專利名稱：具有嵌入式無源元件的半導(dǎo)體封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝，特別是關(guān)于一種嵌入無源元件的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。

背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，一半導(dǎo)體封裝是一種其中具有精細(xì)電路圖案的半導(dǎo)體芯片由樹脂、陶瓷等材料成型的結(jié)構(gòu)，因此半導(dǎo)體芯片可免于受到周遭環(huán)境的損害并且可以裝設(shè)于一電子裝置。一半導(dǎo)體芯片可經(jīng)過封裝以增進(jìn)電子裝置的性能和品質(zhì)，并且有利電子裝置的小型化和多功能性，而非包裝半導(dǎo)體芯片以簡單保護(hù)半導(dǎo)體芯片及隨后裝設(shè)該半導(dǎo)體芯片至一電子裝置。
過去已經(jīng)持續(xù)地發(fā)展半導(dǎo)體封裝技術(shù)，以期能達(dá)到電子裝置的小型化和多功能性的需求。舉例而言，在小型化的需求方面有芯片尺寸封裝的發(fā)展，使尺寸趨近芯片的尺寸，而在多功能性的需求方面有堆迭封裝的發(fā)展，使數(shù)塊能實行不同功能的芯片彼此堆迭在一起。過去已經(jīng)針對芯片尺寸封裝和堆迭封裝，尤其在方法和結(jié)構(gòu)方面積極的進(jìn)行各種研究。
盡管花費許多心力在減少半導(dǎo)體封裝的尺寸和厚度，以期達(dá)到半導(dǎo)體封裝的小型化，由于無源元件(例如電阻器、電感器及電容器)的存在，其連同半導(dǎo)體封裝一起設(shè)置，因此減少印刷電路板(最后設(shè)置在一電子裝置)的尺寸和厚度方面必然存在種種限制，此即阻礙電子裝置的小型化和微薄化的一因素。
又，常規(guī)技術(shù)中將無源元件裝設(shè)在印刷電路板上，半導(dǎo)體封裝和無源元件之間的電連接的長度較長。結(jié)果，由于電感元件增加，電子裝置的電性能的改進(jìn)受到限制。
此外，在作為芯片尺寸封裝的晶片級封裝的情況中，如果半導(dǎo)體芯片的背面暴露于外部，半導(dǎo)體芯片即有可能因為外部沖擊和錯誤操作而受到損害，因此難以確保產(chǎn)品的可靠性。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的具體實施例針對一能排除阻礙電子裝置的小型化和微薄化的各種因素的半導(dǎo)體封裝，及其制造方法。
再者，本發(fā)明的具體實施例針對一半導(dǎo)體封裝，其能將半導(dǎo)體芯片和無源元件之間的電連接長度減至最小，藉此促進(jìn)電器的電性能，及該半導(dǎo)體封裝的制造方法。
又，本發(fā)明的各具體實施例針對一半導(dǎo)體封裝，其能防止一半導(dǎo)體芯片即使具有一晶片級封裝結(jié)構(gòu)仍不受到損害，及制造該半導(dǎo)體封裝的方法。
在一具體實施例中，一半導(dǎo)體封裝可以包括一基板；一置于該基板上的半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片的第一表面面向基板，而且該半導(dǎo)體芯片具有一于鄰接第一表面形成的電路部分；一于半導(dǎo)體芯片的第二表面形成的絕緣層，該第二表面與第一表面相對；于該絕緣層上形成的至少一無源元件；穿過該絕緣層形成并且連接到無源元件的通路圖案；穿過半導(dǎo)體芯片并且連接到電路部分、通路圖案及基板的通路布線；及附著于基板的第一表面的外部連接端，該第一表面與裝設(shè)半導(dǎo)體芯片的第二表面相對。
形成絕緣層、至少一無源元件及通路圖案，以構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)。
至少有一無源元件包含一電阻器、一電感器及一電容器。
該通路布線形成而突出于半導(dǎo)體芯片的第一表面。
該外部連接端包括焊錫球。
包含半導(dǎo)體芯片、絕緣層、通路圖案、無源元件及通路布線的至少兩個半導(dǎo)體芯片單元，彼此堆迭在一起，該堆迭的半導(dǎo)體芯片單元經(jīng)由下半導(dǎo)體芯片的通路圖案和上半導(dǎo)體芯片的通路布線之間的接觸而彼此電連接。
該半導(dǎo)體封裝可以又包括一于絕緣層上形成的保護(hù)層，用以保護(hù)該至少一無源元件，該保護(hù)層又具有使該通路圖案暴露的孔洞。
另一具體實施例中，制造一半導(dǎo)體封裝的方法可以包括以下步驟在半導(dǎo)體芯片的第二表面形成一絕緣層，該半導(dǎo)體芯片的第二表面與鄰近形成一電路部分的位置的第一表面相對；在該絕緣層上形成無源元件，及形成穿過絕緣層并且連接到該無源元件的通路圖案；形成穿過半導(dǎo)體芯片并且連接到通路圖案的通路布線；將該半導(dǎo)體芯片裝設(shè)于一基板，使該半導(dǎo)體芯片的第一表面面向基板，該半導(dǎo)體芯片具有至少一無源元件和在該半導(dǎo)體芯片的第二表面形成的絕緣層；及將外部連接端附著于基板的第二表面，該第二表面與裝設(shè)半導(dǎo)體芯片的基板的第一表面相對。
