專利名稱：：浸潤(rùn)式光刻裝置、光刻裝置及其潔凈方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體制造相關(guān)技術(shù)，且特別是關(guān)于一種光刻裝置及其潔凈方法。
背景技術(shù)：
：隨著半導(dǎo)體制造繼續(xù)往如65納米、45納米或更小的尺寸微縮時(shí)，將改用浸潤(rùn)式光刻方法(immersionlithographymethods)。然而，于采用浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)時(shí)，常于浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中發(fā)現(xiàn)如微塵(particles)與水殘留物(waterresidues)等污染情形，如此將污柒了系統(tǒng)內(nèi)所處理的半導(dǎo)體晶圓。如此的污染情形將造成缺陷(defects)的產(chǎn)生以及良率降低等不良情形。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明提供了一種浸潤(rùn)式光刻裝置、光刻裝置及其潔凈方法，借以改善前述的已知問題。本發(fā)明提供了一種光刻裝置，包括一成像鏡片模塊；一基板平臺(tái)，位于該成像鏡片模塊下方，用于握持一基板；以及一可移動(dòng)的潔凈模塊，用于潔凈至少該成像鏡片模塊與該基板平臺(tái)之一，于一潔凈程序中接觸該成像鏡片模塊與該基板平臺(tái)之一的一表面，其中該潔凈模塊是擇自超聲波單元、洗滌器、流體噴嘴、靜電潔凈機(jī)及上述裝置的組合所組成的族群。本發(fā)明所述的光刻裝置，更包括一浸潤(rùn)流體保存模塊，以供應(yīng)一浸潤(rùn)流體至位于該成像鏡片模塊與位于該基板平臺(tái)上的一基板間的一空間處。本發(fā)明所述的光刻裝置，該潔凈模塊是用于潔凈至少該成像鏡片模塊、該基板平臺(tái)與該浸潤(rùn)流體保存模塊之一。本發(fā)明所述的光刻裝置，該潔凈模塊是與至少該基板平臺(tái)與該浸潤(rùn)流體保存模塊之一整合在一起。本發(fā)明所述的光刻裝置，該潔凈模塊是與一自動(dòng)控制裝置整合在一起。本發(fā)明所述的光刻裝置，該潔凈模塊是擇自于由旋轉(zhuǎn)、振動(dòng)、水平移動(dòng)與上述方式的組合所組成族群中的一模式下移動(dòng)。本發(fā)明所述的光刻裝置，該潔凈模塊包括一潔凈流體入口，以供應(yīng)該潔凈模塊所使用的一潔凈流體。本發(fā)明所述的光刻裝置，該潔凈模塊包括一真空元件，以導(dǎo)出該潔凈流體。本發(fā)明所述的光刻裝置，該洗滌器包括一海綿或一毛刷。本發(fā)明所述的光刻裝置，該流體噴嘴是于不同壓力、角度與移動(dòng)條件下操作。本發(fā)明另提供了一種浸潤(rùn)式光刻裝置，包括一成像鏡片模塊；一基板平臺(tái)，位于該成像鏡片模塊下方，用于握持一基板；一流體模塊，位于緊鄰該成像鏡片模塊之處，用于供應(yīng)一流體至位于該成像鏡片模塊與位于該基板平臺(tái)上的一基板間的一空間處；一超聲波模塊，埋設(shè)于至少該基板平臺(tái)與該流體模塊之一中，用于供應(yīng)一超聲波能量以潔凈該浸潤(rùn)式光刻裝置。本發(fā)明所述的浸潤(rùn)式光刻裝置，該超聲波模塊是埋設(shè)于至少該基板平臺(tái)與該流體模塊之一中。本發(fā)明所述的浸潤(rùn)式光刻裝置，該超聲波模塊是為可移動(dòng)的一模塊，以最佳化其潔凈效果。本發(fā)明所述的浸潤(rùn)式光刻裝置，該超聲波模塊是供應(yīng)能量介于1微瓦～1千瓦以及頻率介于1KHz至1GHz的一超聲波能量。本發(fā)明還提供一種光刻裝置的潔凈方法，包括下列步驟提供具有一潔凈模塊的一光刻裝置，其中該潔凈模塊至少包括洗滌器、流體噴嘴、超聲波單元與靜電潔凈器之一；通過該潔凈模塊以對(duì)該光刻裝置施行一潔凈程序；以及對(duì)于涂布有一成像感應(yīng)層的一基板施行一曝光程序。本發(fā)明所述的浸潤(rùn)式光刻裝置、光刻裝置及其潔凈方法，減少了由污染造成的缺陷產(chǎn)生以及良率降低等不良情況。圖1至圖5分別顯示了依據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例中的具有潔凈模塊的浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)的示意圖；圖6至圖9分別顯示了依據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例中于潔凈模塊內(nèi)所采用的一潔凈單元；圖10至圖11分別顯示了依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的具有潔凈模塊的浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)的示意圖；圖12a至圖12c顯示了采用如圖1至圖11所示的潔凈模塊以潔凈于一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中不同構(gòu)件的示意圖；圖13a至圖13c顯示了采用如圖1至圖11所示的潔凈模塊于潔凈一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)時(shí)的不同移動(dòng)型態(tài)的示意圖；圖14a至圖14b顯示了依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例中于潔凈如圖8所示的潔凈模塊的一系統(tǒng)的不同實(shí)施例的示意圖；圖15顯示了具有潔凈模塊的光刻系統(tǒng)的潔凈方法的一流程圖。具體實(shí)施例方式為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下請(qǐng)參照?qǐng)D1的示意圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100。在此，浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100包括用于握持為其制程所處理的基板的一基板平臺(tái)(substratetable)110，借以圖案化上述基板?