專利名稱：用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于晶片支撐裝置 的調(diào)制樣片。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶片處理系統(tǒng)中通常包含晶片支撐裝置，用以支撐處理容器中的
晶片。而晶片的固定，通常由機(jī)械固定或靜電吸盤(chuck)所提供。不同的晶 片處理系統(tǒng)中的晶片支撐裝置大多包含將晶片固定于晶片支撐體上以及對(duì)晶 片進(jìn)行加熱及/或冷卻的各種部件；此外，旋涂系統(tǒng)內(nèi)的晶片支撐裝置還包 含對(duì)晶片背面進(jìn)行及時(shí)沖洗的各種部件。
當(dāng)前，對(duì)晶片支撐裝置的研究大多集中在對(duì)晶片支撐裝置的加熱及/或 冷卻部件的改進(jìn)上，如申請(qǐng)?zhí)枮?200510118052. X"的中國(guó)專利申請(qǐng)中提 供了 一種將設(shè)置于真空側(cè)的電極連接至設(shè)置于大氣側(cè)的端子上的貫通供電構(gòu) 造，以解決現(xiàn)有的連接構(gòu)造體所具有的結(jié)構(gòu)復(fù)雜及部分連接失效的問題；申 請(qǐng)?zhí)枮?03810217.X"的中國(guó)專利申請(qǐng)中提供了一種在熱處理室中利用基座 加熱半導(dǎo)體晶片的工藝和系統(tǒng)，通過改變基座設(shè)置，降低晶片中的徑向溫度 梯度，可以消除或最小化晶片中產(chǎn)生的滑移，并通過更均勻地加熱晶片，改 善沉積或外延工藝期間晶片上的沉積均勻度。
然而，對(duì)旋涂系統(tǒng)內(nèi)晶片支撐裝置中用以對(duì)晶片背面進(jìn)行及時(shí)沖洗的各 種部件進(jìn)行的改進(jìn)所進(jìn)行的研究還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。
圖l為現(xiàn)有旋涂系統(tǒng)中晶片支撐裝置的側(cè)視示意圖，如圖l所示，旋涂系 統(tǒng)包括旋涂室20及晶片支撐裝置，所述晶片支撐裝置包括晶片支撐體60、廢 液收集裝置30及旋涂物質(zhì)收集裝置4 0,晶片支撐體60用以直接承載并固定晶 片。旋涂過程中，由于旋涂物質(zhì)均為流動(dòng)性物質(zhì)，為保證此旋涂物質(zhì)可在涂 覆晶片邊緣后，不產(chǎn)生由于旋涂物質(zhì)污染晶片背面而導(dǎo)致的晶片平整度變差， 通常在晶片支撐裝置中還包括對(duì)晶片背面進(jìn)行及時(shí)沖洗的一定數(shù)量的清洗部 件50;此一定數(shù)量的清洗部件50均勻分布于晶片支撐體60四周。通過在旋涂 過程中利用此一定數(shù)量的清洗部件沿一定方向噴射具有一定流速的旋涂材料 清洗溶液于晶片背面，以清洗已污染晶片背面的旋涂物質(zhì)。廢液收集裝置用
以接收清洗污染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液。旋涂物質(zhì)收集裝置 用以接收旋涂過程中噴'減的旋涂物質(zhì)。
通常，用以接收清洗污染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液的廢液 收集裝置包含一側(cè)壁，為保證廢液收集裝置的側(cè)壁在旋涂過程中不損傷調(diào)制 樣片，并使得此混合溶液不污染旋涂室以及不與另行接收的多余的旋涂物質(zhì) 混合，此側(cè)壁需具有一定的高度，同時(shí)此側(cè)壁與調(diào)制樣片間還需形成具有一 定高度的空隙，且此空隙的高度需滿足特殊要求。而現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)此空隙高 度的檢測(cè)還沒有一種簡(jiǎn)便、直觀的方法，若可在調(diào)制樣片上附加一空隙高度 檢測(cè)裝置，將極大地方便實(shí)際操作。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供了一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，利用此調(diào)制樣片 調(diào)制樣片支撐裝置時(shí)，通過在此調(diào)制樣片上附加一空隙高度檢測(cè)裝置，進(jìn)而 保證廢液收集裝置的側(cè)壁與調(diào)制樣片間的空隙高度滿足預(yù)定要求。
本實(shí)用新型提供的一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺 寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，利用所述調(diào)制樣片調(diào)節(jié)所述晶片支撐裝置時(shí)，所述
調(diào)制樣片置于所述晶片支撐裝置內(nèi)的清洗部件上方，所述調(diào)制樣片附有高度 檢測(cè)裝置，所述高度檢測(cè)裝置位于所述調(diào)制樣片邊緣。
