專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及電子墨水顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及 一 種陣列基板(array substrate)與顯示裝置(display device),且特別是有關于一種薄膜晶體管陣列基板(TFT army substrate) 與電子墨水顯示裝置(E-ink display device)。
背景技術：
隨著顯示技術的快速發(fā)展，諸多新穎的顯示裝置不斷地被開發(fā)出來，其中， 電子墨水顯示裝置具有低耗電、薄型化、長壽命、可撓曲等諸多優(yōu)點，而極具 發(fā)展的潛力。
電子墨水顯示裝置最初發(fā)展于1970年代，其特色是包含許多帶電荷的小 球，其中球的一面是白色，另一面是黑色。當電場改變時，球會上下轉(zhuǎn)動，而 呈現(xiàn)不同顏色。第二代的電子墨水顯示裝置是發(fā)展于1990年代，其特色是以 微膠囊(microcapsules)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的小球，并且在微膠囊內(nèi)填充彩色的油(oil) 與帶電荷的白色顆粒。經(jīng)由外在電場的控制使白色顆粒往上或是往下移動，其 中當白色顆粒往上(接近閱讀者方向時)則顯示出白色，當白色顆粒往下時(遠 離讀者方向時)則顯示出油的顏色。
圖1A為現(xiàn)有技術中的一種電子墨水顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖IB為圖 1A中的電子墨水顯示裝置中的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，其中圖IA為沿 圖IB的A-A'線的剖面。請同時參照圖1A與圖1B，電子墨水顯示裝置10包 括薄膜晶體管陣列基板20及前面板30，而前面板30配置于薄膜晶體管陣列 基板20的一側(cè)。
前面板30包括封蓋32、透明電極層34以及電子墨水材料層36。此電子 墨水材料層36具有多個電子墨水微粒36a,并且電子墨水材料層36配置于透 明電極層34與薄膜晶體管陣列基板20之間。
薄膜晶體管陣列基板20包括基板21、多條掃描線22、多條數(shù)據(jù)線23、 多個薄膜晶體管24、介電層25以及多個像素電極26。其中，掃瞄線22與數(shù)
據(jù)線23將基板21定義出多個像素區(qū)域21a，而每一薄膜晶體管24位于對應 的像素區(qū)域21a中，并與對應的掃描線22及數(shù)據(jù)線23電性相連。由圖1A可 以看到薄膜晶體管24具有柵極24a、柵絕緣層24b、半導體層24c、源極24d 以及漏極24e。由于薄膜晶體管24只具有單一柵極24a且位于半導體層24c 下方，所以此薄膜晶體管24又稱為底柵極薄膜晶體管(bottom gate TFT)。
請再參照圖1A與圖1B，介電層25覆蓋上述的掃描線22、數(shù)據(jù)線23以及 薄膜晶體管24，且介電層25具有開口 H而暴露薄膜晶體管24的部份漏極24e。 像素電極26配置于介電層25上，且像素電極26通過開口 H而與薄膜晶體管 24電性連接。如此一來，可通過掃瞄線22、數(shù)據(jù)線23與薄膜晶體管24而對 像素電極26施加數(shù)據(jù)電壓(data voltage)。值得注意的是，為了達到最佳的 開口率，像素電極26會設置在薄膜晶體管24的上方。
承上述，當對像素電極26施加數(shù)據(jù)電壓時，像素電極26與透明電極層 34之間會形成電場，而驅(qū)動電子墨水材料層36中的墨水微粒36a。此外，在 畫面更新的過程中，對于非作動像素，會對其柵極24a與對應的掃描線22施 加一低柵極電壓信號(low gate voltage, Vgl)，以使薄膜晶體管24處于關閉 狀態(tài)。
由上述可知，像素電極26是對應設置在薄膜晶體管24的上方，因此施加 正數(shù)據(jù)電壓時，像素電極26會扮演薄膜晶體管24的另一柵極。也就是說，像 素電極26上的電荷所產(chǎn)生的電場將會誘導半導體層24c中的電荷重新分布， 導致在半導體層24c中產(chǎn)生通道。如此，像素電極26上的電荷便會經(jīng)由半導 體層24c而泄漏，即產(chǎn)生漏電流現(xiàn)象。所以，施加在像素電極26上的數(shù)據(jù)電 壓便無法穩(wěn)定地維持，造成電子墨水顯示裝置10的顯示質(zhì)量劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種能降低漏電流現(xiàn)象的薄膜晶體 管陣列基板。