執(zhí)行在半導(dǎo)體芯片的第二表面上形成該絕緣層的步驟時，在該半導(dǎo)體芯片的第一表面上形成一保護(hù)膜。
形成該絕緣層、形成至少一無源元件、形成通路圖案及形成通路布線的步驟至少實行兩次。
形成該絕緣層、形成至少一無源元件、形成通路圖案及形成通路布線的步驟皆在一晶片級執(zhí)行。
該無源元件包含一電阻器、一電感器、及一電容器。
所述方法可以還包括以下步驟在該絕緣層上形成一保護(hù)層，其中該保護(hù)層至少具有一無源元件和形成于其上并通過其的通路圖案。
該保護(hù)層可以形成為具有使通路圖案暴露的孔洞。
所述方法可以還包括以下步驟堆迭至少兩個包含該絕緣層、通路圖案、無源元件、通路布線、及半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片單元。所述堆迭步驟可在晶片級實行。堆迭步驟可以下列方式實行所述半導(dǎo)體芯片單元藉由通路圖案和通路布線而彼此以電連接。
上述外部連接端形成為焊錫球。



圖1是根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖； 圖2A至2H是根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例所制造半導(dǎo)體封裝的方法工藝的剖面圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。

具體實施例方式 本發(fā)明的一優(yōu)選具體實施例針對一半導(dǎo)體封裝，其中內(nèi)嵌包含一電阻器、一電感器及一電容器的無源元件。亦即，本發(fā)明的一具體實施例中，通過在一半導(dǎo)體芯片的背面形成包含一電阻器、一電感器及一電容器的無源元件而裝設(shè)一半導(dǎo)體芯片單元，并通過將該半導(dǎo)體芯片單元設(shè)置于一基板上而裝設(shè)一半導(dǎo)體封裝。
故，在本發(fā)明的一具體實施例中，由于該無源元件設(shè)置于半導(dǎo)體芯片的背面，因此在一印刷電路板中不需分隔區(qū)來設(shè)置無源元件。因此，根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝，可經(jīng)由封裝的微小化而達(dá)到電子裝置的微小化和微薄化。
又，根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝具有無源元件內(nèi)嵌在半導(dǎo)體封裝中的結(jié)構(gòu)，由于縮短半導(dǎo)體芯片和無源元件之間的電連接長度，因此可改進(jìn)電子裝置的電性能。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝中，由于該無源元件在半導(dǎo)體芯片的背面形成，有可能防止該半導(dǎo)體芯片的背面由于無源元件的存在而暴露于外。因此，有可能防止半導(dǎo)體芯片由于外部沖擊和錯誤使用半導(dǎo)體芯片而受到損害。
茲將參照

根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝和其制造方法。
圖1是一說明根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的一半導(dǎo)體封裝300包含一基板200、一裝設(shè)于基板200的半導(dǎo)體芯片單元100、及附著于基板200的下表面的外部連接端250。
半導(dǎo)體芯片單元100于晶片級制備，因此多個半導(dǎo)體芯片110以多行和多列排列。該半導(dǎo)體芯片單元100包含一半導(dǎo)體芯片110、一絕緣層120、無源元件130、通路圖案140及通路布線152。
半導(dǎo)體芯片110從上面看呈四邊形。該半導(dǎo)體芯片110包含一形成在其中的鄰近第一表面亦即半導(dǎo)體芯片110的上表面110a的電路部分112，和一在上表面110a形成從而與電路部分112相連的連接布線114。
絕緣層120、無源元件130及通路圖案140形成于第二表面即半導(dǎo)體芯片110的下表面110b上。絕緣層120由第一絕緣層122和第二絕緣層124組成。無源元件130于第一絕緣層122和第二絕緣層124上形成。第一絕緣層122形成為與半導(dǎo)體芯片110的下表面110b形成接觸，并且用來覆蓋和絕緣半導(dǎo)體芯片110的整個下表面110b。第二絕緣層124于第一絕緣層122上形成，該第一絕緣層122上形成第一無源元件132。該第二絕緣層124用來將第二絕緣層124上形成的第二無源元件134與第一無源元件132絕緣，并且作為無源元件中的電容器的電介質(zhì)，可累積電荷。第二絕緣層124利用和第一絕緣層122一樣的材料所構(gòu)成。
