專利名稱：薄膜晶體管陣列襯底的制造方法、及薄膜晶體管陣列襯底的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明，涉及一種薄膜晶體管陣列襯底的制造方法、以及薄膜晶體管陣列襯底，特別是有關(guān)構(gòu)成MVA方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列襯底。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置，具有小型、薄型、低耗電、重量輕等的長處，廣泛地應(yīng)用于各種電子器件。特別是，包含了作為每個像素的開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣型液晶顯示裝置，因為具有與CRT相同的顯示性能，廣泛應(yīng)用于電腦等的OA機器、電視等的AV機器或攜帶電話等中。特別是近年，大型化、高精細(xì)化、高開口率化等的品位提高在急劇進展。

這樣，其利用范圍不斷擴大的有源矩陣型的液晶顯示裝置，期望其價格降低。特別是，通過提高構(gòu)成有源矩陣型液晶顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的生產(chǎn)性降低制造成本，研究了種種降低價格的方法，其中，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的一個工序，就減少利用照相平面印刷法的照相平面印刷工序的次數(shù)的方法，廣泛地進行了研究。

在此，照相平版印刷工序，由(1)在形成了薄膜的襯底上涂布抗蝕劑的工序，(2)用光掩模進行光曝光，在抗蝕劑上形成掩模圖案的潛象的工序，(3)通過顯像使抗蝕膜成為圖案，蝕刻薄膜的工序，(4)剝離抗蝕膜的工序，的一連串工序構(gòu)成，在薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序中是必不可少的制造工序。

例如，專利文獻1、2、3、以及4中，揭示了照相平版印刷工序的次數(shù)降低到四次的透過型薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造方法。

還有，專利文獻5、6、7、以及8中，揭示了照相平版印刷工序的次數(shù)降低到三次的透過型薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造方法。

然而，專利文獻5、6、以及8中，不是詳細(xì)說明構(gòu)成像素的像素電極、或者外部引出電極的形成，因為考慮了它的形成的情況，還最少需要一次照相平面印刷工序，照相平面印刷工序就成為四次以上。

再有，專利文獻7中，揭示了上層?xùn)艠O(top gate)型薄膜晶體管(TFT)陣列的制造方法，但是，對于來自絕緣襯底一側(cè)的光，構(gòu)成薄膜晶體管(TFT)的半導(dǎo)體層的溝道部沒有成為遮光構(gòu)造，所以，流動因光引起的泄漏電流，on/off比(在進行柵極電壓下的漏極電流的開關(guān)之際，on狀態(tài)的電流和off狀態(tài)的泄漏電流的比)變壞，這成為問題。

還有，以前的液晶顯示裝置中，在相對薄膜晶體管(TFT)陣列襯底設(shè)置的相對襯底中，以重疊薄膜晶體管(TFT)陣列襯底上的薄膜晶體管(TFT)、柵極線、以及源極線的方式，形成了由鉻或黑色樹脂等的稱為黑底的遮光區(qū)域，通過薄膜晶體管(TFT)和相對襯底的粘合，防止向薄膜晶體管(TFT)的光的侵入，抑制由光引起的泄漏電流的產(chǎn)生，這已為所知。

然而，考慮上述薄膜晶體管(TFT)陣列襯底和相對襯底的粘合時的重疊邊緣的話，有必要擴大形成遮光區(qū)域，像素的開口率就會降低，這稱為問題。

因此，為了抑制像素開口率的降低，進行了在薄膜晶體管(TFT)陣列襯底上，以覆蓋薄膜晶體管(TFT)、柵極線、以及源極線的方式，形成了黑色抗蝕膜那樣的遮光膜，由此，省略了相對襯底的黑底，使薄膜晶體管(TFT)陣列襯底和相對襯底的粘合時的重疊變得容易的試驗。

這樣的話，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序中必要的照相平面印刷工序的次數(shù)，因為要形成上述遮光膜，還需要增加一次。

如以上說明的那樣，構(gòu)成透過型的液晶顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造中，最低需要四次照相平面印刷工序。

可是，電腦的顯示屏以及液晶電視所使用的畫面尺寸較大的液晶顯示裝置中，特別是對亮度、對比度、視角特性等的顯示品位有效的具有多重區(qū)域(Multi-domain)的垂直定向方式(VAVertical Alignment)，也就是所謂的MVA(Multi-domain Vertical Alignment)方式，近年廣泛地得到普及(例如，參照專利文獻9、10以及11)。

這個MVA方式的液晶顯示裝置中，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底上的像素電極、以及相對襯底上的共通電極的至少一個上，設(shè)置了為控制切除圖案(電極開口部)以及液晶分子的定向的突起部。并且，MVA方式的液晶顯示裝置中，由這個切除圖案形成的干擾區(qū)域(Fringe Field)以及突起部的傾斜部分中的液晶分子的傾斜方向，使像素內(nèi)的液晶分子的定向方向分散為多個方向?qū)崿F(xiàn)廣視野角。

即便是在這個顯示品位優(yōu)異的MVA方式的液晶顯示裝置中，如上所述那樣，最好的是通過減少照相平面印刷工序的次數(shù)、提高薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的生產(chǎn)性，降低制造成本，謀得低價格化。 (專利文獻1)日本專利公開平9-152626號公報
(專利文獻2)日本專利公開平9-236826號公報
(專利文獻3)日本專利公開2000-258799號公報
(專利文獻4)日本專利公開2001-5038號公報
(專利文獻5)日本專利公開平3-60042號公報
(專利文獻6)日本專利公開平8-242004號公報
(專利文獻7)日本專利公開2001-188252號公報
(專利文獻8)日本專利公開2002-343811號公報
(專利文獻9)日本專利公開2001-83523號公報
(專利文獻10)日本專利公開2001-21894號公報
(專利文獻11)日本專利公開2001-109009號公報

發(fā)明內(nèi)容

(發(fā)明所要解決的課題) 本發(fā)明，是鑒于上述點所發(fā)明的，其目的在于在構(gòu)成MVA方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列襯底中，比以前的制造方法減少照相平面印刷工序的次數(shù)，使制造工序的縮短以及制造成本的降低成為可能。

(解決課題的方法) 本發(fā)明，是將薄膜晶體管陣列襯底的制造工序的照相平面印刷工序減少到三次。

具體地講，本發(fā)明所涉及的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，是制造包括設(shè)置在襯底上的多個像素，設(shè)置在該每個各像素上、具有對應(yīng)柵電極、源電極、漏電極、以及上述柵電極形成溝道部的半導(dǎo)體層的多個薄膜晶體管，連接上述源電極的源極線，連接在上述漏電極上的為向包含液晶分子的液晶層施加電壓的像素電極，設(shè)置在該像素電極上的為控制上述液晶分子定向的突起部的薄膜晶體管陣列襯底的方法，其特征在于包括第一工序，在上述襯底上通過照相平板印刷術(shù)圖案形成上述柵電極；第二工序，對形成了上述柵電極的襯底，形成以柵極絕緣膜、成為上述半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體膜、以及包含以覆蓋該半導(dǎo)體膜的方式設(shè)置的透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜的順序?qū)盈B的層疊體，通過照相平板印刷術(shù)對該層疊體圖案形成上述薄膜晶體管；第三工序，通過照相平板印刷術(shù)，在形成覆蓋上述薄膜晶體管的保護層、以及上述突起部的同時，使上述透明導(dǎo)電膜的一部分露出形成上述像素電極；另外，上述第二工序，包括在形成了覆蓋上述層疊體的抗蝕膜后，對該抗蝕膜進行的在上述層疊體區(qū)域分別形成成為上述溝道區(qū)域、源極線、源電極、以及漏電極部分以外的區(qū)域的上方位置露出上述導(dǎo)電膜的第一開口部，和在成為上述溝道部的層疊體區(qū)域的上方位置具有所規(guī)定厚度的底部的第二開口部的抗蝕圖案形成工序；蝕刻從上述第一開口部露出的上述導(dǎo)電膜、和該導(dǎo)電膜下方的半導(dǎo)體膜的第一蝕刻工序，蝕刻除去上述第二開口部的底部后露出的導(dǎo)電膜的第二蝕刻工序。

根據(jù)上述的制造方法，首先，在第一工序中，在襯底上圖案形成柵電極。

其次，在第二工序中，對形成了柵電極的襯底，形成以柵極絕緣膜、半導(dǎo)體膜、以及包含以覆蓋這個半導(dǎo)體膜的方式設(shè)置的透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜的順序?qū)盈B的層疊體，在形成覆蓋這個層疊體的抗蝕膜后，對這個抗蝕膜分別形成在上述層疊體區(qū)域分別形成成為上述溝道區(qū)域、源極線、源電極、以及漏電極部分以外的區(qū)域的上方位置露出上述導(dǎo)電膜的第一開口部，和在成為上述溝道部的層疊體區(qū)域的上方位置具有所規(guī)定厚度的底部的第二開口部，形成抗蝕圖案。