本發(fā)明的另一目的是提供一種利用上述的薄膜晶體管陣列基板，而提升顯 示質(zhì)量的電子墨水顯示裝置。
為實現(xiàn)上述或是其它目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板，其結(jié)構(gòu) 包括了基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個像素。掃描線與數(shù)據(jù)線配置于
基板上。每個像素電性連接至至少一掃瞄配線與至少一數(shù)據(jù)配線，而每一像素 包括薄膜晶體管以及與薄膜晶體管電性連接的像素電極，且像素電極是位于薄 膜晶體管的上方，其中薄膜晶體管包括第一柵極、第一絕緣層、半導體層、源 極、漏極、第二絕緣層以及至少一第二柵極。第一柵極與對應的掃描線電性連 接。第一絕緣層覆蓋第一柵極。半導體層配置于第一柵極上方的第一絕緣層上。 源極與漏極配置于半導體層上且部份覆蓋半導體層，而源極與對應的數(shù)據(jù)線電 性連接。第二絕緣層覆蓋源極、漏極以及半導體層。第二柵極配置于半導體層 上方的第二絕緣層上，且第二柵極與第一柵極電性相連。
依照本發(fā)明一實施例所述的薄膜晶體管陣列基板，其中第一絕緣層與第二 絕緣層具有一第一開口，此第一開口暴露部份第一柵極，以使第二柵極通過第 一開口電性連接第一柵極。
依照本發(fā)明一實施例所述，薄膜晶體管陣列基板還包括多條共通導線，這 些配置于基板上。每一共通導線與掃瞄線平行，且位于相鄰的兩條掃瞄線之間。
依照本發(fā)明一實施例所述的薄膜晶體管陣列基板，其中像素電極的材質(zhì)是 選自于銦錫氧化物、銦鋅氧化物、金屬及其組合其中的一。
本發(fā)明另提出一種電子墨水顯示裝置，其包括上述的的薄膜晶體管陣列基 板，以及一前面板。其中，前面板配置于薄膜晶體管陣列基板的一側(cè)，且包括 一封蓋、 一透明電極層及一電子墨水材料層。透明電極層配置于封蓋下方，而 電子墨水材料層配置于透明電極層與薄膜晶體管陣列基板之間。
依照本發(fā)明一實施例所述的電子墨水顯示裝置，其中第一絕緣層與第二絕 緣層具有一第一開口，第一開口暴露部份第一柵極，以使第二柵極通過第一開 口電性連接第一柵極。
依照本發(fā)明一實施例所述，電子墨水顯示裝置還包括多條共通導線，這些 共通導線配置于基板上。每一共通導線與掃瞄線平行，且位于相鄰的兩條掃瞄 線之間。
依照本發(fā)明一實施例所述的電子墨水顯示裝置，其中像素電極的材質(zhì)是選 自于銦錫氧化物、銦鋅氧化物、金屬及其組合其中之一。
依照本發(fā)明一實施例所述的電子墨水顯示裝置，其中電子墨水材料層包括 多個電子墨水粒子以及一透明流體。
依照本發(fā)明一實施例所述的電子墨水顯示裝置，上述的電子墨水粒子包括
多個暗色粒子與多個亮色粒子，其中，該些暗色粒子與亮色粒子分布于透明流 體中，且各自帶有不同的電性。
依照本發(fā)明一實施例所述的電子墨水顯示裝置，還包括多個微膠囊，上述 的暗色粒子、亮色粒子與透明流體是被包圍在微膠囊中。
依照本發(fā)明一實施例所述的電子墨水顯示裝置，還包括多個微凹槽，暗色 粒子、亮色粒子與透明流體是被置于微凹槽范圍內(nèi)。
依照本發(fā)明一實施例所述的電子墨水顯示裝置，其中電子墨水材料層包括 多個電子墨水粒子，每一電子墨水粒子的一半邊為亮色，另一半邊為暗色，且 各自帶有不同的電性。
本發(fā)明所提出的薄膜晶體管陣列基板上的薄膜晶體管，其具有第一柵極及 與第一柵極電性連接的第二柵極，且第二柵極是設置在半導體層與像素電極之 間。所以，第二柵極可屏蔽像素電極上的電荷所產(chǎn)生的電場，使得半導體層中 不會產(chǎn)生通道。也就是說，薄膜晶體管的開關狀態(tài)不會受到像素電極的影響， 進而能減少漏電流現(xiàn)象。另外，即使像素電極完全對應像素區(qū)域的范圍而設置 在薄膜晶體管的上方，也不會影響薄膜晶體管的操作，進而能提升像素的開口