無源元件130是包含一電阻器、一電感器及一電容器的電元件。無源元件130于第一絕緣層122和第二絕緣層124上形成，如同具有各種圖案的金屬布線用以界定一雙層結(jié)構(gòu)。此時，形成于第一絕緣層122和第二絕緣層124上的相應(yīng)第一無源元件132和第二無源元件134由具有絕佳導(dǎo)電性的金屬所構(gòu)成。
無源元件130包含與源元件例如半導(dǎo)體封裝300共同界定電子電路的電阻器、電感器及電容器，并且對于控制有源元件有絕對的必要。無源元件的基本元件是用來限制電流或分配電壓及產(chǎn)生電位差的電阻器、根據(jù)頻率調(diào)整電流的電感器、及具有和電感器相反的特性并能累積電荷的電容器。在此，電感器具有在頻率增加時抑制電流的特性，而電容器具有在頻率增加時允許電流流動的特性。
通路圖案140于第一絕緣層122和第二絕緣層124中形成。該通路圖案140形成在相應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110的周邊部分的位置，以基本穿過第一絕緣層122和第二絕緣層124。尤其，在第一絕緣層122中形成的第一通路圖案142形成為與第一絕緣層122上形成的第一無源元件132相接，形成于第二絕緣層124中的第二通路圖案144形成為與第二絕緣層124上形成的第二無源元件134相接。第一通路圖案142和第二通路圖案144在第一絕緣層122和第二絕緣層124中以一上一下的方式設(shè)置，并且彼此相接。尤其，第一通路圖案142形成為突出于第一絕緣層122，突出量相應(yīng)于第一無源元件132的高度。
第一通路圖案142和第一無源元件132一起形成，第二通路圖案144和第二無源元件134一起形成。與第一無源元件132和第二無源元件134類似，第一通路圖案142和第二通路圖案144由具有絕佳導(dǎo)電性的金屬所形成。第一通路圖案142和第二通路圖案144于通路孔的內(nèi)壁以薄層狀形成，或是完全填滿該通路孔。
同時，一保護(hù)層126于第二絕緣層124上形成，第二絕緣層124上形成第二無源元件134，該保護(hù)層126用以防止第二無源元件134和半導(dǎo)體芯片單元100受到外部沖擊或周遭環(huán)境的影響。此時，通過與第二通路圖案144相對應(yīng)的部分保護(hù)層126界定用以暴露第二通路圖案144的孔洞148。
通路布線152形成在相應(yīng)于第一通路圖案142的半導(dǎo)體芯片110的周邊部分。通路布線152形成為突出得高于形成在半導(dǎo)體芯片110的上表面110a上的連接布線114。通路布線152形成為與半導(dǎo)體芯片110的電路部分112和連接布線114相連，并且使電路部分112和無源元件130形成電通訊。如此操作的各通路布線152包含一由半導(dǎo)體芯片110的第一表面110a穿過第二表面110b的通孔151，和一填充通孔151并且形成為突出得高于連接布線114的導(dǎo)電層(見第2G圖)。通路布線152在通孔151的內(nèi)壁上形成為薄層狀，或完全填滿通孔151。
基板200作為裝設(shè)半導(dǎo)體芯片單元100的構(gòu)件。基板200的上表面具有電極焊盤210，該上表面面向半導(dǎo)體芯片110的上表面110a，以及在與上表面相對的下表面上的球座220?；?00又具有形成在其中的通路電路(圖中未顯示)，通過其能讓電極焊盤210和球座220彼此電連接。所述電極焊盤210設(shè)置在和通路布線152相應(yīng)的基板200的周邊部分。因此，基板200和半導(dǎo)體芯片110藉由電極焊盤210和通路布線152之間的電連接而彼此電連接。
外部連接端250用作使半導(dǎo)體封裝300安裝并電連接到外部電路的裝置。該外部連接端250附著在位于基板200的下表面的球座220。優(yōu)選情況下，外部連接端250包括焊錫球。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例所述的半導(dǎo)體封裝400的剖面圖，其中兩個半導(dǎo)體芯片單元相互堆迭。參照圖3，兩個半導(dǎo)體芯片單元100、100a堆迭于基板200上。半導(dǎo)體芯片單元100、100a皆以和上述相同的方式構(gòu)成。
因此，本發(fā)明中，藉由堆迭至少兩個半導(dǎo)體芯片單元100，有可能獲得具有堆迭結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝400。此時，堆迭的半導(dǎo)體芯片單元100藉由通路圖案140和通路布線152而彼此電連接。
