專利名稱：基片處理裝置和基片容納方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基片處理裝置，例如基片檢驗裝置、基片生產(chǎn)裝置等，并涉及一種基片容納方法。
本發(fā)明要求于2005年3月22日提交的日本專利申請No.2005-081607的優(yōu)先權(quán)，并在此通過引用并入其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
通常在通過輸送機器人拾起置于盒中的半導(dǎo)體晶片之后，在輸送到微檢驗部分之前通過檢驗半導(dǎo)體晶片(基片)的外側(cè)進行預(yù)對準。在進行預(yù)對準時，通過以高于微檢驗部分處的預(yù)對準的精度進行對準調(diào)節(jié)，將半導(dǎo)體晶片放在精確的位置上，之后進行微檢驗。在完成該微檢驗后，通過輸送機器人將半導(dǎo)體晶片置于盒中(例如參見PCT國際申請No.WO02/21589)。
即，如果半導(dǎo)體晶片的中心在將半導(dǎo)體晶片從盒輸送到檢驗裝置時偏移1-2mm，那么可能出現(xiàn)不可能在微檢驗部分中進行對準的情況，因此進行預(yù)對準，從而能夠在微檢驗部分處進行精確對準。
該半導(dǎo)體晶片由在微檢驗部分中的預(yù)定位置處等待的轉(zhuǎn)動臺承載，并進行更高精度的對準調(diào)節(jié)和微檢驗。在完成微檢驗后，轉(zhuǎn)動臺回到等待位置，并通過輸送機器人將半導(dǎo)體晶片置于盒中。
如上所述，在微檢驗之前進行高精度對準，然而在微檢驗后，安裝半導(dǎo)體晶片的轉(zhuǎn)動臺自動回到等待位置，因此半導(dǎo)體晶片在中心偏移的情況下由輸送機器人接收。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面是一種用于基片處理裝置的基片容納方法，包括第一步驟，將從容納盒中取出的基片通過輸送單元輸送至基片處理裝置；第二步驟，在基片處理裝置處理基片；第三步驟，在處理后通過輸送單元從基片處理裝置取出基片；第四步驟，在處理后通過輸送單元將基片送回容納盒；第一處理，從第一步驟開始到第四步驟之前的時間內(nèi)，在輸送單元處計算相對于基片標準位置的差量；以及第二處理，在第一處理之后第四步驟之前的時間內(nèi)，根據(jù)計算的差量調(diào)節(jié)基片在容納盒中的返回位置。
應(yīng)指出的是，在基片處理裝置處的基片的處理例如是基片生產(chǎn)或基片檢驗。
本發(fā)明的第二方面是一種基片處理裝置，包括處理裝置，處理從容納盒取出的基片；輸送單元，將基片從處理裝置輸送至容納基片的容納盒；差量計算部分，計算在輸送單元處基片相對于基片標準位置的差量；以及差量調(diào)節(jié)單元，根據(jù)差量計算單元計算的差量，調(diào)節(jié)基片在容納盒中的返回位置。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的基片檢驗裝置的概要平面圖。
圖2是說明圖1所示的基片檢驗裝置的操作的流程圖。
圖3是說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的基片檢驗裝置的操作的流程圖。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的基片檢驗裝置的概要平面圖。
具體實施例方式
下文參照附圖，特別是圖1和2說明本申請的第一實施例。
如圖1所示，對應(yīng)于本發(fā)明基片容納方法的基片檢驗裝置(基片處理裝置)1在形成裝置圖案的半導(dǎo)體晶片(基片)S的前后表面上進行缺陷檢驗處理。將晶片盒(容納盒)3分配給該基片檢驗裝置1，多個半導(dǎo)體晶片S以預(yù)定的垂直間隔容納在該晶片盒3中?；瑱z驗裝置1具有檢驗半導(dǎo)體晶片S的檢驗部分5，以及在晶片盒3與檢驗部分5之間輸送半導(dǎo)體晶片S的裝載部分(第二輸送部分)7。
裝載部分7構(gòu)成為例如可拆卸地連接多個(圖示示例中為2個)晶片盒3，并具有晶片輸送機器人11，其通過使用移位機構(gòu)9在這些晶片盒3之間來回移動。移位機構(gòu)9通過晶片輸送機器人11在用于從各晶片盒3接收半導(dǎo)體晶片S/將半導(dǎo)體晶片S輸送至各晶片盒3的位置、以及將半導(dǎo)體晶片S輸送至檢驗部分5/從檢驗部分5接收半導(dǎo)體晶片S的位置之間沿一個方向(方向C)來回移動。
