專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種制作有機(jī)發(fā)光二極管面板的方法，尤指一種制造具有黑色矩陣層(Black Matrix)的有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法。
背景技術(shù)：
功能先進(jìn)的顯示器漸成為現(xiàn)今消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要特色，這些新型顯示器所發(fā)揮的作用，通常會強(qiáng)化使用者對于整體產(chǎn)品的印象。隨著顯示技術(shù)的進(jìn)步，越來越多的電子設(shè)備如移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記型計(jì)算機(jī)屏幕都配備有高分辨率彩色屏幕的新型顯示器。
不同于市面上常見的液晶顯示器利用加在液晶像素的電壓決定像素亮度，有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Display，OLED)發(fā)光強(qiáng)度是由LED順向偏壓電流決定像素亮度。有機(jī)發(fā)光顯示器利用自發(fā)光技術(shù)，不但不需要背光照明，還能提供比液晶顯示器更快的響應(yīng)時(shí)間。除此之外，有機(jī)發(fā)光顯示器甚至還有優(yōu)選的對比值和寬廣的視角等優(yōu)點(diǎn)。目前常見的有源有機(jī)發(fā)光顯示器使用低溫多晶硅(low temperature polycrystalline silicon，LTPS)工藝制造的顯示器。
請參閱圖1，圖1是應(yīng)用在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光二極管面板的薄膜晶體管(TFT)的結(jié)構(gòu)示意圖。習(xí)知技術(shù)在制作有機(jī)發(fā)光二極管面板100時(shí)，先提供一個(gè)玻璃基板102，并設(shè)置預(yù)定大小的黑色矩陣層(Black Matrix)101于玻璃基板102上。再依序沉積緩沖絕緣層104和一層非晶硅薄膜(未顯示)于黑色矩陣層101和玻璃基板102上，并經(jīng)由準(zhǔn)分子激光退火(excimer laser annealing，ELA)等工藝，使此非晶硅薄膜再結(jié)晶(recrystallize)成多晶硅薄膜。接著利用進(jìn)行第一微影蝕刻工藝(photo-etching-process，PEP)，以于多晶硅薄膜蝕刻出所需的半導(dǎo)體層(semiconductor layer)圖案，之后再沉積柵極絕緣層(gateinsulator)108覆蓋于半導(dǎo)體層106和緩沖絕緣層104表面。
然后再借著金屬沉積工藝和第二微影蝕刻來蝕刻出柵極金屬110。隨后即可利用柵極金屬110作為自我對準(zhǔn)(self-alignment)屏蔽，對半導(dǎo)體層106進(jìn)行硼離子等離子注入工藝，以形成源極(source)103和漏極(drain)105。接著沉積一層間絕緣層(inter-layer dielectric，ILD)112，并覆蓋柵極金屬110和柵極絕緣層108，再進(jìn)行第三微影蝕刻，用以去除源極103和漏極105上方的部份層間絕緣層112和柵極絕緣層108，以定義出介層洞(via hole)115。然后再進(jìn)行另一金屬沉積工藝，并進(jìn)行第四微影蝕刻，以蝕刻出信號線、漏極金屬等的金屬層114在介層洞115表面上，且分別電連接源極103和漏極105。接著沉積一平坦保護(hù)層(planarization layer)116于金屬層114和層間絕緣層112之上，并進(jìn)行第五微影蝕刻(PEP)，以去除電連接漏極105的金屬層114上方的部分保護(hù)層116。然后再形成氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)的透明導(dǎo)電薄膜(未顯示)于保護(hù)層116上，并進(jìn)行第六微影蝕刻，以定義出適當(dāng)大小的顯示電極118，隨后再于顯示電極118表面形成發(fā)光二極管120以及陰極金屬層(cathode metal layer)122，即完成習(xí)知技術(shù)中有機(jī)發(fā)光二極管面板100。
