專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種成本低、易使用及效率高的制造半導(dǎo)體器件的方法及具有以窄間距排列的微凸點的高性能半導(dǎo)體器件，該制造半導(dǎo)體器件的方法使得在形成凸點時不需要形成或去除阻擋金屬。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子器件變薄、變小的趨勢，人們力圖減小半導(dǎo)體器件的尺寸和獲得更大的封裝密度。在這樣的背景之下，半導(dǎo)體器件中電極間距變小的趨勢產(chǎn)生了新的獲得微間距凸點的需要——例如，柱形電極(凸點)現(xiàn)今已得到適當(dāng)?shù)厥褂?。在此，傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的實例在圖9中示出。
在圖9所示的半導(dǎo)體器件中，等間距設(shè)置的電極焊盤510形成在半導(dǎo)體襯底500的一個表面上，覆蓋膜520形成在半導(dǎo)體襯底500上，覆蓋各個電極焊盤510之間的間隙。保護(hù)膜530延伸在半導(dǎo)體襯底500上，覆蓋覆蓋膜520的整個表面和各個電極焊盤510的一部分。焊料凸點550形成在電極焊盤510上，且阻擋金屬540位于焊料凸點550與電極焊盤510之間。阻擋金屬540具有提高電極焊盤510與焊料凸點550之間的粘附性的功能。
在這種外部端子結(jié)構(gòu)中，需要在減小凸點間距的同時將阻擋金屬540小型化。然而，這種小型化難以實現(xiàn)并導(dǎo)致不期望的成本增加。此外，當(dāng)使用這樣的焊料凸點時，它們在回流處理中變?yōu)榻咏蛐?，從而難以獲得更微小的凸點間距。注意在這種傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件中，能夠以大約170μm至220μm的間距形成凸點。
已提出了如下幾種用于形成凸點的方法一種方法是在形成于被覆蓋的電路板上的電極周圍設(shè)置開口，并利用刮板(squeegee)在上述開口中嵌入已在減壓環(huán)境下涂在電路板上的焊料(參見日本特開(JP-A)No.2004-128354)；另一種方法是在減壓環(huán)境下將焊膏印刷在具有焊盤(solderpad)的印刷布線板上(參見日本特開(JP-A)No.2002-111192)。然而，通過這些方法形成的凸點存在一個問題由于它們由焊料形成，在回流處理中會變?yōu)榍蛐?，因此凸點間距不夠窄。
此外，有一種已知的方法利用電鍍形成凸點。通過這種方法，阻擋金屬一般形成在凸點與互連(或焊盤)之間。這樣的阻擋金屬具有如下優(yōu)點通過電鍍在焊盤上形成凸點時，增加了凸點與焊盤之間的粘附性并用作公共電極。凸點間距變小的趨勢要求阻擋金屬小型化；然而，阻擋金屬的小型化難以實現(xiàn)并導(dǎo)致不期望的成本增加，從而與減少單個半導(dǎo)體器件和封裝的成本的趨勢相背離。
另外，還提出了如下方法作為凸點的形成方法在焊盤表面上形成用與阻擋金屬相同的材料制成的抗反射膜，而省略阻擋金屬形成工藝，然后將抗反射膜在形成凸點的電鍍期間用作公共電極(參見日本特開(JP-A)No.8-162456)。然而，通過這種方法，在形成凸點之后，多余的互連層露在外面，需要將其去除。為此，需要采用與傳統(tǒng)的阻擋層去除工藝類似的工藝，因此這種方法就簡化制造工藝而言不符合要求。
因此，已提供一種成本低、易使用及效率高的制造半導(dǎo)體器件的方法及具有以窄間距排列的微凸點的高性能半導(dǎo)體器件，該制造半導(dǎo)體器件的方法使得在形成凸點時不需要形成或去除阻擋金屬，并能夠以窄間距形成凸點。
本發(fā)明的目的是解決上述傳統(tǒng)問題并實現(xiàn)以下所述的目的。具體地，本發(fā)明的目的是提供一種成本低、易使用及效率高的制造半導(dǎo)體器件的方法及具有以窄間距排列的微凸點的高性能半導(dǎo)體器件，該制造半導(dǎo)體器件的方法使得在形成凸點時不需要形成或去除阻擋金屬。

發(fā)明內(nèi)容
以下是解決上述問題的手段。
