專利名稱：：半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種將LED(LightEmittingDiode:發(fā)光二極管)
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，白光LED裝置已被實(shí)用化，作為取代熒光燈的照明部件備受關(guān)注。人們開(kāi)發(fā)出了采用氮化鎵(GaN)化合物半導(dǎo)體的、發(fā)藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的LED芯片，這促進(jìn)了白光LED裝置的實(shí)用化。利用發(fā)藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的LED芯片得到白光的方法，主要有兩種(例如，參照非專利文獻(xiàn)1。)第一，是利用藍(lán)光LED芯片所放射出的藍(lán)光、和用藍(lán)光激發(fā)鈰摻雜釔鋁石榴石(YAG:Ce)等熒光材料來(lái)得到的黃光得到白光的方法；第二，是用發(fā)紫光區(qū)到紫外光區(qū)的光的LED芯片所放射的光激發(fā)多種熒光材料，得到紅、綠及藍(lán)這些所謂的三原色的光，來(lái)得到白光的方法。Y202S:Eu(簡(jiǎn)稱為P22-RE3)被用作紅光用熒光材料。ZnS:Cu，Al(簡(jiǎn)稱為P22'GN4)或(Ba，Mg)Al10O17:Eu,Mn(簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)P-G3)被用作綠光用熒光材料。(Sr，Ca，Ba，Mg)n)(P04)6d2:Eu(筒稱為L(zhǎng)P-B1)或(Ba,Mg)AhoOi7:Eu(筒稱為L(zhǎng)P-B4)被用作藍(lán)光用熒光材料。白光LED裝置，是通過(guò)用密封用樹(shù)脂材料將發(fā)藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的LED芯片和所述熒光材料封裝化來(lái)實(shí)現(xiàn)的。作為代表性封裝方式，有將密封用樹(shù)脂材料形成為炮彈型的結(jié)構(gòu)(例如，參照非專利文獻(xiàn)2。)。下面，參照?qǐng)D45,對(duì)具有炮彈型封裝形狀的現(xiàn)有白光LED裝置進(jìn)行說(shuō)明。如圖45所示，在現(xiàn)有例所涉及的白光LED裝置100中，發(fā)藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的LED芯片102通過(guò)糊(paste)狀銀材料或糊狀絕緣材料等芯片固定用糊狀材料103固定在芯片墊(diepad)部的底面上，該芯片墊設(shè)置在第一引線框101A的一個(gè)端部并呈碗狀。在LED芯片102的上表面上，形成有第一電極104A和第二電極104B。第一電極104A,通過(guò)第一金屬線105A與第一引線框101A電連接，第二電極104B通過(guò)第二金屬線105B與和第一引線框IO]A配成對(duì)的第二引線框101B電連接。LED芯片102，被成形為炮彈狀的樹(shù)脂材料105密封。一般用環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂等對(duì)可見(jiàn)光透明的樹(shù)脂材料作為樹(shù)脂材料105。在樹(shù)脂材料105中，混合有所述熒光材料106(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。非專利文獻(xiàn)l:只友一行及其他著《三菱電線工業(yè)時(shí)報(bào)》第99號(hào)、2002年7月、第35到第41頁(yè)非專利文獻(xiàn)2:杉本勝及其他著《松下電工技報(bào)》第53號(hào)、No.l、第4到第9頁(yè)專利文獻(xiàn)1:日本公開(kāi)專利公報(bào)特開(kāi)2004-71908號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本公開(kāi)專利公報(bào)特開(kāi)2005-93724號(hào)公報(bào)然而，在對(duì)上述現(xiàn)有白光LED裝置100采用環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂作為密封用樹(shù)脂材料105的情況下，會(huì)出現(xiàn)下述問(wèn)題。在采用環(huán)氧樹(shù)脂的情況下，會(huì)有環(huán)氧樹(shù)脂變?yōu)辄S色的問(wèn)題。就是說(shuō)，由LED芯片102放射出的、藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光使環(huán)氧樹(shù)脂變成黃色，使得白光LED裝置IOO所發(fā)的發(fā)光亮度會(huì)減低，色調(diào)會(huì)變化。鑒于此，密封用樹(shù)脂材料105需要有耐光性和耐熱性。在芯片固定用糊狀材料103由樹(shù)脂構(gòu)成的情況下，LED芯片102所放射的光會(huì)使芯片固定用糊狀材料103變色，使得發(fā)光亮度會(huì)減低，光強(qiáng)度會(huì)惡化。這也是一個(gè)問(wèn)題。而且，從外部入射的、紫外光區(qū)的光也會(huì)使構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的樹(shù)脂材料105及熒光材料106惡化，甚至還會(huì)使由樹(shù)脂構(gòu)成的芯片固定用糊狀材料103惡化。這也是一個(gè)問(wèn)題。另一方面，硅樹(shù)脂有下述問(wèn)題，即因?yàn)榕c環(huán)氧樹(shù)脂相比，硅樹(shù)脂的的光折射率更低，所以LED芯片102所放射的光容易發(fā)生全反射，使得從LED芯片102提取的光提取效率較低(例如，參照專利文獻(xiàn)2。)。補(bǔ)充說(shuō)明一下，因?yàn)楹蚅ED芯片(特別是氮化鎵半導(dǎo)體)的折射率比較起來(lái)，環(huán)氧樹(shù)脂的折射率非常低，所以即使在使用環(huán)氧樹(shù)脂的情況下，也不應(yīng)該算是光提取效率足夠高。不僅僅是發(fā)出發(fā)光波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的LED芯片，發(fā)光波長(zhǎng)比藍(lán)光長(zhǎng)的LED芯片也不應(yīng)該算是光提取效率足夠高。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明，正是為解決所述問(wèn)題而研究開(kāi)發(fā)出來(lái)的。其目的在于謀求對(duì)形成有發(fā)光元件的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行密封的密封材料的耐光性、耐熱性及光提取效率的提高。為了達(dá)成上述目的，在本發(fā)明中設(shè)為下述結(jié)構(gòu)，即使構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的密封部的基體材料包含由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的、有效粒徑在發(fā)光波長(zhǎng)的四分之一以下的粒子。具體而言，本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的半導(dǎo)體芯片，和形成在光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部；密封部包含密封材料和熒光材料，該密封材料由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在基體材料內(nèi)部的光的波長(zhǎng)的四分之一以下。根據(jù)第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置，因?yàn)橐逊稚⒃诿芊獠康幕w材料中的粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，所以與不包含所述由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的粒子的情況相比密封部的耐光性和耐熱性有所提高。而且，因?yàn)橐逊稚⒃诨w材料中的粒子的有效粒徑在半導(dǎo)體芯片所放射的光的波長(zhǎng)的四分之一以下，所以不會(huì)損害密封部的透明性，就是說(shuō)不會(huì)對(duì)光提取效率造成不良影響。補(bǔ)充說(shuō)明一下，若粒子的大小充分地小于光的波長(zhǎng)，就可以將分散有無(wú)機(jī)粒子的復(fù)合材料看作沒(méi)有折射率偏差的、均一的介質(zhì)。若粒子的直徑在光的波長(zhǎng)的四分之一以下，復(fù)合材料中的光的散射就只有瑞利散射，因而很少出現(xiàn)透光性惡化的情況。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，密封部形成為覆蓋半導(dǎo)體芯片的周?chē)?。這樣，密封部的機(jī)械強(qiáng)度就很大，耐熱性也有所提高，不易產(chǎn)生密封部的剝離和裂縫。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，密封部形成為與半導(dǎo)體芯片相接觸。在密封部和半導(dǎo)體芯片如上所述接觸的情況下，與使密封部的基體材料不包含粒子的結(jié)構(gòu)相比密封部及半導(dǎo)體芯片相互間的熱膨脹系數(shù)之差更小，因此密封部也不易產(chǎn)生剝離及裂縫。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，密封部由第一密封部和第二密封部構(gòu)成，該第一密封部由密封材料構(gòu)成；該第二密封部形成在該第一密封部的外側(cè)，包含熒光材料。如上所述，通過(guò)將由為復(fù)合材料的密封材料構(gòu)成的第一密封部配置在離半導(dǎo)體芯片較近而因此光密度較高的部分，能夠?qū)崿F(xiàn)從半導(dǎo)體芯片提取的、很高的光提取效率，并能夠得到很強(qiáng)的耐光性和耐熱性。而且，通過(guò)將透明性強(qiáng)于復(fù)合材料并且包含熒光材料的第二密封部配置在離半導(dǎo)體芯片較遠(yuǎn)而因此光密度較低的部分，能夠提高第二密封部的透光性。其結(jié)果是，能夠提高從半導(dǎo)體發(fā)光裝置提取的光提取效率。最好是這樣的，在第一密封部由復(fù)合材料構(gòu)成的情況下，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在第一密封部中的半導(dǎo)體芯片的至少下方及側(cè)邊、讓光反射的反射部件。這樣，含在構(gòu)成位于半導(dǎo)體芯片一側(cè)的第一密封部的復(fù)合材料中的粒子就如下所述使藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光譜衰減，紅光區(qū)等短波長(zhǎng)一側(cè)的光譜相對(duì)地增大。在本說(shuō)明書(shū)中，將該現(xiàn)象稱為過(guò)濾效應(yīng)。通過(guò)利用過(guò)濾效應(yīng)，平均演色性指數(shù)(Ra)升高，能夠降低色溫。再說(shuō)，在該情況下，最好是這樣的，密封材料是用具有透明性的糊狀材料固定著半導(dǎo)體芯片、并且被反射部件支撐著的底層(underlyinglayer)。如上所述，因?yàn)楣潭ò雽?dǎo)體芯片的糊狀材料是透明的，所以即使將復(fù)合材料用作底層，平均演色性指數(shù)(Ra)由于含在底層中的粒子所帶來(lái)的過(guò)濾效應(yīng)也升高，并能夠降低色溫。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，密封部由第一密封部和第二密封部構(gòu)成，該第一密封部由密封材料構(gòu)成；該第二密封部形成在該第一密封部的外側(cè)。粒子由吸收紫外光區(qū)的光的材料構(gòu)成。這樣，就能通過(guò)含在構(gòu)成第一密封部的復(fù)合材料中的、吸收紫外光區(qū)的光的粒子來(lái)抑制紫外光使由樹(shù)脂等構(gòu)成的密封材料惡化的現(xiàn)象。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，密封部由第一密封部和第二密封部構(gòu)成，該第一密封部包含熒光材料；該第二密封部形成在該第一密封部的外側(cè)，由密封材料構(gòu)成。這樣，構(gòu)成形成在第一密封部的外側(cè)的第二密封部的復(fù)合材料所包含的粒子使藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光譜衰減，能夠得到紅光區(qū)等短波長(zhǎng)一側(cè)的光譜相對(duì)地增大的過(guò)濾效應(yīng)。這樣，就能夠提高平均演色性指數(shù)(Ra)，并降低色溫。本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出光的半導(dǎo)體芯片，和形成在光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部。密封部包含由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在基體材料內(nèi)部的光的波長(zhǎng)的四分之一以下，并且，所述密封部由覆蓋半導(dǎo)體芯片的第一密封部和形成在該第一密封部的外側(cè)的第二密封部構(gòu)成。第一密封部的、根據(jù)光的波長(zhǎng)決定的第一折射率，高于第二密封部的、根據(jù)光的波長(zhǎng)決定的第二折射率。根據(jù)第二半導(dǎo)體發(fā)光裝置，因?yàn)榕c第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置一樣，密封部包含由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成、已分散在基體材料中、并且有效粒徑在基體材料內(nèi)部的光的波長(zhǎng)的四分之一以下的粒子，所以密封部的耐光性和耐熱性提高，并且不會(huì)對(duì)密封部的透明性造成不良影響。而且，因?yàn)榈谝幻芊獠康母鶕?jù)光的波長(zhǎng)決定的第一折射率高于第二密封部的根據(jù)光的波長(zhǎng)決定的第二折射率，所以整個(gè)密封部的折射率在位于半導(dǎo)體芯片一側(cè)的內(nèi)側(cè)區(qū)域較高，并且在位于該內(nèi)側(cè)區(qū)域的外側(cè)的外側(cè)區(qū)域較低。因此，外側(cè)區(qū)域的折射率較低，使得半導(dǎo)體芯片所出射的出射光的全反射減低，結(jié)果光提取效率提高。最好是這樣的，在第二半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，含在第一密封部中的粒子的組成和含在第二密封部中的粒子的組成不同。這樣，例如通過(guò)使第一密封部包含具有折射率高于含在第二密封部中的粒子的折射率的組成的粒子，就能夠確實(shí)地使第一密封部的折射率高于第二密封部的折射率。最好是這樣的，在第二半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，第一密封部中的粒子在復(fù)合材料中所占的比例，高于第二密封部中的粒子在復(fù)合材料中所占的比例。這樣，就能夠確實(shí)地使第一密封部的折射率高于第二密封部的折射率。本發(fā)明所涉及的第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出光的半導(dǎo)體芯片，和形成在光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部。密封部包含由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在基體材料內(nèi)部的光的波長(zhǎng)的四分之一以下，并且，根據(jù)光的波長(zhǎng)決定的折射率設(shè)定為從離半導(dǎo)體芯片近的內(nèi)側(cè)區(qū)域向外側(cè)區(qū)域逐漸變低。根據(jù)第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置，因?yàn)榕c第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置一樣，密封部包含由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成、已分散在基體材料中、并且有效粒徑在基體材料內(nèi)部的光的波長(zhǎng)的四分之一以下的粒子，所以密封部的耐光性和耐熱性提高，并且不會(huì)對(duì)密封部的透明性造成不良影響。而且，因?yàn)楦鶕?jù)光的波長(zhǎng)決定的折射率設(shè)定為從離半導(dǎo)體芯片近的內(nèi)側(cè)區(qū)域向外側(cè)區(qū)域逐漸變低，所以整個(gè)密封部的折射率在位于半導(dǎo)體芯片一側(cè)的內(nèi)側(cè)區(qū)域較高，并且在位于該內(nèi)側(cè)區(qū)域的外側(cè)的外側(cè)區(qū)域較低。因此，外側(cè)區(qū)域的折射率較低，使得半導(dǎo)體芯片所出射的出射光的全反射減低，結(jié)果光提取效率提高。最好是這樣的，在第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，在密封部中，離半導(dǎo)體芯片較近的內(nèi)側(cè)區(qū)域中的粒子在復(fù)合材料中所占的比例高于處在該內(nèi)側(cè)區(qū)域的外側(cè)的外側(cè)區(qū)域中的所述粒子在復(fù)合材料中所占的比例。這樣，就能夠確實(shí)地使密封部中的內(nèi)側(cè)區(qū)域的折射率高于外側(cè)區(qū)域的折射率。最好是這樣的，在第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，在含在密封部中的粒子中，含在密封部的內(nèi)側(cè)的粒子的組成、和含在密封部的外側(cè)的粒子的組成不同。這樣，例如通過(guò)使密封部的內(nèi)側(cè)區(qū)域包含具有折射率高于含在密封部的外側(cè)區(qū)域中的粒子的折射率的組成的粒子，就能夠確實(shí)地使密封部中的內(nèi)側(cè)區(qū)域的折射率高于外側(cè)區(qū)域的折射率。本發(fā)明所涉及的第四半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出光的半導(dǎo)體芯片，和形成在光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部。密封部包含由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在基體材料內(nèi)部的光的波長(zhǎng)的四分之一以下，并且，密封部由覆蓋半導(dǎo)體芯片的第一密封部和形成在該第一密封部的外側(cè)的第二密封部構(gòu)成。第二密封部，包含用來(lái)作為粒子的、由吸收紫外光區(qū)的光的材料構(gòu)成的粒子。根據(jù)第四半導(dǎo)體發(fā)光裝置，因?yàn)榈诙芊獠堪脕?lái)作為所述粒子的、由吸收紫外光區(qū)的光的材料構(gòu)成的粒子，所以能夠在半導(dǎo)體芯片所放出的光包含紫外光區(qū)的波長(zhǎng)成分的情況下抑制不需要的紫外光被放出。此外，也能夠使添加在第二密封部中的粒子吸收從外部入射的紫外光，因此能夠防止密封材料等的惡化。最好是這樣的，在第四半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，第二密封部形成為覆蓋半導(dǎo)體芯片的上方、下方及側(cè)邊。