并且，蝕刻了從上述抗蝕圖案的第一開口部露出的導(dǎo)電膜，和這個導(dǎo)電膜下方的半導(dǎo)體膜，除去第二開口部的底部露出導(dǎo)電膜，蝕刻這個導(dǎo)電膜，圖案形成薄膜晶體管。

接下來，在第三工序中，在形成覆蓋薄膜晶體管的保護層、以及為控制液晶分子的定向的突起部的同時，使上述透明導(dǎo)電膜的一部分露出形成上述像素電極。

由此，可以由第一工序、第二工序、以及第三工序的合計三回照相平面印刷工序制造薄膜晶體管陣列襯底。為此，在構(gòu)成MVA方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底中，制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

上述導(dǎo)電膜，有遮光性，還可以由上述第三工序，蝕刻比上述漏電極的周端更靠內(nèi)側(cè)的導(dǎo)電膜。

根據(jù)上述制造方法，因為是通過蝕刻比上述漏電極的周端更靠內(nèi)側(cè)的導(dǎo)電膜形成像素電極，所以，光透過性的像素電極的周圍，由遮光性的導(dǎo)電膜構(gòu)成的漏電極遮光。由此，抑制了像素電極間的光泄漏。

上述半導(dǎo)體膜，由上層的第一半導(dǎo)體膜和下層的第二半導(dǎo)體膜構(gòu)成，還可以由上述第二蝕刻工序，蝕刻上述露出的導(dǎo)電膜和上述第一半導(dǎo)體膜。

根據(jù)上述制造方法，例如，上層的第一半導(dǎo)體膜是n+非晶硅膜、下層的第二半導(dǎo)體膜是天性非晶硅膜的情況下，通過蝕刻由第二蝕刻工序除去第二開口部的底部露出的導(dǎo)電膜以及n+非晶硅膜的第一半導(dǎo)體層，露出天性非晶硅膜的第二半導(dǎo)體膜形成溝道部。

在上述保護層的上層或下層，形成了遮光層，上述遮光層，還可以在上述第三工序中和上述保護層同時形成。

根據(jù)上述制造方法，通過在保護膜的上層或下層形成遮光層，與保護層同時形成遮光層。由此，不需增加照相平面印刷工序的次數(shù)就可形成遮光層。

上述保護層，還可以是由遮光性材料形成的。

根據(jù)上述制造方法，因為保護層是由遮光材料形成的，所以不再需要設(shè)置形成遮光膜的工序。為此，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

上述柵電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第一金屬層疊膜形成的，上述第一金屬層疊膜，還可以包含由鋁膜或鋁合金膜構(gòu)成的金屬膜。

根據(jù)上述制造方法，形成柵電極的第一金屬層疊膜，包含由鋁膜或鋁合金膜構(gòu)成的金屬膜。一般的，鋁膜或鋁合金膜是低電阻材料，所以降低了布線的電阻。

上述導(dǎo)電膜，還可以是只由上述透明導(dǎo)電膜單層構(gòu)成的。

根據(jù)上述制造方法，因為導(dǎo)電膜是只由上述透明導(dǎo)電膜單層構(gòu)成的，所以，在第三工序中不再需要露出透明導(dǎo)電膜。為此，第三工序中，只要形成保護膜，就能形成像素電極。為此，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

上述導(dǎo)電膜，是由氧化銦和氧化錫的化合物構(gòu)成的上述透明導(dǎo)電膜、和以覆蓋該透明導(dǎo)電膜的方式設(shè)置的層疊多層金屬膜構(gòu)成的第二金屬層疊膜形成的，上述第二金屬層疊膜，還可以是由下層的鉬膜或鉬合金膜和上層的鋁膜或鋁合金膜形成的。

根據(jù)上述制造方法，氧化銦和氧化錫的化合物構(gòu)成的上述透明導(dǎo)電膜的上層成為鉬膜或鉬合金膜，這個鉬膜或鉬合金膜的上層成為鋁膜或鋁合金膜。為此，鋁膜或鋁合金膜和ITO膜之間夾著鉬膜或鉬合金膜，所以，在蝕刻鋁膜或鋁合金膜之際，可以抑制鋁膜或鋁合金膜和ITO膜之間形成局部電池。由此，抑制了鋁膜或鋁合金膜和ITO膜之間的電腐蝕(電蝕)。

上述半導(dǎo)體膜，還可以是由比相同厚度的非晶硅透光率高的材料形成的。

根據(jù)上述制造方法，半導(dǎo)體膜是由比同樣厚度的非晶硅光透過率高的材料形成的。并且，像素電極中，半導(dǎo)體膜重疊著，就可以提高對應(yīng)這個像素電極的區(qū)域的光透過率。

上述第一工序中，連接在上述柵電極上的多條柵極線及其延長設(shè)置部的柵極線外部引出電極，還可以與該柵電極同時形成。

根據(jù)上述制造方法，因為多條柵極線及其延長設(shè)置部的柵極線外部引出電極是與柵電極同時形成的，所以，不需增加制造工序就可以形成柵極線及柵極線外部引出電極。為此，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

上述柵電極、柵極線、以及柵極線外部引出電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第一金屬層疊膜形成的，同時，上述第一金屬層疊膜的最下層，是由鈦膜或鈦合金膜形成的，在第三工序中，通過蝕刻，還可以露出對應(yīng)上述柵極線外部引出電極部分的上述鈦膜或鈦合金膜。

根據(jù)上述制造方法，柵極線外部引出電極，是由鈦膜或鈦合金膜形成的。并且，鈦膜或鈦合金膜是不容易氧化的材料，也就抑制了柵極線外部引出電極的氧化。

上述第一金屬層疊膜，還可以是由上述最下層的鈦膜或鈦合金膜、由鋁膜或鋁合金膜構(gòu)成的金屬膜，和以覆蓋該金屬膜的方式設(shè)置的鉬膜或鉬合金膜形成的。

根據(jù)上述制造方法，鉬膜或者鉬合金膜，由蝕刻鋁膜或鋁合金膜的蝕刻劑，能夠容易的被蝕刻，所以，確實能夠保留第一金屬層疊膜的最下層鈦膜或鈦合金膜，形成柵極線外部引出電極。

還有，在鋁膜或鋁合金膜構(gòu)成的金屬膜的上層，是鉬膜或鉬合金膜，所以，由于這個鉬膜或鉬合金膜，抑制了鋁膜或鋁合金膜表面的突起物(hillock)的產(chǎn)生。為此，例如，通過小丘(hillock)貫通絕緣膜降低引起層間泄漏電流的發(fā)生。

再有，第一金屬層疊膜，包含由鋁膜或鋁合金膜構(gòu)成的金屬膜。為此，由于鋁膜或鋁合金膜是低電阻材料，所以降低了布線的電阻。

上述柵電極、柵極線、以及柵極線外部引出電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第一金屬層疊膜形成的同時，上述第一金屬層疊膜的最上層，還可以是由鈦膜或鈦合金膜形成的。

根據(jù)上述制造方法，鈦膜或鈦合金膜，例如，與鋁膜鋁合金膜形成的金屬膜相比，不容易被氧化，也就抑制了柵極線外部引出電極的氧化。為此，與容易氧化的鋁膜或鋁合金膜形成的金屬膜露出的情況不同，不再需要柵極線外部引出電極的對應(yīng)部分的容易被氧化的金屬膜的蝕刻，制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

上述第一金屬層疊膜，包含鋁膜或鋁合金膜，在上述第三工序中，還可以蝕刻比上述柵極線外部引出電極的周端更靠內(nèi)側(cè)的保護層及柵極絕緣層。

根據(jù)上述制造方法，通過蝕刻比上述柵極線外部引出電極的周端更靠內(nèi)側(cè)的保護層及柵極絕緣層，構(gòu)成第一金屬層疊膜的鋁膜或鋁合金膜不再露出。還有，通過蝕刻露出的第一金屬層疊膜的最上層，因為是不容易氧化的鈦膜或氮化鈦膜，所以，柵極線外部引出電極也就成為不易氧化的構(gòu)成。

上述第二工序中，在與上述多條柵極線交叉的方向上，與上述源電極同時形成上述多條源極線及其延長設(shè)置部的源極線外部引出電極。

根據(jù)上述制造方法，多條源極線及其延長設(shè)置部的源極線外部引出電極，與源極同時形成的，所以不需要增加制造工序，形成源極線及源極線外部引出電極。為此，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

上述柵電極、柵極線、以及柵極線外部引出電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第一金屬層疊膜形成的，上述源電極、源極線、以及源極線外部引出電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第二金屬層疊膜形成的同時，在第三工序中，通過蝕刻，除去對應(yīng)上述柵極線外部引出電極及源極線外部引出電極的部分的上述第一金屬層疊膜及第二金屬層疊膜的至少最上層。

