專利名稱：氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法及復(fù)合材料襯底的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化物半導(dǎo)體襯底(nitride semiconductor substrate)的制 造方法，且特別是涉及一種能夠形成低缺陷密度的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造 方法以及用上述方法制備的具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底(composite material substrate)。
背景技術(shù)：
近幾年來，氮化鎵和相關(guān)的三元化合物半導(dǎo)體被廣泛地應(yīng)用在短波長光 電元件與高功率高頻元件中，但由于氮化鎵襯底的制作不易，因此，其往往 生長于其它種類的襯底上，例如，單晶氧化鋁襯底以及碳化硅襯底上。雖然， 氮化鎵單晶已經(jīng)能夠成功的利用異質(zhì)外延(Heter叩eitaxy)技術(shù)生長于這兩種 襯底上，然而，由于晶格不匹配的緣故在外延過程中通常會造成高密度的缺 陷，這些缺點(diǎn)將局限氮化鎵材料在光電半導(dǎo)體元件的應(yīng)用及發(fā)展。
一般而言，氮在液態(tài)鎵中溶解度和擴(kuò)散系數(shù)的限制，導(dǎo)致傳統(tǒng)拉單晶技 術(shù)很難完成氮化鎵襯底的制作。故而近年來發(fā)展出氫化物氣相外延法 (Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)，并利用此技術(shù)將藍(lán)寶石(sapphire)襯底 上的氮化鎵厚度大幅提升以生長氮化鎵厚膜，但是缺陷密度和宏觀裂痕卻無 法有效的大幅降低，最主要的因素還是異質(zhì)材料所存在的晶格常數(shù)和熱膨脹 系數(shù)差異所造成。
目前已有制作低缺陷密度的氮化鎵襯底的專利提出，如美國專利US 6，964，914。這件專利主要是先將氮化鎵或氮化鋁的單晶基材執(zhí)行氫離子(H") 注入，注入的深度即是將來轉(zhuǎn)移后的厚度。然后，注入完畢后利用直接晶片 鍵合 (Direct-wafer-bonding) 或々某介物晶片鍵合 4支術(shù) (Intermediate-wafer-bonding)將薄的氮化鎵層轉(zhuǎn)移到其它支撐襯底上，被轉(zhuǎn)移 的這層單晶層稱為成核層(nucleationlayer)。接著，利用氫化物氣相外延法生 長厚的氮化鎵單晶層，最后，分離氮化鎵厚膜與支撐襯底。
然而，上述美國專利固然是能制作無支撐(freestanding)氮化鎵厚膜，但
是這件專利有幾點(diǎn)是比較不利的，以下列幾點(diǎn)說明晶片鍵合過程中鍵合溫 度高達(dá)了 800~1000°C，在薄成核層分離轉(zhuǎn)移的過程其溫度也是高達(dá) 900~950°C,高溫會使氮化鎵或者支撐襯底因熱膨脹系數(shù)差而破裂。另外， 以氮化鎵襯底來當(dāng)作成核種子材料似乎是不敷成本，原因在于此襯底目前的 成本高達(dá)1萬美元，成本之高可見一斑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，以得到低缺 陷密度的半導(dǎo)體襯底。
本發(fā)明的再一目的是提供一種具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底，可適用于 生長低缺陷密度的氮化物半導(dǎo)體襯底。
本發(fā)明提出一種氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，包括先提供一個(gè)第一村 底，這個(gè)第一襯底包括第一基材、堆疊于第一基材上的氮化物半導(dǎo)體模板層 以及堆疊于氮化物半導(dǎo)體模板層上的第一介質(zhì)層。接著，構(gòu)圖第一介質(zhì)層和 氮化物半導(dǎo)體模板層，再提供一個(gè)第二襯底，這個(gè)第二襯底包括第二基材以 及堆疊于第二基材上的第二介質(zhì)層。隨后，以鍵合轉(zhuǎn)移(bonding and transfer) 工藝將第 一襯底的氮化物半導(dǎo)體模板層以及第 一介質(zhì)層轉(zhuǎn)移到第二襯底的 第二介質(zhì)層上，然后利用一道外延工藝自氮化物半導(dǎo)體模板層生長一層氮化 物半導(dǎo)體厚膜。