專利名稱：：疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器，且特別是涉及一種疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
：圖1A為繪示一現(xiàn)有低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的一像素的上視圖，該像素內(nèi)形成有一儲存電容器。圖1B為繪示沿著圖1A所示的像素的剖面線A-A’而得的剖面圖。圖1C為繪示圖1A所示的像素的等效電路圖。如圖1A所示，一像素10內(nèi)有一儲存電容器12、一薄膜晶體管14、及一形成于上方的像素電極140。其中，一信號線16與一柵極線18交錯于上述薄膜晶體管14附近，并且配置于上述像素10周邊。上述像素電極140與上述儲存電容器12通過介層窗146而與上述薄膜晶體管14形成電性接觸。如圖1B所示，現(xiàn)有技術(shù)提供一基板104、一緩沖層108、一作為第一導(dǎo)電層的多晶硅層112、一柵極絕緣層116、第二導(dǎo)電層120、第一層間介電層124、以及第二層間介電層128。上述多晶硅層112、上述第二導(dǎo)電層120、以及介于上述多晶硅層112與上述第二導(dǎo)電層120之間的上述柵極絕緣層116共同組成上述儲存電容器(Cst)12。接著，通過現(xiàn)有技術(shù)形成一金屬層132。之后，通過現(xiàn)有工藝在上述金屬層132及第二層間介電層128上形成具有介層窗146的保護(hù)層136。一透明像素電極140順應(yīng)性地形成在上述保護(hù)層136與介層窗146上。上述透明像素電極140包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。而且，在上述基板104的另外一側(cè)放置一背光模塊148，而完成用于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板100。其中，箭頭144代表來自上述背光模塊148的光線。圖1C為繪示圖1A所示的像素的等效電路圖。為了符合日益增加的高分辨率的要求，因此像素尺寸必須縮小，結(jié)果用于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的儲存電容器所占用的面積也必須同時減少，以維持適當(dāng)開口率。在此同時，很容易發(fā)生閃爍、影像殘留、以及光線干擾(cross-talk)等問題。因此，業(yè)界亟需一種新的儲存電容器結(jié)構(gòu)，可以在不犧牲像素的開口率的情況下增加儲存電容量；或是在增加低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的開口率的同時，也維持一定的儲存電容量。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明揭露一種用于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例包括一基板、一第一儲存電容器、及一第二儲存電容器。上述第一儲存電容器包括一第一導(dǎo)電層、一第二導(dǎo)電層、以及一位于上述第一導(dǎo)電層與上述第二導(dǎo)電層之間的第一絕緣層，其中上述第二導(dǎo)電層置于上述第一導(dǎo)電層上，且其中上述第一儲存電容器置于上述基板上。此疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)還包括一第三導(dǎo)電層，且此第三導(dǎo)電層包括一第一部分與一延伸的第二部分。上述第二儲存電容器包括上述第二導(dǎo)電層、上述第三導(dǎo)電層的上述延伸的第二部分、以及一位于上述第二導(dǎo)電層與上述第三導(dǎo)電層的上述延伸的第二部分之間的第二絕緣層，其中上述第三導(dǎo)電層的上述延伸的第二部分置于上述第二導(dǎo)電層上，且其中上述第二儲存電容器置于上述第一儲存電容器上并形成電性接觸。此第一優(yōu)選實(shí)施例還包括一保護(hù)層以及一像素電極，其中上述保護(hù)層內(nèi)形成有一介層窗，且上述像素電極置于上述保護(hù)層上。而且，上述像素電極透過上述介層窗而與上述第三導(dǎo)電層的上述第一部分形成電性接觸。此外，本第一優(yōu)選實(shí)施例還包括置于上述第二絕緣層與上述第三導(dǎo)電層的上述延伸的第二部分之間的一第三絕緣層，其中上述第三絕緣層與第二絕緣層具有一內(nèi)凹部分。另外，一第二優(yōu)選實(shí)施例還包括一第三絕緣層。此第三絕緣層置于上述第二導(dǎo)電層與上述第三導(dǎo)電層的上述延伸的第二部分之間，其中上述第二絕緣層具有一內(nèi)凹部分，而上述第二導(dǎo)電層的一第三部分在上述內(nèi)凹部分被上述第三絕緣層直接覆蓋。根據(jù)上述本發(fā)明的第一與第二實(shí)施例，上述第三導(dǎo)電層的上述延伸部分被用以建構(gòu)上述第二儲存電容器，而上述第二儲存電容器置于上述第一儲存電容器上，并不額外占用像素面積。因此，可以在不影響開口率得情況下增加儲存電容量。尤其是，上述第三導(dǎo)電層的上述第一部分與上述延伸的第二部分同時形成，因此可以簡化工藝并降低成本。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。圖1A為繪示一現(xiàn)有低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的一像素的上視圖，該像素內(nèi)形成有一儲存電容器。圖1B為繪示沿著圖1A所示的像素的剖面線A-A’而得的剖面圖。圖1C為繪示圖1A所示的像素的等效電路圖。