專利名稱：用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于晶片支撐裝置 的調(diào)制樣片。
技術(shù)背景半導(dǎo)體晶片處理系統(tǒng)中通常包含晶片支撐裝置，用以支撐處理容器中的晶片。而晶片的固定，通常由機(jī)械固定或靜電吸盤(chuck)所提供。不同的晶 片處理系統(tǒng)中的晶片支撐裝置大多包含將晶片固定于晶片支撐體上以及對晶 片進(jìn)行加熱及/或冷卻的各種部件；此外，旋涂系統(tǒng)內(nèi)的晶片支撐裝置還包 含對晶片背面進(jìn)行及時(shí)沖洗的各種部件。當(dāng)前，對晶片支撐裝置的研究大多集中在對晶片支撐裝置的加熱及/或 冷卻部件的改進(jìn)上，如申請?zhí)枮?200510118052. X"的中國專利申請中提供了一種將設(shè)置于真空側(cè)的電極連接至設(shè)置于大氣側(cè)的端子上的貫通供電構(gòu) 造，以解決現(xiàn)有的連接構(gòu)造體所具有的結(jié)構(gòu)復(fù)雜及部分連接失效的問題；申 請?zhí)枮?03810217.X"的中國專利申請中提供了一種在熱處理室中利用基座 加熱半導(dǎo)體晶片的工藝和系統(tǒng)，通過改變基座設(shè)置，降低晶片中的徑向溫度梯度，可以消除或最小化晶片中產(chǎn)生的滑移，并通過更均勻地加熱晶片，改 善沉積或外延工藝期間晶片上的沉積均勻度。然而，對旋涂系統(tǒng)內(nèi)晶片支撐裝置中用以對晶片背面進(jìn)行及時(shí)沖洗的各 種部件進(jìn)行的改進(jìn)所進(jìn)行的研究還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。圖l為現(xiàn)有旋涂系統(tǒng)中晶片支撐裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，旋涂系 統(tǒng)包括旋涂室20及晶片支撐裝置，所述晶片支撐裝置包括晶片支撐體60、廢 液收集裝置3O及旋涂物質(zhì)收集裝置40,晶片支撐體60用以直接承載并固定晶 片。旋涂過程中，由于旋涂物質(zhì)均為流動性物質(zhì)，為保證此旋涂物質(zhì)可在涂 覆晶片邊緣后，不產(chǎn)生由于旋涂物質(zhì)污染晶片背面而導(dǎo)致的晶片平整度變差， 通常在晶片支撐裝置中還包括對晶片背面進(jìn)行及時(shí)沖洗的一定數(shù)量的清洗部 件50;此一定數(shù)量的清洗部件50均勻分布于晶片支撐體60四周。通過在旋涂 過程中利用此一定數(shù)量的清洗部件沿一定方向噴射具有一定流速的旋涂材料 清洗溶液于晶片背面，以清洗已污染晶片背面的旋涂物質(zhì)。廢液收集裝置用 以接收清洗污染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液。旋涂物質(zhì)收集裝置 用以接收旋涂過程中噴賊的旋涂物質(zhì)。通常，旋涂前，為保證噴射的旋涂材料清洗溶液既能保證旋涂物質(zhì)不能 污染晶片背面，又不至于將旋涂物質(zhì)噴濺至旋涂室內(nèi)，需利用調(diào)制樣片10輔助進(jìn)行各清洗部件的流速和噴射角度的調(diào)節(jié)。應(yīng)用現(xiàn)有方法調(diào)節(jié)清洗部件50 時(shí)需首先將一調(diào)制樣片固定于晶片支撐體60上，此調(diào)制樣片10與生產(chǎn)用晶片 尺寸相同；隨后，測試各清洗部件的流速和噴射角度。根據(jù)測試結(jié)果，確定 清洗部件的流速和噴射角度需要調(diào)節(jié)后，需將此位于復(fù)數(shù)個(gè)清洗部件50上方 的調(diào)制樣片10取下，方可調(diào)節(jié)清洗部件50，調(diào)節(jié)后再將此調(diào)制樣片10恢復(fù)原 位，重復(fù)測試，直至確定清洗部件50的流速和噴射角度已符合預(yù)定要求。實(shí) 際生產(chǎn)中，各清洗部件的調(diào)節(jié)通常需重復(fù)多次，如此反復(fù)取、放調(diào)制樣片IO， 一方面易造成調(diào)制樣片10的損傷，另一方面使得調(diào)節(jié)步驟繁瑣，耗費(fèi)了大量 的生產(chǎn)準(zhǔn)備時(shí)間。若能改進(jìn)調(diào)制樣片10的結(jié)構(gòu)，使得無需反復(fù)取、放調(diào)制樣 片10即可進(jìn)行清洗部件50的調(diào)節(jié)，將給實(shí)際生產(chǎn)帶來極大的方便。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，利用此調(diào)制樣片 調(diào)制樣片支撐裝置時(shí)，無需反復(fù)取、^t調(diào)制樣片即可進(jìn)行位于其下部的清洗 部件的調(diào)節(jié)。