一般像素可分為發(fā)光區(qū)130以及非發(fā)光區(qū)132，簡單來說，利用黑色矩陣層101阻擋光線的區(qū)域即為非發(fā)光區(qū)132，而光線可穿透的區(qū)域130則為發(fā)光區(qū)。而黑色矩陣層101的目的主要是防止像素間的漏光，以及增加色彩的對比性，而且可以避免使用偏光片(Polarizer)所產(chǎn)生的發(fā)光效率耗損問題。目前常用于黑色矩陣層101為金屬薄膜，因?yàn)槲g刻容易，而且遮光效果好。然而目前的工藝中，黑色矩陣層101制作于最底層，之后再逐層制作其它各層。如圖2所示，圖2的習(xí)知黑色矩陣層101在高溫工藝后與晶體管其它各層所產(chǎn)生差異的示意圖。在LTPS工藝中，由于工藝的高溫會使得玻璃基板收縮，特別是在再結(jié)晶的工藝中所產(chǎn)生的溫度尤為強(qiáng)烈，因此造成以預(yù)先制作好的黑色矩陣層的圖案與后續(xù)制作的TFT的圖案無法配合，導(dǎo)致對位誤差(misalignment)。雖然可以利用預(yù)先回火的玻璃基板來避免此問題，可是回火玻璃的價(jià)格昂貴，并不利于降低成本。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此本發(fā)明提供一種有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管面板的制作方法，以解決上述問題。
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管面板的制作方法，包括提供基板；形成黑色矩陣層于該基板上，形成緩沖絕緣層于該黑色矩陣層上，同時(shí)圖案化該黑色矩陣層以及該緩沖絕緣層，以及形成包含顯示電極及薄膜晶體管于該緩沖絕緣層上。
本發(fā)明另提供一種有機(jī)發(fā)光二極管面板的制作方法，其包含提供基板，形成黑色矩陣層于該基板上，形成緩沖絕緣層于該基板上，形成半導(dǎo)體層于該緩沖絕緣層上，同時(shí)圖案化該黑色矩陣層以及該緩沖絕緣層，以及形成顯示電極于該半導(dǎo)體層上。
本發(fā)明又提供一種有機(jī)電致發(fā)光面板的制作方法，包括提供基板，形成黑色矩陣層于該基板上，形成緩沖絕緣層于該黑色矩陣層上，形成柵級金屬于該黑色矩陣層上；同時(shí)圖案化該黑色矩陣層以及該緩沖絕緣層，沉積柵極絕緣層覆蓋該柵級金屬以及該緩沖絕緣層上，以及形成半導(dǎo)體層及顯示電極于該柵極絕緣層上。
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管面板，其包含基板、黑色矩陣層、緩沖絕緣層、薄膜晶體管、顯示電極以及發(fā)光二極管。該黑色矩陣層設(shè)置于該基板上，具有第一圖形。該緩沖絕緣層覆蓋于該黑色矩陣層上，具有第二圖形，且該第二圖形大致等于該第一圖形。該薄膜晶體管以及該顯示電極設(shè)置于該緩沖絕緣層的上。該發(fā)光二極管覆蓋于該顯示電極上。


圖1是應(yīng)用在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光二極管面板的薄膜晶體管(TFT)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為習(xí)知黑色矩陣層在高溫工藝后與晶體管其它各層所產(chǎn)生差異的示意圖。
圖3至圖12繪示為依照本發(fā)明第一實(shí)施例的有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管面板的工藝示意圖。
圖13至圖22繪示為依照本發(fā)明第二實(shí)施例的有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管面板的工藝示意圖。
圖23至圖28繪示為依照本發(fā)明第三實(shí)施例的有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管面板(AMOLED)的工藝示意圖。