；迤脚_(tái)110可為一基板臺(tái)(substratestage)或包括一基板臺(tái)的一構(gòu)件?；迤脚_(tái)110可固定基板并對(duì)應(yīng)浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100而移動(dòng)。舉例來說，基板平臺(tái)110可移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)而用于基板的對(duì)準(zhǔn)、步階移動(dòng)與掃描移動(dòng)。另外，基板平臺(tái)110可包括適用于施行精準(zhǔn)移動(dòng)的多種構(gòu)件?；迤脚_(tái)110可握持一基板并通過浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100而制程處理之，上述基板例如為一硅晶圓的一半導(dǎo)體晶圓。或者，半導(dǎo)體晶圓包括一元素態(tài)半導(dǎo)體、一化合物半導(dǎo)體、一合金半導(dǎo)體或上述材料的組成。半導(dǎo)體晶圓可包括如多晶硅、金屬及或介電材料等之一或多個(gè)可圖案化的材料膜層。上述基板可更包括形成于其上的一成像膜層，例如為對(duì)于制造圖案的曝光程序有反應(yīng)的一光致抗蝕劑膜層(抗蝕劑層、光敏感性膜層、圖案化膜層)。上述成像膜層可為一正型或負(fù)型的抗蝕劑材料且可具有一多層結(jié)構(gòu)。上述抗蝕劑材料例如為一化學(xué)增幅型抗蝕劑。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100包括一或多個(gè)成像鏡片系統(tǒng)120(于下文中通稱為一鏡片系統(tǒng))。于基板平臺(tái)110上位于鏡片系統(tǒng)120下方的位置處可設(shè)置一半導(dǎo)體晶圓。鏡片系統(tǒng)120可更包括或整合于一光照系統(tǒng)(如一聚焦器)中，而上述光照系統(tǒng)可具有單一鏡片或多重鏡片及/或其他鏡片單元。舉例來說，上述光照系統(tǒng)可包括微透鏡陣列、掩膜及/或其他結(jié)構(gòu)。鏡片系統(tǒng)120可更包括具有單一鏡片元件或多重鏡片元件的一物鏡。各別的鏡片元件則可包括一透光基板且更可包括多個(gè)涂層。透光基板可為一傳統(tǒng)物鏡，且可采用熔硅、氟化鈣、氟化鋰、氟化鋇或其他適當(dāng)材料所制成。用于各別鏡片元件的材料可基于光刻制程中所使用光線的波長(zhǎng)而選擇，借以最佳化其光吸收與散射表現(xiàn)。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100包括用于容納如浸潤(rùn)流體或潔凈流體的一流體140的一浸潤(rùn)流體保存模塊130。浸潤(rùn)流體保存模塊130可設(shè)置于緊鄰(如環(huán)繞)于鏡片系統(tǒng)120之處并具有除了容納浸潤(rùn)流體用途之外的其他用途。浸潤(rùn)流體保存模塊130與鏡片系統(tǒng)120(至少部分的鏡片系統(tǒng)120)組成了一浸潤(rùn)頭部。浸潤(rùn)流體可包括水(水溶液或去離子水)、高折射率(n)流體(于193納米波長(zhǎng)時(shí)折射率需高于1.44)、氣體或其他適當(dāng)流體。潔凈流體包括去離子水、碳酸水、氣體或如SC-1、SC-2或Piranha(H2O2∶H2SO4，1∶3)等常見的其他潔凈流體。其可能包括多種不同的潔凈流體，例如離子表面活性劑、非離子型表面活性劑、溶劑、氨水、過氧化氫、臭氧、N-甲基呲咯烷酮、丙二醇甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環(huán)己醇、異丙醇、丙酮、酒精及單乙醇胺及上述材料的組成，且不以上述情形為限。其中氣體包括臭氧、等離子氣體與深紫外光激發(fā)的氣體。等離子與深紫外光激發(fā)的氣體則包括氧氣、氮?dú)狻鍤饣蚩諝?。浸?rùn)流體保存模塊130可包括用于供應(yīng)曝光程序用的浸潤(rùn)流體的多個(gè)孔洞(或噴嘴)，以供應(yīng)潔凈用的潔凈流體、吹凈氣體或干燥氣體、移除任何流體及控制流體活動(dòng)/或施行其他特定功能。特別地，浸潤(rùn)流體保存模塊130可包括一孔洞132a以作為浸潤(rùn)流體的注入口及吸入口，借以供應(yīng)并傳輸浸潤(rùn)流體浸入于介于鏡片系統(tǒng)120與基板平臺(tái)110上基板間的一空間?？偠灾?，孔洞132a及/或一額外的孔洞132b可供應(yīng)用于潔凈用的一潔凈流體或一潔凈氣體。潔凈流體可通過一額外的潔凈流體孔洞而供應(yīng)。浸潤(rùn)流體保存模塊130可包括一孔洞134，借以作為移除浸潤(rùn)流體的一出口，潔凈流體或其他任何流體可自孔洞134處被導(dǎo)出。浸潤(rùn)流體保存模塊130可包括一孔洞136，借以供應(yīng)一干燥氣體，以吹凈任何殘留的流體并干燥化經(jīng)潔凈過的一表面。上述潔凈程序具有介于0.1秒至30分鐘的一施行時(shí)間。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100可包括用于產(chǎn)生超聲波能量至注入于介于基板平臺(tái)110與鏡片系統(tǒng)120間的潔凈流體的單一超聲波單元或多重超聲波單元150。超聲波單元150是整合于浸潤(rùn)流體保存模塊130及/或基板平臺(tái)110中。或者，超聲波單元150可以整合于浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100內(nèi)其他適當(dāng)構(gòu)件中。超聲波單元150可供應(yīng)超聲波能量用于有效潔凈之用。舉例來說，超聲波單元150是埋設(shè)于基板平臺(tái)110及/或浸潤(rùn)流體保存模塊130中且設(shè)置于緊鄰或鄰近于為潔凈流體所注滿的空間處，以使得超聲波能量大體可傳輸至上述潔凈流體。超聲波單元150可包括經(jīng)由已知電壓元件而用于轉(zhuǎn)換電能至超聲波能量的一超聲波產(chǎn)生器。超聲波單元150可于介于1KHz～1GHz間的頻率下產(chǎn)生超聲波能量。