圖2A為繪示本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的一像素的上視圖，該像素內(nèi)形成有一疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)。圖2E為繪示沿著圖2A所示的像素的剖面線B-B’而得的剖面圖；圖2B、2C、2D和2E為繪示此疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)的工藝剖面圖。圖2F為繪示圖2A所示的像素的等效電路圖。圖2G為繪示一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板的剖面圖。圖3A為繪示本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的一像素的上視圖，該像素內(nèi)形成有一疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)。圖3G為繪示沿著圖3A所示的像素的剖面線C-C’而得的剖面圖；圖3B、3C、3D、3E、3F和3G為繪示此疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)的工藝剖面圖。圖3H為繪示一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板的剖面圖。圖4為繪示根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的示意圖。圖5為繪示與圖4所示的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器耦接的電子裝置的示意圖。簡單符號說明I、II、III、I’、II’、III’～區(qū)域；AA’～剖面線；10～像素；12～儲存電容器；14～薄膜晶體管；16～言號線；18～柵極線；100～薄膜晶體管陣列基板；104～基板；108～緩沖層；112～多晶硅層；116～柵極絕緣層；120～第二導(dǎo)電層；124～第一層間介電層；128～第二層間介電層；132～金屬層；136～保護(hù)層；140～像素電極；144～箭頭；146～介層窗；148～背光模塊；BB’～剖面線；20～像素；22～第一儲存電容器；24～薄膜晶體管；26～信號線；28～柵極線；29～第二儲存電容器；200～薄膜晶體管陣列基板；204～基板；208～緩沖層；212～多晶硅層；216～柵極絕緣層；220～第二導(dǎo)電層；224、224a～第一層間介電層；228、228a～第二層間介電層；230～開口；231～厚度；232～開口；232a～第一部份；232b～第二部份；236～保護(hù)層；240～像素電極；244～箭頭；246～介層窗；248～背光模塊；250～液晶層；252～彩色濾光片基板；2000～液晶顯示面板；CC’～剖面線；30～像素；32～第一儲存電容器；34～薄膜晶體管；36～信號線；38～柵極線；39～第二儲存電容器；300～薄膜晶體管陣列基板；304～基板；308～緩沖層；312～多晶硅層；316～柵極絕緣層；320～第二導(dǎo)電層；324、324a～第一層間介電層；326～開口；327～表面；328、328a～第二層間介電層；330～開口；332～第三導(dǎo)電層；332a～第一部份；332b～第二部分；336～保護(hù)層；340～像素電極；344～箭頭；346～介層窗；348～背光模塊；350～液晶層；352～彩色濾光片基板；3000～液晶顯示面板；3～控制器；4～液晶顯示器；5～輸入裝置；6～電子裝置。具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例圖2A為繪示本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的一像素的上視圖，該像素內(nèi)形成有一疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)。圖2E為繪示沿著圖2A所示的像素的剖面線B-B’而得的剖面圖；圖2B至2E為繪示此疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)的工藝剖面圖。圖2F為繪示圖2A所示的像素的等效電路圖。如圖2A所示，一像素20內(nèi)有一疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)、一薄膜晶體管24、及一形成于上方的像素電極240。其中，上述疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)包括第一儲存電容器(Cst)22與第二儲存電容器(Cst’)29。一信號線26與一柵極線28交錯于上述薄膜晶體管24附近，并且配置于上述像素20周邊。上述第二儲存電容器(Cst’)29置于上述第一儲存電容器(Cst)22上。上述像素電極240與上述疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)通過介層窗246而與上述薄膜晶體管24形成電性接觸。如圖2B所示，本實(shí)施例提供一基板204、一緩沖層208、一作為第一導(dǎo)電層的多晶硅層212、一柵極絕緣層216、第二導(dǎo)電層220、第一層間介電層224、以及第二層間介電層228。上述多晶硅層212、上述第二導(dǎo)電層220、以及介于上述多晶硅層212與上述第二導(dǎo)電層220之間的上述柵極絕緣層216共同組成上述第一儲存電容器(Cst)22。如圖2C所示，利用光刻蝕刻技術(shù)依序形成開口230與232。也就是說，一光致抗蝕劑圖案(圖未顯示)形成于上述第二層間介電層228上。在區(qū)域I之間的上述第二層間介電層228的一部分完全被蝕刻，而在區(qū)域I之間的上述第一層間介電層224的一部分被部分蝕刻，因而形成第二層間介電層228a與第一層間介電層224a。