主要組件符號說明100有機(jī)發(fā)光顯示器 102基板101黑色矩陣層 103源極
104緩沖絕緣層105漏極106半導(dǎo)體層 108柵極絕緣層110柵極金屬 112層間絕緣層114金屬層115介層洞116保護(hù)層118顯示電極120有機(jī)發(fā)光二極管122陰極金屬層130發(fā)光區(qū)132非發(fā)光區(qū)200、300有機(jī)發(fā)光顯示器 202、302基板204、304黑色矩陣層 213、313源極206、306緩沖絕緣層 215、315漏極208、308半導(dǎo)體層 210、310柵極絕緣層211、311柵極金屬 212、312層間絕緣層218、318金屬層 217、317介層洞220、320平坦保護(hù)層 222、322顯示電極224、324有機(jī)發(fā)光二極管 226、326陰極金屬層250、350發(fā)光區(qū) 252、352非發(fā)光區(qū)400有機(jī)發(fā)光顯示器402基板404黑色矩陣層413源極406緩沖絕緣層415漏極408半導(dǎo)體層 410柵極絕緣層411柵極金屬 418金屬層420平坦保護(hù)層422顯示電極424有機(jī)發(fā)光二極管426陰極金屬層450發(fā)光區(qū)452非發(fā)光區(qū)具體實(shí)施方式
圖3至圖9繪示為依照本發(fā)明第一實(shí)施例的有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管面板(AMOLED)200的工藝示意圖。如圖3所示，首先提供一個(gè)玻璃基板202當(dāng)作下基板，再形成黑色矩陣層204于玻璃基板202。隨后如圖4所示，于黑色矩陣層204的表面上沉積一層緩沖絕緣層206并覆蓋在黑色矩陣層204上。接著在緩沖絕緣層206上沉積一層非晶硅薄膜(未顯示)，并藉由準(zhǔn)分子激光等退火工藝，使此非晶硅薄膜再結(jié)晶成多晶硅薄膜。然后利用第一掩模來對此多晶硅薄膜(未顯示)進(jìn)行第一微影蝕刻(PEP)，即可得到所需的半導(dǎo)體層208的圖案。接下來，如第5圖所示。利用第二掩模對黑色矩陣層204以及緩沖絕緣層206進(jìn)行第二微影蝕刻(PEP)。
接著可在緩沖絕緣層206上產(chǎn)生薄膜晶體管。參閱圖6，在半導(dǎo)體層208和緩沖絕緣層206表面沉積柵極絕緣層210。然后進(jìn)行第二金屬薄膜沉積工藝，以于柵極絕緣層210表面形成一層第二金屬薄膜(未顯示)，并利用第三掩模來進(jìn)行第三微影蝕刻(PEP)，以蝕刻得到柵極金屬211，如圖6所示，隨后即可利用柵極金屬211作為自我對準(zhǔn)屏蔽，對半導(dǎo)體層208進(jìn)行硼離子離子注入工藝，以于半導(dǎo)體層208中形成源極213和漏極215。
請參閱圖7，接著沉積一層間絕緣層(inter-layer dielectric，ILD)212，并覆蓋柵極金屬211和柵極絕緣層210，再利用第四掩模來進(jìn)行第四微影蝕刻(PEP)，用以去除源極213和漏極215上方的部份層間絕緣層212和柵極絕緣層210，直至源極213與漏極215表面，以分別于漏極215與源極213上方形成多個(gè)介層洞217。
接下來，如圖8所示，進(jìn)行另一金屬沉積工藝，并利用第五掩模來進(jìn)行第五微影蝕刻(PEP)，以蝕刻出信號線、漏極金屬等的金屬層218在介層洞217表面上，且分別電連接源極213和漏極215。接著，如圖9所示，沉積平坦保護(hù)層(planarization layer)220于金屬層218和層間絕緣層212上，并利用第六掩模來進(jìn)行第六微影蝕刻(PEP)，以去除電連接漏極215的金屬層218上方的部分保護(hù)層220并產(chǎn)生電極介層洞219于金屬層218上。
