技術(shù)編號：6875897
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種成本低、易使用及效率高的制造半導(dǎo)體器件的方法及具有以窄間距排列的微凸點(diǎn)的高性能半導(dǎo)體器件，該制造半導(dǎo)體器件的方法使得在形成凸點(diǎn)時(shí)不需要形成或去除阻擋金屬。背景技術(shù) 近年來，隨著電子器件變薄、變小的趨勢，人們力圖減小半導(dǎo)體器件的尺寸和獲得更大的封裝密度。在這樣的背景之下，半導(dǎo)體器件中電極間距變小的趨勢產(chǎn)生了新的獲得微間距凸點(diǎn)的需要——例如，柱形電極(凸點(diǎn))現(xiàn)今已得到適當(dāng)?shù)厥褂?。在此，傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的實(shí)例在圖9中示出。在圖9所示的半導(dǎo)體器件中，等...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。