專利名稱：用于橫向分離半導(dǎo)體晶片的方法以及光電子器件的制作方法
用于橫向分離半導(dǎo)體晶片的方法以及光電子器件
本申請要求德國專利申請10 2005 052 357.9和10 2005 041 572.5的優(yōu) 先權(quán)，它們的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
本發(fā)明涉及一種用于橫向分離半導(dǎo)體晶片的方法，特別是橫向分離用 于制造光電子器件的半導(dǎo)體晶片的方法，以及涉及一種光電子器件。
在制造光電子器件(例如LED或者半導(dǎo)體激光器)時，通常希望事 后將為光電子器件的半導(dǎo)體層序列的外延生長所使用的生長襯底從半導(dǎo) 體晶片分開。
例如，在所謂的薄膜技術(shù)中，光電子器件的半導(dǎo)體層序列首先外延地 生長在生長襯底上，接著將支承體施加到與生長襯底對置的半導(dǎo)體層序列 表面上，并且隨后將生長襯底剝離。該方法一方面的優(yōu)點(diǎn)是，在新的支承 體上留有較薄的外延層序列，特別是當(dāng)在外延層序列和新的支承體之間設(shè) 置有反射的或者增強(qiáng)反射的層時，由光電子器件發(fā)射的輻射可以從該外延 層序列以高的效率被耦合輸出。此外有利的是，生長襯底在剝離之后可有 利地被再次使用。當(dāng)生長襯底由較高級的材料、特別是藍(lán)寶石、SiC或者 GaN構(gòu)成時，這是特別有利的。
在使用藍(lán)寶石構(gòu)成的透明生長襯底的情況下，生長襯底從外延層序列 的剝離例如可以借助WO 98/14986公開的激光剝離方法來實(shí)現(xiàn)。然而， 該方法并不可以容易地應(yīng)用于氮化物-化合物半導(dǎo)體(特別是GaN)構(gòu) 成的襯底。
出版物US 6,815,309已公開了將高級襯底(例如GaN)的薄層轉(zhuǎn)移 到較低級的支承襯底上。
由出版物US 5,374,564公開了一種用于將薄的半導(dǎo)體層從襯底分離 的方法，該方法基于通過要剝離的層將氫離子注入，并且隨后進(jìn)行熱處 理，以在離子注入?yún)^(qū)產(chǎn)生小泡(氣泡)，其導(dǎo)致要剝離的半導(dǎo)體層的熱爆 裂。
在將該方法應(yīng)用于其上已經(jīng)外延地沉積有功能半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo) 體晶片的情況下，存在的風(fēng)險是功能半導(dǎo)體層序列在離子注入時，其質(zhì) 量受到影響。由C. H. Yun， N. W. Cheung的出版物Thermal and Mechanical Separation of Silicon Layers from Hydrogen Pattern-Implanted Wafers (Journ. of Electronic Materials, Vol. 30, Nr. 8, 2001 ， 960 — 964頁)公開 了 一種用于以熱學(xué)方式或者機(jī)械方式將硅層從硅晶片分離的方法。
本發(fā)明的任務(wù)是，提出一種改進(jìn)的方法，用于橫向分離半導(dǎo)體晶片和 一種光電子器件，其中降低了在離子注入時對半導(dǎo)體層序列的損害的風(fēng) 險。
該任務(wù)通過具有權(quán)利要求1的特征的方法以及根據(jù)權(quán)利要求32的光 電子器件來解決。本發(fā)明的有利的擴(kuò)展方案和改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的 主題。
在根據(jù)本發(fā)明的用于橫向分離半導(dǎo)體晶片的方法中，提供了 一種生長 襯底，半導(dǎo)體層序列外延生長到該生長襯底上，該半導(dǎo)體層序列包括功能 半導(dǎo)體層。通過將掩模層施加到半導(dǎo)體層序列的部分區(qū)域上，產(chǎn)生被屏蔽 的和未被屏蔽的區(qū)域。隨后，離子通過未被屏蔽的區(qū)域被注入半導(dǎo)體晶片 中以生成注入?yún)^(qū)。該生長襯底或者生長襯底的至少一部分隨后沿著半導(dǎo)體 晶片的注入?yún)^(qū)被分離。
于是，至半導(dǎo)體晶片中的離子注入并非整面地進(jìn)行，而是有利地僅僅 通過未,皮掩模層覆蓋的半導(dǎo)體層序列區(qū)域來進(jìn)行。半導(dǎo)體層序列的由4^模 層覆蓋的部分區(qū)域、特別是功能半導(dǎo)體層的設(shè)置在掩模層之下的區(qū)域通過 這種方式被保護(hù)而免受離子注入過程中可能的損害。
優(yōu)選的是，在離子注入時，將氫離子注入。替代地，也可以使用惰性 氣體(例如氦、氖、氪或者氙)的離子。
也可能的是，將不同原子的離子注入，特別是氫離子和氦離子，或者 氫離子和硼離子。這樣的優(yōu)點(diǎn)是，減少了所需的注入劑量。
優(yōu)選的是，分離借助熱處理來進(jìn)行，優(yōu)選在3oor;至i2oo"c范圍中的
溫度情況下進(jìn)行。特別是熱處理可以在300"C至卯0匸之間的溫度下進(jìn)行。
在此，被注入注入?yún)^(qū)中的離子擴(kuò)散，并且在此產(chǎn)生小泡(氣泡)。在小泡 聚集時，半導(dǎo)體晶片最后完全在橫向方向中分離，并且通過這種方式，生
長襯底或者生長襯底的至少一部分^:從半導(dǎo)體晶片分離。
在熱處理時，對注入?yún)^(qū)的加熱可以通過提高環(huán)境溫度以及通過電磁輻 射(例如激光束或者微波束)對局部的加熱來引起。雖然離子注入由于半導(dǎo)體層序列的屏蔽而僅僅在半導(dǎo)體晶片的部分 區(qū)域中進(jìn)行，但半導(dǎo)體晶片可以沿著注入?yún)^(qū)被完全地在橫向方向上分離。 這依據(jù)的是，離子在離子注入之后的熱處理中在橫向方向上擴(kuò)散，并且通 過這種方式從注入?yún)^(qū)出發(fā)，半導(dǎo)體晶片的設(shè)置在掩模層之下的部分區(qū)域也 滲透有小泡。
替代地，半導(dǎo)體晶片沿著注入?yún)^(qū)也可以以機(jī)械方式被分離，例如其方 式是將半導(dǎo)體晶片的對置的表面用輔助支承體相連，并且將扭矩施加到該 輔助支承體上，使得半導(dǎo)體晶片被沿著注入?yún)^(qū)分離。