第五半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的半導(dǎo)體芯片，形成在光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部，支撐半導(dǎo)體芯片的支撐部件，以及固定半導(dǎo)體芯片和支撐部件的、具有透明性的糊狀材料。糊狀材料由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在基體材料內(nèi)部的光的波長(zhǎng)的四分之一以下。粒子由吸收紫外光區(qū)的光的材料構(gòu)成。根據(jù)第五半導(dǎo)體發(fā)光裝置，因?yàn)楣潭ò雽?dǎo)體芯片和支撐部件的、述粒子由吸收紫外光區(qū)的光的材料構(gòu)成，所以能夠抑制糊狀材料由于紫外光的影響而惡化并變色，使得發(fā)光亮度減低的現(xiàn)象。因?yàn)楹隣畈牧鲜峭该鞯?，所以能夠?qū)雽?dǎo)體芯片所放出的光透過(guò)糊狀材料輸出到外部。因此，光提取效率提高。此外，半導(dǎo)體芯片所產(chǎn)生的熱向支撐部件放熱的放熱性，通過(guò)由復(fù)合材料構(gòu)成的糊狀材料提高。最好是這樣的，在第二或第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，密封部包含熒光材料。這樣，就能在半導(dǎo)體芯片所出射的出射光是藍(lán)光區(qū)或紫外光區(qū)的光的情況下激發(fā)熒光材料，得到白光。最好是這樣的，在第一到第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，粒子由無(wú)機(jī)化合物構(gòu)成。這樣，就能夠增加可以選擇的、用來(lái)提高耐光性、耐熱性或機(jī)械強(qiáng)度的材料的種類(lèi)。最好是這樣的，在第一到第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，基體材料由樹(shù)脂材料構(gòu)成。這樣，密封部的成形性就提高。在該情況下，樹(shù)脂材料最好是無(wú)機(jī)高分子材料。這樣，就能容易地提高耐光性和耐熱性?；蛘撸谠撉闆r下，樹(shù)脂材料最好是有機(jī)高分子材料。這樣，就能夠容易地提高成形性。最好是這樣的，在第一到第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，基體材料由對(duì)可見(jiàn)光透明的材料構(gòu)成。這樣，密封部的透明性就進(jìn)一步提高。因此，光提取效率進(jìn)一步提高。最好是這樣的，在第一到第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，復(fù)合材料是對(duì)可見(jiàn)光透明的。這樣，密封部的透明性就進(jìn)一步提高。因此，光提取效率進(jìn)一步提鬲°最好是這樣的，在第一到第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，粒子的根據(jù)光的波長(zhǎng)決定的折射率，高于基體材料的根據(jù)光的波長(zhǎng)決定的折射率，并且與半導(dǎo)體芯片的折射率相等或在該半導(dǎo)體芯片的折射率以下。這樣，就與未添加粒子的情況相比密封部的折射率更高，因而光提取效率進(jìn)一步提高。最好是這樣的，在第一到第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，粒子在復(fù)合材料中所占的體積百分比在5%以上且60%以下。這樣，就能夠在充分地確保復(fù)合材料的透明性的狀態(tài)下提高該復(fù)合材料的耐光性和耐熱性。補(bǔ)充說(shuō)明一下，更好的是粒子在復(fù)合材料中所占的體積百分比在10%以上且50%以下，比上述兩者更好的是粒子在復(fù)合材料中所占的體積百分比在20%以上且40%以下。最好是這樣的，在第一或第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，密封部的外形呈半球狀。這樣，就能夠提高抑制半導(dǎo)體芯片所出射的出射光所造成的全反射的效果。最好是這樣的，在第一或第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，密封部的剖面外形呈四角形。這樣，就能夠利用印刷法等涂上由復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料，能夠容易地進(jìn)行形成。而且，因?yàn)樯媳砻嬗善矫鏄?gòu)成，所以能夠容易地用作器件。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有第一密封部和第二密封部的情況下、或在第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，第一密封部和第二密封部的外形呈半球狀。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有第一密封部和第二密封部的情況下、或在第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，第一密封部的剖面外形呈四角形，第二密封部的外形呈半球狀。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有第一密封部和第二密封部的情況下、或在第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，第一密封部和第二密封部的剖面外形呈四角形。最好是這樣的，在第一半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有第一密封部和第二密封部的情況下、或在第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，第一密封部的外形呈半球狀，第二密封部的剖面外形呈四角形。最好是這樣的，第一到第三半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在密封部中的半導(dǎo)體芯片的側(cè)邊的區(qū)域中、讓光反射的反射部件。這樣，光提取效率進(jìn)一步提高。最好是這樣的，在該情況下，密封部的剖面形狀呈下邊窄而上邊寬的倒錐形。一發(fā)明的效果一根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)使用壽命長(zhǎng)且亮度高的白光LED等半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖l是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖2是剖面圖，放大而表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的密封部。圖3是圖表，用耒說(shuō)明對(duì)第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的密封部添加的微粒的有效粒徑。圖4是圖表，表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的密封部(復(fù)合材料)的折射率與微粒添加量(體積比)之間的關(guān)系。圖5是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖6是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖7是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖8是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖9(a)是為每種構(gòu)成本發(fā)明的第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的LED芯片的襯底的材料通過(guò)模擬試驗(yàn)求出密封部的折射率與出射光的總光通量的變化率之間的關(guān)系而做的圖表；圖9(b)是為每種構(gòu)成本發(fā)明的第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的LED芯片的襯底的材料通過(guò)模擬試驗(yàn)求出密封部的折射率與總光通量之間的關(guān)系而做的圖表。圖IO是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖11是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第六實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖12是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第六實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖13是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第六實(shí)施例的第三變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖14是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第六實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖15(a)和圖15(b)是通過(guò)模擬試驗(yàn)對(duì)本發(fā)明的第六實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置求出第一密封部及第二密封部的各種折射率與光提取效率之間的關(guān)系而做的圖表。圖16是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第六實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖17是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第六實(shí)施例的第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖18是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第六實(shí)施例的第七變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖19是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第七實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置o圖20是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第七實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖21是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第七實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖22是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第七實(shí)施例的第三變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖23是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第七實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖24是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第七實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖25是示意的剖面圖.裊示本發(fā)明的第七實(shí)施例的第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖26是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第七實(shí)施例的第七變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖27是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第八實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置o圖28是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第八實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖29是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第八實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖30是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第九實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖31是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第九實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖32是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第九實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖33是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖34是圖表，表示在本發(fā)明的第十實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，將所添加的微粒相對(duì)基體材料的體積百分比設(shè)為30%而構(gòu)成的密封材料的光的波長(zhǎng)與透光率之間的關(guān)系。圖35是圖表，表示本發(fā)明的第十實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的發(fā)光光譜。圖36是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖37是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖38是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十實(shí)施例的第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖39是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖40是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第H~—實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖41是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十一實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖42是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖43是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置o圖44是示意的剖面圖，表示本發(fā)明的第十三實(shí)施例的一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖45是示意的剖面圖，表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。符號(hào)說(shuō)明IO—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；IIA—第一引線框；llB—第二引線框；12—LED芯片；13—芯片固定用糊狀材料；14A—第一電極；14B—第二電極；15A—第一金屬線；15B—第二金屬線；16—密封部；16a—基體材料；16b—微粒(第一微粒)；16bl—初級(jí)微粒；16b2—復(fù)合微粒；16c—熒光材料；16d—密封材料；17b—第二微粒；20—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；25—樹(shù)脂材料；26—密封部；27—熒光體層；26A—第一密封部；26B—第二密封部；30—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；30A—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；30B—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；30C—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；30D—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；30E—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；30F—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；30G—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；31—村底；32A—第一布線；32B—第二布線；40—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；40A—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；40B—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；40C—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；40D—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；40E—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；40F—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；41A—第一凸塊；41B—第二凸塊；50—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50A—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50B—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50C—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50D—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50E—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50F—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50G—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50H—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50I—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50J—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50K—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；50L—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；51—?dú)んw部件；51a—凹部；51b—空隙部；52A—第一引線；52B—第二引線；53—副安裝部件；54A—第一副安裝電極；54B—第一副安裝電極；55—糊狀材料；60A—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；60B—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；60C—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；60D一半導(dǎo)體發(fā)光裝置；60E—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；70—(第一)透鏡；71—第二透鏡；80—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；80A—半導(dǎo)體發(fā)光裝置；81—反射器；81a一反射部；81b—空隙部。