本實(shí)用新型提供的一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺 寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，所述調(diào)制樣片內(nèi)具有調(diào)節(jié)孔。所述調(diào)制樣片的材料為透明或半透明的合成樹脂材料或塑料；所述調(diào)制樣片的材料為曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯，丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物，聚碳酸脂，聚醚酰亞胺等材料中的一種；所述調(diào)節(jié)孔位于所述調(diào)制樣片調(diào)節(jié)區(qū) 內(nèi)；所述調(diào)節(jié)孔的數(shù)目與所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目相同；所述調(diào)制 樣片附加有高度檢測裝置；所述高度^^測裝置包括具有預(yù)定厚度的標(biāo)定物；所 述標(biāo)定物的預(yù)定厚度為預(yù)定高度范圍邊界值；所述標(biāo)定物位于所述調(diào)制樣片 邊緣；所述高度檢測裝置為傳感式數(shù)字顯示檢測裝置。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn) 1. 通過改進(jìn)調(diào)制樣片的結(jié)構(gòu)，使得利用此調(diào)制樣片調(diào)制樣片支撐裝置 時(shí)，無需反復(fù)取、放調(diào)制樣片即可進(jìn)行位于其下部的清洗部件的調(diào)節(jié)，簡化了調(diào)節(jié)步驟，提高了生產(chǎn)效率；2. 通過在調(diào)制樣片上形成調(diào)節(jié)孔，并控制此調(diào)節(jié)孔的數(shù)量與所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目 一致，可實(shí)現(xiàn)對位于調(diào)制樣片下部的清洗部件的單獨(dú)調(diào)節(jié)；3. 通過在調(diào)制樣片上附加一空隙高度檢測裝置，繼而保證廢液收集裝置 的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度滿足預(yù)定要求，即可同時(shí)保證廢液收集裝置的 側(cè)壁不損傷調(diào)制樣片以及清洗污染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液被 廢液收集裝置接收，而不污染旋涂室或與另行接收的多余的旋涂物質(zhì)混合。

圖1為現(xiàn)有旋涂系統(tǒng)中晶片支撐裝置的側(cè)視示意圖； 圖2為說明本實(shí)用新型第一實(shí)施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片背面 俯視示意圖；圖3為說明本實(shí)用新型第二實(shí)施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片側(cè)視 示意圖。
具體實(shí)施方式
盡管下面將參照附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí) 用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用 新型而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對 于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛教導(dǎo)，而并不作為對本實(shí)用新型的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述 公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠贡緦?shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng) 當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的 特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪?個(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下列 說明和權(quán)利要求書本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均 采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明
