專利名稱：晶圓光刻掩模和其制造方法與其晶圓光刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓光刻(photolithography)掩模和其制造方法與相關(guān)的晶圓光刻方法，尤其涉及一種多項(xiàng)目晶圓(multi-project wafers；MPW)的光刻掩模和其制造方法與相關(guān)的晶圓光刻方法。
背景技術(shù)：
目前的多項(xiàng)目晶圓制造的技術(shù)，可以讓多個(gè)項(xiàng)目的圖案放在同一光罩(reticle)中，使得光罩的花費(fèi)得以被各項(xiàng)目分擔(dān)。這邊所指的項(xiàng)目的圖案是指為了產(chǎn)出可以工作的芯片，而需要在光罩上形成的圖案。但因不同長(zhǎng)或?qū)挼捻?xiàng)目的圖案同處于一個(gè)光罩中，為了節(jié)省光罩的花費(fèi)，因而產(chǎn)生針對(duì)多項(xiàng)目晶圓的平面規(guī)劃(floorplan)和切割(dicing)問(wèn)題。平面規(guī)劃問(wèn)題是決定項(xiàng)目的圖案在光罩上的位置，而切割的問(wèn)題則是在制造晶圓前，進(jìn)行切割計(jì)劃的評(píng)估，借此決定所需的晶圓個(gè)數(shù)和制造后的每一晶圓的切割線(dicing line)。
常規(guī)的光刻制程的裝置如圖1所示，其是將一MPW光罩101置于一光刻光源102和縮影透鏡103之間，所述光刻光源102射出的光線經(jīng)所述MPW光罩101形成具有圖案的光線后，再經(jīng)所述縮影透鏡103將圖案縮小照射于一晶圓104的光阻表面，其中晶圓104表面的箭號(hào)為曝光的步進(jìn)方向。雖然MPW的光罩101花費(fèi)可以被各項(xiàng)目分擔(dān)，但以MPW光罩和傳統(tǒng)僅包含一個(gè)項(xiàng)目圖案的光罩甚至和一包含多個(gè)相同項(xiàng)目圖案的光罩相比，用在MPW的光刻制程與所需晶圓的成本卻大幅度增加，其主要原因在于目前被廣泛使用在切割的鉆石刀只能允許從晶圓的一端開(kāi)始直線切割直到晶圓的另一端。也因?yàn)檫@個(gè)限制，經(jīng)常為了切出某一個(gè)芯片而破壞其它芯片。且因各項(xiàng)目間需求產(chǎn)量各不相同，在進(jìn)行光刻制程時(shí)，MPW光罩無(wú)法被選擇只制造特定項(xiàng)目的芯片，在滿足最大芯片需求產(chǎn)量的項(xiàng)目時(shí)，一些已滿足產(chǎn)量的項(xiàng)目芯片仍舊會(huì)經(jīng)由MPW光罩制造出來(lái)。綜合以上各點(diǎn)，MPW制造費(fèi)用之所以大幅度增長(zhǎng)都是因?yàn)橹圃炝艘恍o(wú)用或者會(huì)被切壞的芯片。
在芯片被實(shí)際切割出來(lái)通過(guò)測(cè)試后，如果某個(gè)項(xiàng)目要大量生產(chǎn)時(shí)，直接使用MPW的光罩來(lái)進(jìn)行所述項(xiàng)目的制造是既昂貴又沒(méi)效率的一件事。當(dāng)產(chǎn)量需求大到使用MPW光罩來(lái)制造芯片的成本大于做一個(gè)所述項(xiàng)目專屬的光罩加上用所述光罩來(lái)制造芯片的成本時(shí)，勢(shì)必要做一個(gè)所述項(xiàng)目專屬的光罩，這也是一筆很可觀的花費(fèi)，目前仍沒(méi)有有效的解決辦法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種晶圓光刻(photolithography)掩模和其制造方法與相關(guān)的晶圓光刻方法，以降低晶圓光刻的成本。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明揭露一掩模，其包含一遮光層和至少一個(gè)可透光區(qū)域。所述可透光區(qū)域的位置和形狀必須得以讓所述MPW光罩上待制造芯片的項(xiàng)目曝光到所述晶圓表面光阻層，并使得所述項(xiàng)目在所述光罩上的圖案得以完整的被轉(zhuǎn)移到所述晶圓表面的光阻層上。所述掩?？膳渲糜谒鯩PW光罩到光刻光源之間的光線行進(jìn)路線上，還可配置于所述MPW光罩到所述晶圓之間的光線行進(jìn)路線上。