晶片輸送機器人11是所謂的多關(guān)節(jié)型機器人，其具有用于安裝轉(zhuǎn)動軸13和半導(dǎo)體晶片S的層狀安裝板15，以及用于將轉(zhuǎn)動軸13與安裝板15彼此連接的三個連接臂17-19。
也就是說，第一連接臂17的一邊緣以可完全轉(zhuǎn)動的方式連接到轉(zhuǎn)動軸13上，第一連接臂17的另一邊緣以可完全轉(zhuǎn)動的方式連接到第二連接臂18的一個邊緣上。第二連接臂18的另一邊緣以可完全轉(zhuǎn)動的方式連接到第三連接臂19的一個邊緣上，第三連接臂19的另一邊緣固定到安裝板15上。因此，通過適當(dāng)轉(zhuǎn)動這三個連接臂17-19而改變從轉(zhuǎn)動軸13到安裝板15的距離，從而進行晶片輸送機器人11的滑動操作。
多個抽吸孔21設(shè)在安裝板15的一表面上，這些抽吸孔21連接到抽吸泵(圖中未示出)上。即，當(dāng)抽吸泵在其中半導(dǎo)體晶片S安裝到安裝板15的表面上的情況下工作時，半導(dǎo)體晶片S由于抽吸泵的吸力而附著到安裝板15上。
裝載部分7如上所述構(gòu)成，因此安裝板15可在各晶片盒3和檢驗部分5內(nèi)的晶片輸入位置P1之間自由移動。必須指出的是，晶片輸入位置P1表示在晶片輸送機器人11和檢驗部分5之間輸送或接收半導(dǎo)體晶片S的位置。
檢驗部分5具有公知的宏檢驗部分23、微檢驗部分(裝置的主體)25和轉(zhuǎn)動輸送部分(第一輸送部分)27，該轉(zhuǎn)動輸送部分27在檢驗部分5的晶片輸入位置P1、宏檢驗部分23和微檢驗部分25之間輸送半導(dǎo)體晶片S。
微檢驗部分25具有位置檢測傳感器29，用于晶片輸送位置P3從/到轉(zhuǎn)動輸送部分27的對準設(shè)定；顯微鏡31，用于放大半導(dǎo)體晶片S的圖像；晶片保持部33，半導(dǎo)體晶片S安裝在其上并且其具有轉(zhuǎn)動機構(gòu)；和XY臺35，用于在晶片輸送位置P3和顯微鏡31的預(yù)定檢驗位置之間移動晶片保持部33。
位置檢測傳感器29由例如CCD(電荷耦合器件)相機構(gòu)成，在半導(dǎo)體晶片S從轉(zhuǎn)動輸送部分27輸送至晶片保持部33之后，在從轉(zhuǎn)動輸送部分27的晶片輸送位置P3處，晶片保持部33轉(zhuǎn)動并且位置檢測傳感器29根據(jù)圖像檢測半導(dǎo)體晶片S的邊緣位置。檢測結(jié)果用于調(diào)節(jié)正確位置與在晶片保持部33上的半導(dǎo)體晶片S中心之間的差量(位置差、位置間隙或未對準)和角度差。
微檢驗部分25使得能夠使用圖像捕捉裝置37捕捉由顯微鏡31放大的半導(dǎo)體晶片S的圖像，或者通過目鏡39觀察它們。
轉(zhuǎn)動輸送部分27圍繞作為中心的轉(zhuǎn)動軸41轉(zhuǎn)動(在圖中示例為逆時針轉(zhuǎn)動)，并具有從轉(zhuǎn)動軸41沿垂直方向向外延伸的三個轉(zhuǎn)動臂43a-43c。這三個轉(zhuǎn)動臂43a-43c圍繞轉(zhuǎn)動軸41以相同的間隔角(例如120度)設(shè)置。這三個轉(zhuǎn)動臂43a-43c在用于從晶片輸送機器人11輸入的晶片輸入位置P1、用于通過宏檢驗部分23進行宏檢驗的宏檢驗位置P2、以及用于輸送至微檢驗部分25的晶片輸送位置之間轉(zhuǎn)動循環(huán)。
近似為L形的用于安裝半導(dǎo)體晶片S的機械手44a-44c分別設(shè)在轉(zhuǎn)動臂43a-43c上。多個抽吸孔形成在機械手44a-44c的表面上，并連接到抽吸泵(圖中未示出)上。即，當(dāng)抽吸泵在其中半導(dǎo)體晶片S安裝到機械手44a-44c的表面上的情況下工作時，半導(dǎo)體晶片S由于抽吸泵的吸力而附著到機械手44a-44c上。
用于輸送半導(dǎo)體晶片S的輸送裝置由該轉(zhuǎn)動輸送部分27、裝載部分7的移位機構(gòu)9和晶片輸送機器人11構(gòu)成。
在晶片輸入位置P1處，設(shè)置多個(圖中示例為4個)位置檢測傳感器45-48用于半導(dǎo)體晶片S的預(yù)對準處理。這些位置檢測傳感器45-48例如由二維CCD相機構(gòu)成，它們的中心設(shè)在與半導(dǎo)體晶片S相同大小的同心圓上。位置檢測傳感器45-48分別以大于半導(dǎo)體晶片S的定向平面的間距設(shè)置。剛一將半導(dǎo)體晶片S從晶片輸送機器人11輸送至轉(zhuǎn)動臂43a-43c，這些位置檢測傳感器45-48就檢測半導(dǎo)體晶片S的邊緣位置的四個點(坐標數(shù)據(jù))。