本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。圖2為說明本實(shí)用新型第一實(shí)施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片背面 俯視示意圖，如圖2所示，本實(shí)用新型提供的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片 IO尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同；所述調(diào)制樣片內(nèi)包含調(diào)節(jié)孔14，所述調(diào)節(jié)孔的 數(shù)目為任意自然數(shù)，如l、 2、 3……等，作為本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述調(diào)節(jié) 孔的數(shù)目為2;所述調(diào)節(jié)孔的數(shù)目與所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目一 致。將所述用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片背面分為順序相接的接觸區(qū)13、調(diào) 節(jié)區(qū)12及噴射區(qū)11;所述接觸區(qū)13為位于調(diào)制樣片10內(nèi)對應(yīng)晶片支撐體與 調(diào)制樣片接觸區(qū)域，所述調(diào)節(jié)區(qū)12及噴射區(qū)11為與調(diào)節(jié)樣片同心的圓環(huán)， 所述調(diào)節(jié)區(qū)12用以設(shè)置調(diào)節(jié)孔，以實(shí)現(xiàn)對晶片支撐裝置內(nèi)位于調(diào)制樣片下方 的各清洗部件的單獨(dú)調(diào)節(jié)；所述噴射區(qū)11為所述各清洗部件噴射的清洗溶液 覆蓋所述調(diào)制樣片背面的區(qū)域。對于不同的旋涂系統(tǒng)，所述調(diào)制樣片10內(nèi)的 各分區(qū)的范圍及調(diào)節(jié)孔位于調(diào)制樣片內(nèi)的具體位置可根據(jù)工藝條件及產(chǎn)品要 求適當(dāng)改變。所述調(diào)節(jié)孔的尺寸小于所述調(diào)制樣片內(nèi)調(diào)節(jié)區(qū)內(nèi)外半徑的差值?，F(xiàn)在的生產(chǎn)過程中，所述調(diào)制樣片的材料通常為特制玻璃，此材料在利 用調(diào)制樣片調(diào)節(jié)晶片支撐裝置內(nèi)位于調(diào)制樣片下方各部件時(shí)，易造成調(diào)制樣的改進(jìn)。本實(shí)用新型提供的調(diào)制樣片的材料為透明或半透明合成樹脂材料或塑 料，如曱基丙烯酸曱酯(Acryl， P薩A)、聚氯乙烯(PVC),丙烯腈/丁二烯 /苯乙烯共聚物(ABS),聚碳酸脂(PC),聚醚酰亞胺(PEI)等。作為本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于300毫米晶片生產(chǎn)線，所述調(diào)制樣片直徑 為300毫米(mm);若所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目為2,即清洗部件 的數(shù)目為2，則所述調(diào)制樣片內(nèi)調(diào)節(jié)孔的數(shù)目為2。對于300毫米涂膠系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)孔可位于直徑為60 IOO毫米圓環(huán)內(nèi)的 任意圓周上，所述調(diào)節(jié)孔的具體尺寸可為邊長或直徑小于調(diào)制樣片內(nèi)調(diào)節(jié)區(qū) 內(nèi)外半徑差值的方形、圓形、三角形等具有任意形狀的孔洞；對于300毫米顯 影系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)孔可位于直徑為80 120毫米圓環(huán)內(nèi)的任意圓周上，所述調(diào)