率。此外，利用本發(fā)明所提出的薄膜晶體管陣列基板而制作的電子墨水顯示裝 置將具有良好的顯示質(zhì)量。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳 實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1A為現(xiàn)有技術-一種電子墨水顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖1B為圖1A中的電子墨水顯示裝置中的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖， 其中圖1A為沿圖1B的A-A'線的剖面；
圖2A為本發(fā)明較佳實施例中一種薄膜晶體管陣列基板的俯視圖； 圖2B為沿圖2A中的B-B'線的剖面示意圖； 圖2C為沿2A中的C-C'線的剖面示意圖； 圖3A為本發(fā)明較佳實施例中一種電子墨水顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3B為為另一實施例的電子墨水顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。 其中，附圖標記
10、 200、 200a:電子墨水顯示裝置20、 100:薄膜晶體管陣列基板
21、 110:基板21a、 110a:像素區(qū)域
22、 120:掃描線23、 130:數(shù)據(jù)線
24、 142:薄膜晶體管24a:柵極
24b:柵絕緣層24c:半導體層
24d、 142d:源極24e、 142e:漏極
25、 150:介電層26、 144:像素電極
30、 300:前面板32、 310:封蓋
34、 320:透明電極層36、 330、 330':電子墨水材料層
36a、 330a:電子墨水微粒140:像素
142a:第一柵極142b:第一絕緣層
142c:半導體層142f:第二絕緣層
142g:第二柵極160:共通導線
330a，微膠囊330a， -1:暗色粒子
330a， -2:亮色粒子330a， -3:透明流體
H:開口HI:第一開口
H2:第二開口LI:通道層
L2:歐姆接觸層
具體實施例方式
圖2A為本發(fā)明較佳實施例中一種薄膜晶體管陣列基板的俯視圖。圖2B 為沿圖2A中的B-B'線的剖面示意圖。圖2C為沿圖2A中的C-C'線的剖面示 意圖。
先共同參照圖2A與圖2B，薄膜晶體管陣列基板100包括基板110、多條 掃描線120、多條數(shù)據(jù)線130以及多個像素140。其中，掃描線120與數(shù)據(jù)線 130配置于基板110上。像素140電性連接至相對應的掃瞄線120與相對應的 數(shù)據(jù)線130，而像素140包括薄膜晶體管142以及與薄膜晶體管142電性連接 的像素電極144，且像素電極144是位于薄膜晶體管142的上方。薄膜晶體管 142包括第一柵極142a、第一絕緣層142b、半導體層142c、源極142d、漏極 142e、第二絕緣層142f以及至少一第二柵極142g。第一柵極142a與對應的
掃描線120電性連接。第一絕緣層142b覆蓋第一柵極142a。半導體層142c 配置于第一柵極142a上方的第一絕緣層142b上。源極142d與漏極142e配置 于半導體層142c上且部份覆蓋半導體層142c，而源極142d與對應的數(shù)據(jù)線 130電性連接。第二絕緣層142f覆蓋源極142d、漏極142e以及半導體層142c。 第二柵極142g配置于半導體層142c上方的第二絕緣層142f上，且第二柵極 142g與第一柵極142a電性相連。
值得注意的是，此薄膜晶體管142具有第一柵極142a以及第二柵極142g， 第二柵極142g位于半導體層142c與像素電極144之間，且第二柵極142g是 與第一柵極142a電性相連。
關于使第一柵極142a與第二柵極142g電性相連的方式，舉例如下。請共 同參照圖2A與圖2C，在一實施例中，薄膜晶體管142的第一絕緣層142b與 第二絕緣層142f具有一第一開口 Hl。此第一開口 HI暴露出部份的第一柵極 142a。在此情況下，第二柵極142g即可以通過第一開口 HI電性連接第一柵極 142a。當然，本發(fā)明并不限定于上述的方式，也可以利用其它適當方式電性連 接第一柵極142a與第二柵極142g。
由圖2B中所示，當對第一柵極142a施加電壓而導通薄膜晶體管142時， 同時在第二柵極142g上也施加了與第一柵極142a相同的電壓。承上述，當薄 膜晶體管142開啟而使像素電極144施加有正數(shù)據(jù)電壓時，由于第二柵極142g 是配置在半導體層142c與像素電極144之間，所以由像素電極144上的電荷 所產(chǎn)生的電場將會被第二柵極142g所屏蔽，也就不會使得半導體層142c產(chǎn)生 通道而產(chǎn)生漏電流現(xiàn)象。換句話說，薄膜晶體管142的開關狀態(tài)不會受到像素 電極144的影響，而只與施加于第一柵極142a的電壓信號有關。