具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施例)參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖1,示意地表示是本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖l所示，在第一實(shí)施例所涉及的白光LED裝置10中，LED芯片12被糊狀銀材料或糊狀絕緣材料等芯片固定用糊狀材料13固定著支撐在設(shè)置于第一引線框11A的上端部且呈碗狀的芯片墊(diepad)部的底面上。用例如由氮化鎵化合物半導(dǎo)體構(gòu)成、放出波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的LED芯片作為L(zhǎng)ED芯片12。在LED芯片12的上表面上形成有第一電極14A和第二電極14B。第一電極14A通過(guò)第一金屬線15A與第一引線框11A電連接，第二電極14B通過(guò)第二金屬線15B與和第一引線框11A配成對(duì)的第二引線框11B電連接。LED芯片12已被成形為炮彈狀的密封部16密封，第一引線框IIA的芯片墊部和第二引線框11B的上端部位于該密封部16內(nèi)。密封部16是由包含基體材料16a和微粒16b的復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c所構(gòu)成的。所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a內(nèi)部。LED芯片12所放射出的、波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光(以下，將該光稱為放射光)對(duì)位于密封部16的放射路徑上的熒光材料16c進(jìn)行激發(fā)。通過(guò)使該激發(fā)光和放射光的顏色混在一起，或者使多種顏色的激發(fā)光混在一起，能夠從白光LED裝置10中得到白光。圖2，放大而表示密封部16的一部分。如圖2所示，由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的微粒16b包括初級(jí)微粒16bl和該初級(jí)微粒16bl凝縮而構(gòu)成的復(fù)合微粒16b2。因此，微粒16b已均勻地分散在基體材料16a中，是指初級(jí)微粒16bl和復(fù)合微粒16b2基本上均勻地分散著，而不是分散情況根據(jù)位置的不同而不同。可以采用由對(duì)可見(jiàn)光透明的材料即環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯樹(shù)脂或環(huán)烯烴(cycloolefm)樹(shù)脂等有機(jī)高分子材料構(gòu)成的樹(shù)脂材料、或者由硅樹(shù)脂等無(wú)機(jī)高分子材料構(gòu)成的樹(shù)脂材料作為基體材料16a。在此，微粒16b的有效粒徑被設(shè)定在LED芯片12所放射的放射光的波長(zhǎng)即基體材料16a中的波長(zhǎng)的四分之一以下。在假設(shè)LED芯片12所放射的放射光在空氣中的波長(zhǎng)為400nm、并且基體材料16a是環(huán)氧樹(shù)脂的情況下，因?yàn)樵摥h(huán)氧樹(shù)脂的折射率約為1.5，所以放射光在基體材料16a中的波長(zhǎng)就為267nm。因此，若將微粒16b的有效粒徑設(shè)定在67nm以下，就能夠?qū)⒃撚行Я皆O(shè)定在基體材料16a內(nèi)的波長(zhǎng)的四分之一以下。補(bǔ)充說(shuō)明一下，微粒16b的有效粒徑不被限定于基體材料16a中的波長(zhǎng)的四分之一以下的值，只要將該有效粒徑設(shè)定在lnm以上且lOOnm以下，就能夠得到本發(fā)明的效杲。最好是這樣的，將微粒16b的有效粒徑設(shè)定在lnm以上且50nm以下，以對(duì)波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的放射光具有更為充分的透明性。這時(shí)，若微粒的粒徑小于lnm，就會(huì)有出現(xiàn)量子效應(yīng)的材料發(fā)熒光等影響到特性的情況。補(bǔ)充說(shuō)明一下，能夠用電子顯微鏡等確認(rèn)添加在基體材料16a中的微粒16b的粒徑和有效粒徑。初級(jí)微粒16bl的粒徑最好在lnm以上且lOOnm以下，更好的是將實(shí)質(zhì)上的有效粒徑設(shè)在lnm以上且50nm以下。補(bǔ)充說(shuō)明一下，除了用粒度分布儀在溶液中進(jìn)行的粒徑測(cè)定以外，還能夠通過(guò)利用粉末狀態(tài)下的氣體吸附法的粒徑測(cè)定或用電子顯微鏡觀測(cè)的粒徑測(cè)定來(lái)求出初級(jí)微粒16bl的有效粒徑值。比上述情況更好的是，初級(jí)微粒16bl的平均粒徑在lnm以上且10nm以下，而且大部分所述初級(jí)微粒16bl不凝集而處于均勻地分散的狀態(tài)。因?yàn)槿鹄⑸湓谠摖顟B(tài)下進(jìn)一步減低，復(fù)合材料具有充分的透明性，所以該狀態(tài)很合適。能夠通過(guò)用透射電子顯微鏡觀察復(fù)合材料，來(lái)確認(rèn)所述初級(jí)粒子16bl是否均勻地分散著。在此，用圖3對(duì)有效粒徑進(jìn)行說(shuō)明。在圖3中，橫軸表示微粒16b的粒徑；左側(cè)的縱軸表示微粒16b與橫軸的粒徑對(duì)應(yīng)的頻率；右側(cè)的縱軸表示粒徑的累計(jì)頻率。有效粒徑，指的是在微粒16b的整體中，以該微粒16b的粒度頻率分布上的累計(jì)頻率為50%的粒徑作為中心粒徑(中間(median)直徑d50)，位于以該中心粒徑為中心的、累計(jì)頻率為50%的范圍A內(nèi)的粒徑范圍B。初級(jí)微粒16bl的有效粒徑也表示同樣的范圍。若要以高精度求出有效粒徑值，例如以200個(gè)以上的微粒16b或初級(jí)微粒16bl為對(duì)象就可以。■只要采用例如從無(wú)機(jī)氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、碳化合物及硫化物這些分類(lèi)中選出的至少一種無(wú)機(jī)材料作為微粒16b就可以。可以用氧化鈦(折射率在2.2到2.5)、氧化鉭(折射率在2.0到2.3)、氧化鈮(折射率在2.1到2.3)、氧化鎢(折射率為2.2)、氧化鋯(折射率為2.1)、氧化鋅(折射率在1.9到2.0)、氧化銦(折射率為2.0)、氧化錫(折射率為2.0)、氧化鉿(折射率為2.0)、氧化釔(折射率為1.9)、氧化硅(折射率在1.4到1.5)、或氧化鋁(折射率在1.7到1.8)等作為無(wú)機(jī)氧化物。此外，也可以采用所述氧化物所構(gòu)成的復(fù)合無(wú)機(jī)氧化物。作為金屬氮化物，可以舉出氮化硅(折射率在1.9到2.0)等等。作為金屬碳化物，可以舉出碳化硅(折射率為2.6)等等。作為碳化合物，雖然是單質(zhì)的，但可以舉出鉆石(折射率為3.0)或類(lèi)鉆石灰(diamond-likecarbon)(折射率為3.0)等具有透光性的無(wú)機(jī)材料。作為硫化物，可以舉出硫化銅、硫化錫等等。補(bǔ)充說(shuō)明一下，和各個(gè)無(wú)機(jī)材料名稱一起寫(xiě)下的折射率，表示根據(jù)LED芯片12所放射的放射光即波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的放射光決定的折射率。此外，可以采用以從由所述氧化4t、氧化鉭、氧化鋯及氧化鋅構(gòu)成的分類(lèi)中選出的至少一種氧化物為主要成分的無(wú)機(jī)粒子作為用作微粒16b的、用來(lái)使密封材料16d的折射率增高的無(wú)機(jī)化合物。所述無(wú)機(jī)粒子具有銷(xiāo)售品的種類(lèi)很多，很好采購(gòu)這一好處。在此，應(yīng)該注意下述事項(xiàng)，就是說(shuō)在采用如氧化鈦那樣由于紫外光的作用而容易起到光催化劑作用的無(wú)機(jī)化合物的情況下，需要不采用石結(jié)晶結(jié)構(gòu)的化合物，或者需要采用非晶質(zhì)材料、或由氧化硅(Si02)或氧化鋁(鋁氧化物A1203)等不起到光催化劑作用的無(wú)機(jī)化合物覆蓋微粒表面而成的材料。微粒16b在由復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料16d中的體積百分比，最好在5%以上且60%以下。若微粒16b的體積百分比太高，密封材料16d的透明性就很弱。相反，若微粒16b的體積百分比太低，通過(guò)微粒16b的添加得到的效果就很小。圖4表示例如在采用折射率分別為1.4、1.5及1.6的材料作為基體材料16a的材料，并采用氧化鈦(Ti02)(折射率為2.4)作為微粒16b的材料的情況下，計(jì)算出與微粒16b在由復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料16d中所占的比例的變化相對(duì)應(yīng)的、該復(fù)合材料的折射率nc變化情況而得到的結(jié)果。利用下述算式(1)(麥克斯維爾-加內(nèi)特(Maxwell-Garnett)理論)進(jìn)行了計(jì)算。補(bǔ)充說(shuō)明一下，復(fù)合材料的折射率，指將復(fù)合材料看作具有一個(gè)折射率的介質(zhì)時(shí)的有效折射率。nc2=n22X[ni2+2n22+2Pi(ni2—n22)]/[ni2+2n22—Pi(ni2—n22)]......(1)在此，nc是復(fù)合材料的折射率；m是微粒16b的折射率；n2是基體材料16a的折射率；Pi是微粒16b在復(fù)合材料中所占的比例(體積百分比)。由圖4可以看出，若要讓復(fù)合材料的折射率在1.8以上，就在基體材料16a的折射率為1.4、1.5及1.6的情況下將微粒16b在復(fù)合材料中的體積百分比分別設(shè)為46%、37%及28%就可以。在此，因?yàn)橐话阈怨鈱W(xué)樹(shù)脂的折射率值在1.4到1.7的范圍內(nèi)，所以在僅使用光學(xué)樹(shù)脂的情況下很難實(shí)現(xiàn)超過(guò)1.7的、在1.8以上的折射率值。因此，最好將微粒16b在復(fù)合材料中的體積百分比設(shè)為5%以上且60%以下，雖然有效的范圍根據(jù)用作基體材料16a的材料的特性和微粒16b的材料的特性的不同而不同。更好的是，將該體積百分比設(shè)為10%以上且50%以下。再說(shuō)，在將折射率范圍在1.4到1.55的、通用的光學(xué)樹(shù)脂用作基體材料16a的情況下，更好的是將該體積百分比設(shè)為20%以上且40%以下。在LED芯片12輸出藍(lán)色放射光的情況下，采用能夠得到黃光的YAG:Ce等熒光材料作為熒光材料16c的材料就可以。在該LED芯片12輸出紫光區(qū)到紫外光區(qū)的放射光的情況下，采用多種熒光材料作為熒光材料16c。具體而言，可以采用Y2O2S:Eu作為紅光用熒光材料；可以采用ZnS:Cu,Al或(Ba,Mg)Al10O17:Eu，Mn作為綠光用熒光材料；可以采用(Sr,Ca,Ba,Mg)i0(PO4)6C12:Eu或(Ba，Mg)AlK)Oi:Eu作為藍(lán)光用熒光材料。根據(jù)第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，因?yàn)橐跃鶆虻胤稚⒌姆绞綄⒂蔁o(wú)機(jī)材料構(gòu)成的微粒16b添加在構(gòu)成密封部16的密封材料16d中，所以與未添加微粒16b的情況相比密封部16的耐光性和耐熱性提高。因?yàn)榉稚⒅奈⒘?6b的有效粒徑被設(shè)定在LED芯片12(半導(dǎo)體芯片)所放射的放射光的波長(zhǎng)的四分之一以下，所以不會(huì)對(duì)密封部16的透明性造成不良影響。因此，不會(huì)損害光提取效率。而且，與未添加微粒16b的情況相比密封部16與LED芯片12之間的熱膨脹系數(shù)差更小。因此，密封部16不易從LED芯片12上剝離開(kāi)，在密封部16(密封材料16d)中不易產(chǎn)生裂縫。此外，因?yàn)榕c未添加微粒16b的情況相比密封部16的根據(jù)放射光決定的折射率更高，所以光提取效率進(jìn)一步提高。補(bǔ)充說(shuō)明一下，若采用能夠吸收紫外光區(qū)的光的氧化鋅(ZnO)、氧化鈦(Ti02)或氧化鈰(Ce02)作為添加在密封部16中的微粒16b，就能夠在密封材料16d的基體材料16a由環(huán)氧樹(shù)脂等有機(jī)高分子材料構(gòu)成的情況下抑制由于紫外光的影響而造成的變色。再說(shuō)，若芯片固定用糊狀材料13具有透明性，因?yàn)樵撔酒潭ㄓ煤隣畈牧?3不吸收LED芯片12所放射的放射光，所以光提取效率就提高。補(bǔ)充說(shuō)明一下，能例如通過(guò)下迷做法得到具有透明性的芯片固定用糊狀材料13,該做法是進(jìn)行用催化劑讓以環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂為主要成分的透明糊狀材料、低熔點(diǎn)玻璃材料或具有硅一氧鍵(siloxanebond)的化合物進(jìn)行反應(yīng)的第一工序，以及對(duì)該第一工序中的反應(yīng)物質(zhì)進(jìn)行水解及脫水縮合反應(yīng)的第二工序，然后對(duì)通過(guò)讓該第二工序的生成物干燥來(lái)得到的低溫硬化玻璃材料添加吸收紫外光的微粒16b，來(lái)使該低溫硬化玻璃材料成為復(fù)合材料。通過(guò)對(duì)芯片固定用糊狀材料13添加微粒16b，該芯片固定用糊狀材料13的放熱性提高，微粒16b吸收紫外光，因而芯片固定用糊狀材料13的耐光性(耐紫外光性)也提高。(第二實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖5，示意地表示為本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。補(bǔ)充說(shuō)明一下，用相同的符號(hào)表示與圖1所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖5所示，在第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置20中，密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B構(gòu)成，該第一密封部26A直接覆蓋被支撐在第一引線框11A的芯片墊部上的LED芯片12;該第二密封部26B以炮彈狀覆蓋包括該第一密封部26A在內(nèi)的第一引線框11A及第二引線框11B的各個(gè)上端部分。第一密封部26A由密封材料16d構(gòu)成，該密封材料16d由包含第一實(shí)施例所涉及的微粒16b的復(fù)合材料構(gòu)成；第二密封部26B由混合有熒光材料16c的樹(shù)脂材料25枸成。只要用與第一實(shí)施例所涉及的基體材料16a—樣的材料作為樹(shù)脂材料25的材料就可以。根據(jù)第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置20，通過(guò)在離LED芯片12較近、光密度較高的部分設(shè)置由復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成的第一密封部26A，能夠?qū)崿F(xiàn)從LED芯片12提取的、很高的光提取效率，能夠得到很高的耐光性和耐熱性，與第一實(shí)施例一樣。另一方面，通過(guò)在離LED芯片12較遠(yuǎn)、光密度較低的部分設(shè)置由透明性比密封材料16d的透明性高的樹(shù)脂材料25構(gòu)成的第二密封部26B,并使該第二密封部26B覆蓋第一密封部26A，能夠提高第二密封部26B中的透光性。其結(jié)果是，能使從半導(dǎo)體發(fā)光裝置20提取的光提取效率提鬲o補(bǔ)充說(shuō)明一下，在LED芯片12的放射光的波長(zhǎng)長(zhǎng)于藍(lán)光區(qū)的波長(zhǎng)的情況下，若將能夠吸收紫外光的氧化鋅、氧化鈦或氧化鈰用作添加在第一密封部26A中的微粒16b，就能夠抑制構(gòu)成第一密封部26A的基體材料16a由于紫外光的影響而造成的惡化。其結(jié)果是，能夠用例如環(huán)氧樹(shù)脂等雖然透明性優(yōu)良，但容易受到紫外光的影響變成黃色的樹(shù)脂作為基體材料16a。(第三實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖6，示意地表示為本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖l所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖6所示，在第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30中，LED芯片12安裝在印刷布線襯底上，該印刷布線村底包括村底31，還至少包括選擇性地形成在該襯底31的主面及背面的第一布線32A和第二布線32B。具體而言，LED芯片12通過(guò)芯片固定用糊狀材料13固定在第一布線32A上。在形成于LED芯片12的上表面上的第一電極14A和第二電極14B中，第一電極14A通過(guò)第一金屬線15A與第一布線32A電連接，第二電極14B通過(guò)第二金屬線15B與第二布線32B電連接。密封部16，由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。用與構(gòu)成第一實(shí)施例的密封部16的材料一樣的材料作為構(gòu)成密封部16的材料就可以。分別與第一布線32A及第二布線32B電連接的LED芯片12,在印刷布線襯底上被密封部16密封該LED芯片12的周?chē)?。補(bǔ)充說(shuō)明一下，例如通過(guò)利用鍍金屬法將由銅(Cu)薄膜構(gòu)成的布線形成在村底31上，然后利用鍍金屬法將鎳(Ni)膜和金(Au)膜依次形成在所述已形成的布線上，能夠形成第一布線32A和第二布線32B。