超聲波單元150可傳遞一超聲波能量至潔凈流體以有效地產(chǎn)生潔凈功效。所傳遞的超聲波能量可介于1微瓦～1千瓦?？梢罁?jù)所需的制成配方而調(diào)變超聲波的能量與頻率。針對(duì)不同的潔凈需求與表現(xiàn)，則可分別調(diào)變各別的超聲波單元。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100亦包括自一潔凈流體源供應(yīng)潔凈流體的一潔凈流體供應(yīng)器160。潔凈流體供應(yīng)器160可整合于浸潤(rùn)流體保存模塊130中。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100亦可包括設(shè)置于緊鄰潔凈流體供應(yīng)器160的一溫度控制器170，以依照一特定制程配方以控制潔凈流體至一既定溫度。舉例來說，潔凈流體可加熱至介于25℃～125℃的一溫度。更特別的，潔凈流體可加熱至約為40℃的一溫度。溫度控制器170可采用如紅外線加熱、微波加熱與電感線圈的任何加熱技術(shù)。潔凈流體亦可為位于浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100外的一外部加熱源所加熱并傳輸進(jìn)入系統(tǒng)之中。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100可更包括一放射源。放射源可為一適當(dāng)?shù)纳钭贤饩€或極深紫外線光源。舉例來說，放射源可為波長(zhǎng)為436納米或365納米的一水銀燈泡、波長(zhǎng)為248納米的一氟化氪(KrF)激光、波長(zhǎng)為193納米的一氟化氬(ArF)激光、波長(zhǎng)為157納米的氟(F2)激光或者具有一既定波長(zhǎng)(例如低于100納米)的其他光源。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100中可采用應(yīng)用于浸潤(rùn)式光刻技術(shù)中的一光罩。上述光罩包括一透光基板與一圖案化吸收層。透光基板可采用相對(duì)無缺陷的熔硅材質(zhì)，例如為硼硅玻璃與蘇打玻璃。透光基板可包括氟化鈣及或其他適當(dāng)?shù)牟牧?。圖案化吸收層可通過多道制程與材料所制成，例如為沉積由鉻與氧化鐵所制成的一金屬層，或?yàn)楹蠱oSi、ZrSiO、SiN及或TiN的一無機(jī)薄膜。前述浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100除了施行曝光程序之外亦可用于施行一潔凈程序。如前所述的整合有超聲波單元150與潔凈構(gòu)件的一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100可針對(duì)于浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100內(nèi)包括基板平臺(tái)110、鏡片系統(tǒng)120與浸潤(rùn)流體保存模塊130等不同構(gòu)件提供一有效潔凈功能?；蛘?，浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100可應(yīng)用于一干式光刻圖案化制程，而浸潤(rùn)流體保存模塊130可設(shè)計(jì)為僅用于特定潔凈功能之用。圖2顯示了依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)200。在此，浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)200大體相似于如圖1所示的浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)100，除了潔凈流體供應(yīng)器210與潔凈流體排放器220有所不同。潔凈流體供應(yīng)器210與潔凈流體排放器220是整合于基板平臺(tái)110中，以使得潔凈流體可導(dǎo)入通過基板平臺(tái)110并將其移除。潔凈流體供應(yīng)器210或潔凈流體排放器220可設(shè)置并穿過基板平臺(tái)而抵達(dá)晶圓區(qū)域外側(cè)的一位置。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)200亦可包括如加熱器的一溫度控制器170，溫度控制器170可設(shè)置于鄰近潔凈流體供應(yīng)器210處以加熱潔凈流體(圖中未示出)。圖3顯示了具有清潔模塊的一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)300的另一實(shí)施例。在此，浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)300大體相似于如圖1或圖2所示的系統(tǒng)。然而，上述浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)300具有一分離的潔凈模塊310。在此，潔凈模塊310經(jīng)過設(shè)計(jì)而為可移動(dòng)的，以抵達(dá)不同的位置。潔凈模塊310可包括或整合于一自動(dòng)控制裝置(robot)，借以達(dá)成不同的移動(dòng)情形。舉例來說，潔凈模塊可于曝光程序時(shí)移動(dòng)至不會(huì)干擾光刻光束的一靜置位置。另外，潔凈模塊310可移動(dòng)至鄰近于鏡片系統(tǒng)120或浸潤(rùn)流體保存模塊130的一潔凈位置并供應(yīng)潔凈流體至需進(jìn)行潔凈的鏡片系統(tǒng)120或浸潤(rùn)流體保存模塊130的表面。在此，潔凈模塊310包括有一超聲波單元150、一潔凈流體供應(yīng)器210或210a以及整合于其內(nèi)的一潔凈流體排放器220或220a。潔凈流體供應(yīng)器210與潔凈流體排放器220可埋入于潔凈模塊310的一底部?jī)?nèi)，以使得潔凈流體可導(dǎo)入經(jīng)過基底平臺(tái)110并移除之。