專利名稱：具有基板加熱功能的基板載放機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有在處理容器內(nèi)載放半導(dǎo)體晶片等基板并對其進(jìn)行加熱的基板加熱功能的基板載放機(jī)構(gòu)以及使用這種基板載放機(jī)構(gòu)的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，在作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行如CVD成膜處理或者等離子蝕刻處理這樣的真空處理。當(dāng)進(jìn)行上述這種處理時，需要將半導(dǎo)體晶片加熱至規(guī)定的溫度。因此，使用加熱器來加熱基板支承部件。
作為上述這種加熱器，在現(xiàn)有技術(shù)中一直使用不銹鋼加熱器等。但是，近幾年開始采用一種在上述處理中所使用的鹵素氣體難以產(chǎn)生腐蝕，而且熱效率高的陶瓷加熱器。這種陶瓷加熱器包括作為載放被處理基板的載放臺而工作的由AlN等致密陶瓷燒結(jié)體構(gòu)成的基體、和埋設(shè)在該基體內(nèi)部的由高融點(diǎn)金屬構(gòu)成的發(fā)熱體。
包括將上述這種陶瓷加熱器作為基板載放臺的基板處理裝置，例如，已在日本特開2001-160479號公報(專利文獻(xiàn)1)中公開。在該文獻(xiàn)中所公開的基板處理裝置中，具有基板載放臺功能的陶瓷加熱器由從處理容器的底部延伸的支承體所支承。在該支承體中設(shè)置有用來向陶瓷加熱器的發(fā)熱體進(jìn)行供電的供電線，該供電線與設(shè)置在陶瓷加熱器下面的發(fā)熱體的供電端子連接。這樣，通過該供電線以及供電端子從設(shè)置在外部的電源向發(fā)熱體供電。
使用鎳合金等制成的耐熱性高的棒狀構(gòu)件、也就是說使用供電棒作為上述供電線。供電棒與供電端子通過金屬網(wǎng)線連接。在支承體的下端部，供電棒通過螺絲等被固定在用來與電源連接的連接端子上。
然而，近期半導(dǎo)體晶片趨于大型化，尺寸也從200毫米增加至300毫米，同時，基板處理裝置的尺寸也在增大。如果基板處理裝置尺寸增大，那么，就不能忽視使用陶瓷加熱器加熱半導(dǎo)體晶片時供電棒的熱膨脹，由于反復(fù)加熱，很可能在供電線等供電部件上發(fā)生斷線等故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于上述情況而產(chǎn)生的，其目的在于提供一種不易在用于供電的供電部件上發(fā)生斷線等故障，并且具有基板加熱功能的基板載放機(jī)構(gòu)以及使用這種基板載放機(jī)構(gòu)的基板處理裝置。
為了解決上述課題所提出的本發(fā)明，是設(shè)置在基板處理裝置的處理容器內(nèi)的基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括載放臺，具有將基板載放在其上面的基體、用于對載放在該基體上的基板進(jìn)行加熱的發(fā)熱體、和用來給該發(fā)熱體供電的供電端子部；固定在所述處理容器的底座上，并且支承所述載放臺的中空的支承部件；固定在所述支承部件下方的所述處理容器底座上，并且與設(shè)置在所述處理容器外部的電源連接的連接端子部；與所述供電端子部連接，并且在所述支承部件內(nèi)部延伸的供電部件；和連接所述供電部件與所述連接端子部的彈簧部件。
根據(jù)本發(fā)明的所述特征，由于在供電部件與連接端子部之間設(shè)置有彈簧部件，因此，即使供電部件發(fā)生熱膨脹，彈簧部件的壓縮也會將其完全吸收。換言之，即使由于溫度上升導(dǎo)致供電部件發(fā)生熱膨脹，仍然能夠防止在供電部件上發(fā)生斷線等故障。
優(yōu)選以即使當(dāng)所述發(fā)熱體發(fā)熱時引起所述供電部件發(fā)生熱膨脹，彈簧的拉伸力仍然繼續(xù)作用于該供電部件的方式，來使所述彈簧部件連接所述供電部件與所述連接端子部。
在這種情況下，因為能夠防止拉伸力與壓縮力以復(fù)雜的應(yīng)力方式作用于供電部件，因此，能夠極其有效地防止供電部件發(fā)生彎曲破裂等。
在這種情況下，例如在室溫條件下，當(dāng)所述發(fā)熱體發(fā)熱時，所述彈簧部件僅被拉伸比所述供電部件發(fā)生熱膨脹的最大長度長的距離，在這種狀態(tài)下，將所述供電部件與所述連接端子部連接。