根據(jù)上述制造方法，與像素電極形成的同時，除去對應(yīng)上述柵極線外部引出電極及源極線外部引出電極的部分的上述第一金屬層疊膜及第二金屬層疊膜的至少最上層，所以，不需要增加制造工序，就可以改變對應(yīng)柵極線外部引出電極及源極線外部引出電極的部分的層疊構(gòu)造。為此，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

上述第一金屬層疊膜及第二金屬層疊膜的最上層，還可以是由鋁膜或鋁合金膜、或者是在鋁膜或鋁合金膜上層疊鉬膜或鉬合金膜形成的膜形成的。

根據(jù)上述制造方法，因為對應(yīng)柵極線外部引出電極及源極線外部引出電極的部分的各自的層疊膜的最上層，是鋁膜或鋁合金膜、或者是鋁膜或鋁合金膜上層疊鉬膜或鉬合金膜形成的膜形成的，所以，與像素電極的形成同時，形成了柵極線外部引出電極及源極線外部引出電極，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

這時，這個層疊膜的最上層，是由鋁膜或鋁合金膜形成的情況，除去容易氧化的鋁膜或鋁合金膜，就能夠抑制柵極線外部引出電極及源極線外部引出電極的氧化。

還有，這個層疊膜的最上層，是由在鋁膜或鋁合金膜上層疊了鉬膜或鉬合金膜形成的膜形成的情況下，由于鋁膜或鋁合金膜上層疊的鉬膜或鉬合金膜，抑制了鋁膜或鋁合金膜的表面突起物(hillock)的產(chǎn)生。

再有，鉬膜或鉬合金膜的下層形成了ITO膜的情況，在鋁膜或鋁合金膜和ITO膜間夾著鉬膜或鉬合金膜，所以，在蝕刻鋁膜或鋁合金膜之際，可以抑制鋁膜或鋁合金膜和ITO膜之間形成局部電池。由此，抑制了鋁膜或鋁合金膜和ITO膜之間的電腐蝕(電蝕)。

上述保護層，具有遮光性，還可以是以覆蓋上述薄膜晶體管、柵極線、以及源極線的方式形成的。

根據(jù)上述制造方法，因為具有遮光性的保護層，是以覆蓋薄膜晶體管、柵極線、以及源極線的方式形成的，所以，這個保護層，在遮擋射入薄膜晶體管(TFT)的光的同時，還起著各像素間的光遮擋圖案(黑底)的功能。為此，不再需要通常與薄膜晶體管(TFT)陣列襯底相對設(shè)置的相對襯底中設(shè)置的黑底，縮短了相對襯底的制造工序。還有，也抑制了由于薄膜晶體管(TFT)陣列襯底和相對襯底對合時因偏離而產(chǎn)生的像素間的光泄漏及在薄膜晶體管(TFT)上的光泄漏電流的產(chǎn)生。

在上述第三工序中，通過蝕刻，形成至少對應(yīng)上述多條柵極線外部引出電極及多條源極線外部引出電極之一的一個開口部，還可以露出該多條柵極線外部引出電極及多條源極線外部引出電極。

根據(jù)上述制造方法，通過形成至少對應(yīng)上述多條柵極線外部引出電極及多條源極線外部引出電極之一的一個開口部，各外部引出電極就可露出，所以，各外部引出電極的上層及其之間，不存在任何層。為此，各外部引出電極、和例如由TAB(Tape Automated Bonding)法與外部驅(qū)動電路的連接變得容易。還有，在各外部引出電極的每一個上形成開口部，與外部驅(qū)動電路連接的情況下，使其開口部的底面附近的薄膜脫落，有可能出現(xiàn)突出的懸崖形(overhang)的不安定斷面構(gòu)造。本發(fā)明中，各外部引出電極露出在一個開口部，所以，不會形成突出的懸崖形(overhang)，安定的與外部驅(qū)動電路的連接成為可能。

在上述第三工序中，還可以蝕刻形成在比上述漏電極的周端更靠外側(cè)區(qū)域的上述保護層的保護膜、以及柵極絕緣膜。

例如，應(yīng)由第二工序的第一蝕刻工序蝕刻的半導(dǎo)體膜沒有完全被蝕刻的情況，在像素電極和源極線之間就有可能殘留這個半導(dǎo)體膜。根據(jù)上述制造方法，在第三工序中，半導(dǎo)體膜和柵極絕緣膜為同時蝕刻的材料的情況，在蝕刻比漏電極的周端更靠外側(cè)的區(qū)域的形成保護層的保護膜及柵極絕緣膜之際，與柵極絕緣膜的蝕刻同時殘留的半導(dǎo)體膜也被蝕刻。為此，抑制了像素電極和源極線之間的短路。

還有，本發(fā)明所涉及的薄膜晶體管陣列襯底，是制造包括設(shè)置在襯底上的多個像素，設(shè)置在該每個各像素上、具有對應(yīng)柵電極、源電極、漏電極、以及上述柵電極形成的溝道部的半導(dǎo)體層的多個薄膜晶體管，連接在上述源電極上的源極線，連接在上述漏電極上的為向包含液晶分子的液晶層施加電壓的像素電極，設(shè)置在該像素電極上的為控制上述液晶分子定向的突起部的薄膜晶體管陣列襯底的方法所制造的薄膜晶體管陣列襯底，其特征在于上述薄膜晶體管陣列襯底的方法包括第一工序，在上述襯底上通過照相平板印刷術(shù)圖案形成上述柵電極，第二工序，對形成了上述柵電極的襯底，形成以覆蓋柵極絕緣膜、成為上述半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體膜、以及該半導(dǎo)體膜的方式設(shè)置的包含透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜是按照上述這個順序?qū)盈B的層疊體，通過照相平板印刷術(shù)對該層疊體圖案形成上述薄膜晶體管，第三工序，通過照相平板印刷術(shù)，在形成覆蓋上述薄膜晶體管的保護層、以及上述突起部的同時，使上述透明導(dǎo)電膜的一部分露出形成上述像素電極；另外，上述第二工序，包括在形成了覆蓋上述層疊體的抗蝕膜后，對該抗蝕膜進行的在上述層疊體區(qū)域分別形成成為上述溝道區(qū)域、源極線、源電極、以及漏電極部分以外的區(qū)域的上方位置露出上述導(dǎo)電膜的第一開口部，和在成為上述溝道部的層疊體區(qū)域的上方位置具有所規(guī)定厚度的底部的第二開口部的抗蝕圖案形成工序；蝕刻從上述第一開口部露出的上述導(dǎo)電膜、和該導(dǎo)電膜下方的半導(dǎo)體膜的第一蝕刻工序，蝕刻除去上述第二開口部的底部后露出的導(dǎo)電膜的第二蝕刻工序；還有，在上述突起部的下層上，設(shè)置了上述半導(dǎo)體膜、以及以覆蓋該半導(dǎo)體膜的方式設(shè)置的導(dǎo)電膜。

-發(fā)明的效果- 根據(jù)本發(fā)明，因為可以由第一工序、第二工序、及第三工序的合計三次照相平面印刷工序制造薄膜晶體管陣列襯底，所以，在構(gòu)成MVA方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列襯底中，能夠進行制造工序的縮短及制造成本的降低。