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)300亦可包括類似如圖1所示的溫度控制器170的一溫度控制器，其是鄰近于潔凈流體供應(yīng)器210以加熱潔凈流體。超聲波單元150的設(shè)置則用以供應(yīng)用于有效潔凈用的超聲波能量。舉例來說，超聲波單元150可固定于潔凈模塊310內(nèi)且設(shè)置于緊鄰或鄰近于注入于其內(nèi)的潔凈流體，借以使得超聲波能量可大體傳輸至潔凈流體。潔凈模塊310亦包括其他孔洞，例如為供應(yīng)一吹凈氣體或加熱氣體以干燥經(jīng)潔凈后的一表面的一孔洞。特別地，潔凈模塊310亦可整合于一干式光刻系統(tǒng)中，以用于鏡片潔凈或其他的潔凈功能。圖4a與圖4b則圖示了依據(jù)另一實(shí)施例中具有潔凈模塊的一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)400的示意圖。在此，浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)400大體相似于如圖3所示的浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)300。然而，浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)400包括一不同型態(tài)的分離的潔凈模塊410。潔凈模塊410可于不同位置間移動(dòng)。潔凈模塊410亦包括整合于其內(nèi)的超聲波單元150、潔凈流體供應(yīng)器210與潔凈流體排放器220。潔凈流體供應(yīng)器210與潔凈流體排放器220是設(shè)置于潔凈模塊410內(nèi)的側(cè)部，而超聲波單元150則設(shè)置于潔凈模塊410內(nèi)的底部。潔凈模塊410亦包括用于包覆為潔凈流體所注滿的空間的一頂部。特別地，潔凈模塊410亦可整合于一干式光刻系統(tǒng)，以用于鏡片潔凈或其他潔凈功能。潔凈模塊410亦可采用相同的潔凈流體供應(yīng)器210與潔凈流體排放器220，或者另外采用一額外的吹凈氣體供應(yīng)器與排放器，以施行一吹凈程序。圖5顯示了依據(jù)另一實(shí)施例的具有潔凈模塊的一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)500的示意圖。在此，浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)500可大體相似于如圖3所示的浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)300或如圖4a與圖4b所示的浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)400。浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)500包括不同設(shè)計(jì)的一分離的潔凈模塊510，以用于潔凈基板平臺(tái)110或其他構(gòu)件。潔凈模塊510可于包括一靜置位置與一潔凈位置等不同位置之間移動(dòng)。舉例來說，潔凈模塊510可移動(dòng)至緊鄰基板平臺(tái)110的一位置并供應(yīng)潔凈流體至基板平臺(tái)110的表面以將其潔凈化。潔凈模塊510亦包括整合于其內(nèi)的超聲波單元150、潔凈流體供應(yīng)器210與潔凈流體排放器220。潔凈流體供應(yīng)器210與潔凈流體排放器220是位于潔凈模塊510內(nèi)的側(cè)部，而超聲波單元150是位于潔凈模塊510內(nèi)的頂部。其亦可包括如圖1所示溫度控制器170的一加熱器以用于加熱潔凈流體。潔凈模塊510內(nèi)亦可包括用于導(dǎo)出流體殘留物的一真空孔洞及/或用于供應(yīng)一干燥用的吹凈流體的一吹凈孔洞。圖6顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的可用于一光刻系統(tǒng)或其他半導(dǎo)體制造裝置以對(duì)于系統(tǒng)內(nèi)的不同表面施行一非接觸性潔凈程序的一噴嘴610的示意圖。經(jīng)過設(shè)計(jì)，噴嘴610可連接于一流體來源以供應(yīng)一潔凈流體。噴嘴610可具有高于一大氣壓的一噴嘴壓力，以投射潔凈流體至需潔凈的一構(gòu)件620上。噴嘴可于不同傾斜角度與不同形態(tài)下操作。特別的，噴嘴610可供應(yīng)一特定潔凈流體，于下文中稱之為“液態(tài)氣體(liquidgas)”。起初噴嘴610將液態(tài)氣體以液態(tài)方式投射至構(gòu)件620上。當(dāng)液態(tài)氣體接觸目標(biāo)表面時(shí)，其將轉(zhuǎn)變成為氣體630并揮發(fā)而去。如此的自液體至氣體的揮發(fā)行為可用于潔凈構(gòu)件620，以移除粘著于其上的微塵640。其可潔凈的構(gòu)件620則包括鏡頭、基板平臺(tái)、浸潤(rùn)流體保存模塊與光刻系統(tǒng)內(nèi)的其他構(gòu)件。構(gòu)件620可更包括其他半導(dǎo)體制程裝置的多種構(gòu)件，例如為制程腔體的內(nèi)壁或晶圓自動(dòng)控制系統(tǒng)(waferrobot)。液態(tài)氣體可包括液態(tài)氮、液態(tài)氬或其他于潔凈時(shí)可以液態(tài)供應(yīng)且具有低于構(gòu)件620溫度的一液氣轉(zhuǎn)換溫度的液態(tài)氣體。噴嘴610可更結(jié)合于一真空元件，借以導(dǎo)出潔凈氣體。圖7顯示了依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的可整合于光刻系統(tǒng)或其他半導(dǎo)體制造系統(tǒng)內(nèi)，以于上述系統(tǒng)內(nèi)的不同表面處施行非接觸潔凈程序的一靜電潔凈模塊700的示意圖。經(jīng)過設(shè)計(jì)，靜電潔凈模塊700可自構(gòu)件620處采用靜電作用而移除微塵或其他污染物。于如圖7所示的一范例中，靜電潔凈模塊700包括多個(gè)平板(或其他適當(dāng)物品)710、720與730。平板720與730可更分別包括導(dǎo)電平板725與735。上述平板的設(shè)置是為了形成介于平板710與720間的一進(jìn)入路徑，以及形成介于平板720與730間的一外出路徑。