半導(dǎo)體層序列優(yōu)逸基于氮化物化合物半導(dǎo)體材料。"基于氮化物化合 物半導(dǎo)體材料"在下文中意味著，這樣表示的器件或者器件的部分優(yōu)選包
括lnxAlyGa^-yN，其中(KxSl， 0《y《l并且x+y《1。在此，該材料并非一 定必須具有根據(jù)上式的數(shù)學(xué)上精確的組分。更確切地說，其可以具有一種 或者多種摻雜材料以a本上不改變材料的物理特性的附加的組分。然而 出于簡單的原因，上式僅僅包括晶格的主要成分(Al， Ga， In， N)，即 使這些組分可以部分地通過少量的另外的物質(zhì)來替代。
功能半導(dǎo)體層優(yōu)選U射輻射的或者檢測輻射的層。特別地，功能半
導(dǎo)體層可以是發(fā)光二極管的或者半導(dǎo)體激光器的有源層。特別優(yōu)選地，功 能半導(dǎo)體層具有InxAlyGaLx-yN，其中0《x《l, 0《y《l并且x+y《1。
生長襯底優(yōu)選是適合于外延生長氮化物化合物半導(dǎo)體材料的襯底，特 別是GaN襯底、A1N襯底、SiC襯底或者藍(lán)寶石襯底。
替代地，半導(dǎo)體層序列也可以基于磷化物化合物半導(dǎo)體或者砷化物化 合物半導(dǎo)體。在這種情況中，半導(dǎo)體層序列以及特別是功能半導(dǎo)體層優(yōu)選 具有InxAlyGa^yP或者InxAlyGa^yAs,其中0&《1， O^y^l并且x+y《l。
掩模層例如可以由硅、金屬、電介質(zhì)(例如SiN或者Si02)或者漆 構(gòu)成。掩模層具有的厚度使得其基本上不能被注入的離子穿透。例如，掩 模層可以是具有2pm或者更大厚度的多晶硅層。
半導(dǎo)體層序列的被屏蔽的區(qū)域優(yōu)選在至少一個橫向方向上具有20[im 或者更小的尺寸，特別優(yōu)選為5pm或者更小的尺寸。被屏蔽的區(qū)域的這 樣小的橫向尺寸是有利的，因?yàn)橐獱幦?shí)現(xiàn)的是，所注入的離子在熱處理 時，從位于半導(dǎo)體層的未被屏蔽的區(qū)域之下擴(kuò)散到位于半導(dǎo)體層序列的被 屏蔽的區(qū)域之下的、在橫向方向中鄰接的區(qū)域中，并且這樣可以使得半導(dǎo) 體晶片在橫向方向中完全被以小泡滲透。掩模層例如可以是條狀的掩模層，其中條具有5fim或者更小的寬度，優(yōu)選為1.5pm至3pm之間(包括 端點(diǎn))的寬度。注入?yún)^(qū)例如在生長襯底中生成。在這種情況中，離子通過半導(dǎo)體晶片 的未被屏蔽的區(qū)域而注入生長襯底中。在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施形式中，生長到生長襯底上的半導(dǎo)體層序 列包含^L計為分離層的層，在該分離層中產(chǎn)生注入?yún)^(qū)。在這種情況中，離 子注入不是在生長襯底中進(jìn)行，而是在分離層中進(jìn)行。這樣的優(yōu)點(diǎn)是，在 沿著在分離層中所生成的注入?yún)^(qū)將半導(dǎo)體晶片分離時，半導(dǎo)體晶片的包含 整個生長襯底的一部分被分離。該生長襯底于是在分離半導(dǎo)體晶片時有利 地未被分開，并且可以完整地再被使用。特別地，可以多次將層序列生長 在生長襯底上，并且l^被分離，而在此不會持續(xù)地消耗生長襯底。當(dāng)使 用高級的襯底(例如GaN襯底、A1N襯底、SiC襯底或者藍(lán)寶石襯底) 作為生長襯底時，這是特別有利的。在用于分離生長襯底的熱處理的方法步驟之后，生長襯底可以包含分 離層的被分離的部分。在分離之后被包含于生長襯底上的分離層的該部分 優(yōu)選事后被從生長襯底去除，例如借助刻蝕工藝或者拋光工藝去除，以便 將生長襯底為外延生長另外的半導(dǎo)體層序列作準(zhǔn)備。分離層優(yōu)選包含至少一種具有比鎵更大的核電荷數(shù)的元素，例如銦。 具有比鎵更大的核電荷數(shù)的元素可以作為摻雜材料引入分離層中，或者優(yōu) 選是分離層的半導(dǎo)體材料的組成部分。特別地，分離層可以是InGaN層。 在分離層中存在具有高核電荷數(shù)的元素的優(yōu)點(diǎn)是，在離子注入時4h分離 層中的離子被減速并且由此減少了進(jìn)一步的侵入。在這種情況中，分離層 于是用作所注入離子的停止層。當(dāng)在離子注入時注入較高能的離子是特別有利的，以減小對功能半導(dǎo) 體層的可能的損害。特別已經(jīng)證明的是，通it^離子注入時提高離子能量 可以減小對功能半導(dǎo)體層的損害。然而，提高離子能量通常導(dǎo)致所注入的 離子在垂直于分離層平面的方向上形成更寬和更平坦的濃度分布，該濃度 分布會對剝離工藝產(chǎn)生不利影響。所注入的離子的濃度分布的整個半值寬 度例如可以為大約200nm。通過分離層包含至少一種其核電荷數(shù)大于鎵的核電荷數(shù)的元素，也可 以在所注入的離子的離子能量較高的情況下在分離層中實(shí)現(xiàn)較窄的濃度 分布，由此4吏得分離的方法步驟變得容易。在本發(fā)明的另 一種有利的擴(kuò)展方案中，半導(dǎo)體層序列包含至少 一個與 分離層相鄰的、針對所注入離子的擴(kuò)散勢壘層。在此，擴(kuò)散勢壘層理解為這樣的層與在分離層中相比，所注入的離子在該層中具有更小的擴(kuò)散系 數(shù)。擴(kuò)散勢壘層可以在半導(dǎo)體層序列的生長方向上設(shè)置在分離層之上和/ 或之下。擴(kuò)散勢壘層有利地包含以Zn、 Fe或者Si摻雜的氮化物化合物半導(dǎo) 體材料，并且優(yōu)選未被p摻雜。特別地，已經(jīng)證明與在以Mg摻雜的 p-GaN中相比，氫在較高電阻值的以Zn摻雜的GaN中或者在以Si摻雜 的n-GaN中具有較小的擴(kuò)散系數(shù)。特別優(yōu)選的是，在分離層的兩側(cè)，即在半導(dǎo)體層序列的生長方向中在 分離層之上以及之下都設(shè)置有擴(kuò)散勢壘層。通過擴(kuò)散勢壘層，減少了所注 入的離子在垂直于分離層平面的方向上的擴(kuò)散。通過這種方式，抵抗了所 注入離子的濃度分布在垂直于分離層的層平面的方向上所不希望的擴(kuò)展。 特別地，借助在層序列的生長方向上來看設(shè)置于分離層之上的擴(kuò)散勢壘 層，可以減少所注入的離子至功能半導(dǎo)體層中的擴(kuò)散。