然后，如圖10所示，再形成氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)的透明導(dǎo)電薄膜(未顯示)于保護(hù)層220上，并利用第六掩模來進(jìn)行第六微影蝕刻(PEP)，以定義出適當(dāng)大小的顯示電極222，并利用顯示電極222來電性連接金屬層218與源極213。隨后如圖11以及圖12所示，再于顯示電極222表面形成有機(jī)發(fā)光二極管224以及陰極金屬層(cathode metal layer)226，即完成本實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光二極管面板200。在有機(jī)發(fā)光二極管面板200運(yùn)作時(shí)，光線會穿透有機(jī)發(fā)光二極管面板200的發(fā)光區(qū)250，但因?yàn)楹谏仃噷?04的阻擋，光線無法穿透非發(fā)光區(qū)252。
請參閱圖13至圖22繪示為依照本發(fā)明第二實(shí)施例的有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管面板(AMOLED)的工藝示意圖。如圖13所示，首先提供一個(gè)玻璃基板302當(dāng)作下基板，再形成黑色矩陣層304于玻璃基板302，于黑色矩陣層304的表面上沉積一層緩沖絕緣層306并覆蓋在黑色矩陣層304上。隨后如圖14所示，接著在緩沖絕緣層306上沉積一層非晶硅薄膜(未顯示)，并藉由準(zhǔn)分子激光等退火工藝，使此非晶硅薄膜再結(jié)晶成多晶硅薄膜。然后利用第一掩模來對此多晶硅薄膜(未顯示)進(jìn)行第一微影蝕刻(PEP)，即可得到所需的半導(dǎo)體層308的圖案。
接著，參閱圖15，在半導(dǎo)體層308和緩沖絕緣層306表面沉積一柵極絕緣層310。然后進(jìn)行第二金屬薄膜沉積工藝，以于柵極絕緣層310表面形成一層第二金屬薄膜(未顯示)，并利用第二掩模來進(jìn)行第二微影蝕刻(PEP)，以蝕刻得到柵極金屬312，如圖15所示，隨后即可利用柵極金屬312作為自我對準(zhǔn)屏蔽，對半導(dǎo)體層308進(jìn)行硼離子離子注入工藝，以于半導(dǎo)體層308中形成源極313和漏極315。
請參閱圖16，接著沉積一層間絕緣層(inter-layer dielectric，ILD)312，并覆蓋柵極金屬311和柵極絕緣層310，再利用第三掩模來進(jìn)行第三微影蝕刻(PEP)，用以去除源極313和漏極315上方的部份層間絕緣層312和柵極絕緣層310，直至源極313與漏極315表面，以分別于漏極315與源極313上方形成多個(gè)介層洞317，同時(shí)第三微影蝕刻工藝還一并除去位于緩沖絕緣層306上的層間絕緣層312和柵極絕緣層310。
接下來，如圖17所示，進(jìn)行另一金屬沉積工藝，并利用第四掩模來進(jìn)行第四微影蝕刻(PEP)，以蝕刻出信號線、漏極金屬等的金屬層318在介層洞317表面上，且分別電連接源極313和漏極315。
接下來，如圖18所示，利用第五掩模對黑色矩陣層304以及緩沖絕緣層306進(jìn)行第五微影蝕刻(PEP)，使得未覆蓋層間絕緣層312和柵極絕緣層310的黑色矩陣層304以及緩沖絕緣層306被移除。
之后，如圖19所示，沉積平坦保護(hù)層(planarization layer)320于金屬層318、層間絕緣層312和基板302上，并利用第六掩模來進(jìn)行第六微影蝕刻(PEP)，以去除電連接漏極315的金屬層318上方的部分保護(hù)層320并產(chǎn)生電極介層洞319于金屬層318上。然后，如圖20所示，再形成氧化銦錫(IndiumTin Oxide，ITO)的透明導(dǎo)電薄膜(未顯示)于保護(hù)層320上，并利用第七掩模來進(jìn)行第七微影蝕刻(PEP)，以定義出適當(dāng)大小的顯示電極322，并利用顯示電極322來電性連接金屬層318與源極313。隨后如圖21以及圖22所示，再于顯示電極322表面形成有機(jī)發(fā)光二極管324以及陰極金屬層(cathodemetal layer)326，即完成本實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光二極管面板300。在有機(jī)發(fā)光二極管面板300運(yùn)作時(shí)，光線會穿透有機(jī)發(fā)光二極管面板300的發(fā)光區(qū)350，但因?yàn)楹谏仃噷?04的阻擋，光線無法輕易穿透非發(fā)光區(qū)352。
