專利名稱：自發(fā)光面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及自發(fā)光面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
具有有機(jī)EL(OEL；Organic Electroluminescence有機(jī)電致發(fā)光)元件等自發(fā)光元件作為發(fā)光要素的自發(fā)光面板，作為可以進(jìn)行平板顯示、并且與需要背光的液晶顯示相比可以進(jìn)行低耗電且高亮度的顯示、同時可以實(shí)現(xiàn)電子紙張顯示等新型顯示形式的裝置倍受期待。
成為該自發(fā)光面板的發(fā)光要素的自發(fā)光元件具有在陽極(空穴注入電極)和陰極(電子注入電極)之間夾入具有pn結(jié)的半導(dǎo)體層的基本結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體層在低分子型有機(jī)EL元件的情況下，采用包含發(fā)光層的有機(jī)層的層疊結(jié)構(gòu)來形成，在高分子型有機(jī)EL元件的情況下，采用單層或?qū)盈B多層雙極性材料的結(jié)構(gòu)的有機(jī)層來形成。然后，通過向陽極和陰極的兩電極間施加電壓，使從陽極注入/輸送到有機(jī)層內(nèi)的空穴和從陰極注入/輸送到有機(jī)層內(nèi)的電子在該有機(jī)層(例如發(fā)光層)內(nèi)再結(jié)合，并從由該再結(jié)合所獲得的激勵狀態(tài)放出能量，從而呈現(xiàn)發(fā)光。
這種自發(fā)光面板通過如下工序來形成在基板上直接或隔著其他層將前述陽極或陰極中的一方作為下部電極進(jìn)行圖形化，在使用絕緣膜對該圖形進(jìn)行了限定的發(fā)光區(qū)域上層疊發(fā)光功能層，然后在該發(fā)光功能層上層疊前述陽極或陰極中的另一方作為上部電極。此時，當(dāng)要構(gòu)成自發(fā)光元件的點(diǎn)矩陣時，由于前述上部電極兼用作一條線的配線電極，因而當(dāng)上部電極的電阻高時，由于該電阻引起的電壓下降，使得在面板的中央和端部對各自發(fā)光元件所施加的電壓不同，不能獲得良好的顯示圖像。
并且，上部電極在采用從該上部電極側(cè)取出光的頂部發(fā)光方式的情況下，要求良好的光透過性，在采用從與該上部電極相反側(cè)的基板側(cè)取出光的底部發(fā)光方式的情況下，要求良好的光反射性，因而對根據(jù)各方所選擇的材料有限制，具有未必一定能采用電阻低的材料的問題。
特別是，在頂部發(fā)光方式的情況下，作為上部電極所采用的薄的金屬膜、或者薄的金屬膜和ITO(Indium Tin Oxide銦錫氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide銦鋅氧化物)等透明導(dǎo)電膜的層疊膜與金屬電極相比較電阻高，并且，雖然眾所周知該透明導(dǎo)電膜可通過提高成膜溫度來降低電阻值，但是如果考慮對下層的發(fā)光功能層的影響，則很難在高溫下成膜，產(chǎn)生的問題是，如前所述，施加給自發(fā)光元件的電壓在面板的端部和中央部產(chǎn)生差而使顯示性能下降。
為了消除該問題，提出了下述專利文獻(xiàn)1所記載的現(xiàn)有技術(shù)。該專利文獻(xiàn)具有如下的記載如圖1所示，在由絕緣體J1構(gòu)成的基板上形成由包含反射面的電極J2、有機(jī)EL層J3以及透明電極J4構(gòu)成的有機(jī)EL元件，在該有機(jī)EL元件上設(shè)置有密封體J5和設(shè)置在密封體J5的表面上的輔助電極J6，使該輔助電極J6通過由各向異性導(dǎo)電膜構(gòu)成的導(dǎo)電體J7與透明電極J4連接。
專利文獻(xiàn)1日本特開2002-33198號公報(bào)根據(jù)前述現(xiàn)有技術(shù)，由于輔助電極J6與由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極J4并聯(lián)連接而作為配線電極發(fā)揮作用，并且，輔助電極J6形成在密封體J5側(cè)，因而不受有機(jī)EL層J3的耐熱性制約，可降低電阻值。這樣，可向透明電極J4施加均勻電壓，可獲得畫質(zhì)良好的圖像。