相較于現(xiàn)有技術而言，本發(fā)明中的半導體層142c不會受像素電極144的 影響而產(chǎn)生通道，所以像素電極144上的電荷便不會經(jīng)由半導體層142c而泄 漏。換言之，薄膜晶體管陣列基板100可減少漏電流的現(xiàn)象發(fā)生，使像素電極 144上所施加的數(shù)據(jù)電壓可保持較長的時間。另外，由于薄膜晶體管142是雙 柵極結(jié)構(gòu)，所以即使像素電極144完全對應像素區(qū)域110a的范圍而設置，像 素電極144也不會影響薄膜晶體管142的開關狀態(tài)。如此一來，將可以提升各 個像素140的開口率及顯示面積。
請繼續(xù)參照圖2A，在一實施例中，基板110的材料例如為玻璃、石英或
其它適當材料。掃描線120與數(shù)據(jù)線130的材料可為金屬、合金，或是其它適 當?shù)膶щ姴牧稀?br> 在較佳實施例中，第一柵極142a與掃瞄線120是相同的膜層。第一絕緣 層142b與第二絕緣層142f的材質(zhì)可為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它適當 的介電材料。半導體層142c的材質(zhì)可為非晶硅、多晶硅或其它適當?shù)陌雽w 材質(zhì)。在一實施例中，半導體層142c包括一通道層Ll與一歐姆接觸層L2， 歐姆接觸層L2配置于信道層L1、源極142d以及漏極142e之間，且歐姆接觸 層L2的材料可為經(jīng)摻雜的非晶硅。源極142d與漏極142e的材質(zhì)例如為鉻、 鋁合金或是其它適當導電材料，且源極142d、漏極142e與數(shù)據(jù)線130是相同 的膜層。第二柵極142g為金屬、合金或是其它適當導電材料。像素電極144 的材質(zhì)可為銦錫氧化物(indium tin oxide， ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZ0)、金屬、上述材料組合之一或是其它適當?shù)膶щ姴牧稀?br> 另外，為了提升各像素電極144保持數(shù)據(jù)電壓的效能，在一實施例中，如 圖2A所繪示的薄膜晶體管陣列基板100可以包括多條共通導線160，這些共 通導線160配置于基板110上，每一共通導線160與掃瞄線120平行，且位于 相鄰兩掃瞄線120之間。更詳細而言，每一像素電極144與位于此像素電極 144下方的共通導線160構(gòu)成儲存電容(storage capacitor),而使施加在各 像素電極144上的數(shù)據(jù)電壓得以更加穩(wěn)定，進一步使得各像素140獲得更佳的 顯示效果。但是，在其它實施例中，薄膜晶體管陣列基板也可以不具共通導線， 端視需求而定。
綜上所述，在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板100中，其薄膜晶體管142 是雙柵極結(jié)構(gòu)。由于設置于半導體層142c與像素電極144間的第二柵極142g 可屏蔽像素電極144上的電荷所產(chǎn)生的電場。所以，半導體層142c不會受像 素電極144的影響而產(chǎn)生通道。也就是說，像素電極144上的電荷不會在薄膜 晶體管142設定關閉時經(jīng)由半導體層142c而泄漏出。所以，本發(fā)明的薄膜晶 體管陣列基板100將具有下列優(yōu)點可減少漏電流的現(xiàn)象發(fā)生，像素電極144 上所施加的電壓可因此更加穩(wěn)定，且能提升各個像素140的開口率及顯示面 積。
上述的薄膜晶體管陣列基板100可用于組成一電子墨水顯示裝置。圖3A 為本發(fā)明較佳實施例中一種電子墨水顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。由圖3A所示，電子墨水顯示裝置200包括上述的薄膜晶體管陣列基板100以及前面板300， 而前面板300配置于薄膜晶體管陣列基板100的一側(cè)，且前面板300包括一封 蓋310、 一透明電極層320與一電子墨水材料層330。透明電極層320配置于 封蓋310下方，而電子墨水材料層330則配置于透明電極層320與薄膜晶體管 陣列基板100之間。
