℃，然后由泵7使其通過過濾器9向前移至清洗槽2。
接著，一輸送機(jī)器人(沒有畫出)將載有半導(dǎo)體基片S的承載器1輸送到清洗槽2中，在該槽中對半導(dǎo)體基片S進(jìn)行清洗。
一旦清洗完半導(dǎo)體基片S，輸送機(jī)器人就將承載器1輸送到水洗槽(未畫出)中，在該槽中，可將半導(dǎo)體基片S進(jìn)行QDR沖洗，為的是沖洗掉半導(dǎo)體基片S的表面上粘附著的清洗劑。其后，用諸如旋轉(zhuǎn)干燥和(未畫出)干燥半導(dǎo)體基片S。
可通過將0.005-0.05%氟硫酸(HSO3F)加入到具有硫酸與雙氧水之比為5比1的混合物中制備成優(yōu)選的清洗劑。
這樣設(shè)置的結(jié)果是，硫酸-雙氧水混合液可將有機(jī)和無機(jī)殘余物從半導(dǎo)體基片S上清除。氟離子由下列反應(yīng)產(chǎn)生
這樣產(chǎn)生的氟離子可將微粒從半導(dǎo)體基片S的表面清除掉。象硫酸一樣，HSO3F是一種強(qiáng)酸，從而有利于清除有機(jī)殘余物。
如化學(xué)方程式(1)所表示的，保持一平衡狀態(tài)。因此，如果氟離子蒸發(fā)，那么上述反應(yīng)則會向右進(jìn)行，導(dǎo)致自動生成氫氟酸和氟離子。如果由于水的蒸發(fā)使得氟離子濃度增加，那末反應(yīng)就向左進(jìn)行。因此，生成FSO3H而氟的量減少，從而降低氟離子的濃度。這樣，氟離子量接近保持恒值，并且有可能實(shí)現(xiàn)二氧化硅層穩(wěn)定地浸蝕。在半導(dǎo)體基片表面上既沒有殘余物也沒有微粒。
圖3為一曲線圖，展示了使用通過將1%氫氟酸加入具有硫酸與雙氧水之比為5比1的混合液中形成的溶液時SiO2浸饋速度隨時間變化與使用通過將0.7%氟硫酸加入同樣混合液中形成的另一種溶液時SiO2浸蝕速度隨時間變化的關(guān)系曲線。兩種清洗劑的溫度都約為100℃。正確的浸蝕速度比較不能在0時間消逝點(diǎn)進(jìn)行，因?yàn)檫@兩種不同溶液中的一種含有1%氫氟酸而另一種含0.7%氟硫酸。與使用具有1%氫氟酸溶液時的浸饋速度相比較，使用具有0.7%氟硫酸溶液時的浸蝕速度隨時間的變化沒有很大改變。(參見圖3)圖4展示了氟硫酸濃度，氫氟酸濃度與SiO2浸饋速度的關(guān)系曲線。清洗劑溫度約為100℃。
為了從半導(dǎo)體基片表面清除殘余物和微粒，最好將半導(dǎo)體基片表面浸蝕掉幾個毫微米(nm)。通常，清洗過程要化5至10分鐘。優(yōu)選的是浸蝕速度落在0.5-2nm/min范圍內(nèi)。為了達(dá)到這樣的浸蝕速度，氟硫酸濃度應(yīng)在0.005-0.05%濃度范圍內(nèi)。
圖5展示了清洗劑的溫度與浸蝕速度的關(guān)系曲線。最好清洗劑的溫度在80℃至130℃之間。其原因如下，如果清洗劑的溫度低于80℃，那么這將導(dǎo)致清掉光致抗蝕劑的能力以及分解有機(jī)物的能力下降，則造成生產(chǎn)率的嚴(yán)重下降。如果清洗劑的溫度超過130℃，這會增加氟離子的蒸發(fā)以致于幾乎不產(chǎn)生氟離子浸蝕作用。當(dāng)清洗劑的溫度在80℃至100℃之間時，氟離子蒸發(fā)受到抑制，而且由于化學(xué)式(1)表示的反應(yīng)可提供氫氟酸和氟離子。浸蝕速度變得非常穩(wěn)定。
現(xiàn)考慮所包括的水的量。
使用通過將0.7%氟硫酸加入具有89%濃度的硫酸中形成的清洗劑時的SiO2浸饋速度隨時間變化會大于使用通過將0.7%氟硫酸加入硫酸和雙氧水混合物中形成的另一種清洗劑時的浸蝕速度隨時間變化。換句話說，前一種清洗劑具有的穩(wěn)定性差。