本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法包括如下步驟在半導(dǎo)體襯底的一個表面上形成多個電極焊盤；形成覆蓋在各個電極焊盤的周邊的絕緣層；在該絕緣層上有選擇地形成掩模層；清洗電極焊盤的沒有被絕緣層覆蓋的表面；在由該絕緣層和該掩模層界定的區(qū)域中形成外部端子，使其與所述電極焊盤接觸；以及去除掩模層。
在這種方法中，首先，在半導(dǎo)體襯底的一個表面上形成多個電極焊盤。形成覆蓋在各個電極焊盤的周邊的絕緣層。在絕緣層上有選擇地形成掩模層。清洗電極焊盤的沒有被絕緣層覆蓋的表面。在由絕緣層和掩模層界定的區(qū)域中形成外部端子，使其與電極焊盤接觸。最后，去除掩模層。在去除掩模層的步驟中，未暴露電極焊盤。例如，當(dāng)阻擋金屬形成在半導(dǎo)體襯底上且凸點(外部端子)形成在阻擋金屬上時，需要去除阻擋金屬的暴露部位的一部分。然而，在本發(fā)明的方法中，不需要形成這樣的阻擋金屬，也就不需要將其去除。因此，通過本發(fā)明的方法，能夠容易、高效且低成本地制造具有以窄間距排列的凸點的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括多個電極焊盤，形成在半導(dǎo)體襯底的一個表面上；覆蓋在各個電極焊盤的周邊的絕緣層；以及外部端子，形成在所述電極焊盤上并與所述電極焊盤接觸，所述外部端子具有基本上平行于所述電極焊盤表面的平坦表面。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，外部端子與電極焊盤直接接觸，通常，在外部端子與電極焊盤之間不形成阻擋金屬。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有以窄間距排列的微凸點并具有高性能。


圖1A為說明本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例(實例1)的第一剖視圖。
圖1B為說明本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例(實例1)的第二剖視圖。
圖2A為示出在本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例(實例1)中，由有機(jī)絕緣層界定的開口尺寸A與將形成外部端子的開口尺寸B之間關(guān)系的實例的示意圖。
圖2B為示出在本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例(實例1)中，由有機(jī)絕緣層界定的開口尺寸A與光阻層中的開口尺寸C之間關(guān)系的實例的示意圖。
圖3為在本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例(實例1)中使用的凸點形成裝置的實例的示意圖。
圖4A為說明本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例(實例1)的第三剖視圖，示出在圖1B所示的步驟之后進(jìn)行的步驟。
圖4B為說明本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例(實例1)的第四剖視圖。
圖4C為說明本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例(實例1)的第五剖視圖。
圖5為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第一實例(實例1)的垂直剖視圖。
圖6為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第二實例(實例2)的垂直剖視圖。
圖7為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第三實例(實例3)的垂直剖視圖。
圖8為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第四實例(實例4)的垂直剖視圖。