四個點的邊緣位置信息用于檢測在轉(zhuǎn)動輸送部分27的晶片輸入位置P1處半導(dǎo)體晶片S的中心距半導(dǎo)體晶片S的標準位置之差，并用于調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S的中心差。
在晶片輸入位置P1處的中心差調(diào)節(jié)需要精確，從而可以在微檢驗部分25處對準。因此，預(yù)對準裝置在晶片輸入位置P1處可以例如通過保持半導(dǎo)體晶片S邊緣的至少三個點來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S的中心差。
該檢驗部分5具有控制單元51，其控制晶片輸送機器人11和轉(zhuǎn)動輸送部分27的操作，以及在檢驗部分5處的宏檢驗、微檢驗等的各種操作。該控制單元51具有控制部分53，用于由檢查員M控制的裝載部分7的操作和檢驗部分5的宏檢驗、微檢驗等的各種操作；監(jiān)視器55，用于示出通過如上所述的圖像捕捉裝置37獲取的半導(dǎo)體晶片S的放大圖像；對準調(diào)節(jié)計算裝置57；機器人控制裝置59；和微檢驗部分控制裝置61。
對準調(diào)節(jié)計算裝置57根據(jù)設(shè)在檢驗部分5的晶片輸入位置P1處的位置檢測傳感器45-48以及設(shè)在從/到晶片保持部33的晶片輸送位置P3處的位置傳感器29的檢測結(jié)果，適當(dāng)計算半導(dǎo)體晶片S距標準位置的中心和角度差。
該對準調(diào)節(jié)計算裝置57具有差量計算裝置，其根據(jù)由微檢驗部分5的位置檢測傳感器29檢測到的半導(dǎo)體晶片S的邊緣位置信息而檢測微檢驗部分25中的晶片保持部33距標準位置的差量。在該處理中，輸送到晶片輸送位置P3的半導(dǎo)體晶片S被輸送到設(shè)在等待位置的晶片保持部33，晶片保持部33在該等待位置轉(zhuǎn)動半導(dǎo)體晶片S。通過位置檢測傳感器29高精度地檢測半導(dǎo)體晶片S的邊緣位置的兩個或三個點(坐標數(shù)據(jù))。
機器人控制裝置59根據(jù)由對準調(diào)節(jié)計算裝置57基于位置檢測傳感器45-48的檢測結(jié)果計算出的差量，沿XY方向移動安裝半導(dǎo)體晶片S的晶片輸送機器人11，并將半導(dǎo)體晶片S設(shè)定在晶片輸入位置P1的標準位置。
在開始微檢驗之前，微檢驗部分控制裝置61根據(jù)對準調(diào)節(jié)計算裝置57基于位置檢測傳感器29的檢測結(jié)果計算出的差量，使用XY臺35移動晶片保持部33，從而高精度地調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S相對顯微鏡31的定位。
在完成微檢驗之后，該微檢驗控制裝置61根據(jù)對準調(diào)節(jié)計算裝置57基于位置檢測傳感器29的檢測結(jié)果計算的量，移動晶片保持部33，從而將晶片保持部33的中心安放在晶片輸送位置P3的標準位置，并將半導(dǎo)體晶片S設(shè)在轉(zhuǎn)動輸送部分27的機械手44a-44c的標準位置。
在將完成微檢驗的半導(dǎo)體晶片S輸送至轉(zhuǎn)動輸送部分27之后，微檢驗控制裝置61將晶片保持部33移向晶片輸送位置P3的等待位置。
調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S在晶片盒3中的返回位置的差量調(diào)節(jié)裝置由微檢驗控制裝置61、微檢驗部分25的晶片保持部33和XY臺35構(gòu)成。
下面說明以上述方式構(gòu)成的基片檢驗裝置1的操作。
首先，容納未經(jīng)檢驗的半導(dǎo)體晶片S的晶片盒3被裝到裝載部分7上。晶片輸送機器人11將半導(dǎo)體晶片S從晶片盒3取出并將其輸送至晶片輸入位置P1，在該處半導(dǎo)體晶片S在轉(zhuǎn)動輸送部分27的機械手44a-44c之間輸送。
當(dāng)半導(dǎo)體晶片S設(shè)在晶片輸入位置P1時，對準調(diào)節(jié)計算裝置57基于位置檢測傳感器45-48對半導(dǎo)體晶片S的邊緣的檢測結(jié)果計算半導(dǎo)體晶片S的中心和機械手44a-44c之間的差量。根據(jù)該差量，機器人控制裝置59沿XY方向移動晶片輸送機器人11，并對半導(dǎo)體晶片S的中心距機械手44a-44c的差量進行粗調(diào)節(jié)。