節(jié)孔的具體尺寸可為邊長或直徑小于調(diào)制樣片內(nèi)調(diào)節(jié)區(qū)內(nèi)外半徑差值的方 形、圓形、三角形等具有任意形狀的孔洞。誠然，所述調(diào)節(jié)孔的具體位置、尺寸及形狀為便于本實(shí)用新型的具體實(shí) 施而做出的特殊選擇，不應(yīng)作為對本實(shí)用新型方法實(shí)施方式的限定，本領(lǐng)域 技術(shù)人員對此作出的任意合理的修改及等同變換不影響本實(shí)用新型方法的實(shí) 施，且應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。為保證廢液收集裝置的側(cè)壁在旋涂過程中不損傷調(diào)制樣片，及此混合溶 液不污染旋涂室以及不與另行接收的多余的旋涂物質(zhì)混合，此側(cè)壁需具有一 定的高度，同時(shí)此側(cè)壁與調(diào)制樣片間還需形成具有一定高度的空隙，實(shí)際生產(chǎn)過程中，對于300毫米涂膠系統(tǒng)，要求此空隙的高度范圍為1 1.2毫米；對 于300毫米顯影系統(tǒng)，要求此空隙的高度范圍為4 4. 5毫米。為保證上述空隙高度在此范圍內(nèi)，可在所述調(diào)制樣片上附加一空隙高度 檢測裝置，作為本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述空隙高度檢測裝置可包括分別具 有特定厚度的兩個(gè)標(biāo)定物70，所述兩個(gè)標(biāo)定物的特定厚度為所述空隙的高度 范圍兩邊界值，所述標(biāo)定物位于所述調(diào)制樣片邊緣，且兩標(biāo)定物在調(diào)制樣片 上的實(shí)際位置均無限定。所述標(biāo)定物可附于所述調(diào)制樣片背面。所述標(biāo)定物 材料可為任意固體材料，如合成樹脂材料、塑料或金屬等。作為本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于300毫米涂膠系統(tǒng)，所述標(biāo)定物為高度分 別為1毫米和1.2毫米的兩個(gè)鋼片，此兩標(biāo)定物可位于所述調(diào)制樣片內(nèi)邊緣處 任意位置。實(shí)際操作時(shí)，應(yīng)用可附于所述調(diào)制樣片背面的標(biāo)定物檢測空隙高 度時(shí)，首先，將對應(yīng)所述空隙高度下限值高度的標(biāo)定物附于所述調(diào)制樣片背 面，旋轉(zhuǎn)所述調(diào)制樣片，若所述調(diào)制樣片可任意轉(zhuǎn)動，則說明所述空隙高度 滿足預(yù)定高度下限值；若所述調(diào)制樣片無法任意轉(zhuǎn)動一周，則說明有空隙高 度超出預(yù)定高度下限值；然后，將對應(yīng)所述空隙高度上限值高度的標(biāo)定物附 于所述調(diào)制樣片背面，旋轉(zhuǎn)所述調(diào)制樣片，若所述調(diào)制樣片無法轉(zhuǎn)動，說明 所述空隙高度滿足預(yù)定高度上限值；若所述調(diào)制樣片可轉(zhuǎn)動，說明有空隙高 度超出預(yù)定高度上限值。即只有所述調(diào)制樣片在其背面附有對應(yīng)所述空隙高 度下限值高度的標(biāo)定物時(shí)，可任意轉(zhuǎn)動，且在其背面附有對應(yīng)所述空隙高度 上限值高度的標(biāo)定物時(shí)無法轉(zhuǎn)動，方可確定上述空隙高度在預(yù)定要求范圍內(nèi)。
圖3為說明本實(shí)用新型第二實(shí)施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片側(cè)視示意圖，如圖3所示，所述空隙高度4全測裝置可為傳感式數(shù)字顯示檢測裝置80， 所述傳感式數(shù)字顯示檢測裝置包含檢測部83、固定部82及顯示部81。所述固定部82用以將所述傳感式數(shù)字顯示檢測裝置固定于所述調(diào)制樣片 邊緣；所述顯示部81與所述固定部82相接，所述顯示部81可相對所述固定部 82轉(zhuǎn)動，所述顯示部81用以即時(shí)顯示所述空隙高度值；所述檢測部83與所述 固定部82相接，所述檢測部83可利用傳感裝置檢測所述空隙高度值；所述檢 測部83具有可伸縮結(jié)構(gòu)，所述^r測部83包含連接部831與感應(yīng)部832,所述連 接部831用以與所述固定部82相接，所述感應(yīng)部832處具有一傳感裝置，所述 檢測部8 3利用所述傳感裝置檢測所述空隙高度值。采用本實(shí)用新型提供的晶片支撐裝置調(diào)制晶片，通過改進(jìn)調(diào)制樣片的結(jié) 構(gòu)，使得利用此調(diào)制樣片調(diào)制樣片支撐裝置時(shí)，無需反復(fù)取、放調(diào)制樣片即 可進(jìn)行位于其下部的清洗部件的調(diào)節(jié)，簡化了調(diào)節(jié)步驟，提高了生產(chǎn)效率； 通過在調(diào)制樣片上形成調(diào)節(jié)孔，并控制此調(diào)節(jié)孔的數(shù)量與所述晶片支撐裝置 內(nèi)清洗部件的數(shù)目一致，以及通過控制此調(diào)節(jié)孔的尺寸，可實(shí)現(xiàn)對位于調(diào)制 樣片下部的清洗部件的單獨(dú)調(diào)節(jié)；通過在調(diào)制樣片上附加一空隙高度檢測裝 置，繼而保證廢液收集裝置的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度滿足預(yù)定要求，即 可同時(shí)保證廢液收集裝置的側(cè)壁不損傷調(diào)制樣片以及清洗污染晶片背面的旋 涂物質(zhì)后獲得的混合溶液被廢液收集裝置接收，而不污染旋涂室或與另行接 收的多余的旋涂物質(zhì)混合。