本發(fā)明的晶圓光刻方法包括以下步驟(1)配置一可以選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模于一MPW光罩到一光刻光源之間的光線行進(jìn)路線上，或配置一掩模于所述MPW光罩到所述晶圓之間的光線行進(jìn)路線上。(2)移動(dòng)一晶圓到待曝光的位置，打開(kāi)一遮光器(shutter)進(jìn)行曝光，經(jīng)由所述掩模的可透光區(qū)域選擇一光刻光源投射分布范圍，使得所述MPW光罩上待制造芯片的項(xiàng)目圖案被轉(zhuǎn)移到已涂上一層光阻的所述晶圓。經(jīng)過(guò)一段曝光的時(shí)間后，關(guān)閉所述遮光器。(3)移動(dòng)所述晶圓到下一個(gè)尚未曝光的位置，打開(kāi)所述遮光器進(jìn)行曝光。(4)當(dāng)所述晶圓上所有待曝光區(qū)域均完成曝光，即可進(jìn)行光阻顯影，移除被曝光處的光阻，然后對(duì)已顯影后的所述晶圓上未被光阻所覆蓋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，最后再移除晶圓上的光阻層。
本發(fā)明提供的晶圓光刻方法，可避免制造出一些在所述MPW光罩上不希望制造的圖案，因而降低晶圓和光刻制程的浪費(fèi)，并在所述MPW光罩上的少數(shù)項(xiàng)目需要大量生產(chǎn)芯片時(shí)，仍可利用所述MPW光罩上已有的項(xiàng)目的圖案，加上選擇光刻光源投射分布范圍的掩模來(lái)選擇待制造的芯片。


圖1顯示常規(guī)的光刻裝置；圖2(a)～2(d)顯示本發(fā)明一實(shí)施例中應(yīng)用于多項(xiàng)目晶圓制造的光刻掩模的制造流程；圖2(e)～2(h)顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中應(yīng)用于多項(xiàng)目晶圓制造的光刻掩模的制造流程；圖2(i)～2(j)顯示本發(fā)明又一實(shí)施例中應(yīng)用于多項(xiàng)目晶圓制造的光刻掩模的制造流程；圖3(a)顯示本發(fā)明一實(shí)施例的光刻裝置；和圖3(b)顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的光刻裝置。
具體實(shí)施例方式
圖2(a)～2(d)顯示本發(fā)明實(shí)施例中應(yīng)用于多項(xiàng)目晶圓制造的光刻掩模的制造流程。
如圖2(a)所示，首先提供一透明基底201，如玻璃片(供波長(zhǎng)為436納米的g-line、波長(zhǎng)為405納米的h-line和波長(zhǎng)為365納米的i-line使用)或熔融硅土(fused silica)(供波長(zhǎng)為248納米或193納米的深紫外光(DUV)使用)。
如圖2(b)所示，在透明基底201上形成一如鉻薄膜的遮光層203。所述遮光層203的厚度約為100～120納米。此外，還可以在遮光層203上形成一厚度約20納米的一鉻氧化物(如二氧化鉻)(圖未顯示)，以降低金屬鉻膜在曝光時(shí)的反射。
如圖2(c)所示，在遮光層203上旋轉(zhuǎn)涂布適當(dāng)?shù)墓庾鑼?04。并利用電子束(electronbeam)投射于光阻層204預(yù)定透光區(qū)域上。之后經(jīng)顯影，去除被電子束照射區(qū)域的部分光阻層204，而形成未受光阻層204保護(hù)的遮光層203。光阻層204可以是脂肪族二元醇酸聚酯PBS(poly-butene sulfone)或化學(xué)倍增(chemical amplification)光阻。
之后，對(duì)未受光阻層204保護(hù)的遮光層203進(jìn)行蝕刻，移除暴露的遮光層203而露出其下方的透明基底201，借此形成可透光區(qū)域206。之后再將光阻層204移除，使得原先被光阻層204覆蓋的遮光層203再現(xiàn)，如此即形成做為選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模20，如圖2(d)所示。
圖2(e)～2(h)顯示本發(fā)明的晶圓光刻掩模的另一制造流程。
如圖2(e)所示，首先提供一透明基底207，并在所述透明基底207上放置一些阻絕濺射(sputtering)元件209，以避免濺射時(shí)滲透到其下層的透明基底207，如圖2(f)所示。所述阻絕濺射元件209可以與所述透明基底207的材料相同，所述阻絕濺射元件209所覆蓋的區(qū)域用以將來(lái)形成可透光區(qū)域。
如圖2(g)所示，將遮光材質(zhì)例如鉻，濺射于所述透明基底207上以形成一遮光層210。所述遮光層210的厚度約為100～120納米。此外，還可以在遮光層210上形成一厚度約20納米的鉻氧化物(如二氧化鉻)(圖未顯示)，以降低金屬鉻膜在曝光時(shí)的反射。