本發(fā)明的第二實(shí)施例不同于第一實(shí)施例之處在于，圖案化黑色矩陣層的步驟在形成金屬層317之后(圖17所示)。所以相較于第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管面板200的發(fā)光區(qū)250的區(qū)域尚保有層間絕緣層212和柵極絕緣層210，第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管面板300的發(fā)光區(qū)350上并沒有層間絕緣層和柵極絕緣層的配置。除此之外，相較于習(xí)知技術(shù)，因使用同一掩模于同一黃光工藝定義，除蝕刻造成的尺寸損失(CD Loss)之外，兩實(shí)施例的緩沖絕緣層206、306的圖形面積大小大致等于黑色矩陣層204、304的面積，兩實(shí)施例的緩沖絕緣層206、306的圖形相同于黑色矩陣層204、304的圖形，所以緩沖絕緣區(qū)206、306只有設(shè)置于非發(fā)光區(qū)252、352的上，而發(fā)光區(qū)250、350皆沒有緩沖絕緣區(qū)206、306的設(shè)置。所以當(dāng)光線穿過發(fā)光區(qū)時(shí)，色偏的效應(yīng)也能有效改善。
圖23至圖28繪示為依照本發(fā)明第三實(shí)施例的有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管面板(AMOLED)400的工藝示意圖。如圖23所示，首先提供一個(gè)玻璃基板402當(dāng)作下基板，再形成黑色矩陣層404于玻璃基板402上。隨后如圖24所示，于黑色矩陣層404的表面上沉積一層緩沖絕緣層406并覆蓋在黑色矩陣層404上。
參閱圖24，接著進(jìn)行第一金屬薄膜沉積工藝，以于緩沖絕緣層406表面形成一層第一金屬薄膜(未顯示)，并利用第一掩模來進(jìn)行第一微影蝕刻(PEP)，以蝕刻得到柵極金屬411。
接下來如圖25所繪示，在柵級金屬411和緩沖絕緣層406表面沉積柵極絕緣層410(gate oxide)。接著在緩沖絕緣層406上沉積一層非晶硅薄膜(未顯示)，并藉由準(zhǔn)分子激光等退火工藝，使此非晶硅薄膜再結(jié)晶成多晶硅薄膜。然后利用第二掩模來對此多晶硅薄膜(未顯示)進(jìn)行第二微影蝕刻(PEP)，即可得到所需的半導(dǎo)體層408的圖案。隨后即可對半導(dǎo)體層408進(jìn)行硼離子離子注入工藝，以于半導(dǎo)體層408中形成源極413和漏極415。
接下來，如圖26所示。利用第三掩模對黑色矩陣層404以及緩沖絕緣層406進(jìn)行第三微影蝕刻(PEP)。由于黑色矩陣層404以及緩沖絕緣層406利用同一掩模工藝來定義，所以黑色矩陣層404以及緩沖絕緣層406產(chǎn)生的圖形面積大致相等。
接下來，如圖27所示，進(jìn)行另一金屬沉積工藝，先在柵極絕緣層410以及半導(dǎo)體層408上沉積第二金屬薄膜(圖未示)，并利用第四掩模來進(jìn)行第四微影蝕刻(PEP)，以蝕刻出信號線等的金屬層418，且金屬層418分別電連接源極413和漏極415。接著，沉積平坦保護(hù)層(planarization layer)420于金屬層418上，并利用第五掩模來進(jìn)行第五微影蝕刻(PEP)，以去除電連接漏極415的金屬層418上方的部分平坦保護(hù)層420并產(chǎn)生電極介層洞419于金屬層418上。
然后，如圖28所示，再形成氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)的透明導(dǎo)電薄膜(未顯示)于平坦保護(hù)層420上，并利用第五掩模來進(jìn)行第五微影蝕刻(PEP)，以定義出適當(dāng)大小的顯示電極422，并利用顯示電極422來電性連接金屬層418。再于顯示電極422表面形成有機(jī)發(fā)光二極管424以及陰極金屬層(cathode metallayer)426，即完成本實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光二極管面板400。在有機(jī)發(fā)光二極管面板400運(yùn)作時(shí)，光線會穿透有機(jī)發(fā)光二極管面板400的發(fā)光區(qū)450，但因?yàn)楹谏仃噷?04的阻擋，光線無法輕易穿透非發(fā)光區(qū)452。