所述調(diào)制樣片的材料為透明或半透明的合成樹脂材料或塑料；所述調(diào)制 樣片的材料為曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯，丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物， 聚碳酸脂，聚醚酰亞胺等材料中的一種；所述高度檢測(cè)裝置包括具有預(yù)定厚 度的標(biāo)定物；所述標(biāo)定物位于所述調(diào)制樣片邊緣；所述標(biāo)定物的數(shù)目為2;所 述標(biāo)定物的預(yù)定厚度分別為預(yù)定高度范圍的邊界值；所述高度檢測(cè)裝置為傳 感式數(shù)字顯示檢測(cè)裝置。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)通過在調(diào)制樣片上附加一 空隙高度檢測(cè)裝置，繼而保證廢液收集裝置的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度滿 足預(yù)定要求，即可同時(shí)保證廢液收集裝置的側(cè)壁不損傷調(diào)制樣片以及清洗污 染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液被廢液收集裝置接收，而不污染旋 涂室或與另行接收的多余的旋涂物質(zhì)混合。

圖1為現(xiàn)有旋涂系統(tǒng)中晶片支撐裝置的側(cè)視示意圖2為說明本實(shí)用新型第一實(shí)施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片側(cè)視 示意圖3為說明本實(shí)用新型第二實(shí)施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片側(cè)視 示意圖。
具體實(shí)施方式

盡管下面將參照附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí) 用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用 新型而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì) 于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛教導(dǎo)，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述 公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng) 當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的 特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪?個(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì) 于具有本實(shí)用新型優(yōu)勢(shì)的本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下列 說明和權(quán)利要求書本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均 采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明 本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
當(dāng)前的生產(chǎn)過程中，旋涂前，為保證噴射的旋涂材料清洗溶液既能保證 旋涂物質(zhì)不能污染晶片背面，又不至于將旋涂物質(zhì)噴濺至旋涂室內(nèi)，需利用 調(diào)制樣片IO輔助進(jìn)行各清洗部件的流速和噴射角度的調(diào)節(jié)。應(yīng)用現(xiàn)有方法調(diào) 節(jié)清洗部件50時(shí)需首先將一調(diào)制樣片固定于晶片支撐體60上，此調(diào)制樣片IO 與生產(chǎn)用晶片尺寸相同；隨后，測(cè)試各清洗部件的流速和噴射角度。根據(jù)測(cè) 試結(jié)果，確定清洗部件的流速和噴射角度需要調(diào)節(jié)后，需將此位于復(fù)數(shù)個(gè)清 洗部件50上方的調(diào)制樣片10取下，方可調(diào)節(jié)清洗部件50，調(diào)節(jié)后再將此調(diào)制 樣片10恢復(fù)原位，重復(fù)測(cè)試，直至確定清洗部件50的流速和噴射角度已符合
預(yù)定要求。實(shí)際生產(chǎn)中，各清洗部件的調(diào)節(jié)通常需重復(fù)多次，而所述調(diào)制樣 片的材料通常為特制玻璃，如此反復(fù)取、放調(diào)制樣片IO，極易造成調(diào)制樣片 的改進(jìn)。