之后，移除覆蓋遮光層210的所述阻絕濺射元件209使露出所述透明基底207，借此形成可透光區(qū)域211。如此即形成做為選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模22，如圖2(h)所示。
圖2(i)～2(j)顯示本發(fā)明的晶圓光刻掩模的又一制造流程。
如圖2(i)所示，首先提供一不透光的遮光基底212，如鉻板或其它鍍上鉻的不透光的遮光平板。接著可于其表面形成一厚度約20納米的鉻氧化物(如二氧化鉻)(圖未顯示)，以降低金屬鉻膜在曝光時(shí)的反射。
接著，將待透光區(qū)域在不透光的遮光基底212上切割出來(lái)，即形成可透光區(qū)域214。切割方式可利用如激光切割。最后，清除切割所產(chǎn)生的污染，如此即形成做為選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模24，如圖2(j)所示。
此掩模在應(yīng)用上會(huì)根據(jù)在MPW光罩上要制造的圖案而在所述掩模的遮光層形成可透光區(qū)域，使光能透過(guò)所述遮光層的可透光區(qū)域到達(dá)晶圓表面的光阻層以實(shí)現(xiàn)曝光。
在用以選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩?；窘Y(jié)構(gòu)完成后，其表面通常會(huì)以薄且光學(xué)透明的薄膜(pellicle)保護(hù)掩模表面，以防污染。所述薄膜通常以具有高透射率(約99％)的酯化或硝化纖維制備，如Cellulose Acetate(CA)、Nitro-Cellulose(NC)。假如灰塵的微粒落于所述薄膜上，它在曝光時(shí)將會(huì)遠(yuǎn)離聚焦平面而不會(huì)在晶圓上呈現(xiàn)。
圖3(a)示范本發(fā)明實(shí)施例的光刻裝置。其中MPW光罩301在制造時(shí)已在一些項(xiàng)目的圖案預(yù)留的切割線空間加上細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(fine alignment mark)，如細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記303m和細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記304m所示。所述細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于待曝光圖案與晶圓上已形成的圖案間的對(duì)準(zhǔn)，以避免待制造的項(xiàng)目的圖案無(wú)法進(jìn)行細(xì)微對(duì)準(zhǔn)。
首先，參考MPW光罩301的平面規(guī)劃來(lái)選擇待制造芯片的項(xiàng)目圖案以進(jìn)行曝光，即選擇曝光計(jì)劃(exposure plan)。在本實(shí)施例中是挑選項(xiàng)目的圖案303和項(xiàng)目的圖案304來(lái)進(jìn)行曝光，項(xiàng)目的圖案303和項(xiàng)目的圖案304在相鄰邊也就是303h跟304h是等長(zhǎng)且起始的參考坐標(biāo)在Y方向是相等，并且共用切割線309和310。
選擇MPW光罩301曝光成像區(qū)域的掩模302位于MPW光罩301與光刻光源317之間的光線行進(jìn)路線上。在制造選擇MPW光罩301曝光成像區(qū)域的掩模302時(shí)，可透光區(qū)域330必須至少能夠使光刻光源317的光線照射到項(xiàng)目的圖案303和304以進(jìn)行曝光。光罩301表面的虛線僅為一虛擬的切割線(切割線309、310)代表切割芯片時(shí)的可能切線位置?？赏腹鈪^(qū)域314和可透光區(qū)域315是對(duì)準(zhǔn)用的可透光區(qū)域，其功能是使得所述光罩上的光罩對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可透過(guò)所述對(duì)準(zhǔn)用可透光區(qū)域，而完成步進(jìn)機(jī)與光罩的對(duì)準(zhǔn)。