此外，例如，所述供電部件具有供電棒和編織狀的供電線。此外，例如，所述彈簧部件是片簧。此處，所述片簧實際上優(yōu)選僅由水平方向延伸的面與垂直方向延伸的面構(gòu)成。如果采用這種結(jié)構(gòu)，那么很容易增大橫向的剛性。橫向的剛性大的片簧即使發(fā)生振動也不會共振，因此不會對供電部件產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。
此外，例如，所述載放臺的基體由陶瓷制成，所述載放臺的發(fā)熱體被埋設(shè)在所述基體中。
此外，本發(fā)明是一種基板載放裝置，其特征在于，包括內(nèi)部被減壓并且保持該壓力的處理容器、具有所述任一特征的基板載放機(jī)構(gòu)、和對載放在所述基板載放機(jī)構(gòu)上的基板實施規(guī)定處理的處理機(jī)構(gòu)。


圖1是應(yīng)用本發(fā)明的第一實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)的CVD成膜裝置的概略截面圖。
圖2是本發(fā)明的第一實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)的放大截面圖。
圖3A是本發(fā)明的第一實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)中常溫條件下片簧的狀態(tài)示意圖。
圖3B是本發(fā)明的第一實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)中高溫條件下片簧的狀態(tài)示意圖。
圖4是本發(fā)明的第二實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)的放大截面圖。
圖5是本發(fā)明的第二實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)中所使用的片簧的放大側(cè)面圖。
圖6是本發(fā)明的第三實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)中所使用的片簧的第三水平面的平面圖。
圖7A以及圖7B是用于比較的兩種片簧的構(gòu)造示意圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。
此處，以應(yīng)用本發(fā)明所涉及的基板載放機(jī)構(gòu)的CVD成膜裝置為例進(jìn)行說明。
圖1是應(yīng)用本發(fā)明的第一實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)的CVD成膜裝置的概略截面圖。該CVD成膜裝置100具有處理容器1。處理容器1包括密封構(gòu)造的略呈筒狀的腔室2、和從腔室2的底壁2b朝著下方突出設(shè)置的排氣室3。在腔室2內(nèi)設(shè)置有以水平狀態(tài)載放作為被處理體的半導(dǎo)體晶片(以下僅稱晶片)W的晶片載放機(jī)構(gòu)10。該晶片載放機(jī)構(gòu)10包括具有晶片載放面的晶片載放臺11、和從處理容器1的底部朝著上方延伸并且支承晶片載放臺11的中央部分的圓筒形的支承部件12。而且，如后所述，晶片載放機(jī)構(gòu)10還包括埋設(shè)在晶片載放臺11上的發(fā)熱體、和從外部電源5向發(fā)熱體供電的供電機(jī)構(gòu)。晶片載放臺11的外邊緣部分設(shè)置有用來引導(dǎo)晶片W的引導(dǎo)環(huán)6。
在腔室2的頂壁2a上設(shè)置有噴淋頭30。該噴淋頭30由上段塊體30a、中段塊體30b、下段塊體30c所構(gòu)成。在上段塊體30a的上面形成第一氣體導(dǎo)入口31和第二氣體導(dǎo)入口32。在下段塊體30c上交互式地形成有多個第一排氣孔33與多個第二排氣孔34。