如上所述的根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝，由于包含一電阻器、一電感器及一電容器的無源元件形成在半導(dǎo)體芯片的背面，因此不需單獨設(shè)置無源元件。因此，在本發(fā)明中，可將印刷電路板的尺寸和厚度減少，并且有可能將更多的半導(dǎo)體封裝設(shè)置于印刷電路板。
又，在本發(fā)明的一具體實施例中，由于無源元件于半導(dǎo)體芯片的背面形成，不需要在一印刷電路板上形成連接無源元件的接觸墊、通路孔等，因此可減少印刷電路板的制造成本。
此外，在本發(fā)明的一具體實施例中，由于無源元件設(shè)置于半導(dǎo)體芯片的背面，可縮短無源元件和有源元件之間的連接長度，因此有可能獲得具有改善的電性功能的電氣或電子裝置。
茲將參照圖2A至2H描述根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的制造半導(dǎo)體封裝的方法。
參照圖2A，分別具有電路部分112和連接布線114的半導(dǎo)體芯片110形成在從上觀察呈圓形的晶片上。該電路部分112和連接布線114于第一表面即半導(dǎo)體芯片110的上表面110a上形成。為了減小半導(dǎo)體芯片110的厚度，移除第二表面即與上表面110a相對的半導(dǎo)體芯片110的下表面110b的材料以實現(xiàn)預(yù)定厚度。
參照圖2B，一層保護(hù)膜116藉由涂布一種能夠剝除的物質(zhì)而在半導(dǎo)體芯片110的上表面110a上形成。該保護(hù)膜116用以防護(hù)電路部分112和連接布線114，使其在后續(xù)工藝中不會遭受損害。優(yōu)選情況下，保護(hù)膜116包括一光致抗蝕劑。
參照圖2C，保護(hù)膜116于半導(dǎo)體芯片110的上表面110a上形成，而第一絕緣層122于半導(dǎo)體芯片110的下表面110b上形成。通過蝕刻第一絕緣層122，第一通路孔141限定為穿透第一絕緣層122。該通路孔141限定在位于半導(dǎo)體芯片110的下表面110b的周邊部分。
參照圖2D，一導(dǎo)電層沉積在第一絕緣層122上。此時，第一通路孔141被該導(dǎo)電層填充。通過蝕刻該導(dǎo)電層，包含電阻器、電感器及電容器的第一無源元件132形成在第一絕緣層122上，且第一通路圖案142形成在第一通路孔141中。此時，第一通路圖案142形成為突出于第一絕緣層122，突出量相應(yīng)于第一無源元件132的高度。
參照圖2E，第二絕緣層124形成在第一絕緣層122上，以覆蓋第一無源元件132和第一通路圖案142。通過蝕刻第二絕緣層124，暴露第一通路圖案142的第二通路孔形成在相應(yīng)于第一通路圖案142的第二絕緣層124的周邊部分。在包括第二通路孔的第二絕緣層124上沉積導(dǎo)電層之后，通過蝕刻該導(dǎo)電層，包含電阻器、電感器及電容器的第二無源元件134形成在第二絕緣層124上，且第二通路圖案144形成在第二通路孔中。該第二通路圖案144形成為與第一通路圖案142形成電連接，并且突出于第二絕緣層124，突出量相應(yīng)于第二無源元件132的高度。
為了防止第二無源元件134和半導(dǎo)體芯片單元100受到外部沖擊或周遭環(huán)境的影響，在第二絕緣層124上形成一保護(hù)層126以覆蓋第二無源元件134。接著，暴露第二通路圖案144的孔洞148設(shè)定在相應(yīng)于第二通路圖案144的保護(hù)層126的部分中。
在此，第一絕緣層122、第二絕緣層124及保護(hù)層126由相同材料形成。優(yōu)選情況下，優(yōu)選通過磨除而部分移除其背面110b的半導(dǎo)體芯片110的厚度相應(yīng)于通過增加第一絕緣層122、第二絕緣層124及保護(hù)層126而獲得的厚度。
參照圖2F，形成在半導(dǎo)體芯片110的上表面110a上的保護(hù)膜116被移除。通過蝕刻半導(dǎo)體芯片110，或以激光照射半導(dǎo)體芯片110，將通孔151設(shè)置于相應(yīng)于第一通路圖案142的半導(dǎo)體芯片110的部分，由半導(dǎo)體芯片110的上表面110a穿過至下表面110b。
參照圖2G，通過使用導(dǎo)電層填充通孔151，形成通路布線152，藉此完成半導(dǎo)體芯片單元100。在此，通路布線152形成為與第一通路圖案142和半導(dǎo)體芯片110中的電路部分112電連接。
優(yōu)選情況下，藉由一鍍覆工藝，形成通路布線152而能填充通孔151，并且突出得高于形成在半導(dǎo)體芯片110的上表面110a上的連接布線114。如圖3所示堆迭半導(dǎo)體芯片單元100、100a的情況中，如上述突出的通路布線152，被插入界定于下半導(dǎo)體芯片100中的保護(hù)層126的孔洞148，而與第二通路圖案144電連接。