圖9為示出傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的垂直剖視圖。
具體實施例方式
下面，參照實例描述本發(fā)明的半導(dǎo)體器件及本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法，然而上述實例不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明。
(實例1)參照附圖描述本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的第一實例。
根據(jù)特定的晶片處理，在由硅(Si)制成的半導(dǎo)體襯底(晶片)10的上表面(一個表面)上形成多個半導(dǎo)體器件。
然后，如圖1A所示，在半導(dǎo)體器件上以如下方式有選擇地形成無機(jī)絕緣層14無機(jī)絕緣層14覆蓋構(gòu)成半導(dǎo)體器件外部端子的各個電極焊盤12的周邊，而有選擇地暴露外部端子的一部分。此外，在半導(dǎo)體器件上形成覆蓋無機(jī)絕緣層14的上表面和側(cè)表面的有機(jī)絕緣層16。
構(gòu)成電極焊盤12的材料的實例包括主要由鋁(Al)組成的材料(例如Al-Cu、Al-Si以及Al-Cu-Ti)和銅(Cu)，而電極焊盤12的厚度設(shè)定為大約0.5μm至2μm。
無機(jī)絕緣層14為由下層和上層構(gòu)成的疊層，下層由二氧化硅(SiO2)制成，上層由氮化硅制成(SiN)，并且無機(jī)絕緣層14的厚度設(shè)定為大約300μm至800μm。
有機(jī)絕緣層16由聚酰亞胺樹脂制成，并且有機(jī)絕緣層16的厚度設(shè)定為大約1μm至20μm。
通過設(shè)置這種有機(jī)絕緣層16，可以防止水通過無機(jī)絕緣層14與電極焊盤12之間留下的間隙侵入，并可以減少下文將描述的外部端子(凸點)上的機(jī)械應(yīng)力。
接下來，在半導(dǎo)體器件上形成覆蓋有機(jī)絕緣層16和暴露的電極焊盤12的光阻層，然后對光阻層進(jìn)行選擇性曝光和顯影，從而形成在相應(yīng)于電極焊盤12的位置具有開口18的光阻層20，如圖1B所示。
光阻層20在以下描述的工藝中用作掩模層。在此工藝中，光阻層20的圖案設(shè)計為使得有選擇地覆蓋電極焊盤12的有機(jī)絕緣層16的頂部的一部分暴露在開口中。即，光阻層20以使得電極焊盤12和有機(jī)絕緣層16均部分地暴露的方式設(shè)置在半導(dǎo)體器件上。更具體地，如果假定已經(jīng)去除光阻層20，如圖2A所示，外部端子(凸點)Mb以如下方式形成為了在有機(jī)絕緣層16的表面上延伸，外部端子Mb的尺寸B大于由有機(jī)絕緣層16界定的開口尺寸A(即A＜B)。此外，光阻層20的開口尺寸C大于開口尺寸A(即A＜C)，如圖2B所示。
注意構(gòu)成光阻層20的光阻材料可由正光阻材料或負(fù)光阻材料形成，并且可根據(jù)所需的圖案精度，例如根據(jù)曝光光源(exposure light)的波長(例如g線、i線、或KrF)進(jìn)行選擇?？刹捎盟苄怨庾璨牧匣蚰?片)型光阻材料。光阻層20的厚度設(shè)定為大約150μm。
使用凸點形成裝置700(其示意結(jié)構(gòu)在圖3中示出)，在形成有掩模層的半導(dǎo)體襯底(晶片)10上形成外部端子(凸點)，其中該掩模層由光阻層20形成。
凸點形成裝置700包括第一處理腔71，用于去除出現(xiàn)在形成于半導(dǎo)體晶片10上的半導(dǎo)體器件中的各個電極焊盤12的暴露表面上的氧化物膜；第二處理腔72，用于將含有金屬材料的、用于凸點的膏體(paste)填入由光阻層20界定的區(qū)域中；以及第三處理腔73，用于加熱膏體。
晶片轉(zhuǎn)移腔75中的轉(zhuǎn)移臂(圖中未示出)將半導(dǎo)體晶片10從一個腔轉(zhuǎn)移到另一個腔或者從晶片設(shè)定腔74轉(zhuǎn)移到某一個腔。凸點形成裝置700保持在真空或者減壓狀態(tài)下，從而各個腔可適當(dāng)?shù)乇３衷谡婵栈蛘邷p壓狀態(tài)下。