然而，在前述現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，由于在密封體J5上直接形成輔助電極J6，并使其通過由各向異性導(dǎo)電膜構(gòu)成的導(dǎo)電體J7與作為上部電極的透明電極J4連接，因而在透明電極J4和密封體J5之間容易形成微小空隙，使密封體J5的粘接性不良，處于從密封體J5的側(cè)部容易進(jìn)入水分等元件劣化因子的狀態(tài)。并且，在密封體J5內(nèi)形成輔助電極J6和導(dǎo)電體J7的圖形后，必須另外執(zhí)行使密封體J5與形成有有機(jī)EL元件的基板側(cè)粘接的密封工序。盡管在現(xiàn)有技術(shù)的說明書中具有可以在空隙內(nèi)填充樹脂的描述，然而由于必須設(shè)置新的工序，因而具有制造工序變得繁雜的問題。并且，具有的問題是，在填充過程中有氣泡等混入樹脂內(nèi)，使密封性能受損。
并且，在采用從密封體J5側(cè)取出光的頂部發(fā)光方式的情況下，由于前述的微小空隙作為折射率的差而存在于出射光路內(nèi)，因而可以在有機(jī)EL元件的發(fā)光區(qū)域和由導(dǎo)電體J7限定的出射開口之間視認(rèn)出微妙的偏離，產(chǎn)生難以看見出射圖像的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明把應(yīng)對這種問題作為課題的一例。即，本發(fā)明的目的是在設(shè)置輔助配線電極來降低上部電極的配線電阻的自發(fā)光面板中，可確保良好的密封性能，可消除制造工序的繁雜，以及即使在采用頂部發(fā)光方式的情況下也能進(jìn)行良好的圖像顯示等。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的自發(fā)光面板及其制造方法至少具有以下各獨(dú)立權(quán)利要求的結(jié)構(gòu)。
一種自發(fā)光面板，在基板上排列有自發(fā)光元件，該自發(fā)光元件包含在前述基板上直接或隔著其他層形成的下部電極，形成在該下部電極上的至少一層或一層以上的發(fā)光功能層，以及形成在該發(fā)光功能層上的上部電極，其特征在于，該自發(fā)光面板具有配置在前述自發(fā)光元件上的密封構(gòu)件，使該密封構(gòu)件粘接在前述自發(fā)光元件上的粘接層，以及與前述上部電極連接的輔助配線電極；在前述密封構(gòu)件的與前述自發(fā)光元件的對置面上形成有前述粘接層，形成在該粘接層的前述自發(fā)光元件側(cè)表面上的前述輔助配線電極通過使前述粘接層與前述上部電極緊密接合，從而與前述上部電極連接。
一種自發(fā)光面板的制造方法，該自發(fā)光面板在基板上排列有自發(fā)光元件，該自發(fā)光元件包含在前述基板上直接或隔著其他層形成的下部電極，形成在該下部電極上的至少一層或一層以上的發(fā)光功能層，以及形成在該發(fā)光功能層上的上部電極，其特征在于，該制造方法具有如下工序在前述基板上形成前述自發(fā)光元件；在配置于前述自發(fā)光元件上的密封構(gòu)件的與前述自發(fā)光元件的對置面上形成粘接層，并在該粘接層的前述自發(fā)光元件側(cè)表面上形成輔助配線電極；以及使前述粘接層緊密接合在前述自發(fā)光元件上，使前述基板和前述密封構(gòu)件貼合，以使前述輔助配線電極與前述上部電極連接。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的說明圖。
圖2是表示本發(fā)明的一個實(shí)施方式的自發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3是對本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板的制造方法進(jìn)行說明的說明圖。
圖4是對本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板的制造方法進(jìn)行說明的說明圖(平面示出制造工序的說明圖)。
圖5是表示本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的自發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
符號說明1自發(fā)光面板；2自發(fā)光元件；3TFT元件；4平坦化膜；5絕緣膜；10基板；11下部電極；12發(fā)光功能層；13上部電極；20密封構(gòu)件；21粘接層；22輔助配線電極具體實(shí)施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖2是表示本發(fā)明的一個實(shí)施方式的自發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)的剖面圖。本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板1在基板10上排列有自發(fā)光元件2，該自發(fā)光元件2包含在基板10上直接或隔著其他層形成的下部電極11，形成在下部電極11上的至少一層或一層以上的發(fā)光功能層12，以及形成在發(fā)光功能層12上的上部電極13。