第一氣體導(dǎo)入口31與從氣體供給機(jī)構(gòu)40延伸的氣體供給配管35連接。這樣，例如TiCl4氣體就從氣體供給機(jī)構(gòu)40通過氣體供給配管35以及第一氣體導(dǎo)入口31而導(dǎo)入到噴淋頭30內(nèi)。在噴淋頭30內(nèi)，通過形成于各個塊體30a、30b、30c內(nèi)的氣體通道，TiCl4氣體從排氣孔33排出。另一方面，第二氣體導(dǎo)入口32與從氣體供給機(jī)構(gòu)40延伸的氣體供給配管36連接。因此，例如NH3氣體就從氣體供給機(jī)構(gòu)40通過氣體供給配管36以及第二氣體導(dǎo)入口32而導(dǎo)入到噴淋頭30內(nèi)。在噴淋頭30內(nèi)，通過形成于各個塊體30a、30b、30c內(nèi)的氣體通道，NH3氣體從排氣孔34排出。即，從第一氣體導(dǎo)入口31導(dǎo)入的氣體與從第二氣體導(dǎo)入口32導(dǎo)入的氣體，并不在噴淋頭30內(nèi)混合，而是在分別從第一排氣口33以及第二排氣口34排出后混合(后混合式)。
排氣室3被設(shè)置在腔室2的底壁2b的中央部分的下方，以覆蓋形成于腔室2的底壁2b的中央部分的圓形孔4。在排氣室3的側(cè)面連接著排氣管51，該排氣管51與排氣裝置52連接。因此，通過操作排氣裝置52，而可以將處理容器1內(nèi)的壓力減壓至規(guī)定的真空度。
在晶片載放臺11上設(shè)置有用于支承晶片W并使其升降的三個(圖中僅表示兩個)晶片支承銷53，可相對于晶片載放臺11的表面進(jìn)行突出或者退出。這些晶片支承銷53被固定在支承板54上。利用氣缸等驅(qū)動機(jī)構(gòu)55，晶片支承銷53可以通過支承板54而升降。
在腔室2的側(cè)壁設(shè)置有用于在保持真空狀態(tài)的搬運(yùn)室(圖中未示)之間搬入搬出晶片W的搬入搬出口56、和開閉該搬入搬出口56的閘閥57。
下面，參照圖2的放大截面圖，對晶片載放機(jī)構(gòu)10進(jìn)行詳細(xì)說明。
如上所述，晶片載放機(jī)構(gòu)10具有晶片載放臺11和支承晶片載放臺11的圓筒形的支承部件12。晶片載放臺11作為陶瓷加熱器而構(gòu)成。具體地說，晶片載放臺11具有由AlN或者Al2O3等陶瓷材料構(gòu)成的基體11a、和埋設(shè)在基體11a內(nèi)的由例如鎢(W)等高融點(diǎn)金屬構(gòu)成的發(fā)熱體13。發(fā)熱體13被劃分為兩個區(qū)域(例如中央?yún)^(qū)域與周邊區(qū)域)，與各個區(qū)域?qū)?yīng)的發(fā)熱體的各個構(gòu)件，在晶片載放臺11的中央部分，與用于向它們供電(正負(fù)兩個)的供電端子部14連接。(與各個區(qū)域?qū)?yīng)的發(fā)熱體13的每個構(gòu)件分別設(shè)置兩個供電端子部14，但是為方便起見，在圖2中僅表示一個。)供電端子部14與在支承部件12的內(nèi)部延伸的供電部件15連接。支承部件12的下端通過底蓋21(后述)與朝著排氣室3的下方突出設(shè)置的連接室20連接，供電部件15的下端部一直延伸至該連接室20的內(nèi)部。供電部件15由鎳(Ni)合金等耐熱金屬材料構(gòu)成，具有從支承部件12的上端部附近延伸至連接室20的內(nèi)部的供電棒16、與供電端子部14連接的端子18、和由連接供電棒16與端子18的纜線構(gòu)成的供電線17。
在支承部件12的底部，通過安裝部件21a以及螺絲21b而安裝有由凸緣狀的絕緣體構(gòu)成的底蓋21。在該底蓋21上，沿著垂直方向設(shè)置有供電棒21插入的孔22。
上述連接室20呈圓筒形，在其上端形成有凸緣20a。該凸緣20a由底蓋21與排氣室3的底壁所夾持。在凸緣20a與排氣室3的底壁之間設(shè)置有環(huán)形密封部件23a，使兩者氣密密封。此外，在凸緣20a與底蓋21之間設(shè)置有兩個(雙重)環(huán)形密封部件23b，使兩者氣密密封。
在各個供電棒16的下端，通過夾緊部件24而安裝有片簧25。更為詳細(xì)地說，在各個供電棒16的下端形成有螺絲部16a，該螺絲部16a與夾緊部件24螺合(旋擰)，在夾緊部件24上通過螺絲26而安裝有片簧25。各個片簧25的下端的安裝部分25a與固定設(shè)置在連接室20中的連接端子單元27連接。連接端子單元27具有安裝在各個片簧25上的多個連接端子28和對這些多個連接端子28進(jìn)行定位的板狀定位部件29。片簧25按照如下方式與連接端子28連接(固定)。換句話說，將連接端子28上端的螺絲部28a從形成于定位部件29的垂直孔29a的下方插入，并從其上方突出，將該突出的螺絲部28a插入到形成于片簧25下端的安裝部25a的孔內(nèi)，通過墊圈61將螺母62固定在螺絲部28a上。