之后，將氮化物半導(dǎo)體厚膜與第二村底分離。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中構(gòu)圖第 一介質(zhì)層和氮化 物半導(dǎo)體模板層的方法包括光刻技術(shù)。而且，構(gòu)圖第一介質(zhì)層和氮化物半導(dǎo) 體模板層的步驟包括先構(gòu)圖第 一介質(zhì)層，再以構(gòu)圖的第 一介質(zhì)層當(dāng)作蝕刻掩 模，蝕刻上述氮化物半導(dǎo)體模板層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中構(gòu)圖第一介質(zhì)層和氮化 物半導(dǎo)體模板層的方法包括將第一介質(zhì)層和氮化物半導(dǎo)體模板層制作成具 有直線型、網(wǎng)狀型或點(diǎn)狀分布型的圖案。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中第一介質(zhì)層和第二介質(zhì) 層的材料各自獨(dú)立地包括Si02、 Si3N4或旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(Spin on glass, SOG)。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中第二基材的材料包括藍(lán) 寶石、硅(Si)、 GaP、 InP、石英(Quartz)、耐高溫玻璃或陶瓷材料。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中外延工藝包括氫化物氣4目夕卜延法(HVPE)、 有才幾金屬氣斗目夕卜延法(Metal-Organic chemical vapor deposition, MOCVD)或分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中分離氮化物半導(dǎo)體厚膜 與第二襯底的方法包括利用化學(xué)蝕刻或機(jī)械力分離。而化學(xué)蝕刻的溶液包括 HF或緩沖氧化物蝕刻液(Buffered Oxide Etch, BOE)。此外，分離氮化物半 導(dǎo)體厚膜與第二襯底的方法包括同時(shí)交互使用化學(xué)蝕刻以及機(jī)械力，以加速分離。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中提供第二襯底之后還包 括構(gòu)圖第二介質(zhì)層表面，以幫助化學(xué)蝕刻的溶液入侵。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中將第 一襯底的氮化物半 導(dǎo)體模板層以及第 一介質(zhì)層轉(zhuǎn)移到第二襯底的第二介質(zhì)層上之后，還包括對 氮化物半導(dǎo)體模板層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨或反應(yīng)離子蝕刻，以得到外延級的表 面。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中分離氮化物半導(dǎo)體厚膜 與第二襯底之后，還包括對氮化物半導(dǎo)體厚膜進(jìn)行表面研磨工藝。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，其中氮化物半導(dǎo)體厚膜的材 料包括氮化鎵或氮化鋁。
本發(fā)明再提出一種具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底，包括襯底、第一介質(zhì) 層、第二介質(zhì)層以及氮化物半導(dǎo)體材料。其中，第一介質(zhì)層堆疊于襯底的表 面上、第二介質(zhì)層堆疊于第一介質(zhì)層的表面上，且氮化物半導(dǎo)體材料堆疊于 第二介質(zhì)表面上，其特征為在氮化物半導(dǎo)體材料的表面具有多個(gè)圖案。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的復(fù)合材料襯底，其中上述圖案包括直線 型、網(wǎng)狀型或點(diǎn)狀分布型的圖案。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的復(fù)合材料襯底，其中襯底的材料包括藍(lán) 寶石、硅、GaP、 InP、石英、玻璃或陶瓷材料等可耐高溫的材料。