本實(shí)用新型提供的調(diào)制樣片的材料為透明或半透明合成樹脂材料或塑
料，如曱基丙烯酸曱酯Ucryl, P醒A)、聚氯乙烯(PVC),丙烯腈/丁二烯 /苯乙烯共聚物(ABS)，聚^^友酸脂(PC)，聚醚酰亞胺(PEI)等。
本實(shí)用新型提供的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片10尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸 相同；作為本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于300毫米晶片生產(chǎn)線，所述調(diào)制樣片直 徑為300毫米(mm)。
為保證廢液收集裝置的側(cè)壁在旋涂過程中不損傷調(diào)制樣片，及此混合溶 液不污染旋涂室以及不與另行接收的多余的旋涂物質(zhì)混合，此側(cè)壁需具有一 定的高度，同時(shí)所述側(cè)壁與調(diào)制樣片間還需形成具有一定高度的空隙。
所述側(cè)壁高度及所述側(cè)壁與調(diào)制樣片間形成的高度空隙需滿足生產(chǎn)要求。
實(shí)際生產(chǎn)過程中，對(duì)于300毫米涂膠系統(tǒng)，通常，要求此空隙的高度范圍 為1~1. 2毫米；對(duì)于300毫米顯影系統(tǒng)，要求此空隙的高度范圍為4 4. 5亳米。
為保證上述空隙高度在此范圍內(nèi)，可在所述調(diào)制樣片上附加一空隙高度 檢測(cè)裝置。
圖2為說明本實(shí)用新型第 一 實(shí)施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片側(cè)視 示意圖，如圖2所示，作為本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述空隙高度^^測(cè)裝置包括 分別具有特定厚度的兩個(gè)標(biāo)定物，所述兩個(gè)標(biāo)定物的特定厚度為所述空隙的 高度范圍兩邊界值，所述標(biāo)定物位于所述調(diào)制樣片邊緣，兩標(biāo)定物在調(diào)制樣 片上的實(shí)際位置均無限定。所述標(biāo)定物可附于所述調(diào)制樣片背面。所述標(biāo)定 物材料可為任意固體材料，如合成樹脂材料、塑料或金屬等。
作為本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于300毫米涂膠系統(tǒng)，所述標(biāo)定物為高度分 別為l毫米和l. 2毫米的兩個(gè)鋼片，此兩標(biāo)定物可位于所述調(diào)制樣片內(nèi)邊緣處 任意位置。
實(shí)際搮作中，應(yīng)用可附于所述調(diào)制樣片背面的標(biāo)定物檢測(cè)空隙高度時(shí)， 首先，將對(duì)應(yīng)所述空隙高度下限值高度的標(biāo)定物71附于所述調(diào)制樣片背面， 旋轉(zhuǎn)所述調(diào)制樣片，若所述調(diào)制樣片可任意轉(zhuǎn)動(dòng)，則說明所述空隙高度滿足
預(yù)定高度下限值；若所述調(diào)制樣片無法任意轉(zhuǎn)動(dòng)一周，則說明有空隙高度超
出預(yù)定高度下限值；然后，將對(duì)應(yīng)所述空隙高度上限值高度的標(biāo)定物72附于 所述調(diào)制樣片背面，旋轉(zhuǎn)所述調(diào)制樣片，若所述調(diào)制樣片無法轉(zhuǎn)動(dòng)，說明所 述空隙高度滿足預(yù)定高度上限值；若所述調(diào)制樣片可轉(zhuǎn)動(dòng)，說明有空隙高度 超出預(yù)定高度上限值。即只有所述調(diào)制樣片在其背面附有對(duì)應(yīng)所述空隙高度 下限值高度的標(biāo)定物時(shí)，可任意轉(zhuǎn)動(dòng)，且在其背面附有對(duì)應(yīng)所述空隙高度上 限值高度的標(biāo)定物時(shí)無法轉(zhuǎn)動(dòng)，方可確定上述空隙高度在預(yù)定要求范圍內(nèi)。
圖3為說明本實(shí)用新型第二實(shí)施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片側(cè)視 示意圖，如圖3所示，所述空隙高度檢測(cè)裝置可為傳感式數(shù)字顯示檢測(cè)裝置80， 所述傳感式數(shù)字顯示檢測(cè)裝置包含檢測(cè)部83、固定部82及顯示部81。
所述固定部82用以將所述傳感式數(shù)字顯示檢測(cè)裝置固定于所述調(diào)制樣片 邊緣；所述顯示部81與所述固定部82相接，所述顯示部81可相對(duì)所述固定部 82轉(zhuǎn)動(dòng)，所述顯示部81用以即時(shí)顯示所述空隙高度值；所述檢測(cè)部83與所述 固定部82相接，所述檢測(cè)部83可利用傳感裝置檢測(cè)所述空隙高度值；所述檢 測(cè)部83具有可伸縮結(jié)構(gòu)，所述檢測(cè)部83包含連4矣部831與感應(yīng)部832,所述連 接部831用以與所述固定部82相接，所述感應(yīng)部832處具有一傳感裝置，所述 檢測(cè)部83利用所述傳感裝置檢測(cè)所述空隙高度值。