圖1，是表示實施方式1的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的平面模式圖。
圖2，是表示實施方式1的柵電極形成工序中，形成了第一金屬層疊膜19a的襯底的剖面模式圖，是對應(yīng)圖1中II-II線的圖。
圖3，是表示實施方式1的柵電極形成工序中，形成了柵電極4a的襯底的剖面模式圖。
圖4，是表示實施方式1的層疊體形成工序中，形成了層疊體18的襯底的剖面模式圖。
圖5，是表示實施方式1的第一抗蝕圖案形成工序中，形成了抗蝕圖案13a的襯底的剖面模式圖。
圖6，是表示實施方式1的第一蝕刻工序中，由第一抗蝕圖案13a進行了蝕刻的襯底的剖面模式圖。
圖7，是表示實施方式1的第二抗蝕圖案形成工序中，形成了第二抗蝕圖案13b的襯底的剖面模式圖。
圖8，是表示實施方式1的第二蝕刻工序中，由第二抗蝕圖案13b進行了蝕刻的襯底的剖面模式圖。
圖9，是表示實施方式1的像素電極形成工序中，按照保護膜15及定向控制用膜16的順序成膜的襯底的剖面模式圖。
圖10，是表示實施方式1的像素電極形成工序中，形成了像素電極9d、保護遮光層17a、及突起部17b的襯底的剖面模式圖，也是有源矩陣襯底30a的剖面模式圖。
圖11，是表示實施方式1的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的端部的平面模式圖，也是表示柵極線外部引出端子4c的圖。
圖12，是沿著圖11中的XII-XII線的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的剖面模式圖。
圖13，是表示實施方式1的像素電極形成工序中，按照保護膜15及定向控制用膜16的順序成膜的襯底的對應(yīng)圖12的剖面模式圖。
圖14，是表示實施方式1的像素電極形成工序中，形成了像素電極9b、保護遮光層17a、及突起部17b的襯底的對應(yīng)圖12的剖面模式圖。
圖15，是表示實施方式1的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的端部的平面模式圖，也是表示源極線外部引出端子12g的圖。
圖16，是沿著圖11中的XII-XII線的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的剖面模式圖。
圖17，是表示實施方式1的像素電極形成工序中，按照保護膜15及定向控制用膜16的順序成膜的襯底的對應(yīng)圖16的剖面模式圖。
圖18，是表示實施方式1的像素電極形成工序中，形成了像素電極9b、保護遮光層17a、及突起部17b的襯底的對應(yīng)圖16的剖面模式圖。
圖19，是表示實施方式2的柵電極形成工序中，形成了第一金屬層疊膜19a的襯底的剖面模式圖。
圖20，是表示實施方式21的柵電極形成工序中，形成了柵電極4a的襯底的剖面模式圖。
圖21，是表示實施方式2的層疊體形成工序中，形成了層疊體18的襯底的剖面模式圖。
圖22，是表示實施方式2的第一抗蝕圖案形成工序中，形成了抗蝕圖案13a的襯底的剖面模式圖。
圖23，是表示實施方式2的第一蝕刻工序中，由第一抗蝕圖案13a進行了蝕刻的襯底的剖面模式圖。
圖24，是表示實施方式2的第二抗蝕圖案形成工序中，形成了第二抗蝕圖案13b的襯底的剖面模式圖。
圖25，是表示實施方式2的第二蝕刻工序中，由第二抗蝕圖案13b進行了蝕刻的襯底的剖面模式圖。
圖26，是表示實施方式2的像素電極形成工序中，按照保護膜15及定向控制用膜16的順序成膜的襯底的剖面模式圖。
圖27，是表示實施方式2的像素電極形成工序中，形成了像素電極25d、保護遮光層17a、及突起部17b的襯底的剖面模式圖，也是有源矩陣襯底30b的剖面模式圖。
圖28，是表示實施方式2的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b的端部的平面模式圖，也是表示柵極線外部引出端子4b的圖。
圖29，是沿著圖28中的XXIX-XXIX線的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b的剖面模式圖。
圖30，是作為實施方式1的比較例，在像素電極形成工序中，對應(yīng)圖13的剖面模式圖。
圖31，是作為實施方式1的比較例，在像素電極形成工序中，對應(yīng)圖14的剖面模式圖。
圖32，是作為實施方式1的比較例，在像素電極形成工序中，對應(yīng)圖12的剖面模式圖。
圖33，是作為實施方式1的比較例，在像素電極形成工序中，對應(yīng)圖17的剖面模式圖。
圖34，是作為實施方式1的比較例，在像素電極形成工序中，對應(yīng)圖18的剖面模式圖。
圖35，是作為實施方式1的比較例，在像素電極形成工序中，對應(yīng)圖16的剖面模式圖 (符號說明)
B 底部 C 溝道部 1 絕緣襯底 2、21 柵極第一金屬膜 3、22 柵極第二金屬膜 4 柵極線 4a 柵電極 4b 柵極線外部引出電極 5 柵極絕緣膜 6 真性非晶硅膜(第一半導(dǎo)體膜) 7 n+非晶硅膜(第二半導(dǎo)體膜) 8、24 半導(dǎo)體膜 8a、24a半導(dǎo)體層 9、25 透明導(dǎo)電膜 9d、25d像素電極 12 導(dǎo)電膜 12b 源極線 12c、25b 源電極 12e、25c 漏電極 12f 源極線外部引出電極 13a 第一抗蝕圖案 13b 第二抗蝕圖案 14a 第一開口部 14b 第二開口部 15a 保護層 16a 遮光層 17b 突起部 17c 開口部 18層疊體 19a 第一金屬層疊膜 19b 第二金屬層疊膜 20薄膜晶體管(TFT) 23柵極第三金屬膜 30a、30b 薄膜晶體管(TFT)陣列襯底
具體實施例方式
以下，基于附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。尚，本發(fā)明，并不為以下的實施方式所限定。

《發(fā)明的實施方式1》 以下，說明本發(fā)明的實施方式1所涉及的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a。

圖1，是表示薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的一個像素的平面模式圖。

薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a，和相對設(shè)置的相對襯底、以及被兩襯底夾持設(shè)置的液晶層一起構(gòu)成液晶顯示裝置。尚，液晶層，具有負(fù)的介電常數(shù)異向性(Δε＜0)，由垂直定向型的相向的(nematic)液晶(液晶分子)等構(gòu)成。

這個薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a，如圖1所示那樣，在絕緣襯底上包括以相互平行延伸的方式設(shè)置的多條柵極線4、和以與柵極線4垂直相交方向平行延伸的方式設(shè)置的多條源極線12b。并且，柵極線4和源極線12的各交叉部分上設(shè)置了薄膜晶體管(TFT)20。還有，對應(yīng)各薄膜晶體管(TFT)20由一對柵極線4及一對源極線12b圍成的顯示區(qū)域上設(shè)置了構(gòu)成像素的像素電極9d。并且，像素電極9d，被為了控制液晶分子的定向而設(shè)置的突起部17b區(qū)分。還有，在像素電極9d上設(shè)置了定向膜(未圖示)。再有，在各柵極線4及源極線12b的末端上，分別設(shè)置了后面所述的柵極線外部引出端子4c及源極線外部引出端子12g。

薄膜晶體管(TFT)20，如圖10所示那樣，是由從柵極線4向側(cè)方向突出的突出部形成的柵電極4a、在柵電極4a上隔著柵極絕緣膜5設(shè)置的半導(dǎo)體層8a、在半導(dǎo)體層8a上由從源極線12b向側(cè)方向突出的突出部形成的源電極12c、和在半導(dǎo)體層8a上與以和源電極12c相對的方式設(shè)置的像素電極9d連接的漏電極12e構(gòu)成。并且，半導(dǎo)體層8a上，對應(yīng)柵電極4a，在源電極12c和漏電極12e之間的區(qū)域設(shè)置了溝道部C。再有，以覆蓋薄膜晶體管(TFT)20的方式，設(shè)置了由保護層15a及遮光層16a形成的保護遮光層17a。還有，這個保護遮光層17a，以覆蓋柵極線4及源極線12b的方式設(shè)置。

突起部17b，如圖1所示那樣，設(shè)置為從柵極線4及源極線12b上設(shè)置的保護遮光層17a延長設(shè)置，相對于柵極線4及源極線12b的延長方向斜向延長。通過突起部17b，在一個像素內(nèi)，液晶分子的定向被分割，就能夠?qū)崿F(xiàn)液晶顯示裝置的廣視野角化，也就是MVA(Multi-domain Vertical Alignment)方式的液晶顯示裝置。

還有，本實施方式中，是以像素以矩陣狀排列、柵極線4及源極線12b垂直相交的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的為例的，但是，同樣也適用于例如像素以三角形(delta)排列的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的情況。尚，這也同樣適用于后述的實施方式2。

再有，本實施方式中，是以柵電極4a從柵極線4向側(cè)方向突出的薄膜晶體管(TFT)20為例的，但是，本發(fā)明，也適用于在柵極線4上設(shè)置了薄膜晶體管(TFT)的溝道部、即所謂的薄膜晶體管(TFT)上柵極構(gòu)造等的情況。尚，這也同樣適用于后述的實施方式2。

接下來，用圖2至圖10說明上述構(gòu)成的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的制造方法。在此，圖2至圖10，是圖1中沿II-II線的剖面模式圖。這個薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a，是通過以下所示的第一工序的柵電極形成工序，第二工序的層疊體形成工序、第一抗蝕圖案形成工序、第一蝕刻工序、第二抗蝕圖案形成工序及第二蝕刻工序，和第三工序的像素電極形成工序制造的。

首先，柵電極形成工序中，如圖2所示那樣，在玻璃襯底等的絕緣襯底1上的整個襯底上，通過噴鍍(spattering)法，按順序形成由鈦膜形成的柵極第一金屬膜2(厚度500唉程度)及由鋁膜形成的柵極第二金屬膜3(厚度3000唉程度)的膜，形成第一金屬層疊膜19a。

接下來，通過照相平面印刷法圖案形成第一金屬層疊層19a，形成由柵極第一金屬層2a及柵極第二層3a構(gòu)成的柵電極4a、柵極線4、柵極線外部引出電極4c。

在此，形成柵電極4a的第一金屬層疊膜19a，因為包含了低電阻材料的鋁膜或鋁合金膜，所以能夠降低柵極線4的布線電阻。

還有，在由鋁膜構(gòu)成的柵極第二金屬膜3a上，再形成鉬膜或鉬合金膜也是可以的。根據(jù)這種構(gòu)成，通過鋁膜上層的鉬膜或鉬合金膜，能夠抑制在鋁膜表面上產(chǎn)生突起物(hillock＝小丘)。為此，例如，可以降低由于小丘貫通絕緣膜引起的層間漏電的發(fā)生。在此，所謂的小丘，是由于熱過程或等離子過程等的熱經(jīng)歷，在鋁膜的表面發(fā)生的突起物。再有，鉬膜或鉬合金膜，會由于使用于鋁膜或鋁合金膜的蝕刻的蝕刻劑，例如，硝酸、磷酸以及醋酸的混合液，很容易的就被蝕刻，所以，可在后述的鋁膜的蝕刻的同時除去，不需要另外設(shè)置蝕刻工序。