更詳細(xì)地說，在基板10上形成有有源驅(qū)動用的TFT元件3，并形成有具有連接孔4A的平坦化膜4，以便覆蓋TFT元件3。在該平坦化膜4上對下部電極11進(jìn)行圖形化，通過連接孔4A與TFT元件3連接。并且，對絕緣膜5進(jìn)行圖形化，以便覆蓋該下部電極11的緣部并限定發(fā)光區(qū)域。
然后，在由絕緣膜5所限定的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的下部電極11上層疊前述發(fā)光功能層12，然后層疊上部電極13，以覆蓋前述發(fā)光功能層12。這里，示出了把TFT元件3作為驅(qū)動元件的有源驅(qū)動的結(jié)構(gòu)例，然而本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，可以具有將條狀的下部電極11和上部電極13交叉配置的無源驅(qū)動的結(jié)構(gòu)。
在具有這種前提結(jié)構(gòu)的自發(fā)光面板1中，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，具有配置在自發(fā)光元件2上的密封構(gòu)件20、使密封構(gòu)件20粘接在自發(fā)光元件2上的粘接層21、以及與上部電極13連接的低電阻的輔助配線電極22，在密封構(gòu)件20的與自發(fā)光元件2的對置面上形成有粘接層21，形成在粘接層21的自發(fā)光元件2側(cè)表面上的輔助配線電極22通過使粘接層21與上部電極13緊密接合，從而與上部電極13連接。
即，使上部電極13的配線電阻降低的輔助配線電極22在被嵌入到粘接層22內(nèi)的狀態(tài)下，與上部電極13連接。然后，粘接層21以規(guī)定的厚度緊密接合在上部電極13的上面，以便吸收上部電極13上的凹凸，然后將密封構(gòu)件20貼附在自發(fā)光元件2上。
并且，本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板1通過適當(dāng)選擇下部電極11或上部電極13的光透過性或光反射性、或者光取出側(cè)的各構(gòu)件的光透過性，可采用從基板10側(cè)取出光的底部發(fā)光方式，相反，也能采用從密封構(gòu)件20側(cè)取出光的頂部發(fā)光方式。
根據(jù)該實(shí)施方式的自發(fā)光面板1，由于在自發(fā)光元件2上緊密接合著與密封構(gòu)件20粘接的粘接層21，因而可抑制空隙部的形成。因此，可提高密封構(gòu)件20的粘接力，并能可靠地遮斷自發(fā)光元件2的劣化因子的進(jìn)入，提高針對自發(fā)光元件2的密封性能。
并且，即使在采用從密封構(gòu)件20側(cè)取出光的頂部發(fā)光方式的情況下，也由于在光的出射路徑內(nèi)不存在空隙，因而不難看見出射圖像。
而且，通過設(shè)置低電阻的輔助配線電極22，即使在采用電阻值高的材料作為上部電極13的情況下，也能向各自發(fā)光元件2施加均勻電壓，可獲得畫質(zhì)良好的圖像。
并且，作為本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板1的一種形式，輔助配線電極22可形成在對自發(fā)光元件2的發(fā)光區(qū)域進(jìn)行限定的絕緣膜5上。這樣，例如在采用從密封構(gòu)件20側(cè)取出光的頂部發(fā)光方式的情況下，由于在光放出路徑內(nèi)未形成輔助配線電極22，因而沒有必要考慮其光透過性，可提高輔助配線電極22的材料選擇自由度。并且，只要輔助配線電極22的材料采用光吸收性高的材料(黑色材料等)，就能使對應(yīng)絕緣膜5上部而形成的輔助配線電極22作為黑矩陣來發(fā)揮作用，可顯示清晰度高的圖像。
并且，作為本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板1的另一形式，輔助配線電極22可通過使導(dǎo)電材料分散在與粘接層21相同材料的樹脂內(nèi)來形成。這樣，由于形成有輔助配線電極22的部分也能形成為與粘接層21一樣具有粘接力，因而可進(jìn)一步提高密封構(gòu)件20的粘接性，可進(jìn)一步提高針對自發(fā)光元件2的密封性能。
