專利名稱：：一種制備晶體管t型納米柵的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種制備高電子遷移率晶體管T型納米柵的方法。
背景技術(shù)：
：柵的制備是高電子遷移率晶體管(HEMT)器件制作工藝中最關(guān)鍵的工藝。由于柵長(zhǎng)大小直接決定了HEMT器件的頻率、噪聲等特性，柵長(zhǎng)越小，器件的電流截止頻率(/7.)和功率增益截止頻率(/max)越高，器件的噪聲系數(shù)也越小，人們通過(guò)不斷減小高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的柵長(zhǎng)來(lái)得到更好特性的器件。隨著柵長(zhǎng)縮短，柵電阻增大，當(dāng)柵長(zhǎng)減至0.5pm以下時(shí)，柵電阻的微波損耗使增益衰減比較嚴(yán)重。因此要在柵金屬的頂部構(gòu)筑大的金屬截面，從而形成T形柵的制作方法。目前國(guó)內(nèi)外應(yīng)用廣泛、已報(bào)道的制備HEMT器件T型柵的典型方法有以下兩種一種方法采用PMMA/PMGI/PMMA三層電子束膠結(jié)構(gòu)，通過(guò)一次電子束曝光制備柵(石華芬，張海英，劉訓(xùn)春等.一種新的高成品率InP基T型納米柵制作方法.半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2003，23(4):411415);另一種方法采用ZEP520A/PMGI/ZEP520A三層電子束膠結(jié)構(gòu)，通過(guò)兩次電子束曝光制備柵(YoshimiYamashita,AkimEndoh,KeisukeShinohara,ecal.Ultra-Short25-nm-GateLattice-MatchedInAlAs/InGaAsHEMTswithintheRangeof400GHzCutoffFrequency.IEEEElectronDeviceLetters,Aug2001,22(8):367369)。如圖1所示，圖1為目前采用PMMA/PMGI/PMMA三層電子束膠結(jié)構(gòu)和一次電子束曝光制備柵的示意圖。該方法采用PMMA/PMGI/PMMA三層電子束膠結(jié)構(gòu)，通過(guò)一次電子束曝光來(lái)制備柵，僅使用一次電子束曝光，不存在柵帽和柵腳的對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題。但由于PMMA電子束膠對(duì)顯影液非常敏感，使顯影時(shí)間不易控制，不易做出極小尺寸的納米柵線條。如圖2所示，圖2為目前采用ZEP520A/PMGI/ZEP520A三層電子束膠結(jié)構(gòu)和兩次電子束曝光制備柵的示意圖。該方法采用ZEP520A/PMGI/ZEP520A三層電子束膠結(jié)構(gòu)，通過(guò)兩次電子束曝光來(lái)制備柵。這種方法柵帽版曝光完成后，需將外延片取出電子束光刻機(jī)進(jìn)行顯影，之后再重新放入電子束光刻機(jī)進(jìn)行柵腳版的曝光，這樣多次移動(dòng)樣片將會(huì)人為的增加?xùn)琶焙蜄拍_的對(duì)準(zhǔn)誤差。此外，由于ZEP520A與外延片粘附性不好，勻膠前需窶先淀積一層介質(zhì)，該介質(zhì)通常為氮化硅或二氧化硅，曝光顯影后還要將柵槽處的介質(zhì)刻蝕掉，納米尺寸的細(xì)線條刻蝕很難控制，工藝難度較大，且底層的ZEP520A電子束膠較難去除，容易影響器件的特性。
發(fā)明內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種制備高電子遷移率晶體管T型納米柵的方法，以克服目前高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵制備時(shí)存在的不足。(二)技術(shù)方案為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種制備晶體管T型納米柵的方法，該方法包括以下步驟A、在清洗干凈的外延片上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠，然后前烘；B、在所述第一層電子束膠上勻第二層電子束膠ZEP520A，然后前烘；C、在所述第二層電子束膠ZEP520A上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第三層電子束膠，然后前烘；D、在所述第三層電子束膠上勻第四層電子束膠ZEP520A，然后前烘;E、進(jìn)行柵腳版電子束曝光；F、進(jìn)行柵帽版電子束曝光；G、依次顯影第四層電子束膠ZEP520A,易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第三層電子束膠，第二層電子束膠ZEP520A和易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠；H、腐蝕柵槽，蒸發(fā)柵金屬并剝離，形成晶體管T型納米柵。