否則，所注入離子 的擴(kuò)散會影響功能半導(dǎo)體層的質(zhì)量。在本發(fā)明的另一種優(yōu)選的實(shí)施形式中，分離層是張應(yīng)變的層。在這種 情況下，分離層的晶格常數(shù)小于至少一個與分離層鄰接的層的晶格常數(shù)。 這使得分離層受到拉伸應(yīng)力(Zugspanming)。優(yōu)選的是，張應(yīng)變的層是 含有鋁的氮化物化合物半導(dǎo)體層。在這種情況下，分離層的拉伸應(yīng)力例如 可以如下引起另外的氮化物化合物半導(dǎo)體層與分離層鄰接，該另外的氮 化物化合物半導(dǎo)體層具有比分離層更少的鋁成分，或者甚至不含鋁。特別 地，InGaN可以與分離層鄰接。此外，分離層的拉伸應(yīng)力可以通過將分 離層以硅摻雜來產(chǎn)生。通過分離層的拉伸應(yīng)力，有利地使得分離的方法步 驟變得容易，因?yàn)樵谶@種情況下，在張應(yīng)變的分離層和鄰接的具有更大晶 格常數(shù)的層之間的界面作為設(shè)定斷裂處。此外，在本發(fā)明中，分離的方法步驟有利地可以通過以下方式變得容 易分離層是通過橫向的外延過生長(ELOG，外延橫向過生長)而產(chǎn)生 的半導(dǎo)體層。在這種情況下，分離層不是直接在生長襯底上生長或者生長 到已經(jīng)被施加到生長襯底上的半導(dǎo)體層上，而是事先將掩膜層施加到生長 襯底上，或者施加到其上要生長分離層的半導(dǎo)體層上。以下將該掩膜層稱 為ELOG-掩膜層，以便與為離子注入而使用的掩膜層相區(qū)別。ELOG -掩膜層優(yōu)選是氮化硅層或者二氧化硅層。分離層的外延生長在生長襯底的未被ELOG-掩膜層覆蓋的區(qū)域 ("Post"區(qū)域)或者設(shè)置用于生長的半導(dǎo)體層的未被ELOG —掩膜層覆 蓋的區(qū)域中進(jìn)行，其中l(wèi)^被屏蔽的區(qū)域("Wing"區(qū)域)在橫向方向中 被過生長。因?yàn)橥ㄟ^橫向外延過生長而產(chǎn)生的分離層在橫向過生長的 ELOG —掩膜層上的附著性低，所以在掩膜層和分離層之間的界面作為在 分離的方法步驟中的設(shè)定斷裂處。在將分離層實(shí)施為ELOG-掩膜層時，優(yōu)選將離子注入分離層的、 在橫向方向上與ELOG-掩膜層偏移地設(shè)置的區(qū)域("Post"區(qū)域)中。 此外，用于離子注入的掩膜層和ELOG-掩膜層有利地具有相同的結(jié)構(gòu) 化。這應(yīng)當(dāng)理解為，在垂直方向上看，半導(dǎo)體層的^L掩膜層屏蔽的區(qū)域與 生長襯底的被ELOG-掩膜層屏蔽的區(qū)域?qū)χ茫⑶覂?yōu)選是疊合的。可 以有利地省去將離子注入分離層的設(shè)置在ELOG -掩膜層之上的區(qū)域 ("Wing"區(qū)域)中，因?yàn)樵谶@些區(qū)域中的分離層由于分離層在ELOG-掩膜層上的小的附著性而可以被較簡單地分開。此外，有利的是，分離層由一種半導(dǎo)體材料形成，與在鄰接于分離層 的層中相比，在該半導(dǎo)體材料中所注入的離子具有更大的擴(kuò)散系數(shù)。由此， 提高了所注入的離子在分離層內(nèi)的擴(kuò)散，即特別是在平行于半導(dǎo)體晶片平 面走向的方向上的擴(kuò)散，并且由此促進(jìn)了在分離層中形成小泡，由此使得 分離的方法步驟變得容易。促進(jìn)擴(kuò)散的分離層優(yōu)選是p摻雜的氮化物化合 物半導(dǎo)體層，其例如可以以Mg摻雜。特別地，已經(jīng)證明的是，與在以 Zn摻雜的高電阻值的GaN層或者以硅摻雜的n-GaN層中相比，氳在p 摻雜的GaN中具有更高的擴(kuò)散系數(shù)。半導(dǎo)體晶片優(yōu)選在分離之前在與生長襯底背離的表面上與支承襯底 相連。在從生長襯底分離之后，支^H"底穩(wěn)定了半導(dǎo)體層序列，并且特別 是可以用作從半導(dǎo)體層序列制造的光電子器件的支承體。支承襯底可以是中間支承體，其中在隨后的方法步驟中設(shè)計了分離或 者溶解中間支承體。例如，中間支承體是玻璃襯底。玻璃襯底優(yōu)選借助由 二氧化硅構(gòu)成的中間層與半導(dǎo)體層序列相連。在這種情況下，可以在以后 的方法步驟中包括中間層在內(nèi)，例如將中間支承體溶解在氫氟酸(HF) 中。在離子注入時所使用的掩膜層例如可以在將半導(dǎo)體層序列與支承襯 底連接之前被去除。替代地，掩膜層也可以留在半導(dǎo)體層序列上，其中優(yōu)選的是，在將半導(dǎo)體層序列與支承襯底相連之前施加中間層，該中間層將掩膜層平坦化(planarisiert)。起平坦化作用的中間層的優(yōu)點(diǎn)是，支承襯 底的重力也作用到半導(dǎo)體層序列的未被屏蔽的區(qū)域上，而若非如此，則這 些未被屏蔽的區(qū)域會由于掩膜層而與支,底間隔。在熱處理的方法步驟 中，支^H"底的重力作用到注入?yún)^(qū)的優(yōu)點(diǎn)是，促進(jìn)了通過離子擴(kuò)散而產(chǎn)生 的小泡在橫向方向上的擴(kuò)展，并且減小了在垂直于半導(dǎo)體層序列生長方向 走向的垂直方向上的擴(kuò)展。在由金屬或者金屬合金構(gòu)成的掩膜層情況下，該掩膜層可以作為電接 觸層留在半導(dǎo)體層序列上。在這種情況下，電接觸層無需另外的制造開銷 地以結(jié)構(gòu)化方式施加到半導(dǎo)體層序列的、其中沒有被注入離子的區(qū)域上。 必要時，可以將適合于構(gòu)建帶有半導(dǎo)體層序列最上層的電接觸部的接觸金 屬引入掩膜層中。有利的是，在熱處理時，為了生成小泡，同時通過與掩 膜層的金屬形成^r來將接觸金屬引入掩膜層中。在一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中，在將半導(dǎo)體晶片與支承襯底相連之 前，將中間層施加到半導(dǎo)體晶片的未被屏蔽的區(qū)域上，該中間層厚度大于 掩膜層的厚度。在這種情況下，半導(dǎo)體層序列的被屏蔽的區(qū)域通過施加到 未禮笄蔽的區(qū)域上的中間層而與支^H"底間隔。因此，支^H"底的重力有 利地首先作用到未被屏蔽的區(qū)域上，由此加強(qiáng)了通過所注入的離子的擴(kuò)散 而產(chǎn)生的小泡在橫向方向上的擴(kuò)展，并且阻礙了其在垂直方向上的擴(kuò)展。 