關于薄膜晶體管陣列基板100的各個構(gòu)件已經(jīng)如上所述，在此不予以重 述。值得注意的是，如圖3A所為的電子墨水顯示裝置200具有上述的薄膜晶 體管陣列基板IOO，特別是其中的薄膜晶體管142具有雙柵極結(jié)構(gòu)。因此，設 置于半導體層142c與像素電極144間的第二柵極142g可屏蔽像素電極144 上的電荷所產(chǎn)生的電場，使得半導體層142c不會受像素電極144的影響而產(chǎn) 生通道。也就是說，像素電極144上的電荷不會在薄膜晶體管142設定關閉時 經(jīng)由半導體層142c泄漏出去，因此可減少漏電流的現(xiàn)象。
由于漏電流的現(xiàn)象減少，像素電極144上所施加的電壓將可保持較長的時 間，而使各個像素能夠穩(wěn)定地顯示。另外，即使像素電極144完全對應像素區(qū) 域110a的范圍而設置，也不影響薄膜晶體管142的操作，進而能提升各個像 素的開口率及顯示面積。
請再參照圖3A，在一實施例中，封蓋310的材質(zhì)可為玻璃、石英、壓克 力或其它適當?shù)牟馁|(zhì)。透明電極層320的材質(zhì)例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物 或是其它能導電的透明材質(zhì)。
在一實施例中，電子墨水材料層330包括多個電子墨水粒子330a，每一 電子墨水粒子330a的一半邊為亮色，另一半邊為暗色，且各自帶有不同的電 性。當像素電極144與透明電極層320之間的電場改變時，電子墨水材料層 330中的電子墨水粒子330a便會被驅(qū)動，而使電子墨水顯示裝置200顯示畫 面。
電子墨水材料層330并不限定為上述的種類，圖3B為另一實施例的電子 墨水顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。在此實施例的電子墨水顯示裝置200a中，電子 墨水材料層330'里含有多個暗色粒子330a， -1、多個亮色粒子330a' _2以 及一透明流體330a， -3。其中，這些暗色粒子330a， -1與亮色粒子330a， -2 分布于透明流體330a' -3中，且各自帶有不同的電性。當像素電極144與透 明電極層320之間的電場改變時，暗色粒子330a' -1與亮色粒子330a' _2
便會根據(jù)電場方向而向上或向下移動，進而使各像素顯示所需的畫面。在進一
步的實施例中，暗色粒子330a， -1、亮色粒子330a， -2以及透明流體330a， -3 可被包圍在多個微膠囊330a'中。
在另一實施例中，暗色粒子330a， -1、亮色粒子330a， -2以及透明流體 330a' -3被置于多個微凹槽(microcup)范圍內(nèi)。在另一實施例中，暗色粒子 330a' -1、亮色粒子330a， -2以及透明流體330a， -3可不受側(cè)向結(jié)構(gòu)體限制 而在主動區(qū)內(nèi)移動。當然，在其它實施例中，暗色粒子330a' -1、亮色粒子 330a' -2以及透明流體330a' -3可配合各種不同的架構(gòu)來配置。承上述，由 于電子墨水顯示裝置200使用上述的薄膜晶體管陣列基板100，而使其具有較 佳的顯示質(zhì)量。
綜上所述，本發(fā)明所提出的薄膜晶體管陣列基板、電子墨水顯示裝置至少 具有下列優(yōu)點
(1) 本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中的薄膜晶體管，其通過雙柵極結(jié)構(gòu)的 作用，而可以減少在額定關閉期間經(jīng)由薄膜晶體管泄漏出的漏電流。
(2) 由于漏電流減少，所以在像素電極上所施加的電壓準位可因此更佳穩(wěn)定。
(3) 即使像素電極覆蓋薄膜晶體管而設置，也不影響薄膜晶體管的操作， 所以本發(fā)明可以提升各個像素的開口率及顯示面積。
(4) 由于本發(fā)明所提出的薄膜晶體管陣列基板的漏電流較小，所以利用此 薄膜晶體管陣列基板而制作的顯示裝置會具有較佳的顯示質(zhì)量。