參照圖2H，通過對在晶片級形成的多個半導(dǎo)體芯片單元100實行切割工藝，可獲得各半導(dǎo)體芯片單元100。依此獲得的半導(dǎo)體芯片單元100裝設(shè)于基板200上，該基板的上表面有電極焊盤210，下表面具有球座220，基板還形成能將電極焊盤210和球座220相接的導(dǎo)孔電路(圖中未顯示)。此時，電極焊盤210位于相應(yīng)于半導(dǎo)體芯片單元100的通路布線152的部分基板200上，結(jié)果，半導(dǎo)體芯片單元100和基板200藉由通路布線152和電極焊盤210之間的電連接而彼此電連接。外部連接端250如焊錫球附著于基板200的球座220，用作對外部電路的安裝裝置。結(jié)果，即完成一根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體芯片封裝300。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例的半導(dǎo)體封裝400的剖面圖，其中兩個半導(dǎo)體芯片單元相互堆迭。參照圖3，在本發(fā)明中，至少可堆迭兩個半導(dǎo)體芯片單元100、100a，故可獲得具有一堆迭結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝400。此時，如上所述，由于半導(dǎo)體芯片單元100a的突出的通路布線152朝上定位并插入限定在設(shè)置在下面的半導(dǎo)體芯片單元100的保護(hù)層128中的孔洞148中，導(dǎo)致上、下設(shè)置的堆迭的半導(dǎo)體芯片單元100彼此電連接。
此時，如上所述具有堆迭結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝可依以下方式裝配先將半導(dǎo)體芯片單元100、100a彼此堆迭在一起，再將堆迭的半導(dǎo)體芯片單元100、100a設(shè)置于基板200。此時，半導(dǎo)體芯片單元100、100a的堆迭在晶片級執(zhí)行。
由上述說明可知，在本發(fā)明的一具體實施例，由于包含電阻器、電感器及電容器的無源元件形成在半導(dǎo)體芯片的背面，不需在印刷電路板上單獨設(shè)置無源元件。因此，可減小印刷電路板的尺寸和厚度，并且有可能在印刷電路板上裝設(shè)更多數(shù)量的半導(dǎo)體封裝。又，在本發(fā)明的一具體實施例，由于該無源元件形成在半導(dǎo)體芯片的背面，可縮短有源元件和無源元件之間的連接長度，并且有可能獲得一具有較佳電性能的電氣或電子裝置。此外，在本發(fā)明中，由于以一保護(hù)層保護(hù)該半導(dǎo)體芯片的背面，因此可增進(jìn)產(chǎn)品的可靠性。
雖然本發(fā)明優(yōu)選具體實施例主要作為說明之用，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解各種修改、增加及替換，而沒有偏離所附的權(quán)利要求中的范圍和精神，均有其可能性。
本申請案在此要求2006年6月29日提出申請的韓國專利申請第10-2006-0059827號的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容已合并于本說明中作為參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括
基板；
半導(dǎo)體芯片，置于所述基板上，使得該半導(dǎo)體芯片的第一表面面向該基板，該半導(dǎo)體芯片具有在鄰近該第一表面之處形成的電路部分；
絕緣層，在半導(dǎo)體芯片的第二表面上形成，該第二表面與第一表面相對；
至少一無源元件，于該絕緣層上形成；
通路圖案，形成而穿過該絕緣層，并且與該無源元件相接；
通路布線，形成而穿過半導(dǎo)體芯片，并且與該電路部分、通路圖案及基板相接；及
外部連接端，附著于該基板的第一表面，該第一表面與裝設(shè)半導(dǎo)體芯片的第二表面相對。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該絕緣層、該至少一無源元件及通路圖案形成而構(gòu)成多層。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述至少一無源元件包含電阻器、電感器、及電容器。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，又包括