通過這種方式，促進(jìn)了所產(chǎn)生的小泡向半導(dǎo)體晶片的設(shè)置在掩膜層之下的 區(qū)域中擴(kuò)展。替代地，這種效應(yīng)也可以如下來實(shí)現(xiàn)將掩膜層去除并且將 中間層施加到半導(dǎo)體層序列上，該中間層被結(jié)構(gòu)化為使得其基本上覆蓋半 導(dǎo)體層序列的、離子被注入其中的區(qū)域。支^H"底對注入?yún)^(qū)的重力作用可 以通過將朝向生長襯底的力作用到支承襯底上來增強(qiáng)。在另 一優(yōu)選的實(shí)施形式中，在離子注入之前將半導(dǎo)體層序列結(jié)構(gòu)化。 例如，半導(dǎo)體層序列可以被結(jié)構(gòu)化為使得其具有適于制it^光二極管或者 半導(dǎo)體激光器件的結(jié)構(gòu)。特別地，半導(dǎo)體層序列可以被結(jié)構(gòu)化為4吏得半導(dǎo)體晶片包括一個或優(yōu) 選多個條形激光器件結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)在隨后的工藝步驟中被分割為單個的 條形激光器件。條形激光器優(yōu)選具有大約1.5 p m至大約3 n m的條寬度。 結(jié)構(gòu)的這種寬度有利地足夠小，使得所注入的離子在熱處理時在橫向方向 上足夠遠(yuǎn)地擴(kuò)散，使得通過形成小泡而引起該結(jié)構(gòu)的完全剝離。當(dāng)已經(jīng)在離子注入之前進(jìn)行了半導(dǎo)體層序列的結(jié)構(gòu)化，則有利的是， 通過包圍的掩膜層來保護(hù)所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)(特別是該結(jié)構(gòu)的側(cè)邊緣)免受離 子影響。包圍的掩膜層應(yīng)當(dāng)理解為不M蓋結(jié)構(gòu)的表面，而且M蓋結(jié)構(gòu) 的側(cè)邊緣的掩膜層。根據(jù)本發(fā)明的方法特別適于制造光電子器件，例如適于制造發(fā)光二極 管或者激光二極管。根據(jù)本發(fā)明的光電子器件包括設(shè)置于支承襯底上的半導(dǎo)體層序列，該 半導(dǎo)體層序列具有功能半導(dǎo)體層，其中半導(dǎo)體層序列通過上述用于將半導(dǎo) 體晶片從生長襯底橫向分離的方法而被分離。特別地，光電子器件可以是發(fā)光二極管(LED)或者激光二極管。以下將借助實(shí)施例結(jié)合附

圖1至13進(jìn)一步闡述本發(fā)明。 其中圖1A、 1B、 1C、 1D、 1E、 1F和1G示出了在根據(jù)本發(fā)明的方法的 一個實(shí)施例的中間步驟中，半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖2示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的方法的另 一實(shí)施例中，在分離半導(dǎo)體晶片 的方法步驟之前的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖3示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的方法的另 一實(shí)施例中，在分離半導(dǎo)體晶片 的方法步驟之前的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖4示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的方法的另一實(shí)施例中，在離子注入的方法 步驟中的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖5示出了在根據(jù)本發(fā)明的方法的另一實(shí)施例中，在離子注入的方法 步驟中的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖6A示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的方法的另一實(shí)施例中，在離子注入的方 法步驟中的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖6B示意性示出了在將半導(dǎo)體層序列結(jié)構(gòu)化為激光器條之后，圖6A所示的半導(dǎo)體晶片的橫截面視圖；圖7示出了在4艮據(jù)本發(fā)明的方法的另 一實(shí)施例中，在離子注入的方法步驟中的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖8示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的方法的另 一實(shí)施例中，在離子注入的方法 步驟中的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖9示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的方法的另 一實(shí)施例中，在離子注入的方法 步驟中的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖IO示出了在根據(jù)本發(fā)明的方法的另一實(shí)施例中，在離子注入的方 法步驟中的半導(dǎo)體晶片的示意性橫截面視圖；圖11至13示出了在根據(jù)本發(fā)明的方法的另一實(shí)施例中，掩膜層的示 意性俯視圖。在附圖中，相同或者作用相同的元件設(shè)置有相同的參考標(biāo)號。所示的 元件不能視為符合比例，更確切地說，為了更好的理解，可能夸大地示出 單個的元件。如圖1A中所示，在根據(jù)本發(fā)明的方法中提供了生長襯底2。生長襯 底2是適于外延生長氮化物化合物半導(dǎo)體的襯底，其優(yōu)選為GaN襯底、 A1N襯底，或者替代地為SiC襯底或者藍(lán)寶石襯底。在圖1B中示意性示出的中間步驟中，半導(dǎo)體層序列3外延地生長到 生長襯底2上。