接著，利用步進(jìn)機(jī)(stepper)將晶圓319移到待曝光的位置，在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)完成對(duì)準(zhǔn)后，將關(guān)閉的遮光器(圖上未顯示)打開(kāi)，使光刻光源317的光線經(jīng)由掩模302、MPW光罩301和縮影透鏡318后曝光成像在晶圓319的光阻層320上。經(jīng)過(guò)一段曝光的時(shí)間后，將所述遮光器關(guān)閉，并把晶圓319移到下一個(gè)待曝光的位置進(jìn)行曝光，直到所有的可曝光位置均完成曝光。
圖3(a)中晶圓319上的曝光步進(jìn)(step)方式只是一種步進(jìn)方式，還可選擇其它步進(jìn)方式，其重點(diǎn)在于有效利用晶圓的可曝光面積以產(chǎn)出更多的芯片。一般使用的步進(jìn)機(jī)分為步進(jìn)且重復(fù)式對(duì)準(zhǔn)機(jī)和步進(jìn)且掃描式系統(tǒng)。本實(shí)施例是以前者為例，也能采用后者實(shí)行。如果采用后者時(shí)，掃瞄只需要在至少包含選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模302的可透光區(qū)域330上進(jìn)行即可，不需要針對(duì)整個(gè)MPW光罩301進(jìn)行掃描。另外，一般使用的光刻光源317用汞弧燈管(Mercury Arc Lamp)可產(chǎn)生波長(zhǎng)436納米的g-line、波長(zhǎng)405納米的h-line和波長(zhǎng)365納米的i-line等曝光光線，而使用激能激光的有波長(zhǎng)248納米的KrF激能激光、193納米的ArF激能激光和157納米的F2激能激光。
接著，將已曝光完成的晶圓319的光阻層320進(jìn)行顯影，移除被曝光處的光阻?；旧?，光阻顯影是利用一種化學(xué)顯影液，借此將被曝光處的光阻溶去。
然后，對(duì)已顯影后的晶圓319上未被光阻層320所覆蓋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻。蝕刻的方式可以是干蝕刻、濕蝕刻或者兩者混合使用。
最后，進(jìn)行晶圓319上光阻層320的移除，即一般所謂的去光阻步驟，移除已經(jīng)無(wú)用的光阻層。進(jìn)行去光阻的方式主要有兩種，一種是濕式剝除法，另一種是干式剝除法。濕式剝除法為使用有機(jī)溶液或無(wú)機(jī)溶液對(duì)光阻進(jìn)行結(jié)構(gòu)性的破壞。干式剝除法是以等離子的方式去除光阻。一般而言，干濕式均會(huì)搭配著使用，以徹底地將光阻層除去并避免留下等離子反應(yīng)所殘留的物質(zhì)。
圖3(b)顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的光刻制程裝置。其中MPW光罩301在制造時(shí)已在一些項(xiàng)目的圖案預(yù)留的切割線空間加上細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，如細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記303m和細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記305m所示。所述細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于待曝光圖案與晶圓上已形成的圖案間的對(duì)準(zhǔn)，以避免待制造的項(xiàng)目的圖案無(wú)法進(jìn)行細(xì)微對(duì)準(zhǔn)。
首先，參考圖3(b)的MPW光罩301的平面規(guī)劃來(lái)選擇圖案進(jìn)行曝光，在此是挑選項(xiàng)目的圖案303和項(xiàng)目的圖案305來(lái)進(jìn)行曝光，項(xiàng)目的圖案303和項(xiàng)目的圖案305成對(duì)角線相鄰放置，且項(xiàng)目的圖案303的一邊303w和項(xiàng)目的圖案305的一邊305w等長(zhǎng)，其共用切割線309和310。
所選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模333位于所述MPW光罩301到所述晶圓319之間的光線行進(jìn)路線上，在制造掩模333時(shí)，可透光區(qū)域331和332必須至少能夠選擇MPW光罩301上的項(xiàng)目的圖案303和項(xiàng)目的圖案305以進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例中，選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模333的形狀和位置需不影響對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)針對(duì)MPW光罩301的運(yùn)作。