當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領域的普通技術人員當可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應的改變和變 形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括一基板；多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線，配置于該基板上；多個像素，每一該像素電性連接至該掃瞄線之一與該數(shù)據(jù)線之一，每一像素包括一薄膜晶體管以及與該薄膜晶體管電性連接的一像素電極，且該像素電極是位于該薄膜晶體管的上方，其中該薄膜晶體管包括一第一柵極，與對應的該掃描線電性連接；一第一絕緣層，覆蓋該第一柵極；一半導體層，配置于該第一柵極上方的該第一絕緣層上；一源極與一漏極，配置于該半導體層上且部份覆蓋該半導體層，且該源極與對應的該數(shù)據(jù)線電性連接，該漏極與該像素電極電性連接；一第二絕緣層，覆蓋該源極、該漏極以及該半導體層；以及至少一第二柵極，配置于該半導體層上方的該第二絕緣層上，且該第二柵極與該第一柵極電性相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該第一絕緣 層與該第二絕緣層具有一開口來暴露部份該第一柵極，以使該第二柵極通過該 開口電性連接該第一柵極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括多條 共通導線，配置于該基板上，該共通導線與該掃瞄線平行，且位于相鄰的該掃 瞄線之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該像素電極 的材質(zhì)是選自于由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、金屬及其組合所組成的族群之一。
5. —種電子墨水顯示裝置，其特征在于，包括 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板；一前面板，配置于該薄膜晶體管陣列基板的一側(cè)，該前面板包括 一封蓋；一透明電極層，配置于該封蓋下方；以及一電子墨水材料層，配置于該透明電極層與該薄膜晶體管陣列基板之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子墨水顯示裝置，其特征在于，該第一絕緣層 與該第二絕緣層具有一開口來暴露部份該第一柵極，以使該第二柵極通過該開 口電性連接該第一柵極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子墨水顯示裝置，其特征在于，還包括多條共 通導線，配置于該基板上，該共通導線與該掃瞄線平行，且位于相鄰的該掃瞄 線之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子墨水顯示裝置，其特征在于，該電子墨水材 料層包括多個電子墨水粒子及一透明流體，該電子墨水粒子包括多個暗色粒子 及多個亮色粒子，且該暗色粒子與該亮色粒子各自帶有不同的電性分布于該透 明流體中。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子墨水顯示裝置，其特征在于，還包括多個微 膠囊或多個微凹槽，該暗色粒子、該亮色粒子與該透明流體是被置于該微膠囊 或該微凹槽中。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子墨水顯示裝置，其特征在于，該電子墨水 材料層包括多個電子墨水粒子，每一電子墨水粒子的一半邊為亮色，另一半邊 為暗色，且各自帶有不同的電性。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板及電子墨水顯示裝置，該一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個像素。其中，像素包括薄膜晶體管以及像素電極，而像素電極位于薄膜晶體管的上方并與其電性連接。薄膜晶體管包括第一柵極、第一絕緣層、半導體層、源極、漏極、第二絕緣層以及至少一第二柵極，其中，第二柵極配置于半導體層上方的第二絕緣層上，且第二柵極與第一柵極電性相連。第二柵極能夠減少經(jīng)由薄膜晶體管的漏電流現(xiàn)象。
文檔編號H01L27/12GK101165906SQ20061014994
公開日2008年4月23日 申請日期2006年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月19日
發(fā)明者吳淇銘, 許育禎 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司