通過這種方式制造的半導(dǎo)體晶片1包含生長襯底2和半導(dǎo) 體層序列3。半導(dǎo)體層序列3例如借助金屬有機(jī)物氣相外延(MOVPE) 被施加到生長襯底2上。外延的半導(dǎo)體層序列3優(yōu)逸基于氮化物化合物半導(dǎo)體。外延的半導(dǎo)體 層序列3包含至少一種功能半導(dǎo)體層5，例如為光電子器件而設(shè)計的發(fā)射 輻射的或者檢測輻射的層。特別地，功能半導(dǎo)體層5可以是發(fā)光二極管的或者半導(dǎo)體激光器的有 源層。在此，有源層例如可以構(gòu)建為異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)或者構(gòu)建為量 子阱結(jié)構(gòu)。在此，名稱"量子阱"包括其中載流子由于限制(Confinement) 而經(jīng)歷其能量狀態(tài)量子化的任何結(jié)構(gòu)。特別地，名稱"量子阱結(jié)構(gòu)"不包 含關(guān)于量子化維數(shù)的說明。由此，其尤其是包含量子槽、量子線和量子點(diǎn)， 以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。此外，在圖1B中所示的中間步驟中，結(jié)構(gòu)化的掩膜層10被施加到 半導(dǎo)體層序列3上。半導(dǎo)體層序列3的表面于是具有被掩膜層10覆蓋的 被屏蔽區(qū)11和未被屏蔽區(qū)12。有利的是，被屏蔽區(qū)11的寬度b在至少 一個橫向方向上為20 n m或者更小，特別優(yōu)選為5 ju m或者更小。在圖1C中示意性示出的中間步驟中，如通過箭頭6所表明的那樣， 離子通過未被屏蔽區(qū)12穿過半導(dǎo)體層序列3而注入，以在半導(dǎo)體晶片1中產(chǎn)生注入?yún)^(qū)13。與此相反，離子不能^yV半導(dǎo)體層序列3的M蔽區(qū)11中，因?yàn)檫@ 些離子基本上不能穿透掩膜層10的材料。特別地，通過這種方式防止了 功能半導(dǎo)體層5的設(shè)置在被屏蔽區(qū)11之下的部分區(qū)域在離子注入的方法 步驟中被損害。掩膜層10例如可以由金屬、電介質(zhì)或者漆形成，其中厚度根據(jù)所注 入的離子的離子能量來選擇，使得掩膜層10基本上不能被離子穿透。例 如，掩膜層10是大約2 n m厚的二氧化硅層。所注入的離子特別可以是氫離子，或者替代地為惰性氣體例如氦、氖、 氪或者氙的離子。也可能的是，注入不同原子的離子，例如特別是氫離子和氦離子，或 者氫離子和硼離子。這樣的優(yōu)點(diǎn)是，減少了所需的注入劑量。注入?yún)^(qū)13優(yōu)選在設(shè)計為分離層的層4中產(chǎn)生，該層4被包含在半導(dǎo) 體層序列3中。替代地，也可能的是，將離子注入生長襯底2中，以形成 注入?yún)^(qū)13。[^，如在圖1D中所示，又可以將掩膜層10從半導(dǎo)體層序列3去除。隨后，如在圖1E中所示，半導(dǎo)體晶片l在背離生長襯底2的側(cè)與支 承襯底15相連。因?yàn)榕c生長襯底2不同，支承襯底15不必適于外延生長 例如基于氮化物化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層序列3,所以在材料選擇時，對 于支承襯底15存在較大的自由度。特別地，可以選擇其特色在于較低的 成本和/或良好導(dǎo)熱能力的支^#底15。例如，支承襯底15可以由Ge、 GaAs、金屬如Mo或Au、金屬合金或者陶資例如A1N形成。支;fc^t底 15優(yōu)選借助焊接或者接合與半導(dǎo)體層序列3相連。在將半導(dǎo)體晶片i與支承襯底15相連之前，可以將中間層14施加到 半導(dǎo)體層序列3上。中間層14例如可以為了以下目的而祐ife加在離子 注入的方法步驟之后以及在掩膜層去除之后，使得半導(dǎo)體層序列3平滑。 此外，中間層14也可以是^Jt層，該>^射層在光電子器件中應(yīng)當(dāng)阻止輻 射侵入支承襯底15中。隨后，如在圖1F中通過箭頭T所表明的那樣，進(jìn)行熱處理，該熱處 理引起被注入注入?yún)^(qū)13中的離子的擴(kuò)散。熱處理優(yōu)選在300r到1200"C之間的溫度下進(jìn)行。通過熱處理而M 的注入離子的擴(kuò)散導(dǎo)致形成小泡7，其大小和數(shù)量隨著熱處理的持續(xù)時間 增加而增大。通過這種方式，形成了滲透有小泡7的擴(kuò)散區(qū)16，這些擴(kuò)散區(qū)在橫 向方向上也在半導(dǎo)體層序列3的事先被屏蔽的區(qū)域下)^伸，并且最后聚集 在那里。如在圖1G中示意性示出的那樣，滲透有小泡7的擴(kuò)散區(qū)16的聚集 最后導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片分離為兩部分la、 lb。半導(dǎo)體晶片l的與生長襯底2分離的部分lb特別可以是光電子器件， 例如發(fā)光二極管或者半導(dǎo)體激光器，或者被進(jìn)一步加工為光電子器件。此 外，半導(dǎo)體晶片的被分離的部分lb也可以被分割為多個光電子器件。由于離子不是注入生長襯底2，而是注入設(shè)計為分離層4的半導(dǎo)體層 序列3的層中，所以在分離半導(dǎo)體晶片1時有利地分開了半導(dǎo)體晶片1 的包含整個生長襯底2的一部分la。如在圖1G中示意性示出的那樣，在 分離之后，半導(dǎo)體晶片1的被分開的部分la包含分離層4的殘留物，這 些殘留物可以在事后的刻蝕工藝或者拋光工藝中被去除。于是，生長襯底 2完全可以再次利用。此外，與支承襯底15相連的半導(dǎo)體層序列3也可 以具有分離層4的殘留物，這些殘留物有利地在事后的刻蝕工藝或者拋光 工藝中被去除。在圖2中示出了在另一實(shí)施例中將離子注入注入?yún)^(qū)13的方法步驟之 后的半導(dǎo)體晶片，其中掩膜層10并非如在前面所描述的實(shí)施例中那樣被 從半導(dǎo)體層序列3的表面去除，而是在將半導(dǎo)體晶片1與支承襯底15相 連之前以起平坦化作用的中間層16加以設(shè)置。掩膜層10通過中間層16 被變平，并且有利的是在將半導(dǎo)體晶片1與支M底15相連之前不被去 除。通過這種方式，降低了制造開銷。