這樣，通過(guò)在將LED芯片12安裝在印刷布線襯底上后，用將包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料和熒光材料16c混合起來(lái)而成的材料進(jìn)行傳遞模塑，來(lái)實(shí)現(xiàn)第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30。這樣，就能夠與第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置IO—樣，在第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30中，也能夠得到提高密封部16的耐光性和耐熱性，并使光提取效率提高的效果。(第四實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖7，示意地表示為本發(fā)明的第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖l所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖7所示，在第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40中，LED芯片12利用使LED芯片12的上表面與襯底31的主面相向的、所謂的倒裝芯片安裝(朝下安裝)法安裝在印刷布線襯底上，該印刷布線襯底包括襯底31,還至少包括選擇性地形成在該襯底31的主面及背面的第一布線32A和第二布線32B。具體而言，在形成于LED芯片12上、分別與村底31相向的第一電極14A和第二電極14B中，第一電極14A通過(guò)第一凸塊41A與第一布線32A電連接，第二電極14B通過(guò)第二凸塊41B與第二布線32B電連接。分別與第一布線32A及第二布線32B電連接的LED芯片12，在印刷布線村底上被密封部16密封該LED芯片12的周?chē)?。密封?6，由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。用與構(gòu)成第一實(shí)施例的密封部16的材料一樣的材料作為構(gòu)成密封部16的材料就可以。補(bǔ)充說(shuō)明一下，例如可以采用金(Au)作為構(gòu)成第一凸塊41A和第二凸塊41B的材料。這樣，通過(guò)在利用倒裝芯片安裝法將LED芯片12安裝在印刷布線襯底上后，用將包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料和熒光材料16c混合起來(lái)而成的材料進(jìn)行傳遞模塑，來(lái)實(shí)現(xiàn)第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40。因此，能夠與第一實(shí)施例及第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置10、30—樣，在笫四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40中，也能夠得到提高密封部16的耐光性和耐熱性，并使光提取效率提高的效果。此外，因?yàn)樵诘谒膶?shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40中，不是用金屬線，而是用凸塊將LED芯片12和印刷布線村底電連接起來(lái)，所以和第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30比較起來(lái)，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。(第五實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明o圖8，示意地表示為本發(fā)明的第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖l所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖8所示，在第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50中，LED芯片12固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。殼體部件51,例如由液晶聚合物等耐熱性樹(shù)脂材料構(gòu)成，至少有第一引線52A及第二引線52B插入著形成在該殼體部件51中。若考慮到對(duì)可見(jiàn)光進(jìn)行的反射，就最好用白色耐熱性樹(shù)脂材料作為該殼體部件51。第一引線52A和第二引線52B在殼體部件51的凹部51a的底面上露出，LED芯片12通過(guò)芯片固定用糊狀材料13固定在第一引線52A露出的區(qū)域上。在形成于LED芯片12的上表面上的第一電極14A和第二電極14B中，第一電極14A通過(guò)第一金屬線15A與第一引線52A電連接，第二電極14B通過(guò)第二金屬線15B與第二引線52B電連接。在第五實(shí)施例中，通過(guò)使密封部16填充于殼體部件51的凹部5la中，來(lái)密封固定在殼體部件51的凹部51a底面上的LED芯片12。密封部16，由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勾地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。用與構(gòu)成第一實(shí)施例的密封部16的材料一樣的材料作為構(gòu)成密封部16的材料就可以。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在此，將第一引線52A及第二引線52B中位于外殼材料51的外部的部分的端子形狀設(shè)為所謂的鷗翼(GullWing:GW)形。不過(guò)，各條引線52A、52B的外側(cè)形狀并不被限于鷗翼形，也可以將該部分成形為J字形狀。這樣，與第一、第三及第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置10、30、40—樣，在第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50中也能夠得到提高密封部16的耐光性和耐熱性，并使光提取效率提高的效果。此外，也可以設(shè)為下述結(jié)構(gòu)來(lái)代替第三、第四及第五實(shí)施例的各個(gè)實(shí)施例所涉及的密封部16的結(jié)構(gòu)，該代替的結(jié)構(gòu)是如第二實(shí)施例所涉及的第一密封部26A和第二密封部26B那樣，用包含由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的微粒16b的密封材料16d直接覆蓋LED芯片12，再用包含熒光材料16c的基體材料16a覆蓋該密封材料16d。此外，也可以是這樣的，在第一到第五實(shí)施例的各個(gè)實(shí)施例中，在復(fù)合材料與半導(dǎo)體芯片之間的至少一部分區(qū)域設(shè)置規(guī)定的空隙。圖9(a)，表示為每種構(gòu)成第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50中的LED芯片12的襯底的材料通過(guò)模擬試驗(yàn)求出的、密封部16的折射率與出射光的總光通量的變化率之間的關(guān)系；圖9(b)，表示通過(guò)同樣的模擬試驗(yàn)求出的、密封部16的折射率與總光通量之間的關(guān)系。在此，[圖表l]表示在模擬試驗(yàn)中使用的村底材料。[圖表l]所示的各種村底材料的折射率，是各種基體材料在可見(jiàn)光區(qū)的代表性數(shù)值。[圖表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>由圖9(a)及圖9(b)可見(jiàn)，密封部16的折射率最好在1.2以上且2.5以下。在將折射率大于2.0的氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)等用作襯底材料的情況下，密封部16的折射率最好在1.4以上且2.2以下，更好的是該折射率在1.6以上且2.0以下。(第六實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明o圖10，示意地表示為本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖l及圖6所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖10所示，與第三實(shí)施例一樣，在第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30A中，LED芯片12以讓LED芯片12的背面與襯底31的主面相向的、所謂的接合點(diǎn)在上側(cè)(junction-up)的方式(朝上安裝)安裝在印刷布線襯底上，該印刷布線襯底包括村底31，還至少包括逸擇性地形成在該襯底31的主面及背面的第一布線32A和第二布線32B。密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B構(gòu)成，該第一密封部26A以半球狀直接覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光裝置芯片12;該第二密封部26B以半球狀直接覆蓋該第一密封部26A。第一密封部26A,由包含基體材料16a及第一微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述第一微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。第二密封部26B，由包含基體材料16a及第二微粒17b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述第二微粒17b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。在此，用與構(gòu)成第一實(shí)施例的密封部16的材料一樣的材料作為構(gòu)成第一密封部26A及第二密封部26B的材料就可以。不過(guò)，在第六實(shí)施例中，選出折射率高于第二微粒17b的折射率的材料作為第一微粒16b。在包括晶體生長(zhǎng)用村底(外延襯底(epitaxialsubstrate))在內(nèi)，LED芯片12由氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體構(gòu)成的情況下，因?yàn)榈壍恼凵渎嗜鏪圖表l]所示約為2.5，所以即使通過(guò)添加微粒來(lái)將密封部的折射率設(shè)定為提取效率最高的1.8左右，該密封部的折射率與空氣的折射率之差仍然也很大。因此，在第六實(shí)施例中，使離LED芯片12較近的第一密封部26A的折射率值高于離LED芯片12較遠(yuǎn)的第二密封部26B的折射率值。具體而言，采用折射率比添加在第一密封部26A中的第一微粒16b的折射率低的無(wú)機(jī)材料作為添加在第二密封部26B中的第二微粒17b。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，因?yàn)榕c空氣接觸的第二密封部26B的折射率低于與LED芯片12接觸的第一密封部26A的折射率，所以第二密封部26B的折射率與空氣的折射率之間的差較小。因此，能夠減低在第二密封部26B與空氣之間的界面上會(huì)造成的、出射光的全反射，因而能夠提高密封部26的耐光性和耐熱性，能夠進(jìn)一步提高光提取效率。此外，在第六實(shí)施例中，因?yàn)槔缋霉喾獬尚?potting)法將第一密封部26A及第二密封部26B都形成為外形呈半球狀，所以出射光的全反射進(jìn)一步減低。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在此對(duì)第一密封部26A和第二密封部26B都添加了熒光材料16c。也可以僅對(duì)第一密封部26A及第二密封部26B中的一個(gè)密封部添加熒光材料16c。(第六實(shí)施例的第一變形例)圖11，示意地表示為本發(fā)明的第六實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖ll所示，在第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30B中，將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A的剖面外形設(shè)為四角形。這樣，就能夠利用印刷法作為用來(lái)形成第一密封部26A的密封材料16d的方法。因此，生產(chǎn)率提高。(第六實(shí)施例的第二變形例)圖12，示意地表示為本發(fā)明的第六實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖12所示，在第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30C中，將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A、和覆蓋該第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形都設(shè)為四角形。這樣，就能夠利用印刷法作為用來(lái)形成第一密封部26A的密封材料16d的方法，也能夠利用傳遞模塑法形成第二密封部26B。因此，生產(chǎn)率提高。而且，因?yàn)槊芊獠?6的上表面很平坦，所以能夠容易地使用該半導(dǎo)體發(fā)光裝置作為器件。(第六實(shí)施例的第三變形例)圖13，示意地表示為本發(fā)明的第六實(shí)施例的第三變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖13所示，在第三變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30D中，將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A的外形設(shè)為半球狀，并將覆蓋該第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形設(shè)為四角形。這樣，全反射就由于外形呈半球狀的第一密封部26A的影響而減低，并且由于上表面很平坦的第二密封部26B的影響而能夠容易地使用該半導(dǎo)體發(fā)光裝置作為器件。(第六實(shí)施例的第四變形例)圖14,示意地表示為本發(fā)明的第六實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖14所示，與第五實(shí)施例一樣，在第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50A中，LED芯片12利用朝上安裝法被固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。在此，直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A、和覆蓋該第一密封部26A的第二密封部26B的剖面形狀，都呈四角形。在本變形例中，在將白色耐熱性樹(shù)脂材料用作殼體部件51的情況，或?qū)んw部件51的內(nèi)側(cè)壁面上進(jìn)行了例如利用鋁(Al)等金屬的沉積等的金屬化的情況下，該殼體部件51的內(nèi)側(cè)壁面起到反射面的作用。而且，因?yàn)閷んw部件51的內(nèi)側(cè)壁面設(shè)為從下方向上方變寬的倒錐形，所以除了用第一微粒16b和第二微粒17b使密封部26具有折射率差這一結(jié)構(gòu)以外，光提取效率還根據(jù)殼體部件51及該殼體部件51的形狀提高。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在形成第一密封部26A時(shí)想利用印刷法而不能直接對(duì)殼體部件51的凹部51a底面上進(jìn)行印刷的情況下，例如只要事先將LED芯片12安裝在副(sub)安裝部件上，再在利用印刷法形成第一密封部26A后將該副安裝部件安裝在殼體部件51底面上就可以。圖15(a)和圖15(b)，表示在第六實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50A中，通過(guò)模擬試驗(yàn)求出第一密封部26A及第二密封部26B的各種折射率與光提取效率之間的關(guān)系的結(jié)果。在此，圖15(a)表示將氮化鎵用作構(gòu)成LED芯片12的襯底材料的情況；圖15(b)表示將藍(lán)寶石用作襯底材料的情況。在此，第一密封部26A的厚度設(shè)為500/im;第二密封部26B的厚度設(shè)為200//m。由圖15(a)和圖15(b)可見(jiàn)，在將氮化鎵用作LED芯片12的襯底的情況下，第一密封部26A的折射率越高，光提取效率越高。而在將藍(lán)寶石用作LED芯片12的襯底的情況下，第一密封部26A的折射率變化所帶來(lái)的影響很小。無(wú)論襯底是氮化鎵的還是藍(lán)寶石的，都有下述傾向，即第二密封部26B的折射率越低，光提取效率就越高，并且光提取效率相對(duì)第一密封部26A的折射率變化的變化率越小。(第六實(shí)施例的第五變形例)圖16，示意地表示為本發(fā)明的第六實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖16所示，在第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50B中，LED芯片12被固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。在此，將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A的外形設(shè)為半球狀，并將覆蓋該第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形設(shè)為四角形。這樣，就能夠利用外形呈半球狀的第一密封部26A減低反射，能夠利用殼體部件51提高光提取效率。(第六實(shí)施例的第六變形例)圖17,示意地表示為本發(fā)明的第六實(shí)施例的第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖17所示，在第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50C中，使添加在第二密封部26B的密封材料16d中的微粒16b的組成與添加在第一密封部26A的密封材料16d中的微粒16b的組成一樣，并且使第一密封部26A中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例高于第二密封部26B中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例。就是說(shuō)，使第二密封部26B中的微粒16b添加濃度低于第一密封部26A中的微粒16b添加濃度。在此，當(dāng)設(shè)定添加濃度差時(shí)，也可以讓濃度具有濃度梯度，也可以讓濃度階段性地變化。通過(guò)所述做法也能使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在本變形例中，用同一組成的無(wú)機(jī)材料作為添加在第一密封部26A中的微粒16b及添加在第二密封部26B中的微粒16b，僅變更了添加濃度。只要使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率，就也可以采用下述做法來(lái)代替所述方法，該做法是使添加在第一密封部26A中的微粒16b和添加在第二密封部26B中的微粒16b的組成及濃度不同。在圖17中表示的是將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A的外形設(shè)為半球狀的情況。