在完成該調(diào)節(jié)之后，將半導(dǎo)體晶片S從晶片輸送機器人11輸送至轉(zhuǎn)動輸送部分27的機械手44a-44c，并通過轉(zhuǎn)動輸送部分27的轉(zhuǎn)動從晶片輸入位置P1輸送至宏檢驗位置P2。半導(dǎo)體晶片S從機械手44a-44c輸送至宏檢驗部分23，并在宏檢驗部分23處在半導(dǎo)體晶片S上進行宏檢驗。在完成該宏檢驗之后，將半導(dǎo)體晶片S從宏檢驗部分23輸送至機械手44a-44c，并通過轉(zhuǎn)動輸送部分27的轉(zhuǎn)動從宏檢驗位置P2輸送至晶片輸送位置P3，以輸送至微檢驗部分25。
如圖2所示，半導(dǎo)體晶片S被從轉(zhuǎn)動臂43a-43c的機械手44a-44c輸送至在晶片輸送位置P3的中心等待的微檢驗部分25的晶片保持部33(步驟S1第一步驟)。轉(zhuǎn)動晶片保持部33，并且微檢驗部分25的位置檢測傳感器29檢測半導(dǎo)體晶片S的邊緣位置。對準調(diào)節(jié)計算裝置57基于對半導(dǎo)體晶片S的邊緣位置的檢測結(jié)果計算并存儲從機械手44a-44c的標準位置到半導(dǎo)體晶片S的中心和角度差量。之后，微檢驗控制裝置61基于該差量使用XY臺35移動晶片保持部33，進行對準處理，在該處理中調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S相對顯微鏡31的中心和角度差(步驟S2第一處理)。該步驟S2包括計算在機械手44a-44c處從半導(dǎo)體晶片S的位置到半導(dǎo)體晶片S的標準位置的差量的步驟。
之后，通過連同半導(dǎo)體晶片S的表面一起沿各方向移動XY臺35來掃描半導(dǎo)體晶片S，用顯微鏡31放大半導(dǎo)體晶片S并在監(jiān)視器55上顯示放大圖像或者通過經(jīng)由目鏡39觀察來進行微檢驗(步驟S3第二步驟)。
在完成微檢驗之后，微檢驗控制裝置61控制XY臺35并操作安裝有半導(dǎo)體晶片S的晶片保持部33移向晶片輸送位置P3，在該處半導(dǎo)體晶片S從機械手44a-44c輸送/輸送至機械手44a-44c。在該步驟中，晶片保持部33根據(jù)步驟S2中微檢驗控制裝置61存儲的差量以這樣的方式移動，即，晶片保持部33的中心與晶片輸送位置P3的標準位置配合(步驟S4第二處理)。該步驟S4表示根據(jù)對準調(diào)節(jié)計算裝置57計算的差量將半導(dǎo)體晶片S設(shè)在機械手44a-44c的標準位置的步驟。
將半導(dǎo)體晶片S從微檢驗部分25的晶片保持部33輸送至轉(zhuǎn)動臂43a-43c(第一輸送部分)(步驟S5)，并通過轉(zhuǎn)動輸送部分27的轉(zhuǎn)動從晶片輸送位置P3(在該處其從微檢驗部分25輸送/輸送至微檢驗部分25)移動至晶片輸入位置P1。將半導(dǎo)體晶片S從機械手44a-44c輸送至晶片輸送機器人11的安裝板15(第二輸送部分機器人臂)(步驟S6第三步驟)。最后，將安裝板15輸送至晶片盒3內(nèi)的輸送位置并且半導(dǎo)體晶片S容納在晶片盒3中(步驟S7第四步驟)。
在其它未經(jīng)檢驗并容納在晶片盒3中的半導(dǎo)體晶片S上進行以上操作。
如上所述，根據(jù)基片檢驗裝置1和基片容納方法，當(dāng)將半導(dǎo)體晶片S從微檢驗部分25輸送至轉(zhuǎn)動輸送部分27時，可以根據(jù)對準調(diào)節(jié)計算部分57計算的差量(中心和角度差量)結(jié)果，將經(jīng)過微檢驗的半導(dǎo)體晶片S設(shè)在機械手44a-44c的標準位置。依此，在與在微檢驗部分25的晶片輸送位置P3處半導(dǎo)體晶片S的定位相同的高精度定位的條件下，將經(jīng)過微檢驗并待送回晶片盒3的半導(dǎo)體晶片S輸送至轉(zhuǎn)動輸送部分27。因此，半導(dǎo)體晶片S在與在微檢驗部分25處相同的高精度定位的條件下輸送至晶片輸送機器人11，一旦通過晶片輸送機器人11將半導(dǎo)體晶片S送回晶片盒3內(nèi)，就能夠可靠地防止半導(dǎo)體晶片S撞擊晶片盒3的壁，從而可防止在半導(dǎo)體晶片S上發(fā)生損傷以及灰塵沉積。