與起平坦化作用的中間層16相連的支承襯底15在隨后的熱處理方法 步驟中將力施加到注入?yún)^(qū)13,該力促進(jìn)了小泡的橫向擴(kuò)展并且減小了垂 直擴(kuò)展。當(dāng)如在圖3中借助另一實(shí)施例所示，半導(dǎo)體晶片1通過厚度比掩膜層 10更大的中間層17與支承襯底15相連時，支承襯底15對于在熱處理中 所產(chǎn)生的小泡的擴(kuò)展的這種有利的影響可以被進(jìn)一步強(qiáng)化。在這種情況 下，半導(dǎo)體晶片l僅^未禮齊蔽的區(qū)域12中通過中間層17與支承襯底15相連，而被屏蔽的區(qū)域ll通過中間空間18與支承襯底15間隔。為了 進(jìn)一步提高支承村底15對于注入到注入?yún)^(qū)13中的離子的擴(kuò)散的影響，在 熱處理的方法步驟期間有利地將力F朝著半導(dǎo)體晶片1的方向施加到支承 襯底15上。在圖4中示意性示出了在本發(fā)明的另一實(shí)施例中在離子注入的方法 步驟中的半導(dǎo)體晶片l，其中在離子注入之前，半導(dǎo)體層序列3已被結(jié)構(gòu) 化。半導(dǎo)體層序列3例如可以被結(jié)構(gòu)化為4吏得其具有溝19。在溝中，分 離層4例如借助刻蝕工藝被暴露。例如通過在半導(dǎo)體層序列3中所產(chǎn)生的 溝19，離子可以在離子注入時被直接注入到分離層4中，而在此未橫穿 半導(dǎo)體層序列3的其余層，特別是功能半導(dǎo)體層5。這樣特別具有的優(yōu)點(diǎn) 是，在離子注入時只需要較小的離子能量和/或離子劑量。設(shè)置在溝19之 間的半導(dǎo)體層序列3的部分區(qū)域20例如可以在以后的方法步驟中被分割 為單個的光電子器件，例如分割為條形激光器。此外也可能的是，多個通 過溝19分隔的部分區(qū)域20 —同形成光電子器件的半導(dǎo)體芯片，例如發(fā)光 二極管的半導(dǎo)體芯片。在圖5中示出的、在才艮據(jù)本發(fā)明的方法的一個實(shí)施例中的離子注入的 方法步驟中，半導(dǎo)體層序列在離子注入之前被結(jié)構(gòu)化為條形激光器21。 條形激光器21有利地被包圍的掩膜層22環(huán)繞，該掩^膜層不M蓋表面 23，而且M蓋條形激光器21的側(cè)邊緣24。這樣的優(yōu)點(diǎn)是，在離子注入 時，盡可能地保護(hù)側(cè)邊緣24免受出現(xiàn)的高能離子影響。特別地，由此預(yù) 防了條形激光器21的有源區(qū)5的損害。此外有利的是，分離層4的與條 形激光器21鄰接的區(qū)域被掩膜層22覆蓋，以Y更在條形激光器工作時，減 少載流子在離子注入?yún)^(qū)中的非輻射(nichtstrahlen)的重新結(jié)合。例如， 在1.5 n m寬的條形激光器21的情況下，掩膜層22可以具有5.5 u m的 寬度，使得在條形激光器21的兩側(cè)分別屏蔽了分離層4表面的2nm寬 的條形區(qū)域。圖6A和6B示意性示出了該方法的另一優(yōu)選的實(shí)施形式，其中避免 了在離子注入的方法步驟中光電子器件的側(cè)邊緣24、特別是條形激光器 21的側(cè)邊緣的可能的損害。半導(dǎo)體層序列祐:施加到圖6A中示出的半導(dǎo)體晶片1上。半導(dǎo)體層序 列被結(jié)構(gòu)化為使得其具有寬度D，該寬度大于針對圖6B中所示的條形激 光器21所設(shè)計的寬度d。設(shè)置在圖6A中所示的虛線25之外的半導(dǎo)體層 序列的部分區(qū)域26在離子注入的方法步驟之后才通過另外的結(jié)構(gòu)化步驟去除，以便制造圖6B中所示的條形激光器21。通過這種方式，在前述的 離子注入的方法步驟中保護(hù)了條形激光器21的側(cè)邊緣24免遭可能的損 害。在圖7中示意性示出的、在根據(jù)本發(fā)明的方法的另一實(shí)施例中的離子 注入的中間步驟中，分離層4是通過外延的橫向過生長(ELOG)而生成 的層。為了制造ELOG層，將掩膜層7結(jié)構(gòu)化地拖加到生長襯底2上。 替代地，如果分離層4未被直接施加到生長襯底2上，則掩膜層27可以 被施加到在生長方向上設(shè)置在分離層4之下的半導(dǎo)體層上。ELOG掩膜層27特別可以是氮化硅層或者二氧化硅層。替代ELOG掩膜層27，也可以借助橫向過生長使用原位-SiN-層 (in-situ-SiN-Schicht)用于生長分離層。原位-SiN-層作為薄的層被ife加， 使得其還未生長在一起成為連續(xù)的層，并且由此未完全覆蓋生長襯底。通 過這種方式，原位-SiN-層用作掩膜層。借助橫向外延過生長制造的分離層4簡化了半導(dǎo)體晶片1的分離，因 為分離層4的半導(dǎo)體材料在掩膜層27的被橫向過生長的區(qū)域上具有較小 的附著性。因此，半導(dǎo)體晶片1可以在沿著掩膜層27的朝向分離層4的 表面走向的平面中以較小的開銷被分離。特別優(yōu)選的是，ELOG掩膜層27的結(jié)構(gòu)和用于離子注入的掩膜層10 的結(jié)構(gòu)一致。在這種情況中，離子被^有利地注入分離層4的注入?yún)^(qū)13中， 其中這些注入?yún)^(qū)設(shè)置在ELOG掩膜層27的、橫向地從分離層4過生長的 區(qū)域之間。在另一種優(yōu)選的實(shí)施例中，如在圖8中示意性示出的那樣，在半導(dǎo)體 層序列3的生長方向上將擴(kuò)散勢壘層8設(shè)置在分離層4之上。擴(kuò)散勢壘層8優(yōu)選是高電阻值的或者n摻雜的氮化物化合物半導(dǎo)體 層，例如以Zn摻雜的GaN層或者Si摻雜的n-GaN層。特別地，擴(kuò)散勢 壘層8未被p摻雜。擴(kuò)散勢壘層8有利地減少了被注入分離層4中的離子擴(kuò)散到位于其上 的半導(dǎo)體層中，特別是擴(kuò)散到功能半導(dǎo)體層5中。通過這種方式，示意性 示出的被注入離子的濃度K的深度分布(Tiefenprofil)向上減小。通 過這種方式預(yù)防了由于擴(kuò)散的離子而對功能半導(dǎo)體層產(chǎn)生的損害。與圖8中示出的實(shí)施例相反，在圖9中示出的實(shí)施例中，擴(kuò)散勢壘層9不是設(shè)置在分離層4之上，而是設(shè)置在分離層4之下。