對通過將7.5%氟硫酸加入硫酸和雙氧水混合液中形成的清洗劑進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)表明，與上述具有0.7%含量氟硫酸清洗劑相比較，這種清洗劑情況下的浸饋速度隨時間變化大。當(dāng)存在足夠的水以便使氫與清洗劑中的水相結(jié)合時，氟離子穩(wěn)定地浸饋SiO2。在有大量的具有強(qiáng)吸潮力的濃硫酸或氟硫酸的清洗劑中，水被濃硫酸所吸收。因此，不發(fā)生由氟離子引起的浸蝕。與水結(jié)合得到氫氟酸的氟化氫是一種沸點(diǎn)為20℃的氣體，那么，在100℃時它只能以水溶液的形式存在。當(dāng)不存在很多水的時候，浸蝕速度隨時間變化波動很大。
圖6a、6b和6c展示了具有MOS電容器的半導(dǎo)體器件的氧化層擊穿區(qū)，它們中每一個都包括一LOCOPS絕緣層，一多晶硅電極和一厚度約為11nm的柵氧化層。在形成柵氧化層前要進(jìn)行清洗處理。圖6a、6b、6c分別顯示了(A)本發(fā)明實(shí)施方案的清洗劑，(B)包括氫氧化氨和雙氧水的清洗劑和(C)包括硫酸和雙氧水清洗劑的性能。如從這些圖中可見，本發(fā)明清洗劑(A)在成品率方面與清洗劑(B)相同，而優(yōu)于清洗劑(C)?？傊?，該清洗劑具有與清洗劑(B)一樣的清除微粒的能力。
圖7a和7b通過抗蝕圖以橫截面形式展示了在多晶硅已被干蝕后殘余物清除情況，圖7a描述了已用含硫酸和雙氧水的清洗劑清洗過的半導(dǎo)體基片表面，而圖7b描述了已用本發(fā)明清洗劑清洗過的半導(dǎo)體基片表面。如圖7a所示，用先前一種清洗劑清洗的半導(dǎo)體基片表面還帶有浸蝕殘余物。相反地，如圖7b所地，用按照本發(fā)明的清洗劑清洗的半導(dǎo)體基片表面現(xiàn)已不帶有浸蝕殘余物了。
現(xiàn)描述在圖1中所示的氟濃度檢測器11和控制器12A。
氟濃度檢測器11測量紅外線吸收，例如，由于H-F結(jié)合或UV吸收，以致于能夠檢測流經(jīng)清洗劑循環(huán)管6的清洗劑中氟的濃度，從而向控制器12A發(fā)送氟濃度信號。如果氟濃度低于預(yù)定的值，該控制器12A嚴(yán)格按一段給定的時間打開氟硫酸饋料裝置10的通道開關(guān)閥門10a。這樣，清洗劑中氟濃度保持幾乎不變。
現(xiàn)闡述圖2的控制器12B。如上文所述可見氟濃度隨時間而下降的速率。該控制器12B則控制氟硫酸饋料裝置10的通道開關(guān)閥門10a，造成嚴(yán)格按一段給定的時間周期性地打開閥門10a。作為選擇，為了由氟硫酸饋料裝置以特定的時間間隔投料，可由計(jì)量泵提供氟硫酸(HSO3F)。通過參考下面方程詳細(xì)描述這種控制技術(shù)v＝VC｛1-exp(-Aexp〔-Ea/RT〕×t｝/(Ci-C)(2)其中，T是處理溫度，t是經(jīng)過的時間，v是所加HSO3F的量，V是清洗劑的總重量，Ci是HSO3F原始濃度，A是常數(shù)，C是在清洗劑中HSO3F的量，R是氣體常數(shù)，而Ea是活化能。
本實(shí)施例測試表明，浸蝕速度變化(即氟濃度隨時間的變化)與一線性方程相近似?；罨蹺a被認(rèn)為是30.7KJ/mol。如果常數(shù)A是從實(shí)際執(zhí)行清洗過程的清洗設(shè)備導(dǎo)出，那么要加的HSO3F的量就能被知道。例如，在HSO3F的濃度設(shè)定為0.01%濃度的情況下，以每1小時加入HSO3F，則以C＝0.01和t＝60代入上述的方程。借助于以每1小時提供一次時間信號的計(jì)時裝置，嚴(yán)格按一預(yù)算的量加入HSO3F。為了在特定的時間間隔另外添加給定量的HSO3F也可使用微機(jī)。
上述的近似方程消除設(shè)有氟硫酸濃度檢測器11的需要，由此，保持低成本的清洗作用。
取代使用HSO3F，也可將SO2F2加入硫酸和雙氧水混合液中。在這種情況下，SO2F2與混合液中的OH-反應(yīng)生成氟和HSO3F，其表達(dá)如下。