也可以是這樣的，與在第六實(shí)施例的第四變形例中說(shuō)明的圖14一樣，將第一密封部26A的剖面外形設(shè)為四角形。與本變形例一樣，也可以是這樣的，在第六實(shí)施例和第六實(shí)施例的第一到第三變形例中，采用微粒16d來(lái)代替添加在第二密封部26B的密封材料16d中的微粒17b，使所述添加的微粒16d的組成與添加在第一密封部26A的密封材料16d中的微粒16b的組成一樣，并使第一密封部26A中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例高于第二密封部26B中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例。(第六實(shí)施例的第七變形例)在第六實(shí)施例和各個(gè)變形例中，對(duì)第一密封部26A及第二密封部26B都添加了熒光材料16c。也可以僅對(duì)所述第一密封部26A及第二密封部26B中的一個(gè)密封部添加熒光材料16c。在圖18所示的第七變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50D中，例如采用能夠發(fā)綠光的磷化鎵(GaP)半導(dǎo)體作為L(zhǎng)ED芯片12。在該情況下，不需要對(duì)密封部26添加熒光材料16c。在用磷化鎵半導(dǎo)體作為L(zhǎng)ED芯片12的情況下，以相向的方式將第一電極14A及第二電極14B分別形成在LED芯片12的下表面上和上表面上。第一電極14A，通過(guò)糊狀銀材料等具有導(dǎo)電性的芯片固定用糊狀材料13與第一引線52A電連接；第二電極14B通過(guò)金屬線15B與第二引線52B電連接。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在第六實(shí)施例及其變形例中，將密封部26設(shè)為第一密封部26A及第二密封部26B所構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，不過(guò)結(jié)構(gòu)并不被限定于雙層結(jié)構(gòu)，也可以將結(jié)構(gòu)設(shè)為三層以上的疊層結(jié)構(gòu)。不過(guò)，若要設(shè)為三層以上的疊層結(jié)構(gòu)，就需要設(shè)為在各個(gè)密封部中，離LED芯片12越遠(yuǎn)的密封部的折射率越低。(第七實(shí)施例)以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第七實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明o圖19，示意地表示為本發(fā)明的第七實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖l及圖7所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖19所示，與第四實(shí)施例一樣，在第七實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40A中，LED芯片12利用使LED芯片12的上表面與襯襯底包括襯底31，還至少包括選擇性地形成在該襯底31的主面及背面的第一布線32A和第二布線32B。密封部26，由第一密封部26A和第二密封部26B構(gòu)成，該第一密封部26A以半球狀直接覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光裝置芯片12;該第二密封部26B以半球狀直接覆蓋該第一密封部26A。第一密封部26A，由包含基體材料16a及第一微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述第一微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。第二密封部26B，由包含基體材料16a及第二微粒17b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述第二微粒17b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。在此，只要用與構(gòu)成第一實(shí)施例的密封部16的材料一樣的材料作為構(gòu)成第一密封部26A及第二密封部26B的材料就可以。不過(guò)，需要選出折射率大于第二微粒17b的折射率的材料作為第一微粒16b。這樣，就與第六實(shí)施例一樣，在第七實(shí)施例中，位于離LED芯片12較近的內(nèi)側(cè)的第一密封部26A的折射率值也大于位于離LED芯片12較遠(yuǎn)的外側(cè)的第二密封部26B的折射率值。就是說(shuō)，因?yàn)楦鶕?jù)所述結(jié)構(gòu)，與空氣接觸的第二密封部26B的折射率小于與LED芯片12接觸的第一密封部26A的折射率，所以第二密封部26B的折射率與空氣的折射率之間的差較小。因此，能夠減低出射光在第二密封部26B與空氣之間的界面上會(huì)造成的全反射，因而能夠提高密封部26的耐光性和耐熱性，能夠進(jìn)一步提高光提取效率。此外，在本實(shí)施例中，因?yàn)槔缋霉喾獬尚头▽⒌谝幻芊獠?6A及第二密封部26B都形成為外形呈半球狀，所以出射光的全反射進(jìn)一步減低。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在第七實(shí)施例中，對(duì)第一密封部26A和第二密封部26B都添加了熒光材料16c。也可以僅對(duì)第一密封部26A及第二密封部26B中的一個(gè)密封部添加熒光材料16c。(第七實(shí)施例的第一變形例)圖20，示意地表示為本發(fā)明的第七實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖20所示，在第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40B中，直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A的剖面外形呈四角形。這樣，就能夠利用印刷法作為用來(lái)形成第一密封部26A的密封材料16d的方法。因此，生產(chǎn)率提高。(第七實(shí)施例的第二變形例)圖21，示意地表示為本發(fā)明的第七實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖21所示，在第二變形f刊所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40C中，將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A、和覆蓋該第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形都設(shè)為四角形。這樣，就能夠利用印刷法作為用來(lái)形成第一密封部26A的密封材料16d的方法，也能夠利用傳遞模塑法形成第二密封部26B。因此，生產(chǎn)率提高。而且，因?yàn)槊芊獠?6的上表面很平坦，所以能夠容易地使用該半導(dǎo)體發(fā)光裝置作為器件。(第七實(shí)施例的第三變形例)圖22，示意地表示為本發(fā)明的第七實(shí)施例的第三變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖22所示，在第三變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40D中，將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A的外形設(shè)為半球狀，并將覆蓋該第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形設(shè)為四角形。這樣，全反射就由于外形呈半球狀的第一密封部26A的影響而減低，并且由于上表面很平坦的第二密封部26B的影響而能夠容易地使用該半導(dǎo)體發(fā)光裝置作為器件。(第七實(shí)施例的第四變形例)圖23,示意地表示為本發(fā)明的第七實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖23所示，在第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置60中，LED芯片12利用倒裝芯片安裝法安裝在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。在此，直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A、和覆蓋該第一密封部26A的第二密封部26B的剖面形狀都是四角形。在本變形例中，若將白色耐熱性樹(shù)脂材料用作殼體部件51,該殼體部件51的內(nèi)側(cè)壁面就起到反射面的作用。而且，因?yàn)閷んw部件51的內(nèi)側(cè)壁面設(shè)為從下方向上方變寬的倒錐形，所以除了利用第一微粒16b及第二微粒17b使密封部26具有折射率差的結(jié)構(gòu)以外，光提取效率還根據(jù)殼體部件51及該殼體部件51的形狀提高。8](第七實(shí)施例的第五變形例)圖24，示意地表示為本發(fā)明的第七實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖24所示，在第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置60A中，LED芯片12利用倒裝芯片安裝法隔著副安裝部件53安裝在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。LED芯片12，利用倒裝芯片安裝法安裝在上表面至少形成有第一副安裝電極54A及第二副安裝電極54B的、例如由陶覺(jué)構(gòu)成的副安裝部件53上。具體而言，第一密封部26A,是利用印刷法以覆蓋LED芯片12的方式形成的。具有被第一密封部26A密封著的LED芯片12的副安裝部件53安裝在殼體部件51的底面上。在形成于副安裝部件53上表面上的第一副安裝電極54A和第二副安裝電極54B中，第一副安裝電極54A通過(guò)第一金屬線15A與第一引線52A電連接，第二副安裝電極54B通過(guò)第二金屬線15B與第二引線52B電連接。補(bǔ)充說(shuō)明一下，也可以將齊納(Zener)二極管用作副安裝部件53。在圖24中表示的是，將第一密封部26A的剖面外形設(shè)為四角形的情況。也可以將第一密封部26A的外形設(shè)為半球狀。(第七實(shí)施例的第六變形例)圖25，示意地表示為本發(fā)明的第七實(shí)施例的第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖25所示，在第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置60B中，LED芯片12利用倒裝芯片安裝法安裝并固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。在此，將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A的外形設(shè)為半球狀，將覆蓋該第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形設(shè)為四角形。這樣，外形呈半球狀的第一密封部26A就減低全反射，殼體部件51使光提取效率提高。(第七實(shí)施例的第七變形例)圖26，示意地表示為本發(fā)明的第七實(shí)施例的第七變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖26所示，在第七變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置60C中，使添加在第二密封部26B的密封材料16d中的微粒16b的組成與添加在第一密封部26A的密封材料16d中的微粒16b的組成一樣，并使第一密封部26A中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例高于第二密封部26B中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例。就是說(shuō)，使第二密封部26B中的微粒16b添加濃度低于第一密封部26A中的微粒16b添加濃度。在此，當(dāng)設(shè)定添加濃度差時(shí)，也可以讓濃度具有濃度梯度，也可以讓濃度階段性地變化。通過(guò)所述做法也能使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在本變形例中，用同一組成的無(wú)機(jī)材料作為添加在第一密封部26A中的微粒16b及添加在第二密封部26B中的微粒16b，僅變更了該無(wú)機(jī)材料的添加濃度。只要使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率，就也可以采用下述做法來(lái)代替所述方法，該做法是使添加在第一密封部26A中的微粒16b和添加在第二密封部26B中的微粒16b的組成及濃度不同。在圖26中表示的是將直接覆蓋LED芯片12的第一密封部26A的外形設(shè)為半球狀的情況。也可以是這樣的，與在第七實(shí)施例的第四變形例中說(shuō)明的圖23—樣，將第一密封部26A的剖面外形設(shè)為四角形。與本變形例一樣，也可以是這樣的，在第七實(shí)施例和第七實(shí)施例的第一到第三及第五變形例中，采用微粒16d來(lái)代替添加在第二密封部26B的密封材料16d中的微粒17b，使所述添加的微粒16d的組成與添加在第一密封部26A的密封材料16d中的微粒16b的組成一樣，并使第一密封部26A中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例高于第二密封部26B中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例。在第七實(shí)施例及各個(gè)變形例中，對(duì)第一密封部26A及第二密封部26B都添加了熒光材料16c。也可以僅對(duì)第一密封部26A及第二密封部26B中的一個(gè)密封部添加熒光材料16c。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在第七實(shí)施例及其變形例中，將密封部26設(shè)為第一密封部26A及第二密封部26B所構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，不過(guò)結(jié)構(gòu)并不被限定于雙層結(jié)構(gòu)，也可以將結(jié)構(gòu)設(shè)為三層以上的疊層結(jié)構(gòu)。不過(guò)，若要設(shè)為三層以上的疊層結(jié)構(gòu)，就需要設(shè)為在各個(gè)密封部中，離LED芯片12越遠(yuǎn)的密封部的折射率越低。(第八實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第八實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)4亍說(shuō)明。圖27,示意地表示為本發(fā)明的第八實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖l及圖6所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖27所示，與第三實(shí)施例一樣，在第八實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30E中，LED芯片12以讓LED芯片12的背面與襯底31的主面相向的、所謂的接合點(diǎn)在上側(cè)(junction-up)的方式(朝上安裝)安裝在印刷布線村底上，該印刷布線襯底包括襯底，還至少包括選擇性地形成在該襯底31的主面及背面的第一布線32A和第二布線32B。密封部16由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。用與構(gòu)成第一實(shí)施例的密封部16的材料一樣的材料作為構(gòu)成密封部16的材料就可以。不過(guò)，在第八實(shí)施例中，設(shè)為使離LED芯片12較近的內(nèi)側(cè)區(qū)域的、微粒16b在復(fù)合材料中所占的比例高于處在該內(nèi)側(cè)區(qū)域的外側(cè)的外側(cè)區(qū)域的、微粒16b在復(fù)合材料中所占的比例。在包括晶體生長(zhǎng)用襯底(外延襯底(epitaxialsubstrate))在內(nèi)，LED芯片12由氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體構(gòu)成的情況下，因?yàn)榈壍恼凵渎嗜鏪圖表l]所示約為2.5，所以即使通過(guò)添加微粒來(lái)將密封部的折射率設(shè)定為提取效率最高的1.8左右，該密封部的折射率與空氣的折射率之差仍然也很大。于是，在第八實(shí)施例中，使密封部16中的離LED芯片12較近的內(nèi)側(cè)區(qū)域的折射率值高于處在該內(nèi)側(cè)區(qū)域的外側(cè)的外側(cè)區(qū)域的折射率值。具體而言，在內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)⑻砑釉诿芊獠?6中的微粒16b的濃度設(shè)為較高的值，使微粒16b的濃度向外側(cè)逐漸變低，從而使密封部16的外側(cè)可以使微粒16b的濃度從內(nèi)側(cè)向外側(cè)逐漸變低，也可以使微粒16b的濃度從內(nèi)側(cè)向外側(cè)階段性地變低。因此，根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，與空氣接觸的密封部16的外側(cè)區(qū)域的折射率低于與LED芯片12接觸的內(nèi)側(cè)區(qū)域的折射率，因而密封部16的外側(cè)區(qū)域的折射率和空氣的折射率之差較小。因此，能夠減低出射光在密封部16與空氣之間的界面造成的全反射，因而密封部16的耐光性及耐熱性提高，并且能夠進(jìn)一步提高光提取效率。此外，在第本實(shí)施例中，因?yàn)槔缋霉喾獬尚?potting)法將密封部16形成為外形呈半球狀，所以出射光的全反射進(jìn)一步減低。在此，作為使微粒16b的添加濃度在內(nèi)側(cè)區(qū)域較高而在外側(cè)區(qū)域較低的方法，可以舉出用硬化前的液狀復(fù)合材料進(jìn)行多次灌封成型的方法。就是說(shuō)，只要以讓外側(cè)區(qū)域用復(fù)合材料中的微粒16b的添加比例小于內(nèi)側(cè)區(qū)域用復(fù)合材料的添加比例的方式進(jìn)行灌封成型就可以。這時(shí)，也可以是這樣的，選出折射率低于第一次灌封成型的微粒16b的折射率的、由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的其他微粒作為第二次以后的灌封成型的微粒16b。之后，能夠通過(guò)硬化使所述液狀復(fù)合材料成為由復(fù)合材料構(gòu)成的密封部16，來(lái)形成本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在第八實(shí)施例中，對(duì)密封部16添加了熒光材料16c。不過(guò)，如上所述，在采用磷化鎵(GaP)半導(dǎo)體作為L(zhǎng)ED芯片12而構(gòu)成的綠光LED裝置等的情況下，不需要使密封部16包含熒光材料16c。(第八實(shí)施例的第一變形例)圖28，示意地表示為本發(fā)明的第八實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖28所示，在第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30F中，將微粒16b的添加濃度向外側(cè)逐漸減低的密封部16的剖面外形設(shè)為四角形。