采用本實(shí)用新型提供的晶片支撐裝置調(diào)制晶片，通過在調(diào)制樣片上附加 一空隙高度檢測(cè)裝置，繼而保證廢液收集裝置的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度 滿足預(yù)定要求，即可同時(shí)保證廢液收集裝置的側(cè)壁不損傷調(diào)制樣片以及清洗 污染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液被廢液收集裝置接收，而不污染 旋涂室或與另行接收的多余的旋涂物質(zhì)混合。
盡管通過在此的實(shí)施例描述說明了本實(shí)用新型，和盡管已經(jīng)足夠詳細(xì)地描 述了實(shí)施例，申請(qǐng)人不希望以任何方式將權(quán)利要求書的范圍限制在這種細(xì)節(jié) 上。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說另外的優(yōu)勢(shì)和改進(jìn)是顯而易見的。因此，在較 寬范圍的本實(shí)用新型不限于表示和描述的特定細(xì)節(jié)、表達(dá)的設(shè)備和方法和說 明性例子。因此，可以偏離這些細(xì)節(jié)而不脫離申請(qǐng)人總的實(shí)用新型概念的精 神和范圍。
權(quán)利要求1.一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，利用所述調(diào)制樣片調(diào)節(jié)所述晶片支撐裝置時(shí)，所述調(diào)制樣片置于所述晶片支撐裝置內(nèi)的清洗部件上方，其特征在于所述調(diào)制樣片附有高度檢測(cè)裝置，所述高度檢測(cè)裝置位于所述調(diào)制樣片邊緣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述調(diào)制樣片的材料為透明或半透明的合成樹脂材料或塑料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在 于所迷調(diào)制樣片的材料為曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯，丙烯腈/丁二烯/苯 乙烯共聚物，聚^f灰酸脂，聚醚酰亞胺等材料中的一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特 征在于所述高度^r測(cè)裝置包括具有預(yù)定厚度的標(biāo)定物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標(biāo)定物位于所述調(diào)制樣片邊緣。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標(biāo)定物的數(shù)目為2。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標(biāo)定物的預(yù)定厚度分別為預(yù)定高度范圍的邊界值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特 征在于所述高度檢測(cè)裝置為傳感式數(shù)字顯示檢測(cè)裝置。
專利摘要一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，利用所述調(diào)制樣片調(diào)節(jié)所述晶片支撐裝置時(shí)，所述調(diào)制樣片置于所述晶片支撐裝置內(nèi)的清洗部件上方，所述調(diào)制樣片附有高度檢測(cè)裝置，所述高度檢測(cè)裝置位于所述調(diào)制樣片邊緣。通過在調(diào)制樣片上附加一空隙高度檢測(cè)裝置，繼而保證廢液收集裝置的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度滿足預(yù)定要求，即可同時(shí)保證廢液收集裝置的側(cè)壁不損傷調(diào)制樣片以及清洗污染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液被廢液收集裝置接收，而不污染旋涂室或與另行接收的多余的旋涂物質(zhì)混合。
文檔編號(hào)H01L21/00GK201004455SQ20062004903
公開日2008年1月9日 申請(qǐng)日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者黃良志 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司