前述的設(shè)置情形可位于鄰近如圖7所示的等待潔凈的一構(gòu)件620。于構(gòu)件620處施加一高正電壓，因而粘著于構(gòu)件620上的微塵740亦處于帶電狀態(tài)。于導(dǎo)電平板725與735上則施加一高負(fù)電壓。接著導(dǎo)入如帶電氬氣的一帶電氣體750并使之通過介于平板710與720間的進(jìn)入路徑。當(dāng)通過構(gòu)件620的表面時(shí)，帶電氣體750可驅(qū)除或帶走微塵740自構(gòu)件620并移至介于平板720與730間的外出路徑。當(dāng)通過帶負(fù)電的導(dǎo)電平板725與735時(shí)，帶電的微塵740將與導(dǎo)電平板725與735產(chǎn)生具有靜電作用。因此帶電的微塵740將通過帶電的平板或?yàn)閷?dǎo)電平板725與735中性化并為之吸引。另外，更可修改靜電潔凈模塊700的設(shè)計(jì)，以有效潔凈并最佳化其表現(xiàn)。舉例來說，構(gòu)件620與導(dǎo)電平板725與735間的高電壓應(yīng)用可為相反的情形。此外，所產(chǎn)生的帶電氣體750可依據(jù)不同的情形而為帶負(fù)電或帶正電。帶電氣體750可通過一電荷氣體噴嘴、一離子噴灑器、其他電荷產(chǎn)生裝置或平板710與720所產(chǎn)生與供應(yīng)。上述的離子產(chǎn)生器可直接傳遞電子至構(gòu)件620表面以移除靜電放電所導(dǎo)致的微塵情形。圖8顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例中可于一光刻系統(tǒng)或其他半導(dǎo)體制程系統(tǒng)中對(duì)于其系統(tǒng)內(nèi)不同構(gòu)件施行一潔凈程序的一潔凈洗滌器800的一示意圖。舉例來說，潔凈洗滌器800可整合于一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中。潔凈洗滌器800包括一潔凈頭810。潔凈頭810可為一海綿、一纖維狀的毛刷或其他適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。潔凈頭810的材質(zhì)是擇自于由聚乙烯、聚氯乙烯與聚丙烯所組成族群。潔凈頭810可更包括一傳輸管道以傳遞潔凈流體。潔凈洗滌器800可包括一握把820，以握持潔凈頭810。潔凈洗滌器800可更包括一連接器830以固定握把820，進(jìn)而提供連接于潔凈頭810的一流體傳輸管道，并提供用以握持其他構(gòu)件的一結(jié)構(gòu)。潔凈洗滌器800可更包括一馬達(dá)840以驅(qū)動(dòng)潔凈頭810依照包括沿其軸向旋轉(zhuǎn)(沿著連接器830的方向)、沿其軸向振動(dòng)、垂直于其軸向移動(dòng)或上述移動(dòng)方式的組合等多種模式移動(dòng)，且可能整合于連接器830中。其旋轉(zhuǎn)速度可介于1rpm～1000rpm。馬達(dá)亦可維持固定而不會(huì)旋轉(zhuǎn)。沿其軸向的振動(dòng)可具有介于0.5Hz～5000Hz的一頻率。移動(dòng)振動(dòng)可具有一頻率介于0.5Hz～5000Hz。潔凈洗滌器800可更包括整合于其內(nèi)的一超聲波單元850，借以導(dǎo)入超音速能量至潔凈流體。上述超聲波單元850可采用類似于圖1所示的超聲波單元150。潔凈洗滌器800包括一潔凈流體供應(yīng)器860，以供應(yīng)不同的流體。舉例來說，潔凈流體供應(yīng)器860可包括多個(gè)入口862a、862b與862c以及多個(gè)相關(guān)的閥件864a、864b與864c，借以供應(yīng)不同的潔凈流體并控制流體開/關(guān)與其流率。因此，不同的流體可按照特定比例混合或一次僅流通一種流體且其他流體僅于其他時(shí)間流通以施行不同的潔凈配方。于一實(shí)施例中，入口862a是連接于一去離子水來源以供應(yīng)去離子水，入口862b則連接于一第一化學(xué)品來源以供應(yīng)一第一化學(xué)品，入口862c則連接于一第二化學(xué)品來源以供應(yīng)一第二化學(xué)品。上述流體可包括表面活性劑、溶劑、氨水、過氧化氫、臭氧、N-甲基呲咯烷酮(NMP)、丙二醇甲醚(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、環(huán)己醇、異丙醇(IPA)、丙酮、酒精及單乙醇胺(MEA)，以及上述流體的組成，但并非以上述情形加以限定。潔凈流體供應(yīng)器860可整合有一或多個(gè)類似于圖1所示溫度控制器170的加熱器，以加熱相關(guān)流體。圖9顯示了依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的可用于光刻系統(tǒng)或其他半導(dǎo)體制造系統(tǒng)內(nèi)不同表面處施行一潔凈程序的一潔凈噴嘴900的示意圖。舉例來說，潔凈噴嘴900可整合于一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中。潔凈噴嘴900可整合于浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中且設(shè)置于基板平臺(tái)上。潔凈噴嘴900包括類似于圖6所示噴嘴610的一噴嘴且可能具有不同的設(shè)計(jì)，以施行不同潔凈配方與采用不同潔凈流體。噴嘴壓力可高于一大氣壓。潔凈噴嘴900可介于0.1cc/sec～200cc/sec的流速下投射一潔凈流體。潔凈噴嘴900可包括整合于其內(nèi)的一超聲波單元850，借以產(chǎn)生超聲波能量至潔凈流體。潔凈噴嘴900可更包括環(huán)繞其的一流體吹凈干燥噴嘴。潔凈噴嘴900包括一潔凈流體供應(yīng)器860，以供應(yīng)多種潔凈流體。舉例來說，潔凈流體供應(yīng)器860可具有多個(gè)入口862a、862b與862c與多個(gè)相關(guān)的閥件864a、864b以及864c，以分別供應(yīng)不同流體與控制流體開/關(guān)與其流速，借以施行多種的潔凈配方。