接下來進行的層疊體形成工序中，如圖4所示那樣，首先，在形成了柵電極4a等的整個襯底上，通過等離子CVD法，按順序形成氮化硅膜形成的柵極絕緣膜5(厚度4000唉程度)、天性非晶硅膜6(厚度1500唉程度)及磷等的摻雜的n+非晶硅膜7(厚度500唉程度)。

接下來，在整個襯底上，通過噴鍍法，按順序形成由氧化銦和氧化錫的化合物的ITO(Indium Tin Oxide)膜形成的透明導(dǎo)電膜9(厚度1000唉程度)、由鉬膜形成的源極第一金屬膜10(厚度1000唉程度)、以及由鋁膜形成的源極第二金屬膜11(厚度1000唉程度)。

由此，從下層的順序形成了由柵極絕緣膜5、天性非晶硅膜6、n+非晶硅膜7、透明導(dǎo)電膜9、源極第一金屬膜10及源極第二金屬膜11層疊成的層疊體18。在此，半導(dǎo)體膜8，為天性非晶硅膜6和n+非晶硅膜7的層疊膜，導(dǎo)電膜12，是透明導(dǎo)電膜9、和由源極第一金屬膜10及源極第二金屬膜11形成的第二金屬層疊膜19b的層疊膜。

還有，因為鋁膜和ITO膜之間夾著鉬膜，所以，在后續(xù)工序蝕刻鋁膜之際，能夠抑制鋁膜和ITO膜之間形成局部電池。由此，就可以防止鋁膜和ITO膜之間的電腐蝕(電蝕)。

再有，透明導(dǎo)電膜9，并非限定于ITO膜，還可以是IZO(IndiumZinc Oxide)膜、氧化鋅膜、氧化錫膜等，只要是能夠得到所希望的電阻值的物質(zhì)既可。

還有，本實施方式中，作為構(gòu)成第二金屬層疊膜19b的源極第一金屬膜10，例舉了鉬膜，但是，并非限定于此，還可以是鈦膜、鉻膜以及鉬合金膜那樣的合金膜等。再有，作為構(gòu)成第二金屬層疊膜19b的源極第二金屬膜11，例舉了鋁膜，但是，并非限定于此，還可以是鋁合金膜等。

接下來進行的第一抗蝕圖案形成工序中，首先，在覆蓋層疊體18的整個襯底上涂布由感光樹脂形成的抗蝕劑，形成抗蝕膜。

接下來，在整個襯底上形成的抗蝕膜上，用縫隙掩模(slit mask)調(diào)整曝光量，如圖5所示那樣，形成具有多種膜厚的第一抗蝕圖案13a。

在此，第一抗蝕圖案13a，包括成為溝道部C、源極線12b、源電極12c及漏電極12d部分以外的區(qū)域的上方位置的導(dǎo)電膜12b，也就是使源極第二金屬膜11露出的第一開口部14a，和柵電極14a的上方位置，具體的是在成為溝道部C的上方位置具有所規(guī)定厚度的底部B的第二開口部14b。并且，第二開口部14b的抗蝕膜的膜厚和其他部分的抗蝕膜的膜厚的比，由于后述工序的蝕刻條件或逆蝕刻條件等最適合值不同，例如，第二開口部14b的抗蝕膜膜厚為15000至20000唉程度，其他部分的膜厚為40000唉程度。

接下來的第一蝕刻工序中，如圖6所示那樣，以第一抗蝕圖案13a為掩模按照源極第二金屬膜11、源極第一金屬膜10、及透明導(dǎo)電膜9的順序進行濕蝕刻，接下來，按照n+非晶硅膜7及天性非晶硅膜6的順序進行干蝕刻，形成由透明導(dǎo)電膜9、源極第一金屬層10a、及源極第二金屬層11a形成的源極漏極形成層12a，和由天性非晶硅層6a及n+非晶硅膜7a形成的半導(dǎo)體形成層8a。

接下來進行的第二抗蝕圖案形成工序中，如圖7所示那樣，逆蝕刻第一抗蝕圖案13a整體。由此，第一抗蝕圖案13a的膜厚整個變薄，除去第二開口部14b的底部B，形成導(dǎo)電膜12，也就是露出源極第二金屬層11a的第二抗蝕圖案13b。

接下來進行的第二蝕刻工序中，如圖8所示那樣，首先，以第二抗蝕圖案13b為掩模，濕蝕刻源極第二金屬層11a、源極第一金屬層10a、及透明導(dǎo)電膜9，形成由透明導(dǎo)電膜9c、源極第一金屬層10c、及源極第二金屬層11c形成的源電極12c、和由透明導(dǎo)電膜9b、源極第一金屬層10b、及源極第二金屬層11b形成的漏電極形成部12d、源極線12b、和源極線外部引出電極12f。

接下來，同樣以第二抗蝕圖案13b為掩模，濕蝕刻n+非晶硅層6b，形成溝道部C形成薄膜晶體管(TFT)20后，除去第二抗蝕圖案13b。

接下來進行的像素電極形成工序中，首先，在整個襯底上，通過等離子CVD法，形成氮化硅膜(厚度2000唉程度)，形成保護膜15。

接下來，通過旋轉(zhuǎn)鍍膜(spin coat)法等，在保護膜15上形成定向控制用膜16(厚度1.0μm至3.0μm程度)。在此，作為定向控制用膜的材料，例舉了酚醛清漆(phenol novolac)型陽性抗蝕劑、感光性丙烯基樹脂液、感光性環(huán)氧樹脂液等。還有，保護膜15或定向控制用膜16最好的是具有遮光性。例如，作為定向控制用膜的材料例舉了分散了碳的酚醛清漆型陽性抗蝕劑，分別分散了赤色、綠色、青色的顏料的感光性環(huán)氧樹脂液等。根據(jù)這，因為保護膜15或定向控制用膜16，是由遮光性材料形成的，所以，不需要設(shè)置形成遮光膜的工序。為此，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的縮短及降低制造成本成為可能。再有，因為是在保護膜15的上層形成了定向控制用膜16，在后面的照相平面印刷工序中，以定向控制用膜16的圖案為掩模，圖案保護膜15成為了可能。由此，不需增加照相平面印刷工序就可以圖案保護膜15。

接下來，在整個襯底上形成的定向控制用膜16上，利用光掩模進行曝光、顯像、后烘焙(postbake)，形成遮光層16a及突起上層部16b。

再有，以遮光層16a及突起上層部16b為掩模，蝕刻保護膜15、漏電極形成部12d的源極第二金屬層11b以及源極第一金屬層10b，露出透明導(dǎo)電層9b的一部分，形成由遮光層16a和保護層15a構(gòu)成的保護遮光層17a、由源極第二金屬層11e和源極第一金屬層10e構(gòu)成的漏電極12e、由突起上層部16b和突起下層部15b(源極第二金屬層11d和源極第一金屬層10d)構(gòu)成的突起部17b、及像素電極9d。在此，是對比漏電極12e的周端靠內(nèi)側(cè)的導(dǎo)電膜(漏電極形成部12d)進行蝕刻，所以，光透過性的像素電極9d的周圍，由通過遮光性的漏電極形成部12d構(gòu)成的漏電極12e進行遮光的。由此，抑制了像素電極9d間的光泄漏。

還有，保護遮光層17a，形成為不只是覆蓋薄膜晶體管(TFT)20，也覆蓋柵極線4及源極線12b。由此，具有遮光性的保護遮光層17a，在遮擋了射入薄膜晶體管(TFT)20的光的同時，還起到各像素間的光遮擋圖案(黑底)的功能。為此，通常，在與薄膜晶體管(TFT)陣列襯底相對設(shè)置的相對襯底上，不再需要黑底，就可以縮短相對襯底的制造工序。還有，抑制了由于薄膜晶體管(TFT)陣列襯底和相對襯底粘合時偏離而引起的像素間光泄漏及薄膜晶體管(TFT)的光泄漏電流的發(fā)生。

由以上所述，就能夠制造有源矩陣襯底30a。

還有，本實施方式中，例舉了保護遮光層17a為保護膜15及定向控制用膜16的兩層構(gòu)造的，但是，還可以是具有遮光性，例如，分別分散了赤色、綠色、青色顏料的光抗蝕劑的一層構(gòu)造。這種情況，可以省略遮光膜，也就不需要設(shè)置形成遮光膜的工序。為此，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序的縮短及制造成本的降低成為可能。