圖3是對本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板的制造方法進(jìn)行說明的說明圖(與2相同部位附上相同符號，省略一部分重復(fù)說明)。在該制造方法中，首先，執(zhí)行在基板10上形成前述自發(fā)光元件2的元件形成工序S1。這是已知工序，在基板10上或前述平坦化膜4上形成下部電極11的圖形，并在該下部電極11上對絕緣膜5進(jìn)行圖形化，以便限定發(fā)光區(qū)域的開口，之后在成膜工序中形成發(fā)光功能層12和上部電極13。
與該元件形成工序S1同時執(zhí)行密封構(gòu)件準(zhǔn)備工序S2。在該密封構(gòu)件準(zhǔn)備工序S2中，在配置于自發(fā)光元件2上的密封構(gòu)件20的與自發(fā)光元件2的對置面上形成粘接層21，并在粘接層21的自發(fā)光元件2側(cè)表面上形成輔助配線電極22。
這里，輔助配線電極22如前所述，可以根據(jù)絕緣膜5的圖形來形成圖形，并且該輔助配線電極22也能通過使導(dǎo)電材料分散在與粘接層21相同材料的樹脂內(nèi)來形成。
具體地說，在密封構(gòu)件20上使粘接劑按照與密封區(qū)域?qū)?yīng)的尺寸進(jìn)行膜化，從而形成粘接層21。此時，也可以對粘接劑膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來形成粘接層21，或者也可以使薄膜狀的粘接劑片貼附在密封構(gòu)件20上來形成粘接層21。在使用薄膜狀的粘接劑片的情況下，可簡化工序。
然后，在該粘接層21上對作為輔助配線電極22起作用的導(dǎo)電膏進(jìn)行圖形涂布。作為其方法，優(yōu)選的是采用絲網(wǎng)印刷和轉(zhuǎn)印等的干式方法。通過采用干式方法對在上部電極13上直接接觸的輔助配線電極22進(jìn)行圖形化，可排除水分等元件劣化因子。這里所使用的導(dǎo)電膏是使導(dǎo)電材料分散在樹脂內(nèi)的物質(zhì)，作為主材料的樹脂如前所述，可以與粘接層21相同。
并且，在粘接層21的一個面上形成輔助配線電極22之后，也可以在另一個面上形成阻擋層。在該情況下，例如，把樹脂薄膜作為粘接層21，采用干式印刷和轉(zhuǎn)印法在其一個面上形成輔助配線電極22，把金屬箔等的密封構(gòu)件20貼附在樹脂薄膜的另一個面上。
之后，執(zhí)行使基板10和密封構(gòu)件20貼合的工序S3。在該貼合工序S3中，使粘接層21緊密接合在自發(fā)光元件2上，使輔助配線電極22與上部電極13連接。此時，必須將基板10和密封構(gòu)件20的位置對準(zhǔn)使得輔助配線電極22的圖形與期望位置(例如絕緣膜5上)一致。然后，在進(jìn)行加熱加壓的同時進(jìn)行貼合，使粘接層21完全緊密接合在自發(fā)光元件2上。
此時，為了形成前述輔助配線電極22而使用的導(dǎo)電膏和粘接層21的粘接劑的流化溫度因?qū)щ姴牧系姆稚⒍煌?，通過貼合時的加熱加壓，在維持導(dǎo)電膏的圖形形狀的狀態(tài)下將其嵌入到粘接層21內(nèi)。
在貼合后，實(shí)施加熱硬化工序S4，進(jìn)行粘接層21的硬化處理。這樣可以可靠地密封自發(fā)光元件2。
圖4是平面示出前述制造工序的說明圖。如該圖(a)所示，在基板10上的平坦化膜4上形成下部電極11的圖形。在平坦化膜4下形成有與下部電極11連接的TFT元件(省略圖示)的驅(qū)動配線L1。并且，在基板10的端部形成有引出配線L0。
然后，如該圖(b)所示，使對發(fā)光區(qū)域S進(jìn)行開口限定的絕緣膜5圖形化。根據(jù)該發(fā)光區(qū)域S進(jìn)行發(fā)光功能層(省略圖示)的掩模成膜，最終進(jìn)行上部電極13的成膜，以便覆蓋整個面。此時，上部電極13的端部與引出配線L0連接。
另一方面，對于密封構(gòu)件20，如前所述，形成粘接層21，在其上形成該圖(d)所示的輔助配線電極22的圖形。這里，輔助配線電極22具有與絕緣膜5的圖形對應(yīng)的圖形，并且在端部進(jìn)行圖形化，以便在貼合時與引出配線L0重合。
這樣，通過使形成有自發(fā)光元件2的基板10和密封構(gòu)件20按前述那樣貼合，可獲得本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板1。
圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式的自發(fā)光面板1，是示出了以無源驅(qū)動為前提，采用底部發(fā)光方式的情況的結(jié)構(gòu)例的說明圖(該圖(a)表示該圖(b)的I-I剖面圖，該圖(b)表示該圖(a)的II-II剖面圖，與前述說明相同部分附上相同符號)。該實(shí)施方式的自發(fā)光面板1在基板10上形成條狀的下部電極11，在該下部電極11上形成絕緣膜5，以便限定發(fā)光區(qū)域，在由絕緣膜5所限定的發(fā)光區(qū)域上層疊發(fā)光功能層12。然后，將上部電極13按照條狀進(jìn)行圖形化來成膜，以便與下部電極11的條方向正交。
相比之下，在密封構(gòu)件20內(nèi)如前所述形成粘接層21，在該粘接層21的自發(fā)光元件2側(cè)的表面上對輔助配線電極22進(jìn)行圖形化。這里，由于把從基板10側(cè)取出光的底部發(fā)光方式作為前提，因而形成輔助配線電極22的圖形，以便將輔助配線電極22連接在發(fā)光區(qū)域上的上部電極13上。
以下，對采用有機(jī)EL元件作為前述自發(fā)光元件2的情況的具體例進(jìn)行說明。
首先，對有機(jī)EL元件進(jìn)行說明，一般情況下，有機(jī)EL元件采用在陽極(空穴注入電極)和陰極(電子注入電極)之間夾入有機(jī)EL功能層的結(jié)構(gòu)。通過向兩電極施加電壓，使從陽極注入/輸送到有機(jī)EL功能層內(nèi)的空穴和從陰極注入/輸送到有機(jī)EL功能層內(nèi)的電子在該層內(nèi)(發(fā)光層)再結(jié)合來獲得發(fā)光。以下示出在基板10上層疊下部電極11、由有機(jī)EL功能層構(gòu)成的發(fā)光功能層12以及上部電極13而得到的有機(jī)EL元件(自發(fā)光元件2)的具體結(jié)構(gòu)和材料例。
對于基板10，特別是在采用圖5所示的底部發(fā)光方式的結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選的是具有透明性的平板狀、薄膜狀的基板，作為材質(zhì)可使用玻璃或塑料。在采用前述頂部發(fā)光方式的結(jié)構(gòu)的情況下，對基板10的透明性不作特別要求。
對于下部電極11和上部電極13，一個被設(shè)定為陰極，另一個被設(shè)定為陽極。在該情況下，陽極可以使用功函數(shù)高的材料構(gòu)成，可使用鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬膜，或者ITO、IZO等氧化金屬膜等的透明導(dǎo)電膜。而且，陰極可以使用功函數(shù)低的材料構(gòu)成，特別是，可使用堿金屬(Li，Na，K，Rb，Cs)、堿土金屬(Be，Mg，Ca，Sr，Ba)、稀土金屬這樣的功函數(shù)低的金屬、其化合物、或者包含它們的合金。并且，在下部電極11和上部電極13全都使用透明材料構(gòu)成的情況下，也能采用在與光放出側(cè)相反的電極側(cè)設(shè)置反射膜的結(jié)構(gòu)。
并且，從下部電極11或上部電極13所引出的引出電極L0是為了使自發(fā)光面板1和對其進(jìn)行驅(qū)動的IC、驅(qū)動器等驅(qū)動單元連接而設(shè)置的配線電極，優(yōu)選使用Ag、Cr、Al等低電阻金屬材料或其合金。
一般情況下，使用ITO、IZO等形成下部電極11和引出電極Lo，并且采用蒸鍍或?yàn)R鍍等方法形成下部電極11和引出電極Lo用的薄膜，采用光刻法等形成圖形。關(guān)于下部電極11和引出電極Lo(特別是需要低電阻化的引出電極)，可采用在前述ITO、IZO等的底層層疊Ag、Ag合金、Al、Cr等低電阻金屬而得到的2層結(jié)構(gòu)，或者進(jìn)一步層疊作為Ag等的保護(hù)層的Cu、Cr、Ta等抗氧化性高的材料而得到的3層結(jié)構(gòu)。
作為限定發(fā)光區(qū)域的絕緣膜5，可使用旋涂法、濺鍍法等使聚酰亞胺、感光樹脂和SiO2等的無機(jī)材料等成膜，可采用光刻法和印刷法等進(jìn)行圖形化。
作為在下部電極11和上部電極13之間所成膜的有機(jī)EL功能層(發(fā)光功能層12)，在把下部電極11作為陽極，并把上部電極13作為陰極的情況下，一般是空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層的層疊結(jié)構(gòu)(在把下部電極11作為陰極，并把上部電極13作為陽極的情況下，該層疊順序相反)，然而發(fā)光層、空穴輸送層、電子輸送層的各個層不僅可以是單層，而且可以通過層疊多層來進(jìn)行設(shè)置，空穴輸送層和電子輸送層可以省略其中任意一層，也可以省略雙層而僅采用發(fā)光層。并且，作為有機(jī)EL功能層，可根據(jù)用途插入空穴注入層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層等有機(jī)功能層。