盡管通過在此的實(shí)施例描述說明了本實(shí)用新型，和盡管已經(jīng)足夠詳細(xì)地描 述了實(shí)施例，申請人不希望以任何方式將權(quán)利要求書的范圍限制在這種細(xì)節(jié) 上。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說另外的優(yōu)勢和改進(jìn)是顯而易見的。因此，在較 寬范圍的本實(shí)用新型不限于表示和描述的特定細(xì)節(jié)、表達(dá)的設(shè)備和方法和說 明性例子。因此，可以偏離這些細(xì)節(jié)而不脫離申請人總的實(shí)用新型概念的精 神和范圍。
權(quán)利要求1.一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，利用所述調(diào)制樣片調(diào)節(jié)所述晶片支撐裝置時(shí)，所述調(diào)制樣片置于所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的上方，其特征在于所述調(diào)制樣片內(nèi)具有調(diào)節(jié)孔，所述調(diào)節(jié)孔位于所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的上方。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述調(diào)制樣片的材料為透明或半透明的合成樹脂材料或塑料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在 于所述調(diào)制樣片的材料為曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯，丙烯腈/丁二烯/苯 乙烯共聚物，聚碳酸脂，聚醚酰亞胺材料中的一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特 征在于所述調(diào)節(jié)孔的數(shù)目與所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特 征在于所述調(diào)制樣片附有高度檢測裝置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述高度檢測裝置包括具有預(yù)定厚度的標(biāo)定物。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標(biāo)定物的數(shù)目為2。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標(biāo)定物的預(yù)定厚度分別為預(yù)定高度范圍的邊界值。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標(biāo)定物位于所述調(diào)制樣片邊纟彖。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于: 所述高度檢測裝置為傳感式數(shù)字顯示檢測裝置。
專利摘要一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，所述調(diào)制樣片內(nèi)具有調(diào)節(jié)孔，所述調(diào)節(jié)孔位于所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的上方。通過改進(jìn)調(diào)制樣片的結(jié)構(gòu)，使得利用此調(diào)制樣片調(diào)制樣片支撐裝置時(shí)，無需反復(fù)取、放調(diào)制樣片即可進(jìn)行位于其下部的清洗部件的單獨(dú)調(diào)節(jié)，簡化了調(diào)節(jié)步驟，提高了生產(chǎn)效率；通過在調(diào)制樣片上附加一空隙高度檢測裝置，可保證廢液收集裝置的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度滿足預(yù)定要求。
文檔編號H01L21/00GK201032626SQ20062004903
公開日2008年3月5日 申請日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者黃良志 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司