潔凈流體供應(yīng)器860可包括一或多個(gè)類似圖1的溫度控制器170的加熱器以用于加熱相關(guān)流體。潔凈噴嘴900可包括一馬達(dá)，以使得噴嘴可依照不同型態(tài)切換并可依照任何角度傾斜。圖10顯示了依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的整合有如圖6至圖9的所示的潔凈單元的一潔凈模塊1000的示意圖。潔凈模塊1000可設(shè)置于一光刻系統(tǒng)或其他半導(dǎo)體制造系統(tǒng)內(nèi)，借以針對(duì)系統(tǒng)內(nèi)如構(gòu)件620的不同構(gòu)件施行一潔凈程序。于一實(shí)施例中，潔凈模塊1000可整合于一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中。潔凈模塊1000包括用于潔凈用的一空間的一潔凈框架1010，進(jìn)而供應(yīng)一潔凈溶液、排出使用過的潔凈溶液、支撐一潔凈單元與施行如提供一吹凈氣體的其他功能。潔凈框架1010可包括整合于其內(nèi)的一吹凈氣體傳輸系統(tǒng)1012，以傳輸用于潔凈及/或干燥之用的一吹凈氣體。吹凈氣體傳輸系統(tǒng)1012可供應(yīng)于壓力高于制程工作壓力的一吹凈氣體。吹凈氣體包括氮?dú)?、氬氣、壓縮干空氣以及其他的適當(dāng)空氣。潔凈氣體傳輸系統(tǒng)1012可具有一或多個(gè)用于傳遞吹凈氣體的開口。吹凈氣體可連接于加熱元件以更供應(yīng)經(jīng)加熱的吹凈氣體以用于干燥之用。潔凈框架1010可包括一真空排放系統(tǒng)1014，以移除潔凈流體、吹凈氣體及或其他無用的流體或殘留物。真空排放系統(tǒng)1014可具有低于制程工作壓力的一壓力，以使得無用的流體及或吹凈氣體可更通過一負(fù)壓差異而排除。真空排放系統(tǒng)1014可具有一或多個(gè)開口，以最佳化其排放效果。潔凈模塊1000可包括整合于其內(nèi)的一潔凈單元1020。潔凈單元1020可為如圖8所示的潔凈洗滌器800、如圖9所示的潔凈噴嘴900、上述裝置的組合，或其他適當(dāng)?shù)臐崈魡卧Ｔ诖?，如圖10所示的潔凈單元1020是采用結(jié)構(gòu)、操作與應(yīng)用相似于圖8所示的潔凈洗滌器860為例。于另一范例中，可采用多種型態(tài)結(jié)合潔凈洗滌器800與噴嘴900并將之整合于潔凈框架1010內(nèi)以作為一示范性潔凈模塊1100，如圖11所示。潔凈模塊1100包括潔凈洗滌器800以及設(shè)置于潔凈洗滌器800兩側(cè)的兩潔凈噴嘴900。多個(gè)潔凈洗滌器800與潔凈噴嘴900的結(jié)合可分享一共用的潔凈流體供應(yīng)器860。所共用的潔凈流體供應(yīng)器860可更具有整合于其內(nèi)的一加熱器，借以加熱潔凈流體。請(qǐng)參照?qǐng)D12a至圖12c，顯示了采用如圖1至圖11所示的潔凈模塊1210以潔凈于一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中不同構(gòu)件的示意圖。此時(shí)，潔凈模塊1210相似于如圖10所示的一或多個(gè)潔凈模塊1000或如圖11所示的1100。潔凈模塊可整合于一光刻系統(tǒng)內(nèi)，特別是可整合于一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)內(nèi)，或一半導(dǎo)體晶圓制造裝置，借以潔凈系統(tǒng)內(nèi)的不同構(gòu)件。舉例來說，如圖12a所示，潔凈模塊1210可包括用于潔凈一潔凈流體保存模塊130。或者用于潔凈一鏡片系統(tǒng)，如圖12b所示。或者是用于潔凈設(shè)置有一晶圓1220于其上的一基板平臺(tái)110，如圖12c所示。潔凈模塊1210的操作可依照不同路徑移動(dòng)。舉例來說，潔凈模塊1210可按照如圖13a至圖13c所顯示的路徑而移動(dòng)。圖14a與圖14b顯示了依據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的自我潔凈系統(tǒng)以及用于潔凈如圖8所示的潔凈洗滌器800或其他適當(dāng)潔凈單元的潔凈方法的示意圖。如圖14a所示的自我潔凈系統(tǒng)包括具有一潔凈溶液1420注入于其內(nèi)的一潔凈槽1410。潔凈槽1410可包括其他構(gòu)件，例如用于供應(yīng)潔凈溶液1420的一化學(xué)品入口1412，以及設(shè)置于其內(nèi)的一超聲波單元以大體攪拌潔凈流體，進(jìn)而達(dá)成足夠的潔凈效果。潔凈槽1410可額外包括設(shè)置于槽內(nèi)的一加熱器。潔凈頭810的潔凈洗滌器800可完全地浸泡于用于潔凈用的潔凈溶液1420。潔凈溶液1420可包括SC1、SC2、Piranha、過氧化氫、或臭氧水溶液、氨水/過氧化氫/水的混合液，或其他適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)溶液。如圖14b的設(shè)置情形則包括一潔凈槽1430與用于投射一潔凈用的潔凈流體至潔凈洗滌器800的一噴嘴900。如此的兩套自我潔凈系統(tǒng)可單獨(dú)或一起用于潔凈用途，且使得潔凈洗滌器與不同的潔凈模塊相整合且更整合于多種半導(dǎo)體制造裝置內(nèi)。第一與第二自我潔凈系統(tǒng)可為部分的潔凈洗滌器800。如圖1至圖11所示的潔凈單元或潔凈模塊的不同實(shí)施例僅作為整合有一潔凈單元或一潔凈模塊的一半導(dǎo)體制造裝置的范例。此些范例并非加以限定本發(fā)明，于不同的應(yīng)用與制造系統(tǒng)中則可采用不同的結(jié)合及/或修改情形。圖15為一流程圖，顯示了采用一整合潔凈模塊以潔凈一半導(dǎo)體制造裝置的一示范方法1500。于方法1500的初始步驟1502中，首先提供整合有一潔凈模塊的一半導(dǎo)體制造裝置。半導(dǎo)體制造裝置可為一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)、一干式光刻裝置或如一物理氣相沉積(濺鍍)系統(tǒng)、一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的一半導(dǎo)體制造裝置。潔凈模塊可包括如圖1至圖5所示的超聲波單元。