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的復(fù)合材料襯底，其中第一介質(zhì)層和第二 介質(zhì)層的材料各自獨(dú)立地包括Si02、 ， SisN4或旋轉(zhuǎn)涂布玻璃。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的復(fù)合材料襯底，其中氮化物半導(dǎo)體材料 的材料包括含有銦(In)、鋁(Al)和鎵(Ga)其中之一的半導(dǎo)體材料。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的復(fù)合材料襯底，適用于制作無支撐(free standing)氮化物半導(dǎo)體襯底。
本發(fā)明因?yàn)樵谥谱鞯锇雽?dǎo)體襯底時(shí)先構(gòu)圖氮化物半導(dǎo)體模板層
(template layer),以大幅降低后續(xù)外延生長時(shí)的缺陷密度，再利用晶片鍵合 轉(zhuǎn)移上述氮化物半導(dǎo)體才莫板層至異質(zhì)襯底上作為單晶種子層。此外最后還可 利用機(jī)械力自我分離(Self-separation)或是化學(xué)蝕刻分離即能得到低缺陷密度
的氮化物半導(dǎo)體襯底。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附 圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地_沈明本發(fā)明。


圖1A至圖ll是依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造流 程剖面圖。
圖2是依照本發(fā)明的另 一優(yōu)選實(shí)施例的具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底的
結(jié)構(gòu)剖面圖。簡單符號說明100:第一襯底104、 104a:氮化物半導(dǎo)體模板層105外延級的表面
106、 106a:第一介質(zhì)層108氮化物半導(dǎo)體厚膜
110第二襯底
112第二基材
114第二介質(zhì)層
116尖刀片
200襯底
202第一介質(zhì)層
204第二介質(zhì)層
206氮化物半導(dǎo)體材料
208圖案
具體實(shí)施例方式
圖1A至圖ll是依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造流
程剖面圖。
請參照圖1A，提供一個(gè)第一村底100，其中包括一個(gè)第一基材102、堆 疊于第一基材102上的一層氮化物半導(dǎo)體模板層104以及堆疊于氮化物半導(dǎo) 體模板層104上的一層第一介質(zhì)層106。其中，氮化物半導(dǎo)體模板層104的 材料譬如是含有銦(In)、鋁(Al)和鎵(Ga)其中之一的半導(dǎo)體材料，如GaN、 A1N、 InN、 AlGaN、 InGaN或AlInN。而第一基材102則為一種外延襯底， 如藍(lán)寶石、SiC或者硅村底。第一介質(zhì)層106的材料可以是Si02、 Si3N4、旋 轉(zhuǎn)涂布玻璃或者其它適合的材料。
請繼續(xù)參照圖1A，其中所示的各層(亦即氮化物半導(dǎo)體模板層104與第 一介質(zhì)層106)均可利用本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所知悉的方式 形成。舉例來說，上述氮化物半導(dǎo)體模板層104的形成可利用如有機(jī)金屬氣 相外延法、分子束外延等方法來達(dá)成。
然后，請參照圖1B,構(gòu)1A中的第一介質(zhì)層106和氮化物半導(dǎo)體模 板層104，其制造方法包括光刻技術(shù)，且流程如本圖是先構(gòu)圖第一介質(zhì)層106， 而使構(gòu)圖后的第一介質(zhì)層106a具有直線型、網(wǎng)狀型或點(diǎn)狀分布型的圖案。
接著，請參照圖1C，以構(gòu)圖的第一介質(zhì)層106a當(dāng)作蝕刻掩模(etching mask),蝕刻氮化物半導(dǎo)體模板層104。此時(shí)，被蝕刻的氮化物半導(dǎo)體模板層 104a會形成與第一介質(zhì)層106a相同的圖案。除此之外，上述構(gòu)圖的第一介 質(zhì)層106a和氮化物半導(dǎo)體模板層104a也可以用一層光致抗蝕劑層(未繪示) 作為蝕刻掩模，來進(jìn)行構(gòu)圖的步驟。