在連接室20的底部與各個連接端子28對應(yīng)的部分上分別形成有孔63。來自電源5的供電線通過該孔63與連接端子28連接。
下面，對按照上述方式構(gòu)成的成膜裝置100中的處理操作進(jìn)行說明。
首先，從電源5向埋設(shè)在晶片載放臺11上的發(fā)熱體13供電。于是，晶片載放臺11被加熱至例如500～700℃左右的溫度。另一方面，通過排氣裝置52使處理容器1內(nèi)變?yōu)槲隣顟B(tài)(真空狀態(tài))，之后，打開閘閥57，通過搬入搬出口56將晶片W從真空狀態(tài)的搬運(yùn)室(圖中未示)搬入到腔室2內(nèi)。這樣，晶片W就被載放在晶片載放臺11的上面。然后，關(guān)閉閘閥57。在該狀態(tài)下，通過氣體供給配管35以及36，從氣體供給機(jī)構(gòu)40分別向噴淋頭30供給規(guī)定流量的TiCl4氣體以及NH3氣體。這些氣體進(jìn)一步從噴淋頭30互相獨(dú)立地供給至腔室2內(nèi)。從而，在晶片載放臺11上的晶片W的表面，TiCl4氣體以及NH3氣體發(fā)生反應(yīng)，通過熱CVD而形成TiN膜。
當(dāng)進(jìn)行這種成膜處理時，處理容器1內(nèi)的溫度上升，晶片載放機(jī)構(gòu)10的供電部件15的溫度也上升至500℃以上。因此，與成膜前的室溫狀態(tài)時相比，供電部件15的長度因熱膨脹而變長。例如，在使用形成300毫米晶片的成膜裝置的情況下，占供電部件15大部分的供電棒16的室溫狀態(tài)下的長度大約為250毫米，但是，如果其溫度上升至例如675℃的溫度，那么，供電棒16會縱向膨脹1.4毫米。
因此，在本實施方式中，在供電部件15與連接端子27之間設(shè)置有片簧25。如果供電部件15發(fā)生熱膨脹，則在圖3A所示的室溫狀態(tài)下的片簧25就會如圖3B所示那樣，變成壓縮狀態(tài)。于是，供電部件15的熱膨脹幾乎都被片簧25所吸收。因此，即使由于溫度上升導(dǎo)致供電部件15發(fā)生熱膨脹，也可以明顯減少在供電部件15上發(fā)生斷線等事故的可能性。
下面，對本發(fā)明第二實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)進(jìn)行說明。
在上述第一實施方式中，如上所述，占供電部件15大部分的供電棒16的熱膨脹主要被片簧25所吸收。但是，如果熱膨脹沒有被片簧25完全吸收，那么，熱膨脹的一部分被由纜線構(gòu)成的供電線17的撓度所吸收。在這種情況下，在常溫條件下，承受由供電棒16的自身重量產(chǎn)生的拉伸力(受其拉伸)的供電線17，會因供電棒16的熱膨脹而承受壓縮力，于是供電線17發(fā)生彎曲。如果這種加熱反復(fù)出現(xiàn)，那么供電線17就會反復(fù)壓彎。此時，供電線17上產(chǎn)生復(fù)雜的應(yīng)力，而且，由于是高溫環(huán)境，所以，綜合這些因素，供電線17很容易產(chǎn)生變形，而且有可能因供電線17的變形而發(fā)生斷裂。
因此，在第二實施方式中，表示能夠完全防止供電線17發(fā)生壓彎的晶片載放機(jī)構(gòu)。
圖4是本發(fā)明第二實施方式所涉及的晶片載放機(jī)構(gòu)的放大截面圖。該晶片載放機(jī)構(gòu)10’基本上與第一實施方式相同，適用于圖1的成膜裝置。晶片載放機(jī)構(gòu)10’的基本構(gòu)造與圖2所示的晶片載放機(jī)構(gòu)10的基本構(gòu)造相同。因此，對與晶片載放機(jī)構(gòu)10相同的零件標(biāo)注相同的符號，并省略其說明。
在晶片載放機(jī)構(gòu)10’中，在供電棒16的下端，取代第一實施方式中的片簧25，而安裝一種與其構(gòu)造不同的片簧85(參照圖5)。此處，當(dāng)在常溫條件下安裝片簧85時，如圖4的左側(cè)所示，將固定之前的片簧85的自然狀態(tài)的下端位置，調(diào)整為僅在固定之后的下端位置的距離Δ之上。距離Δ是比在成膜處理時供電棒16熱膨脹的最大長度還長的距離。為了進(jìn)行該調(diào)整，在螺絲部16a上螺合螺栓24a。然后，該調(diào)整結(jié)束后，如圖4的右側(cè)所示，片簧85被拉向下方，通過螺母62而固定在連接端子28上。例如，如上所述，如果加熱至700℃的溫度，則供電棒16的最大熱膨脹大約為1.4mm，因此，距離Δ大約為2mm。