接著，利用步進(jìn)機(jī)將晶圓移到待曝光的位置，在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)完成對(duì)準(zhǔn)后，將關(guān)閉的遮光器(圖上未顯示)打開(kāi)，使光刻光源317的光線經(jīng)由MPW光罩301、掩模333和縮影透鏡318后曝光成像在晶圓319的光阻層320上。經(jīng)過(guò)一段曝光的時(shí)間后，將所述遮光器關(guān)閉；并利用步進(jìn)機(jī)將所述晶圓319移到下一個(gè)待曝光的位置進(jìn)行曝光，直到所有的可曝光位置都完成曝光。
類似地，如圖3(b)所示的曝光還可選擇其它步進(jìn)方式，如果采用步進(jìn)且掃描式系統(tǒng)，掃瞄只需要在至少包含選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模333的可透光區(qū)域331和可透光區(qū)域332上進(jìn)行即可，不需要針對(duì)整個(gè)MPW光罩301進(jìn)行掃描。
依據(jù)上述實(shí)施例，當(dāng)晶圓被制造完成后，每個(gè)芯片都可以被完整切割出來(lái)，沒(méi)有芯片會(huì)因要切其它芯片而被切壞。再者，因?yàn)橹挥写圃斓男酒瑫?huì)被制造出來(lái)，所以可大幅降低晶圓和光刻制程的浪費(fèi)。
本發(fā)明還允許第3(b)圖中項(xiàng)目的圖案303、305和306同時(shí)進(jìn)行曝光。在晶圓被制造完成后，雖然在同一曝光區(qū)域以項(xiàng)目的圖案306制成的芯片沿Y軸的切割線會(huì)切壞以項(xiàng)目的圖案303制成的芯片，而選擇切出以項(xiàng)目的圖案303制成的芯片時(shí)以項(xiàng)目的圖案306制成的芯片也無(wú)法正常封裝使用。但是在同一片晶圓上的不同曝光區(qū)域的以項(xiàng)目的圖案303制成的芯片和以項(xiàng)目的圖案306制成的芯片仍舊有機(jī)會(huì)可以于同一晶圓中切割出來(lái)，因而分擔(dān)了光刻制程的費(fèi)用。且因只有待制造的芯片會(huì)被制造出來(lái)，所以可大幅降低晶圓和光刻制程的成本。
本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容和技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示和揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換和修改。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換和修改，并為所附的權(quán)利要求書(shū)所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種晶圓光刻掩模，搭配一光罩設(shè)于一光刻光源與一晶圓間的光線行進(jìn)路線上，其包含一遮光層，和至少一個(gè)可透光區(qū)域；其中所述可透光區(qū)域的位置和形狀可讓所述光罩上的圖案轉(zhuǎn)移到一晶圓表面的光阻層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓光刻掩模，其中所述圖案為多項(xiàng)目晶圓(MPW)圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓光刻掩模，其設(shè)于所述光罩與所述光刻光源之間的光線行進(jìn)路線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓光刻掩模，其設(shè)于所述光罩與所述晶圓之間的光線行進(jìn)路線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓光刻掩模，其另外包含至少一對(duì)準(zhǔn)用的可透光區(qū)域，使得所述光罩上的光罩對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可透過(guò)所述對(duì)準(zhǔn)用的可透光區(qū)域，而完成步進(jìn)機(jī)與所述光罩的對(duì)準(zhǔn)。