所述步驟A之前進(jìn)一步包括清洗外延片，在130度的真空烘箱內(nèi)將六甲基二硅氨烷(HMDS)蒸發(fā)在清洗干凈的外延片上，用于增加外延片與膠的粘附性。所述清洗外延片的步驟包括先用丙酮沖洗，再用乙醇沖洗，然后用去離子水沖洗，如此反復(fù)至少6次，最后用氮?dú)獯蹈?。所述易于?shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠和第三層電子束膠為PMGI電子束膠，或?yàn)長(zhǎng)OR膠。步驟A中所述第一層電子束膠在前烘前的厚度為300至700埃，典型值為500埃；在前烘后的厚度為200至600埃，典型值為300埃；前烘條件為在180度烘箱中烘6分鐘。步驟B中所述第二層電子束膠ZEP520A在前烘前的厚度為1000至1800埃，典型值為1400埃；在前烘后的厚度為900至1500埃，典型值為1200埃；前烘條件為在180度烘箱中烘30分鐘。步驟C中所述第三層電子束膠在前烘前的厚度為3000至5500埃，典型值為4500埃；在前烘后的厚度為2500至5000埃，典型值為4000埃；前烘條件為在180度烘箱中烘6分鐘。步驟D中所述第四層電子束膠ZEP520A在前烘前的厚度為1700至4000埃，典型值為2600埃；在前烘后的厚度為1500至3500埃，典型值為2400埃；前烘條件為在180度烘箱中烘30分鐘。步驟E中所述柵腳版電子束曝光的條件為曝光劑量60至150^C/cm2，束流小于等于50pA;步驟F中所述柵帽版電子束曝光的條件為曝光劑量30至70pC/cm2，束流小于等于50pA。步驟H中所述腐蝕柵槽包括對(duì)于帽層/腐蝕截止層為砷化鎵GaAs/砷化鋁AlAs的材料，采用磷酸:雙氧水水體積比為3:1:50的溶液進(jìn)行腐蝕；對(duì)于帽層/腐蝕截止層為銦鎵砷InGaAs/磷化銦InP的材料，采用檸檬酸雙氧水體積比為1:1的溶液進(jìn)行腐蝕；步驟H中所述蒸發(fā)的柵金屬由外延片表面向上依次為鈦Ti/鉑Pt/金Au，其厚度的典型值分別為250A/250A/3000A。(三)有益效果從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果1、本發(fā)明提供的這種制備高電子遷移率晶體管T型納米柵的方法，與采用PMMA/PMGI/PMMA或ZEP520A/PMGI/ZEP520A電子束膠結(jié)構(gòu)制備高電子遷移率晶體管(HEMT)T型柵的傳統(tǒng)方法相比，具有容易制作更小尺寸的柵線條，容易去膠，工藝簡(jiǎn)單，可靠性強(qiáng)等特點(diǎn)。2、采用PMMA/PMGI/PMMA電子束結(jié)構(gòu)制備高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵的傳統(tǒng)方法，由于PMMA電子束膠對(duì)顯影液非常敏感，顯影出的線條尺寸容易變大，這種方法顯影時(shí)間不好控制，不易作出極小尺寸的納米柵線條。本發(fā)明采用的PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A四層電子束膠結(jié)構(gòu)中使用了ZEP520A電子束膠，ZEP520A電子束膠對(duì)顯影液敏感度較低，顯影出的線條尺寸隨時(shí)間變化很小，顯影時(shí)間容易控制，容易制作出極小尺寸的柵線條，可靠性強(qiáng)。3、采用ZEP520A/PMGI/ZEP520A電子束膠結(jié)構(gòu)制備高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵的傳統(tǒng)方法，在柵帽版曝光完成后，需將外延片取出電子束光刻機(jī)進(jìn)行顯影，之后再重新放入電子束光刻機(jī)進(jìn)行柵腳的曝光，這樣多次移動(dòng)外延片將會(huì)人為的增加?xùn)琶焙蜄拍_的對(duì)準(zhǔn)誤差。本發(fā)明在柵腳和柵帽版曝光完成后才將樣片取出電子束光刻機(jī)進(jìn)行顯影，柵腳版和柵帽版兩次電子束曝光過(guò)程之間不移動(dòng)樣片，從而減小了柵帽和柵腳的對(duì)準(zhǔn)誤差本。4、采用ZEP520A/PMGI/ZEP520A電子束膠結(jié)構(gòu)制備高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵的傳統(tǒng)方法，由于底層ZEP520A電子束膠與外延片粘附性不好，需要在外延片上先淀積一層介質(zhì)(通常為氮化硅或二氧化硅)，在顯影后再將柵槽處的介質(zhì)刻蝕掉，但納米尺寸的細(xì)線條刻蝕很難控制，工藝難度較大；且由于底層的ZEP520A電子束膠較難去除，容易影響器件的特性。