潔凈模塊可整合于一浸潤(rùn)流體保存模塊中或?yàn)橐环蛛x的模塊。潔凈模塊可包括如圖6至圖9所示的其他潔凈單元，例如包括一潔凈洗滌器、一噴嘴、采用液態(tài)氣體的一噴嘴、一靜電潔凈器、一超聲波單元或上述裝置的組合。潔凈模塊可為如圖10與圖11所示的潔凈模塊1000或1100。于步驟1504中，透過潔凈模塊供應(yīng)潔凈流體，潔凈流體包括表面活性劑、溶劑、氨水、過氧化氫、臭氧、N-甲基呲咯烷酮(NMP)、丙二醇甲醚(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、環(huán)己醇、異丙醇(IPA)、丙酮、酒精及單乙醇胺(MEA)，以及上述流體的組成。潔凈流體的溫度介于20℃-70℃。潔凈流體包括過氧化氫或臭氧水溶液。其他潔凈流體的實(shí)施例則包括氨水/過氧化氫/水的混合溶液。于步驟1506中，方法1500施行一潔凈程序以潔凈半導(dǎo)體潔凈裝置的構(gòu)件，例如是潔凈于一浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中的一鏡片、一基板平臺(tái)、及/或一浸潤(rùn)流體保存模塊。其他可潔凈構(gòu)件則包括一晶圓自動(dòng)控制裝置或一制程腔體的內(nèi)壁。于潔凈程序中，潔凈模塊可于依照不同路徑移動(dòng)。潔凈模塊的不同構(gòu)件與功能可啟動(dòng)并一起使用。舉例來說，依照用于不同潔凈應(yīng)用的不同潔凈配方，超聲波能量及/或加熱能量可導(dǎo)入于潔凈溶液中。步驟1504與1506可更結(jié)合以施行一潔凈程序。上述潔凈程序具有介于0.5秒至30分鐘的施行時(shí)間。于上述潔凈程序后可接著施行一去離子水浸泡程序。接著繼續(xù)步驟1508以施行一干燥程序至通過前一步驟中所潔凈的一表面。干燥程序1508可包括傳遞一吹凈氣體通過潔凈模塊所達(dá)成。吹凈氣體可包括氬氣、氮?dú)饣蚱渌m當(dāng)氣體。干燥程序可單一或整合地應(yīng)用采用如異丙醇的其他液體所達(dá)成。干燥程序亦可采用真空元件，以導(dǎo)出潔凈流體。于步驟1510內(nèi)，于潔凈步驟完成后，如一半導(dǎo)體晶圓的一基板可上載并設(shè)置基板平臺(tái)上，以進(jìn)行如浸潤(rùn)式光刻曝光、干式光刻曝光、薄膜沉積或其他制程的一般半導(dǎo)體制程。自步驟1504-1508的潔凈步驟亦可應(yīng)用為機(jī)臺(tái)維修的一既定施行步驟，或于處理過后一定晶圓數(shù)目或其他觀測(cè)數(shù)據(jù)、測(cè)試數(shù)據(jù)及/或品管數(shù)據(jù)顯示特定劣化情形發(fā)生時(shí)施行。因此，本發(fā)明提供了一種光刻裝置，其包括一成像鏡片模塊；一基板平臺(tái)，位于該成像鏡片模塊下方，用于握持一基板；以及一潔凈模塊，用于潔凈該光刻裝置，其中該潔凈模塊是擇自超聲波單元、洗滌器、流體噴嘴、靜電潔凈機(jī)及上述裝置的組合所組成的族群。于上述光刻裝置中，更包括一浸潤(rùn)流體保存模塊，以供應(yīng)一浸潤(rùn)流體至位于該成像鏡片模塊與位于該基板平臺(tái)上的一基板間的一空間處。上述潔凈模塊可用于潔凈至少上述成像鏡片模塊、基板平臺(tái)及/或浸潤(rùn)流體保存模塊之一。上述潔凈模塊可與至少基板平臺(tái)與浸潤(rùn)流體保存模塊之一整合在一起。上述潔凈模塊可與一自動(dòng)控制裝置整合在一起。上述潔凈模塊是擇自于由旋轉(zhuǎn)、振動(dòng)、水平移動(dòng)與上述方式的組合所組成族群中的一模式下移動(dòng)。上述潔凈模塊包括一潔凈流體入口，以供應(yīng)潔凈模塊所使用的一潔凈流體。上述潔凈流體是擇自于由浸潤(rùn)流體、化學(xué)溶液與吹凈氣體所組成的族群。上述潔凈流體是擇自于由表面活性劑、溶劑、氨水、過氧化氫、臭氧、N-甲基呲咯烷酮、丙二醇甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環(huán)己醇、異丙醇、丙酮、酒精及單乙醇胺所組成族群。上述潔凈模塊包括一真空元件，以導(dǎo)出該潔凈流體。上述洗滌器為一海綿或一毛刷。上述洗滌器的材質(zhì)是擇自于由聚乙烯、聚乙烯醇及聚丙烯所組成族群。上述該流體噴嘴是于不同壓力、角度與移動(dòng)條件下操作。上述該流體噴嘴是用于注入潔凈用的流體氣體。本發(fā)明亦提供了一種浸潤(rùn)式光刻裝置，包括一成像鏡片模塊；一基板平臺(tái)，位于該成像鏡片模塊下方，用于握持一基板；一流體模塊，用于供應(yīng)一流體至位于該成像鏡片模塊與位于該基板平臺(tái)上的一基板間的一空間處；以及一超聲波模塊，用于供應(yīng)一超聲波能量以潔凈該浸潤(rùn)式光刻裝置。于上述裝置中，超聲波模塊是埋設(shè)于至少基板平臺(tái)與流體模塊之一中。上述超聲波模塊可為可移動(dòng)的一模塊，以最佳化其潔凈效果。上述超聲波模塊可供應(yīng)能量介于1微瓦～1千瓦以及頻率介于1KHz至1GHz的一超聲波能量。上述流體模塊可供應(yīng)擇自于由去離子水、潔凈用化學(xué)品、氮?dú)?、氬氣及上述材料的組合組成的族群。上述流體模塊可供應(yīng)于接觸固體表面時(shí)可轉(zhuǎn)變成為氣態(tài)的一液態(tài)氣體。上述液態(tài)氣體可擇自于由氮?dú)饧皻鍤馑M成的族群。上述流體模塊可于0℃下供應(yīng)上述液態(tài)氣體。本發(fā)明亦提供了一種光刻裝置的潔凈方法，包括下列步驟提供具有一潔凈模塊的一光刻裝置，其中該潔凈模塊至少包括洗滌器、流體噴嘴、超聲波單元與靜電清除器之一；通過該潔凈模塊以對(duì)該光刻裝置施行一潔凈程序；以及對(duì)于涂布有以成像感應(yīng)層的一基板施行一曝光程序。上述潔凈程序的施行可應(yīng)用擇自于由表面活性劑、溶劑、氨水、過氧化氫、臭氧、N-甲基呲咯烷酮、丙二醇甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環(huán)己醇、異丙醇、丙酮、酒精及單乙醇胺所組成族群的一潔凈流體。上述潔凈程序的施行可包括潔凈至少成像鏡片、基板平臺(tái)、與上述光刻裝置的流體保存模塊之一。上述潔凈程序的施行可包括一干式程序。上述方法可更包括于施行曝光之前分散介于一成像鏡片與基板平臺(tái)間的一空間處的一浸潤(rùn)流體的步驟。