之后，請參照圖1D，提供一個(gè)第二襯底110作為支撐襯底(supporting substrate)用，這個(gè)第二襯底110至少包括一個(gè)第二基材112以及堆疊于第二 基材112上的一層第二介質(zhì)層114。其中，第二基材112的材料例如是藍(lán)寶 石、硅、GaP、 InP、石英、耐高溫玻璃或陶瓷材料。而第二介質(zhì)層114的材 料例如是Si02、 Si3Kt或旋轉(zhuǎn)涂布玻璃。此外，提供第二襯底110之后如有 需要，可再構(gòu)圖第二介質(zhì)層114表面，以幫助后續(xù)工藝中的化學(xué)蝕刻的溶液 入侵。
然后，請參照圖1E，以鍵合轉(zhuǎn)移工藝將第一襯底100的氮化物半導(dǎo)體 模板層104a以及第一介質(zhì)層106a轉(zhuǎn)移到第二襯底IIO的第二介質(zhì)層114上。 其中，第一介質(zhì)層106a與第二介質(zhì)層114可選擇利用親水性(SCl-H20-NH40H-H202)晶片鍵合法(waferbonding)先進(jìn)行鍵合。接著，通過物理
力來將氮化物半導(dǎo)體模板層104a轉(zhuǎn)移到第二襯底110上。譬如當(dāng)?shù)谝换?材102與第二基材112的材料為硅或藍(lán)寶石，則可通過材料間的熱膨脹系數(shù)
差異而直接完成鍵合轉(zhuǎn)移的步驟。
接著，請參照圖1F，可在上述鍵合轉(zhuǎn)移工藝之后，選擇對氮化物半導(dǎo) 體模板層104a進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechnical Polishing, CMP)或反 應(yīng)離子蝕刻，以得到外延級的表面(epi-ready)105，并降低缺陷密度。
接下來，請參照圖1G，利用一道外延工藝自氮化物半導(dǎo)體模板層104a 生長一層氮化物半導(dǎo)體厚膜108,其中氮化物半導(dǎo)體厚膜108的材料包括氮 化鎵、氮化鋁或是晶格常數(shù)與氮化物半導(dǎo)體模板層104a相近的材料。上述 外延工藝是以構(gòu)圖的氮化物半導(dǎo)體模板層104a為基礎(chǔ)，接著執(zhí)行氮化鎵單 晶橫向接合與厚膜生長，生長方式包括外延工藝，包括氫化物氣相外延法 (HVPE)、有機(jī)金屬氣相外延法(MOCVD)或分子束外延(MBE)。
然后，請參照圖1H-1與圖1H-2，這兩個(gè)圖分別表示將氮化物半導(dǎo)體厚 膜108與第二襯底110分離的不同方法。
在圖1H-1中，利用化學(xué)蝕刻的方式去除鍵合的第一與第二介質(zhì)層106a、 114(請見圖1G),其中化學(xué)蝕刻的溶液包括氫氟酸(HF)或緩沖氧化物蝕刻液 (Buffered Oxide Etch， BOE);舉例來說，BOE = 49%、 HF : 40% NHjF-l : 6。 而且，如果在提供第二襯底(如圖1D)之后構(gòu)圖第二介質(zhì)層114表面，則此時(shí) 將有助于化學(xué)蝕刻的溶液入侵。
在圖1H-2中，利用機(jī)械力分離；舉例來說，以一個(gè)尖刀片116將氮化 物半導(dǎo)體厚膜108與第二襯底110分離。此外，分離氮化物半導(dǎo)體厚膜108 與第二襯底110的方法還可以是同時(shí)交互使用圖1H-1的化學(xué)蝕刻以及本圖 的機(jī)械力，以加速分離。而當(dāng)?shù)诙?12為石英或耐高溫玻璃時(shí)，可直接 利用研磨和化學(xué)蝕刻去除第二基材112。
最后，請參照圖II，可對分離得到的氮化物半導(dǎo)體厚膜108進(jìn)行表面 研磨工藝，如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)。
圖2是依照本發(fā)明的另 一優(yōu)選實(shí)施例的具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底的 結(jié)構(gòu)剖面圖，其適用于制作無支撐(free standing)氮化物半導(dǎo)體襯底。
請參照圖2，此一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)包括一個(gè)襯底200、 一層第一介質(zhì)層202、 一層第二介質(zhì)層204以及一層氮化物半導(dǎo)體材料206，其中襯底200的材料 例如硅、GaP、 InP、石英、玻璃或陶瓷材料等可耐高溫的材料。第一介質(zhì)層