在第一實施例中，半導(dǎo)體檢驗裝置1具有裝載部分7，然而這不作為限制，例如可采用使晶片盒3直接并可拆卸地連接到靠近檢驗部分5的晶片輸入位置P1的位置的結(jié)構(gòu)來代替裝載部分7。在該結(jié)構(gòu)中，晶片輸送機器人11優(yōu)選是代替轉(zhuǎn)動輸送部分27將半導(dǎo)體晶片S輸送至晶片輸入位置P1、宏檢驗位置P2和晶片輸送位置P3。優(yōu)選是將晶片輸送機器人11的安裝板15設(shè)計成可達到晶片輸入位置P1、宏檢驗位置P2、晶片輸送位置P3和晶片盒3的內(nèi)部。
在以上描述中，微檢驗部分25的位置檢測傳感器29設(shè)在晶片輸送位置P3處，然而這不作為限制，即，它可設(shè)在晶片保持部33通過XY臺35的移動范圍內(nèi)。
下面參照圖3說明本發(fā)明的第二實施例。除了控制單元51的功能，以及將半導(dǎo)體晶片S從檢驗部分5容納在晶片盒3內(nèi)的步驟以外，基片檢驗裝置1的結(jié)構(gòu)與第一實施例相同。下文中，說明控制單元51的功能和容納半導(dǎo)體晶片S的步驟，而省略對相同功能的說明。
對準調(diào)節(jié)計算裝置57除了在第一實施例中說明的功能以外，還具有一功能，例如將基于設(shè)在檢驗部分5的晶片輸入位置P1的位置檢測傳感器45-48對半導(dǎo)體晶片S的邊緣位置的檢測結(jié)果計算得到的中心差量與預(yù)定閾值進行比較，并輸出比較結(jié)果。
預(yù)定閾值表示半導(dǎo)體晶片S距晶片輸送機器人11的安裝板15或轉(zhuǎn)動輸送部分27的機械手44a-44c的差量的閾值。該閾值存儲在存儲部分(圖中未示出)中，是用于當(dāng)安裝板15處于被設(shè)在晶片盒3內(nèi)的輸送位置的狀態(tài)下時防止半導(dǎo)體晶片S與晶片盒3內(nèi)側(cè)的壁接觸的值，即使在晶片輸入位置P1處半導(dǎo)體晶片S的中心設(shè)有距安裝板15的標準位置的間隙也是如此。
計算半導(dǎo)體晶片S與晶片輸送機器人11的安裝板15的標準位置之間的間隙大小的差量檢測裝置由對準調(diào)節(jié)計算裝置57和設(shè)在晶片輸入位置P1的位置檢測傳感器45-48構(gòu)成。
機器人控制裝置59除了第一實施例的功能以外，還具有一功能，即，剛一將半導(dǎo)體晶片S從晶片輸入位置P1輸送至晶片盒3，對應(yīng)于對準調(diào)節(jié)計算裝置57基于計算得到的差量輸出的比較結(jié)果，機器人控制裝置59就確定是否移動晶片輸送機器人11。即，如果來自位置檢測傳感器45-48的檢測結(jié)果(半導(dǎo)體晶片S的中心差)大于存儲在存儲部分中的閾值，則機器人控制裝置59移動晶片輸送機器人11，從而將安裝板15設(shè)在一位置處，在該處半導(dǎo)體晶片S的差量包含在晶片盒3的輸送位置的閾值范圍內(nèi)。
調(diào)節(jié)晶片盒3內(nèi)半導(dǎo)體晶片S的返回位置的差量調(diào)節(jié)裝置由機器人控制裝置59和晶片輸送機器人11構(gòu)成。
下面說明以上述方式構(gòu)造的晶片檢驗裝置1的操作。
首先，與第一實施例相同，使用晶片輸送機器人11將未經(jīng)檢驗的半導(dǎo)體晶片S從晶片盒3取出并輸送至檢驗部分5。使用位置檢測傳感器45-48、對準調(diào)節(jié)計算裝置57和機器人控制裝置59對半導(dǎo)體晶片S的中心距機械手44a-44c的差量進行粗調(diào)節(jié)。在宏檢驗部分23處進行宏檢驗之后，使用轉(zhuǎn)動輸送部分27將半導(dǎo)體晶片S送至晶片輸送位置P3，用于從微檢驗部分25輸送/輸送至微檢驗部分25。
之后，如圖3所示，與第一實施例的步驟S1-S6相同，依次進行將半導(dǎo)體晶片S從機械手44a-44c輸送至微檢驗部分25(步驟S1)，進行對準處理(步驟S12)，進行微檢驗(步驟S13)，調(diào)節(jié)用于從微檢驗部分25輸送至機械手44a-44c的輸送位置(步驟S14)，從微檢驗部分25輸送至機械手44a-44c(步驟S15)，以及從機械手44a-44c輸送至晶片輸送機器人11(步驟S16)。
在從步驟S16輸送之后，使用對準調(diào)節(jié)計算裝置57，對半導(dǎo)體晶片S的中心距機械手44a-44c的安裝板15和晶片輸送機器人11的差量進行計算(步驟S17)。在該步驟S17中，通過在晶片輸入位置P1略微移動安裝板15來檢測中心差。