作為本變形例所涉及的密封部16中的密封材料16d的形成方法，可以利用以使密封部16的外側(cè)的微粒16b添加濃度低于密封部16的內(nèi)側(cè)的微粒16b添加濃度的方式多次進(jìn)行傳遞模塑的方法。(第八實(shí)施例的第二變形例)圖29，示意地表示為本發(fā)明的第八實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖29所示，與第五實(shí)施例一樣，在第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50E中，LED芯片12利用朝上安裝法被固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。在此，覆蓋LED芯片12的密封部16A的剖面形狀是四角形。在本變形例中，在將白色耐熱性樹(shù)脂材料用作殼體部件51的情況，或?qū)んw部件51的內(nèi)側(cè)壁面上進(jìn)行了例如利用鋁(Al)等金屬的沉積等的金屬化的情況下，該殼體部件51的內(nèi)側(cè)壁面起到反射面的作用。而且，因?yàn)閷んw部件51的內(nèi)側(cè)壁面設(shè)為從下方向上方變寬的倒錐形，所以除了使微粒16b的添加濃度向外側(cè)逐漸變低來(lái)使密封部16具有逐漸變低的折射率差這一結(jié)構(gòu)以外，光提取效率還根據(jù)殼體部件51及該殼體部件51的形狀提高。補(bǔ)充說(shuō)明一下，能夠通過(guò)進(jìn)行多次灌封成型來(lái)形成本變形例所涉及的密封部16。(第九實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第九實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖30，示意地表示為本發(fā)明的第九實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖l及圖7所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖30所示，與第四實(shí)施例一樣，在第九實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40E中，LED芯片12利用使LED芯片12的上表面與襯襯底包括襯底31,還至少包括選擇性地形成在該村底31的主面及背面的第一布線32A和第二布線32B。密封部16由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。用與構(gòu)成第一實(shí)施例的密封部16的材料一樣的材料作為構(gòu)成密封部16的材料就可以。不過(guò)，在第九實(shí)施例中，設(shè)為使離LED芯片12較近的內(nèi)側(cè)區(qū)域的、微粒16b在復(fù)合材料中所占的比例高于處在該內(nèi)側(cè)區(qū)域的外側(cè)的外側(cè)區(qū)域的、微粒16b在復(fù)合材料中所占的比例。這樣，在第六實(shí)施例和第八實(shí)施例一樣，在第九實(shí)施例中，離LED芯片12較近的、密封部16內(nèi)側(cè)區(qū)域的折射率值也高于處在該內(nèi)側(cè)區(qū)域外側(cè)的外側(cè)區(qū)域的折射率值。就是說(shuō)，根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，因?yàn)榕c空氣接觸的、密封部16的外側(cè)區(qū)域的折射率低于與LED芯片12接觸的內(nèi)側(cè)區(qū)域的折射率，因而密封部16的外側(cè)區(qū)域的折射率和空氣的折射率之差較小。因此，能夠減低出射光在密封部16與空氣之間的界面造成的全反射，因而密封部16的耐光性及耐熱性提高，并且能夠進(jìn)一步提高光提取效率。在此，也可以讓微粒16b的添加濃度從內(nèi)側(cè)向外側(cè)逐漸變4氐；也可以讓該添加濃度階l殳性地變低。此外，在第本實(shí)施例中，因?yàn)槔缋霉喾獬尚头▽⒚芊獠?6形成為外形呈半球狀，所以出射光的全反射進(jìn)一步減低。在此，作為使微粒16b的添加濃度在內(nèi)側(cè)區(qū)域較高而在外側(cè)區(qū)域較低的方法，可以舉出用硬化前的液狀復(fù)合材料進(jìn)行多次灌封成型的方法。就是說(shuō)，只要以讓外側(cè)區(qū)域用復(fù)合材料中的微粒16b添加比例低于內(nèi)側(cè)區(qū)域用復(fù)合材料的添加比例的方式進(jìn)行灌封成型就可以。這時(shí)，也可以是這樣的，選出折射率低于第一次灌封成型的微粒16b的折射率的、由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的其他微粒作為第二次以后的灌封成型的微粒16b。之后，能夠通過(guò)硬化使所述液狀復(fù)合材料成為由復(fù)合材料構(gòu)成的密封部16，來(lái)形成本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。此外，因?yàn)樵诘诰艑?shí)施例中，利用灌封成型法將密封部16形成為外形呈半球狀，所以出射光的全反射進(jìn)一步減低。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在此使密封部16包含熒光材料16c。不過(guò)，如上所述，在采用磷化鎵(GaP)半導(dǎo)體作為L(zhǎng)ED芯片12而構(gòu)成的綠光LED裝置等的情況下，不需要使密封部]6包含熒光材料16c。(第九實(shí)施例的第一變形例)圖31,示意地表示為本發(fā)明的第九實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖31所示，在第一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置40F中，將微粒16b的添加濃度向外側(cè)逐漸變低的密封部16的剖面外形設(shè)為四角形。作為形成本變形例所涉及的密封部16中的密封材料16d的方法，可以利用以使密封部16的外側(cè)的微粒16b添加濃度低于密封部16的內(nèi)側(cè)的微粒16b添加濃度的方式多次進(jìn)行傳遞模塑的方法。(第九實(shí)施例的第二變形例)圖32，示意地表示為本發(fā)明的第九實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖32所示，在第二變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置60E中，LED芯片12利用倒裝芯片安裝法安裝在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。在此，覆蓋LED芯片12的密封部16A的剖面形狀為四角形。在本變形例中，在將白色耐熱性樹(shù)脂材料用作殼體部件51的情況，或?qū)んw部件51的內(nèi)側(cè)壁面進(jìn)行了例如利用鋁(Al)等金屬的沉積等的金屬化的情況下，該殼體部件51的內(nèi)側(cè)壁面起到反射面的作用。而且，因?yàn)閷んw部件51的內(nèi)側(cè)壁面設(shè)為從下方向上方變寬的倒錐形，所以除了使微粒16b的添加濃度向外側(cè)逐漸變低來(lái)使密封部16具有逐漸變低的折射率差這一結(jié)構(gòu)以外，光提取效率還根據(jù)殼體部件51及該殼體部件51的形狀提高。補(bǔ)充說(shuō)明一下，能夠通過(guò)進(jìn)行多次灌封成型來(lái)形成本變形例所涉及的密封部16。在本變形例中，也可以采用下述結(jié)構(gòu)，即如在第七實(shí)施例的第五變形例中說(shuō)明的那樣，LED芯片12通過(guò)副安裝部件53利用倒裝芯片安裝法安裝在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上的結(jié)構(gòu)。(第十實(shí)施例)圖33，示意地表示為本發(fā)明的第十實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖6及圖10所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖33所示，與第六實(shí)施例一樣，在第十實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30G中，LED芯片12以讓LED芯片12的背面與村底31的主面相向的、所謂的接合點(diǎn)在上側(cè)(jimction-up)的方式(朝上安裝)安裝在印刷布線村底上，該印刷布線襯底包括襯底31，還至少包括選摔性地形成在該村底31的主面及背面的第一布線32A和第二布線32B。密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B構(gòu)成，該第一密封部26A以半球狀直接覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光裝置芯片12;該第二密封部26B以半球狀直接覆蓋該第一密封部26A。第一密封部26A，由混合有熒光材料16c的樹(shù)脂材料構(gòu)成；第二密封部26B，由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。圖34，表示采用直徑在3nm到10nm的氧化鋯(Zr02)作為添加于第二密封部26B中的微粒16b并將該微粒16b相對(duì)基體材料16a的體積百分比設(shè)為30%的情況下的、光的波長(zhǎng)與透光率之間的關(guān)系。由圖34可見(jiàn)，透光率在波長(zhǎng)短的一側(cè)大幅度減小。在此，將該現(xiàn)象稱為過(guò)濾效應(yīng)。根據(jù)第十實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置30G，能夠得到與第一實(shí)施例一樣的效果，而且由于所述過(guò)濾效應(yīng)，紅光區(qū)的光譜成分如圖35所示相對(duì)地增大。就是說(shuō)，在LED芯片12所放射的放射光和熒光材料16c所激發(fā)出的合成光中，由于微粒16b的存在而發(fā)生的散射，藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光譜成分衰減，紅光區(qū)的光譜成分相對(duì)地增大。在此，在測(cè)量時(shí)使用的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，采用了圖23所示的、將LED芯片12安裝在殼體部件51中的結(jié)構(gòu)。LED芯片12的放射光是峰值波長(zhǎng)為460nm的藍(lán)光，熒光材料16c的激發(fā)光是峰值波長(zhǎng)為575nm的黃光。在此，熒光材料16c，是對(duì)峰值波長(zhǎng)為590nm的橙光用熒光材料和峰值波長(zhǎng)為535nm的綠光用熒光材料進(jìn)行調(diào)配而成的。這樣，平均演色性指數(shù)Ra就升高，色溫下降，如[圖表2]所示。在此，平均演色性指數(shù)Ra很高，意味著被某個(gè)光源照的東西的彩色再現(xiàn)性很優(yōu)良。色溫很低，意味著光源呈暖色。<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>在此，比較例表示未設(shè)置第二密封部26B的結(jié)構(gòu)的情況；本發(fā)明1表示包含微粒16b的第二密封部26B的厚度為0.2mm的情況；本發(fā)明2表示第二密封部26B的厚度為lmm的情況。由圖表2可見(jiàn)，與比較例相比，本發(fā)明1的情況下的平均演色性指數(shù)更高；本發(fā)明2的情況下的色溫比比較例低400K。在此，色溫的duv(色度坐標(biāo)上的從黑體曲線算起的差)值在±0.002。補(bǔ)充說(shuō)明一下，也可以設(shè)為下述結(jié)構(gòu)作為第十實(shí)施例的第一變形例，即將能夠得到綠光或黃光的熒光材料分別添加在第一密封部26A和第二密封部26B中。遏過(guò)該做法，由于添加在第二密封部26B中的微粒16b的影響，合成光中的藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光譜成分也大幅度衰減，紅光區(qū)的光譜成分相對(duì)地增大。也可以設(shè)為下述結(jié)構(gòu)作為第二變形例，即將能夠得到綠光或黃光的第一熒光材料添加在第一密封部26A中，將微粒16b和能夠得到紅光的第二熒光材料添加在第二密封部26B中。這樣，紅光用第二熒光材料就吸收來(lái)自第一熒光材料的綠光或黃光，紅光被激發(fā)，因而紅光區(qū)的光譜成分進(jìn)一步增大。這樣，平均演色性指數(shù)Ra就進(jìn)一步升高，色溫進(jìn)一步下降。也可以設(shè)為下述結(jié)構(gòu)作為第三變形例，即將能夠得到紅光的第一熒光材料添加在第一密封部26A中，將微粒16b和能夠得到綠光或黃光的第二熒光材料添加在第二密封部26B中。這樣，紅光用第一熒光材料就不吸收第二熒光材料的發(fā)光光即綠光或黃光。因此，LED芯片12所放射的放射光的變換效率就提高。最好是這樣的，在第十實(shí)施例及各個(gè)變形例中，與第六實(shí)施例一樣，使第一密封部26A的折射率小于LED芯片的折射率，使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率。這樣，光提取效率就提高。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在LED芯片12的放射光的波長(zhǎng)不是在于藍(lán)光區(qū)，而是在于410nm以下的藍(lán)紫光區(qū)到380nm以下的紫外光區(qū)的情況下，通過(guò)除了綠光用及紅光用、或黃光用的各種熒光材料以外還將藍(lán)光用熒光材料至少添加在第一密封部26A中，能夠得到白色合成光。半導(dǎo)體發(fā)光裝置30G的外形和安裝LED芯片12的方法并不限于圖33所示的樣子，也可以設(shè)為與第二實(shí)施例、第六實(shí)施例的第一到第五變形例或者第七實(shí)施例的第一到第六變形例一樣的結(jié)構(gòu)。(第十實(shí)施例的第四變形例)圖36，示意地表示為本發(fā)明的第十實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖8及圖14所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖36所示，與第五實(shí)施例一樣，在第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50F中，LED芯片12利用朝上安裝法被固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。第一密封部26A由混合有熒光材料16c的樹(shù)脂材料構(gòu)成。第二密封部26B,由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料枸成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。在第四變形例中，第一密封部26A形成為與LED芯片12接觸并覆蓋該LED芯片12的周?chē)?；第二密封?6B以與殼體51的底面平行的方式設(shè)置在殼體51的上端面上。因此，在第二密封部26B與第一密封部26A之間形成有空隙部51b。再加上，在空隙部51b中形成有覆蓋第一密封部26A的第一透鏡70，在第二密封部26B上形成有覆蓋該第二密封部26B的第二透鏡部71。在此，作為第一透鏡70及第二透鏡71,例如可以采用硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、烯烴樹(shù)脂、丙烯樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、亞胺樹(shù)脂、聚碳酸脂樹(shù)脂或玻璃等等。補(bǔ)充說(shuō)明一下，并不一定需要設(shè)置第二透鏡71。如上所述，根據(jù)本變形例，半導(dǎo)體發(fā)光裝置即使具有在第一密封部26A與第二密封部26B之間設(shè)有空隙部51b的結(jié)構(gòu)，由于過(guò)濾效應(yīng)，也能夠得到第十實(shí)施例中的、平均演色性指數(shù)增大并且色溫下降的效果。可以利用灌封成型法作為本變形例所涉及的各個(gè)透鏡70、71的形成方法。第二密封部26B是能通過(guò)事先形成為板狀，再將該板狀物固定在殼體51的上端面上來(lái)形成的。(第十實(shí)施例的第五變形例)圖37，示意地表示為本發(fā)明的第十實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖8及圖14所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明o如圖37所示，與第五實(shí)施例一樣，在第十實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50G中，LED芯片12利用朝上安裝法被固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。第一密封部26A由混合有熒光材料16c的樹(shù)脂材料構(gòu)成；第二密封部26B,由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。在第五變形例中，第一密封部26A形成為與LED芯片12接觸并覆蓋該LED芯片12的周?chē)坏诙芊獠?6B以保留殼體51的凹部51a的上部的方式填充在該殼體51的凹部51a中。在凹部51a的上部形成有空隙部51b。再加上，在殼體51的上端面上以覆蓋空隙部51b的方式形成有透鏡70。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在第一密封部26A具有透鏡功能的情況下，并不一定需要設(shè)置透鏡70。如上所述，根據(jù)本變形例，半導(dǎo)體發(fā)光裝置即使具有在第二密封部26B與透鏡70之間設(shè)有空隙部51b的結(jié)構(gòu)，由于過(guò)濾效應(yīng)，也能夠得到第十實(shí)施例中的、平均演色性指數(shù)增大并且色溫下降的效果。補(bǔ)充說(shuō)明一下，本變形例所涉及的透鏡70,是能通過(guò)事先用成型模等進(jìn)行成型，再將該成型物固定在殼體51的上端面上來(lái)形成的。(第十實(shí)施例的第六變形例)圖38，示意地表示為本發(fā)明的第十實(shí)施例的第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖8及圖37所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖38所示，第十實(shí)施例的第六變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置80包括反射器81,該反射器81例如由液晶聚合物等耐熱性樹(shù)脂材料構(gòu)成，在上端部分上至少固定有第一引線52A及第二引線52B,在內(nèi)部具有呈凹狀即呈半球面狀或拋物面狀的反射部81a,兼作殼體。補(bǔ)充說(shuō)明一下，若考慮到對(duì)可見(jiàn)光進(jìn)行的反射，就最好用白色耐熱性樹(shù)脂材料作為該反射器81，或者用鋁等金屬對(duì)反射部81a進(jìn)行金屬化。LED芯片12，利用朝上安裝法被固定在第一引線52A的下表面上。就是說(shuō)，LED芯片12被安裝，使得LED芯片12的上表面與反射部81a的底部相向。在反射部81a的反射面上形成有由混合有熒光材料16c的樹(shù)脂材料構(gòu)成的熒光體層27，在熒光體層27與LED芯片12之間形成有空隙部81b。在反射器81的上端面上，以覆蓋包括各條引線52A、52B在內(nèi)的空隙部81b的方式形成有密封部16。