技術(shù)編號(hào)：7223141
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于橫向分離半導(dǎo)體晶片的方法以及光電子器件本申請要求德國專利申請10 2005 052 357.9和10 2005 041 572.5的優(yōu) 先權(quán)，它們的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本發(fā)明涉及一種用于橫向分離半導(dǎo)體晶片的方法，特別是橫向分離用 于制造光電子器件的半導(dǎo)體晶片的方法，以及涉及一種光電子器件。在制造光電子器件(例如LED或者半導(dǎo)體激光器)時(shí)，通常希望事 后將為光電子器件的半導(dǎo)體層序列的外延生長所使用的生長襯底從半導(dǎo) 體晶片分開。例如，在所謂的薄膜技術(shù)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。