之后，將該差量與預(yù)先存儲在存儲部分中的閾值作比較(步驟S18)。在步驟S18中，如果發(fā)現(xiàn)計算的差量低于或等于閾值，則安裝板15移向晶片盒3內(nèi)的輸送位置并且半導(dǎo)體晶片S容納在晶片盒3內(nèi)(步驟S19)。
在步驟S18中，如果發(fā)現(xiàn)計算的差量大于閾值，則機器人控制裝置59移動晶片輸送機器人11，從而將安裝板15設(shè)在一位置，在該處半導(dǎo)體晶片S的差量包含在晶片盒3的輸送位置的閾值范圍內(nèi)，并且半導(dǎo)體晶片S容納在晶片盒3中(步驟S20)。該步驟S20表示基于對準調(diào)節(jié)計算裝置57計算的差量，調(diào)節(jié)安裝板15相對于晶片盒3的位置的步驟。
如上所述，根據(jù)基片檢驗裝置1和用于該基片檢驗裝置1的基片容納方法，當(dāng)半導(dǎo)體晶片S從晶片輸送機器人11的安裝板15輸送至晶片盒3時，根據(jù)相對于晶片盒3的差量來調(diào)節(jié)安裝板15的位置。因此，根據(jù)安裝板15上的半導(dǎo)體晶片S的標準位置與在晶片盒3處半導(dǎo)體晶片S的調(diào)節(jié)位置之間的比較物理關(guān)系，可以將半導(dǎo)體晶片S更精確地設(shè)在晶片盒3的正規(guī)位置。
尤其在檢驗后的半導(dǎo)體晶片S設(shè)在晶片輸送機器人11上的情況下，在晶片輸入位置P1檢測半導(dǎo)體晶片S的中心差量，如果該差量大于預(yù)定閾值，則調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S相對晶片盒3的返回位置。因此，即使當(dāng)由于在從晶片輸入位置P1輸送到晶片輸送位置P3時產(chǎn)生的差量而導(dǎo)致在晶片輸送位置P3處的對準問題、或者一旦在將半導(dǎo)體晶片S送回晶片盒3時因為電源故障等出現(xiàn)異常中斷，從而不可能精確調(diào)節(jié)時，也可以計算在晶片輸入位置P1處的差量并基于該差量來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S相對晶片盒3的返回位置，因此可防止由于半導(dǎo)體晶片S撞擊晶片盒3的壁而在半導(dǎo)體晶片S上發(fā)生損傷以及灰塵沉積。
在上述第二實施例中，當(dāng)晶片輸送機器人11的安裝板15設(shè)在晶片盒3內(nèi)時調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S的返回位置，然而這不作為限制，還優(yōu)選的是例如當(dāng)半導(dǎo)體晶片S從轉(zhuǎn)動輸送部分27安裝到晶片輸送機器人11上時進行調(diào)節(jié)。
在這種情況下，在步驟S18中，如果計算的差量大于閾值，則半導(dǎo)體晶片S再次從晶片輸送機器人11的安裝板15輸送至轉(zhuǎn)動輸送部分27的機械手44a-44c。晶片輸送機器人11的安裝板15基于計算的差量而移動。之后，將半導(dǎo)體晶片S從機械手44a-44c輸送至晶片輸送機器人11，因此半導(dǎo)體晶片S在晶片輸送機器人11處設(shè)在半導(dǎo)體晶片S的標準位置。因此在這種情況下，獲得與第二實施例相同的優(yōu)點。
另外，僅當(dāng)計算的差量大于閾值時調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S的返回位置，然而，還優(yōu)選的是例如與閾值無關(guān)地調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片S的返回位置。
在上述第一和第二實施例中，在基片檢驗裝置1處進行半導(dǎo)體晶片S相對于晶片盒3的標準位置的差量計算和調(diào)節(jié)，然而這不作為限制，例如如圖4所示，優(yōu)選的是在設(shè)有靠近輸送部分7固定的校準器71的基片檢驗裝置2處進行操作。該校準器71在將從晶片盒3取出的半導(dǎo)體晶片S從晶片輸送機器人11輸送至轉(zhuǎn)動輸送部分27之前使用位置傳感器73a-73d而檢測邊緣位置。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在將未經(jīng)檢驗的半導(dǎo)體晶片S從晶片輸送機器人11安裝在轉(zhuǎn)動輸送部分27上之前，對準調(diào)節(jié)計算裝置57基于校準器71的位置檢測傳感器73a-73d的檢測結(jié)果，而計算半導(dǎo)體晶片S相對于晶片輸送機器人11和轉(zhuǎn)動輸送部分27的標準位置的差量。