通過在生長方向 上設(shè)置在分離層4之下的擴(kuò)散勢壘層9，有利地減小了所注入的離子向生 長襯底2中的擴(kuò)散，并且示意性示出的、所注入離子的濃度K的深度分 布朝著生長襯底2減小。特別優(yōu)選的是，如在圖10中借助另一實(shí)施例所示出的那樣，在分離 層4之上和之下都i殳置有擴(kuò)散勢壘層8、 9。在這種情況下，所注入的離 子的濃度分布K有利地在分離層4的兩側(cè)由于離子向鄰接的層和生長襯 底的擴(kuò)散減少而減小。當(dāng)然，借助圖8至10所闡述的在分離層4之上和/或之下設(shè)置擴(kuò)散勢 壘層8、 9可以與前面描述的分離層4的有利的擴(kuò)展方案結(jié)合。在圖11、 12和13中，借助示意性示出的、在施加^^膜層的方法步驟 之后的半導(dǎo)體晶片的俯視圖，示出了在根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例中掩膜 層10的不同的實(shí)施形式。在此與被屏蔽的區(qū)域ll不同，未被屏蔽的區(qū)域 12分別用陰影示出。在圖11中所示的實(shí)施例示出了條形的掩膜層IO，該掩膜層特別是可 以在使用根據(jù)本發(fā)明的方法用于制造光電子器件時，特別是制造條形激光 器時被釆用。條的寬度優(yōu)選為5 um或者更小。替代地，如在圖12A和12B中所示，屏蔽層10也可以具有格柵結(jié)構(gòu)。 格柵結(jié)構(gòu)例如可以是圖12A中所示的條形柵。替代地，也可能是任意 其它的格柵結(jié)構(gòu)，如在圖12B中所示的格柵結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含六邊形的 結(jié)構(gòu)。同樣地，如在圖13A和13B中示意性示出的那樣，可以4吏用點(diǎn)狀的 掩膜層10。掩膜層的單個的點(diǎn)ll在此可以具有任意的幾何形狀，例如在 圖13A中示出的方形形狀或者如13B中示出的六邊形結(jié)構(gòu)。替代地，掩 膜層10的點(diǎn)例如可以具有圓形或者三角形的形狀。掩膜點(diǎn)11的橫向尺寸 (例如在掩膜點(diǎn)11為方形或者矩形形狀的情況下的邊長)優(yōu)選為5um 或者更小。在圖12和13中示出的格柵形狀或者點(diǎn)狀掩膜層特別是可以在制光二極管時在使用4艮據(jù)本發(fā)明的方法的情況下應(yīng)用。本發(fā)明并非通過借助實(shí)施例的描述而受到限制。更確切地說，本發(fā)明 包括任何新的特征以及特征的組合，特別是包含在權(quán)利要求中的特征的任 意組合，即使該特征或者該組合本身未明確地在權(quán)利要求中或者實(shí)施例中被說明。
權(quán)利要求
1.一種用于橫向分離半導(dǎo)體晶片的方法，半導(dǎo)體晶片包括生長襯底(2)和半導(dǎo)體層序列(3)，所述方法具有以下方法步驟-提供生長襯底(2)，-將半導(dǎo)體層序列(3)外延生長到生長襯底(2)上，該半導(dǎo)體層序列包括功能半導(dǎo)體層(5)，-將掩模層(10)施加到半導(dǎo)體層序列(3)的部分區(qū)域上，以產(chǎn)生被屏蔽的區(qū)域(11)和未被屏蔽的區(qū)域(12)，-通過未被屏蔽的區(qū)域(12)注入離子，用于在半導(dǎo)體晶片(1)中產(chǎn)生注入?yún)^(qū)(13)，以及-沿著注入?yún)^(qū)(13)分離半導(dǎo)體晶片(1)，其中生長襯底(2)或者生長襯底(2)的至少一部分被從半導(dǎo)體晶片分離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在離子注入時，將氫 離子、氦離子、氫離子和氦離子，或者氫離子和硼離子注入。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，借助熱處理來進(jìn) 行分離。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，熱處理在300X:至1200 n的溫度范圍中進(jìn)行。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，半導(dǎo)體層 序列(3)基于氮化物化合物半導(dǎo)體材料。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，功能半導(dǎo) 體層(5) AiL射輻射的層或者檢測輻射的層。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，功能半導(dǎo) 體層(5)具有InxAlyGa^yN,其中0Sx《1, 0《y《l并且x+y《1。
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，生長襯底 (2 )是GaN襯底或者A1N襯底。
9. 根據(jù)上i^L利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，半導(dǎo)體層序列(3)的被屏蔽的區(qū)域(11)在至少一個橫向方向上具 有的尺寸(b)為20pm或者更小。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 注入?yún)^(qū)(13 )設(shè)置在半導(dǎo)體層序列(3 )的設(shè)計為分離層(4)的層中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，分離層(4)包含至 少一種元素，該元素具有比鎵更大的核電荷數(shù)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，分離層(4)包含銦。