這樣一種混合液顯示酸性，以致于OH-離子濃度是低的。上述的反應(yīng)是不大可能發(fā)生的。與將HSO3F加入硫酸-雙氧水混合液時的清洗劑相比，浸蝕速度變得穩(wěn)定了。
權(quán)利要求
1.一種清洗半導(dǎo)體器件的方法，其中，清洗劑用于清洗半導(dǎo)體基片的表面，所述的清洗劑具有的成份為(a)一種強(qiáng)酸和一種氧化劑，其將有機(jī)和無機(jī)殘余物從所述半導(dǎo)體基片的所述表面清除掉，(b)一種HSO3F或SO2F2的含氟化合物，其產(chǎn)生的氟以輕微浸蝕所述半導(dǎo)體基片的所述表面的方式將其他殘余物和微粒從所述半導(dǎo)體基片的所述表面清除掉，以及(c)水。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件清洗方法，其中，所述清洗劑含所述的含氟化合物，其含量使得所述半導(dǎo)體基片的所述表面以0.5-2nm/min的浸蝕速度被浸蝕。
3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件清洗方法，其中，所述強(qiáng)酸為硫酸。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件清洗方法，其中，所述的氧化劑為雙氧水。
5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件清洗方法，其中，所述清洗劑的溫度在80℃至130℃之間。
6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件清洗方法，其中，所述清洗劑含有0.005-0.05%量的氟硫酸(HSO3F)作為所述的含氟化合物。
7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件清洗方法，其中，所述清洗劑含有足夠的水，以便避免所述清洗劑的氟離子蒸發(fā)。
8.一種清洗半導(dǎo)體器件的設(shè)備，包括(a)一個用于容納半導(dǎo)體基片的清洗槽，(b)一個用于向所述清洗槽加入一種強(qiáng)酸和一種氧化劑以便從所述半導(dǎo)體基片的表面清除有機(jī)和無機(jī)殘余物的氧化劑饋料裝置，(c)一個用于向所述清洗槽加入一種HSO3F或SO2F2的含氟化合物以便產(chǎn)生氟的含氟化合物饋料裝置。
9.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備，還包括(a)一個用于檢測在所述清洗槽中所存在的氟的濃度的檢測器，(c)一個用于控制所述含氟化合物饋料裝置的控制器，以這樣的方式控制從所述含氟化合物饋料裝置饋送的所述含氟化合物的量，以便在所述清洗槽中保持氟的濃度為恒值。
10.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件清洗設(shè)備，還包括一個用于控制所述含氟化合物饋料裝置的控制器，以這樣的方式控制，即所述的含氟化合物饋料裝置周期性地以一預(yù)定的量饋送所述的含氟化合物。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種用于清洗半導(dǎo)體器件表面的清洗劑。該清洗劑包含這些成分一種為清除有機(jī)和無機(jī)殘余物的硫酸和雙氧水混合液；用于產(chǎn)生氟的氟硫酸，氟用作清除其他殘余物和微料的浸蝕劑；以及水。
文檔編號H01L21/00GK1096400SQ9410334
公開日1994年12月14日 申請日期1994年3月23日 優(yōu)先權(quán)日1993年3月23日
發(fā)明者大西照人, 矢野航作, 野村登, 遠(yuǎn)藤政孝 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社