密封部16，由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。在密封部16上形成有透鏡70。不過(guò)，并不一定需要設(shè)置透鏡70。如上所述，半導(dǎo)體發(fā)光裝置即使具有將LED芯片12設(shè)置在反射器81中的反射部81a的焦點(diǎn)附近的結(jié)構(gòu)，也能夠得到本發(fā)明的效果。補(bǔ)充說(shuō)明一下，也可以將密封用樹(shù)脂材料填充于反射器81的空隙部81b中，進(jìn)而也可以將組成與密封部16相同的復(fù)合材料或折射率不同的復(fù)合材料填充于反射器81的空隙部81b中。(第十一實(shí)施例)圖39，示意地表示為本發(fā)明的第十一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖8及圖14所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖39所示，與第五實(shí)施例一樣，在第十一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50H中，LED芯片12利用朝上安裝法被固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。用白色耐熱性樹(shù)脂材料作為殼體部件51，或者對(duì)殼體部件51的凹部51a的內(nèi)側(cè)壁面上及底面上進(jìn)行例如利用鋁(Al)等金屬的沉積等的金屬化，來(lái)使該殼體部件51的內(nèi)表面起到反射面的作用。密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B構(gòu)成，該第一密封部26A直接覆蓋LED芯片12,被填充于殼體部件51的凹部51a的下部；該第二密封部26B形成在該第一密封部26A上，呈層狀。第一密封部26A，由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部；第二密封部26B由混合有熒光材料16c的樹(shù)脂材料構(gòu)成。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，由添加在第二密封部26B中的熒光材料16c反射的、來(lái)自LED芯片12的放射光的一部分及來(lái)自熒光材料16c的發(fā)光光的一部分在殼體部件51中的凹部51a的內(nèi)側(cè)壁面或底面、與第一密封部26A之間的界面進(jìn)行反射，再次透過(guò)第一密封部26A。根據(jù)第H"—實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50H，能夠得到與第一實(shí)施例一樣的效果，而且由于所述藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的合成光衰減的過(guò)濾效應(yīng)，紅光區(qū)的光譜成分相對(duì)地增大。這樣，平均演色性指數(shù)就升高，色溫下降。補(bǔ)充說(shuō)明一下，也可以這樣設(shè)定作為第十一實(shí)施例的第一變形例，即在LED芯片12的放射光是藍(lán)光的情況下，將能夠得到綠光或黃光的熒光材料分別添加在第一密封部26A和第二密封部26B中。這樣，就通過(guò)添加在第一密封部26A中的微粒16b使合成光中的藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光譜成分衰減，紅光區(qū)的光譜成分還是相對(duì)地增大。也可以這樣設(shè)定作為第二變形例，即將微粒16b和能夠得到綠光或黃光的第一熒光材料添加在第一密封部26A中，將能夠得到紅光的第二熒光材料添加在第二密封部26B中。這樣，紅光用第二熒光材料就吸收來(lái)自第一熒光材料的綠光或黃光，紅光被激發(fā)，因而紅光區(qū)的光譜成分進(jìn)一步增大。這樣，平均演色性指數(shù)就進(jìn)一步升高，色溫進(jìn)一步下降。也可以這樣設(shè)定作為第三變形例，即將微粒16b和能夠得到紅光的第一熒光材料添加在第一密封部26A中，將能夠得到綠光或黃光的第二熒光材料添加在第二密封部26B中。這樣，紅光用第一熒光材料就不吸收第二熒光材料的發(fā)光光即綠光或黃光。因此，LED芯片12所放射的放射光的變換效率提高。最好是這樣的，第十一實(shí)施例和各個(gè)變形例中，與第六實(shí)施例一樣地使第一密封部26A的折射率小于LED芯片12的折射率，使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率。這樣，光提取效率就提高。半導(dǎo)體發(fā)光裝置50H的外形和安裝LED芯片12的方法并不被限定于圖39所示的樣子，也可以設(shè)為與第二實(shí)施例、第六實(shí)施例、第六實(shí)施例的第一到第五變形例、第七實(shí)施例或者第七實(shí)施例的第一到第六變形例一樣的結(jié)構(gòu)。(第十一實(shí)施例的第四變形例)圖40，示意地表示為本發(fā)明的第H~—實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖8及圖14所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖40所示，在第四變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置501中，密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B構(gòu)成，該第一密封部26A形成在LED芯片12的下側(cè)作為底層；該第二密封部26B以覆蓋LED芯片12的方式形成在該第一密封部26A上，填充殼體部件51的凹部51a。具體而言，第一密封部26A形成在殼體部件51的底面上。LED芯片12利用朝上安裝法在第一密封部26A的上方被固定在對(duì)可見(jiàn)光透明的芯片固定用糊狀材料13上。用白色耐熱性樹(shù)脂材料作為殼體部件51,進(jìn)而對(duì)殼體部件51的凹部51a的底面上及內(nèi)側(cè)壁面上進(jìn)行例如利用鋁(Al)等金屬的沉積等的金屬化，使該殼體部件51的內(nèi)側(cè)壁面起到反射面的作用。第一密封部26A由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部；第二密封部26B由混合有熒光材料16c的樹(shù)脂材料構(gòu)成。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，由添加在第二密封部26B中的熒光材料16c反射的、來(lái)自LED芯片12的放射光的一部分及來(lái)自熒光材料16c的激發(fā)光的一部分在殼體部件51的凹部51a與第一密封部26A之間的界面進(jìn)行反射，再次透過(guò)第一密封部26A。其結(jié)果是，由于所述過(guò)濾效應(yīng)，紅光區(qū)的光譜成分相對(duì)地增大。因此，平均演色性指數(shù)升高，色溫下降。而且，因?yàn)樵贚ED芯片12的底層即第一密封部26A中添加有微粒16b,所以LED芯片12的放熱性提高。因?yàn)橛猛该鞯暮隣畈牧献鳛樾酒潭ㄓ煤隣畈牧?3,并且已經(jīng)用金屬對(duì)殼體部件51的凹部51a的底面上進(jìn)行了金屬化，所以光提取效率提高。補(bǔ)充說(shuō)明一下，也可以是這樣的，還對(duì)第二密封部26B添加微粒，來(lái)使該第二密封部26B成為復(fù)合材料。在該情況下，最好選出使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率的微粒。(第十一實(shí)施例的第五變形例)圖41,示意地表示為本發(fā)明的第十一實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)表示與圖38所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖41所示，第H~—實(shí)施例的第五變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置80A包括反射器81，該反射器81例如由液晶聚合物等耐熱性樹(shù)脂材料構(gòu)成，在上端部分上至少固定有第一引線52A及第二引線52B，在內(nèi)部具有呈凹狀即呈半球面狀或拋物面狀的反射部81a，兼作殼體。補(bǔ)充說(shuō)明一下，最好用白色耐熱性樹(shù)脂材料作為該反射器81,或者用鋁等金屬對(duì)反射部81a進(jìn)行金屬化。LED芯片12，利用朝上安裝法被固定在第一引線52A的下表面上。就是說(shuō)，LED芯片12被安裝，使得LED芯片12的上表面與反射部81a的底部相向。在反射部81a的反射面上形成有由混合有熒光材料16c的樹(shù)脂材料構(gòu)成的熒光體層27，在熒光體層27與LED芯片12之間填充有密封部16。密封部16由包含基體材料16a及微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，所述微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。在反射器81的上端面上，以覆蓋包括各條引線52A、52B在內(nèi)的空隙部81b的方式形成有透鏡70。補(bǔ)充說(shuō)明一下，并不一定需要設(shè)置透鏡70。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，由添加在焚光體層27中的熒光材料16c反射的、來(lái)自LED芯片12的放射光的一部分及來(lái)自熒光材料16c的發(fā)光光的一部分在反射器81的反射部81a進(jìn)行反射，再次透過(guò)密封部16。其結(jié)果是，由于所述過(guò)濾效應(yīng)，紅光區(qū)的光譜成分相對(duì)地增大。因此，平均演色性指數(shù)升高，色溫下降。補(bǔ)充說(shuō)明一下，也可以設(shè)為下述結(jié)構(gòu)，即如第六實(shí)施例那樣，將密封部16至少設(shè)為具有第一密封部和第二密封部的雙層結(jié)構(gòu)，使位于第一密封部的外側(cè)的第二密封部的折射率小于第一密封部的折射率。(第十二實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第十二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖42，示意地表示為本發(fā)明的第十二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)也表示與圖8及圖14所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖42所示，與第五實(shí)施例一樣，在第十二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50J中，LED芯片12利用朝上安裝法被固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。密封部26包括第一密封部26A和第二密封部26B，該第一密封部26A直接覆蓋LED芯片12，被填充于殼體部件51的凹部51a的下部；該第二密封部26B隔著第三密封部26C形成在該第一密封部26A上，呈層狀。第一密封部26A和第二密封部26B，由包含基體材料16a及第一微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和熒光材料16c構(gòu)成，所述第一微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。第三密封部26C由包含基體材料16a及第二微粒17b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，所述第二微粒17b由能夠吸收紫外光的氧化鋅、氧化鈦或氧化鈰等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。根據(jù)第十二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50J,能夠得到與第一實(shí)施例一樣的效果，而且在第一密封部26A與第二密封部26B之間設(shè)置有作為吸收紫外光的紫外光吸收層的第三密封部26C。因此，含在LED芯片12所放射的放射光中的、紫外光區(qū)的光成分被第三密封部26C吸收。其結(jié)果是，能夠用耐水性及耐熱性優(yōu)良，但是容易因紫外光而變成黃色的環(huán)氧樹(shù)脂作為構(gòu)成第二密封部26B的基體材料16a。補(bǔ)充說(shuō)明一下，最好將密封部26設(shè)為下述結(jié)構(gòu)，即第二密封部26B的折射率小于第三密封部26C的折射率，并且第三密封部26C的折射率小于第一密封部26A的折射率。第一密封部26A和第二密封部26B并不一定需要包含第二微粒17b。熒光材料16c只要含在第一密封部26A和第三密封部26C中的任一個(gè)密封部中就可以。但是，在LED芯片12所放射的放射光主要是紫外光的情況下，第一密封部26A需要包含熒光材料16c。半導(dǎo)體發(fā)光裝置50J的外形和安裝LED芯片12的方法并不被限定于圖43所示的樣子，也可以設(shè)為與第二實(shí)施例、第六實(shí)施例、第六實(shí)施例的第一到第五變形例、第七實(shí)施例或者第七實(shí)施例的第一到第六變形例一樣的結(jié)構(gòu)。(第十三實(shí)施例)下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第十三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖43，示意地表示為本發(fā)明的第十三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。在此，用相同的符號(hào)表示與圖8所示的結(jié)構(gòu)因素相同的結(jié)構(gòu)因素，來(lái)省略這些結(jié)構(gòu)因素的說(shuō)明。如圖43所示，與第五實(shí)施例一樣，在第十三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50K中，LED芯片12利用朝上安裝法被固定在具有凹部51a的殼體部件51中的凹部51a底面上。密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B構(gòu)成，該第一密封部26A直接覆蓋LED芯片12，被填充于殼體部件51的凹部51a中；該第二密封部26B以覆蓋第一密封部26A的方式形成在殼體部件51的上表面上。第一密封部26A，由包含基體材料16a及第一微粒16b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d、和焚光材料16c構(gòu)成，所述第一微粒16b由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。第二密封部26B,由包含基體材料16a及第二微粒17b的復(fù)合材料所構(gòu)成的密封材料16d構(gòu)成，該第二微粒17b由能夠吸收紫外光的氧化鋅、氧化鈦或氧化鈰等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已均勻地分散在該基體材料16a的內(nèi)部。這樣，通過(guò)用復(fù)合材料作為密封材料16d，就不僅能夠得到微粒16b吸收紫外光的效果，紫外光的波長(zhǎng)的光由于復(fù)合材料的影響而也容易散射。因此，抑制紫外光的透過(guò)的效果極高。根據(jù)第十三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50K，能夠得到與第一實(shí)施例一樣的效果。而且，因?yàn)樵诘谝幻芊獠?6A上設(shè)置有作為吸收紫外光的紫外光吸收層的第二密封部26B，所以含在LED芯片12所放射的放射光中的、紫外光區(qū)的光成分被第二密封部26B吸收。其結(jié)果是，能夠防止該半導(dǎo)體發(fā)光裝置50K輸出不必要的紫外光。再加上，因?yàn)槲兆贤夤獾牡诙芊獠?6B設(shè)置在第一密封部26A的外側(cè)，所以還能夠防止從外部入射的紫外光所造成的、密封材料16d及熒光材料16c的惡化。補(bǔ)充說(shuō)明一下，LED芯片12的放射光的波長(zhǎng)區(qū)并不被限定于從藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)為止的區(qū)域。因此，半導(dǎo)體發(fā)光裝置50K不被限定于白光LED裝置。第一密封部26A并不一定需要包含第一微粒16b。半導(dǎo)體發(fā)光裝置50K的外形和安裝LED芯片12的方法并不被限定于圖43所示的樣子，也可以設(shè)為與第一到第四實(shí)施例一樣的結(jié)構(gòu)。(第十三實(shí)施例的一變形例)圖44，示意地表示為本發(fā)明的第十三實(shí)施例的一變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的白光LED裝置的剖面結(jié)構(gòu)。如圖44所示，在本變形例所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置50L中，包含能夠吸收紫外光的第二微粒17的第二密封部26B不僅形成在殼體部件51的上表面上，也形成在該殼體部件51的側(cè)面及底面上，覆蓋殼體部件51的整個(gè)周?chē)?。根?jù)所述結(jié)構(gòu)，能夠得到與第十三實(shí)施例一樣的效果，還能夠提高殼體部件51的放熱性。作為形成覆蓋殼體部件51的周?chē)牡诙芊獠?6B的方法，例如可以利用在形成第一密封部26A后將形成有第一密封部26A的殼體部件51浸在第二微粒17分散著的液狀密封材料16d中的浸漬法。補(bǔ)充說(shuō)明一下，在第六實(shí)施例、第六實(shí)施例的第一到第六變形例、第七實(shí)施例、第七實(shí)施例的第一到第七變形例、第十實(shí)施例、第十一實(shí)施例、第十一實(shí)施例的第一到第四變形例、第十二實(shí)施例、第十三實(shí)施例及第十三實(shí)施例的一變形例中，用相同的材料作為第一密封部26A的基體材料16a和第二密封部26B的基體材料16a。這樣，就能夠提高密封部相互間的緊貼性，設(shè)為不易造成密封部的剝離等的結(jié)構(gòu)。因此，所示結(jié)構(gòu)很適當(dāng)。密封部相互間的緊貼性，是被基體材料相互間的接合程度左右的程度比較大。而在用復(fù)合材料作為密封部的情況下，基體材料的比例較小。于是，使各個(gè)密封部的基體材料相同，這樣就能夠使緊貼性提高。在上述的所有實(shí)施例及其變形例中，作為半導(dǎo)體發(fā)光裝置主要對(duì)白光LED裝置進(jìn)行了說(shuō)明。不過(guò)，本發(fā)明并不被限定于白光LED裝置，本發(fā)明對(duì)用添加有微粒的密封材料密封LED芯片的半導(dǎo)體發(fā)光裝置有效。補(bǔ)充說(shuō)明一下，當(dāng)用復(fù)合材料作為密封部時(shí)，最好是無(wú)論密封部具有單層結(jié)構(gòu)還是多層結(jié)構(gòu)，都設(shè)為所發(fā)的光的透光量的衰減程度較小的結(jié)構(gòu)。不過(guò)，只要根據(jù)用途決定密封部的結(jié)構(gòu)就可以，在如第十實(shí)施例那樣控制演色性的情況、和LED包含紫外光而想去除該紫外光的情況等情況下，用復(fù)合材料衰減相應(yīng)的波長(zhǎng)的光。由于復(fù)合材料的影響而發(fā)生的瑞利散射的程度根據(jù)微粒的尺寸、微粒的混合濃度或密封部厚度的不同而不同，此外根據(jù)透過(guò)光的波長(zhǎng)的不同也不同，特別是具有光的波長(zhǎng)越短，散射程度越大這一特征。因此，也會(huì)有出現(xiàn)下述情況，即由于采用的LED芯片的發(fā)光波長(zhǎng)或復(fù)合材料所構(gòu)成的密封部結(jié)構(gòu)的關(guān)系，透過(guò)光量受到影響。