縱上所陳，由于本發(fā)明對黑色矩陣層進(jìn)行圖案化的步驟等到完成高溫的再結(jié)晶成多晶硅薄膜的步驟后才進(jìn)行，所以可以避免黑色矩陣層的圖案因高溫而與其它各層發(fā)生對位誤差的情形，而且本發(fā)明不需要使用已預(yù)先回火的玻璃基板，更可以節(jié)省制造的成本。除此之外，相較于習(xí)知技術(shù)，本發(fā)明的發(fā)光區(qū)的下方至少少了一層緩沖絕緣層，所以當(dāng)光線穿過發(fā)光區(qū)時(shí)，色偏的效應(yīng)也能有效改善。
以上所述者僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員援依本發(fā)明的精神所作的等效修飾或變化，皆涵蓋于權(quán)利要求內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光面板的制作方法，包括提供基板；形成黑色矩陣層于該基板上；形成緩沖絕緣層于該黑色矩陣層上；同時(shí)圖案化該黑色矩陣層以及該緩沖絕緣層；以及形成薄膜晶體管及顯示電極于該緩沖絕緣層上。
2.如權(quán)利要求1的制作方法，其中該圖案化該黑色矩陣層及該緩沖絕緣層，使用同一掩模定義。
3.如權(quán)利要求1的制作方法，其中形成薄膜晶體管及顯示電極于該緩沖絕緣層上的步驟包含形成半導(dǎo)體層于該緩沖絕緣層上；沉積柵極絕緣層覆蓋該半導(dǎo)體層以及該緩沖絕緣層；形成柵極金屬于該半導(dǎo)體層上方的該柵極絕緣層表面；利用該柵極金屬作屏蔽對該半導(dǎo)體層進(jìn)行離子注入，以形成源極和漏極在該半導(dǎo)體層中；沉積一層間絕緣層，并覆蓋該柵極金屬和該柵極絕緣層；蝕刻該柵極絕緣層和該層間絕緣層以形成多個(gè)介層洞于該漏極及該源極上；形成金屬層于該多個(gè)介層洞的表面上；形成保護(hù)層于該金屬層和該層間絕緣層的上；形成該顯示電極于該保護(hù)層表面；以及形成發(fā)光二極管于該顯示電極上。
4.如權(quán)利要求3的制作方法，其中形成該金屬層的方法還包括形成第一金屬薄膜于該基板表面；以及蝕刻該第一金屬薄膜以形成第一金屬層。
5.如權(quán)利要求3的制作方法，其中形成該半導(dǎo)體層的方法還包括沉積非多晶硅薄膜于該緩沖絕緣層表面；對該非多晶硅薄膜進(jìn)行再結(jié)晶工藝，以使該非多晶硅薄膜轉(zhuǎn)成為一多晶硅薄膜；以及蝕刻該多晶硅薄膜，以形成該半導(dǎo)體層。
6.如權(quán)利要求3的制作方法，其中形成該柵極金屬的方法還包括形成第二金屬薄膜于該柵極絕緣層表面；以及蝕刻該第二金屬薄膜以形成該柵極金屬。
7.如權(quán)利要求3的制作方法，其中形成該顯示電極的方法還包括蝕刻該保護(hù)層以形成電極介層洞于該金屬層上；形成透明導(dǎo)電薄膜于該保護(hù)層以及該金屬層表面；以及蝕刻該透明導(dǎo)電薄膜，以形成該顯示電極。
8.如權(quán)利要求7的制作方法，其中該透明導(dǎo)電薄膜為氧化銦錫及氧化銦鋅其中之一。
9.一種有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管面板的制作方法，其包含提供基板；形成黑色矩陣層于該基板上；形成緩沖絕緣層于該黑色矩陣層上；形成半導(dǎo)體層于該緩沖絕緣層上；同時(shí)圖案化該黑色矩陣層以及該緩沖絕緣層；以及形成顯示電極于該半導(dǎo)體層上。
10.如權(quán)利要求9的制作方法，其中圖案化該黑色矩陣層及該緩沖絕緣層，使用同一掩模定義。
11.如權(quán)利要求9的制作方法，還包括沉積柵極絕緣層覆蓋該半導(dǎo)體層以及該緩沖絕緣層；于該半導(dǎo)體層上方的該柵極絕緣層表面形成柵極金屬；利用該柵極金屬作屏蔽對該半導(dǎo)體層進(jìn)行離子注入，以形成源極和漏極在該半導(dǎo)體層中；沉積層間絕緣層，并覆蓋該柵極金屬和柵極絕緣層；蝕刻該柵極絕緣層和該層間絕緣層以形成多個(gè)介層洞于該漏極及該源極上；以及形成金屬層于該多個(gè)介層洞的表面上。
12.如權(quán)利要求11的制作方法，其中形成顯示電極于該半導(dǎo)體層上的步驟包含形成平坦保護(hù)層于該金屬層和該層間絕緣層的上；以及形成該顯示電極于該平坦保護(hù)層表面。
13.如權(quán)利要求11的制作方法，其中形成該金屬層的方法還包括形成第一金屬薄膜于該基板表面；以及蝕刻該第一金屬薄膜以形成該金屬層。