首先，將給定數(shù)目的半導(dǎo)體晶片10放置在凸點形成裝置700的晶片設(shè)定腔74中，并將各個處理腔抽空以形成真空。
隨后，通過轉(zhuǎn)移臂，將置于晶片設(shè)定腔74中的一個半導(dǎo)體晶片10轉(zhuǎn)移至第一處理腔(氧化物膜去除腔)71。在第一處理腔71中，去除出現(xiàn)在形成于半導(dǎo)體晶片10上的各個半導(dǎo)體器件的電極焊盤12的暴露表面上的氧化物膜。更具體地，如圖4A所示，去除出現(xiàn)在由有機(jī)絕緣層16界定的開口18中的各個電極焊盤12的暴露表面上的氧化物膜42，從而使各個電極焊盤12的金屬層表面暴露在開口18中。
氧化物膜42可通過清洗處理去除，在清洗處理中使用CHF3和O2的混合氣體、CHF4和O2的混合氣體、O2氣體、或N2氣體。此清洗處理優(yōu)選在20℃至200℃的溫度下且在0.5kW至2.0kW的輸出功率下進(jìn)行。
可選擇地，氧化物膜42可通過使用氬(Ar)氣或氮(N2)氣的RF濺射方法、或者通過使用甲酸氣體的還原處理來去除。
當(dāng)采用RF濺射方法時，該方法優(yōu)選在50℃至200℃的溫度下且在0.5kW至2.0kW的輸出功率下進(jìn)行。同時，當(dāng)采用還原處理時，該處理優(yōu)選在20℃至200℃的溫度下進(jìn)行。
然后，在第一處理腔71中已去除開口18暴露出的電極焊盤12上的氧化物膜42的情況下，通過轉(zhuǎn)移臂將半導(dǎo)體晶片10從第一處理腔71轉(zhuǎn)移至第二處理腔(膏體填充腔)72。此時，凸點形成裝置700保持在真空或減壓狀態(tài)下，并且各個腔適當(dāng)?shù)乇３衷谡婵栈驕p壓狀態(tài)下，從而防止形成于半導(dǎo)體晶片10上的半導(dǎo)體器件的電極焊盤12表面氧化。
然后，在第二處理腔72中，將含金屬材料的膏體填入由光阻層20界定的區(qū)域中，即將含金屬材料的膏體放置在形成于半導(dǎo)體晶片10上的各個半導(dǎo)體器件的電極焊盤12的暴露表面上。更具體地，在真空或減壓狀態(tài)下，將由含金屬粒子(粉末)的樹脂制成的導(dǎo)電膏體44填入由光阻層20界定的區(qū)域中并與光阻層20的頂部高度平齊。這種狀態(tài)在圖4B中示出。
注意由于第二處理腔72在填充導(dǎo)電膏體44時保持在真空或減壓狀態(tài)下，因此沒有空氣進(jìn)入設(shè)置于電極焊盤12上且由有機(jī)絕緣層16界定的開口18中。因此，可以在不包含氣泡(氣孔)的情況下填充導(dǎo)電膏體。
用于金屬粒子(粉末)的材料沒有具體限制，并可根據(jù)特定目的而適當(dāng)?shù)剡x擇。實例包括銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銦(In)、鍺(Ge)、銻(Sb)及鋅(Zn)。這些金屬可單獨使用或者組合使用，兩種或更多種金屬的混合物、這些金屬的合金以及合金的混合物都可以使用。
同時，熱固樹脂(thermosetting resin)可用作上述樹脂。然而，這些熱固樹脂需要在低于所用金屬的熔點的溫度下進(jìn)行固化。為此，當(dāng)使用銅(Cu，熔點1083℃)時，采用環(huán)氧樹脂。
除了熱固樹脂之外，也可以采用光固化樹脂(photocurable resin)。
金屬粒子(粉末)的含量沒有具體限制，并可根據(jù)特定目的而適當(dāng)?shù)剡x定。例如，金屬-樹脂的質(zhì)量比優(yōu)選為95∶5至70∶30。
然后，在第二處理腔72中已將導(dǎo)電膏體44放置在開口18暴露出的電極焊盤12上的情況下，通過轉(zhuǎn)移臂將半導(dǎo)體晶片10從第二處理腔72轉(zhuǎn)移至第三處理腔(膏體固化腔)73。此時，凸點形成裝置700保持在真空或減壓狀態(tài)下，并且各個腔適當(dāng)?shù)乇３衷谡婵栈驕p壓狀態(tài)下。
在第三處理腔73中，在真空或減壓狀態(tài)下加熱半導(dǎo)體晶片10以固化導(dǎo)電膏體44，從而形成外部端子(凸點)46。這種狀態(tài)在圖4C中示出。