在用作密封部的復(fù)合材料的根據(jù)半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光波長(zhǎng)決定的散射度小于0.3的條件下，所發(fā)的光在透過(guò)時(shí)的衰減量較小，因而光提取效率提高。這時(shí)，密封部的透光率中的瑞利散射成分大約小于25%。更好的是將散射度設(shè)為0.2以下。這樣，光在透過(guò)時(shí)的衰減量就更小，因而光提取效率提高。補(bǔ)充說(shuō)明一下，這時(shí)的透光率中的瑞利散射成分約在20%以下。特別是當(dāng)散射度在0.1以下時(shí)，透光率中的瑞利散射成分約在10%以下，其中當(dāng)散射度在0.05以下時(shí)，透光率中的瑞利散射成分在5%左右以下，該復(fù)合材料大致是透明的，光在透過(guò)時(shí)的衰減量不成問(wèn)題了。在此，散射度是以復(fù)合材料部分的瑞利散射衰減系數(shù)o:和該復(fù)合材料部分的厚度t的乘積at表示的值。該散射度的測(cè)量方法如下測(cè)量具有規(guī)定厚度t的復(fù)合材料部分的透光率T(%)，利用該透光率T的值以散射度o:t^—ln(T/100)的算式求出該散射度。在此，ln是自然對(duì)數(shù)。能夠通過(guò)除散射度以厚度來(lái)求出瑞利散射衰減系數(shù)CK。瑞利散射衰減系數(shù)a,是根據(jù)微粒的粒徑、折射率或與混合量有關(guān)的材料組成而決定的材料參數(shù)。通過(guò)得知該瑞利散射衰減系數(shù)CK的值，能夠容易地進(jìn)行密封部厚度等器件光學(xué)設(shè)計(jì)。在此，對(duì)各種顏色分別舉出在第一實(shí)施例中所述的、可以利用于本發(fā)明的熒光體的其他例子。i.藍(lán)光熒光體(1)卣磷酸鹽(Halophosphate)熒光體(Sr,Ba)i0(PO4)6Cl2:Eu2+'Sr10(PO4)6Cl2:Eu2+(2)硅酸鹽(Silicate)熒光體Ba3MgSi208:Eu2+ii.藍(lán)纟錄光熒光體(1)鋁酸鹽熒光體Sr4Al14025:Eu2+(2)硅酸鹽熒光體Sr2Si3082SrCl2:Eu2+iii.纟錄光熒光體(1)鋁酸鹽焚光體(Ba,Sr,Ca)Al204:Eu2+(2)硅酸鹽(Silicate)熒光體(Ba,Sr)2Si04:Eu2+(3)a-塞隆(SIALON)熒光體Sn.sAl3Si9Ni6:Eu2+,CatSiA10N:W+(4)"-塞隆熒光體/5-Si3N4:Eu2+(5)氮氧化合物熒光體硅酸鹽氧基氮化物(Oxonitrido-silicate):(Ba,Sr，Ca)Si202N2:Eu2+鋁硅酸鹽氧基氮化物(Oxonitrido-aluminosilicate):(Ba,Sr,Ca)2Si4A10N7:Ce3+，(Ba,Sr,Ca)Al2-xSix04-xNx:Eu2+(0<x<2)(6)氮化物熒光體珪酸鹽氮化物(Nitrido-silicate)熒光體(Ba,Sr，Ca)2Si5N8:Ce3+(7)硫化物熒光體鎵硫化合物(Thiogallate):SrGa2S4:Eu2+(8)石榴石熒光體Ca3Sc2Si3012:Ce3+,BaY2SiAl4012:Ce3+,Ys(Al,Ga)5012:Ce3+(9)氧化物焚光體CaSc204:Ce3+iv.黃光熒光體(1)硅酸鹽(Silicate)熒光體(Sr，Ba)2Si04:Eu2+，Sr3Si05:Eu2+(2)石榴石熒光體(Y,Gd)3Al50i2:Ce3+，Y3Al5012:Ce3+,Pr3+(3)硫化物熒光體鎵硫化合物CaGa2S4:Eu2+(4)a-塞隆熒光體Ca-crSiA10N:Eu2+，(0.75(Ca。.9Eu。.L)02.25A1N3.25Si3N4:Eu2+、CaL5Al3Si9N^:Eu2+等等)v.橙光焚光體(1)硅酸鹽(Silicate)熒光體(Sr，Ca)2Si04:Eu2+(2)石榴石熒光體:Gd3Al50i2:Ce3+(3)a-塞隆熒光體Ca-o:-SiA10N:Eu2+vi.紅光熒光體(1)硫化物熒光體(Sr,Ca)S:Eu2+，La202S:Eu3+,Sm3+(2)硅酸鹽(Silicate)熒光體Ba3MgSi208:Eu2+,Mn2+(3)氮化物熒光體或氮氧化合物熒光體(Ca,Sr)SiN2:Eu2+,(Ca，Sr)AlSiN3:Eu2+,Sr2Si5-xAlxOxN8x:Eu2+(0《x《l)補(bǔ)充說(shuō)明一下，也可以使用金屬絡(luò)合物、有機(jī)染料或顏料等波長(zhǎng)變換材料來(lái)代替熒光體?？梢云诖砑釉谕腹庑圆牧?熒光體層、密封材料)中的微粒帶來(lái)下述效果，即搖變性(thixotropy)的提高、光散射效應(yīng)、密封材料的折射率的調(diào)整及傳熱性的提高等等。不僅可以用在第一實(shí)施例中所示的微粒作為微粒，例如也可以采用為金屬化合物的BaS04、ZnS或V205、或者這些物質(zhì)的混合物作為微粒。微粒的中心粒徑在幾十nm到幾百nm。作為安裝LED芯片12的襯底31或基座，可以采用是AIN、A1203、BN、A1N、MgO、ZnO、SiC或C或者含有這些物質(zhì)中的至少兩種物質(zhì)的混合物的陶瓷；也可以采用是鋁、銅、鐵或金或者含有這些金屬中的至少兩種金屬的合金的金屬；也可以采用環(huán)氧玻璃。作為設(shè)置在殼體部件51或反射器81上的反射層，不僅可以采用鋁，也可以采用是銀、金、鎳、銠或鈀或者含有這些物質(zhì)中的至少兩種物質(zhì)的合金的金屬。作為密封材料16d的基體材料16a，可以采用是環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、丙蹄樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、亞胺樹(shù)脂、聚碳酸脂樹(shù)脂、聚苯硫醚樹(shù)脂、液晶聚合物樹(shù)脂或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)樹(shù)脂或者含有這些物質(zhì)中的至少兩種物質(zhì)的混合物的樹(shù)脂?？梢圆捎檬⒒蚰蜔嵝杂操|(zhì)玻璃作為蓋玻璃(capglass)?？梢圆捎玫腿埸c(diǎn)^皮璃作為密封用玻璃。作為用來(lái)對(duì)LED芯片進(jìn)行密封的密封氣體，可以采用氮、氬或干燥的空氣。—工業(yè)實(shí)用性一根據(jù)本發(fā)明，能夠得到由使用壽命長(zhǎng)且亮度高的LED等構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，本發(fā)明對(duì)通過(guò)樹(shù)脂密封來(lái)將形成有發(fā)光元件的半導(dǎo)體芯片封裝化而成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置等很有用。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的半導(dǎo)體芯片，和形成在所述光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部，其特征在于所述密封部包含密封材料和熒光材料，該密封材料由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在所述基體材料內(nèi)部的所述光的波長(zhǎng)的四分之一以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部形成為覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的周?chē)?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部形成為與所述半導(dǎo)體芯片相接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部由第一密封部和第二密封部構(gòu)成，該第一密封部由所述密封材料構(gòu)成；該第二密封部形成在該第一密封部的外側(cè)，包含所述熒光材料。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括反射部件，該反射部件設(shè)置在所述第一密封部中的所述半導(dǎo)體芯片的至少下方及側(cè)邊，讓所述光反射。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封材料是用具有透明性的糊狀材料固定著所述半導(dǎo)體芯片、并且被所述反射部件支撐著的底層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部由第一密封部和第二密封部構(gòu)成，該第一密封部由所述密封材料構(gòu)成；該第二密封部形成在該第一密封部的外側(cè)；所述粒子由吸收紫外光區(qū)的光的材料構(gòu)成。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部由第一密封部和第二密封部構(gòu)成，該第一密封部包含所述熒光材料；該第二密封部形成在該第一密封部的外側(cè)，由所述密封材料構(gòu)成。9.根據(jù)權(quán)利要求4到8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部及所述第二密封部的外形呈半球狀。10.根據(jù)權(quán)利要求4到8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部的剖面外形呈四角形，所述第二密封部的外形呈半球狀。11.根據(jù)權(quán)利要求4到8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部及所述第二密封部的剖面外形呈四角形。12.根據(jù)權(quán)利要求4到8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部的外形呈半球狀，所述第二密封部的剖面外形呈四角形。13.—種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出光的半導(dǎo)體芯片，和形成在所述光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部，其特征在于所述密封部包含由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在所述基體材料內(nèi)部的所述光的波長(zhǎng)的四分之一以下，并且，所述密封部由覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的第一密封部和形成在該第一密封部的外側(cè)的第二密封部構(gòu)成；所述第一密封部的、根據(jù)所述光的波長(zhǎng)決定的第一折射率，高于所述第二密封部的、根據(jù)所述光的波長(zhǎng)決定的第二折射率。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于含在所述第一密封部中的所述粒子的組成和含在所述第二密封部中的所述粒子的組成不同。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部中的所述粒子在所述復(fù)合材料中所占的比例，高于所述第二密封部中的所述粒子在所述復(fù)合材料中所占的比例。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部及所述第二密封部的外形呈半球狀。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部的剖面外形呈四角形，所述第二密封部的外形呈半球狀。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部及所述第二密封部的剖面外形呈四角形。19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第一密封部的外形呈半球狀，所述第二密封部的剖面外形呈四角形。20.—種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出光的半導(dǎo)體芯片，和形成在所述光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部，其特征在于所述密封部包含由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在所述基體材料內(nèi)部的所述光的波長(zhǎng)的四分之一以下，并且，根據(jù)所述光的波長(zhǎng)決定的折射率設(shè)定為從離所述半導(dǎo)體芯片近的內(nèi)側(cè)區(qū)域向外側(cè)區(qū)城逐漸變低。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于在所述密封部中，離所述半導(dǎo)體芯片近的內(nèi)側(cè)區(qū)域中的所述粒子在所述復(fù)合材料中所占的比例高于處在該內(nèi)側(cè)區(qū)域的外側(cè)的外側(cè)區(qū)域中的所述粒子在所述復(fù)合材料中所占的比例。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于在含在所述密封部中的所述粒子中，含在所述密封部的內(nèi)側(cè)的粒子的組成、和含在所述密封部的外側(cè)的粒子的組成不同。23.—種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出光的半導(dǎo)體芯片，和形成在所述光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部，其特征在于所述密封部包含由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在所述基體材料內(nèi)部的所述光的波長(zhǎng)的四分之一以下，并且，所述密封部由覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的第一密封部和形成在該第一密封部的外側(cè)的第二密封部構(gòu)成；所述第二密封部，包含用來(lái)作為所述粒子的、由吸收紫外光區(qū)的光的材料構(gòu)成的粒子。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第二密封部形成為覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的上方、下方及側(cè)面。25.—種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括放出波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的半導(dǎo)體芯片，形成在所述光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部，支撐所述半導(dǎo)體芯片的支撐部件，以及固定所述半導(dǎo)體芯片和所迷支撐部件的、具有透明性的糊狀材料，其特征在于所述糊狀材料由包含基體材料和粒子的復(fù)合材料構(gòu)成，所述粒子由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料中，所述粒子的有效粒徑在所述基體材料內(nèi)部的所述光的波長(zhǎng)的四分之一以下；所述粒子由吸收紫外光區(qū)的光的材料構(gòu)成。26.根據(jù)權(quán)利要求13到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部包含熒光材料。27.根據(jù)權(quán)利要求1到8、和13到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述粒子由無(wú)機(jī)化合物構(gòu)成。28.根據(jù)權(quán)利要求1到8、和13到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述基體材料由樹(shù)脂材料構(gòu)成。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述樹(shù)脂材料是無(wú)機(jī)高分子材料。30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述樹(shù)脂材料是有機(jī)高分子材料。31.根據(jù)權(quán)利要求1到8、和13到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述基體材料由對(duì)可見(jiàn)光透明的材料構(gòu)成。32.根據(jù)權(quán)利要求1到8、和13到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所迷復(fù)合材料是對(duì)可見(jiàn)光透明的。33.根據(jù)權(quán)利要求1到8、和13到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述粒子的根據(jù)所述光的波長(zhǎng)決定的折射率，高于所述基體材料的根據(jù)所述光的波長(zhǎng)決定的折射率，并且與所述半導(dǎo)體芯片的折射率相等或在該半導(dǎo)體芯片的折射率以下。34.根據(jù)權(quán)利要求1到8、和13到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述粒子在所述復(fù)合材料中所占的體積百分比在5%以上且60%以下。35.根據(jù)權(quán)利要求1到3、和20到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部的外形呈半球狀。36.根據(jù)權(quán)利要求1到3、和20到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部的剖面外形呈四角形。37.根據(jù)權(quán)利要求1到4、7、8、以及13到25中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括反射部件，該反射部件設(shè)置在所述密封部中的所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)邊的區(qū)域中，讓所述光反射。38.根據(jù)權(quán)利要求37所迷的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部的剖面形狀呈下邊窄而上邊寬的倒錐形。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。半導(dǎo)體發(fā)光裝置(10)具有放出波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)到紫外光區(qū)的光的半導(dǎo)體芯片(12)、和形成在光所通過(guò)的通過(guò)路徑上的至少一部分區(qū)域中的密封部(16)。密封部(16)包含由包含基體材料(16a)及微粒(16b)的復(fù)合材料構(gòu)成的密封材料(16d)、和熒光材料(16c)，該基體材料(16a)由樹(shù)脂構(gòu)成；所述微粒(16b)由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，已分散在該基體材料(16a)中，所述微粒(16b)的有效粒徑在基體材料(16a)內(nèi)部的光的波長(zhǎng)的四分之一以下。文檔編號(hào)H01L33/00GK101208811SQ20068002312公開(kāi)日2008年6月25日申請(qǐng)日期2006年7月27日優(yōu)先權(quán)日2005年8月5日發(fā)明者古池進(jìn),永井秀男,池田忠昭,鈴木正明申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社