有機(jī)EL功能層的材料可按照有機(jī)EL元件的用途來適當(dāng)選擇。以下進(jìn)行例示，然而不限于此。
作為空穴輸送層，只要具有空穴移動度高的功能即可，作為其材料可從現(xiàn)有的公知化合物中選擇使用任意的化合物。作為具體例，可使用銅酞菁等卟啉化合物、4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-聯(lián)苯(NPB)等芳香族叔胺、4-(二-對甲苯基氨基)-4’-[4-(二-對甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯等茋化合物、三唑衍生物、苯乙烯胺化合物等有機(jī)材料。并且，也能使用使低分子的空穴輸送用有機(jī)材料分散到聚碳酸酯等高分子中的高分子分散類材料。優(yōu)選的是玻璃化轉(zhuǎn)變溫度比使密封用樹脂加熱固化的溫度高的材料，例如可列舉4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-聯(lián)苯(NPB)。
發(fā)光層可使用公知的發(fā)光材料，作為具體例，可使用4，4’-雙(2，2’-二苯基乙烯基)-聯(lián)苯(DPVBi)等芳香族二次甲基化合物、1，4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯等苯乙烯基苯化合物、3-(4-二苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)等三唑衍生物、蒽醌衍生物、芴酮衍生物等熒光性有機(jī)材料、(8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物(Alq3)等熒光性有機(jī)金屬化合物、聚對苯乙烯(PPV)類、聚芴類、聚乙烯咔唑(PVK)類等高分子材料、可利用來自鉑絡(luò)合物和銥絡(luò)合物等三重態(tài)激子的磷光發(fā)光的有機(jī)材料(特表2001-520450)?？梢詢H由上述發(fā)光材料構(gòu)成，也可以含有空穴輸送材料、電子輸送材料、添加劑(施體、受體等)或者發(fā)光性摻雜劑等。并且，可以將它們分散到高分子材料或無機(jī)材料中。
電子輸送層只要具有把從陰極所注入的電子傳遞到發(fā)光層的功能即可，作為其材料可從現(xiàn)有的公知化合物中選擇使用任意的化合物。作為具體例，可使用硝基取代的芴酮衍生物、蒽醌二甲烷衍生物等有機(jī)材料、8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物、金屬酞菁等。
根據(jù)需要，可以把由氟化鋰、氧化鋰等材料構(gòu)成的電子注入層插入在電子輸送層和上部電極之間，并且以抑制在上部電極成膜時使發(fā)光功能層受損為目的，可以設(shè)置由堿土金屬和堿土金屬氧化物等材料構(gòu)成的保護(hù)層。
上述的空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層可使用旋涂法、浸漬法等涂布法，噴墨法、絲網(wǎng)印刷法等印刷法等的濕制法，或者蒸鍍法、后述的激光轉(zhuǎn)印法等的干制法形成。
而且，由有機(jī)EL元件構(gòu)成的自發(fā)光元件2可以形成單一有機(jī)EL元件，也可以具有期望的圖形結(jié)構(gòu)來構(gòu)成多個像素。在后者情況下，該顯示方式可以是單色發(fā)光，也可以是2色或2色以上的多色發(fā)光，特別是為了實(shí)現(xiàn)多色發(fā)光的有機(jī)EL面板，可使用以下方式進(jìn)行，即包含形成與RGB對應(yīng)的3種發(fā)光功能層的方式在內(nèi)的形成2色或2色以上的發(fā)光功能層的方式(分涂方式)；使濾色器或基于熒光材料的色變換層與白色或藍(lán)色等的單色發(fā)光功能層組合的方式(CF方式，CCM方式)；把電磁波照射到單色發(fā)光功能層的發(fā)光區(qū)域上等來實(shí)現(xiàn)多個發(fā)光的方式(光漂白方式)；以及使不同發(fā)光色的低分子有機(jī)材料預(yù)先在不同薄膜上成膜，通過激光的熱轉(zhuǎn)印來轉(zhuǎn)印到一個基板上的激光轉(zhuǎn)印方式等。
作為密封構(gòu)件20，作為玻璃基板、金屬基板或金屬箔、或者密封膜，可使用SiN、AlN、GaN等氮化物，SiO2、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等氧化物，SiON等氮氧化物，SiCN等氮碳化物，金屬氟化合物，金屬膜等。