保護(hù)層，在該絕緣層上形成以保護(hù)所述至少一無源元件。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中該保護(hù)層具有使通路圖案暴露的孔洞。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該通路布線形成而突出于該半導(dǎo)體芯片的第一表面。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中至少兩個半導(dǎo)體芯片單元相互堆迭，各半導(dǎo)體芯片單元包含該半導(dǎo)體芯片、絕緣層、通路圖案、至少一無源元件及通路布線。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中該堆迭的半導(dǎo)體芯片單元藉由下半導(dǎo)體芯片的通路圖案和上半導(dǎo)體芯片的通路布線的接觸而電連接。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該外部連接端包括焊錫球。
10.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括以下步驟
在半導(dǎo)體芯片的第二表面形成絕緣層，該半導(dǎo)體芯片的第二表面與第一表面相對，在第一表面鄰近處形成電路部分；
在絕緣層上形成至少一無源元件，及形成穿過該絕緣層并且連接到該至少一無源元件的通路圖案；
形成穿過半導(dǎo)體芯片并且連接到該通路圖案的通路布線；
將該半導(dǎo)體芯片裝設(shè)于基板，使得該半導(dǎo)體芯片的第一表面面向基板，該半導(dǎo)體芯片具有至少一無源元件和在該半導(dǎo)體芯片的第二表面上形成的絕緣層；及
將外部連接端附著于基板的第二表面上，該第二表面與裝設(shè)半導(dǎo)體芯片的基板的第一表面相對。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中執(zhí)行在半導(dǎo)體芯片的第二表面形成絕緣層的步驟時，在半導(dǎo)體芯片的第一表面形成保護(hù)膜。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中至少實行兩次形成絕緣層、形成至少一無源元件、形成通路圖案及形成通路布線的步驟。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成絕緣層、至少形成一無源元件、形成通路圖案及形成通路布線的步驟在一晶片級執(zhí)行。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該至少一無源元件包含電阻器、電感器、及電容器。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，又包括以下步驟
在絕緣層上形成保護(hù)層，該絕緣層具有至少一無源元件和在其上形成并穿過其的通路圖案。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該保護(hù)層形成為具有使通路圖案暴露的孔洞。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，又包括以下步驟
堆迭至少兩個半導(dǎo)體芯片單元，該半導(dǎo)體芯片單元皆包含絕緣層、通路圖案、無源元件、通路布線及半導(dǎo)體芯片。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中堆迭步驟在晶片級執(zhí)行。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中堆迭步驟藉由通過通路圖案和通路布線使半導(dǎo)體芯片單元彼此電連接而實行。
20.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該外部連接端形成為焊錫球。
全文摘要
一半導(dǎo)體封裝包含一基板，該基板上設(shè)有一半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片的第一表面面對該基板。一電路部分在鄰接第一表面處形成。一絕緣層在半導(dǎo)體芯片的第二表面形成，該第二表面與第一表面相對。該絕緣層上形成無源元件。形成通路圖案以穿過絕緣層并且與無源元件相連。該通路布線形成為穿過半導(dǎo)體芯片并且連接到電路部分、通路圖案及基板。外部連接端附著于基板的第一表面，該第一表面與裝設(shè)半導(dǎo)體芯片的基板的第二表面相對。
文檔編號H01L21/60GK101097899SQ200710005378
公開日2008年1月2日 申請日期2007年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月29日
發(fā)明者梁勝宅 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司