當(dāng)半導(dǎo)體晶片S從晶片輸送機器人11安裝在轉(zhuǎn)動輸送部分27上時，在由機器人控制裝置59控制晶片輸送機器人11的同時，基于上述差量對中心差進行粗調(diào)節(jié)。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在將檢驗后的半導(dǎo)體晶片S從轉(zhuǎn)動輸送部分27安裝在晶片輸送機器人11上之后，晶片輸送機器人11的安裝板15設(shè)在校準器71內(nèi)。通過校準器71的位置檢測傳感器73a-73d檢測半導(dǎo)體晶片S的邊緣位置。之后，對準調(diào)節(jié)計算裝置57基于檢測結(jié)果計算半導(dǎo)體晶片S相對于安裝板15的標準位置的差量。最后，機器人控制裝置59基于差量移動晶片輸送機器人11，從而將安裝板15設(shè)在從輸送位置偏移一定量的位置處，因此，半導(dǎo)體晶片S可容納在晶片盒3內(nèi)的預(yù)定位置處。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，不需要在晶片輸入位置P1處的位置檢測傳感器45-48，因為它們的功能與校準器71的位置檢測傳感器73a-73d相同。
如果校準器71具有晶片保持部(圖中未示出)用于將半導(dǎo)體晶片S從晶片輸送機器人11輸送/輸送至晶片輸送機器人11，那么就不限制當(dāng)晶片輸送機器人11的安裝板15設(shè)在晶片盒3內(nèi)的時候進行對半導(dǎo)體晶片S的返回位置的調(diào)節(jié)，還優(yōu)選的是在半導(dǎo)體晶片S設(shè)在校準器71處的情況下進行調(diào)節(jié)。
即，在基于位置檢測傳感器73a-73d的檢測結(jié)果計算半導(dǎo)體晶片S相對于安裝板15的差量之后，將半導(dǎo)體晶片S從晶片輸送機器人11的安裝板15輸送到校準器71的晶片保持部。機器人控制裝置59基于計算的差量移動晶片輸送機器人11的安裝板15。之后，將半導(dǎo)體晶片S從晶片保持部輸送到晶片輸送機器人11，因此，半導(dǎo)體晶片S被設(shè)在晶片輸送機器人11的標準位置。
已說明了用于計算半導(dǎo)體晶片S相對于晶片輸送機器人11或轉(zhuǎn)動輸送部分27的標準位置的差量的位置檢測傳感器45-48設(shè)在晶片輸入位置P1或校準器71處，然而這不作為限制，例如還優(yōu)選的是將其設(shè)在晶片盒3與晶片輸入位置P1之間的路線上的中途。另外，最少一個位置檢測傳感器就足夠了，其可設(shè)在所述路線的中途。
已描述了基片檢驗裝置1執(zhí)行半導(dǎo)體晶片S的微檢驗，然而這不作為限制，還優(yōu)選的是在處理裝置中可應(yīng)用微檢驗部分、生產(chǎn)裝置等，所述處理裝置是至少在半導(dǎo)體晶片S上執(zhí)行適當(dāng)處理的基片處理裝置。
雖然上面描述說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是應(yīng)該理解這些實施例是本發(fā)明的示例而并不用作限制。在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以作出添加、省略、替代和其它修改。因此，本發(fā)明并不由前述說明限制，而僅由所附權(quán)利要求的范圍限定。
根據(jù)本發(fā)明中基片處理裝置的基片容納方法，在將基片送回容納盒之前，根據(jù)基片的差量來調(diào)節(jié)基片在容納盒中的返回位置，因此在基片返回容納盒時可將基片設(shè)在容納盒的規(guī)定位置處。因此，可以防止基片撞擊容納盒的壁并可以防止在基片上發(fā)生損傷以及灰塵沉積。
特別地，在將基片從處理裝置輸送到輸送裝置的步驟中，當(dāng)根據(jù)計算的差量將基片設(shè)在輸送裝置的標準位置時，可以根據(jù)在輸送裝置的標準位置與容納盒的調(diào)節(jié)位置之間的比較物理關(guān)系，將基片精確地設(shè)在容納盒的調(diào)節(jié)后的位置處。