于是，在室溫條件下，片簧85的作用力作用于下方。其作為拉伸力而作用于供電部件15。然后，在成膜處理時(高溫時)，即使供電棒16發(fā)生熱膨脹，因為按照預(yù)先僅拉伸比最大熱膨脹量長的距離Δ的方式來安裝片簧85，所以，拉伸力仍然作用于整個供電部件15。因此，拉伸力也常時作用于供電線17。因此，不會因供電棒16的熱膨脹而在供電線17上反復(fù)發(fā)生彎曲。即，根據(jù)本實施方式，能夠極其有效地防止因熱膨脹導(dǎo)致的彎曲所引起的變形等使供電線17發(fā)生斷裂。
此外，可以將片簧85拉伸方向的剛性設(shè)計較低。例如，可以將其尺寸變?yōu)樽畲笫覝貢r的拉伸負(fù)荷設(shè)定為1.0kgf左右的較高值。這種拉伸負(fù)荷(拉伸力)作用于由纜線構(gòu)成的供電線17的拉伸強(qiáng)度以及供電端子14的結(jié)合部的拉伸強(qiáng)度均非常弱，可以忽略不計。因此，因室溫時的拉伸負(fù)荷而導(dǎo)致供電線17和供電端子部14的結(jié)合部發(fā)生斷裂的可能性極小。此外，在高溫條件下，供電線17的強(qiáng)度降低，而由于供電棒16的熱膨脹，片簧85產(chǎn)生的拉伸力也降低，因此，仍然不會產(chǎn)生問題。
晶片載放臺11的最高溫度為700℃時的供電線17的溫度的模擬結(jié)果為675℃左右。因此，在675℃的溫度條件下，測定基于上述拉伸力的變形壽命。由此可知，假定安全率為10，即使長期承受相當(dāng)于片簧85的拉伸負(fù)荷10倍的10kgf的拉伸負(fù)荷，其變形壽命仍然會超過10萬小時。也就是說，我們可以確認(rèn)片簧85的耐屈服(creep)性完全沒有問題。
如果使用拉伸方向的剛性小，并且橫向或者扭曲方向的剛性大的片簧，那么供電線17就更難以發(fā)生彎曲。如圖5的放大圖所示，本實施方式所使用的片簧85包括具有安裝在供電棒16上的安裝部的第一垂直部86；從第一垂直部86的下端彎曲90度并且水平延伸的第一水平部87；在第一水平部87的頂端部彎曲180度并且朝著相反方向水平延伸，超過第一垂直部86的下端繼續(xù)沿著水平方向延伸的第二水平部88；在第二水平部88的頂端部彎曲90度并且朝著下方延伸的第二垂直部89；以及在第二垂直部89的下端彎曲90度并且以與第二水平部88相對的方式而水平延伸的第三水平部90。在第三水平部90上設(shè)置有安裝部85a。即，該片簧85實際上僅由垂直方向延伸的面(垂直面)與水平方向延伸的面(水平面)構(gòu)成。具有片簧功能的水平面的面積越大，拉伸方向的剛性則越小。此外，能夠抵抗橫向或者扭曲方向的變形的垂直面的面積越大，橫向或者扭曲方向的剛性則越大。而且，如圖6所示，在具有安裝部85a的第三水平部90中，如果在安裝部85a附近設(shè)置沿著第三水平部90的橫向延伸的長孔90a，則可以進(jìn)一步降低拉伸方向的剛性。
對于上述片簧85來說，由于橫向的剛性大，因此，在振動試驗中不會發(fā)生共振。與此相反，在如第一實施方式中所使用的片簧25和圖7A所示的片簧95那種彈簧面傾斜，或者如圖7B所示的片簧105那種彈簧面具有曲面的情況下，由于橫向的剛性小，因此，在振動試驗中會產(chǎn)生共振。換言之，在上述這些情況下，可能在供電線17中產(chǎn)生復(fù)雜的應(yīng)力。也就是說，與其它形狀相比，片簧85具有抗振動的特性，而且對于供電線17的彎曲更加有效。
此外，在本實施方式中，在將片簧85固定于連接端子28上的部分中，夾著片簧85的安裝部85a而安裝有兩個墊片(washer)61a、61b(雙重墊片)。這樣，不僅能夠?qū)⑵?5更加牢固地固定在連接端子28上，而且還能夠進(jìn)一步實現(xiàn)其抗振動的特性。
當(dāng)然，本實施方式中的片簧85也能夠適用于上述第一實施方式。在上述這種情況下，也能夠減少供電線17彎曲的可能性。