作為用于粘接層21的材料，可采用主要具有粘接功能的材料，并且具有使底層的凹凸平坦化的功能的材料，具體地說，可采用由高分子材料構(gòu)成的粘接劑。如果列舉材料例，可示例出環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂、硅樹脂等光固型、熱固型、二液固化型、熱可塑性樹脂；聚酰亞胺；聚脲；含丙烯酸酯的聚合物等。但對此不作特別限定。
作為輔助配線電極22的形成材料，優(yōu)選的是使用可通過干式印刷法和轉(zhuǎn)印法形成的材料，例如，可列舉在樹脂粘合劑中混入碳或石墨等的導(dǎo)電膏等。然而，只要是電阻值比上部電極13低的材料，就能采用，而不特別拘泥于材料。
以下，示出本發(fā)明的實(shí)施例的自發(fā)光面板的制造方法的具體例。當(dāng)然，本發(fā)明不限于該實(shí)施例。
在玻璃制的基板上采用濺鍍法形成200nm的Cr和110nm的ITO作為反射膜，采用光刻法獲得條圖形的下部電極。然后，在下部電極上，將光致抗蝕劑AZ6112(東京應(yīng)化工業(yè)制)形成圖形，作為限定發(fā)光區(qū)域的絕緣膜。
使用包含表面活性劑的水溶液和純水將該基板洗凈后，使用薩姆科國際研究所(Samco International，Inc.)制UV臭氧剝離劑UV-1進(jìn)行10分鐘的UV臭氧洗凈，之后把基板投入到真空槽內(nèi)。在達(dá)到到達(dá)真空度1×10-6Torr后，通過電阻加熱真空成膜使作為空穴注入層的CuPc以每秒0.5nm的成膜速度成膜25nm。然后，使作為空穴輸送層的α-NPD同樣以每秒0.5nm的成膜速度進(jìn)行電阻加熱真空成膜。然后，使作為發(fā)光層的Alq3以每秒0.5nm的成膜速度進(jìn)行60nm厚的電阻加熱真空成膜。然后，使作為電子注入層的LiF以每秒0.01nm的成膜速度進(jìn)行0.5nm厚的電阻加熱真空成膜。
以上的有機(jī)層和LiF形成為覆蓋下部電極的條，一貫在小于等于1×10-6Torr的高真空下成膜。
最后，在真空中實(shí)施陰極用的屏蔽掩模(shadow mask)，把與下部電極的條圖形正交的條狀的鋁和IZO的層疊膜作為上部電極，鋁以每秒1nm的速度進(jìn)行5nm厚的電阻加熱真空成膜，IZO采用濺鍍法以每秒10nm的速度進(jìn)行100nm厚的成膜。
這樣在基板上形成多個有機(jī)EL元件。
另一方面，在與基板分開的工序中，在由厚度約0.16mm的玻璃基板構(gòu)成的密封構(gòu)件上貼附防濕性高的具有約50μm厚度的樹脂薄膜，例如環(huán)氧樹脂來形成粘接層。在該粘接層上，使用混入了碳的導(dǎo)電膏，在按照格子圖形狀進(jìn)行除氣的同時，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來形成輔助配線電極。
然后，在充滿了氮?dú)夥諊拿芊庾鳂I(yè)用手套箱內(nèi)輸入密封構(gòu)件和基板，并對準(zhǔn)位置，使得基板上的上部電極和密封構(gòu)件上的輔助配線電極可連接，使用貼合裝置，使基板和密封構(gòu)件貼合。之后，進(jìn)行加熱來使粘接層硬化。
根據(jù)以上說明的本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施例，通過設(shè)置輔助配線電極來降低上部電極的配線電阻，可提高自發(fā)光面板的顯示性能。并且，由于使形成在密封構(gòu)件上的粘接層與上部電極緊密接合來使輔助配線電極和上部電極連接，因而在上部電極上沒有形成空隙，可提高密封構(gòu)件的粘接力，可確保良好的密封性能，并能可靠地進(jìn)行輔助配線電極和上部電極的連接。
并且，由于輔助配線電極和上部電極的連接可與基板和密封構(gòu)件的貼合同時進(jìn)行，因而可消除制造工序的繁雜。并且，通過在限定發(fā)光區(qū)域的絕緣膜上連接輔助配線電極，即使在采用頂部發(fā)光方式時，也能在發(fā)光區(qū)域內(nèi)沒有障礙地設(shè)置輔助配線電極，可使輔助配線電極作為黑矩陣來發(fā)揮作用。并且，由于在上部電極上的光出射光路內(nèi)不存在空隙，因而可良好地視認(rèn)發(fā)光區(qū)域，即使在采用頂部發(fā)光方式的情況下，也能進(jìn)行良好的圖像顯示。