根據(jù)本發(fā)明的基片處理裝置，即使基片在其從處理裝置輸送至容納盒時相對于輸送裝置的標準位置具有差量，也可以通過差量調(diào)節(jié)裝置基于差量計算裝置計算的差量來調(diào)節(jié)基片在容納盒中的返回位置。因此，當(dāng)基片返回容納盒時，可將基片設(shè)在容納盒中用于基片的調(diào)節(jié)位置。
權(quán)利要求
1.一種用于基片處理裝置的基片容納方法，包括第一步驟，將從容納盒中取出的基片通過輸送單元輸送至所述基片處理裝置；第二步驟，在所述基片處理裝置處理所述基片；第三步驟，在處理后通過所述輸送單元從所述基片處理裝置取出所述基片；第四步驟，在處理后通過所述輸送單元將所述基片送回所述容納盒；第一處理，從所述第一步驟開始到所述第四步驟之前的時間內(nèi)，在所述輸送單元處計算相對于基片標準位置的差量；以及第二處理，在所述第一處理之后且在所述第四步驟之前的時間內(nèi)，根據(jù)計算的差量調(diào)節(jié)所述基片在所述容納盒中的返回位置。
2.如權(quán)利要求1所述的基片容納方法，其特征在于在所述第三步驟之前進行所述第一處理。
3.如權(quán)利要求2所述的基片容納方法，其特征在于所述第二處理是這樣的處理，即根據(jù)在所述第三步驟的差量將所述基片設(shè)在所述輸送單元的標準位置處。
4.如權(quán)利要求1所述的基片容納方法，其特征在于所述輸送單元包括第一輸送部分，其輸送所述基片處理裝置中的所述基片；和第二輸送部分，其在所述第一輸送部分與所述基片處理裝置之間輸送所述基片；所述第一處理是這樣的處理，即在將所述基片從所述第一輸送部分輸送至所述第二輸送部分之前，計算在所述第二輸送部分處相對于基片標準位置的差量。
5.如權(quán)利要求4所述的基片容納方法，其特征在于所述第二處理是這樣的處理，即剛一將所述基片從所述第一輸送部分輸送至所述第二輸送部分，就根據(jù)差量將所述基片設(shè)在所述第二輸送部分的標準位置。
6.如權(quán)利要求4所述的基片容納方法，其特征在于所述第二處理是這樣的處理，即剛一通過所述第二輸送部分輸送至所述容納部分，就根據(jù)差量調(diào)節(jié)所述第二輸送部分相對于所述容納盒的位置。
7.一種基片處理裝置，包括處理裝置，處理從容納盒取出的基片；輸送單元，將所述基片從所述處理裝置輸送至容納所述基片的所述容納盒；差量計算部分，計算在所述輸送單元處所述基片相對于基片標準位置的差量；和差量調(diào)節(jié)單元，其根據(jù)所述差量計算單元計算的差量，調(diào)節(jié)所述基片在所述容納盒中的返回位置。
8.如權(quán)利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于所述差量計算部分位于將所述基片從所述基片處理裝置輸送至所述輸送單元的位置。
9.如權(quán)利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于所述輸送單元包括第一輸送部分，其輸送所述基片處理裝置中的所述基片；和第二輸送部分，其在所述第一輸送部分與所述基片處理裝置之間輸送所述基片；所述差量計算部分位于將所述基片從所述第一輸送部分輸送至所述第二輸送部分的位置。
10.如權(quán)利要求9所述的基片處理裝置，其特征在于剛一將所述基片從所述第一輸送部分輸送至所述第二輸送部分，所述差量調(diào)節(jié)單元就以根據(jù)差量將所述基片設(shè)在所述第二輸送部分的標準位置的方式操作。
11.如權(quán)利要求9所述的基片處理裝置，其特征在于剛一從所述第二輸送部分輸送至所述容納部分，所述差量調(diào)節(jié)單元就以根據(jù)差量調(diào)節(jié)所述第二輸送部分相對于所述容納盒的位置的方式操作。
全文摘要
一種用于基片處理裝置的基片容納方法，包括第一步驟，將從容納盒中取出的基片通過輸送裝置輸送至基片處理裝置；第三步驟，在基片處理裝置處理基片；第四步驟，在第三步驟后通過輸送裝置將基片送回容納盒；第二步驟，從第一步驟開始到第四步驟之前，在輸送裝置處計算相對于基片標準位置的差量；以及第五步驟，在第三步驟之后第四步驟之前，調(diào)節(jié)基片在容納盒中的返回位置。
文檔編號H01L21/00GK1838398SQ200610057058
公開日2006年9月27日 申請日期2006年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月22日
發(fā)明者橋本勝行 申請人:奧林巴斯株式會社