再有，本實施方式中，例舉了在像素電極形成工序中蝕刻比漏電極12e的周端更靠內(nèi)側(cè)的導(dǎo)電膜(漏電極形成部12d)的方法，但是，還可以蝕刻比漏電極12e的周端更靠外側(cè)的區(qū)域的保護膜15(定向控制用膜16)及柵極絕緣膜5。

具體地講，例如，應(yīng)當(dāng)在第一蝕刻工序被蝕刻的半導(dǎo)體膜8沒有被完全蝕刻的情況，有可能在像素電極9d和源極線12b之間殘留這個半導(dǎo)體膜8。然而，在像素電極形成工序，在蝕刻比漏電極12e的周端更靠外側(cè)的區(qū)域的保護膜15(定向控制用膜16)及柵極絕緣膜5之際，與柵極絕緣膜5的蝕刻的同時殘留的半導(dǎo)體膜8也被蝕刻。為此，就可以抑制像素電極9d和源極線12b之間的短路。尚，這也同樣使用于后述的實施方式2。

接下來，更詳細(xì)的說明柵電極外部引出電極4b及源極線外部引出電極12f。

圖11，是設(shè)置了多個柵極線外部引出端子4c的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的端部的平面模式圖，圖12，是圖11中沿著XII-XII線的剖面模式圖。還有，圖15，是設(shè)置了多個源極線外部引出端子12g的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a的端部的平面模式圖，圖16，是圖15中沿著XVI-XVI線的剖面模式圖。

首先，在形成保護層15a及遮光層16a前的階段，柵極線外部引出電極4b及源極線外部引出電極12f上，如圖13及圖17所示那樣，形成了保護膜15及定向控制用膜16。

并且，與保護層15a及遮光層16a的形成同時，分別除去柵極線外部引出電極4b上層疊的柵極絕緣膜5、保護膜15以及定向控制用膜16，源極線外部引出電極12f上層疊的保護膜15及定向控制用膜16，形成開口部17c及17d，由此，如圖14及圖18所示那樣，露出柵極線外部引出電極4b及源極線外部引出電極12f。

還有，本實施方式中，因為柵極線外部引出電極4b的最上層的柵極第二金屬層3a、及源極線外部引出電極12f的最上層的源極第二金屬層11a，分別由鋁膜構(gòu)成，所以，在露出柵極線外部引出電極2f及源極線外部引出電極6g的同時，如圖12及圖16所示那樣，各自的柵極第二金屬層3a、及源極第二金屬層11a(+源極第一金屬層10b)被蝕刻，分別形成露出柵極第一金屬層2a的柵極線外部引出電極4c，和露出透明導(dǎo)電層9a的源電極外部引出電極12g。由此，在外部引出電極的部分，能夠除去容易被氧化的鋁膜，可以防止柵電極外部引出電極4b及源極線外部引出電極12f的氧化。

并且，還可以將構(gòu)成柵極第二金屬層3a及源極第二金屬層11a的鋁膜(鋁合金膜)換成在鋁膜(鋁合金膜)上層疊鉬膜(鉬合金膜)的膜。

這種情況，通過鋁膜(鋁合金膜)的上層的鉬膜(鉬合金膜)，可以抑制鋁膜(鋁合金膜)的表面產(chǎn)生突起物(hillock)。

再有，當(dāng)在上述鉬膜(鉬合金膜)的下層形成ITO膜的情況下，因為是在鋁膜(鋁合金膜)和ITO膜之間夾著鉬膜(鉬合金膜)，所以，在蝕刻鋁膜(鋁合金膜)之際，能夠防止鋁膜(鋁合金膜)和ITO膜之間形成局部電池，也就可以抑制鋁膜(鋁合金膜)和ITO膜之間的電腐蝕(電蝕)。

在此，源極外部引出電極12f中，因為下層是鉬膜，所以，通過硝酸、磷酸及醋酸的混合液作為蝕刻劑的濕蝕刻，可以與上層的鋁膜同時蝕刻。

還有，因為柵極線外部引出端子4c(柵極線外部引出電極4b)及源極線外部引出端子12g(源極線外部引出電極12f)分別由一個開口部而露出，所以，柵極線外部引出端子4c及源極線外部引出端子12g的上層及它們之間，如圖12及圖16所示那樣，不存在任何薄膜材料，就不會出現(xiàn)后述的突出的懸崖形(overhang)。為此，例如，通過TAB(Tape Automated Bonding)法，在柵極線外部引出端子4c及源極線外部引出端子12g上，連接各外部驅(qū)動電路就變得容易且安定。

與此相反，在每個外部引出電極上形成了接線柱孔，當(dāng)試圖與外部驅(qū)動電路連接的情況下，如圖32及圖35所示那樣，在接線柱孔的底部，通過濕蝕刻柵極第二金屬層103a、源極第一金屬層110a及源極第二金屬層111a的等方向蝕刻，因為形成了圖中X區(qū)域那樣的被稱為突出的懸崖形(overhang)，下層不存在薄膜容易剝離的不安定斷面構(gòu)造，所以，外部引出電極(端子)和外部驅(qū)動電路的連接變得不安定。尚，圖30至圖32及圖33至圖35所示的各剖面模式圖，分別對應(yīng)于圖12至圖14及圖16至圖18所示的各剖面模式圖。

本實施方式中，作為構(gòu)成柵極線4、柵電極4a及柵極線外部引出電極4b的第一金屬層疊膜19a的下層金屬膜，例舉了鈦膜，但是并不限于此，還可以是鈷膜、鉬膜等。

然而，具體的，分別將鈦膜用作構(gòu)成第一金屬層疊膜19a的下層?xùn)艠O第一金屬膜2，將鋁膜或鋁合金膜用作它上層的柵極第二金屬膜3的情況中，通過干蝕刻，能夠容易的圖案形成柵極線4、柵電極4a以及柵極線外部引出電極4b。并且，在形成柵極線外部引出電極4c之際，通過進行濕蝕刻，只留下第一金屬層疊膜19a下層的鈦膜進過有選擇的蝕刻，能夠除去對應(yīng)第一金屬層疊膜19a上層的鋁膜或者是鋁合金膜的部分。

如上所述，只要用鈦膜形成第一金屬層疊膜19a的下層，鈦膜與鋁膜或鋁合金膜相比，不容易氧化，所以，通過由鈦膜構(gòu)成的柵極外部引出端子4c和外部驅(qū)動電路的TAB法的電連接變得確實，也可以提高它的信賴性。

在此，所謂的TAB法，是利用以聚酰亞胺樹脂為基礎(chǔ)的形成為帶狀的卷形的銅箔的導(dǎo)線布線圖案，電連接導(dǎo)電體之間的。

還有，通過將構(gòu)成第一金屬層疊膜19a的上層的柵極第一金屬膜2，用鋁膜或鋁合金膜形成，在得到降低布線電阻的效果的同時，還可以通過濕蝕刻確實容易的進行只剩下鈦膜的選擇性蝕刻。

如以上所述，只要根據(jù)本實施方式的制造方法，在覆蓋薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a、薄膜晶體管(TFT)20的同時，能夠通過第一工序、第二工序及第三工序的合計三次照相平面印刷工序制造包含成為像素間黑底的保護遮光層17a、為實現(xiàn)MVA方式的突起部17b、柵極線外部引出端子4c及源極線外部引出端子12g的形成。為此，在構(gòu)成MVA方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底中，能夠?qū)崿F(xiàn)制造工序的縮短和制造成本的降低。

《發(fā)明的實施方式2》 以下，用圖19至圖29說明本發(fā)明的實施方式2所涉及的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b。尚，以下的實施方式中與圖1至圖18相同的部分標(biāo)注相同的符號，并省略其說明。

薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b，與上述實施方式1的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a一樣，與相對設(shè)置的相對襯底、被這兩個襯底夾著設(shè)置的液晶層一起構(gòu)成液晶顯示裝置。

這個薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b中，柵極線、柵電極4a及柵極線外部引出電極4b形成在柵極第一金屬層21a、柵極第二金屬層22a、和柵極第三金屬層23a的三層層疊構(gòu)造中，半導(dǎo)體層24a、源電極25b及漏電極25c形成在一層構(gòu)造中，像素電極25d形成在半導(dǎo)體層24a和漏電極25c的兩層層疊構(gòu)造中。其他的構(gòu)成，因為與上述實施方式1的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30a相同，所以省略其說明。

接下來，說明本發(fā)明的實施方式2所涉及的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b的制造方法。這個薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b，由以下所示的第一工序的柵電極形成工序，第二工序的層疊體形成工序、第一抗蝕圖案形成工序、第一蝕刻工序、第二抗蝕圖案形成工序、以及第二蝕刻工序，和第三工序的像素電極形成工序所制造。

首先，柵電極形成工序中，如圖19所示那樣，在玻璃襯底等的絕緣襯底1的整個襯底上，通過噴鍍法，按照鈦膜形成的柵極第一金屬膜21(厚度500唉程度)、鋁膜形成的柵極第二金屬膜22(厚度3000唉程度)、以及氮化鈦膜形成的柵極第三金屬膜23(厚度1000唉程度)的順序?qū)盈B形成第一金屬層疊膜19a。其后，通過PEP技術(shù)圖案形成第一金屬層疊膜19a，形成由柵極第一金屬層21a、柵極第二金屬層22a、柵極第三金屬層23a形成的柵電極4a、柵極線、及柵極外部引出電極4b。