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光面板，在基板上排列有自發(fā)光元件，該自發(fā)光元件包含在前述基板上直接或隔著其他層形成的下部電極，形成在該下部電極上的至少一層或一層以上的發(fā)光功能層，以及形成在該發(fā)光功能層上的上部電極，其特征在于，該自發(fā)光面板具有配置在前述自發(fā)光元件上的密封構(gòu)件，使該密封構(gòu)件粘接在前述自發(fā)光元件上的粘接層，以及與前述上部電極連接的輔助配線電極；在前述密封構(gòu)件的與前述自發(fā)光元件的對置面上形成有前述粘接層，形成在該粘接層的前述自發(fā)光元件側(cè)表面上的前述輔助配線電極通過使前述粘接層與前述上部電極緊密接合，與前述上部電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板，其特征在于，前述輔助配線電極形成在限定前述自發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域的絕緣膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自發(fā)光面板，其特征在于，前述輔助配線電極通過使導(dǎo)電材料分散在與前述粘接層相同材料的樹脂內(nèi)來形成。
4.一種自發(fā)光面板的制造方法，該自發(fā)光面板在基板上排列有自發(fā)光元件，該自發(fā)光元件包含在前述基板上直接或隔著其他層形成的下部電極，形成在該下部電極上的至少一層或一層以上的發(fā)光功能層，以及形成在該發(fā)光功能層上的上部電極，其特征在于，該制造方法具有如下工序在前述基板上形成前述自發(fā)光元件；在配置于前述自發(fā)光元件上的密封構(gòu)件的與前述自發(fā)光元件的對置面上形成粘接層，并在該粘接層的前述自發(fā)光元件側(cè)表面上形成輔助配線電極；以及使前述粘接層緊密接合在前述自發(fā)光元件上，使前述基板和前述密封構(gòu)件貼合，以使前述輔助配線電極與前述上部電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，前述輔助配線電極根據(jù)限定前述自發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域的絕緣膜的圖形來形成圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，前述輔助配線電極通過使導(dǎo)電材料分散在與前述粘接層相同材料的樹脂內(nèi)來形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4～6中的任意一項(xiàng)所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，采用干式印刷或轉(zhuǎn)印法形成前述輔助配線電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求4～7中的任意一項(xiàng)所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，通過在前述密封構(gòu)件的與前述自發(fā)光元件的對置面上貼附薄膜狀的粘接層來形成前述粘接層。
9.根據(jù)權(quán)利要求4～8中的任意一項(xiàng)所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，執(zhí)行一邊對前述基板和前述密封構(gòu)件進(jìn)行加熱加壓一邊進(jìn)行前述貼合的工序，之后通過熱硬化使前述粘接層硬化。
全文摘要
自發(fā)光面板及其制造方法。在設(shè)置輔助配線電極來降低上部電極的配線電阻的自發(fā)光面板中，確保良好的密封性能。本發(fā)明的自發(fā)光面板(1)在基板(10)上排列有自發(fā)光元件(2)，自發(fā)光元件(2)包含在基板(10)上直接或隔著其他層形成的下部電極(11)，形成在下部電極(11)上的發(fā)光功能層(12)，以及形成在發(fā)光功能層(12)上的上部電極(13)；自發(fā)光面板(1)具有配置在自發(fā)光元件(2)上的密封構(gòu)件(20)，使密封構(gòu)件(20)粘接在自發(fā)光元件(2)上的粘接層(21)，以及與上部電極(13)連接的輔助配線電極(22)；形成在粘接層(21)的自發(fā)光元件(2)側(cè)表面上的輔助配線電極(22)通過使粘接層(21)緊密接合在上部電極(13)上，與上部電極(13)連接。
文檔編號H01L51/52GK1841761SQ200610064898
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者免田芳生 申請人:日本東北先鋒公司