202堆疊于襯底200的表面上、第二介質(zhì)層204堆疊于第一介質(zhì)層202的表 面上，且第一和第二介質(zhì)層202、 204的材料各自獨(dú)立地包括Si02、 ，Si3N4、 旋轉(zhuǎn)涂布玻璃或其它適合的材料。而氮化物半導(dǎo)體材料206堆疊于第二介質(zhì) 層204表面上，其中氮化物半導(dǎo)體材料206的材料包括含有銦(In)、鋁(A1) 和鎵(Ga)其中之一的半導(dǎo)體材料，如GaN、 A1N、 InN、 AlGaN、 InGaN或 AlInN。而且，氮化物半導(dǎo)體材料206的表面具有圖案208，且所述圖案208 例如是直線型、網(wǎng)狀型、點(diǎn)狀分布型或其它適合的圖案。
綜上所述，本發(fā)明的特點(diǎn)在于利用構(gòu)圖的氮化物半導(dǎo)體^t板層作為單晶 種子層，以大幅降低后續(xù)外延生長時(shí)的缺陷密度。并且，利用晶片鍵合轉(zhuǎn)移 上述氮化物半導(dǎo)體模板層至異質(zhì)村底上。此外，在外延工藝后，還可利用機(jī) 械力自我分離(self-separation)或是化學(xué)蝕刻分離得到低缺陷密度的氮化物半 導(dǎo)體襯底，因此比現(xiàn)有技術(shù)簡單且成本低。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng) 域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，包括提供第一襯底，該第一襯底包括第一基材、堆疊于該第一基材上的氮化物半導(dǎo)體模板層以及堆疊于該氮化物半導(dǎo)體模板層上的第一介質(zhì)層；構(gòu)圖該第一介質(zhì)層和該氮化物半導(dǎo)體模板層；提供第二襯底，該第二襯底包括第二基材以及堆疊于該第二基材上的第二介質(zhì)層；以鍵合轉(zhuǎn)移工藝將該第一襯底的該氮化物半導(dǎo)體模板層以及該第一介質(zhì)層轉(zhuǎn)移到該第二襯底的該第二介質(zhì)層上；利用外延工藝自該氮化物半導(dǎo)體模板層生長氮化物半導(dǎo)體厚膜；以及分離該氮化物半導(dǎo)體厚膜與該第二襯底。
2. 如權(quán)利要求l所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中構(gòu)圖該第 一介質(zhì)層和該氮化物半導(dǎo)體模板層的方法包括光刻技術(shù)。
3. 如權(quán)利要求2所述的氮化物半導(dǎo)體村底的制造方法，其中構(gòu)圖該第 一介質(zhì)層和該氮化物半導(dǎo)體模板層的步驟，包括構(gòu)圖該第一介質(zhì)層；以及以構(gòu)圖的該第 一介質(zhì)層當(dāng)作蝕刻掩模，蝕刻該氮化物半導(dǎo)體模板層。
4. 如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中構(gòu)圖該第 一介質(zhì)層和該氮化物半導(dǎo)體模板層的方法包括將該第一介質(zhì)層和該氮化物 半導(dǎo)體模板層制作成具有直線型、網(wǎng)狀型或點(diǎn)狀分布型的圖案。
5. 如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中該第一介 質(zhì)層和該第二介質(zhì)層的材料各自獨(dú)立地包括Si02、 SbN4或旋轉(zhuǎn)涂布玻璃。
6. 如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中該第二基 材的材料包括藍(lán)寶石(sapphire)、硅(Si)、 GaP、 InP、石英、耐高溫玻璃或陶 瓷材料。
7. 如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體村底的制造方法，其中該外延工 藝包括氫化物氣相外延法、有機(jī)金屬氣相外延法或分子束外延。
8. 如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中分離該氮 化物半導(dǎo)體厚膜與該第二襯底的方法包括利用化學(xué)蝕刻或機(jī)械力分離。
9. 如權(quán)利要求8所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中分離該氮 化物半導(dǎo)體厚膜與該第二襯底的方法包括同時(shí)交互使用化學(xué)蝕刻以及機(jī)械 力，以加速分離。