在上述熱處理期間，第三處理腔73保持在真空或減壓狀態(tài)下。為此，即使當(dāng)氣體已經(jīng)從導(dǎo)電膏體44放出時，上述氣體也不可能結(jié)合到外部端子(凸點)46中。
上述處理中的加熱溫度根據(jù)構(gòu)成導(dǎo)電膏體44的樹脂材料和該樹脂材料所含的金屬材料來確定。如果導(dǎo)電膏體44由上述的環(huán)氧樹脂制成，則將其加熱至大約200℃。
在本實例中，在形成于半導(dǎo)體晶片上的各個半導(dǎo)體器件的電極焊盤上形成外部端子時，如上所述，與去除出現(xiàn)在電極焊盤上的氧化物膜和在電極焊盤上形成外部端子(凸點)的工藝相關(guān)的清洗工藝均在真空或減壓狀態(tài)下進(jìn)行。通過這種方式，為了形成外部端子(凸點)而設(shè)計的樹脂膏體被放置在外部端子上，并覆蓋外部端子。此時，在電極焊盤與樹脂膏體之間既不會產(chǎn)生絕緣物質(zhì)(例如氧化物膜)，也不會產(chǎn)生氣孔，從而可在電極焊盤與外部端子(凸點)之間提供高粘附性并可確保電極焊盤與外部端子(凸點)之間的低阻電連接和高機(jī)械接合強(qiáng)度。
然后，在第三處理腔73中已經(jīng)過熱處理而在電極焊盤12上形成外部端子(凸點)46的半導(dǎo)體晶片10，通過轉(zhuǎn)移臂從第三處理腔73轉(zhuǎn)移至晶片設(shè)定腔74。
使晶片設(shè)定腔74的壓強(qiáng)恢復(fù)到大氣壓之后，將半導(dǎo)體晶片10從晶片設(shè)定腔74中取出，并且通過用蝕刻劑如堿性溶劑溶解光阻層20或者通過將光阻層20從半導(dǎo)體晶片10上剝離，從而去除半導(dǎo)體晶片10上的光阻層20。通過這種方式，在半導(dǎo)體晶片10上形成多個獨立且清晰的外部端子(凸點)46，各個外部端子46具有接近平坦的上表面。這種狀態(tài)在圖5中示出。
在具有排列在電極焊盤12上的外部端子(凸點)46的半導(dǎo)體器件100中，沒有所謂的阻擋層形成在電極焊盤12與外部端子(凸點)46之間的界面處，如圖5所示。這表明不需要制備用于這種阻擋層的材料及其形成工藝。此外，在電極焊盤12與外部端子(凸點)46之間可提供高粘附性，并可確保電極焊盤12與外部端子(凸點)46之間的低阻電連接和高機(jī)械接合強(qiáng)度。
如上文所述，要求半導(dǎo)體器件更小、更密集及性能更高的同時，半導(dǎo)體器件中外部端子(凸點)的數(shù)目趨于增加。因此，沿著半導(dǎo)體器件的橫截面，各個外部端子(凸點)的水平尺寸B(參見圖5)需要設(shè)定為100μm或更小，而且近來設(shè)定為10μm至30μm。此外，相鄰?fù)獠慷俗?凸點)之間的距離，或者端子間距D(參見圖5)需要設(shè)定為150μm或更小，而且近來設(shè)定為130μm或更小。
為此，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件設(shè)計為使得外部端子(凸點)46具有基本上平行于電極焊盤12表面的平坦表面。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的凸點46的高度(厚度)小于傳統(tǒng)球形凸點的高度；從而可以減小半導(dǎo)體器件的尺寸并使半導(dǎo)體器件變薄。
注意盡管本實例的半導(dǎo)體器件的外部端子(凸點)46如上所述，與光阻層20一樣高(厚)，但外部端子(凸點)46的高度(厚度)不必一定與光阻層20的高度(厚度)相同；只需要外部端子(凸點)46的高度(厚度)至少為光阻層20的高度(厚度)的三分之二。
注意可以對本發(fā)明的半導(dǎo)體器件進(jìn)行多種修改，如下文描述的實例中所表明的。
(實例2)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第二實例在圖6中示出。
在圖6所示的半導(dǎo)體器件200中，有機(jī)絕緣層16以如下方式形成在無機(jī)絕緣層14上有機(jī)絕緣層16沒有覆蓋無機(jī)絕緣層14的側(cè)表面。更具體地，有機(jī)絕緣層16和無機(jī)絕緣層14具有相同的圖案。