其中，本發(fā)明并非局限于上述各個實施方式，可以對其進(jìn)行各種各樣的變形。例如，在上述各個實施方式中使用了片簧，但是也可以使用線圈彈簧等其它彈簧。此外，作為供電部件而使用了在供電棒的上端設(shè)置供電線的部件，但是并非局限于這種部件。即，供電部件并非局限于由供電棒和供電線構(gòu)成的部件。
在上述各個實施方式中，本發(fā)明所涉及的基板載放機(jī)構(gòu)被應(yīng)用于CVD成膜裝置。但是，其并非局限于上述裝置，只要是對基板進(jìn)行加熱并實施處理的裝置均可適用。此外，作為基板以半導(dǎo)體晶片為例進(jìn)行了說明，當(dāng)然，對于液晶顯示基板這種平面顯示器基板等其它基板也能夠適用。
權(quán)利要求
1.一種基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于被設(shè)置在基板處理裝置的處理容器內(nèi)，包括載放臺，具有將基板載放在其上面的基體、用于對載放在該基體上的基板進(jìn)行加熱的發(fā)熱體、和給該發(fā)熱體供電用的供電端子部；固定在所述處理容器的底座上，并且支承所述載放臺的中空支承部件；固定在所述支承部件下方的所述處理容器底座上，并且與設(shè)置在所述處理容器外部的電源連接的連接端子部；與所述供電端子部連接，并且在所述支承部件內(nèi)部延伸的供電部件；和連接所述供電部件與所述連接端子部的彈簧部件。
2.如權(quán)利要求1所述的基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于以即使當(dāng)所述發(fā)熱體發(fā)熱時引起所述供電部件發(fā)生熱膨脹，彈簧的拉伸力仍然繼續(xù)作用于該供電部件的方式，來使所述彈簧部件連接所述供電部件與所述連接端子部。
3.如權(quán)利要求2所述的基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于在室溫條件下，當(dāng)所述發(fā)熱體發(fā)熱時，所述彈簧部件僅被拉伸比所述供電部件發(fā)生熱膨脹的最大長度長的距離，在這種狀態(tài)下，將所述供電部件與所述連接端子部連接。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于所述供電部件具有供電棒和編織狀的供電線。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于所述彈簧部件是片簧。
6.如權(quán)利要求5所述的基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于所述片簧實際上僅由水平方向延伸的面與垂直方向延伸的面構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于所述載放臺的基體是由陶瓷制成，所述載放臺的發(fā)熱體被埋設(shè)在所述基體中。
8.一種基板處理裝置，其特征在于，包括以下構(gòu)件內(nèi)部被減壓并且保持該壓力的處理容器；設(shè)置在所述處理容器內(nèi)的如權(quán)利要求1至7中任一項所述的基板載放機(jī)構(gòu)；和對載放在所述基板載放機(jī)構(gòu)上的基板實施規(guī)定處理的處理機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種設(shè)置在基板處理裝置的處理容器內(nèi)的基板載放機(jī)構(gòu)，其特征在于包括載放臺，具有將基板載放在其上面的基體、用于對載放在該基體上的基板進(jìn)行加熱的發(fā)熱體、和給該發(fā)熱體供電用的供電端子部；固定在所述處理容器的底座上且支承所述載放臺的中空支承部件；固定在所述支承部件下方的所述處理容器底座上，并且與設(shè)置在所述處理容器外部的電源連接的連接端子部；與所述供電端子部連接并且在所述支承部件內(nèi)部延伸的供電部件；和連接所述供電部件與所述連接端子部的彈簧部件。
文檔編號H01L21/00GK1835649SQ20061006500
公開日2006年9月20日 申請日期2006年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月16日
發(fā)明者小松智仁 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社