上述曝光制程的施行可包括對(duì)于一半導(dǎo)體晶圓的曝光行為。以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下100、200、300、400、500浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)110基板平臺(tái)120成像鏡片系統(tǒng)130浸潤(rùn)流體保存模塊132a、132b、134、136孔洞140流體150、850超聲波單元160、210、210a潔凈流體供應(yīng)器170溫度控制器220、220a潔凈流體排放器310、410、510、1000、1100、1210潔凈模塊610噴嘴620構(gòu)件630氣體640微塵700靜電潔凈模塊710、720、730平板725、735導(dǎo)電平板740微塵750帶電氣體800潔凈洗滌器810潔凈頭820握把830連接器840馬達(dá)860潔凈流體供應(yīng)器862a、862b、862c入口864a、864b、864c閥件900潔凈噴嘴1010潔凈框架1012吹凈氣體傳輸系統(tǒng)1014真空排放系統(tǒng)1020潔凈單元1220晶圓1410、1430潔凈槽1412化學(xué)品入口1420潔凈溶液。權(quán)利要求1.一種光刻裝置，其特征在于，該光刻裝置包括一成像鏡片模塊；一基板平臺(tái)，位于該成像鏡片模塊下方，用于握持一基板；以及一可移動(dòng)的潔凈模塊，用于潔凈至少該成像鏡片模塊與該基板平臺(tái)之一，于一潔凈程序中接觸該成像鏡片模塊與該基板平臺(tái)之一的一表面，其中該潔凈模塊是擇自超聲波單元、洗滌器、流體噴嘴、靜電潔凈機(jī)及上述裝置的組合所組成的族群。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，更包括一浸潤(rùn)流體保存模塊，以供應(yīng)一浸潤(rùn)流體至位于該成像鏡片模塊與位于該基板平臺(tái)上的一基板間的一空間處。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻裝置，其特征在于，該潔凈模塊是用于潔凈至少該成像鏡片模塊、該基板平臺(tái)與該浸潤(rùn)流體保存模塊之一。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻裝置，其特征在于，該潔凈模塊是與至少該基板平臺(tái)與該浸潤(rùn)流體保存模塊之一整合在一起。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，該潔凈模塊是與一自動(dòng)控制裝置整合在一起。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，該潔凈模塊是擇自于由旋轉(zhuǎn)、振動(dòng)、水平移動(dòng)及上述方式的組合所組成族群中的一模式下移動(dòng)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，該潔凈模塊包括一潔凈流體入口，以供應(yīng)該潔凈模塊所使用的一潔凈流體。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，該潔凈模塊包括一真空元件，以導(dǎo)出該潔凈流體。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，該洗滌器包括一海綿或一毛刷。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，該流體噴嘴是于不同壓力、角度與移動(dòng)條件下操作。11.一種浸潤(rùn)式光刻裝置，其特征在于，該浸潤(rùn)式光刻裝置包括一成像鏡片模塊；一基板平臺(tái)，位于該成像鏡片模塊下方，用于握持一基板；一流體模塊，位于緊鄰該成像鏡片模塊之處，用于供應(yīng)一流體至位于該成像鏡片模塊與位于該基板平臺(tái)上的一基板間的一空間處；以及一超聲波模塊，埋設(shè)于至少該基板平臺(tái)與該流體模塊之一中，用于供應(yīng)一超聲波能量以潔凈該浸潤(rùn)式光刻裝置。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的浸潤(rùn)式光刻裝置，其特征在于，該超聲波模塊是埋設(shè)于至少該基板平臺(tái)與該流體模塊之一中。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的浸潤(rùn)式光刻裝置，其特征在于，該超聲波模塊是為可移動(dòng)的一模塊，以最佳化其潔凈效果。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的浸潤(rùn)式光刻裝置，其特征在于，該超聲波模塊是供應(yīng)能量介于1微瓦～1千瓦以及頻率介于1KHz至1GHz的一超聲波能量。15.一種光刻裝置的潔凈方法，其特征在于，該光刻裝置的潔凈方法包括下列步驟提供具有一潔凈模塊的一光刻裝置，其中該潔凈模塊至少包括洗滌器、流體噴嘴、超聲波單元及靜電潔凈器之一；通過該潔凈模塊以對(duì)該光刻裝置施行一潔凈程序；以及對(duì)于涂布有一成像感應(yīng)層的一基板施行一曝光程序。全文摘要本發(fā)明提供了一種浸潤(rùn)式光刻裝置、光刻裝置及其潔凈方法，所述光刻裝置包括一成像鏡片模塊、一基板平臺(tái)、以及一潔凈模塊。上述基板平臺(tái)是位于成像鏡片模塊下方，以握持一基板，而上述潔凈模塊是用于潔凈光刻裝置之用，其中該潔凈模塊是擇自超聲波單元、洗滌器、流體噴嘴、靜電潔凈機(jī)及上述裝置的組合所組成的族群。本發(fā)明所述的浸潤(rùn)式光刻裝置、光刻裝置及其潔凈方法，減少了由污染造成的缺陷產(chǎn)生以及良率降低等不良情況。文檔編號(hào)H01L21/027GK1955848SQ200610150030公開日2007年5月2日申請(qǐng)日期2006年10月24日優(yōu)先權(quán)日2005年10月24日發(fā)明者張慶裕,林進(jìn)祥,林本堅(jiān)申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司