通過這種結(jié)構(gòu)，界定開口(由此暴露電極焊盤12)的兩個絕緣層(即有機(jī)絕緣層16和無機(jī)絕緣層14)的處理變得易于進(jìn)行，并且也可以減小開口的尺寸。
外部端子(凸點)46接觸電極焊盤12，而沒有所謂的阻擋層位于外部端子(凸點)46與電極焊盤12之間，并且外部端子(凸點)46部分地延伸在無機(jī)絕緣層14的表面上。
此外，通過這種結(jié)構(gòu)，可省略阻擋金屬形成工藝，從而能夠以低成本形成以凸點間距排列的精細(xì)的外部端子(凸點)。
(實例3)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第三實例在圖7中示出。
在圖7所示的半導(dǎo)體器件300中，有機(jī)絕緣層16以如下方式形成在無機(jī)絕緣層14上有機(jī)絕緣層16沒有覆蓋無機(jī)絕緣層14的側(cè)表面，并且有機(jī)絕緣層16的端部與各個外部端子(凸點)的側(cè)表面接觸。
通過這種結(jié)構(gòu)，能夠降低對處理有機(jī)絕緣層16的精度要求，同時能夠以高精度處理無機(jī)絕緣層14，從而能夠進(jìn)一步減小開口的尺寸。
外部端子(凸點)46接觸電極焊盤12，而沒有所謂的阻擋層位于外部端子(凸點)46與電極焊盤12之間，并且外部端子(凸點)46部分地延伸在無機(jī)絕緣層14的表面上。
此外，通過這種結(jié)構(gòu)，可省略阻擋金屬形成工藝，從而能夠以低成本形成以窄間距排列的精細(xì)的外部端子(凸點)。
(實例4)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第四實例在圖8中示出。
在圖8所示的半導(dǎo)體器件400中，保護(hù)層16A以如下方式有選擇地形成在無機(jī)絕緣層14上保護(hù)層16A沒有覆蓋無機(jī)絕緣層14的側(cè)表面，并且保護(hù)層16A與外部端子(凸點)46分離。
由于保護(hù)層16A與外部端子(凸點)46分離，因此保護(hù)層16A的絕緣性可較低。
由于在制造過程中碳不適宜地進(jìn)入無機(jī)絕緣層14的表面，因此無機(jī)絕緣層14的絕緣性降低，從而需要進(jìn)行去除含碳部分的工藝。然而，如本實例中所表明的，通過在無機(jī)絕緣層14上以與外部端子(凸點)46分離的方式有選擇地形成保護(hù)層16A，可省略這樣的工藝。通過這種結(jié)構(gòu)，也能夠以高精度處理無機(jī)絕緣層14，從而易于減少開口的尺寸。
外部端子(凸點)46接觸電極焊盤12，而沒有所謂的阻擋層位于外部端子(凸點)46與電極焊盤12之間，并且外部端子(凸點)46部分地延伸在無機(jī)絕緣層14的表面上。
此外，通過這種結(jié)構(gòu)，可省略阻擋金屬形成工藝，從而能夠以低成本形成以窄間距排列的精細(xì)的外部端子(凸點)。
此外，由于本實例的外部端子(凸點)46形成在無機(jī)絕緣層14上，它們的高度比實例1中外部端子(凸點)46的高度小對應(yīng)于有機(jī)絕緣層16厚度的量。因此，可以制造更小的半導(dǎo)體器件。
根據(jù)本發(fā)明，可以解決上述傳統(tǒng)問題，并可以提供一種成本低、易使用及效率高的制造半導(dǎo)體器件的方法及具有以窄間距排列的微凸點的高性能半導(dǎo)體器件，該制造半導(dǎo)體器件的方法使得在形成凸點時不需要形成或去除阻擋金屬。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有以窄間距排列的微凸點并具有高性能。
本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法使得不需要形成或去除阻擋金屬，并能夠廉價而高效地制造半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的方法尤其適用于制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟在半導(dǎo)體襯底的一個表面上形成多個電極焊盤；形成覆蓋在各個電極焊盤(12)的周邊的絕緣層；在該絕緣層上有選擇地形成掩模層；清洗所述電極焊盤的沒有被絕緣層覆蓋的表面；在由該絕緣層和該掩模層界定的區(qū)域中形成外部端子，使其與所述電極焊盤接觸；以及去除掩模層。