本發(fā)明提供的這種制備高電子遷移率晶體管T型納米柵的方法，采用PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A四層電子束膠結(jié)構(gòu)，在外延片上先勻一層PMGI電子束膠，以增加ZEP520A電子束膠與外延片的粘附性，不需要生長(zhǎng)和刻蝕介質(zhì)，大大減小了工藝難度，且由于PMGI和LOR膠去膠很容易，不存在去膠問(wèn)題。圖1為目前采用PMMA/PMGI/PMMA三層電子束膠結(jié)構(gòu)和一次電子束曝光制備柵的示意圖；圖2為目前采用ZEP520A/PMGI/ZEP520A三層電子束膠結(jié)構(gòu)和兩次電子束曝光制備柵的示意圖；圖3為本發(fā)明提供的制備高電子遷移率晶體管T型納米柵總體技術(shù)方案的實(shí)現(xiàn)流程圖；圖4為依照本發(fā)明實(shí)施例制備高電子遷移率晶體管T型納米柵的方法流程圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖3所示，圖3為本發(fā)明提供的制備高電子遷移率晶體管T型納米柵總體技術(shù)方案的實(shí)現(xiàn)流程圖，該方法包括以下步驟步驟301:在清洗干凈的外延片上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠，然后前烘；步驟302:在所述第一層電子束膠上勻第二層電子束膠ZEP520A，然后前烘；步驟303:在所述第二層電子束膠ZEP520A上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第三層電子束膠，然后前烘；步驟304:在所述第三層電子束膠上勻第四層電子束膠ZEP520A，然后前烘；步驟305:進(jìn)行柵腳版電子束曝光；步驟306:進(jìn)行柵帽版電子束曝光；步驟307:依次顯影第四層電子束膠ZEP520A，易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第三層電子束膠，第二層電子束膠ZEP520A和易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠；步驟308:腐蝕柵槽，蒸發(fā)柵金屬并剝離，形成晶體管T型納米柵。上述步驟301之前進(jìn)一步包括清洗外延片，在130度的真空烘箱內(nèi)將六甲基二硅氨烷(Hexamethyldisilazane，HMDS)蒸發(fā)在清洗干凈的外延片上，其作用在于增加外延片與膠的粘附性。所述清洗外延片的步驟包括先用丙酮沖洗，再用乙醇沖洗，然后用去離子水沖洗，如此反復(fù)至少6次，最后用氮?dú)獯蹈伞?上述易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠和第三層電子束膠可以為PMGI電子束膠，也可以為L(zhǎng)OR膠。步驟301中所述第一層電子束膠在前烘前的厚度為300至700埃，典型值為500埃；在前烘后的厚度為200至600埃，典型值為300埃；前烘條件為在180度烘箱中烘6分鐘。步驟302中所述第二層電子束膠ZEP520A在前烘前的厚度為1000至1800埃，典型值為1400埃；在前烘后的厚度為900至1500埃，典型值為1200埃；前烘條件為在180度烘箱中烘30分鐘。步驟303中所述第三層電子束膠在前烘前的厚度為3000至5500埃，典型值為4500埃；在前烘后的厚度為2500至5000埃，典型值為4000埃；前烘條件為在180度烘箱中烘6分鐘。步驟304中所述第四層電子束膠ZEP520A在前烘前的厚度為1700至4000埃，典型值為2600埃；在前烘后的厚度為1500至3500埃，典型值為2400埃；前烘條件為在180度烘箱中烘30分鐘。步驟305中所述柵腳版電子束曝光的條件為曝光劑量60至150nC/cm2,束流小于等于50pA。步驟306中所述柵帽版電子束曝光的條件為曝光劑量30至70|iC/cm2，束流小于等于50pA。步驟308中所述腐蝕柵槽包括對(duì)于帽層/腐蝕截止層為砷化鎵(GaAs)/砷化鋁(AlAs)的材料，采用磷酸雙氧水水=3:1:50(體積比)的溶液進(jìn)行腐蝕；對(duì)于帽層/腐蝕截止層為銦鎵砷(InGaAs)/磷化銦(InP)的材料，采用檸檬酸雙氧水=1:1(體積比)的溶液進(jìn)行腐蝕；步驟308中所述蒸發(fā)的柵金屬由外延片表面向上依次為鈦(Ti)/鉑(Pt)/金(Au)，其厚度的典型值分別為250A/250A/3000A。基于圖3所述的制備高電子遷移率晶體管T型納米柵總體技術(shù)方案的實(shí)現(xiàn)流程圖，以下結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明制備高電子遷移率晶體管T型納米柵的方法進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例本實(shí)施例中高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵制備的方法是針對(duì)目前高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵制備時(shí)存在的一些不足，采用PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A四層電子束光刻膠結(jié)構(gòu)(如表1所示)和兩次電子束曝光方法來(lái)制備高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵。表l為本發(fā)明高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵制備的方法中所采用的PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A四層電子束光刻膠結(jié)構(gòu)示意表:<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表1在本實(shí)施例中，易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠和第三層電子束膠為PMGI電子束膠，高電子遷移率晶體管(HEMT)T型納米柵制備的方法中所采用的PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A四層電子束光刻膠結(jié)構(gòu)，各層膠的作用如下1、位于最底層的第一層電子束膠PMGI的作用在于增加第二層膠ZEP520A電子束膠與外延片的粘附性，同時(shí)有助于去膠；2、第二層膠ZEP520A電子束膠的作用是通過(guò)該層的曝光顯影定義柵腳；3、第三層膠PMGI電子束膠的作用是隔離第二層膠ZEP520A電子束膠和第四層膠ZEP520A電子束膠，且有助于柵金屬剝離；4、第四層膠ZEP520A電子束膠的作用是通過(guò)該層的曝光顯影定義柵帽。如圖4所示，圖4為依照本發(fā)明實(shí)施例制備高電子遷移率晶體管T型納米柵的方法流程圖，該方法包括以下步驟步驟40h清洗外延片。先用丙酮溶液沖洗，再用乙醇沖洗，然后用去離子水沖洗，如此反復(fù)至少6次，最后用氮?dú)獯蹈?。步驟402:在130度的真空烘箱內(nèi)將六甲基二硅氨烷(HMDS)蒸發(fā)在清洗干凈的外延片上，用于增加外延片與膠的粘附性。步驟403:在所述外延片上勻一層厚度為500埃的電子束膠PMGI，然后在180度烘箱中烘6分鐘，烘后本層膠的厚度為300埃左右。步驟404:在所述第一層電子束膠PMGI上勻厚度為1400埃的第二層膠，即ZEP520A電子束膠，然后在180度烘箱中烘30分鐘，烘后本層膠的厚度為1200埃左右。步驟405:在所述第二層膠上勻厚度為4500埃的第三層膠PMGI電子束膠，然后在180度烘箱中烘6分鐘，烘后本層膠的厚度為4000埃左右。步驟406:在所述第三層膠上勻厚度為2600埃的第四層膠ZEP520A電子束膠，然后在180度烘箱中烘30分鐘，烘后本層膠的厚度為2400埃左右。步驟407:進(jìn)行柵腳版電子束曝光，曝光劑量60至150pC/cm2，束流小于等于50pA。步驟408:進(jìn)行柵帽版電子束曝光，曝光劑量30至70)iC/cm2，束流小于等于50pA。步驟409:依次顯影第四層膠ZEP520A電子束膠，第三層膠PMGI電子束膠，第二層膠ZEP520A電子束膠和第一層膠PMGI電子束膠。步驟410:腐蝕柵槽，蒸發(fā)柵金屬并剝離，形成晶體管T型納米柵。在本步驟中，對(duì)于帽層/腐蝕截止層為砷化鎵GaAs/砷化鋁AlAs的材料，可采用磷酸雙氧水水=3:1:50(體積比)的溶液進(jìn)行腐蝕；對(duì)于帽層/腐蝕截止層為銦鎵砷InGaAs/磷化銦InP的材料，可采用可采用檸檬酸雙氧水=1:1(體積比)的溶液進(jìn)行腐蝕；所述蒸發(fā)的柵金屬由外延片表面向上依次為鈦Ti/鉑Pt/金Au，其厚度的典型值分別為250A/250A/3000A。在本發(fā)明所舉的這個(gè)實(shí)施例中，易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠和第三層電子束膠為PMGI電子束膠。在實(shí)際應(yīng)用中，所述第一層電子束膠和第三層電子束膠也可以為L(zhǎng)OR膠。這樣的技術(shù)方案與本發(fā)明提供的技術(shù)方案在技術(shù)思路上是一致的，應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟A、在清洗干凈的外延片上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠，然后前烘；B、在所述第一層電子束膠上勻第二層電子束膠ZEP520A，然后前烘；C、在所述第二層電子束膠ZEP520A上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第三層電子束膠，然后前烘；D、在所述第三層電子束膠上勻第四層電子束膠ZEP520A，然后前烘；E、進(jìn)行柵腳版電子束曝光；F、進(jìn)行柵帽版電子束曝光；G、依次顯影第四層電子束膠ZEP520A，易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第三層電子束膠，第二層電子束膠ZEP520A和易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠；H、腐蝕柵槽，蒸發(fā)柵金屬并剝離，形成晶體管T型納米柵。