其中，上述蝕刻步驟利用上述光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，而進(jìn)行干蝕刻或濕蝕刻。上述第二層間介電層228a與第一層間介電層224a的厚度介于800與3000埃之間，優(yōu)選者是3000埃。但是，在區(qū)域I之間的上述第一層間介電層224a的優(yōu)選厚度231為1000埃。上述第一層間介電層包括氮化硅或氧化硅。如圖2D所示，利用現(xiàn)有化學(xué)氣相沉積法(CVD)、化學(xué)電鍍(ECP)、或物理氣相沉積法(PVD)以沉積一第三導(dǎo)電層。上述第三導(dǎo)電層包括一第一部份232a與一延伸的第二部分232b，其中此延伸的第二部分232b延伸并覆蓋上述第二層間介電層228a的一部份。上述第一部份232a與延伸的第二部分232b分別以區(qū)域II與III界定。上述開口232由鋁或銅等金屬材料所填充。上述第三導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層220、以及夾于上述第三導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層220之間的第一層間介電層224a構(gòu)成上述第二儲存電容器(Cst’)29。如圖2E所示，通過現(xiàn)有工藝在上述第三導(dǎo)電層與第二層間介電層228a上形成具有介層窗246的保護(hù)層236。一透明像素電極240順應(yīng)性地形成在上述保護(hù)層236與介層窗246上。上述透明像素電極240包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。而且，在上述基板204的另外一側(cè)放置一背光模塊248，而完成用于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板200。其中，箭頭244代表來自上述背光模塊248的光線。如圖2F所示，通過上述方法所得的包含上述第一儲存電容器(Cst)22與第二儲存電容器(Cst’)29的疊層儲存電容結(jié)構(gòu)，由于多了上述第二儲存電容器(Cst’)29的容量，因而具有較現(xiàn)有儲存電容器更大的容量。如圖2G所示，將上述一薄膜晶體管陣列基板200與一彩色濾光片基板252貼合并灌注液晶層250，以得到一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板2000。第二實(shí)施例圖3A為繪示本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的一像素的上視圖，該像素內(nèi)形成有一疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)。圖3G為繪示沿著圖3A所示的像素的剖面線C-C’而得的剖面圖；圖3B至3G為繪示此疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)的工藝剖面圖。如圖3A所示，一像素30內(nèi)有一疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)、一薄膜晶體管34、及一形成于上方的像素電極340。其中，上述疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)包括第一儲存電容器(Cst)32與第二儲存電容器(Cst’)39。一信號線36與一柵極線38交錯于上述薄膜晶體管34附近，并且配置于上述像素30周邊。上述第二儲存電容器(Cst’)39置于上述第一儲存電容器(Cst)32上。上述像素電極340與上述疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)通過介層窗346而與上述薄膜晶體管34形成電性接觸。如圖3B所示，本實(shí)施例提供一基板304、一緩沖層308、一作為第一導(dǎo)電層的多晶硅層312、一柵極絕緣層316、第二導(dǎo)電層320、以及第一層間介電層324。上述多晶硅層312、上述第二導(dǎo)電層320、以及介于上述多晶硅層312與上述第二導(dǎo)電層320之間的上述柵極絕緣層316共同組成上述第一儲存電容器(Cst)32。如圖3C所示，利用光刻蝕刻技術(shù)形成開口326。也就是說，一光致抗蝕劑圖案(圖未顯示)形成于上述第一層間介電層324上。接著，上述第一層間介電層324被蝕刻，因而形成第一層間介電層324a。其中，上述蝕刻步驟利用上述光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，而進(jìn)行干蝕刻或濕蝕刻。尤其是，位于區(qū)域I’內(nèi)的上述第一層間介電層324的一部分被完全移除，以致于露出上述第二導(dǎo)電層320的一部份表面327。如圖3D所示，一第二層間介電層328順應(yīng)性地沉積在上述第一層間介電層324a與上述第二導(dǎo)電層320的外露表面327上。上述第二層間介電層328的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法(CVD)或等離子體加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法(PECVD)。上述第二層間介電層328包括氮化硅或氧化硅，厚度介于400與1200埃之間，優(yōu)選者是介于600與700埃之間。如圖3E所示，通過干蝕刻或濕蝕刻的方式，蝕穿上述第二層間介電層328、上述第一層間介電層324a、以及上述柵極絕緣層316，直到露出上述多晶硅層312的一部份表面，并形成一開口330；另一方面，留下第二層間介電層328a、上述第一層間介電層324a、以與門極絕緣層316a。