10. 如權(quán)利要求8所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中該化學(xué)蝕 刻的溶液包4舌HF或緩沖氧化物蝕刻液。
11. 如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體村底的制造方法，其中提供該第 二襯底之后還包括構(gòu)圖該第二介質(zhì)層表面。
12. 如權(quán)利要求l所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中將該第一 襯底的該氮化物半導(dǎo)體模板層以及該第 一介質(zhì)層轉(zhuǎn)移到該第二襯底的該第 二介質(zhì)層上之后，還包括對該氮化物半導(dǎo)體模板層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨或反應(yīng) 離子蝕刻，以得到外延級的表面。
13. 如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中分離該氮 化物半導(dǎo)體厚膜與該第二襯底之后，還包括對該氮化物半導(dǎo)體厚膜進(jìn)行表面 研磨工藝。
14. 如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中該氮化物 半導(dǎo)體厚膜的材料包括氮化鎵或氮化鋁。
15. —種具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底，包括 襯底；第一介質(zhì)層，堆疊于該襯底的表面上； 第二介質(zhì)層，堆疊于該第一介質(zhì)層的表面上；氮化物半導(dǎo)體材料，堆疊于該第二介質(zhì)表面上，其特征為在該氮化物 半導(dǎo)體材料的表面具有多個(gè)圖案。
16. 如權(quán)利要求15所述的具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底，其中該些圖 案包括直線型、網(wǎng)狀型或點(diǎn)狀分布型的圖案。
17. 如權(quán)利要求15所述的具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底，其中該襯底 的材料包括藍(lán)寶石、硅、GaP、 InP、石英、玻璃或陶瓷材料。
18. 如權(quán)利要求15所述的具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底，其中該第一 介質(zhì)層和該第二介質(zhì)層的材料各自獨(dú)立地包括Si02、 SbN4或旋轉(zhuǎn)涂布玻璃。
19. 如權(quán)利要求15所述的具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底，其中該氮化 物半導(dǎo)體材料的材料包括含有銦、鋁和鎵其中之一的半導(dǎo)體材料。
20. 如權(quán)利要求15所述的具有圖案結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料襯底，適用于制作 無支撐氮化物半導(dǎo)體襯底。
全文摘要
一種氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法是先提供一個(gè)第一襯底，這個(gè)第一襯底包括第一基材、堆疊于第一基材上的氮化物半導(dǎo)體模板層以及堆疊于氮化物半導(dǎo)體模板層上的第一介質(zhì)層。接著，構(gòu)圖第一介質(zhì)層和氮化物半導(dǎo)體模板層，再提供一個(gè)第二襯底，這個(gè)第二襯底包括第二基材以及堆疊于第二基材上的第二介質(zhì)層。隨后，以鍵合轉(zhuǎn)移工藝將第一襯底的氮化物半導(dǎo)體模板層以及第一介質(zhì)層轉(zhuǎn)移到第二襯底的第二介質(zhì)層上，然后利用一道外延工藝自氮化物半導(dǎo)體模板層生長一層氮化物半導(dǎo)體厚膜。之后，將氮化物半導(dǎo)體厚膜與第二襯底分離。
文檔編號H01L31/0248GK101097855SQ200610100109
公開日2008年1月2日 申請日期2006年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月28日
發(fā)明者劉文岳, 劉柏均, 蔡政達(dá), 賴志銘, 郭義德 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院