14.如權(quán)利要求11的制作方法，其中形成該半導(dǎo)體層的方法還包括沉積非多晶硅薄膜于該緩沖絕緣層表面；對該非多晶硅薄膜進(jìn)行再結(jié)晶工藝，以使該非多晶硅薄膜轉(zhuǎn)成為多晶硅薄膜；以及蝕刻該多晶硅薄膜，以形成該半導(dǎo)體層。
15.如權(quán)利要求11的制作方法，其中形成該柵極金屬的方法還包括形成第二金屬薄膜于該柵極絕緣層表面；以及蝕刻該第二金屬薄膜以形成該柵極金屬。
16.如權(quán)利要求11的制作方法，其中形成該顯示電極的方法還包括蝕刻該保護(hù)層以形成電極介層洞于該金屬層上；形成透明導(dǎo)電薄膜于該保護(hù)層以及該金屬層表面；以及蝕刻該透明導(dǎo)電薄膜，以形成該顯示電極。
17.如權(quán)利要求16的制作方法，其中該透明導(dǎo)電薄膜為氧化銦錫及氧化銦鋅其中之一。
18.一種有機(jī)電致發(fā)光面板的制作方法，包括提供基板；形成黑色矩陣層于該基板上；形成緩沖絕緣層于該黑色矩陣層上；形成柵級金屬于該黑色矩陣層上；沉積柵極絕緣層覆蓋該柵級金屬以及該緩沖絕緣層上；形成半導(dǎo)體層于該柵極絕緣層上；以及同時(shí)圖案化該柵極絕緣層、該黑色矩陣層以及該緩沖絕緣層。
19.如權(quán)利要求18的制作方法，其中該圖案化該柵極絕緣層、該黑色矩陣層及該緩沖絕緣層，使用同一掩模定義。
20.如權(quán)利要求18的制作方法，其中形成該柵極金屬的方法還包括于該緩沖絕緣層表面形成第一金屬薄膜；以及蝕刻該第一金屬薄膜以形成該柵極金屬。
21.如權(quán)利要求18的制作方法，其還包括對該半導(dǎo)體層進(jìn)行離子注入，以形成源極和漏極在該半導(dǎo)體層中；形成金屬層于該半導(dǎo)體層以及該柵級絕緣層上；形成平坦保護(hù)層于該金屬層和該柵級絕緣層上；以及形成該顯示電極于該平坦保護(hù)層表面。
22.如權(quán)利要求21的制作方法，其中形成該金屬層的方法還包括形成第二金屬薄膜于該基板表面；以及蝕刻該第二金屬薄膜以形成該金屬層。
23.如權(quán)利要求21的制作方法，其中形成該顯示電極的方法還包括蝕刻該保護(hù)層以形成電極介層洞于該金屬層上；形成透明導(dǎo)電薄膜于該保護(hù)層以及該金屬層表面；以及蝕刻該透明導(dǎo)電薄膜，以形成該顯示電極。
24.如權(quán)利要求23的制作方法，其中該透明導(dǎo)電薄膜為氧化銦錫及氧化銦鋅其中之一。
25.如權(quán)利要求18的制作方法，其中形成該半導(dǎo)體層的方法還包括沉積非多晶硅薄膜于該緩沖絕緣層表面；對該非多晶硅薄膜進(jìn)行再結(jié)晶工藝，以使該非多晶硅薄膜轉(zhuǎn)成為多晶硅薄膜；以及蝕刻該多晶硅薄膜，以形成該半導(dǎo)體層。
26.一種有機(jī)發(fā)光二極管面板，其包含基板；黑色矩陣層，設(shè)置于該基板上，具有第一圖形；緩沖絕緣層，覆蓋于該黑色矩陣層上，具有第二圖形，且該第二圖形大致等于該第一圖形；薄膜晶體管，設(shè)置于該緩沖絕緣層的上；顯示電極，設(shè)置于該緩沖絕緣層的上；以及發(fā)光二極管，覆蓋于該顯示電極上。
27.如權(quán)利要求26的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其中該薄膜晶體管包含半導(dǎo)體層以及柵級金屬。
28.如權(quán)利要求26的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其中該顯示電極為氧化銦錫及氧化銦鋅其中之一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管面板的制作方法，其包括提供基板，形成黑色矩陣(Black Matrix)層于該基板上，形成緩沖絕緣層于該黑色矩陣層上，同時(shí)圖案化該黑色矩陣層以及該緩沖絕緣層，以及形成顯示電極及薄膜晶體管于該緩沖絕緣層上。
文檔編號H01L27/28GK1851901SQ20061007749
公開日2006年10月25日 申請日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者李信宏, 石明昌 申請人:友達(dá)光電股份有限公司