6.一種晶圓光刻掩模的制造方法，包含下列步驟提供一透明基底；形成一遮光層于所述透明基底上；形成一光阻層于所述遮光層上；曝光所述光阻層的一預(yù)定可透光區(qū)域；去除所述預(yù)定可透光區(qū)域的所述光阻層；蝕刻去除所述預(yù)定可透光區(qū)域下的所述遮光層；和移除所述光阻層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓光刻掩模的制造方法，其中曝光所述光阻層的一預(yù)定可透光區(qū)域是利用電子束進(jìn)行。
8.一種晶圓光刻掩模的制造方法，包含下列步驟提供一透明基底；設(shè)置至少一阻絕濺射元件于所述透明基底上的至少一預(yù)定可透光區(qū)域；濺射一遮光層于所述透明基底和所述阻絕濺射元件上；和移除所述阻絕濺射元件。
9.一種晶圓光刻掩模的制造方法，包含下列步驟提供一不透光的遮光基底；和切割所述遮光基底形成可透光區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓光刻掩模的制造方法，其中所述切割是采激光切割。
11.一種晶圓光刻方法，包含下列步驟設(shè)置一掩模和一光罩于一光刻光源與一晶圓間的光線行進(jìn)路線上，所述掩模包含一遮光層和至少一可透光區(qū)域；和所述光刻光源的光線經(jīng)由所述可透光區(qū)域?qū)λ鼍A進(jìn)行曝光，將所述光罩的圖案轉(zhuǎn)移到所述晶圓的光阻層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓光刻方法，其中所述掩模配置于所述光罩與所述光刻光源之間的光線行進(jìn)路線上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓光刻方法，其中所述掩模配置于所述光罩與所述晶圓之間的光線行進(jìn)路線上。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓光刻方法，其中所述掩模另外包含至少一對(duì)準(zhǔn)用的可透光區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶圓光刻方法，其中所述對(duì)準(zhǔn)用的可透光區(qū)域的功能在于使得所述光罩上的光罩對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記得以進(jìn)行步進(jìn)機(jī)與所述光罩的對(duì)準(zhǔn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓光刻方法，其中所述光罩上待轉(zhuǎn)移的圖案包含至少一細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶圓光刻方法，其中所述細(xì)微對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是用于待曝光圖案與晶圓上已形成的圖案間的對(duì)準(zhǔn)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓光刻方法，其中所述圖案為多項(xiàng)目晶圓(MPW)圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多項(xiàng)目晶圓(MPW)制造的光刻掩模與其制造方法和其應(yīng)用所述掩模的晶圓制造方法，所述掩模包含一遮光層和至少一個(gè)可透光區(qū)域，所述掩模用以選擇MPW光罩上項(xiàng)目的圖案曝光到晶圓表面光阻層。所述多項(xiàng)目晶圓制造的光刻制程方法主要是利用配置一可以選擇MPW光罩曝光成像區(qū)域的掩模于一MPW光罩與一光刻光源或所述MPW光罩與晶圓之間的光線行進(jìn)路線上，用以避免一些在所述MPW光罩上不希望制造的圖案在晶圓上被制造出來(lái)，因而降低晶圓和光刻制程的浪費(fèi)。
文檔編號(hào)H01L21/027GK101038435SQ20061005708
公開(kāi)日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2006年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月17日
發(fā)明者蔡士成, 林榮彬 申請(qǐng)人:蔡士成