在此，作為柵極第一金屬層21a所使用的金屬膜，沒有特別地限定，例舉了如鈦膜、鉻膜、鉬膜等。還有，作為柵極第二金屬層22a所使用的金屬膜，也沒有特別地限定，例舉了鋁膜、鉭膜、鈦膜等。在這些例舉的金屬中，最好的是鋁膜。再有，作為柵極第三金屬層23a所使用的金屬膜，也沒有特別地限定，例舉了鈦膜、氮化鈦膜等。尚，選擇這些金屬膜的理由在后說明。

接下來進行的層疊體形成工序中，如圖21所示那樣，首先，在柵電極4a、柵極線、柵極線外部引出電極4b形成的整個襯底上，通過等離子CVD法，形成由氮化硅膜形成的柵極絕緣膜5(厚度4000唉程度)。接下來，在柵極絕緣膜5形成了的整個襯底上，通過脈沖激光堆積CVD法，形成氧化鋅形成的半導(dǎo)體膜24(膜厚1500唉程度)。再有，形成了半導(dǎo)體膜24的整個襯底上，通過噴鍍法，形成ITO膜形成的透明導(dǎo)電膜25(厚度1000唉程度)。

由此，按從下層的順序形成了由柵極絕緣膜5、半導(dǎo)體膜24、以及透明導(dǎo)電膜25構(gòu)成的層疊體18。在此，導(dǎo)電膜12，只由透明導(dǎo)電膜25的ITO膜構(gòu)成。

半導(dǎo)體膜24，除例舉的氧化鋅以外，還可以是氧化鎂鋅膜、氧化鎘鋅膜、氧化鎘膜等的，比同樣厚度條件下的非晶硅透光率高的材料既可。

還有，半導(dǎo)體膜24，為了得到所希望的移動度及on/off比(在柵極電壓下進行漏極電流開關(guān)之際，on狀態(tài)的電流和off狀態(tài)的電流的比)，失去透明性的程度，還可以摻入磷等雜質(zhì)。

透明導(dǎo)電膜25，并非特別限定ITO膜，IZO(Indium Zinc Oxide)膜、氧化鋅膜、氧化錫膜等，只要是能夠得到所希望的低電阻的既可。

通過這樣的構(gòu)成，構(gòu)成像素電極25d的透明導(dǎo)電膜25的下層，是由具有透明性的氧化鋅膜24形成的，就可以提高對應(yīng)像素電極25d區(qū)域的光的透過率，也就可以提高液晶顯示裝置的對比度及亮度。

還有，因為導(dǎo)電膜只由透明導(dǎo)電膜5構(gòu)成，在后述的第三工序中，就沒有必要如實施方式1那樣蝕刻金屬膜露出透明導(dǎo)電膜。為此，第三工序中，只形成保護遮光層17a及突起部17b，就可以形成像素電極25e。由此，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底的制造工序縮短及制造成本的降低成為可能。

接下來進行的第一抗蝕圖案形成工序中，首先，在整個襯底上，涂布感光性樹脂形成的抗蝕劑，形成抗蝕膜。接下來，在整個襯底形成的抗蝕膜上，使用狹縫掩模等調(diào)整曝光量，形成具有如圖22所示那樣的多個膜厚的第一抗蝕圖案13a。

在此，第一抗蝕圖案13a，包括在成為溝道部c、源極線、源電極25c及漏電極25d部分以外的區(qū)域的上方位置露出導(dǎo)電膜(ITO膜25)的第一開口部14d，和在柵電極4a的上方位置，具體地是成為溝道部c上方位置具有所規(guī)定厚度底部的第二開口部14b。并且，第二開口部14b的抗蝕膜的膜厚和其他部分的膜厚相比，由于后續(xù)的工序的蝕刻條件的不同最合適值不同，例如，第二開口部14b的抗蝕膜的膜厚為15000唉至20000唉程度，其他部分的膜厚為40000唉程度。

接下來進行的第一蝕刻工序中，如圖23所示那樣，以第一抗蝕圖案13a為掩模，蝕刻半導(dǎo)體膜24及透明導(dǎo)電膜25，形成半導(dǎo)體層24a及透明導(dǎo)電層25a形成的源極漏極形成部12a。

接下來進行的第二抗蝕圖案形成工序中，如圖24所示那樣，逆蝕刻第一抗蝕圖案13a。由此，使第一抗蝕圖案13a的膜厚整體減薄，除去第二開口部14b的底部，形成露出ITO層25a的第二抗蝕圖案7b。

接下來進行的第二蝕刻工序中，首先，以第二抗蝕圖案13b為掩模，蝕刻透明導(dǎo)電層25a，形成源電極25b、漏電極25c、源極線及源極線外部引出電極。接下來，除去襯底上的第二抗蝕圖案13b。由此，形成了薄膜晶體管(TFT)20。

接下來進行的像素電極形成工序中，首先，在整個襯底上，通過等離子CVD法，形成氮化硅膜(厚度2000唉程度)，形成保護膜15。

接下來，與實施方式1一樣，通過旋轉(zhuǎn)鍍膜(spin coat)法等，在保護膜15上形成定向控制用膜16(厚度1.0μm至3.0μm程度)。

再有，在整個襯底形成的定向控制用膜16上，利用光掩模進行曝光、顯像、后烘焙(postbake)，形成遮光層16a及突起上層部16b。

接下來，以遮光層16a及突起上層部16b為掩模，蝕刻保護膜15、形成由遮光層16a和保護層15a構(gòu)成的保護遮光層17a、由突起上層部16b和突起下層部15b構(gòu)成的突起部17b、及像素電極25d。由此，制造了圖27所示的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b。還有，保護遮光層17a，形成為不只覆蓋薄膜晶體管(TFT)20，也覆蓋柵極線2及源極線6，起黑底的作用。

在此，更詳細(xì)的說明柵極線外部引出電極4b及源極線外部引出電極。

圖28，是設(shè)置了多個柵極線外部引出電極4b的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b的端部平面模式圖。圖29，是圖28中XXIX-XXIX剖面的剖面模式圖。

柵極線外部引出電極4b，與像素電極25d形成的同時，在層疊在柵極線外部引出電極4b上的由柵極絕緣膜5、保護膜15、及定向控制用膜16形成的層疊膜的比柵極線外部引出電極4b的周端更靠內(nèi)側(cè)部分上，通過形成接線柱孔17e被露出。由此，構(gòu)成第一金屬層疊膜19a的柵極第二金屬層22a的容易被氧化的鋁膜就不露出了。還有，通過蝕刻露出的第一金屬層疊膜19a的最上層的柵極第三金屬層23a，是不容易被氧化的氮化鈦膜。通過這樣的構(gòu)成，柵極線外部引出電極4b，就成為不容易被氧化的構(gòu)成。為此，柵極線外部引出電極4b和外部驅(qū)動電路的電連接變得確實，提高了它的信賴性。再有，如實施方式1那樣，蝕刻容易被氧化的柵極第二金屬層3a(鋁膜)，不再需要形成柵極線外部引出端子4c，制造工序的縮短、制造成本的降低成為可能。

還有，氮化鈦膜或鈦膜，與鋁膜相比，和構(gòu)成柵極絕緣膜5的氮化硅膜的緊貼性好，為此，不易發(fā)生膜剝離，可以得到安定的制造成品率。

源極線外部引出電極，如實施方式1那樣不再需要蝕刻第二金屬層疊膜19b，在與像素電極25d等的形成的同時，只要蝕刻它上層的保護膜15及定向控制用膜16就能露出。

本實施方式中，作為柵極第二金屬層22a使用了鋁膜，所以，得到了降低柵極線的布線電阻的效果。再有，作為它上層的柵極第三金屬層23a，因為使用了氮化鈦膜，所以抑制了鋁膜表面的小丘的發(fā)生，就可以降低因為小丘引起的柵極線和源極線的層間泄漏電流。

正如以上所述的那樣，根據(jù)本實施方式的制造方法，薄膜晶體管(TFT)陣列襯底30b，包含覆蓋薄膜晶體管(TFT)20的同時為實現(xiàn)像素間的黑底的保護遮光層17a、MVA方式的突起部17b、柵極線外部引出電極4b及源極線外部引出電極的形成，可以由第一工序、第二工序及第三工序的合計三次的照相平面印刷工序制造。為此，在構(gòu)成MVA方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底中，可以進行制造工序的縮短以及制造成本的降低。