2.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中清洗所述電極焊盤表面的步驟和形成所述外部端子的步驟是在真空或減壓狀態(tài)下進(jìn)行的。
3.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中清洗所述電極焊盤表面的步驟和形成所述外部端子的步驟是在同一裝置的不同腔中進(jìn)行的。
4.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在清洗所述電極焊盤表面的步驟中，通過選自灰化、RF濺射以及使用甲酸的回流的至少一種工藝，來去除形成于各個電極焊盤上的氧化物膜。
5.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中該掩模層由光阻層形成。
6.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中該掩模層是通過對光阻層進(jìn)行選擇性曝光和顯影而形成。
7.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中形成外部端子的步驟是通過將金屬和可固化樹脂的混合物填入所述電極焊盤上方的由該絕緣層和該掩模層界定的區(qū)域而進(jìn)行的，并且該可固化樹脂為熱固樹脂和光固化樹脂的至少其中之一。
8.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述外部端子形成為與該掩模層基本上一樣高。
9.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述外部端子的直徑為100μm或更小。
10.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中相鄰的外部端子之間的距離為150μm或更小。
11.一種半導(dǎo)體器件，包括多個電極焊盤，形成在半導(dǎo)體襯底的一個表面上；絕緣層，覆蓋在各個電極焊盤的周邊；以及外部端子，形成在所述電極焊盤上并與所述電極焊盤接觸，所述外部端子具有基本上平行于所述電極焊盤表面的平坦表面。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述外部端子是由金屬和可固化樹脂的混合物形成，并且該可固化樹脂為熱固樹脂和光固化樹脂的至少其中之一。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中相鄰的外部端子之間的距離為150μm或更小。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成本低、易使用及效率高的制造半導(dǎo)體器件的方法及具有以窄間距排列的微凸點的高性能半導(dǎo)體器件，該制造半導(dǎo)體器件的方法使得在形成凸點時不需要形成或去除阻擋金屬。該方法包括如下步驟在半導(dǎo)體襯底(10)的一個表面上形成多個電極焊盤(12)；形成覆蓋在各個電極焊盤(12)的周邊的絕緣層，例如無機(jī)絕緣層(14)和有機(jī)絕緣層(16)；在所述絕緣層(14，16)上有選擇地形成掩模層(20)；清洗電極焊盤(12)的沒有被所述絕緣層(14，16)覆蓋的表面；在由所述絕緣層(14，16)和該掩模層(20)界定的區(qū)域中形成外部端子(46)，使其與所述電極焊盤(12)接觸；以及去除該掩模層(20)。
文檔編號H01L23/485GK101026109SQ20061010002
公開日2007年8月29日 申請日期2006年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月17日
發(fā)明者藤森城次 申請人:富士通株式會社