如第3F圖所示，利用現(xiàn)有化學(xué)氣相沉積法(CVD)、化學(xué)電鍍(ECP)、或物理氣相沉積法(PVD)以沉積一第三導(dǎo)電層332。上述第三導(dǎo)電層包括一第一部份332a與一延伸的第二部分332b，其中此延伸的第二部分332b延伸并覆蓋上述第二層間介電層328a的一部份。上述第一部份332a與延伸的第二部分332b分別以區(qū)域II與III界定。上述開口330由鋁或銅等金屬材料所填充。上述第三導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、以及夾于上述第三導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的第二層間介電層328a構(gòu)成上述第二儲存電容器(Cst’)39。如圖3G所示，通過現(xiàn)有工藝在上述第三導(dǎo)電層與第二層間介電層328a上形成具有介層窗346的保護(hù)層336。一透明像素電極340順應(yīng)性地形成在上述保護(hù)層336與介層窗346上。上述透明像素電極340包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。而且，在上述基板304的另外一側(cè)放置一背光模塊348，而完成用于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板300。其中，箭頭344代表來自上述背光模塊348的光線。類似圖2F所示，通過上述方法所得的包含上述第一儲存電容器(Cst)32與第二儲存電容器(Cst’)39的疊層儲存電容結(jié)構(gòu)，由于多了上述第二儲存電容器(Cst’)39的容量，因而具有較現(xiàn)有儲存電容器更大的容量。如圖3H所示，將上述一薄膜晶體管陣列基板300與一彩色濾光片基板352貼合并灌注液晶層350，以得到一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板3000。圖4為繪示結(jié)合圖2G所示的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板2000的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的示意圖。上述圖2G所示的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板2000耦接于一控制器3，而形成一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器4。上述控制器3包括一源極與柵極驅(qū)動電路(圖未顯示)，用以根據(jù)輸入而控制上述低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板2000。在此實(shí)施例中，上述圖4所示的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板2000可以替換為低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板3000。圖5為繪示與圖4所示低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器4耦接的電子裝置的示意圖。一輸入裝置5與圖4所示的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器4的控制器3耦接，而形成一電子裝置6。上述輸入裝置5可以包括一處理器，而此處理器可以輸入數(shù)數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù))至控制器3，以產(chǎn)生并維持影像。上述電子裝置6可以是一可攜式裝置，例如PDA、筆記型計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)(tabletcomputer)、移動電話；另外，上述電子裝置6也可以是一非可攜式裝置，例如桌上型計(jì)算機(jī)。根據(jù)上述本發(fā)明的第一與第二實(shí)施例，上述第三導(dǎo)電層的上述延伸部分被用以建構(gòu)上述第二儲存電容器，而上述第二儲存電容器置于上述第一儲存電容器上，并不額外占用像素面積。因此，可以在不影響開口率得情況下增加儲存電容量。尤其是，上述第三導(dǎo)電層的上述第一部分與上述延伸的第二部分同時形成，因此可以簡化工藝并降低成本。雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，用于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器，包括基板；第一儲存電容器，包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、以及位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的第一絕緣層，其中該第二導(dǎo)電層置于該第一導(dǎo)電層上，且其中該第一儲存電容器置于該基板上；第三導(dǎo)電層，包括第一部分與延伸的第二部分；以及第二儲存電容器，包括第二導(dǎo)電層、該第三導(dǎo)電層的該延伸的第二部分、以及位于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層的該延伸的第二部分之間的第二絕緣層，其中該第三導(dǎo)電層的該延伸的第二部分置于該第二導(dǎo)電層上，且其中該第二儲存電容器置于該第一儲存電容器上并形成電性接觸。2.