-產(chǎn)業(yè)上的利用可能性- 正如以上所說明的那樣，本發(fā)明，因為在構(gòu)成MVA方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)陣列襯底中制造工序的縮短及制造成本的降低成為了可能，對MVA方式的液晶顯示裝置是有用的。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，是制造包括設(shè)置在襯底上的多個像素，設(shè)置在該每個各像素上、具有對應(yīng)柵電極、源電極、漏電極、以及上述柵電極形成溝道部的半導(dǎo)體層的多個薄膜晶體管，連接上述源電極的源極線，連接在上述漏電極上的為向包含液晶分子的液晶層施加電壓的像素電極，設(shè)置在該像素電極上的為控制上述液晶分子定向的突起部的薄膜晶體管陣列襯底的方法，其特征在于
包括
第一工序，在上述襯底上通過照相平板印刷術(shù)圖案形成上述柵電極，
第二工序，對形成了上述柵電極的襯底，形成以柵極絕緣膜、成為上述半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體膜、以及包含以覆蓋該半導(dǎo)體膜的方式設(shè)置的透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜的順序?qū)盈B的層疊體，通過照相平板印刷術(shù)對該層疊體圖案形成上述薄膜晶體管，
第三工序，通過照相平板印刷術(shù)，在形成覆蓋上述薄膜晶體管的保護層、以及上述突起部的同時，使上述透明導(dǎo)電膜的一部分露出形成上述像素電極；
上述第二工序，包括在形成了覆蓋上述層疊體的抗蝕膜后，對該抗蝕膜進行的在上述層疊體區(qū)域分別形成成為上述溝道區(qū)域、源極線、源電極、以及漏電極部分以外的區(qū)域的上方位置露出上述導(dǎo)電膜的第一開口部，和在成為上述溝道部的層疊體區(qū)域的上方位置具有所規(guī)定厚度的底部的第二開口部的抗蝕圖案形成工序；蝕刻從上述第一開口部露出的上述導(dǎo)電膜、和該導(dǎo)電膜下方的半導(dǎo)體膜的第一蝕刻工序，蝕刻除去上述第二開口部的底部后露出的導(dǎo)電膜的第二蝕刻工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述導(dǎo)電膜，有遮光性，
由上述第三工序，蝕刻比上述漏電極的周端更靠內(nèi)側(cè)的導(dǎo)電膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述半導(dǎo)體膜，由上層的第一半導(dǎo)體膜和下層的第二半導(dǎo)體膜構(gòu)成，
由上述第二蝕刻工序，蝕刻上述露出的導(dǎo)電膜和上述第一半導(dǎo)體膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
在上述保護層的上層或下層，形成了遮光層，
上述遮光層，在上述第三工序中和上述保護層同時形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述保護層，是由遮光性材料形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述柵電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第一金屬層疊膜形成的，
上述第一金屬層疊膜，包含由鋁膜或鋁合金膜構(gòu)成的金屬膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述導(dǎo)電膜，是只由上述透明導(dǎo)電膜單層構(gòu)成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述導(dǎo)電膜，是由氧化銦和氧化錫的化合物構(gòu)成的上述透明導(dǎo)電膜、和以覆蓋該透明導(dǎo)電膜的方式設(shè)置的層疊多層金屬膜構(gòu)成的第二金屬層疊膜形成的，
上述第二金屬層疊膜，是由下層的鉬膜或鉬合金膜和上層的鋁膜或鋁合金膜形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述半導(dǎo)體膜，是由比相同厚度的非晶硅透光率高的材料形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述第一工序中，連接在上述柵電極上的多條柵極線及其延長設(shè)置部的柵極線外部引出電極，與該柵電極同時形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述柵電極、柵極線、以及柵極線外部引出電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第一金屬層疊膜形成的，同時，
上述第一金屬層疊膜的最下層，是由鈦膜或鈦合金膜形成的，
在第三工序中，通過蝕刻，露出對應(yīng)上述柵極線外部引出電極部分的上述鈦膜或鈦合金膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述第一金屬層疊膜，是由上述最下層的鈦膜或鈦合金膜、由鋁膜或鋁合金膜構(gòu)成的金屬膜，和以覆蓋該金屬膜的方式設(shè)置的鉬膜或鉬合金膜形成的。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述柵電極、柵極線、以及柵極線外部引出電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第一金屬層疊膜形成的同時，
上述第一金屬層疊膜的最上層，是由鈦膜或鈦合金膜形成的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述第一金屬層疊膜，包含鋁膜或鋁合金膜，
在上述第三工序中，蝕刻比上述柵極線外部引出電極的周端更靠內(nèi)側(cè)的保護層及柵極絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述第二工序中，在與上述多條柵極線交叉的方向上，與上述源電極同時形成上述多條源極線及其延長設(shè)置部的源極線外部引出電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述柵電極、柵極線、以及柵極線外部引出電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第一金屬層疊膜形成的，
上述源電極、源極線、以及源極線外部引出電極，是由層疊多層金屬膜構(gòu)成的第二金屬層疊膜形成的同時，
在第三工序中，通過蝕刻，除去對應(yīng)上述柵極線外部引出電極及源極線外部引出電極的部分的上述第一金屬層疊膜及第二金屬層疊膜的至少最上層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述第一金屬層疊膜及第二金屬層疊膜的最上層，是由鋁膜或鋁合金膜、或者是在鋁膜或鋁合金膜上層疊鉬膜或鉬合金膜形成的膜形成的。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
上述保護層，具有遮光性，是以覆蓋上述薄膜晶體管、柵極線、以及源極線的方式形成的。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
在上述第三工序中，通過蝕刻，形成至少對應(yīng)上述多條柵極線外部引出電極及多條源極線外部引出電極之一的一個開口部，露出該多條柵極線外部引出電極及多條源極線外部引出電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法，其特征在于
在上述第三工序中，蝕刻形成在比上述漏電極的周端更靠外側(cè)區(qū)域的上述保護層的保護膜、以及柵極絕緣膜。
21.一種薄膜晶體管陣列襯底，是制造包括設(shè)置在襯底上的多個像素，設(shè)置在該每個各像素上、具有對應(yīng)柵電極、源電極、漏電極、以及上述柵電極形成的溝道部的半導(dǎo)體層的多個薄膜晶體管，連接在上述源電極上的源極線，連接在上述漏電極上的為向包含液晶分子的液晶層施加電壓的像素電極，設(shè)置在該像素電極上的為控制上述液晶分子定向的突起部的薄膜晶體管陣列襯底的方法所制造的薄膜晶體管陣列襯底，其特征在于
上述薄膜晶體管陣列襯底的方法包括
第一工序，在上述襯底上通過照相平板印刷術(shù)圖案形成上述柵電極，
第二工序，對形成了上述柵電極的襯底，形成以柵極絕緣膜、成為上述半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體膜、以及包含以覆蓋該半導(dǎo)體膜的方式設(shè)置的透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜的順序?qū)盈B的層疊體，通過照相平板印刷術(shù)對該層疊體圖案形成上述薄膜晶體管，
第三工序，通過照相平板印刷術(shù)，在形成覆蓋上述薄膜晶體管的保護層、以及上述突起部的同時，使上述透明導(dǎo)電膜的一部分露出形成上述像素電極；
上述第二工序，包括在形成了覆蓋上述層疊體的抗蝕膜后，對該抗蝕膜進行的在上述層疊體區(qū)域分別形成成為上述溝道區(qū)域、源極線、源電極、以及漏電極部分以外的區(qū)域的上方位置露出上述導(dǎo)電膜的第一開口部，和在成為上述溝道部的層疊體區(qū)域的上方位置具有所規(guī)定厚度的底部的第二開口部的抗蝕圖案形成工序；蝕刻從上述第一開口部露出的上述導(dǎo)電膜、和該導(dǎo)電膜下方的半導(dǎo)體膜的第一蝕刻工序，蝕刻除去上述第二開口部的底部后露出的導(dǎo)電膜的第二蝕刻工序；
在上述突起部的下層上，設(shè)置了上述半導(dǎo)體膜、以及以覆蓋該半導(dǎo)體膜的方式設(shè)置的導(dǎo)電膜。
全文摘要
第一工序中，形成柵電極(4a)后，第二工序中，層疊包含柵極絕緣膜(5)、半導(dǎo)體膜(8)、透明導(dǎo)電膜(9)的導(dǎo)電膜(12)，形成包括向這個層疊體(18)露出導(dǎo)電膜(12)的第一開口部(14a)和柵電極(4a)的上方位置的具有底部(B)的第二開口部(14b)的抗蝕圖案(13a)。并且，蝕刻從第一開口部(14a)露出的導(dǎo)電膜(12)及半導(dǎo)體膜(8)，除去第二開口部(14b)的底部(B)使導(dǎo)電膜(12)露出，蝕刻這個導(dǎo)電膜(12)，形成薄膜晶體管(20)。在第三工序中，形成像素電極(5a)、保護遮光層(17a)及突起部(17b)。
文檔編號H01L29/786GK101253611SQ20068003215
公開日2008年8月27日 申請日期2006年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者八木敏文, 津幡俊英, 嶋田吉祐 申請人:夏普株式會社