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10至12中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，半 導(dǎo)體層序列(3)包^^針對所注入的離子的、至少一個與分離層(4)相鄰 的擴(kuò)散勢壘層(8， 9)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，擴(kuò)散勢壘層(8， 9) 是以Zn、 Si或者Fe摻雜的氮化物化合物半導(dǎo)體層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，其特征在于，半導(dǎo)體層序列 (3)在分離層(4)的兩側(cè)包含針對所注入離子的擴(kuò)散勢壘層(8， 9)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10至15中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，分 離層是張應(yīng)變的層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，張應(yīng)變的分離層(4) 是含有鋁的氮化物化合物半導(dǎo)體層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的方法，其特征在于，張應(yīng)變的分離 層(4)是Si摻雜的氮化物化合物半導(dǎo)體層。
19. 根據(jù)權(quán)利要求10至18中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，分 離層(4)是通過橫向外延過生長(ELOG)制造的半導(dǎo)體層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，在生長分離層(4) 之前，將ELOG掩模層(27)施加到生長襯底(2 )上，該ELOG掩模 層的結(jié)構(gòu)至少部分與^^模層(10)的結(jié)構(gòu)一致。
21. 根據(jù)權(quán)利要求10至20中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，分 離層(4)由一種半導(dǎo)體材料形成，在該半導(dǎo)體材料中，所注入的離子具 有比與分離層(4)鄰接的層中更大的擴(kuò)散系數(shù)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，分離層(4)是p 摻雜的氮化物化合物半導(dǎo)體層。
23. 根據(jù)上*利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，半導(dǎo)體晶 片(1)在分離之前在與生長襯底(2)背離的表面上與支承襯底(15)相連。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，在將半導(dǎo)體晶片(1) 與支承襯底相連之前，將起平坦化作用的中間層(16)施加到掩模層(10 ) 上。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，在將半導(dǎo)體晶片(1) 與支承襯底(15)相連之前，將中間層(17)施加到半導(dǎo)體晶片(1)的 未被屏蔽的區(qū)域(12)上，該中間層的厚度大于掩模層(10)的厚度。
26. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，在將半導(dǎo)體晶片(1) 與支承襯底(15)相連之前，去除掩模層(10)。
27. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在離子注 入之前將半導(dǎo)體層序列(3)結(jié)構(gòu)化。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，通過結(jié)構(gòu)化產(chǎn)生發(fā) 光二極管結(jié)構(gòu)或者激光二極管結(jié)構(gòu)。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生條形激光器結(jié) 構(gòu)(21)。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，條形激光器結(jié)構(gòu)(21) 具有的條寬度(d )在1.5 [xm至3 jim之間，包括端點(diǎn)。
31. 根據(jù)權(quán)利要求27至30中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，掩 模層(22)包圍通過結(jié)構(gòu)化產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)(21)。
32. —種具有半導(dǎo)體層序列(3)的光電子器件，所述半導(dǎo)體層序列 (3)具有功能半導(dǎo)體層(5)，其中半導(dǎo)體層序列(3)通過根據(jù)權(quán)利要求 1至31中的任一項(xiàng)所述的方法被從生長村底(2)分離。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的光電子器件，其中該光電子器件是發(fā)光 二極管或者激光二極管。
全文摘要
一種根據(jù)本發(fā)明的用于橫向分離半導(dǎo)體晶片(1)的方法，包括以下方法步驟提供生長襯底(2)；將半導(dǎo)體層序列(3)外延生長到生長襯底(2)上，該半導(dǎo)體層序列包括功能半導(dǎo)體層(5)；將掩模層(10)施加到半導(dǎo)體層序列(3)的部分區(qū)域上，以產(chǎn)生被屏蔽的區(qū)域(11)和未被屏蔽的區(qū)域(12)；通過未被屏蔽的區(qū)域(12)注入離子，在半導(dǎo)體晶片(1)中產(chǎn)生注入?yún)^(qū)(13)；以及沿著注入?yún)^(qū)(13)分離半導(dǎo)體晶片(1)，其中生長襯底(2)或者生長襯底(2)的至少一部分被從半導(dǎo)體晶片分離。
文檔編號H01L33/32GK101253660SQ200680031538
公開日2008年8月27日 申請日期2006年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月1日
發(fā)明者克里斯托夫·艾克勒, 福爾克爾·黑勒 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司