如權(quán)利要求1所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，還包括保護(hù)層，其中該保護(hù)層內(nèi)形成有介層窗；以及像素電極，置于該保護(hù)層上；其中，該像素電極透過該介層窗而與該第三導(dǎo)電層的該第一部分形成電性接觸。3.如權(quán)利要求2所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，還包括第三絕緣層，置于該第二絕緣層與該第三導(dǎo)電層的該延伸的第二部分之間，其中該第三絕緣層與第二絕緣層具有一內(nèi)凹部分。4.如權(quán)利要求3所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三絕緣層的一第三部分與該第二絕緣層的第四部分直接接觸，其中該第二絕緣層的該第四部分的厚度較同層的其它部分厚。5.如權(quán)利要求4所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，該第二絕緣層的該第四部分的厚度介于800與1200埃之間。6.如權(quán)利要求5所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，其中該基板包括基板與上方的緩沖層。7.如權(quán)利要求6所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三導(dǎo)電層的該第一部分透過該第三絕緣層、該第二絕緣層、及該第一絕緣層而與該第一導(dǎo)電層形成電性接觸。8.如權(quán)利要求7所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，該第二絕緣層包括氮化硅。9.如權(quán)利要求2所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，還包括第三絕緣層，置于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層的該延伸的第二部分之間，其中該第二絕緣層具有內(nèi)凹部分，而該第二導(dǎo)電層的第三部分在該內(nèi)凹部分被該第三絕緣層直接覆蓋。10.如權(quán)利要求9所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三絕緣層的厚度介于400與1000埃之間。11.如權(quán)利要求10所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，其中該基板包括基板與上方的緩沖層。12.如權(quán)利要求11所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三導(dǎo)電層的該第一部分透過該第三絕緣層、該第二絕緣層、及該第一絕緣層而與該第一導(dǎo)電層形成電性接觸。13.如權(quán)利要求12所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三絕緣層包括氧化硅。14.一種低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板，包括如權(quán)利要求1所述的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)；彩色濾光片基板，相對于薄膜晶體管陣列基板；以及液晶層，置于該薄膜晶體管陣列基板與該彩色濾光片基板之間。15.一種低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器，包括如權(quán)利要求14所述的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板；以及控制器，耦接于該低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板，用于根據(jù)輸入而控制該面板以維持影像。16.一種電子裝置，包括如權(quán)利要求15所述的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器；以及輸入裝置，耦接于該低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示裝置的該控制器，用于控制該面板以維持影像。全文摘要本發(fā)明揭露一種用于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)，包括一基板、一第一儲存電容器、及一第二儲存電容器。上述第一儲存電容器包括一第一導(dǎo)電層、一第二導(dǎo)電層、以及一位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的第一絕緣層。此疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)還包括一第三導(dǎo)電層，且此第三導(dǎo)電層包括一第一部分與一延伸的第二部分。上述第二儲存電容器包括該第二導(dǎo)電層、該第三導(dǎo)電層的該延伸的第二部分、以及一位于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層的該延伸的第二部分之間的第二絕緣層。文檔編號H01L21/00GK1979316SQ200610078728公開日2007年6月13日申請日期2006年5月10日優(yōu)先權(quán)日2005年12月5日發(fā)明者李牧家,黃俊偉,呂宏哲,郭國鴻,李鴻斌,賴文貴,蔡佳怡,張育淇,李浩群,張煒熾申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司