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一種具雙重特性的三極管器件及其應(yīng)用方法

文檔序號:7211208閱讀:177來源:國知局
專利名稱:一種具雙重特性的三極管器件及其應(yīng)用方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電路,尤其涉及一種具雙重特性的三極管器件及其應(yīng) 用方法,是一種單個(gè)三極管為兩種特性要求而工作的新型電路設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)
在通常的電路設(shè)計(jì)中,三極管器件都是單向器件(如圖l、圖3),也 就是說三極管中的電流流向,電流增益以及頻率特性在設(shè)計(jì)電路的過程中 就己經(jīng)確定下來了,當(dāng)需要獲得不同的電流增益,電流流向以及頻率特性 時(shí),就需要增加不同特性的三極管,也就是說在電路中引入很多種不同特 性的三極管,這就需要更加復(fù)雜的工藝來達(dá)到在同一塊集成電路中制造出 各種特性的三極管。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種具雙重特性的三極管器件及其 應(yīng)用方法,可以由信號控制三極管發(fā)射極和集電極的選擇。
為解決..匕述技術(shù)問題,本發(fā)明提出了一種具雙重特性的三極管器件, 包括一NPN (或者PNP)三極管、負(fù)載一、負(fù)載二、 N溝道MOS場效應(yīng)管 一、P溝道MOS場效應(yīng)管一、N溝道MOS場效應(yīng)管二、 P溝道MOS場效應(yīng) 管二、控制信號源,其中,N溝道MOS場效應(yīng)管一的漏極和P溝道MOS場 效應(yīng)管一的漏極接于NPN (或者PNP)三極管的集電極;N溝道M0S場效 應(yīng)管二的漏極和P溝道MOS場效應(yīng)管二的漏極接于NPN (或者PNP)三極 管的發(fā)射極;N溝道M0S場效應(yīng)管一的源極和P溝道MOS場效應(yīng)管二的源
極接于負(fù)載一的一端,負(fù)載一的另一端接于電源;P溝道MOS場效應(yīng)管一 的源極和N溝道M0S場效應(yīng)管二的源極接于負(fù)載二的一端,負(fù)載二的另一 端接地;N溝道MOS場效應(yīng)管一、P溝道MOS場效應(yīng)管一、N溝道MOS場 效應(yīng)管二和P溝道M0S場效應(yīng)管二的柵極與控制信號源連接。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還提出了一種三極管器件的應(yīng)用方法, 用于上述具雙重特性的三極管器件的電路中,當(dāng)控制信號源發(fā)出的控制信 號為高電壓時(shí),NPN (或者PNP)三極管工作狀態(tài)不改變;當(dāng)控制信號為 低電壓時(shí),NPN (或者PNP)三極管原來的集電極作為發(fā)射極工作,原發(fā) 射極作為集電極工作。
本發(fā)明由于由外部信號來控制單個(gè)三極管器件的工作狀態(tài),從而達(dá)到 單個(gè)器件可以為不同的功能工作,增加了電路設(shè)計(jì)的選擇空間,降低了對 制造工藝復(fù)雜性的要求。


圖1是通常NPN三極管器件的電路圖2是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例,即含NPN三極管的器件電路圖。 圖3是通常PNP三極管器件的電路圖4是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例,即含PNP三極管的器件電路圖。
具體實(shí)施例方式
通常三極管器件的電路圖如圖1所示,其電流的流向、電流的增益以 及頻率特性的要求都是確定的且唯一的。為改變這種情況,使單個(gè)三極管 器件為不同的要求工作的不同的狀況下,提高單個(gè)三極管的利用率,增加 電路設(shè)計(jì)的選擇空間,本發(fā)明考慮通過增加兩組CMOS器件來達(dá)到對三極 管器件工作的電流流向,電流增益和頻率特性進(jìn)行選擇。 下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。 實(shí)施例1:
如圖2所示,是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例,即含NPN三極管的器件電路 圖。該實(shí)施例中設(shè)計(jì)的電路是在通常的含NPN三極管電路中加入四個(gè)MOS 器件和一個(gè)控制信號源發(fā)送控制信號,從而達(dá)到選擇三極管的工作狀態(tài)的 要求,使單個(gè)三極管可以為不同的要求而工作。在實(shí)際工作中,當(dāng)控制信 號為高電壓時(shí),三極管和通常狀況的工作狀態(tài)一樣;當(dāng)控制信號為低電壓 時(shí),三極管原來的集電極變成了發(fā)射極而工作,原來的發(fā)射極作為集電極 而工作。這樣的電路使三極管的非對稱特性得到充分的利用,同時(shí)也達(dá)到 了用簡單的工藝制造出多種性能的器件。
實(shí)施例2:
如圖4所示,是本發(fā)明另一個(gè)具體實(shí)施例,即含PNP三極管的器件電 路圖。同樣的,該實(shí)施例中設(shè)計(jì)的電路是在通常的含PNP三極管電路中加 入四個(gè)M0S器件和一個(gè)控制信號源發(fā)送控制信號,從而達(dá)到選擇三極管的 工作狀態(tài)的要求,使單個(gè)三極管可以為不同的要求而工作。與前類似,在 實(shí)際工作中,當(dāng)控制信號為高電壓時(shí),三極管和通常狀況的工作狀態(tài)一樣; 當(dāng)控制信號為低電壓時(shí),三極管原來的集電極變成了發(fā)射極而工作,原來 的發(fā)射極作為集電極而工作。這樣的電路使三極管的非對稱特性得到充分 的利用,同時(shí)也達(dá)到了用簡單的工藝制造出多種性能的器件。
綜上所述,本發(fā)明由于在設(shè)計(jì)中在三極管和后續(xù)的負(fù)載電路之間加入 一塊選擇電路,即引入了MOS場效應(yīng)管,且選擇電路由一個(gè)控制信號來控
制,通過外部信號來控制單個(gè)三極管器件的工作狀態(tài),從而達(dá)到單個(gè)器件 可以為不同的功能工作,增加了電路設(shè)計(jì)的選擇空間,降低了對制造工藝 復(fù)雜性的要求, 一定程度上可以減小單個(gè)芯片的面積。
權(quán)利要求
1、一種具雙重特性的三極管器件,其特征在于,包括一NPN三極管、負(fù)載一、負(fù)載二、N溝道MOS場效應(yīng)管一、P溝道MOS場效應(yīng)管一、N溝道MOS場效應(yīng)管二、P溝道MOS場效應(yīng)管二、控制信號源,其中,所述N溝道MOS場效應(yīng)管一的漏極和P溝道MOS場效應(yīng)管一的漏極接于所述NPN三極管的集電極;所述N溝道MOS場效應(yīng)管二的漏極和P溝道MOS場效應(yīng)管二的漏極接于所述NPN三極管的發(fā)射極;所述N溝道MOS場效應(yīng)管一的源極和P溝道MOS場效應(yīng)管二的源極接于所述負(fù)載一的一端,所述負(fù)載一的另一端接于電源;所述P溝道MOS場效應(yīng)管一的源極和N溝道MOS場效應(yīng)管二的源極接于所述負(fù)載二的一端,所述負(fù)載二的另一端接地;所述N溝道MOS場效應(yīng)管一、P溝道MOS場效應(yīng)管一、N溝道MOS場效應(yīng)管二和P溝道MOS場效應(yīng)管二的柵極與所述控制信號源連接,該控制信號源可發(fā)出高低壓信號。
2、 一種具雙重特性的三極管器件,其特征在于,包括一PNP三極管、 負(fù)載一、負(fù)載二、 N溝道MOS場效應(yīng)管一、P溝道MOS場效應(yīng)管一、N溝道MOS 場效應(yīng)管二、 P溝道MOS場效應(yīng)管二、控制信號源,其中,所述N溝道MOS場 效應(yīng)管一的漏極和P溝道MOS場效應(yīng)管一的漏極接于所述PNP三極管的集電 極;所述N溝道MOS場效應(yīng)管二的漏極和P溝道MOS場效應(yīng)管二的漏極接于所 述PNP三極管的發(fā)射極;所述N溝道MOS場效應(yīng)管一的源極和P溝道MOS場效應(yīng)管二的源極接于所述負(fù)載一的一端,所述負(fù)載一的另一端接于電源;所述P 溝道MOS場效應(yīng)管一的源極和N溝道MOS場效應(yīng)管二的源極接于所述負(fù)載二 的一端,所述負(fù)載二的另一端接地;所述N溝道MOS場效應(yīng)管一、P溝道MOS 場效應(yīng)管一、N溝道MOS場效應(yīng)管二和P溝道MOS場效應(yīng)管二的柵極與所述控制信號源連接,該控制信號源可發(fā)出高低壓信號。
3、 一種三極管器件的應(yīng)用方法,用于包含根據(jù)權(quán)利要求2或3所述具雙 重特性的三極管器件的電路中,其特征在于,控制信號源發(fā)出的控制信號 為高電壓時(shí),所述三極管工作狀態(tài)不改變;當(dāng)控制信號為低電壓時(shí),所述 三極管原來的集電極作為發(fā)射極工作,原發(fā)射極作為集電極工作。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具雙重特性的三極管器件及其應(yīng)用方法,該器件,包括一NPN(或者PNP)三極管、負(fù)載一、負(fù)載二、N溝道MOS場效應(yīng)管一、P溝道MOS場效應(yīng)管一、N溝道MOS場效應(yīng)管二、P溝道MOS場效應(yīng)管二、控制信號源,當(dāng)控制信號源發(fā)出的控制信號為高電壓時(shí),三極管工作狀態(tài)不改變;當(dāng)控制信號為低電壓時(shí),三極管原來的集電極作為發(fā)射極工作,原發(fā)射極作為集電極工作。本發(fā)明由于由外部信號來控制單個(gè)三極管器件發(fā)射極和集電極的選擇,從而達(dá)到單個(gè)器件可以為不同的功能工作,增加了電路設(shè)計(jì)的選擇空間,降低了對制造工藝復(fù)雜性的要求。
文檔編號H01L27/02GK101188236SQ20061011845
公開日2008年5月28日 申請日期2006年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月17日
發(fā)明者劉俊文 申請人:上海華虹Nec電子有限公司
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