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，所述步驟A之前進(jìn)一步包括清洗外延片，在130度的真空烘箱內(nèi)將六甲基二硅氨烷HMDS蒸發(fā)在清洗干凈的外延片上，用于增加外延片與膠的粘附性。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，所述清洗外延片的步驟包括先用丙酮沖洗，再用乙醇沖洗，然后用去離子水沖洗，如此反復(fù)至少6次，最后用氮?dú)獯蹈伞?、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，所述易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠和第三層電子束膠為PMGI電子束膠，或?yàn)長(zhǎng)OR膠。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，步驟A中所述第一層電子束膠在前烘前的厚度為300至700埃，典型值為500埃；在前烘后的厚度為200至600埃，典型值為300埃；前烘條件為在180度烘箱中烘6分鐘。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，步驟B中所述第二層電子束膠ZEP520A在前烘前的厚度為1000至1800埃，典型值為1400埃；在前烘后的厚度為900至1500埃，典型值為1200埃；前烘條件為在18O度烘箱中烘30分鐘。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，步驟C中所述第三層電子束膠在前烘前的厚度為3000至5500埃，典型值為4500埃；在前烘后的厚度為2500至5000埃，典型值為4000埃；前烘條件為在180度烘箱中烘6分鐘。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，步驟D中所述第四層電子束膠ZEP520A在前烘前的厚度為1700至4000埃，典型值為2600埃；在前烘后的厚度為1500至3500埃，典型值為2400埃；前烘條件為在180度烘箱中烘30分鐘。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，步驟E中所述柵腳版電子束曝光的條件為曝光劑量60至150^C/cm2，束流小于等于50pA;步驟F中所述柵帽版電子束曝光的條件為曝光劑量30至70jiC/cm2，束流小于等于50pA。10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體管T型納米柵的方法，其特征在于，步驟H中所述腐蝕柵槽包括對(duì)于帽層/腐蝕截止層為砷化鎵GaAs/砷化鋁AlAs的材料，采用磷酸雙氧水水體積比為3:1:50的溶液進(jìn)行腐蝕；對(duì)于帽層/腐蝕截止層為銦鎵砷InGaAs/磷化銦InP的材料，采用檸檬酸雙氧水體積比為l:l的溶液進(jìn)行腐蝕；步驟H中所述蒸發(fā)的柵金屬由外延片表面向上依次為鈦Ti/鉑Pt/金Au，其厚度的典型值分別為250A/250A/3000A。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種制備晶體管T型納米柵的方法，包括A、在清洗干凈的外延片上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第一層電子束膠，然后前烘；B、在第一層電子束膠上勻第二層電子束膠ZEP520A，然后前烘；C、在第二層電子束膠ZEP520A上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第三層電子束膠，然后前烘；D、在第三層電子束膠上勻第四層電子束膠ZEP520A，然后前烘；E、進(jìn)行柵腳版電子束曝光；F、進(jìn)行柵帽版電子束曝光；G、依次顯影第四層電子束膠ZEP520A，第三層電子束膠，第二層電子束膠ZEP520A和第一層電子束膠；H、腐蝕柵槽，蒸發(fā)柵金屬并剝離，形成晶體管T型納米柵。利用本發(fā)明，容易制作出極小尺寸的柵線條，對(duì)準(zhǔn)精度高，可靠性強(qiáng)，不需要生長(zhǎng)和刻蝕介質(zhì)，大大減小了工藝難度。文檔編號(hào)H01L21/28GK101276752SQ20071006487公開(kāi)日2008年10月1日申請(qǐng)日期2007年3月28日優(yōu)先權(quán)日2007年3月28日發(fā)明者亮劉,劉訓(xùn)春,張海英申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所